晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质

摘要

本申请涉及一种晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质。方法包括：获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。采用本方法能够准确地测量晶炉偏差，并基于晶炉偏差实现对晶体生长的控制进行修正，实现晶体生长的温度梯度的精准控制，保证晶体生长的品质。

权利要求

1.一种晶炉偏差校正方法，其特征在于，所述方法包括：

获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；

基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数与所述标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；

根据所述液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正；

通过对当前时间段的晶棒进行投影，获取晶棒的气泡参数，作为所述实际晶棒参数，其中，所述气泡参数至少包括气泡数量、气泡大小、气泡间距中的其中一种或多种；

所述基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数与所述标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差为：基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数对应的液面变化量和所述标准晶棒参数对应的液面变化量；基于所述实际晶棒参数对应的液面变化量和所述标准晶棒参数对应的液面变化量，确定所述液面偏差；

所述根据所述液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正包括：根据所述液面偏差，对晶炉的晶体生长温度控制进行校正或者根据所述液面偏差，对基于称重法测量得到的液口距进行校正，基于校正之后的液口距进行晶炉的液口距控制。

2.一种晶炉偏差校正装置，其特征在于，所述装置包括：

获取模块，用于获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；

测量模块，用于基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数与所述标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；

校正模块，用于根据所述液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正；

所述校正模块包括：温度修正模块和/或液口距修正模块，所述温度修正模块用于根据所述液面偏差对晶炉的晶体生长温度控制进行校正，所述液口距修正模块用于根据所述液面偏差，对基于称重法测量得到的液口距进行校正，并基于校正之后的液口距进行晶炉的液口距控制；

所述获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：通过对当前时间段的晶棒进行投影，获取晶棒的气泡参数，作为所述实际晶棒参数，其中，所述气泡参数至少包括气泡数量、气泡大小、气泡间距中的其中一种或多种；

所述基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数与所述标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差为：基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定所述实际晶棒参数对应的液面变化量和所述标准晶棒参数对应的液面变化量；基于所述实际晶棒参数对应的液面变化量和所述标准晶棒参数对应的液面变化量，确定所述液面偏差。

3.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1所述的方法的步骤。

4.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1所述的方法的步骤。

说明书

晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质

技术领域

[0001] 本申请涉及晶体生长炉技术领域，特别是涉及一种晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质。

背景技术

[0002] 在单晶硅等晶棒的生长过程中，晶体品质易受晶体生长温度梯度的影响，其中，在直拉式拉晶过程中，随着晶体的生长，炉内硅料逐渐减少，材料液面逐渐下降，液口距发生变化，若不对硅液面进行位置控制，将会影响晶体生长的温度梯度，造成晶体品质下降，同时，坩埚中材料的温度也会直接影响晶体生长的温度梯度。

[0003] 目前常用的液口距测量方法包括称重法，该称重法通过称重传感器来获取当前晶体重量，然后将其转换为锅炉内熔体的重量并计算出当前的液位，然而在实际生产过程中，坩埚随着使用时间的增加，也是会发生变形的，这就会影响液口距的测量精度，从而影响到晶体生长的温度梯度控制，同时，坩埚形变也会影响坩埚中材料的温度控制，从而影响到晶体生长的温度梯度控制。

[0004] 因此，需要一种能够解决准确测量并校正晶炉偏差的技术方案。

发明内容

[0005] 基于此，有必要针对上述技术问题，提供一种能够准确测量并校正晶炉偏差的晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质。

[0006] 第一方面，本申请提供了一种晶炉偏差校正方法，方法包括：

[0007] 获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；

[0008] 基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；

[0009] 根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。

[0010] 在其中一个实施例中，获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：

[0011] 通过对当前时间段的晶棒进行测温，获取其温度值，并以温度值的变化速度作为实际晶棒参数。

[0012] 在其中一个实施例中，获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：

[0013] 通过对当前时间段的晶棒进行投影，获取晶棒的气泡参数，作为实际晶棒参数，其中，气泡参数至少包括气泡数量、气泡大小、气泡间距中的其中一种或多种。

[0014] 在其中一个实施例中，基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差包括：

[0015] 基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数对应的液面变化量和标准晶棒参数对应的液面变化量；

[0016] 基于实际晶棒参数对应的液面变化量和标准晶棒参数对应的液面变化量，确定液面偏差。

[0017] 在其中一个实施例中，根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正包括：

[0018] 根据液面偏差对晶炉的晶体生长温度控制进行校正。

[0019] 在其中一个实施例中，根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正包括：

[0020] 根据液面偏差，对基于称重法测量得到的液口距进行校正；

[0021] 基于校正之后的液口距进行晶炉的液口距控制。

[0022] 第二方面，本申请还提供了一种晶炉偏差校正装置，装置包括：

[0023] 获取模块，用于获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；

[0024] 测量模块，用于基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；

[0025] 校正模块，用于根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。

[0026] 在其中一个实施例中，校正模块包括：温度修正模块和/或液口距修正模块；

[0027] 温度修正模块用于根据液面偏差对晶炉的晶体生长温度控制进行校正；

[0028] 液口距修正模块用于根据液面偏差，对基于称重法测量得到的液口距进行校正，并基于校正之后的液口距进行晶炉的液口距控制。

[0029] 第三方面，本申请还提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现上述任意一种实施例所述的晶炉偏差校正方法的步骤。

[0030] 第四方面，本申请还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述任意一种实施例所述的晶炉偏差校正方法的步骤。

[0031] 上述晶炉偏差校正方法、装置、计算机设备和存储介质，基于晶炉单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，通过晶棒参数反映晶炉的液面偏差，其中，材料液面在单位时间内的变化量直接与晶棒生长相关联，可以反映在产出的晶棒参数上，相反地，通过例如晶棒温度、晶棒气泡等晶棒参数也就可以反映液面变化量，换而言之，晶棒参数相同的两次拉晶可以反映出对应的液面变化量是相同的，基于此，通过晶棒参数测量液面变化量，从而可以准确地得到液面偏差，进一步，基于液面偏差不仅可以修正晶炉温度控制，而且可以修正称重法得到的液口距，从而准确控制晶体生长，保证晶体生长的品质。

附图说明

[0032] 为了更清楚地说明本申请实施例或传统技术中的技术方案，下面将对实施例或传统技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

[0033] 图1为一个实施例中晶炉偏差校正方法的流程示意图；

[0034] 图2为一个实施例中晶炉偏差校正装置的结构框图；

[0035] 图3为一个实施例中计算机设备的内部结构图。

具体实施方式

[0036] 为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处描述的具体实施例仅仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

[0037] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

[0038] 需要说明的是，当一个元件被认为是“连接”另一个元件时，它可以是直接连接到另一个元件，或者通过居中元件连接另一个元件。此外，以下实施例中的“连接”，如果被连接的对象之间具有电信号或数据的传递，则应理解为“电连接”、“通信连接”等。

[0039] 在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

[0040] 本申请实施例提供的晶炉偏差校正方法，可以应用于单晶硅制备中对晶炉偏差校正，更为广泛地，还可以应用于其他晶体制备中对晶炉偏差校正。对于一般晶棒生长工序，需要经过引晶，放肩，转肩，等径，收尾等工序，其中，引晶为将晶种慢慢插入其中，接着将晶种慢慢往上提升，使其直径缩小到一定尺寸，维持此直径并拉长，以消除晶种内的晶粒排列取向差异，放肩和转肩为慢慢降低提升速度和温度，使颈部直径逐渐加大到所需尺寸，等径为晶体生长不断调整提升速度和融炼温度，维持固定的晶棒直径，直到晶棒长度达到预定值，收尾为当晶棒长度达到预定值后再逐渐加快提升速度并提高融炼温度，使晶棒直径逐渐变小，以避免因热应力造成排差和滑移等现象产生，最终使晶棒与液面完全分离，到此即得到一根完整的晶棒。

[0041] 在一个实施例中，如图1所示，提供了一种晶炉偏差校正方法，包括以下步骤：

[0042] S100：获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；

[0043] 具体地，在晶棒生长过程中，坩埚中材料液面在单位时间内的变化量都可以反映在产出的晶棒参数上，换而言之，前后两次产出的晶棒参数进行对比，若相同，则说明这两次拉晶的过程中，液面在各时间段内的变化量应该是相同的。基于此，本实施例获取当前时间段产出的实际晶棒参数来表征当前的材料液面情况，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数，来表征无偏差情况下当前理论的材料液面情况，其中，若存在晶炉偏差，实际晶棒参数与标准晶棒参数将存在差异，反映在液面变化量上也就会存在晶炉偏差引起的差异。

[0044] S200：基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；

[0045] 具体地，通过前期测定获取晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，其中，在设定的多个时间节点进行停炉测定，以获取在单位时间内的液面变化量以及对应的晶棒参数，每个节点可以重复多次，从而构建上述对应关系的关系式。进一步地，液面变化量的测量可以通过传统的测液面方式，例如倒影法、激光三角法、双目法、称重法等，晶棒参数的测量可以根据具体的参量采用对应的测量方法，具体在下文中阐述。而不同晶炉由于实际运行参数和各部件状态存在区别，使得不同晶炉在相同时间段内液面的变化可能不同，故而针对不同晶炉，晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系需要分别预先测定。

[0046] 具体地，基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，将实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异转变为液面变化量之间的液面偏差，其中，正如前文所述，实际晶棒参数表征当前的材料液面情况，标准晶棒参数表征无晶炉偏差情况下当前理论的材料液面情况，通过实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异就可以反映出晶炉偏差引起的差异，从而基于上述对应关系转换到液面变化量上得到液面偏差。

[0047] S300：根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。

[0048] 具体地，液面偏差可以反映晶炉的坩埚形变量，其中，液口距为晶炉中的导流筒的下沿口与晶炉的坩埚中材料液面的距离，该液口距会显著影响晶体生长的温度梯度，同时，坩埚中材料的温度也会直接影响晶体生长的温度梯度，对此，坩埚形变会影响液口距的测量以及材料温度的控制，若不对其进行相关控制的校正，将对晶体生长的温度梯度控制造成影响。本实施例基于液面偏差反映晶炉的坩埚形变量，实现了坩埚形变量的间接测量，从而可以对坩埚内材料温度控制进行校正，以及对液口距测量进行校正。

[0049] 上述晶炉偏差校正方法中，基于晶炉单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，通过晶棒参数反映晶炉的液面偏差，其中，材料液面在单位时间内的变化量直接与晶棒生长相关联，可以反映在产出的晶棒参数上，相反地，通过例如晶棒温度、晶棒气泡等晶棒参数也就可以反映液面变化量，换而言之，晶棒参数相同的两次拉晶可以反映出对应的液面变化量是相同的，基于此，通过晶棒参数测量液面变化量，从而可以准确地得到液面偏差，进一步，基于液面偏差不仅可以修正晶炉温度控制，而且可以修正称重法得到的液口距，从而准确控制晶体生长，保证晶体生长的品质。

[0050] 在一个实施例中，获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：通过对当前时间段的晶棒进行测温，获取其温度值，并以温度值的变化速度作为实际晶棒参数。

[0051] 具体地，本实施例的晶棒参数可以采用晶棒各段的温度值，基于单位时间内温度值的变化速度，以反映晶棒各段的特性，其中，该变化速度可以是温度流失速度，相同时间段产出的晶棒的温度流失速度相同，则说明前后两次拉晶过程中，液面在各时间段内的变化量相同。

[0052] 具体地，晶棒各段的温度值，可以通过晶炉上CCD相机进行图像拍摄并进行灰度处理得到，也可以基于晶炉上的红外测温传感器进行测量得到。

[0053] 在一个实施例中，获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：通过对当前时间段的晶棒进行投影，获取晶棒的气泡参数，作为实际晶棒参数，其中，气泡参数至少包括气泡数量、气泡大小、气泡间距中的其中一种或多种。

[0054] 具体地，本实施例的晶棒参数可以采用晶棒的气泡参数，基于气泡参数反映晶棒的特性，其中，气泡参数可以是气泡数量、气泡大小、气泡间距中的其中一种或多种，相同时间段产出的晶棒的气泡参数相同，则说明前后两次拉晶过程中，液面在各时间段内的变化量相同。

[0055] 具体地，晶棒的气泡参数可以通过光照射晶棒并在幕布上进行投影，基于投影的图像识别气泡参数。

[0056] 本实施例采用例如温度流失速度、气泡参数等晶棒参数，相比于测量晶棒的外形尺寸，更加方便、容易测量，当然，本实施例也可以以晶棒的外形尺寸出作为晶棒参数，晶棒的外形尺寸可以通过图像识别等方式获取。

[0057] 在一个实施例中，基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差包括：基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数对应的液面变化量和标准晶棒参数对应的液面变化量；基于实际晶棒参数对应的液面变化量和标准晶棒参数对应的液面变化量，确定液面偏差。

[0058] 具体地，基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，可以知道当前时间段产出的实际晶棒参数所对应的液面变化量，以及标准晶棒参数所对应的液面变化量，若不存在晶炉偏差则两者液面变化量应该相同，而实际若存在晶炉偏差，则两者液面变化量存在差值，该液面变化量的差值就是实际当前时间段液面的差值，如此，基于对应关系就可以得到反映晶炉偏差的液面偏差。

[0059] 在一个实施例中，根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正包括：根据液面偏差对晶炉的晶体生长温度控制进行校正。

[0060] 具体地，通过液面偏差反映坩埚形变进行晶炉温度控制校正，其中，由于坩埚形变会直接影响坩埚温度控制，从而导致影响到晶体生长的温度梯度控制，因此可以基于坩埚形变量，修正晶炉的温度控制，从而实现精准的晶体生长的温度梯度控制。坩埚温度控制中一般需要根据坩埚的大小而具体设定加热线圈的参数，如此，基于坩埚形变量可以修正坩埚的大小值，从而修正加热线圈的参数，从而实现更加精准的晶体生长的温度梯度控制，保证晶体生长的品质。

[0061] 在一个实施例中，根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正包括：根据液面偏差，对基于称重法测量得到的液口距进行校正；基于校正之后的液口距进行晶炉的液口距控制。

[0062] 具体地，通过液面偏差反映坩埚形变进行液口距校正，其中，在称重法测液口距中，由于其原理是通过获取当前晶体重量，然后将其转换为锅炉内熔体的重量并计算出当前的液位，故而当坩埚随着使用时间的增加而出现变形时，称重法得到的液口距就会存在偏差，因此可以基于坩埚形变量，修正基于称重法测量得到的液口距，从而实现精准的晶体生长的温度梯度控制，其中，在称重法中，将获取当前晶体重量转换为锅炉内熔体的重量时加入坩埚形变量，从而计算出当前修正之后的液口距。

[0063] 本实施例中，通过液面偏差准确测量得到的坩埚形变量，不仅能够修正晶炉温度控制，而且可以修正称重法得到的液口距，两者都能够提高晶体生长的温度梯度控制的准确性，从而保证晶体生长的品质。

[0064] 现结合一具体应用场景对本实施例进行详细说明，但不仅限于此。

[0065] 在单晶硅制备中采用单晶炉进行晶体生长，针对该应用场景，采用上述方法获取坩埚形变量，并基于坩埚形变量对晶体生长的控制进行修正，具体而言：

[0066] 预先测定获取单晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，形成关系式，其中，这里的晶棒参数采用晶棒各段温度值对应的温度流失速度；

[0067] 在单晶硅制备过程中，通过红外测温传感器获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；

[0068] 基于上述关系式，将实际晶棒参数转换为对应的液面变化量，将标准晶棒参数转换为对应的液面变化量，比较两者的液面变化量，得到反映坩埚形变量的液面偏差；

[0069] 将液面偏差作为坩埚形变量的参考值，进一步对晶体生长的控制进行修正，其中，根据液面偏差，修正单晶炉的温度控制，从而精准控制当前的温度梯度，并且根据液面偏差，修正基于称重法测量得到的液口距，从而基于修正的液口距进行精准的液口距调整，以精准控制当前的温度梯度。

[0070] 应该理解的是，虽然如上的各实施例所涉及的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，如上的各实施例所涉及的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个步骤或者多个时间段，这些步骤或者时间段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些步骤或者时间段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤中的步骤或者时间段的至少一部分轮流或者交替地执行。

[0071] 基于同样的发明构思，本申请实施例还提供了一种用于实现上述所涉及的晶炉偏差校正方法的晶炉偏差校正装置。该装置所提供的解决问题的实现方案与上述方法中所记载的实现方案相似，故下面所提供的一个或多个晶炉偏差校正装置实施例中的具体限定可以参见上文中对于晶炉偏差校正方法的限定，在此不再赘述。

[0072] 在一个实施例中，如图2所示，提供了一种晶炉偏差校正装置，包括：

[0073] 获取模块10，用于获取当前时间段产出的实际晶棒参数，并将前一时间段产出的晶棒参数作为当前时间段的标准晶棒参数；

[0074] 测量模块20，用于基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差；

[0075] 校正模块30，用于根据液面偏差对晶炉的晶体生长控制进行校正。

[0076] 在一个实施例中，如图2所示，校正模块30包括：温度修正模块31和/或液口距修正模块32；

[0077] 温度修正模块31用于根据液面偏差对晶炉的晶体生长温度控制进行校正；

[0078] 液口距修正模块32用于根据液面偏差，对基于称重法测量得到的液口距进行校正，并基于校正之后的液口距进行晶炉的液口距控制。

[0079] 在一个实施例中，获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：

[0080] 通过对当前时间段的晶棒进行测温，获取其温度值，并以温度值的变化速度作为实际晶棒参数。

[0081] 在一个实施例中，获取当前时间段产出的实际晶棒参数包括：

[0082] 通过对当前时间段的晶棒进行投影，获取晶棒的气泡参数，作为实际晶棒参数，其中，气泡参数至少包括气泡数量、气泡大小、气泡间距中的其中一种或多种。

[0083] 在一个实施例中，基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数与标准晶棒参数之间差异所对应的液面偏差包括：

[0084] 基于晶炉在单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，确定实际晶棒参数对应的液面变化量和标准晶棒参数对应的液面变化量；

[0085] 基于实际晶棒参数对应的液面变化量和标准晶棒参数对应的液面变化量，确定液面偏差。

[0086] 上述晶炉偏差校正装置中的各个模块可全部或部分通过软件、硬件及其组合来实现。上述各模块可以硬件形式内嵌于或独立于计算机设备中的处理器中，也可以以软件形式存储于计算机设备中的存储器中，以便于处理器调用执行以上各个模块对应的操作。

[0087] 上述晶炉偏差校正装置，基于晶炉单位时间内的液面变化量与晶棒参数之间的对应关系，通过晶棒参数反映晶炉的液面偏差，其中，材料液面在单位时间内的变化量直接与晶棒生长相关联，可以反映在产出的晶棒参数上，相反地，通过例如晶棒温度、晶棒气泡等晶棒参数也就可以反映液面变化量，换而言之，晶棒参数相同的两次拉晶可以反映出对应的液面变化量是相同的，基于此，通过晶棒参数测量液面变化量，从而可以准确地得到液面偏差，进一步，基于液面偏差不仅可以修正晶炉温度控制，而且可以修正称重法得到的液口距，从而准确控制晶体生长，保证晶体生长的品质。

[0088] 在一个实施例中，提供了一种计算机设备，该计算机设备可以是晶炉的控制设备，其内部结构图可以如图3所示。该计算机设备包括通过系统总线连接的处理器、存储器、通信接口、显示屏和输入装置。其中，该计算机设备的处理器用于提供计算和控制能力。该计算机设备的存储器包括非易失性存储介质、内存储器。该非易失性存储介质存储有操作系统和计算机程序。该内存储器为非易失性存储介质中的操作系统和计算机程序的运行提供环境。该计算机设备的通信接口用于与外部的终端进行有线或无线方式的通信，无线方式可通过WIFI、移动蜂窝网络、NFC（近场通信）或其他技术实现。该计算机程序被处理器执行时以实现一种单晶炉偏差校正方法。

[0089] 本领域技术人员可以理解，图3中示出的结构，仅仅是与本申请方案相关的部分结构的框图，并不构成对本申请方案所应用于其上的计算机设备的限定，具体的计算机设备可以包括比图中所示更多或更少的部件，或者组合某些部件，或者具有不同的部件布置。

[0090] 在一个实施例中，提供了一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器中存储有计算机程序，该处理器执行计算机程序时实现上述实施例中任意一种晶炉偏差校正方法。具体详细说明参看方法对应的说明，在此不再赘述。

[0091] 在一个实施例中，提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现上述实施例中任意一种晶炉偏差校正方法。具体详细说明参看方法对应的说明，在此不再赘述。

[0092] 本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例方法中的全部或部分流程，是可以通过计算机程序来指令相关的硬件来完成，所述的计算机程序可存储于一非易失性计算机可读取存储介质中，该计算机程序在执行时，可包括如上述各方法的实施例的流程。其中，本申请所提供的各实施例中所使用的对存储器、数据库或其它介质的任何引用，均可包括非易失性和易失性存储器中的至少一种。非易失性存储器可包括只读存储器（Read‑Only Memory，ROM）、磁带、软盘、闪存、光存储器、高密度嵌入式非易失性存储器、阻变存储器（ReRAM）、磁变存储器（Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM）、铁电存储器（Ferroelectric Random Access Memory，FRAM）、相变存储器（Phase Change Memory，PCM）、石墨烯存储器等。易失性存储器可包括随机存取存储器（Random Access Memory，RAM）或外部高速缓冲存储器等。作为说明而非局限，RAM可以是多种形式，比如静态随机存取存储器（Static Random Access Memory，SRAM）或动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）等。本申请所提供的各实施例中所涉及的数据库可包括关系型数据库和非关系型数据库中至少一种。非关系型数据库可包括基于区块链的分布式数据库等，不限于此。本申请所提供的各实施例中所涉及的处理器可为通用处理器、中央处理器、图形处理器、数字信号处理器、可编程逻辑器、基于量子计算的数据处理逻辑器等，不限于此。

[0093] 以上实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

[0094] 以上实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请的保护范围应以所附权利要求为准。