导流组件和具有其的长晶炉、长晶方法

摘要

本发明公开了一种导流组件和具有其的长晶炉、长晶方法，导流组件包括：第一导流件、第二导流件和第一驱动件。第一导流件设置于坩埚上方；第二导流件与第一导流件沿长晶炉轴向间隔设置，第一导流件与第二导流件之间限定出第一流道，第一流道的进气口朝向坩埚；第一驱动件与第一导流件和/或第二导流件连接，用于驱动第一导流件与第二导流件远离或靠近，以控制第一流道在长晶炉轴向上的尺寸。根据本发明实施例的导流组件，通过第一导流件和第二导流件相互远离或者靠近，可以使得第一流道和第三流道被分别打开或者关闭，从而能较好地对长晶炉内的气体压力进行调控，以维持长晶炉内气氛环境的稳定。

权利要求

1.一种导流组件，其特征在于，设置于长晶炉中，所述长晶炉中设有坩埚、保温件以及侧加热器，所述导流组件包括：第一导流件，设置于所述坩埚上方；

第二导流件，所述第二导流件与所述第一导流件沿所述长晶炉轴向间隔设置，所述第一导流件与所述第二导流件之间限定出第一流道，所述第一流道的进气口朝向所述坩埚；

第一驱动件，所述第一驱动件与所述第一导流件和/或所述第二导流件连接，用于驱动所述第一导流件与所述第二导流件远离或靠近，以控制所述第一流道在所述长晶炉轴向上的尺寸。

2.根据权利要求1所述的导流组件，其特征在于，所述第一导流件内形成第二流道，所述第二流道的进气口朝向所述坩埚，所述第二流道与所述第一流道连通；

所述第二导流件内沿径向形成第三流道，所述第三流道与所述第一流道连通；

在所述第一驱动件的驱动下，所述第二导流件适于在第一位置处与所述第一导流件相抵接，以关闭所述第一流道以及所述第三流道。

3.根据权利要求2所述的导流组件，其特征在于，所述第一导流件包括：第一导流部和第二导流部，所述第二导流部与所述第一导流部以及所述长晶炉连接，所述第一导流部沿径向方向设有第一导流孔，所述第一导流孔与所述第一流道和所述第二流道连通，在所述第一驱动件的驱动下，所述第二导流件适于到达所述第一导流孔处使所述第一导流孔处与所述第二导流件相抵接。

4.根据权利要求3所述的导流组件，其特征在于，所述导流组件还包括：

第二驱动件，所述第二驱动件与所述第二导流件连接，用于驱动所述第二导流件绕所述长晶炉轴向旋转，在所述第二驱动件的驱动下，所述第二导流件适于旋转至第二位置，使所述第三流道的进气口与所述第一导流孔相对。

5.根据权利要求1‑4中任一项所述的导流组件，其特征在于，所述导流组件还包括：设置于所述保温件以及所述侧加热器之间的第一遮挡件和第二遮挡件，所述第二遮挡件与所述第二导流件连接，所述第一遮挡件和所述第二遮挡件限定出第四流道，所述第四流道与抽气装置连通，所述第一流道与所述第四流道连通。

6.一种长晶炉，其特征在于，包括：炉体，所述炉体内设置坩埚、保温件、侧加热器以及权利要求1‑5中任一项所述的导流组件。

7.一种长晶方法，应用于如权利要求1‑5中任一项所述的导流组件，其特征在于，确定长晶阶段；

根据所述长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件和第二导流件靠近或者远离，以控制第一流道在长晶炉轴向上的高度。

8.根据权利要求7所述的长晶方法，其特征在于，所述根据所述长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件和第二导流件靠近或者远离，以控制第一流道在长晶炉轴向上的尺寸，包括：确定所述长晶阶段为化料阶段，则打开所述第一流道、第二流道、第三流道。

9.根据权利要求7所述的长晶方法，其特征在于，所述根据所述长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件和第二导流件靠近或者远离，以控制第一流道在长晶炉轴向上的尺寸，包括：确定所述长晶阶段为引晶阶段，则通过所述第一驱动件控制所述第二导流件与所述第一导流件在第一位置处抵接，打开第二流道，关闭所述第一流道以及第三流道。

10.根据权利要求7所述的长晶方法，其特征在于，所述根据所述长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件和第二导流件靠近或者远离，以控制第一流道在长晶炉轴向上的高度，还包括：确定所述长晶阶段为等径阶段，通过第二驱动件控制所述第二导流件旋转至第二位置，关闭所述第一流道，并使第三流道的进气口与第一导流孔相对，以打开第二流道以及第三流道。

说明书

导流组件和具有其的长晶炉、长晶方法

技术领域

[0001] 本发明涉及长晶工艺技术领域，尤其是涉及一种导流组件和具有其的长晶炉、长晶方法。

背景技术

[0002] 在实际长晶过程中，不同的长晶阶段产生的SiO气体是不同的，若采用相同的压力控制，则会导致长晶炉内有较多的气体，会产生不必要的涡流，影响晶棒品质，但若通过抽
真空系统调控炉内压力，则难以配合保护气体的通入量，以维持气氛环境的稳定。

发明内容

[0003] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明在于提出一种导流组件，可以根据不同的长晶阶段的长晶炉内的气体压力进行不同的调整和控制，这
样，可以更好的维持长晶炉内气氛环境的稳定。

[0004] 根据本发明实施例的导流组件包括：第一导流件、第二导流件和第一驱动件。设置于坩埚上方；第二导流件与第一导流件沿长晶炉轴向间隔设置，第一导流件与第二导流件
之间限定出第一流道，第一流道的进气口朝向坩埚；第一驱动件与第一导流件和/或第二导
流件连接，用于驱动第一导流件与第二导流件远离或靠近，以控制第一流道在长晶炉轴向
上的尺寸。

[0005] 根据本发明实施例的导流组件，通过将第一流道的进气孔朝向坩埚设置，这样，方便坩埚内的气体能够快速的通过进气口进入第一流道，进而排出坩埚外，防止因进气口设
置太远，使得气体在炉壁表面凝结成微粒，重新掉落到硅熔液中，对硅熔液造成污染，影响
硅晶体生长的品质。通过设置第一驱动件控制第一导流件与第二导流件间的距离，便能够
对第一流道的大小进行调整，进而便能够对长晶炉内的气体压力进行调控，以与不同的长
晶阶段进行适配，以保证长晶炉内的气氛环境的稳定。

[0006] 另外，根据本发明的导流组件，还可以具有如下附加的技术特征：

[0007] 在一些实施例中，所述第一导流件内形成第二流道，所述第二流道的进气口朝向所述坩埚，所述第二流道与所述第一流道连通；所述第二导流件内沿径向形成第三流道，所
述第三流道与所述第一流道连通；在所述第一驱动件的驱动下，所述第二导流件适于在第
一位置处与所述第一导流件相抵接，以关闭所述第一流道以及所述第三流道。

[0008] 在一些实施例中，所述第一导流件包括：第一导流部和第二导流部，所述第二导流部与所述第一导流部以及所述长晶炉连接，所述第一导流部沿径向方向设有第一导流孔，
所述第一导流孔与所述第一流道和所述第二流道连通，在所述第一驱动件的驱动下，所述
第二导流件适于到达所述第一导流孔处使所述第一导流孔处与所述第二导流件相抵接。

[0009] 在一些实施例中，所述导流组件还包括：第二驱动件，所述第二驱动件与所述第二导流件连接，用于驱动所述第二导流件绕所述长晶炉轴向旋转，在所述第二驱动件的驱动
下，所述第二导流件适于旋转至第二位置，使所述第三流道的进气口与所述第一导流孔相
对。

[0010] 在一些实施例中，所述导流组件还包括：设置于所述保温件以及所述侧加热器之间的第一遮挡件和第二遮挡件，所述第二遮挡件与所述第二导流件连接，所述第一遮挡件
和所述第二遮挡件限定出第四流道，所述第四流道与抽气装置连通，所述第一流道与所述
第四流道连通。

[0011] 本发明还提出一种具有上述导流组件的长晶炉。

[0012] 根据本发明实施例的长晶炉包括：炉体，炉体内设置坩埚、保温件、侧加热器和导流组件，用于进行硅晶体生产；通过设置上述的导流组件，可以根据不同的长晶阶段的长晶
炉内的气体压力进行不同的调整和控制，这样，可以更好的维持长晶炉内气氛环境的稳定。

[0013] 本申请还提出一种长晶方法。

[0014] 下面参考图1‑图2描述根据本申请实施例的长晶方法。

[0015] 根据本申请实施例的长晶方法包括：确定长晶阶段；根据长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件和第二导流件靠近或者远离，以控制第一流道在长晶炉轴向上的高度。

[0016] 另外，根据本申请的长晶方法，还可以具有如下附加的技术特征：

[0017] 在一些实施例中，所述根据所述长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件和第二导流件靠近或者远离，以控制第一流道在长晶炉轴向上的尺寸，包括：确定所述长晶阶段为
化料阶段，则打开所述第一流道、第二流道、第三流道。

[0018] 在一些实施例中，所述根据所述长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件和第二导流件靠近或者远离，以控制第一流道在长晶炉轴向上的尺寸，包括：确定所述长晶阶段为
引晶阶段，则通过所述第一驱动件控制所述第二导流件与所述第一导流件在第一位置处抵
接，打开第二流道，关闭所述第一流道以及第三流道。

[0019] 在一些实施例中，所述根据所述长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件和第二导流件靠近或者远离，以控制第一流道在长晶炉轴向上的高度，还包括：确定所述长晶阶段
为等径阶段，通过第二驱动件控制所述第二导流件旋转至第二位置，关闭所述第一流道，并
使第三流道的进气口与第一导流孔相对，以打开第二流道以及第三流道。

附图说明

[0020] 图1是根据本发明实施例的长晶炉化料阶段的结构示意图；

[0021] 图2是根据本发明实施例的长晶炉引晶阶段的结构示意图；

[0022] 图3是根据本发明实施例的长晶炉等径阶段的结构示意图。

[0023] 附图标记：

[0024] 100、长晶炉；

[0025] 1、第一导流件；11、第二流道；12、第一导流部；13、第二导流部；14、第一导流孔；

[0026] 2、第二导流件；21、第三流道；

[0027] 3、第一流道；4、第四流道；5、第一遮挡件；6、第二遮挡件；7、保温件；8、侧加热器；9、坩埚。

具体实施方式

[0028] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附
图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0029] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必
须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0030] 此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者
隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，
除非另有明确具体的限定。

[0031] 在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连
接，也可以是电连接，还可以是通信；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以
是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可
以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。

[0032] 单晶生长主要是在坩埚中添加硅料，利用加热器将坩埚中的硅料熔化成熔汤，在硅液中浸入籽晶，通过提拉机构提拉籽晶，硅液随着籽晶的提拉结晶生长为晶棒。在单晶生
长的过程中，熔汤表面会挥发SiO气体，遇到冷的炉壁会凝结成微粒，有可能掉落污染熔汤。
因此需要通入保护气体可以带走SiO气体，同时也可以带走SiO与石墨元件反应产生的CO气
体，避免CO融入熔汤内污染晶体。然而，不同的长晶阶段产生的SiO气体是不同的，相应通入
的保护气体的量也相同，从而导致在长晶的各阶段中长晶炉内压力不同，长晶炉内容易产
生气体涡流，扰动晶体生长环境。为了解决上述问题，本发明实施例提供了一种导流组件和
具有其的长晶炉、长晶方法，具体技术方案如下：

[0033] 首先，参考图1‑图3描述根据本发明实施例的导流组件。

[0034] 如图1至图3所示，根据本发明实施例的导流组件，其包括：第一导流件1、第二导流件2和第一驱动件；在本实施例中，导流组件设置于长晶炉100中，长晶炉100中设有坩埚9、
保温件7以及侧加热器8。坩埚9用于盛放和熔化硅料，并进行长晶，保温件7用于对坩埚9内
的温度进行保温，防止坩埚9内的温度下降过快，影响硅晶体生长的品质，侧加热器8用于对
坩埚9进行加热，使坩埚9内的硅料熔化；第一导流件1设置于坩埚9上方。第一导流件1形成
有单晶炉轴向方向上由下至上直径逐渐增大的拉晶通道，保护气体通常从拉晶通道流通至
坩埚9上方，坩埚9内的气体向上流动，与保护气体混合，相关技术中，长晶炉内仅设有第一
导流件，混合气体顺着第一导流件1流至炉体外。本发明公开的导流组件还设有第二导流件
2，第二导流件2与第一导流件1沿长晶炉100轴向间隔设置，第二导流件2可以设置在第一导
流件1的下方，也可以设置在第一导流件1的上方；第一导流件1与第二导流件2之间限定出
第一流道3，第一流道3的进气口朝向坩埚9；这样，方便坩埚9上方的气体能够快速的通过进
气口沿着第一导流件1和第二导流件2流入第一流道3，进而排出坩埚9外。优选地，第二导流
件2靠近第一导流件1的端面具有与第一导流件1形成的拉晶通道延伸方向一致的倾斜面。

[0035] 进一步地，第一驱动件与第一导流件1和/或第二导流件2连接，也就是说，第一驱动件可以和第一导流件1连接，或是和第二导流件2连接，也可以是第一驱动件和第一导流
件1以及第二导流件2均连接；第一驱动件用于驱动第一导流件1与第二导流件2远离或靠
近，以控制第一流道3在长晶炉100轴向上的尺寸(即第一导流件1和第二导流件2轴向上的
间隔距离)；在一个示例中，第一驱动件能驱动第一导流件1活动，以使得第一导流件1能靠
近或者远离第二导流件2，在另一个示例中，第一驱动件能驱动第二导流件2活动，以使得第
二导流件2能靠近或者远离第一导流件1，还有的示例中，第一驱动件能同时驱动第一导流
件1和第二导流件2活动，以使得第一导流件1和第二导流件2相互靠近或者远离；这样，通过
控制第一导流件1与第二导流件2间的距离，便能够对第一流道3的大小进行调整，进而便能
够对长晶炉100内的气体压力进行调控，以与不同的长晶阶段进行适配，以保证长晶炉100
内的气氛环境的稳定。

[0036] 根据本发明实施例的导流组件，通过将第一流道3的进气孔朝向坩埚9设置，这样，可以使导流组件与坩埚9内的熔汤液面具有较小的距离，一方面，可使保护气体靠近熔汤液
面吹拂，另一方面，方便坩埚9内的气体能够快速的通过进气口进入第一流道3，进而排出坩
埚9外，防止因进气口设置太远，使得气体在炉壁表面凝结成微粒，重新掉落到硅熔液中，对
硅熔液造成污染，影响硅晶体生长的品质。通过设置第一驱动件控制第一导流件1与第二导
流件2间的距离，便能够对第一流道3的大小进行调整，进而便能够对长晶炉100内的气体压
力进行调控，以与不同的长晶阶段进行适配，以保证长晶炉100内的气氛环境的稳定。

[0037] 在本发明的一个实施例中，如图1至图3所示，第一导流件1内形成第二流道11，第二流道11的进气口朝向坩埚9，这样，方便坩埚9内的气体能够快速的通过进气口进入第二
流道11，进而排出坩埚9外，防止因进气口设置太远，使得气体在炉壁表面凝结成微粒，重新
掉落到硅熔液中，对硅熔液造成污染，影响硅晶体生长的品质；第二流道11与第一流道3连
通，可以减小炉内压力，便于第一流道3和第二流道11中的气体统一排出炉体；第二导流件2
内沿径向形成第三流道21，第三流道21与第一流道3连通，这样，可以进一步加强对长晶炉
100内压力的调控，进一步减小炉体压力，导出炉内多余气体，避免不必要的涡流；在第一驱
动件的驱动下，第二导流件2适于在第一位置处与第一导流件1相抵接，以关闭第一流道3以
及第三流道21。第一位置处是指第二流道11与第一流道3连通处与第三流道21与第一流道3
连通处相抵接的位置处，通过驱动第二导流件2将第一位置处封堵，以此达到关闭第一流道
3和第三流道21的目的，此时，仅剩第二流道11正常工作，排气量达到最小。

[0038] 另外，第二流道11可沿第一导流件1径向设置一个或多个，以增加气体流量，也可以直接把第二导流件2做成中空的，用以增大流道。

[0039] 在本发明的一个具体实施例中，如图1至图3所示，第一导流件1可以包括：第一导流部12和第二导流部13，第二导流部13的两端分别与第一导流部12以及长晶炉100连接，例
如图1所示，第一导流部12形成炉体轴向由下至上直径增大的拉晶通道，第一导流部12的延
伸方向与第二流道11的方向一致，第二导流部13远离第一导流部12的一端与长晶炉100固
定连接，用于保证整个第一导流件1的稳定；第一导流部12沿径向方向设有第一导流孔14，
第一导流孔14与第一流道3和第二流道11连通，这样，可以增加气体流量；在第一驱动件的
驱动下，第二导流件2适于到达第一导流孔14处使第一导流孔14处与第二导流件2相抵接，
优选地，第二导流件2靠近第一导流件1的端面具有与第一导流部12倾斜方向一致的倾斜
面。这样，随着第一导流件1与第二导流件2距离的逐渐减小，第二导流件2到达一定位置后，
第二导流件2的端面能够和第一导流部12接触，进而第二导流件2便能够将第一导流孔14封
堵，控制关闭第一流道3和第三流道21。

[0040] 进一步地，导流组件还可以包括：第二驱动件，第二驱动件与第二导流件2连接，用于驱动第二导流件2绕长晶炉100轴向旋转，在第二驱动件的驱动下，第二导流件2适于旋转
至第二位置，使第三流道21的进气口与第一导流孔14相对。此时，第二流道11和第三流道21
通过第一导流孔14连通，进入第二流道11的气流可以通过第一导流孔14进入第三流道21，
这样，可以通过第三流道21对气体进行分流，以增加气体排量。

[0041] 在本发明的一个实施例中，如图1至图3所示，导流组件还可以包括：设置于保温件7以及侧加热器8之间的第一遮挡件5和第二遮挡件6，第二遮挡件6与第二导流件2连接，第
一遮挡件5和第二遮挡件6限定出第四流道4，第四流道4与抽气装置连通，第一流道3与第四
流道4连通。限定出的第四流道4为排气流道，第一流道3，第二流道11和第三流道21均可以
与第四流道4相连通，第一流道3，第二流道11和第三流道21中的气体汇聚到第四流道4中，
统一从第四流道4中排出；抽气装置用于对第四流道4中的气体进行抽吸，用于加快气体流
速，加快气体排出的速度。

[0042] 下面参考图1至图3描述根据本发明一个具体实施例的导流组件。

[0043] 具体地，如图1至图3所示，导流组件包括：第一导流件1、第二导流件2、第一驱动件、第二驱动件、第一遮挡件5和第二遮挡件6。在本具体实施例中，导流组件设置于长晶炉
100中，长晶炉100中设有坩埚9、保温件7以及侧加热器8；设置于坩埚9上方；第二导流件2与
第一导流件1沿长晶炉100轴向间隔设置，第一导流件1与第二导流件2之间限定出第一流道
3，第一流道3的进气口朝向坩埚9；第一驱动件与第一导流件1和第二导流件2连接，用于驱
动第二导流件2与第一导流件1远离或靠近，以控制第一流道3在长晶炉100轴向上的尺寸。

[0044] 进一步地，第一导流件1内形成第二流道11，第二流道11的进气口朝向坩埚9，第二流道11与第一流道3连通；第二导流件2内沿径向形成第三流道21，第三流道21与第一流道3
连通；在第一驱动件的驱动下，第二导流件2适于在第一位置处与第一导流件1相抵接，以关
闭第一流道3以及第三流道21。第一导流件1包括：第一导流部12和第二导流部13，第二导流
部13的两端分别与第一导流部12以及长晶炉100连接，第一导流部12沿径向方向设有第一
导流孔14，第一导流孔14与第一流道3和第二流道11连通，在第一驱动件的驱动下，第二导
流件2适于到达第一导流孔14处使第一导流孔14处与第二导流件2相抵接；第二驱动件与第
二导流件2连接，用于驱动第二导流件2绕长晶炉100轴向旋转，在第二驱动件的驱动下，第
二导流件2适于旋转至第二位置，使第三流道21的进气口与第一导流孔14相对。

[0045] 另外，第一遮挡件5和第二遮挡件6设置于保温件7以及侧加热器8之间，第二遮挡件6与第二导流件2连接，第一遮挡件5和第二遮挡件6限定出第四流道4，第四流道4与抽气
装置连通，第一流道3与第四流道4连通。第一遮挡件5和第二遮挡件6可以保护保温件7以及
侧加热器8不受到导出气体的污染，有利于延长保温件7和侧加热器8的使用寿命。

[0046] 根据本发明具体实施例的导流组件，通过将第一流道3的进气孔朝向坩埚9设置，这样，方便坩埚9内的气体能够快速的通过进气口进入第一流道3，进而排出坩埚9外，防止
因进气口设置太远，使得气体在炉壁表面凝结成微粒，重新掉落到硅熔液中，对硅熔液造成
污染，影响硅晶体生长的品质。通过设置第一驱动件控制第一导流件1与第二导流件2间的
距离，便能够对第一流道3的大小进行调整，进而便能够对长晶炉100内的气体压力进行调
控，以与不同的长晶阶段进行适配，以保证长晶炉100内的气氛环境的稳定。

[0047] 本发明还提出一种具有上述导流组件的长晶炉100。

[0048] 根据本发明实施例的长晶炉100包括：炉体，炉体内设置坩埚9、保温件7、侧加热器8和导流组件，用于进行硅晶体生产；通过设置上述的导流组件，可以根据不同的长晶阶段
的长晶炉100内的气体压力进行不同的调整和控制，这样，可以更好的维持长晶炉100内气
氛环境的稳定。

[0049] 本申请还提出一种长晶方法。

[0050] 下面参考图1‑图3描述根据本申请实施例的长晶方法。

[0051] 根据本申请实施例的长晶方法包括：确定长晶阶段；根据长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件1和第二导流件2靠近或者远离，以控制第一流道3在长晶炉100轴向上的
尺寸。也就是说，通过对长晶阶段进行判断，以采取不同的调控策略；在一个示例中，第一驱
动件能驱动第一导流件1活动，以使得第一导流件1能靠近或者远离第二导流件2，在另一个
示例中，第一驱动件能驱动第二导流件2活动，以使得第二导流件2能靠近或者远离第一导
流件1，还有的示例中，第一驱动件能同时驱动第一导流件1和第二导流件2活动，以使得第
一导流件1和第二导流件2相互靠近或者远离；这样，通过控制第一导流件1与第二导流件2
间的距离，便能够对第一流道3的大小进行调整，进而便能够对长晶炉100内的气体压力进
行调控，以与不同的长晶阶段进行适配，以保证长晶炉100内的气氛环境的稳定。

[0052] 上述，长晶阶段主要根据长晶工艺的设置确定，例如：根据长晶时间，或者通过观察晶体的生长状态等，其中长晶时间对应的长晶阶段可以预先设置。

[0053] 对于化料阶段，由于该阶段产生了大量的硅蒸汽，相应也要通入大量的保护气体，因此在化料阶段中炉内的气压较大，涡流情况比较复杂。根据本发明实施例公开的长晶方
法，可以通过第一驱动件调整第一导流件1和第二导流件2之间的距离增大，进而增大第一
流道3在轴向上的尺寸，导出气流，降低炉内压力。对于引晶阶段，由于该阶段的硅蒸汽较
少，相应通入的保护气体也少，因此在引晶阶段中可以通过第一驱动件调整第一导流件1和
第二导流件2之间的距离减小，控制第一流道3轴向上的尺寸减小。

[0054] 在本申请的一个实施例中，如图1至图3所示，根据长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件1和第二导流件2靠近或者远离，以控制第一流道3在长晶炉100轴向上的高度，
包括：确定长晶阶段为化料阶段，则打开第一流道3、第二流道11、第三流道21。化料阶段长
晶炉100内会产生大量的含有杂质的气体，需要通入大量的保护气体将含有杂质的气体带
走，此时，长晶炉100内的气体压力大，需要快速减压，所以将第一流道3、第二流道11、第三
流道21均打开，用于快速减轻长晶炉100内压力，以维持长晶炉100内气氛环境的稳定。

[0055] 在本申请的一个实施例中，如图1至图3所示，根据长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件1和第二导流件2靠近或者远离，以控制第一流道3在长晶炉100轴向上的尺寸，
包括：确定长晶阶段为引晶阶段，则通过第一驱动件控制第二导流件2与第一导流件1在第
一位置处抵接，打开第二流道11，关闭第一流道3以及第三流道21。引晶阶段长晶炉100内产
生的含有杂质的气体较少，通入的保护气体也较少，此时，长晶炉100内的气体压力较小，无
需快速减压，所以仅打开第二流道11，将第一流道3和第三流道21关闭，防止开启的流道过
多，气体流失过多，造成炉内负压和炉内温度下降的问题。

[0056] 在本申请的一个实施例中，如图1至图3所示，根据长晶阶段通过第一驱动件驱动第一导流件1和第二导流件2靠近或者远离，以控制第一流道3在长晶炉100轴向上的高度，
还包括：确定长晶阶段为等径阶段，通过第二驱动件控制第二导流件2旋转至第二位置，关
闭第一流道3，并使第三流道21的进气口与第一导流孔14相对，以打开第二流道11以及第三
流道21。等径阶段长晶炉100内产生的含有杂质的气体较多，通入的保护气体也较多，此时，
长晶炉100内的气体压力较大，需减压但无需快速减压，所以打开第二流道11和第三流道
21，将第一流道3关闭，以维持长晶炉100内气氛环境的稳定。

[0057] 根据本发明实施例的导流组件、长晶炉100和长晶方法的其他构成以及操作对于本领域普通技术人员而言都是已知的，这里不再详细描述。

[0058] 在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特
点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不
必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任
一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技
术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结
合和组合。

[0059] 尽管已经示出和描述了本发明的实施例，本领域的普通技术人员可以理解：在不脱离本发明的原理和宗旨的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本
发明的范围由权利要求及其等同物限定。