一种LED晶圆片分选方法

摘要

本发明提供了一种LED晶圆片分选方法，所述分选方法包括：获取LED晶圆片的WAT抽测数据；扫描所述LED晶圆片上所有晶粒的坐标并区分内圈晶粒与外圈晶粒；对所述内圈晶粒与所述外圈晶粒进行区分点测，所述内圈晶粒不测，所述外圈晶粒全测；对区分点测后的LED晶圆片进行AOI外观检测，标记并破坏所述内圈晶粒中的外观不良品；计算处于内圈的内圈预设范围内的内圈晶粒的各项光电性均值得出标签值并打标计数内圈整片出货；正常电性和外观OK的外圈晶粒进行分选出货，异常的外圈晶粒进行BIN标记并挑出，本发明减少了点测和分选作业时间，提升了产能，减少了耗材及物料损耗，节省了成本和人员操作步骤。

权利要求

1.一种LED晶圆片分选方法，其特征在于，所述分选方法包括以下步骤：

步骤一、对LED晶圆片上的所有晶粒进行WAT抽测，以得到所述LED晶圆片的WAT抽测数据；

步骤二、根据客户作业机台的最大承载半径R对所述LED晶圆片上的所有晶粒进行内外圈区分，以形成内圈晶粒与外圈晶粒；

步骤三、对所述内圈晶粒与所述外圈晶粒进行区分点测，所述外圈晶粒全测，所述内圈晶粒不测，输出光电性文档，所述光电性文档包括所述内圈晶粒、所述外圈晶粒的坐标以及所述外圈晶粒的光电性数据；

步骤四、对区分点测后的所述外圈晶粒与所述内圈晶粒进行AOI外观检测并输出外观检测数据，将输出的所述外观检测数据与所述光电性文档进行转档，根据所述外观检测数据将所述内圈晶粒中的外观不良品进行标记并破坏所述内圈晶粒中的外观不良品，其中，将所述内圈晶粒的外观不良品进行BIN标记，记为第一等级；

步骤五、根据所述WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片的内圈分布区域，选取处于内圈预设范围内的内圈晶粒并计算其各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货；

步骤六、对所述外观检测数据与所述光电性文档进行二次转档，根据所述外观检测数据与所述光电性文档对所述外圈晶粒进行区分并分选出货，其中，将异常的外圈晶粒进行BIN标记，记为第二等级，并将异常的外圈晶粒挑出；

其中，所述步骤二包括：

扫描所述LED晶圆片上所有晶粒的坐标 并计算其离所述LED晶圆片圆心的距离，其中，m为晶粒的长度，n为晶粒的宽度；

2 2 2 2

判断L与客户作业机台最大承载半径的平方R的大小，若L＜R则表示此晶粒处于内圈

2 2

并将该晶粒标记为内圈晶粒，若L≥R则表示此晶粒处于外圈并将该晶粒标记为外圈晶粒；

在所述步骤二之后，所述分选方法还包括：

对内圈进行平边标记，取内圈晶粒横坐标的最小值 ，其中， ＜0，将内圈晶粒横坐标的最小值 内缩A，其中，A＞0，以得到平边值 +A，若有内圈晶粒横坐标 ＜ +A，则将该内圈晶粒判定为外圈晶粒。

2.根据权利要求1所述的LED晶圆片分选方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述对区分点测后的所述外圈晶粒与所述内圈晶粒进行AOI外观检测并输出外观检测数据的步骤包括：通过不同颜色光源搭配CCD相机对所述外圈晶粒与所述内圈晶粒的表面形貌进行取像，然后通过与预设标准正常影像进行对比分析，通过对比影像灰阶值判断是否存在外观不良品，影像灰阶值和标准灰阶值偏差超过预设范围即判定为外观不良品，并输出外观检测数据。

3.根据权利要求1所述的LED晶圆片分选方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述根据所述外观检测数据将所述内圈晶粒中的外观不良品进行标记并破坏所述内圈晶粒中的外观不良品的步骤具体包括：根据所述内圈晶粒的坐标以及所述外观检测数据，定位所述内圈晶粒中的外观不良品的坐标，并对所述内圈晶粒中的外观不良品进行BIN标记，记为第一等级，通过镭射机按照第一预设形状对所述内圈晶粒中的外观不良品进行镭射激光破坏作业，破坏所述内圈晶粒中的外观不良品。

4.根据权利要求3所述的LED晶圆片分选方法，其特征在于，在所述步骤四中，所述第一预设形状为L形或十字形或米字形。

5.根据权利要求1所述的LED晶圆片分选方法，其特征在于，在所述步骤五中，所述内圈预设范围为矩形，根据所述WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片内圈分布区域，计算内圈范围中内切矩形的四个角点坐标，按照四个角点坐标确定的内圈预设范围重新抓取WAT抽测数据并筛选内圈预设范围对应的WAT抽测数据进行重计算，计算各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货。

6.根据权利要求1所述的LED晶圆片分选方法，其特征在于，在所述步骤五中，所述内圈预设范围为圆形，根据所述WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片内圈分布区域，计算内圈边缘位置的坐标，根据内圈边缘位置的坐标确定内圈预设范围，除去不在内圈预设范围内的WAT抽测数据，以得到分布在内圈预设范围内的WAT抽测数据，计算各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货。

7.根据权利要求1所述的LED晶圆片分选方法，其特征在于，在所述步骤五中，所述标签值包括所述内圈晶粒的电压、波长与亮度的最大值、最小值、均值、标准差以及所述内圈晶粒的颗粒数N=N1‑N2；

其中，N1为总的所述内圈晶粒的数量，N2为INK破坏的所述内圈晶粒中的外观不良品的数量。

8.根据权利要求1所述的LED晶圆片分选方法，其特征在于，在所述步骤六中，所述根据所述外观检测数据与所述光电性文档对所述外圈晶粒进行区分并分选出货的步骤包括：根据所述外观检测数据与所述光电性文档将正常电性、外观良好的外圈晶粒与异常的外圈晶粒进行区分，正常电性和外观良好的外圈晶粒按照光电性BIN表范围进行区分并按其等级进行分选出货，异常的外圈晶粒进行BIN标记，记为第二等级，并将异常的外圈晶粒挑出。

说明书

一种LED晶圆片分选方法

技术领域

[0001] 本发明属于LED的技术领域，具体地涉及一种LED晶圆片分选方法。

背景技术

[0002] LED芯片制造流程中，LED晶圆片波长、亮度、电压等光电性参数分布不均，整片产出跨度较大，目前主流做法均是采用每颗晶粒全测，再根据每颗光电性数据进行转档分等级，然后按照每颗晶粒等级利用分选机分选在不同的方片上，同等级晶粒在同张方片上，客户按照不同应用需求选用不同等级方片使用。

[0003] 但目前以全测加分选方片形式出货的方式，所需求点测机和分选机产能大，尤其针对尺寸越小产品，点测和分选产能达到瓶颈无法突破，同时也增加了点测与分选作业时
间。

发明内容

[0004] 为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LED晶圆片分选方法，用于解决现有技术中以全测加分选方片形式出货的方式，所需求点测机和分选机产能大，尤其针对尺寸越
小产品，点测和分选产能达到瓶颈无法突破，同时也增加了点测与分选作业时间的技术问
题。

[0005] 该发明提供以下技术方案，一种LED晶圆片分选方法，其特征在于，所述分选方法包括以下步骤：

[0006] 步骤一、对LED晶圆片上的所有晶粒进行WAT抽测，以得到所述LED晶圆片的WAT抽测数据；

[0007] 步骤二、根据客户作业机台的最大承载半径R对所述LED晶圆片上的所有晶粒进行内外圈区分，以形成内圈晶粒与外圈晶粒；

[0008] 步骤三、对所述内圈晶粒与所述外圈晶粒进行区分点测，所述外圈晶粒全测，所述内圈晶粒不测，输出光电性文档，所述光电性文档包括所述内圈晶粒、所述外圈晶粒的坐标以及所述外圈晶粒的光电性数据；

[0009] 步骤四、对区分点测后的所述外圈晶粒与所述内圈晶粒进行AOI外观检测并输出外观检测数据，将输出的所述外观检测数据与所述光电性文档进行转档，根据所述外观检
测数据将所述内圈晶粒中的外观不良品进行标记并破坏所述内圈晶粒中的外观不良品；

[0010] 步骤五、根据所述WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片的内圈分布区域，选取处于内圈预设范围内的内圈晶粒并计算其各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货；

[0011] 步骤六、对所述外观检测数据与所述光电性文档进行二次转档，根据所述外观检测数据与所述光电性文档对所述外圈晶粒进行区分并分选出货。

[0012] 相比现有技术，本申请的有益效果为：本申请采用内圈不测、外圈全测的方式，能够大幅度减少点测机对晶粒点测所需的时间，同时采用镭射INK的方式破坏内圈晶粒中的外观不良品，省去了将内圈晶粒中的外观不良品再次挑出的步骤，节省了产能同时也大幅
度减少了分选作业时间，同时也减少了耗材及物料的损耗，且利用WAT抽测数据并设定一个内圈预设范围，通过计算在内圈预设范围内的WAT抽测数据可代替对内圈晶粒进行点测的
步骤，进一步的节省了产能，同时也节省了成本以及人工操作步骤。

[0013] 较佳的，所述步骤二包括：

[0014] 扫描所述LED晶圆片上所有晶粒的坐标 并计算其离所述LED晶圆片圆心的距离 ，其中，m为晶粒的长度，n为晶粒的宽度；

[0015] 判断L2与客户作业机台最大承载半径的平方R2的大小，若L2＜R2则表示此晶粒处2 2
于内圈并将该晶粒标记为内圈晶粒，若L≥R 则表示此晶粒处于外圈并将该晶粒标记为外
圈晶粒。

[0016] 较佳的，所述步骤二之后，所述分选方法还包括：

[0017] 对内圈进行平边标记，取内圈晶粒横坐标的最小值 ＜0，将内圈晶粒横坐标的最小值 内缩A＞0，以得到平边值 +A，若有内圈晶粒横坐标 ＜ +A，则将该内圈
晶粒判定为外圈晶粒。

[0018] 较佳的，在所述步骤四中，所述对区分点测后的所述外圈晶粒与所述内圈晶粒进行AOI外观检测并输出外观检测数据的步骤包括：

[0019] 通过不同颜色光源搭配CCD相机对所述外圈晶粒与所述内圈晶粒的表面形貌进行取像，然后通过与预设标准正常影像进行对比分析，通过对比影像灰阶值判断是否存在外
观不良品，影像灰阶值和标准灰阶值偏差超过预设范围即判定为外观不良品，并输出外观
检测数据。

[0020] 较佳的，在所述步骤四中，所述根据所述外观检测数据将所述内圈晶粒中的外观不良品进行标记并破坏所述内圈晶粒中的外观不良品的步骤具体包括：

[0021] 根据所述内圈晶粒的坐标以及所述外观检测数据，定位所述内圈晶粒中的外观不良品的坐标，并对所述内圈晶粒中的外观不良品进行BIN标记，记为第一等级，通过镭射机按照第一预设形状对所述内圈晶粒中的外观不良品进行镭射激光破坏作业，破坏所述内圈
晶粒中的外观不良品。

[0022] 较佳的，在所述步骤四中，所述第一预设形状为L形或十字形或米字形。

[0023] 较佳的，在所述步骤五中，所述内圈预设范围为矩形，根据所述WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片内圈分布区域，计算内圈范围中内切矩形的四个角点坐标，按照四个角点坐标确定的内圈预设范围重新抓取WAT抽测数据并筛选内圈预设范围对应的WAT抽测数据进行重计算，计算各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货。

[0024] 较佳的，在所述步骤五中，所述内圈预设范围为圆形，根据所述WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片内圈分布区域，计算内圈边缘位置的坐标，根据内圈边缘位置的坐标确定内圈预设范围，除去不在内圈预设范围内的WAT抽测数据，以得到分布在内圈预设范围内的WAT抽测数据，计算各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出
货。

[0025] 较佳的，在所述步骤五中，所述标签值包括所述内圈晶粒的电压、波长与亮度的最大值、最小值、均值、标准差以及所述内圈晶粒的颗粒数N=N1‑N2；

[0026] 其中，N1为总的所述内圈晶粒的数量，N2为INK破坏的所述内圈晶粒中的外观不良品的数量。

[0027] 较佳的，在所述步骤六中，所述根据所述外观检测数据与所述光电性文档对所述外圈晶粒进行区分并分选出货的步骤包括：

[0028] 根据所述外观检测数据与所述光电性文档将正常电性、外观良好的外圈晶粒与异常的外圈晶粒进行区分，正常电性和外观良好的外圈晶粒按照光电性BIN表范围进行区分
并按其等级进行分选出货，异常的外圈晶粒进行BIN标记，记为第二等级，并将异常的外圈晶粒挑出。

附图说明

[0029] 为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些
实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0030] 图1为本发明实施例提供的LED晶圆片分选方法的流程图。

[0031] 以下将结合附图对本发明进行详细说明。

具体实施方式

[0032] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附
图描述的实施例是示例性的，旨在用于解释本发明的实施例，而不能理解为对本发明的限
制。

[0033] 在本发明实施例的描述中，需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对
本发明的限制。

[0034] 此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

[0035] 在本发明实施例中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明实施例中的具体含义。

[0036] 在本发明的一个实施例中，如图1所示，一种LED晶圆片分选方法，所述分选方法包括以下步骤：

[0037] 步骤一、对LED晶圆片上的所有晶粒进行WAT抽测，以得到所述LED晶圆片的WAT抽测数据；

[0038] 其中，WAT抽测具体为对LED晶圆片上的所有晶粒进行等间距抽测，例如在X轴方向上选取第一个晶粒，之后每隔十个晶粒就选取一个晶粒，以此类推，在LED晶圆片上选取若干个等间距的晶粒，对选取出的晶粒进行光电性的测试，并获取WAT抽测的晶粒的坐标，即所述LED晶圆片的WAT抽测数据包括抽测晶粒的光电性数据以及坐标；

[0039] 具体的，通过载台真空吸附固定LED晶圆片，而后通过CCD找到LED晶圆片的中心原点，按照预设的等距进行移动点测，例如按照10*10间距抽测，期间无需进行扫描过程，效率较高。

[0040] 步骤二、根据客户作业机台的最大承载半径R对所述LED晶圆片上的所有晶粒进行内外圈区分，以形成内圈晶粒与外圈晶粒；

[0041] 所述步骤二具体包括：

[0042] 扫描所述LED晶圆片上所有晶粒的坐标 并计算其离所述LED晶圆片圆心的距离 ，其中，m为晶粒的长度，n为晶粒的宽度；

[0043] 判断L2与客户作业机台最大承载半径的平方R2的大小，若L2＜R2则表示此晶粒处2 2
于内圈并将该晶粒标记为内圈晶粒，若L≥R 则表示此晶粒处于外圈并将该晶粒标记为外
圈晶粒；

[0044] 其中，在对LED晶圆片进行分选时，机台在上片之后会扫描在LED晶圆片上的所有晶粒的坐标，其坐标为 ，该坐标表示该晶粒到原点的晶粒颗数而并不是代表该晶粒到
圆心之间的距离，例如某一晶粒的坐标为（3，4），即代表着，该晶粒在X轴正方向上为第三列晶粒，在Y轴正方向上第四行晶粒，由于晶粒精密排列在晶圆片上，因此 表示该晶粒的
横坐标，即为该晶粒在X轴上的颗数乘以晶粒的长度， 表示该晶粒的纵坐标，即为该晶
粒在Y轴上的颗数乘以晶粒的宽度，该坐标所依据的圆心即为该LED晶圆片的中心位置，由
于一般的LED晶圆片可看成一个标准的圆形，因而在机台建立的坐标系的原点即在LED晶圆
片的中心位置，因此根据勾股定理以及该晶粒的横纵坐标，即可计算出每颗晶粒与圆心之
间的距离L，同时在出货时，由于LED晶圆片外圈晶圆光电性的分布研究，如外圈波长，电压，亮度分布较宽，无法满足单一客户需求，需分为不同等级方片出货，内圈光电性分布收敛性好，可作为一整块直接满足客户需求，因此在进行LED晶圆片的内外圈的区分则以客户机台的边界进行区分；

[0045] 可理解的是，本申请中的内圈、外圈的区分边界，具体为以LED晶圆片的中心为圆心、以客户作业机台最大承载半径R为半径所画出的分界圆，同时结合每颗晶粒与LED晶圆
片之间的距离，便可将LED晶圆片上的所有晶粒按其所处位置分为内圈晶粒与外圈晶粒，当
2 2
L＜R则表示此晶粒处于内圈并将该晶粒标记为内圈晶粒，即该晶粒位于分界圆之外，即为
2 2
外圈晶粒，当L≥R则表示此晶粒处于外圈并将该晶粒标记为外圈晶粒，即该晶粒位于分界
圆之内，即为内圈晶粒；

[0046] 值得说明的是，若该晶粒落于分界圆上，则该晶粒也被划分为内圈晶粒；

[0047] 进一步的，在本实施例中，所述步骤二之后，所述分选方法还包括：

[0048] 对内圈进行平边标记，取内圈晶粒横坐标的最小值 ＜0，将内圈晶粒横坐标的最小值 内缩A＞0，以得到平边值 +A，若有内圈晶粒横坐标 ＜ +A，则将该内圈
晶粒判定为外圈晶粒；

[0049] 其中，经过步骤二处理之后的内圈为一个标准圆形，在客户使用时，比便于识别芯片摆放方向，因此在内圈内引入一条平边，以使内圈成为一带有平面的圆形；

[0050] 具体的，内圈晶粒横坐标的最小值 即为内圈边界与X轴负方向的交点位置，因而 为一个负值小于0，将内圈晶粒横坐标的最小值 内缩A，即将上述内圈边界与X轴
负方向的交点位置朝向X轴正方向移动A，并作一条X= +A的直线，该直线平行于Y轴，该
直线与内圈边界的交点即为平边，若有内圈晶粒横坐标 ＜ +A，则将该内圈晶粒位于平
边与内圈边界与X轴负方向的交点位置之间，因将其舍去，因而将该内圈晶粒判定为外圈晶粒，以便于区分芯片的摆放方向。

[0051] 步骤三、对所述内圈晶粒与所述外圈晶粒进行区分点测，所述外圈晶粒全测，所述内圈晶粒不测，输出光电性文档，所述光电性文档包括所述内圈晶粒、所述外圈晶粒的坐标以及所述外圈晶粒的光电性数据；

[0052] 其中，采用内圈晶粒不测、外圈晶粒全测的方式，可节省点测的步骤以及所需的时间，同时在对外圈晶粒全测之后，会输出外圈晶粒的完整光电性文档，该文档包括了外圈晶粒的坐标位置，即X坐标与Y坐标，以及光电数据，例如电压、波长、亮度等，而内圈晶粒不测，只会输出内圈晶粒的坐标值，内圈晶粒的光电性输出为空，即不会输出关于内圈晶粒的电压、波长、亮度等数据，即在对内圈晶粒与所述外圈晶粒进行区分点测过程中，会获取到内圈晶粒与外圈晶粒的坐标值，并测试出外圈晶粒的完整光电性数据；

[0053] 通过使用内圈不测、外圈全测的方式，可大幅度减少点测所需时间并提高了产能，代替了传统对LED晶圆片上的晶粒进行全部点测的方式，可提高LED晶圆片分选与点测的效率。

[0054] 步骤四、对区分点测后的所述外圈晶粒与所述内圈晶粒进行AOI外观检测并输出外观检测数据，将输出的所述外观检测数据与所述光电性文档进行转档，根据所述外观检
测数据将所述内圈晶粒中的外观不良品进行标记并破坏所述内圈晶粒中的外观不良品；

[0055] 而所述根据所述外观检测数据将所述内圈晶粒中的外观不良品进行标记并破坏所述内圈晶粒中的外观不良品的步骤具体包括：

[0056] 根据所述内圈晶粒的坐标以及所述外观检测数据，定位所述内圈晶粒中的外观不良品的坐标，并对所述内圈晶粒中的外观不良品进行BIN标记，记为第一等级，通过镭射机按照第一预设形状对所述内圈晶粒中的外观不良品进行镭射激光破坏作业，破坏所述内圈
晶粒中的外观不良品；

[0057] 其中，机台会利用AOI外观检测对LED晶圆片上的内圈晶粒与外圈晶粒进行AOI外观检测，目的为了检测出内圈晶粒与外圈晶粒中的外观不良品，之后将AOI外观检测结果与步骤三输出的光电性文档进行合档，具体如下表所示：

[0058]

[0059] 表中，0代表该晶粒处于外圈，1代表该晶粒处于内圈，其中BIN值标记是为了标记每个晶粒的等级，其中内圈晶粒的BIN值一样，因为内圈晶粒的光电性分布收敛性好，可作为一整块直接满足客户需求，无需将其进行区分，而外圈晶粒的BIN值不同，由于LED晶圆片外圈晶圆光电性的分布研究，如外圈波长，电压，亮度分布较宽，无法满足单一客户需求，需分为不同等级方片出货，以便于后续将外圈晶粒按其BIN等级进行区分出货；

[0060] 可理解的是，在进行AOI外观检测之后，会检测出内圈晶粒的外观不良品，需将内圈晶粒的外观不良品进行去除，因而在进行AOI外观检测之后，将内圈晶粒的外观不良品进行BIN标记，BIN值为160BIN，即为第一等级，此时镭射机会根据内圈晶粒的外观不良品的坐标对其进行打INK作业，即采用激光镭射的方式破坏内圈晶粒的外观不良品，省去了将内圈晶粒的外观不良品分选的步骤，经过破坏的内圈晶粒的外观不良品通过肉眼即可观测到，
以便于客户的使用，因此采用激光镭射的方式破坏内圈晶粒的外观不良品，可省去内圈分
选的步骤，同时在传统的分选过程中，需将外观不良品分选出并放置在蓝膜上，即晶粒承载物料，而本申请则无需对内圈进行分选，节省了产能的同时又省去了晶粒承载物料；

[0061] 进一步的，所述第一预设形状为L形或十字形或米字形；

[0062] 其中，晶粒一般为矩形结构，因而在对内圈晶粒的外观不良品进行打INK作业时，应将破坏之后的内圈晶粒的外观不良品与正常晶粒之间作一个明显的区分，因而第一预设
形状为L形或十字形或米字形，通过肉眼即可观测到破坏之后的内圈晶粒的外观不良品的
位置，同时在镭射激光破坏内圈晶粒的外观不良品之后，会在内圈晶粒的外观不良品上留
下烧焦的痕迹，以便于客户通过肉眼识别内圈晶粒的外观不良品的具体位置；

[0063] 且所述对区分点测后的所述外圈晶粒与所述内圈晶粒进行AOI外观检测并输出外观检测数据的步骤包括：

[0064] 通过不同颜色光源搭配CCD相机对所述外圈晶粒与所述内圈晶粒的表面形貌进行取像，然后通过与预设标准正常影像进行对比分析，通过对比影像灰阶值判断是否存在外
观不良品，影像灰阶值和标准灰阶值偏差超过预设范围即判定为外观不良品，并输出外观
检测数据；

[0065] 其中，其AOI外观检测是通过不同颜色光源（红，蓝及白）搭配CCD相机对产品芯片表面形貌进行取像，然后再通过与预设的标准正常影像进行对比分析，通过对比影像灰阶值（0‑255）来判断是否有瑕疵，0最暗，255最亮，影像灰阶值和标准灰阶值偏差超过一定范围即判定为NG，并赋予外观不良等级，如内圈晶粒中的外观不良品标记为第一等级；

[0066] 值得说明的是，AOI检测方法需进行3种方式取像，分别为正面蓝光拍摄，正面红光拍摄，背面白光拍摄，通过3种不同光源表现形式判定LED晶圆片外观是否有瑕疵。

[0067] 步骤五、根据所述WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片的内圈分布区域，选取处于内圈预设范围内的内圈晶粒并计算其各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货；

[0068] 其中，WAT抽测数据经由步骤一得到，该输出包括抽测晶粒的坐标以及光电性数据，因此在步骤五中，只需在内圈中划分出一个内圈预设范围，并选取出处于该内圈预设范围内的且被抽测到的内圈晶粒，并结合抽测数据，便可得到内圈晶粒的光电性数据，而后计算各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货即可，其中标签
值如下表所示：

[0069]

[0070] 表中分别表示电压的最大值、最小值、平均值以及标准差，主波长的最大值、最小值、平均值以及标准差，峰值波长的最大值、最小值、平均值以及标准差，亮度的最大值、最小值、平均值以及标准差；

[0071] 在此步骤中，无需对内圈晶粒进行点测，只需划分一个区域，该区域足够代表所有内圈晶粒的光电性数值，而后找出处于该内圈预设范围内WAT抽测的内圈晶粒的位置以及其光电性数据，即可得出整个内圈范围内的晶粒的光电性数据，可进一步节省产能，提高分选的效率；

[0072] 在本实施例中，所述内圈预设范围为矩形，根据所述LED晶圆片的WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片内圈分布区域，计算内圈范围中内切矩形的四个角点坐标，按照四个角点坐标确定的内圈预设范围重新抓取WAT抽测数据并筛选内圈预设范围对应的WAT抽测数据进行重计算，计算各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货；

[0073] 其中，确定好内圈范围内切矩形的四个角点坐标，即可在内圈范围内选出一片矩形区域，而后根据WAT抽测数据，因而进行WAT抽测过程中，等间距抽测LED晶圆片上的晶粒，因此，只需确定处于矩形区域内的WAT抽测晶粒的坐标以及光电性数据即可，再计算出各项光电性均值得出标签值，而后打标计数出货即可；

[0074] 可理解的是，本申请选取内圈预设范围内的抽测晶粒无需检测所有的内圈晶粒，可大幅度减小分选与点测所需时间，同时也能够节省产能；

[0075] 在本实施例中，所述内圈预设范围也可为圆形，根据所述LED晶圆片的WAT抽测数据，按照所述LED晶圆片内圈分布区域，计算内圈边缘位置的坐标，根据内圈边缘位置的坐标确定的内圈预设范围，除去不在内圈预设范围内的WAT抽测数据，以得到分布在内圈预设范围内的WAT抽测数据，计算各项光电性均值得出标签值，根据标签值进行打标计数并内圈整片出货；

[0076] 其中，该内圈预设范围与内圈的范围匹配，因而只需确定处于内圈范围内的WAT抽测晶粒的坐标以及光电性数据即可，由于该内圈预设范围与内圈匹配，选取圆形区域的内
圈预设范围所包括的晶粒数量大于选取内切矩形区域的内圈预设范围所包括的晶粒数量，
同时也不会出现边缘遗漏现象，使数据准确性更佳。

[0077] 步骤六、对所述外观检测数据与所述光电性文档进行二次转档，根据所述外观检测数据与所述光电性文档对所述外圈晶粒进行区分并分选出货；

[0078] 所述根据所述外观检测数据与所述光电性文档对所述外圈晶粒进行区分并分选出货的步骤包括：

[0079] 根据所述外观检测数据与所述光电性文档将正常电性、外观良好的外圈晶粒与异常的外圈晶粒进行区分，正常电性和外观良好的外圈晶粒按照光电性BIN表范围进行区分
并按其等级进行分选出货，异常的外圈晶粒进行BIN标记，记为第二等级，并将异常的外圈晶粒挑出；

[0080] 其中，将经过步骤四AOI外观检测后输出的文档中表示外圈晶粒的坐标以及光电性数据进行二次合档，根据其具体的BIN值并按照光电性BIN表范围进行等级区分，将同一
等级的外圈晶粒分选出来并放置在同一张蓝膜上，而异常的外圈晶粒标记为第二等级，该
外圈晶粒不可使用，因需将其挑出，将外圈晶粒分选干净避免内圈晶粒出货时有外圈晶粒
残留在蓝膜上；

[0081] 同时，分选所需机台上搭载由智能挑片合收系统，可通过系统选择多张产出光电性相近晶圆片进行合收，增加同一等级产出率，避免因单一等级颗粒数不够而达不到晶圆
片满BIN数；

[0082] 在本实施例中，所述标签值包括所述内圈晶粒的电压、波长与亮度的最大值、最小值、均值、标准差以及所述内圈晶粒的颗粒数N=N1‑N2；

[0083] 其中，N1为总的所述内圈晶粒的数量，N2为INK破坏的所述内圈晶粒中的外观不良品的数量；

[0084] 其中，波长包括主波长与峰值波长，对应的标签值也包括所述内圈晶粒的主波长与峰值波长的最大值、最小值、均值、标准差；

[0085] 同时，为了确保标签值的精准，需对光电性数据进行坏点取出，即人工预设一个光电性范围，例如电压范围为2‑3.5V，将所有电压光电性数据不在该预设光电范围内的数据记为坏点，并将其去除，而后从剩余的数据中继续求最大值、最小值、均值、标准差等标签参数。

[0086] 综上，本发明上述实施例当中的LED晶圆片分选方法，采用内圈不测、外圈全测的方式，能够大幅度减少点测机对晶粒点测所需的时间，同时采用镭射INK的方式破坏内圈晶粒中的外观不良品，省去了将内圈晶粒中的外观不良品再次挑出的步骤，节省了产能同时
也大幅度减少了分选作业时间，同时也减少了耗材及物料的损耗，且利用WAT抽测数据并设定一个内圈预设范围，通过计算在内圈预设范围内的WAT抽测数据可代替对内圈晶粒进行
点测的步骤，进一步的节省了产能，同时也节省了成本以及人工操作步骤。

[0087] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。