一种滤波器

摘要

本发明公开了一种滤波器，包括介质基板，介质基板上设有多个谐振结构,各个谐振结构由多段金属导带组成，其中一段金属导带接地，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈多排布置，介质基板内位于上下防止信号串扰的相邻两排谐振结构之间设有金属隔离区域，上下需要耦合的谐振结构之间未设置金属隔离区域。介质基板内设有耦合结构，耦合结构位于上下非相邻两个谐振结构之间，耦合结构包括位于金属隔离区域上方的第一金属片以及位于金属隔离区域下方的第二金属片，第一金属片与第二金属片之间通过沿介质基板高度方向延伸的导电孔连接，金属隔离区域与导电孔不接触。本发明的滤波器有利于实现滤波器的小型化，谐振结构在介质基板布置灵活。(56)对比文件张博.基于多模谐振器的微带滤波器的研究《.中国优秀硕士学位论文全文数据库（信息科技辑）》.2015,(第8期),全文.夏磊.高性能小型化微波滤波器与多工器的研究《.万方学术》.2020,全文.Yiyuan Zheng et al..Compact X-bandbandpass filter using stub-loaded T-shaperesonator with source-load coupling.《Microwave and Optical TechnologyLetters》.2018,第60卷(第4期),全文.尚艳伟.小体积多层结构微带滤波器的结构与设计《.中国优秀硕士学位论文全文数据库（基础科学辑）》.2009,全文.

权利要求

1.一种滤波器，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板上设有多个谐振结构,各谐振结构由至少一段金属导带组成，其中一段金属导带接地，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈多排布置，介质基板内位于上下需要防止信号串扰的相邻两排谐振结构之间设有金属隔离区域，位于上下需要耦合的谐振结构之间未设置金属隔离区域；

所述介质基板内设有耦合结构，所述耦合结构位于上下非相邻两个谐振结构之间，所述耦合结构包括位于金属隔离区域上方的第一金属片以及位于金属隔离区域下方的第二金属片，第一金属片与第二金属片之间通过沿介质基板高度方向延伸的导电孔连接，金属隔离区域与导电孔不接触。

2.如权利要求1所述的滤波器，其特征在于：所述谐振结构包括设置在介质基板上的金属导带以及位于金属导带左侧的第一金属导带分支和位于金属导带右侧的第二金属导带分支，所述金属导带的一端接地，金属导带的另一端分别与第一金属导带分支、第二金属导带分支直接或间接连接，所述第一金属导带分支、第二金属导带分支包括第一金属导带分支段和第二金属导带分支段，所述第一金属导带分支段的一端与金属导带直接或间接连接，第一金属导带分支段的另一端与第二金属导带分支段直接或间接连接。

3.一种滤波器，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板上设有多个谐振结构,所述谐振结构包括设置在介质基板上的金属导带以及位于金属导带左侧的第一金属导带分支和位于金属导带右侧的第二金属导带分支，所述金属导带的一端接地，金属导带的另一端分别与第一金属导带分支、第二金属导带分支直接或间接连接，所述第一金属导带分支、第二金属导带分支包括第一金属导带分支段和第二金属导带分支段，所述第一金属导带分支段的一端与金属导带直接或间接连接，第一金属导带分支段的另一端与第二金属导带分支段直接或间接连接；多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置或沿竖直方向布置时，多个谐振结构的金属导带用于接地的一端朝向相同。

4.一种滤波器，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板上设有多个谐振结构,所述谐振结构包括设置在介质基板上的金属导带以及位于金属导带左侧的第一金属导带分支和位于金属导带右侧的第二金属导带分支，所述金属导带的一端接地，金属导带的另一端分别与第一金属导带分支、第二金属导带分支直接或间接连接，所述第一金属导带分支、第二金属导带分支包括第一金属导带分支段和第二金属导带分支段，所述第一金属导带分支段的一端与金属导带直接或间接连接，第一金属导带分支段的另一端与第二金属导带分支段直接或间接连接；多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置或沿竖直方向布置时，相邻的两个谐振结构的金属导带用于接地的一端朝向相反。

5.如权利要求4所述的滤波器，其特征在于：多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置，所述介质基板上设有至少一根第一金属带，第一金属带的一端与非相邻的两个谐振结构中的一个谐振结构直接或间接连接，第一金属带的另一端与非相邻的两个谐振结构中的另一个谐振结构直接或间接连接。

6.如权利要求4所述的滤波器，其特征在于：多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置，所述介质基板上设有至少一根第二金属带，所述第二金属带的一端与非相邻的两个谐振结构中的一个谐振结构沿上下方向间隔对应，金属带的另一端与非相邻的两个谐振结构中的另一个谐振结构沿上下方向间隔对应。

7.一种滤波器，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板上设有多个谐振结构,所述谐振结构包括设置在介质基板上的金属导带以及位于金属导带左侧的第一金属导带分支和位于金属导带右侧的第二金属导带分支，所述金属导带的一端接地，金属导带的另一端分别与第一金属导带分支、第二金属导带分支直接或间接连接，所述第一金属导带分支、第二金属导带分支包括第一金属导带分支段和第二金属导带分支段，所述第一金属导带分支段的一端与金属导带直接或间接连接，第一金属导带分支段的另一端与第二金属导带分支段直接或间接连接；多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈N排布置，N大于或等于2，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且未耦合，其余的各排均并排设置至少有两个谐振结构，第N排的多个谐振结构依次耦合。

8.一种滤波器，包括介质基板，其特征在于：所述介质基板上设有多个谐振结构,所述谐振结构包括设置在介质基板上的金属导带以及位于金属导带左侧的第一金属导带分支和位于金属导带右侧的第二金属导带分支，所述金属导带的一端接地，金属导带的另一端分别与第一金属导带分支、第二金属导带分支直接或间接连接，所述第一金属导带分支、第二金属导带分支包括第一金属导带分支段和第二金属导带分支段，所述第一金属导带分支段的一端与金属导带直接或间接连接，第一金属导带分支段的另一端与第二金属导带分支段直接或间接连接；多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈N排布置，N大于或等于2，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且耦合，其余的各排均并排设置至少有两个谐振结构，介质基板上设有第三金属带，第三金属带的两端分别与第N排需要耦合的两个谐振结构上下对应。

说明书

一种滤波器

技术领域

[0001] 本发明属于通信技术领域，具体涉及一种滤波器。

背景技术

[0002] 现有技术中滤波器的基于LTCC或PCB等多层分布式谐振结构，主要由1/4λ波长的金属片、1/2λ波长的发卡线、平行耦合线、开口环等谐振结构构成，现有技术的谐振结构是通过增加金属片的长度降低频率，这样谐振结构的尺寸较大。

发明内容

[0003] 本发明的目的在于克服现有技术中的至少一种缺陷，提供了一种滤波器，该滤波器的体积较小。

[0004] 本发明的技术方案是这样实现的：本发明公开了一种滤波器，包括介质基板，所述介质基板上设有多个谐振结构,各谐振结构由至少一段金属导带组成，其中一段金属导带接地，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置或沿竖直方向呈多排布置。

[0005] 进一步地，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈多排布置，介质基板内位于上下防止信号串扰的相邻两排谐振结构之间设有金属隔离区域，上下需要耦合的谐振结构之间未设置金属隔离区域。

[0006] 进一步地，所述介质基板内设有耦合结构，所述耦合结构位于上下非相邻两个谐振结构之间，所述耦合结构包括位于金属隔离区域上方的第一金属片以及位于金属隔离区域下方的第二金属片，第一金属片与第二金属片之间通过沿介质基板高度方向延伸的导电孔连接，金属隔离区域与导电孔不接触。

[0007] 进一步地，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置或沿竖直方向布置时，多个谐振结构的金属导带用于接地的一端朝向相同。

[0008] 进一步地，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置或沿竖直方向布置时，相邻的两个谐振结构的金属导带用于接地的一端朝向相反。

[0009] 进一步地，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置，所述介质基板上设有至少一根第一金属带，第一金属带的一端与非相邻的两个谐振结构中的一个谐振结构直接或间接连接，第一金属带的另一端与非相邻的两个谐振结构中的另一个谐振结构直接或间接连接。

[0010] 进一步地，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置，所述介质基板上设有至少一根第二金属带，所述第二金属带的一端与非相邻的两个谐振结构中的一个谐振结构沿上下方向间隔对应，金属带的另一端与非相邻的两个谐振结构中的另一个谐振结构沿上下方向间隔对应。

[0011] 进一步地，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈N排布置，N大于或等于2，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且未耦合，其余的各排均并排设置至少有两个谐振结构，第N排的多个谐振结构依次耦合。

[0012] 进一步地，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈N排布置，N大于或等于2，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且耦合，其余的各排均并排设置至少有两个谐振结构，介质基板上设有第三金属带，第三金属带的两端分别与第N排需要耦合的两个谐振结构上下对应。

[0013] 进一步地，所述谐振结构包括设置在介质基板上的金属导带以及位于金属导带左侧的第一金属导带分支和位于金属导带右侧的第二金属导带分支，所述金属导带的一端接地，金属导带的另一端分别与第一金属导带分支、第二金属导带分支直接或间接连接，所述第一金属导带分支、第二金属导带分支包括第一金属导带分支段和第二金属导带分支段，所述第一金属导带分支段的一端与金属导带直接或间接连接，第一金属导带分支段的另一端与第二金属导带分支段直接或间接连接。

[0014] 进一步地，第二金属导带分支段与金属导带平行设置。

[0015] 进一步地，第一金属导带分支段与金属导带垂直设置。

[0016] 金属导带用于接地的一端端面与介质基板的侧壁齐平。第二金属导带分支段与金属导带位于第一金属导带分支段的同侧。

[0017] 进一步地，金属导带、第一金属导带分支段、第二金属导带分支段均与介质基板上、下端面平行，当第一金属导带分支段与金属导带间接连接时，第一金属导带分支段与金属导带位于不同的平面，且第一金属导带分支段与金属导带通过介质基板上设置的第一导电孔间接连接，当第一金属导带分支段与第二金属导带分支段间接连接时，第一金属导带分支段与第二金属导带分支段位于不同的平面，且第一金属导带分支段与第二金属导带分支段通过介质基板上设置的第二导电孔间接连接。第一导电孔、第二导电孔沿介质基板的高度方向延伸。

[0018] 第一金属导带分支段的一端与金属导带直接连接时，第一金属导带分支段与金属导带位于相同的平面。当第一金属导带分支段与第二金属导带分支段直接连接时，第一金属导带分支段与第二金属导带分支段位于相同的平面。

[0019] 进一步地，金属导带、第一金属导带分支、第二金属导带分支的宽度不完全一致。

[0020] 进一步地，所述第一金属导带分支、第二金属导带分支还包括第三金属导带分支段，第三金属导带分支段与介质基板上、下端面平行，第三金属导带分支段与金属导带垂直，第二金属导带分支段的一端与第一金属导带分支段直接或间接连接，第二金属导带分支段的另一端与第三金属导带分支段直接或间接连接，当第二金属导带分支段与第三金属导带分支段间接连接时，第二金属导带分支段与第三金属导带分支段位于不同的平面，第二金属导带分支段与第三金属导带分支段通过介质基板上设置的第三导电孔间接连接。如第三导电孔沿介质基板的高度方向延伸。

[0021] 当第二金属导带分支段与第三金属导带分支段间接连接时，第二金属导带分支段与第三金属导带分支段位于相同的平面。

[0022] 第一金属导带分支段与第三金属导带分支段位于第二金属导带分支段的同侧。

[0023] 进一步地，本发明的滤波器还包括参考地层，所述参考地层设置在介质基板上。

[0024] 本发明至少具有如下有益效果：本发明的滤波器采用由多段金属导带组成的谐振结构，能够有效减小谐振结构的尺寸，从而减小滤波器的体积，有利于实现滤波器的小型化，谐振结构在介质基板布置灵活。

[0025] 谐振结构的各个金属导带段的宽度设置成不完全一致，即一部分金属导带段的宽度相比另一部分金属导带的宽度较宽，本发明通过增加谐振结构金属导带的宽度，改善滤波器的谐波，减少谐振结构的尺寸。

[0026] 多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈多排布置，介质基板内位于上下防止信号串扰的相邻两排谐振结构之间设有金属隔离区域，上下需要耦合的谐振结构之间未设置金属隔离区域。设置金属隔离区域用以隔开上下两排谐振结构的大多数信号串扰，上下需要耦合的谐振结构之间未设置金属隔离区域使得其中上下一个谐振结构的信号耦合到另一个谐振结构上。

附图说明

[0027] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

[0028] 图1为本发明第一种实施例提供的谐振结构的示意图；

[0029] 图2为本发明第二种实施例提供的谐振结构的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0030] 图3为本发明第二种实施例提供的谐振结构的立体图(未示意介质基板)；

[0031] 图4为本发明第三种实施例提供的谐振结构的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0032] 图5为本发明第三种实施例提供的谐振结构的立体图(未示意介质基板)；

[0033] 图6为本发明第四种实施例提供的谐振结构的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0034] 图7为本发明第四种实施例提供的谐振结构的立体图(未示意介质基板)；

[0035] 图8为本发明第一种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0036] 图9为本发明第二种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0037] 图10为本发明第三种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0038] 图11为本发明第三种实施例提供的滤波器的立体图(未示意介质基板)；

[0039] 图12为本发明第四种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0040] 图13为本发明第四种实施例提供的滤波器的立体图(未示意介质基板)；

[0041] 图14为本发明第五种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0042] 图15为本发明第六种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0043] 图16为本发明第七种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0044] 图17为本发明第八种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0045] 图18为本发明第九种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0046] 图19为本发明第十种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)；

[0047] 图20为本发明第十一种实施例提供的滤波器的分解示意图(示意出将滤波器从上到下或从下到上依次分解为多层)。

[0048] 附图中，1为介质基板，2为谐振结构，21为金属导带，22为第一金属导带分支，23为第二金属导带分支，24为第一金属导带分支段，25为第二金属导带分支段，26为第三金属导带分支段，27为第一导电孔，28为第二导电孔，3为第一金属带，4为第二金属带，5为金属隔离区域，51为过孔，6为第一金属片，7为第二金属片，8为金属杆,9为参考地板，10为第三金属带。

具体实施方式

[0049] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。

[0050] 在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0051] 术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征；在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”、“多排”“若干”的含义是两个或两个以上。

[0052] 参见图1至图20，本发明提供了一种滤波器，包括介质基板，所述介质基板上设有多个谐振结构,各谐振结构由至少一段金属导带组成，当金属导带为多段时，多段金属导带相连，其中一段金属导带接地，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置或沿竖直方向呈多排布置。多个谐振结构2依次耦合。相邻的谐振结构之间直接耦合，非相邻的谐振结构之间可以交叉耦合，本发明所述的相邻的谐振结构指的是需要直接耦合连接的两个谐振结构。

[0053] 进一步地，滤波器还包括参考地层，所述参考地层设置在介质基板1上。

[0054] 优选地，参考地层位于介质基板1的底面。

[0055] 进一步地，所述谐振结构包括设置在介质基板1上的金属导带21以及位于金属导带21左侧的第一金属导带分支22和位于金属导带21右侧的第二金属导带分支23，所述金属导带21的一端接地，金属导带21的另一端分别与第一金属导带分支22、第二金属导带分支23直接或间接连接，所述第一金属导带分支22、第二金属导带分支23包括第一金属导带分支段24和第二金属导带分支段25，所述第一金属导带分支段24的一端与金属导带21直接或间接连接，第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接或间接连接。

[0056] 第一金属导带分支段24与金属导带21垂直设置，第二金属导带分支段25与金属导带21平行设置。当然，本发明不仅仅限于上述方案，第二金属导带分支段与金属导带可以不平行设置，第一金属导带分支段与金属导带可以不垂直设置。

[0057] 作为优选实施例，金属导带、第一金属导带分支、第二金属导带分支的宽度不完全一致，即一部分金属导带段的宽度相比另一部分金属导带的宽度较宽，本发明通过增加谐振结构金属导带的宽度，改善滤波器的谐波，减少谐振结构的尺寸。

[0058] 在金属导带21左侧设置第一金属导带分支22以及在金属导带21右侧设置第二金属导带分支23的目的是降频。

[0059] 进一步地，金属导带21、第一金属导带分支段24、第二金属导带分支段25均与介质基板1上、下端面平行，当第一金属导带分支段24与金属导带21间接连接时，第一金属导带分支段24与金属导带21位于不同的平面，且第一金属导带分支段24与金属导带21通过介质基板1上设置的第一导电孔27内的导体间接连接，当第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25间接连接时，第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25位于不同的平面，且第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25通过介质基板1上设置的第二导电孔28内的导体间接连接。第一导电孔27、第二导电孔28沿介质基板1的高度方向延伸。

[0060] 第一金属导带分支段24的一端与金属导带21直接连接时，第一金属导带分支段24与金属导带21位于相同的平面。当第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25直接连接时，第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25位于相同的平面。

[0061] 进一步地，第二金属导带分支段25与金属导带21位于第一金属导带分支段24的同侧。

[0062] 进一步地，所述第一金属导带分支22、第二金属导带分支23还包括第三金属导带分支段26，第三金属导带分支段26与介质基板1上、下端面平行，第三金属导带分支段26与金属导带21垂直，第二金属导带分支段25的一端与第一金属导带分支段24直接或间接连接，第二金属导带分支段25的另一端与第三金属导带分支段26直接或间接连接，当第二金属导带分支段25与第三金属导带分支段26间接连接时，第二金属导带分支段25与第三金属导带分支段26位于不同的平面，第二金属导带分支段25与第三金属导带分支段26通过介质基板1上设置的第三导电孔内的导体间接连接。如第三导电孔沿介质基板1的高度方向延伸。

[0063] 当第二金属导带分支段25与第三金属导带分支段26间接连接时，第二金属导带分支段25与第三金属导带分支段26位于相同的平面。

[0064] 第一金属导带分支段24与第三金属导带分支段26位于第二金属导带分支段25的同侧。

[0065] 参见图1，作为谐振结构的其中一种实施例，所述第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的一端与金属导带直接连接，第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接连接。第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24、第二金属导带分支段25、金属导带21位于同一水平面。所述第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的一端与金属导带21直接连接，第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接连接。第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24、第二金属导带分支段25、金属导带21位于同一水平面。

[0066] 进一步地，第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24连接，形成一整段金属导带。

[0067] 参见图2和图3，作为谐振结构的其中一种实施例，所述第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的一端与金属导带间接连接，第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接连接。第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25位于同一水平面。第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24和第二金属导带分支段25与金属导带位于不同的水平面。所述第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的一端与金属导带直接连接，第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接连接。第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24、第二金属导带分支段25、金属导带位于同一水平面。

[0068] 作为谐振结构的其中一种实施例，所述第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的一端与金属导带直接连接，第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接连接。第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24、第二金属导带分支段25、金属导带位于同一水平面。所述第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的一端与金属导带间接连接，第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接连接。第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25位于同一水平面。第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24和第二金属导带分支段25与金属导带位于不同的水平面。

[0069] 参见图4和图5，作为谐振结构的其中一种实施例，所述第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的一端与金属导带间接连接，第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接连接。第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25位于同一水平面。第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24和第二金属导带分支段25与金属导带位于不同的水平面。所述第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的一端与金属导带间接连接，第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25直接连接。第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25位于同一水平面。第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24和第二金属导带分支段25与金属导带位于不同的水平面。

[0070] 进一步地，第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24连接，形成一整段金属导带。

[0071] 参见图6和图7，作为谐振结构的其中一种实施例，所述第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的一端与金属导带直接连接，第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25间接连接。第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24与金属导带位于同一水平面。第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段25位于不同的水平面。所述第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的一端与金属导带直接连接，第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24的另一端与第二金属导带分支段25间接连接。第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24与金属导带位于同一水平面。第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支段
25位于不同的水平面。

[0072] 进一步地，第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24与第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24连接，形成一整段金属导带。

[0073] 介质基板1的导电孔内设置导体。

[0074] 本发明在满足滤波器所需性能的情况下，多个谐振结构的排布方式极其灵活。

[0075] 作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向依次布置。上下相邻谐振结构的金属导带上下平行相对间隔设置。

[0076] 参见图8，作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置，多个谐振结构的金属导带用于接地的一端朝向相同。相邻的两个谐振结构2中位于左侧的谐振结构2的第二金属导带分支23的第二金属导带分支段25与位于右侧的谐振结构2的第一金属导带分支22的第二金属导带分支段25并排间隔设置，间隔距离根据需要设置。多个谐振结构的金属导带位于同一水平面。

[0077] 优选地，本实施例的谐振结构采用图1所示的谐振结构，即该谐振结构的金属导带以及所有金属导带分支设置在同一平面。采用本实施例可以减小滤波器的体积。

[0078] 参见图9，作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置，相邻的两个谐振结构的金属导带用于接地的一端朝向相反。相邻的两个谐振结构2中位于左侧的谐振结构2的第二金属导带分支23的第二金属导带分支段25与位于右侧的谐振结构2的第一金属导带分支22的第二金属导带分支段25并排间隔设置，间隔距离根据需要设置。采用本实施例可以减小滤波器的体积。

[0079] 优选地，本实施例的谐振结构采用图1所示的谐振结构，即该谐振结构的金属导带以及所有金属导带分支设置在同一平面。

[0080] 参见图10和图11，作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置，多个谐振结构的金属导带位于同一水平面，相邻的两个谐振结构中位于左侧的谐振结构的第二金属导带分支的第二金属导带分支段与位于右侧的谐振结构的第一金属导带分支的第二金属导带分支段上下相对间隔设置。

[0081] 参见图12和图13，作为滤波器的其中一种实施例，本实施例包括四个谐振结构，分别为第一谐振结构、第二谐振结构、第三谐振结构、第四谐振结构，第一谐振结构与第二谐振结构耦合，第二谐振结构与第三谐振结构耦合，第三谐振结构与第四谐振结构耦合，第四谐振结构与第一谐振结构耦合。

[0082] 第一谐振结构与第二谐振结构上下相对设置，第三谐振结构与第四谐振结构上下相对设置，第一谐振结构的第一金属导带分支与第二谐振结构的第一金属导带分支之间的间距小于第一谐振结构的第二金属导带分支与第二谐振结构的第二金属导带分支之间的间距，即第一谐振结构的第一金属导带分支与第二谐振结构的第一金属导带分支之间对应靠近，以此提高第一谐振结构与第二谐振结构的耦合强度，第一谐振结构的第二金属导带分支与第二谐振结构的第二金属导带分支之间对应远离。第三谐振结构的第一金属导带分支与第二谐振结构的第二金属导带分支并排间隔设置，第四谐振结构的第一金属导带分支与第一谐振结构的第二金属导带分支并排间隔设置，第三谐振结构的第二金属导带分支与第四谐振结构的第二金属导带分支之间的间距小于第三谐振结构的第一金属导带分支与第四谐振结构的第一金属导带分支之间的间距，即第三谐振结构的第二金属导带分支与第四谐振结构的第二金属导带分支之间对应靠近，以此提高第三谐振结构与第四谐振结构的耦合强度。第三谐振结构的第一金属导带分支与第四谐振结构的第一金属导带分支之间对应远离。采用上述方案，上下非相邻谐振结构之间对应远离。

[0083] 参见图14，作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板1上沿水平方向呈一排布置，所述介质基板上设有至少一根第一金属带3，第一金属带3的一端与非相邻的两个谐振结构中的一个谐振结构直接或间接连接，第一金属带3的另一端与非相邻的两个谐振结构中的另一个谐振结构直接或间接连接。

[0084] 所述第一金属带3沿介质基板1的长度方向延伸，第一金属带3与介质基板1上、下端面平行。

[0085] 第一金属带的左端与非相邻的两个谐振结构中位于左侧的谐振结构的金属导带(如金属导带用于接地的一端)直接或间接连接，第一金属带的右端与非相邻的两个谐振结构中位于右侧的谐振结构的金属导带(如金属导带用于接地的一端)直接或间接连接。

[0086] 多个谐振结构2的金属导带平行间隔并排设置。本实施例相邻的两个谐振结构2的金属导带21用于接地的一端朝向相反。

[0087] 谐振结构A与谐振结构B之间设有至少一个谐振结构C，谐振结构A与谐振结构B的金属导带21用于接地的一端朝向相同，并与谐振结构C的金属导带21用于接地的一端朝向相反。当第一金属带3不只一条时，谐振结构C不能与第一金属带3连接。

[0088] 采用本实施例的方案，可以在通带右边产生零点。

[0089] 参见图15，作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿水平方向呈一排布置，所述介质基板上设有至少一根第二金属带，所述第二金属带的一端与非相邻的两个谐振结构中的一个谐振结构D沿上下方向平行间隔对应，金属带的另一端与非相邻的两个谐振结构中的另一个谐振结构E沿上下方向平行间隔对应。

[0090] 所述第二金属带4沿介质基板1的长度方向延伸，第二金属带4与介质基板1上、下端面平行。

[0091] 本实施例相邻的两个谐振结构2的金属导带21用于接地的一端朝向相反。

[0092] 谐振结构D与谐振结构E之间设有至少一个谐振结构F，谐振结构D与谐振结构E的金属导带21用于接地的一端朝向相同，并与谐振结构F的金属导带21用于接地的一端朝向相反。

[0093] 优选地，所述金属带4的左端与非相邻的两个谐振结构2中位于左侧的谐振结构2的第二金属导带分支23的第一金属导带分支段24沿上下方向平行相对间隔设置，金属带4的右端与非相邻的两个谐振结构2中位于右侧的谐振结构2的第一金属导带分支22的第一金属导带分支段24沿上下方向平行相对间隔设置。

[0094] 采用本实施例的方案，可以在通带左边产生零点。

[0095] 参见图16，作为其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈多排布置，介质基板内位于上下防止信号串扰的相邻两排谐振结构之间设有金属隔离区域，上下需要耦合的谐振结构之间未设置金属隔离区域。

[0096] 如可以在介质基板1的上表面和下表面分别沿长度方向依次一排谐振结构2，中间有一层金属(需要接地)用以隔开上下层谐振结构的大多数信号串扰，上下需要耦合的谐振结构之间未设置金属隔离区域使得上层谐振结构的信号耦合到下层谐振结构上，或下层谐振结构的信号耦合到上层谐振结构上。

[0097] 参见图17，作为其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈多排布置，介质基板内位于上下相邻的两排谐振结构之间设有金属隔离区域5，上下相邻的两排谐振结构之间通过耦合窗口耦合，所述介质基板内设有耦合结构，所述耦合结构位于上下非相邻两个谐振结构之间，所述耦合结构包括位于金属隔离区域(金属隔离层)5上方的第一金属片6以及位于金属隔离区域下方的第二金属片7，第一金属片6与第二金属片7之间通过沿介质基板高度方向延伸的导电孔(导电孔镀金属层)连接。金属隔离区域(金属隔离层)5与导电孔8不接触。第一金属片6、第二金属片7与介质基板1上、下端面平行。第一金属片6、第二金属片7与金属隔离区域(金属隔离层)5之间设有竖直方向的间距。介质基板内的金属片均可以采用镀金属层。

[0098] 本实施例的耦合结构用于使上下非相邻两个谐振结构之间形成负耦合。

[0099] 参见图18，作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿斜向上方向或沿斜向下方向依次布置，即上下相邻谐振结构2的金属导带之间设有沿水平方向(沿介质基板1的长度方向)的间距。多个谐振结构的金属导带位于不同的水平面，上下相邻谐振结构2中第一谐振结构2的第二金属导带分支23的第二金属导带分支段25与第二谐振结构2的第一金属导带分支22的第二金属导带分支段25上下相对间隔设置。间隔距离根据需要设置。本实施例可以减小滤波器的耦合系数，从而设计窄带滤波器。

[0100] 优选地，本实施例的谐振结构采用图1所示的谐振结构，即该谐振结构的金属导带以及所有金属导带分支位于同一平面。

[0101] 参见图19，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈N排布置，N大于或等于2，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且未耦合，其余的各排均并排设置至少有两个谐振结构，第N排的多个谐振结构依次耦合。

[0102] 作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈N排布置，N大于或等于2，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且未耦合，第N排至少设置有两个谐振结构，并依次耦合，当N大于3时，其余的各排均并排设置有两个谐振结构，介质基板上最左侧的多个谐振结构沿竖直方向布置，并依次耦合，最右侧的多个谐振结构沿竖直方向布置，并依次耦合。

[0103] 当第N排设置有两个谐振结构时，从第1排到第N排，同排的两个谐振结构的距离可以逐近减小(但不限于逐近减小，还可以根据需要设置)。当第N排设置有不止两个谐振结构时，从第1排到第N排，同排的两个谐振结构的距离也可以不变等。

[0104] 当介质基板上沿竖直方向的谐振结构的排数N等于2时，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且未耦合，第二排至少设置有两个谐振结构，并依次耦合，位于第二排最左侧的谐振结构与第一排的其中一个谐振结构至少部分上下对应，形成耦合，位于第二排最右侧的谐振结构与第一排的另一个谐振结构至少部分上下对应，形成耦合。

[0105] 作为滤波器的一种具体实施例，谐振结构为四个，包括依次耦合的第一谐振结构、第二谐振结构、第三谐振结构、第四谐振结构，第一谐振结构、第四谐振结构位于第一排，第二谐振结构、第三谐振结构位于第二排，第一谐振结构的第二金属导带分支23的第二金属导带分支段25与第二谐振结构2的第一金属导带分支22的第二金属导带分支段25上下相对间隔设置。第三谐振结构的第二金属导带分支23的第二金属导带分支段25与第四谐振结构2的第一金属导带分支22的第二金属导带分支段25上下相对间隔设置。

[0106] 参见图20，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈N排布置，N大于或等于2，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且耦合，其余的各排均并排设置至少有两个谐振结构，介质基板上设有第三金属带，第三金属带的两端分别与第N排需要耦合的两个谐振结构上下对应。

[0107] 作为滤波器的其中一种实施例，多个谐振结构在介质基板上沿竖直方向呈N排布置，N大于或等于2，第一排设置有两个谐振结构，分别作为首、尾的谐振结构，第一排的两个谐振结构并排设置，且耦合，其余的各排均并排设置有两个谐振结构，介质基板上最左侧的多个谐振结构沿竖直方向布置，并依次耦合，最右侧的多个谐振结构沿竖直方向布置，并依次耦合，所述介质基板上设有第三金属带，所述第三金属带的一端与第N排左侧的谐振结构上下相对间隔设置，所述第三金属带的另一端与第N排右侧的谐振结构上下相对间隔设置。

[0108] 从第1排到第N排，同排的两个谐振结构的距离可以逐近增大(但不仅仅限于逐近增大，还可以根据需要设置)，从而减小上下非相邻谐振结构之间的串扰。

[0109] 所述第三金属带沿介质基板长度方向延伸，且平行介质基板或谐振结构。

[0110] 作为滤波器的一种具体实施例，谐振结构为四个，包括依次耦合的第一谐振结构、第二谐振结构、第三谐振结构、第四谐振结构，第一谐振结构、第四谐振结构位于第一排，第一谐振结构与第四谐振结构耦合连接，第二谐振结构、第三谐振结构位于第二排，第一谐振结构的第一金属导带分支22与第二谐振结构2的第二金属导带分支23上下相对间隔设置。第三谐振结构的第一金属导带分支22与第四谐振结构2的第二金属导带分支23上下相对间隔设置，所述介质基板上设有第三金属带，所述第三金属带的一端与第二谐振结构的第二金属导带分支23上下相对间隔设置，所述第三金属带的另一端与第三谐振结构的第一金属导带分支22上下相对间隔设置，第三金属带用于增加第二谐振结构与第三谐振结构之间的耦合。本实施例的滤波器可以形成通带左右两侧的对称零点。

[0111] 本发明滤波器采用由多段金属导带组成的谐振结构，能够有效减小谐振结构的尺寸，从而减小滤波器的体积，有利于实现滤波器的小型化，且本发明的上述多种滤波器均可以减小非相邻谐振结构之间耦合信号串扰问题。

[0112] 以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。