一种OPC验证缺陷的方法、装置及设备转让专利
申请号 : CN202211386947.1
文献号 : CN115561975B
文献日 : 2023-04-25
发明人 : 郭良帅 , 张宁宁
申请人 : 华芯程(杭州)科技有限公司
摘要 :
本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种OPC验证缺陷的方法、装置、设备及计算机可读存储介质，通过接收待验证版图；根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。本发明通过摘取所述待验证的点位的多种位置特征值，得到基于多种特征值的复合判据，利用所述复合判据进行缺陷点位的判断，提升缺陷判断的准确性，避免了误报缺陷或者是遗漏缺陷的情况。
权利要求 :
1.一种OPC验证缺陷的方法，其特征在于，包括：接收待验证版图；
根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；
根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；
将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；
所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件；
所述根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据包括：所述待验证点位的位置特征信息包括光学强度极小值及图案密度，所述复合判据包括第一子判据及第二子判据，根据所述光学强度极小值及所述图案密度得到所述第一子判据及所述第二子判据包括：2
F1=c*Imin+d*Imin+D
F2=Imin
其中，F1为所述第一子判据，F2为所述第二子判据，Imin为所述光学强度极小值，D为所述图案密度，Ith为光学强度阈值，c、d为固定常数；
相应地，所述将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位包括：判断所述第二子判据是否不小于光强阈值；
当所述第二子判据不小于所述光强阈值时，判断所述第一子判据是否不小于第二边界定值；
当所述第一子判据不小于所述第二边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
2.如权利要求1所述的OPC验证缺陷的方法，其特征在于，所述根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值包括：将所述待验证版图分为多块待验证单元；
分别对所述待验证单元进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息。
3.如权利要求1所述的OPC验证缺陷的方法，其特征在于，所述根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据包括：所述待验证点位的位置特征信息包括关键尺寸及归一化光学强度对数斜率，根据所述关键尺寸及所述归一化光学强度对数斜率得到复合判据包括：F=a*CD+b*NILS
其中，F为所述复合判据，CD为所述关键尺寸，NILS为所述归一化光学强度对数斜率，a、b为固定常数；
相应地，所述将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位包括：判断所述复合判据是否不大于第一边界定值；
当所述复合判据不大于所述第一边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
4.一种OPC验证缺陷的装置，其特征在于，包括：接收模块，用于接收待验证版图；
特征挖掘模块，用于根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；
判据模块，用于根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；
判断模块，用于将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件；
所述判据模块包括：
辅助图形印出判据单元，所述待验证点位的位置特征信息包括光学强度极小值及图案密度，所述复合判据包括第一子判据及第二子判据，根据所述光学强度极小值及所述图案密度得到所述第一子判据及所述第二子判据包括：2
F1=c*Imin+d*Imin+D
F2=Imin
其中，F1为所述第一子判据，F2为所述第二子判据，Imin为所述光学强度极小值，D为所述图案密度，Ith为光学强度阈值，c、d为固定常数；
相应地，所述判断模块包括：
光强判断单元，用于判断所述第二子判据是否不小于光强阈值；
第二边界单元，用于当所述第二子判据不小于所述光强阈值时，判断所述第一子判据是否不小于第二边界定值；
辅助图形印出缺陷单元，用于当所述第一子判据不小于所述第二边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
5.如权利要求4所述的OPC验证缺陷的装置，其特征在于，所述特征挖掘模块包括：分区单元，用于将所述待验证版图分为多块待验证单元；
分区仿真单元，用于分别对所述待验证单元进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息。
6.如权利要求4所述的OPC验证缺陷的装置，其特征在于，所述判据模块包括：断开判据单元，所述待验证点位的位置特征信息包括关键尺寸及归一化光学强度对数斜率，根据所述关键尺寸及所述归一化光学强度对数斜率得到复合判据包括：F=a*CD+b*NILS
其中，F为所述复合判据，CD为所述关键尺寸，NILS为所述归一化光学强度对数斜率，a、b为固定常数；
相应地，所述判断模块包括：
第一边界单元，用于判断所述复合判据是否不大于第一边界定值；
断开缺陷单元，用于当所述复合判据不大于所述第一边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
7.一种OPC验证缺陷的设备，其特征在于，包括：存储器，用于存储计算机程序；
处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1至3任一项所述的OPC验证缺陷的方法的步骤。
8.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现如权利要求1至3任一项所述的OPC验证缺陷的方法的步骤。
说明书 :
一种OPC验证缺陷的方法、装置及设备
技术领域
[0001] 本发明涉及光刻模拟领域，特别是涉及一种OPC验证缺陷的方法、装置、设备及计算机可读存储介质。
背景技术
[0002] OPC（光学临近修正）验证是通过对修过OPC的版图进行仿真和分析，来检测潜在的可能造成晶片缺陷的热点。目前，OPC验证都是基于单一特征判据。比如现有技术中对于可能造成pinching（断开）缺陷的热点的验证是基于仿真的CD（关键尺寸）值的判据。当版图上某处仿真的CD值小于某一个阈值时，判断该处是热点，有可能造成断开缺陷。
[0003] 如前文中对所述断开缺陷的单一判据的判断方法，往往准确率较低，与实际晶片数据的吻合度不够，因而经常出现误报或者是遗漏热点的情况。
[0004] 因此，如何提升OPC验证结果的准确性，是本领域技术人员亟待解决的问题。
发明内容
[0005] 本发明的目的是提供一种OPC验证缺陷的方法、装置、设备及计算机可读存储介质，以解决现有技术中OPC验证对缺陷的识别准确率低的问题。
[0006] 为解决上述技术问题，本发明提供一种OPC验证缺陷的方法，包括：
[0007] 接收待验证版图；
[0008] 根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；
[0009] 根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；
[0010] 将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。
[0011] 可选地，在所述的OPC验证缺陷的方法中，所述根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值包括：
[0012] 将所述待验证版图分为多块待验证单元；
[0013] 分别对所述待验证单元进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息。
[0014] 可选地，在所述的OPC验证缺陷的方法中，所述根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据包括：
[0015] 所述待验证点位的位置特征信息包括关键尺寸及归一化光学强度对数斜率，根据所述关键尺寸及所述归一化光学强度对数斜率得到复合判据包括：
[0016] F=a*CD+b*NILS
[0017] 其中，F为所述复合判据，CD为所述关键尺寸，NILS为所述归一化光学强度对数斜率，a、b为固定常数；
[0018] 相应地，所述将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位包括：
[0019] 判断所述复合判据是否不大于第一边界定值；
[0020] 当所述复合判据不大于所述第一边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
[0021] 可选地，在所述的OPC验证缺陷的方法中，所述根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据包括：
[0022] 所述待验证点位的位置特征信息包括光学强度极小值及图案密度，所述复合判据包括第一子判据及第二子判据，根据所述光学强度极小值及所述图案密度得到所述第一子判据及所述第二子判据包括：
[0023] F1=c*Imin2+d*Imin+D
[0024] F2=Imin
[0025] 其中，F1为所述第一子判据，F2为所述第二子判据，Imin为所述光学强度极小值，D为所述图案密度，Ith为光学强度阈值，c、d为固定常数；
[0026] 相应地，所述将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位包括：
[0027] 判断所述第二子判据是否不小于光强阈值；
[0028] 当所述第二子判据不小于所述光强阈值时，判断所述第一子判据是否不小于第二边界定值；
[0029] 当所述第一子判据不小于所述第二边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
[0030] 一种OPC验证缺陷的装置，包括：
[0031] 接收模块，用于接收待验证版图；
[0032] 特征挖掘模块，用于根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；
[0033] 判据模块，用于根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；
[0034] 判断模块，用于将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。
[0035] 可选地，在所述的OPC验证缺陷的装置中，所述特征挖掘模块包括：
[0036] 分区单元，用于将所述待验证版图分为多块待验证单元；
[0037] 分区仿真单元，用于分别对所述待验证单元进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息。
[0038] 可选地，在所述的OPC验证缺陷的装置中，所述判据模块包括：
[0039] 断开判据单元，所述待验证点位的位置特征信息包括关键尺寸及归一化光学强度对数斜率，根据所述关键尺寸及所述归一化光学强度对数斜率得到复合判据包括：
[0040] F=a*CD+b*NILS
[0041] 其中，F为所述复合判据，CD为所述关键尺寸，NILS为所述归一化光学强度对数斜率，a、b为固定常数；
[0042] 相应地，所述判断模块包括：
[0043] 第一边界单元，用于判断所述复合判据是否不大于第一边界定值；
[0044] 断开缺陷单元，用于当所述复合判据不大于所述第一边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
[0045] 可选地，在所述的OPC验证缺陷的装置中，所述判据模块包括：
[0046] 辅助图形印出判据单元，所述待验证点位的位置特征信息包括光学强度极小值及图案密度，所述复合判据包括第一子判据及第二子判据，根据所述光学强度极小值及所述图案密度得到所述第一子判据及所述第二子判据包括：
[0047] F1=c*Imin2+d*Imin+D
[0048] F2=Imin
[0049] 其中，F1为所述第一子判据，F2为所述第二子判据，Imin为所述光学强度极小值，D为所述图案密度，Ith为光学强度阈值，c、d为固定常数；
[0050] 相应地，所述判断模块包括：
[0051] 光强判断单元，用于判断所述第二子判据是否不小于光强阈值；
[0052] 第二边界单元，用于当所述第二子判据不小于所述光强阈值时，判断所述第一子判据是否不小于第二边界定值；
[0053] 辅助图形印出缺陷单元，用于当所述第一子判据不小于所述第二边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
[0054] 一种OPC验证缺陷的设备，包括：
[0055] 存储器，用于存储计算机程序；
[0056] 处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述任一种所述的OPC验证缺陷的方法的步骤。
[0057] 一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述的OPC验证缺陷的方法的步骤。
[0058] 本发明所提供的OPC验证缺陷的方法，通过接收待验证版图；根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。
[0059] 本发明通过摘取所述待验证的点位的多种位置特征值，并通过多种位置特征值进行计算，得到基于多种特征值的复合判据，利用所述复合判据进行缺陷点位的判断，大大提升了缺陷判断的准确性，避免了误报缺陷或者是遗漏缺陷的情况。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的OPC验证缺陷的装置、设备及计算机可读存储介质。
附图说明
[0060] 为了更清楚的说明本发明实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0061] 图1为本发明提供的OPC验证缺陷的方法的一种具体实施方式的流程示意图；
[0062] 图2为本发明提供的OPC验证缺陷的方法的另一种具体实施方式的流程示意图；
[0063] 图3为本发明提供的OPC验证缺陷的方法的一种具体实施方式的对于断开缺陷的位置特征信息的关系示意图；
[0064] 图4为本发明提供的OPC验证缺陷的方法的又一种具体实施方式的流程示意图；
[0065] 图5为本发明提供的OPC验证缺陷的方法的一种具体实施方式的对于亚分辨率辅助图形印出缺陷的位置特征信息的关系示意图；
[0066] 图6为本发明提供的OPC验证缺陷的装置的一种具体实施方式的结构示意图。
具体实施方式
[0067] 为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0068] 本发明的核心是提供一种OPC验证缺陷的方法，其一种具体实施方式的流程示意图如图1所示，称其为具体实施方式一，包括：
[0069] S101：接收待验证版图。
[0070] 本步骤中的待验证版图并非物质的掩膜实体，而是指用于OPC验证的掩膜数据。
[0071] S102：根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值。
[0072] 所述待验证点位可以为所述待验证版图上的全部像素点，也可为筛选过的部分像素点或区域。
[0073] 所述位置特征信息包括多种所述位置特征值，所述位置特征值可包括关键尺寸、所述归一化光学强度对数斜率、光学强度极小值及图案密度中的至少一种，所述位置特征信息反映了对应的点位可从OPC仿真中获得的光学相关信息。
[0074] S103：根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据。
[0075] 本步骤中将多种位置特征值经过相应计算获得各个待验证点位对应的复合判据。
[0076] 而需要注意的是，由多个位置特征值到所述复合判据的计算过程为根据实际进行的晶片实测实验获得的数据总结的拟合关系曲线，也即选取足够的晶片进行实际测试，记录各个缺陷点位与非缺陷点位的所述位置特征信息，绘出关系图后对缺陷点位与非缺陷点位的边缘进行拟合，得到缺陷的复合判据及下文中与所述复合判据对应的边界条件。可以把所述复合判据看作是关于所述位置特征信息中各个位置特征值的函数。
[0077] S104：将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。
[0078] 接前文中对步骤S103的说明，由于得到了缺陷点位与非缺陷点位的边缘拟合曲线，实际上便得到了非缺陷点位与缺陷点位关于所述位置特征信息的分界线，即所述边界条件。
[0079] 所述复合判据可为一项判据，也可为多项判据。
[0080] 本发明所提供的OPC验证缺陷的方法，通过接收待验证版图；根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。本发明通过摘取所述待验证的点位的多种位置特征值，并通过多种位置特征值进行计算，得到基于多种特征值的复合判据，利用所述复合判据进行缺陷点位的判断，大大提升了缺陷判断的准确性，避免了误报缺陷或者是遗漏缺陷的情况。
[0081] 在具体实施方式一的基础上，进一步给出一种具体的复合判据及对应的缺陷判断标准，得到具体实施方式二，其对应的流程示意图如图2所示，包括：
[0082] S201：接收待验证版图。
[0083] S202：根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值。
[0084] S203：所述待验证点位的位置特征信息包括关键尺寸及归一化光学强度对数斜率，根据所述关键尺寸及所述归一化光学强度对数斜率得到复合判据包括：
[0085] F=a*CD+b*NILS
[0086] 其中，F为所述复合判据，CD为所述关键尺寸，NILS为所述归一化光学强度对数斜率，a、b为固定常数。
[0087] 所述固定常数也是通过前文中提及的缺陷点位与非缺陷点位之间的边缘拟合曲线得到的常数。
[0088] S204：判断所述复合判据是否不大于第一边界定值。
[0089] S205：当所述复合判据不大于所述第一边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
[0090] 可将所述第一边界定值设为C1，则本具体实施方式中对于所述缺陷点位的判断方式即为：
[0091] a*CD+b*NILS≤C1 （1）
[0092] 将各个所述待验证点位的关键尺寸及归一化光学强度对数斜率代入，使不等式成立的待验证点位即为缺陷点位。
[0093] 本具体实施方式与上述各具体实施方式的不同之处在于，本具体实施方式中具体提供了一种断开缺陷的具体判断方法，其余步骤均与上述具体实施方式相同，在此不再展开赘述。
[0094] 本具体实施方式以常见的断开缺陷为例，前期的准备工作包括：首先定义两个相关的特征——仿真的CD(关键尺寸)和NILS(归一化光学强度对数斜率)。其次，通过计算一系列真实晶片中通过实验得到的缺陷点位和非缺陷点位的CD值和NILS值，可以得到图3所示的关系图。基于该图进行拟合，可以得到如式（1）的断开缺陷的判断方法（为方便展示假定其为线性关系）。
[0095] 接下来进入OPC验证缺陷的方法流程，先对版图进行OPC仿真，输出全部待验证点位的CD值和NILS值，并计算出复合判据依据式（1）进行验证，检测潜在的会造成断开缺陷的缺陷点位。本具体实施方式中提供的断开缺陷的判断方法，相比于现有技术中的断开缺陷判断，大大提升了判断准确率，对实际生产更具指导意义。
[0096] 在具体实施方式一的基础上，进一步给出一种具体的复合判据及对应的缺陷判断标准，得到具体实施方式二，其对应的流程示意图如图4所示，包括：
[0097] S301：接收待验证版图。
[0098] S302：根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值。
[0099] S303：所述待验证点位的位置特征信息包括光学强度极小值及图案密度，所述复合判据包括第一子判据及第二子判据，根据所述光学强度极小值及所述图案密度得到所述第一子判据及所述第二子判据包括：
[0100] F1=c*Imin2+d*Imin+D
[0101] F2=Imin
[0102] 其中，F1为所述第一子判据，F2为所述第二子判据，Imin为所述光学强度极小值，D为所述图案密度，Ith为光学强度阈值，c、d为固定常数。
[0103] 与前文中相同，本步骤中的固定常数也是通过前文中提及的缺陷点位与非缺陷点位之间的边缘拟合曲线得到的常数。
[0104] S304：判断所述第二子判据是否不小于光强阈值。
[0105] 所述光强阈值也为通过前文中提及的缺陷点位与非缺陷点位之间的边缘拟合曲线得到的值。
[0106] S305：当所述第二子判据不小于所述光强阈值时，判断所述第一子判据是否不小于第二边界定值。
[0107] 可结合图5，图5为实际测量晶片中的非缺陷点位与亚分辨率辅助图形印出缺陷点位关于所述光学强度极小值及所述图案密度（图5中用Density表示）的图像，不难看出，当所述光学强度极小值不大于所述光强阈值（图5中用Ith表示）时，根本不会产生该种缺陷，因此，只有当所述光学强度极小值（本实施例中等同于所述第二子判据）不小于所述光强阈值时，才有必要对所述第一子判据进行判断，否则一定非此类缺陷。
[0108] S306：当所述第一子判据不小于所述第二边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
[0109] 可将所述第二边界定值设为C2，则本具体实施方式中对于所述缺陷点位的判断方式即为：
[0110] c*Imin2+d*Imin+D≥C2 （2）
[0111] 将各个所述待验证点位的光学强度极小值与图案密度代入，使不等式成立的待验证点位即为缺陷点位。
[0112] 本具体实施方式与上述各具体实施方式的不同之处在于，本具体实施方式中具体提供了一种亚分辨率辅助图形印出缺陷的具体判断方法，其余步骤均与上述具体实施方式相同，在此不再展开赘述。
[0113] 本具体实施方式给出了一种SRAF(sub‑resolution assist feature) printing (亚分辨率辅助图形印出)缺陷的检测手段。作为光罩上的辅助图形，SRAF可以提高光刻分辨率，但在光刻后不能够印到晶片上。较大的SRAF尺寸可以产生比较好的效果，但如果SRAF图形的设计尺寸过大，就有可能在光刻后印到晶片上，造成缺陷。对于SRAF printing这种缺陷，本具体实施方式中找到了两个相关特征——光学强度极小值和图案密度。
[0114] 通过计算一系列真实晶片中通过实验得到的缺陷点位和非缺陷点位的光学强度极小值和图案密度值，可以得到图5所示的关系图。基于该图进行拟合，可以得到所述第一子判据与所述第二子判据。同时两子判据即判断为亚分辨率辅助图形印出缺陷，大大提升了亚分辨率辅助图形印出缺陷的计算效率及判断准确度。
[0115] 当然，具体实施方式三的方案只能检测出所述亚分辨率辅助图形印出缺陷，具体实施方式二的方案只能检测出所述断开缺陷，更进一步地，可将具体实施方式二与具体实施方式三的位置特征信息结合，同时将两具体实施方式的复合判据与边界条件整合，即可获得对所述亚分辨率辅助图形印出缺陷及所述断开缺陷做检测的OPC验证方法。当然，也可根据实际需要整合其他缺陷对应的复合判据与边界条件。
[0116] 下面对本发明实施例提供的OPC验证缺陷的装置进行介绍，下文描述的OPC验证缺陷的装置与上文描述的OPC验证缺陷的方法可相互对应参照。
[0117] 图6为本发明实施例提供的OPC验证缺陷的装置的结构框图，参照图6，OPC验证缺陷的装置可以包括：
[0118] 接收模块100，用于接收待验证版图；
[0119] 特征挖掘模块200，用于根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；
[0120] 判据模块300，用于根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；
[0121] 判断模块400，用于将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。
[0122] 作为一种优选实施方式，所述特征挖掘模块200包括：
[0123] 分区单元，用于将所述待验证版图分为多块待验证单元；
[0124] 分区仿真单元，用于分别对所述待验证单元进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息。
[0125] 作为一种优选实施方式，所述判据模块300包括：
[0126] 断开判据单元，所述待验证点位的位置特征信息包括关键尺寸及归一化光学强度对数斜率，根据所述关键尺寸及所述归一化光学强度对数斜率得到复合判据包括：
[0127] F=a*CD+b*NILS
[0128] 其中，F为所述复合判据，CD为所述关键尺寸，NILS为所述归一化光学强度对数斜率，a、b为固定常数；
[0129] 相应地，所述判断模块400包括：
[0130] 第一边界单元，用于判断所述复合判据是否不大于第一边界定值；
[0131] 断开缺陷单元，用于当所述复合判据不大于所述第一边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
[0132] 作为一种优选实施方式，所述判据模块300包括：
[0133] 辅助图形印出判据单元，所述待验证点位的位置特征信息包括光学强度极小值及图案密度，所述复合判据包括第一子判据及第二子判据，根据所述光学强度极小值及所述图案密度得到所述第一子判据及所述第二子判据包括：
[0134] F1=c*Imin2+d*Imin+D
[0135] F2=Imin
[0136] 其中，F1为所述第一子判据，F2为所述第二子判据，Imin为所述光学强度极小值，D为所述图案密度，Ith为光学强度阈值，c、d为固定常数；
[0137] 相应地，所述判断模块400包括：
[0138] 光强判断单元，用于判断所述第二子判据是否不小于光强阈值；
[0139] 第二边界单元，用于当所述第二子判据不小于所述光强阈值时，判断所述第一子判据是否不小于第二边界定值；
[0140] 辅助图形印出缺陷单元，用于当所述第一子判据不小于所述第二边界定值时，确定对应的待验证点位为缺陷点位。
[0141] 本发明所提供的OPC验证缺陷的装置，包括接收模块100，用于接收待验证版图；特征挖掘模块200，用于根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；判据模块300，用于根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；判断模块400，用于将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。本发明通过摘取所述待验证的点位的多种位置特征值，并通过多种位置特征值进行计算，得到基于多种特征值的复合判据，利用所述复合判据进行缺陷点位的判断，大大提升了缺陷判断的准确性，避免了误报缺陷或者是遗漏缺陷的情况。
[0142] 本实施例的OPC验证缺陷的装置用于实现前述的OPC验证缺陷的方法，因此OPC验证缺陷的装置中的具体实施方式可见前文中的OPC验证缺陷的方法的实施例部分，例如，接收模块100，特征挖掘模块200，判据模块300，判断模块400，分别用于实现上述OPC验证缺陷的方法中步骤S101，S102，S103和S104，所以，其具体实施方式可以参照相应的各个部分实施例的描述，在此不再赘述。
[0143] 本发明还提供了一种OPC验证缺陷的设备，包括：
[0144] 存储器，用于存储计算机程序；
[0145] 处理器，用于执行所述计算机程序时实现上述任一种所述的OPC验证缺陷的方法的步骤。
[0146] 本发明所提供的OPC验证缺陷的方法，通过接收待验证版图；根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。本发明通过摘取所述待验证的点位的多种位置特征值，并通过多种位置特征值进行计算，得到基于多种特征值的复合判据，利用所述复合判据进行缺陷点位的判断，大大提升了缺陷判断的准确性，避免了误报缺陷或者是遗漏缺陷的情况。
[0147] 一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一种所述的OPC验证缺陷的方法的步骤。
[0148] 本发明所提供的OPC验证缺陷的方法，通过接收待验证版图；根据所述待验证版图进行OPC仿真，得到所述待验证版图对应的待验证点位的位置特征信息；所述位置特征信息至少包括两种位置特征值；根据所述待验证点位的位置特征信息，确定所述待验证点位对应的复合判据；将所述复合判据与预设的边界条件进行对比，判断所述待验证点位是否为缺陷点位；所述边界条件为预先通过实际检验得到的拟合边界条件。本发明通过摘取所述待验证的点位的多种位置特征值，并通过多种位置特征值进行计算，得到基于多种特征值的复合判据，利用所述复合判据进行缺陷点位的判断，大大提升了缺陷判断的准确性，避免了误报缺陷或者是遗漏缺陷的情况。
[0149] 本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其它实施例的不同之处，各个实施例之间相同或相似部分互相参见即可。对于实施例公开的装置而言，由于其与实施例公开的方法相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见方法部分说明即可。
[0150] 需要说明的是，在本说明书中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
[0151] 专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。
[0152] 结合本文中所公开的实施例描述的方法或算法的步骤可以直接用硬件、处理器执行的软件模块，或者二者的结合来实施。软件模块可以置于随机存储器（RAM）、内存、只读存储器（ROM）、电可编程ROM、电可擦除可编程ROM、寄存器、硬盘、可移动磁盘、CD‑ROM、或技术领域内所公知的任意其它形式的存储介质中。
[0153] 以上对本发明所提供的OPC验证缺陷的方法、装置、设备及计算机可读存储介质进行了详细介绍。本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。