一种测试IO驱动能力的方法及装置

摘要

本申请公开了一种测试IO驱动能力的方法及装置，检测单片机控制数字电位器调节电阻为最大电阻值，检测单片机根据数字电位器的最大电阻值，检测被测IO的第一电压值，检测单片机控制数字电位器调节电阻为第二电阻值，使被测IO的第二电压值与被测IO的第一电压值的差值为预设阈值，检测单片机根据被测IO的第二电压值和数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值，通过被测IO的供电电压与检测单片机的外接电源电压相等，检测被测IO的第一电压值时可得到外接电源电压值或被测IO的供电电压，在被测IO的第二电压值为低电平电压时可确定灌电流，为高电平电压时可确定拉电流，从而提高测试效率。

权利要求

1.一种测试IO驱动能力的方法，其特征在于，被测IO的供电电压与检测单片机的外接电源电压相等，所述检测单片机与数字电位器连接，所述方法包括：所述检测单片机控制所述数字电位器调节电阻为第一电阻值，所述第一电阻值为所述数字电位器的最大电阻值；

所述检测单片机根据所述数字电位器的第一电阻值，检测所述被测IO的第一电压值，所述被测IO为被测单片机的IO接口；其中，测试所述被测IO的灌电流能力时，所述被测IO的第一电压值为所述检测单片机的外接电源电压值；测试所述被测IO的拉电流能力时，所述被测IO的第一电压值为所述被测IO的供电电压；

所述检测单片机控制所述数字电位器调节电阻为第二电阻值，使得所述被测IO的第二电压值与所述被测IO的第一电压值的差值为预设阈值；其中，测试所述被测IO的灌电流能力时，所述被测IO的第二电压值为低电平电压；测试所述被测IO的拉电流能力时，所述被测IO的第二电压值为高电平电压；

所述检测单片机根据所述被测IO的第二电压值和所述数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值；其中，测试所述被测IO的灌电流能力时，所述被测IO的电流值为被测IO的最大输入电流；测试所述被测IO的拉电流能力时，所述被测IO的电流值为被测IO的最大输出电流。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述被测IO的第一电压值包括：

所述检测单片机的外接电源电压值；

则所述检测单片机检测所述检测单片机的外接电源电压前，还包括：

所述检测单片机控制关闭NMOS管，控制打开PMOS管。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述被测IO的第二电压值为低电平电压，所述检测单片机根据所述被测IO的第二电压值和所述数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值，包括：所述检测单片机根据所述低电平电压和所述数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的最大输入电流，所述数字电位器为第一数字电位器，所述第一数字电位器与PMOS管连接。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述被测IO的第一电压值包括：

被测IO的供电电压；

则所述检测单片机检测所述被测IO的供电电压前，还包括：

所述检测单片机控制关闭PMOS管，控制打开NMOS管。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述被测IO的第二电压值为高电平电压，所述检测单片机根据所述被测IO的第二电压值和所述数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值，包括：所述检测单片机根据所述高电平电压和所述数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的最大输出电流，所述数字电位器为第二数字电位器，所述第二数字电位器与NMOS管连接。

6.根据权利要求1‑5任一项所述的方法，其特征在于，所述确定被测IO的电流值后，还包括：输出或保存被测IO的电流值。

7.根据权利要求1‑5任一项所述的方法，其特征在于，所述确定被测IO的电流值后，进一步包括：输出或保存所述被测IO的第二电压值和所述数字电位器的第二电阻值。

8.一种测试IO驱动能力的装置，其特征在于，所述装置包括：外接电源，检测单片机，第一数字电位器，第二数字电位器和被测单片机；

所述外接电源为所述检测单片机的外接电源，所述外接电源与PMOS管，所述第一数字电位器，NMOS管和所述第二数字电位器串联，所述外接电源电压与被测IO的供电电压相等；

所述检测单片机通过第一控制信号线与所述PMOS管连接，通过第一通讯信号线与所述第一数字电位器连接，通过第二控制信号线与所述NMOS管连接，通过第二通讯信号线与第二数字电位器连接，通过检测信号线与被测IO连接，通过第三通讯信号线与被测单片机连接；所述检测单片机通过所述第一控制信号线控制所述PMOS管的打开和断开，通过所述第二控制信号线控制所述NMOS管的打开和断开，所述检测单片机通过所述检测信号线对所述被测IO的电压进行采集；

所述第一数字电位器与所述第二数字电位器串联，所述第一数字电位器通过所述第一通讯信号线接收所述检测单片机发出的指令调整所述第一数字电位器的电阻值大小；

所述第二数字电位器通过第二通讯信号线接收所述检测单片机发出的指令调整所述第二数字电位器的电阻值大小；

所述被测单片机的IO接口包括所述被测IO，所述被测单片机通过第三通讯信号线和所述检测单片机进行通讯，以便接收所述检测单片机的控制指令。

9.一种测试IO驱动能力的装置，其特征在于，被测IO的供电电压与检测单片机的外接电源电压相等，所述检测单片机与数字电位器连接，所述装置包括：控制单元，检测单元和确定单元；

控制单元，用于控制数字电位器调节电阻为第一电阻值，所述第一电阻值为所述数字电位器的最大电阻值；

检测单元，用于根据所述数字电位器的所述第一电阻值，检测所述被测IO的第一电压值，所述被测IO为被测单片机的IO接口；其中，测试所述被测IO的灌电流能力时，所述被测IO的第一电压值为所述检测单片机的外接电源电压值；测试所述被测IO的拉电流能力时，所述被测IO的第一电压值为所述被测IO的供电电压；

所述控制单元，还用于控制所述数字电位器调节电阻为第二电阻值，使得被测IO的第二电压值与所述被测IO的第一电压值的差值为预设阈值；其中，测试所述被测IO的灌电流能力时，所述被测IO的第二电压值为低电平电压；测试所述被测IO的拉电流能力时，所述被测IO的第二电压值为高电平电压；

确定单元，用于根据所述被测IO的第二电压值和所述数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值；其中，测试所述被测IO的灌电流能力时，所述被测IO的电流值为被测IO的最大输入电流；测试所述被测IO的拉电流能力时，所述被测IO的电流值为被测IO的最大输出电流。

10.一种单片机，其特征在于，所述单片机包括：处理器，所述处理器与存储器耦合，所述存储器中存储有至少一条计算机程序指令，所述至少一条计算机程序指令由所述处理器加载并执行，以使所述单片机实现权利要求1‑7中任一项所述的方法。

说明书

一种测试IO驱动能力的方法及装置

技术领域

[0001] 本申请涉及单片机领域，特别是指一种测试IO驱动能力的方法及装置。

背景技术

[0002] 单片机的输入/输出（input/output，IO）驱动能力是单片机的IO电气特性的一个重要参数，单片机的IO驱动能力主要有两个，即拉电流能力（IO输出电流的能力）和灌电流能力（IO输入电流的能力）。单片机的IO驱动能力的测试是用测试得出的实际数据与单片机的IO设计之初的理论数据进行比对，以验证单片机的IO设计与实际数据有无偏差或偏差大小。

[0003] 在现有技术中，通过人为测出外接电源的电压值，调节滑动变阻器从而测试IO灌电流能力的最大值；通过人为测出被测IO的电压值，调节滑动变阻器从而测试IO拉电流能力的最大值。

[0004] 通过现有技术测试IO驱动能力的缺点是：需要人为操作，效率不高。

发明内容

[0005] 有鉴于此，本申请提供一种测试IO驱动能力的方法及装置，从而达到自动测试IO驱动能力，提升测试效率的目的。

[0006] 本申请提供的一种测试IO驱动能力的方法是这样实现的：

[0007] 被测IO的供电电压与检测单片机的外接电源电压相等，检测单片机与数字电位器连接；

[0008] 检测单片机控制数字电位器调节电阻为第一电阻值，第一电阻值为数字电位器的最大电阻值；

[0009] 检测单片机根据数字电位器的第一电阻值，检测被测IO的第一电压值，被测IO为被测单片机的IO接口；

[0010] 检测单片机控制数字电位器调节电阻为第二电阻值，使得被测IO的第二电压值与被测IO的第一电压值的差值为预设阈值；

[0011] 检测单片机根据被测IO的第二电压值和数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值。

[0012] 可选地，被测IO的第一电压值包括：检测单片机的外接电源电压值；则检测单片机检测检测单片机的外接电源电压前，还包括：检测单片机控制关闭NMOS管，控制打开PMOS管。

[0013] 可选地，被测IO的第二电压值为低电平电压，则检测单片机根据低电平电压和数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的最大输入电流，数字电位器为第一数字电位器，第一数字电位器与PMOS管连接。

[0014] 可选地，被测IO的第一电压值包括：被测IO的供电电压；则检测单片机检测被测IO的供电电压前，还包括：检测单片机控制关闭PMOS管，控制打开NMOS管。

[0015] 可选地，被测IO的第二电压值为高电平电压，则检测单片机根据高电平电压和数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的最大输出电流，数字电位器为第二数字电位器，第一数字电位器与NMOS管连接。

[0016] 可选地，确定被测IO的电流值后，包括：输出或保存被测IO的电流值。

[0017] 可选地，确定被测IO的电流值后，进一步包括：输出或保存预设电压值和数字电位器的第二电阻值。

[0018] 本申请还提供了一种测试IO驱动能力的装置，包括：外接电源，检测单片机，第一数字电位器，第二数字电位器和被测单片机；

[0019] 外接电源，外接电源为检测单片机的外接电源，外接电源与PMOS管，第一数字电位器，NMOS管和第二数字电位器串联，外接电源电压与被测IO的供电电压相等；

[0020] 检测单片机，检测单片机通过第一控制信号线与PMOS管连接，通过第一通讯信号线与第一数字电位器连接，通过第二控制信号线与NMOS管连接，通过第二通讯信号线与第二数字电位器连接，通过检测信号线与被测IO连接，通过第三通讯线与被测单片机连接；检测单片机通过第一控制信号线控制PMOS管的打开和断开，通过第二控制信号线控制NMOS管的打开和断开，检测单片机通过检测信号线对被测IO的电压进行采集；

[0021] 第一数字电位器，第一数字电位器与第二数字电位器串联，第一数字电位器通过第一通讯信号线接收检测单片机发出的指令调整第一数字电位器的电阻值大小；

[0022] 第二数字电位器，第二数字电位器通过第二通讯信号线接收检测单片机发出的指令调整第二数字电位器的电阻值大小；

[0023] 被测单片机，被测单片机的IO接口为被测IO，被测单片机通过第三通讯信号线和检测单片机进行通讯，以便接收检测单片机的控制指令。

[0024] 本申请还提供了一种测试IO驱动能力的装置，包括：控制单元，检测单元和确定单元；

[0025] 控制单元，用于控制数字电位器调节电阻为第一电阻值，第一电阻值为数字电位器的最大电阻值；

[0026] 可选地，控制单元还用于控制数字电位器调节电阻为第二电阻值，使得被测IO的第二电压值与被测IO的第一电压值的差值为预设阈值；

[0027] 检测单元，用于根据数字电位器的第一电阻值，检测被测IO的第一电压值，被测IO为被测单片机的IO接口；

[0028] 确定单元，用于根据被测IO的第二电压值和数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值。

[0029] 本申请还提供了一种单片机，包括：处理器，处理器与存储器耦合，存储器中存储有至少一条程序指令，至少一条程序指令由处理器加载并执行，以使单片机实现以上所述的测试IO驱动能力的方法。

[0030] 因此，本申请的有益效果是：通过被测IO的供电电压与检测单片机的外接电源电压相等，检测被测IO的第一电压值时可得到外接电源电压值或被测IO的供电电压，使得被测IO的第二电压值为低电平电压时可确定灌电流，或被测IO的第二电压值为高电平电压时可确定拉电流，以达到可在同一硬件环境下自动测试IO驱动能力的目的，使测试效率得到提高。

附图说明

[0031] 为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

[0032] 图1为本申请第一实施例的流程图；

[0033] 图2为本申请第二实施例的流程图；

[0034] 图3为本申请第三实施例的流程图；

[0035] 图4为本申请的一种电路图；

[0036] 图5为本申请的一种装置示意图；

[0037] 图6为本申请的一种单片机设备示意图。

具体实施方式

[0038] 下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

[0039] 现有技术通过被测IO外接电压电源、电流表、滑动变阻器和电压表进行灌电流测试，通过被测IO外接电流表、滑动变阻器和电压表进行拉电流测试，测试IO驱动能力需要人工使用多种设备，效率低下，本申请利用数字电位器替代滑动变阻器，利用检测单片机的模数转换功能替代电压表，被测IO的供电电压与检测单片机的外接电源电压相等，通过测试得到的被测IO电压值和数字电位器的电阻值即可确定IO接口的最大输入电流和最大输出电流，可达到自动测试IO驱动能力，提高测试效率的效果。

[0040] 在本申请实施例中，测试IO驱动能力的装置包括但不限于：外接电源，检测单片机，数字电位器和被测单片机。

[0041] 外接电源：外接电源为检测单片机的外接电源，外接电源与PMOS管、NMOS管和数字电位器串联，外接电源电压与被测IO的供电电压相等。

[0042] 检测单片机：检测单片机与P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（positive channel‑metal‑oxide‑semiconductor，PMOS）、N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（negative channel‑ metal‑oxide‑semiconductor，NMOS）、数字电位器、被测IO和被测单片机连接。

[0043] 数字电位器：数字电位器和检测单片机进行通讯。

[0044] 被测单片机：被测单片机的IO接口为被测IO，被测单片机和检测单片机进行通讯。

[0045] 请参阅图1，本申请的第一实施例具体步骤如下：

[0046] S101：检测单片机控制数字电位器调节电阻为第一电阻值，第一电阻值为数字电位器的最大电阻值。

[0047] 检测单片机为具有模数转换功能的单片机。

[0048] 数字电位器为数字控制的可变电阻器件，可实现与机械电位计或可变电阻相同的电子调整功能，可根据不同被测IO的驱动能力的理论值来选取最大阻值合适的数字电位器。

[0049] 可以理解的是，第一电阻值的数值可以根据所选择的数字电位器不同而改变。

[0050] 在一些实现方式中，检测单片机通过通讯信号线控制数字电位器调节电阻为第一电阻值，第一电阻值为数字电位器的最大电阻值。

[0051] S102：检测单片机根据数字电位器的第一电阻值，检测被测IO的第一电压值。

[0052] 可以理解的是，由于被测IO与数字电位器连接，被测IO的电压值根据数字电位器的阻值改变而改变，被测IO的第一电压值为数字电位器的电阻值为第一电阻值（数字电位器的最大电阻值）时，被测IO的电压值。

[0053] 可以理解的是，在测试灌电流时，被测IO的第一电压值为检测单片机的外接电源电压值；在测试拉电流时，被测IO的第一电压值为被测IO的供电电压。

[0054] 在一些实现方式中，检测单片机通过第二控制信号线控制关闭NMOS管，通过第一控制信号线控制打开PMOS管，根据数字电位器的第一电阻值，检测检测单片机的外接电源电压。

[0055] 在另一些实现方式中，检测单片机通过第一控制信号线控制关闭PMOS管，通过第二控制信号线控制打开NMOS管，根据数字电位器的第一电阻值，检测被测IO的供电电压。

[0056] S103：检测单片机控制数字电位器调节电阻为第二电阻值，使得被测IO的第二电压值与被测IO的第一电压值的差值为预设阈值。

[0057] 可以理解的是，由于被测IO与数字电位器连接，被测IO的电压值根据数字电位器的阻值改变而改变，被测IO的第二电压值为数字电位器的电阻值为第二电阻值时，被测IO的电压值。

[0058] 被测IO的第二电压值可以根据检测得出的被测IO的第一电压值确定为被测IO的第一电压值的高电平电压或低电平电压，也可以通过其他手段确定。

[0059] 可以理解的是，高电平电压和低电平电压为一个范围。如在互补型金属氧化物半导体电路（complementary metal‑oxide‑semiconductor，CMOS）中，输出高电平最小为4.45V，输出低电平最大为0.5V，输入高电平最小为3.5V，输入低电平最大为1.5V。本申请不限定高电平电压和低电平电压的具体数值，在测试时可根据实际需求设定。

[0060] 可以理解的是，在测试灌电流时，被测IO的第二电压值为低电平电压；在测试拉电流时，被测IO的第二电压值为高电平电压。

[0061] 预设阈值可以根据检测得出的被测IO的第一电压值和按照实际需求设定的被测IO的第二电压值确定，以便根据预设阈值调节第二电阻值，使实际测试得出的被测IO的第二电压值与按照实际需求设定被测IO的第二电压值相等。

[0062] 在一些实现方式中，检测得出被测IO的第一电压值为5V，设定被测IO为高电平电压（4.5V），设定被测IO为低电平电压（0.5V），则在测试灌电流时，预设阈值为4.5V，在测试拉电流时，预设阈值为0.5V。

[0063] 在另一些实现方式中，当实际测试得出的被测IO的第二电压值与按照实际需求设定被测IO的第二电压值相等时，数字电位器的实时阻值为第二电阻值。

[0064] S104：检测单片机根据被测IO的第二电压值和数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值。

[0065] 可以理解的是，测试被测IO的灌电流能力时，被测IO的电流值为被测IO的最大输入电流，测试被测IO的拉电流能力时，被测IO的电流值为被测IO的最大输出电流。

[0066] 在一些实现方式中，检测单片机根据按照需求设定的低电平电压和数字电位器的第二电阻值，确定IO的最大输入电流。

[0067] 在另一些实现方式中，检测单片机根据按照需求设定的高电平电压和数字电位器的第二电阻值，确定IO的最大输出电流。

[0068] 在另一些实现方式中，确定被测IO的电流值后，输出或保存被测IO的电流值，还可以在输出或保存被测IO的电流值的基础上，增加输出或保存被测IO预设电压值和数字电位器的第二电阻值。

[0069] 在另一些实现方式中，确定被测IO的电流值通过如下公式计算：被测IO的电流值=被测IO的第二电压值/数字电位器的第二电阻值。

[0070] 在本申请第一实施例中，通过被测IO的供电电压与检测单片机的外接电源电压相等，检测被测IO的第一电压值时可得到外接电源电压值或被测IO的供电电压，使得被测IO的第二电压值为低电平电压时可确定灌电流，或被测IO的第二电压值为高电平电压时可确定拉电流，可达到自动测试IO驱动能力的效果，使测试效率得到提高。

[0071] 由于在实际测试中需测试被测IO的拉电流和灌电流两种驱动能力，下面通过第二实施例进行描述，测试灌电流时利用第一数字电位器调节电阻，测试拉电流时利用第二数字电位器调节电阻。

[0072] 请参阅图2，本申请的第二实施例具体步骤如下：

[0073] S201：检测单片机控制第一数字电位器调节电阻为第一电阻值，第一电阻值为第一数字电位器的最大电阻值。

[0074] 第一数字电位器可以根据被测IO的灌电流的理论值来选取最大阻值合适的数字电位器。

[0075] 在一些实现方式中，检测单片机通过第一通讯信号线控制第一数字电位器调节电阻为第一电阻值，第一电阻值为第一数字电位器的最大电阻值。

[0076] S202：检测单片机根据第一数字电位器的第一电阻值，检测被测IO的第一电压值。

[0077] 可以理解的是，被测IO的第一电压值为检测单片机的外接电源电压值。

[0078] 在一些实现方式中，检测单片机通过第二控制信号线控制关闭NMOS管，通过第一控制信号线控制打开PMOS管，根据第一数字电位器的第一电阻值，检测检测单片机的外接电源电压。

[0079] S203：检测单片机控制第一数字电位器调节电阻为第二电阻值，使得被测IO的第二电压值与被测IO的第一电压值的差值为预设阈值。

[0080] 可以理解的是，被测IO的第二电压值为设定的低电平电压。

[0081] 可以理解的是，预设阈值为检测单片机的外接电源电压值与设定的低电平电压的差值。

[0082] S204：检测单片机根据被测IO的第二电压值和第一数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值。

[0083] 可以理解的是，检测单片机根据设定的低电平电压和第一数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的最大输入电流。

[0084] 在一些实现方式中，确定被测IO的最大输入电流通过如下公式计算：被测IO的最大输入电流=设定的低电平电压/第一数字电位器的第二电阻值。

[0085] S205：检测单片机控制第二数字电位器调节电阻为第三电阻值，第三电阻值为第二数字电位器的最大电阻值。

[0086] 第二数字电位器可以根据被测IO的拉电流的理论值来选取最大阻值合适的数字电位器。

[0087] 在一些实现方式中，检测单片机通过第二通讯信号线控制第二数字电位器调节电阻为第三电阻值，第三电阻值为第三数字电位器的最大电阻值。

[0088] S206：检测单片机根据第二数字电位器的第三电阻值，检测被测IO的第三电压值。

[0089] 可以理解的是，被测IO的第三电压值为被测IO的供电电压。

[0090] 在一些实现方式中，检测单片机通过第一控制信号线控制关闭PMOS管，通过第二控制信号线控制打开NMOS管，根据第二数字电位器的第三电阻值，检测被测IO的供电电压。

[0091] S207：检测单片机控制第二数字电位器调节电阻为第四电阻值，使得被测IO的第四电压值与被测IO的第三电压值的差值为预设阈值。

[0092] 可以理解的是，被测IO电压值为设定的高电平电压。

[0093] 可以理解的是，预设阈值为被测IO的供电电压与设定的高电平电压的差值。

[0094] S208：检测单片机根据被测IO的第四电压值和第二数字电位器的第四电阻值，确定被测IO的电流值。

[0095] 可以理解的是，检测单片机根据设定的高电平电压和第二数字电位器的第四电阻值，确定被测IO的最大输出电流。

[0096] 在一些实现方式中，确定被测IO的最大输出电流通过如下公式计算：被测IO的最大输出电流=设定的高电平电压/第二数字电位器的第四电阻值。

[0097] 可以先执行S201‑S204的步骤，也可以先执行S205‑S208的步骤，本申请对灌电流和拉电流测试的顺序不作限定。

[0098] 在本申请第二实施例中，通过根据被测IO驱动能力的理论值来选取最大阻值合适的第一数字电位器和第二数字电位器，可达到在同一硬件环境下自动测试灌电流和拉电流的目的。

[0099] 本申请的第三实施例以被测IO的第一电压值为5V为例，设定高电平为4.9V，设定低电平为0.1V。

[0100] 请参阅图3，本申请的第三实施例具体步骤如下：

[0101] S301：检测单片机通过第一通讯信号线控制第一数字电位器调节电阻为第一电阻值，第一电阻值为第一数字电位器的最大电阻值。

[0102] S302：检测单片机通过第二控制信号线控制关闭NMOS管，通过第一控制信号线控制打开PMOS管，根据第一数字电位器的第一电阻值，检测被测IO的第一电压值为5V。

[0103] 可以理解的是，被测IO的第一电压值为检测单片机的外接电源电压值。

[0104] S303：检测单片机控制第一数字电位器逐渐减小电阻，直到被测IO电压值为0.1V，记录此时的电阻值为第二电阻值。

[0105] S304：检测单片机根据被测IO电压值0.1V和第一数字电位器的第二电阻值，计算被测IO的最大输入电流=被测IO电压值0.1V/第一数字电位器的第二电阻值。

[0106] S305：检测单片机输出被测IO的最大输入电流。

[0107] 在一些实现方式中，检测单片机输出被测IO的最大输入电流、被测IO电压值0.1V和第一数字电位器的第二电阻值。

[0108] 在另一些实现方式中，可以在检测单片机计算完被测IO的最大输入电流和最大输出电流后，同时输出被测IO的最大输入电流和最大输出电流，也可以一并输出被测IO的最大输出电流和最大输出电流对应的被测IO的电压值和数字电位器的电阻值。

[0109] S306：检测单片机通过第二通讯信号线控制第二数字电位器调节电阻为第三电阻值，第三电阻值为第二数字电位器的最大电阻值。

[0110] S307：检测单片机通过第一控制信号线控制关闭PMOS管，通过第二控制信号线控制打开NMOS管，根据第二数字电位器的第三电阻值，检测被测IO的第二电压值为5V。

[0111] 可以理解的是，被测IO的第二电压值为被测IO的供电电压。

[0112] S308：检测单片机控制第二数字电位器逐渐减小电阻，直到被测IO电压值为4.9V，记录此时的电阻值为第四电阻值。

[0113] S309：检测单片机根据被测IO电压值4.9V和第二数字电位器的第四电阻值计算被测IO的最大输出电流=被测IO电压值4.9V/第二数字电位器的第四电阻值。

[0114] S310：检测单片机输出被测IO的最大输出电流。

[0115] 在一些实现方式中，检测单片机输出被测IO的最大输出电流、被测IO电压值4.9V和第二数字电位器的第四电阻值。

[0116] 在本申请第三实施例中，通过增加输出被测IO的最大输出电流值和输出被测IO的最大输入电流值，便于让测试者将测试得出的被测IO实际驱动能力与被测IO设计时的理论数据进行对比。

[0117] 请参阅图4，本申请提供了一种测试IO驱动能力的电路图，包括：外接电源401，检测单片机402，第一数字电位器403，第二数字电位器404和被测单片机405。

[0118] 外接电源401：外接电源为检测单片机的外接电源，外接电源与PMOS管，第一数字电位器，NMOS管和第二数字电位器串联，外接电源电压与被测IO的供电电压相等；

[0119] 检测单片机402：检测单片机通过第一控制信号线与PMOS管连接，通过第一通讯信号线与第一数字电位器连接，通过第二控制信号线与NMOS管连接，通过第二通讯信号线与第二数字电位器连接，通过检测信号线与被测IO连接，通过第三通讯线与被测单片机连接；检测单片机通过第一控制信号线控制PMOS管的打开和断开，通过第二控制信号线控制NMOS管的打开和断开，检测单片机通过检测信号线对被测IO的电压进行采集。

[0120] 第一数字电位器403：第一数字电位器与第二数字电位器串联，第一数字电位器通过第一通讯信号线接收检测单片机发出的指令调整第一数字电位器的电阻值大小。

[0121] 第二数字电位器404：第二数字电位器通过第二通讯信号线接收检测单片机发出的指令调整第二数字电位器的电阻值大小。

[0122] 被测单片机405：被测单片机的IO接口为被测IO，被测单片机通过第三通讯信号线和检测单片机进行通讯，以便接收检测单片机的控制指令，对灌电流和拉电流测试模式进行切换。

[0123] 请参阅图5，本申请提供了一种测试IO驱动能力的装置500，包括：控制单元501，检测单元502和确定单元503。

[0124] 控制单元501：用于控制数字电位器调节电阻为第一电阻值，第一电阻值为数字电位器的最大电阻值。

[0125] 可选地，控制单元还用于控制数字电位器调节电阻为第二电阻值，使得被测IO的第二电压值与被测IO的第一电压值的差值为预设阈值

[0126] 可选地，控制单元还用于控制NMOS管和PMOS管的打开和关闭。

[0127] 检测单元502：用于根据数字电位器的第一电阻值，检测被测IO的第一电压值，被测IO为被测单片机的IO接口。

[0128] 确定单元503：用于根据被测IO的第二电压值和数字电位器的第二电阻值，确定被测IO的电流值。

[0129] 可选地，一种测试IO驱动能力的装置500还包括：数据单元504。

[0130] 数据单元504：用于输出或保存被测IO的电流值。

[0131] 可选地，数据单元还用于输出或保存预设电压值和数字电位器的第二电阻值。

[0132] 关于上述实施例中的装置，其中各个模块执行操作的具体方式已经在有关该方法的实施例中进行了详细描述，此处将不做详细阐述说明。

[0133] 需要说明的是：上述实施例提供的一种测试IO驱动能力的装置在实现测试IO驱动能力功能时，仅以上述各功能模块的划分进行举例说明，实际应用中，可以根据需要而将上述功能分配由不同的功能模块完成，即将一种测试IO驱动能力的装置的内部结构划分成不同的功能模块，以完成以上描述的全部或者部分功能。另外，上述实施例提供的一种测试IO驱动能力的装置与一种测试IO驱动能力的方法实施例属于同一构思，其具体实现过程详见方法实施例，这里不再赘述。

[0134] 图6是本申请实施例提供的一种单片机设备600 的结构示意图。

[0135] 单片机设备600包括至少一个处理器601、存储器602以及至少一个网络接口603。

[0136] 处理器601例如是通用中央处理器（central processing unit，CPU）、网络处理器（network processer，NP）、数据处理单元（data processing unit，DPU)、微处理器或者一个或多个用于实现本申请方案的集成电路。例如，处理器601包括专用集成电路（application‑specific integrated circuit，ASIC），可编程逻辑器件（programmable logic device，PLD）或其组合。PLD例如是复杂可编程逻辑器件（complex programmable logic device，CPLD）、现场可编程逻辑门阵列（field‑programmable gate array，FPGA）、通用阵列逻辑（generic array logic，GAL）或其任意组合。

[0137] 存储器602例如是只读存储器（read‑only memory，ROM）或可存储静态信息和指令的其它类型的静态存储设备，又如是随机存取存储器（random access memory，RAM）或者可存储信息和指令的其它类型的动态存储设备，或者是能够用于携带或存储具有指令或数据结构形式的期望的程序代码并能够由单片机存取的任何其它介质，但不限于此。可选地，存储器602独立存在，并通过内部连接604与处理器601相连接。或者，可选地存储器602和处理器601集成在一起。

[0138] 网络接口603使用任何收发器一类的装置，用于与其它设备或通信网络通信。网络接口603例如包括有线网络接口或者无线网络接口中的至少一项。其中，有线网络接口例如为以太网接口。以太网接口例如是光接口，电接口或其组合。无线网络接口例如为无线局域网（wireless local area networks，WLAN）接口，蜂窝网络网络接口或其组合等。

[0139] 在一些实施例中，处理器601包括一个或多个CPU，如图6中所示的CPU0和CPU1。

[0140] 在一些实施例中，单片机设备600可选地包括多个处理器，如图6中所示的处理器601和处理器605。这些处理器中的每一个例如是一个单核处理器（single‑CPU），又如是一个多核处理器（multi‑CPU）。这里的处理器可选地指一个或多个设备、电路、和/或用于处理数据（如单片机程序指令）的处理核。

[0141] 在一些实施例中，单片机设备600还包括内部连接604。处理器601、存储器602以及至少一个网络接口603通过内部连接604连接。内部连接604包括通路，在上述组件之间传送信息。可选地，内部连接604是单板或总线。可选地，内部连接604分为地址总线、数据总线、控制总线等。

[0142] 在一些实施例中，单片机设备600还包括输入输出接口606。输入输出接口606连接到内部连接604上。

[0143] 在一些实施例中，输入输出接口606用于与输入设备连接，接收用户通过输入设备输入的上述实施例涉及的命令或数据。输入设备包括但不限于键盘、触摸屏、麦克风、鼠标或传感设备等等。

[0144] 在一些实施例中，输入输出接口606还用于与输出设备连接。输入输出接口606通过输出设备输出处理器601执行上述方法实施例产生的中间结果和/或最终结果。输出设备包括但不限于显示器、打印机、投影仪等等。

[0145] 可选地，处理器601通过读取存储器602中保存的程序代码实现上述实施例中的方法，或者，处理器601通过内部存储的程序代码实现上述实施例中的方法。在处理器601通过读取存储器602中保存的程序代码实现上述实施例中的方法的情况下，存储器602中保存实现本申请实施例提供的方法的程序代码610。

[0146] 处理器601实现上述功能的更多细节请参考前面各个方法实施例中的描述，在这里不再重复。最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

[0147] 对所公开的实施例的上述说明，使本领域技术人员能够实现或使用本申请。对这些实施例的多种修改对本领域技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本申请的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本申请将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。