钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片

摘要

本发明公开了一种钽金属薄膜处理方法、量子器件及量子芯片。其中，该方法包括：制备初始钽金属薄膜；将初始钽金属薄膜冷却至预定极低温度后，由预定极低温度上升至常温，得到目标钽金属薄膜。本发明解决了相关技术中，在制备钽金属薄膜后，对钽金属薄膜的后处理技术，对提高钽基超导量子器件在能量耗散的正面作用有限的技术问题。