晶圆检测方法、装置及电子设备

摘要

本申请提供一种晶圆检测方法、装置及电子设备，通过控制图像采集设备、测试探针等设备配合，可以自动地实现针对目标晶圆上各个目标晶粒的检测及检测结果记录，从而可以有效提高晶圆检测的效率，并降低人工检测可能存在的误操作风险。

权利要求

1.一种晶圆检测方法，其特征在于，所述方法包括：

通过图像采集设备获取位于承载台上的目标晶圆的图像；

根据所述目标晶圆的图像在所述目标晶圆上确定一目标晶粒；

控制测试探针与所述目标晶粒电性接触，通过所述测试探针向所述目标晶粒传输测试信号；

通过所述测试探针获取所述目标晶粒的工作电压/工作电流，并检测所述工作电压/工作电流是否存在异常，获得第一检测结果；

若所述工作电压/工作电流存在异常，则停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触；

若所述工作电压/工作电流不存在异常，则控制所述图像采集设备采集所述目标晶粒的显示状态图像，并根据所述显示状态图像确定所述目标晶粒是否存在显示异常，获得第二检测结果，停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触；

在所述目标晶圆上确定新的目标晶粒；

其中，所述方法还包括：

根据所述目标晶圆上各所述目标晶粒的位置、所述第一检测结果及所述第二检测结果生成检测结果映射图；所述检测结果映射图包括与所述目标晶圆上各所述目标晶粒位置对应的像素点，所述像素点的值为由所述目标晶粒的检测结果构成的检测结果向量；所述检测结果向量包括所述目标晶粒在检测过程中反馈的电流电压值、显示亮度及显示色度；

将多个所述目标晶圆的所述检测结果映射图输入预先训练的制成流程问题预测模型，获得所述制成流程问题预测模型输出的制成工艺问题预测结果。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述目标晶圆上确定新的目标晶粒的步骤，包括：确定所述目标晶圆上是否还有未检测的晶粒；

若存在，则在未检测的晶粒中确定新的目标晶粒;

若不存在，则结束对所述目标晶圆的检测。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述将多个所述目标晶圆的所述检测结果映射图输入预先训练的制成流程问题预测模型，获得所述制成流程问题预测模型输出的制成工艺问题预测结果的步骤，包括：将所述检测结果映射图拆分为第一映射图和第二映射图；所述第一映射图中各像素点的值为所述目标晶粒在检测过程中反馈的电流电压值及是否显示正常的标识；所述第二映射图中各像素点的值为所述目标晶粒的显示亮度值分布及显示色度值分布；

将所述第一映射图输入所述制成流程问题预测模型的第一特征提取模块，获得第一特征图；

将所述第二映射图输入所述制成流程问题预测模型的第二特征提取模块，获得第二特征图；

将所述第一特征图和所述第二特征图输入所述制成流程问题预测模型的特征融合模块，获得融合特征图；

将所述融合特征图输入所述制成流程问题预测模型的预测分类模块，获得制成工艺问题预测结果。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过图像采集设备获取位于承载台上的目标晶圆的图像的步骤之前，所述方法还包括：控制所述承载台将所述目标晶圆移动至设定图像采集区域。

5.一种晶圆检测装置，其特征在于，所述晶圆检测装置包括：图像获取单元，用于通过图像采集设备获取位于承载台上的目标晶圆的图像；

晶粒确认单元，用于根据所述目标晶圆的图像在所述目标晶圆上确定一目标晶粒；

探针控制单元，用于控制测试探针与所述目标晶粒电性接触，通过所述测试探针向所述目标晶粒传输测试信号；

检测单元，用于通过所述测试探针获取所述目标晶粒的工作电压/工作电流，并检测所述工作电压/工作电流是否存在异常，获得第一检测结果；若所述工作电压/工作电流存在异常，则停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触；若所述工作电压/工作电流不存在异常，则控制所述图像采集设备采集所述目标晶粒的显示状态图像，并根据所述显示状态图像确定所述目标晶粒是否存在显示异常，获得第二检测结果，停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触；

所述晶粒确认单元还用于在所述目标晶圆上确定新的目标晶粒。

6.一种电子设备，其特征在于，包括处理器及机器可读存储介质，所述机器可读存储介质存储有机器可执行指令，所述机器可执行指令在被所述处理器执行时，实现权利要求1‑4任意一项所述的方法。

7.一种机器可读存储介质，其特征在于，所述机器可读存储介质存储有机器可执行指令，所述机器可执行指令在被一个或多个处理器执行时，实现权利要求1‑4任意一项所述的方法。

说明书

晶圆检测方法、装置及电子设备

技术领域

[0001] 本申请涉及半导体器件制造领域，具体而言，涉及一种晶圆检测方法、装置及电子设备。

背景技术

[0002] 在显示芯片的制造过程中，需要在晶圆阶段对晶粒（die）进行检测，检测过程中，对晶片上的每个晶粒（die）进行针测，通过特制的探针卡（probe card），与晶粒上的接点（pad）接触，向晶粒传输测试信号以测试其电气特性。不合格的晶粒会被标上记号，而当晶圆以晶粒为单位切割成独立的晶粒时，标有记号的不合格晶粒会被淘汰，不再进行下一个制程，从而降低制造成本。但是，现有的晶圆检测过程中主要依靠人工执行各个步骤，执行效率低，且容易出现操作失误。

发明内容

[0003] 为了克服现有技术中的上述不足，本申请的目的在于提供一种晶圆检测方法，所述方法包括：

[0004] 通过图像采集设备获取位于承载台上的目标晶圆的图像；

[0005] 根据所述目标晶圆的图像在所述目标晶圆上确定一目标晶粒；

[0006] 控制测试探针与所述目标晶粒电性接触，通过所述测试探针向所述目标晶粒传输测试信号；

[0007] 通过所述测试探针获取所述目标晶粒的工作电压/工作电流，并检测所述工作电压/工作电流是否存在异常，获得第一检测结果；

[0008] 若所述工作电压/工作电流存在异常，则停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触；

[0009] 若所述工作电压/工作电流不存在异常，则控制所述图像采集设备采集所述目标晶粒的显示状态图像，并根据所述显示状态图像确定所述目标晶粒是否存在显示异常，获得第二检测结果，停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触；

[0010] 在所述目标晶圆上确定新的目标晶粒。

[0011] 在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：

[0012] 根据所述目标晶圆上各所述目标晶粒的位置、所述第一检测结果及所述第二检测结果生成检测结果映射图。

[0013] 在一种可能的实现方式中，所述在所述目标晶圆上确定新的目标晶粒的步骤，包括：

[0014] 确定所述目标晶圆上是否还有未检测的晶粒；

[0015] 若存在，则在未检测的晶粒中确定新的目标晶粒；

[0016] 若不存在，则结束对所述目标晶圆的检测。

[0017] 在一种可能的实现方式中，所述通过图像采集设备获取位于承载台上的目标晶圆的图像的步骤之前，所述方法还包括：

[0018] 控制所述承载台将所述目标晶圆移动至设定图像采集区域。

[0019] 在一种可能的实现方式中，所述方法还包括：

[0020] 将多个所述目标晶圆的所述检测结果映射图输入预先训练的制成流程问题预测模型，获得所述制成流程问题预测模型输出的制成工艺问题预测结果。

[0021] 在一种可能的实现方式中，所述检测结果映射图包括与所述目标晶圆上各所述目标晶粒位置对应的像素点，所述像素点的值为由所述目标晶粒的检测结果构成的检测结果向量；所述检测结果向量包括所述目标晶粒在检测过程中反馈的电流电压、显示亮度及显示色度。

[0022] 在一种可能的实现方式中，所述将多个所述目标晶圆的所述检测结果映射图输入预先训练的制成流程问题预测模型，获得所述制成流程问题预测模型输出的制成工艺问题预测结果的步骤，包括：

[0023] 将所述检测结果映射图拆分为第一映射图和第二映射图；所述第一映射图中各像素点的值为所述目标晶粒在检测过程中反馈的电流电压；所述第二映射图中各像素点的值为所述目标晶粒的显示亮度及显示色度；

[0024] 将所述第一映射图输入所述制成流程问题预测模型的第一特征提取模块，获得第一特征图；

[0025] 将所述第二映射图输入所述制成流程问题预测模型的第二特征提取模块，获得第二特征图；

[0026] 将所述第一特征图和所述第二特征图输入所述制成流程问题预测模型的特征融合模块，获得融合特征图；

[0027] 将所述融合特征图输入所述制成流程问题预测模型的预测分类模块，获得制成工艺问题预测结果。

[0028] 本申请的另一目的在于提供一种晶圆检测装置，所述晶圆检测装置包括：

[0029] 图像获取单元，用于通过图像采集设备获取位于承载台上的目标晶圆的图像；

[0030] 晶粒确认单元，用于根据所述目标晶圆的图像在所述目标晶圆上确定一目标晶粒；

[0031] 探针控制单元，用于控制测试探针与所述目标晶粒电性接触，通过所述测试探针向所述目标晶粒传输测试信号；

[0032] 检测单元，用于通过所述测试探针获取所述目标晶粒的工作电压/工作电流，并检测所述工作电压/工作电流是否存在异常，获得第一检测结果；若所述工作电压/工作电流存在异常，则停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触；若所述工作电压/工作电流不存在异常，则控制所述图像采集设备采集所述目标晶粒的显示状态图像，并根据所述显示状态图像确定所述目标晶粒是否存在显示异常，获得第二检测结果，停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触；

[0033] 所述晶粒确认单元还用于在所述目标晶圆上确定新的目标晶粒。

[0034] 本申请的另一目的在于提供一种电子设备，包括处理器及机器可读存储介质，所述机器可读存储介质存储有机器可执行指令，所述机器可执行指令在被所述处理器执行时，实现本申请提供的晶圆检测方法。

[0035] 本申请的另一目的在于提供一种机器可读存储介质，其特征在于，所述机器可读存储介质存储有机器可执行指令，所述机器可执行指令在被一个或多个处理器执行时，实现本申请提供的晶圆检测方法。

[0036] 相对于现有技术而言，本申请具有以下有益效果：

[0037] 本申请实施例提供的晶圆检测方法、装置及电子设备，通过控制图像采集设备、测试探针等设备配合，可以自动地实现针对目标晶圆上各个目标晶粒的检测及检测结果记录，从而可以有效提高晶圆检测的效率，并降低人工检测可能存在的误操作风险。

附图说明

[0038] 为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，应当理解，以下附图仅示出了本申请的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。

[0039] 图1为本申请实施例提供的晶圆检测系统的示意图；

[0040] 图2为本申请实施例提供的晶圆检测方法的步骤流程示意图之一；

[0041] 图3为本申请实施例提供的晶圆检测方法的步骤流程示意图之二；

[0042] 图4为本申请实施例提供的电子设备的示意图；

[0043] 图5为本申请实施例提供的晶圆检测装置的功能模块示意图。

具体实施方式

[0044] 为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。

[0045] 因此，以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围，而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。

[0046] 应注意到：相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。

[0047] 在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是该发明产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。

[0048] 此外，术语“水平”、“竖直”、“悬垂”等术语并不表示要求部件绝对水平或悬垂，而是可以稍微倾斜。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。

[0049] 在本申请的描述中，还需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“设置”、“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

[0050] 请参照图1，图1为本实施例提供的一种晶圆检测系统的示意图，该晶圆检测系统可以包括图像采集设备200、测试设备300及作为上位机的电子设备100。其中，所述图像采集设备200和测试设备300与所述电子设备100连接，所述电子设备100可以通过所述图像采集设备200采集待测试的目标晶圆的图像。所述测试设备300可以包括能够活动的探针承载组件，所述电子设备100可以控制所述探针承载组件使设置在所述探针承载组件上的测试探针与所述目标晶圆上的目标晶粒接触，然后控制所述测试设备300通过所述测试探针向所述目标晶粒输送测试信号。

[0051] 请参见图2，图2为本实施例提供的一种晶圆检测方法，该方法可以运行于图1所示的电子设备100，下面对本实施例提供的晶圆检测方法进行详细阐述。

[0052] 步骤S110，通过图像采集设备200获取位于承载台400上的目标晶圆的图像。

[0053] 在一种可能的实现方式中，请再次参照图1，所述电子设备100还可以与承载台400连接，所述承载台400设置有用于输送晶圆的输送结构，所述电子设备100可以控制所述承载台400将所述目标晶圆移动至设定图像采集区域。所述电子设备100可以结合所述图像采集设备200采集的信号对所述承载台400的移动进行反馈控制，从而可以使所述目标晶圆能够被输送至正确的位置。

[0054] 步骤S120，根据所述目标晶圆的图像在所述目标晶圆上确定一目标晶粒。

[0055] 步骤S130，控制测试探针与所述目标晶粒电性接触，通过所述测试探针向所述目标晶粒传输测试信号。

[0056] 在本实施例中，可以根据所述目标晶圆的图像确定所述测试探针与所述目标晶圆上各个晶粒的相对位置关系。在本实施例中，可以从一预设位置的晶粒起，将所述目标晶圆上的每个晶粒依次确定为所述目标晶粒，并控制所述测试探针与所述目标晶粒接触，以通过后续步骤对所述目标晶粒进行检测。

[0057] 所述测试信号可以为包括供电信号及显示信号，所述测试信号可以驱动所述目标晶粒进入现实工作状态。

[0058] 步骤S140，通过所述测试探针获取所述目标晶粒的工作电压/工作电流，并检测所述工作电压/工作电流是否存在异常，获得第一检测结果。

[0059] 在本实施例中，可以通过所述测试设备对所述目标晶粒的工作电压/工作电流进行采样，并根据采样结果通过预设算法或与预设阈值进行比较。从而确定所述工作电压/工作电流是否存在异常，获得第一检测结果。

[0060] 若所述目标晶粒的所述工作电压/工作电流存在异常，则无需再进行进一步检测，直接跳转至步骤S160，停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触。

[0061] 若所述工作电压/工作电流不存在异常，则执行步骤S150进行进一步检测。

[0062] 步骤S150，控制所述图像采集设备200采集所述目标晶粒的显示状态图像，并根据所述显示状态图像确定所述目标晶粒是否存在显示异常，获得第二检测结果。

[0063] 在本实施例中，若所述工作电压/工作电流不存在异常，则需要进一步检测所述目标晶粒的发光效果，因此可以控制所述图像采集设备200采集所述目标晶粒的显示状态图像。可选地，可以根据所述目标晶粒的位置将所述显示状态图像与对应的预设参照图像进行亮度和色度比对，根据比对结果确定所述目标晶粒是否存在显示异常。

[0064] 在完成步骤S150后，可以再跳转至步骤S160，停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触。

[0065] 步骤S170，在所述目标晶圆上确定新的目标晶粒。

[0066] 确定新的目标晶粒后，可以跳转到步骤S130继续对新的目标晶粒进行检测。

[0067] 具体地，请参照图3，步骤S170可以包括步骤171和步骤S172。

[0068] 步骤S171，确定所述目标晶圆上是否还有未检测的晶粒。

[0069] 若存在，则执行步骤S712，在未检测的晶粒中确定新的目标晶粒。

[0070] 若不存在，则结束对所述目标晶圆的检测。

[0071] 基于上述设计，本申请实施例提供的晶圆检测方法中，可以通过控制图像采集设备、测试探针等设备配合，可以自动地实现针对目标晶圆上各个目标晶粒的检测及检测结果记录，从而可以有效提高晶圆检测的效率，并降低人工检测可能存在的误操作风险。

[0072] 在一些可能的实现方式中，在完成对所述目标晶粒的工作电压/工作电流检测或者显示状态检测后，根据所述目标晶圆上各所述目标晶粒的位置、所述第一检测结果及所述第二检测结果生成检测结果映射图。

[0073] 具体地，在一种可能的实现方式中，所述检测结果映射图中可以包括多个像素点，每个像素点与所述目标晶圆上一个晶粒位置对应。所述像素点的值可以为表征所述第一检测结果和/或所述第二检测结果的数值或字符。例如，可以采用不同的字符或代码分别表征正常、电流/电压异常和显示异常。如此，在后续对晶圆切割的工艺中，可以根据所述检测结果映射图的指示对存在问题的晶圆进行舍弃。

[0074] 进一步地，所述第一检测结果和所述第二检测结果中还可以包括表征问题严重程度的标识。例如，所述严重程度标识可以包括以数字标识的问题严重等级，后续工艺中，根据所述问题严重程度等级可以选择执行晶粒修复、晶圆返厂或者晶粒淘汰舍弃等流程。

[0075] 在一种可能的实现方式中，在完成对多个所述目标晶圆的检测后，还可以将多个所述目标晶圆的所述检测结果映射图输入预先训练的制成流程问题预测模型，获得所述制成流程问题预测模型输出的制成工艺问题预测结果。

[0076] 具体地，在本实施例中，所述制成流程问题预测模型可以基于深度学习的神经网络模型，其根据所述检测结果映射图进行特征提取，并根据提取到的特征进行分类预测，从而预测所述检测结果映射图中第一检测结果和/或第二检测结果指示的问题可能由于之前制成工艺中的何种问题产生。其中，根据所述制成流程问题预测模型的训练过程或训练样本，所述制成工艺问题预测结果可以包括金属溅射工艺问题、金属刻蚀工艺问题、蒸镀材料、蒸镀掩膜版问题等。

[0077] 在此情况下，所述检测结果映射图可以记录更多的信息，例如，所述检测结果映射图包括与所述目标晶圆上各所述目标晶粒位置对应的像素点，所述像素点的值为由所述目标晶粒的检测结果构成的检测结果向量。所述检测结果向量包括所述目标晶粒在检测过程中反馈的电流电压、显示亮度及显示色度。

[0078] 具体地，在本实施例中，所述制成流程问题预测模型可以包括第一特征提取模块、第二特征提取模块、特征融合模块及预测分类模块。

[0079] 在通过所述制成流程问题预测模型处理所述检测结果映射图时，可以将所述检测结果映射图拆分为第一映射图和第二映射图。其中，所述第一映射图中各像素点的值为所述目标晶粒在检测过程中反馈的电流电压值及是否显示正常的标识，电流电压值可以反映所述目标晶圆上存在电压/电流异常的目标晶粒的分布情况及异常电流/电压值的分布情况，显示正常标识可以通过将显示亮度与预设的正常亮度范围值进行比较获得。所述第一映射特征图可以反映制造工艺流程中可能存在的阵列基板中驱动单元、连接走线等制成问题。

[0080] 所述第二映射图中各像素点的值为所述目标晶粒具体地的显示亮度值及显示色度值，第二映射图可以反映所述目标晶圆上存在显示的目标晶粒的分布情况及数值化的显示效果的分布情况，可以反映晶粒是否存在墨点、光圈、偏色、白斑等问题。所述第二映射图可以反映制造工艺流程中可能存在的有机致电发光材料蒸镀等制成问题。

[0081] 然后可以将所述第一映射图输入所述制成流程问题预测模型的第一特征提取模块，获得第一特征图，并将所述第二映射图输入所述制成流程问题预测模型的第二特征提取模块，获得第二特征图。其中，所述第一特征提取模块和所述第二特征提取模块可以分别包括多个下采样层、池化层及最后的全连接层。

[0082] 将所述第一特征图和所述第二特征图输入所述制成流程问题预测模型的特征融合模块，获得融合特征图。由于一些制程问题可能对晶圆上的各晶粒的工作电压/电流和显示效果均有影响，且影响程度不同，通过将所述第一特征图和所述第二特征图融合，可以使所述融合特征图能够表现更多的所述目标晶圆上的问题特征，使后续的预测分类更加准确。在一个例子中，所述特征融合模块可以将所述第一特征图和所述第二特征图直接拼接在一起，在另一个例子中，所述特征融合模块可以分别将所述第一特征图和所述第二特征图中位置对应的各像素的特征向量拼接在一起。其中，一些需要工作电流电压及发光效果结合在一起才能反映出的问题可以通过所述融合特征图反映。

[0083] 最后，将所述融合特征图输入所述制成流程问题预测模型的预测分类模块，获得制成工艺问题预测结果。

[0084] 如此，通过结合所述制成流程问题预测模型对所述检测结果映射图进行分析，可以自动且准确地预测出前序制成工艺中可能存在的制成工艺问题，从而为工艺改进或排除问题提供更及时更准确地依据。

[0085] 另一方面，请参照图4，图4是为图1所示的作为上位机的电子设备100的方框示意图。所述电子设备100可以为服务器、个人电脑、笔记本电脑、可编程控制器等具有逻辑处理能力的设备。所述电子设备100包括晶圆检测装置110、机器可读存储介质120、处理器130。

[0086] 所述机器可读存储介质120、处理器130以及通信单元140各元件相互之间直接或间接地电性连接，以实现数据的传输或交互。例如，这些元件相互之间可通过一条或多条通讯总线或信号线实现电性连接。所述晶圆检测装置110包括至少一个可以软件或固件（firmware）的形式存储于所述机器可读存储介质120中或固化在所述电子设备100的操作系统（operating system，OS）中的软件功能模块。所述处理器130用于执行所述机器可读存储介质120中存储的可执行模块，例如所述晶圆检测装置110所包括的软件功能模块及计算机程序等。

[0087] 其中，所述机器可读存储介质120可以是，但不限于，随机存取存储器（Random Access Memory，RAM），只读存储器（Read Only Memory，ROM），可编程只读存储器（Programmable Read‑Only Memory，PROM），可擦除只读存储器（Erasable Programmable Read‑Only Memory，EPROM），电可擦除只读存储器（Electric Erasable Programmable Read‑Only Memory，EEPROM）等。其中，机器可读存储介质120用于存储程序，所述处理器130在接收到执行指令后，执行所述程序/可执行本实施例提供的所述晶圆检测方法。

[0088] 所述处理器130可能是一种集成电路芯片，具有信号的处理能力。上述的处理器可以是通用处理器，包括中央处理器（Central Processing Unit，简称CPU）、网络处理器（Network Processor，简称NP）等；还可以是数字信号处理器（DSP）、专用集成电路（ASIC）、现场可编程门阵列（FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件。可以实现或者执行本申请实施例中的公开的各方法、步骤及逻辑框图。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

[0089] 请参照图5，本实施例还提供一种晶圆检测装置110，晶圆检测装置110包括至少一个可以软件形式存储于机器可读存储介质120中的功能模块。从功能上划分，晶圆检测装置110可以包括图像获取单元111、晶粒确认单元112、探针控制单元113及检测单元114。

[0090] 所述图像获取单元111用于通过图像采集设备获取位于承载台上的目标晶圆的图像。

[0091] 本实施例中，所述图像获取单元111可用于执行图2所示的步骤S110，关于所述图像获取单元111的具体描述可参对所述步骤S110的描述。

[0092] 所述晶粒确认单元112用于根据所述目标晶圆的图像在所述目标晶圆上确定一目标晶粒。

[0093] 本实施例中，所述晶粒确认单元112可用于执行图2所示的步骤S120，关于所述晶粒确认单元112的具体描述可参对所述步骤S120的描述。

[0094] 所述探针控制单元113用于控制测试探针与所述目标晶粒电性接触，通过所述测试探针向所述目标晶粒传输测试信号。

[0095] 本实施例中，所述探针控制单元113可用于执行图2所示的步骤S130，关于所述探针控制单元113的具体描述可参对所述步骤S130的描述。

[0096] 所述检测单元114用于通过所述测试探针获取所述目标晶粒的工作电压/工作电流，并检测所述工作电压/工作电流是否存在异常，获得第一检测结果。若所述工作电压/工作电流存在异常，则停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触。若所述工作电压/工作电流不存在异常，则控制所述图像采集设备采集所述目标晶粒的显示状态图像，并根据所述显示状态图像确定所述目标晶粒是否存在显示异常，获得第二检测结果，停止传输测试信号，并解除所述测试探针与所述目标晶粒的接触。

[0097] 本实施例中，所述检测单元114可用于执行图2所示的步骤S140到S160，关于所述检测单元114的具体描述可参对所述步骤S140到S160的描述。

[0098] 所述晶粒确认单元112还用于在所述目标晶圆上确定新的目标晶粒。

[0099] 本实施例中，所述晶粒确认单元112还用于执行图2所示的步骤S170，关于所述晶粒确认单元112的具体描述可参对所述步骤S170的描述。

[0100] 综上所述，本申请实施例提供的晶圆检测方法、装置及电子设备，通过控制图像采集设备、测试探针等设备配合，可以自动地实现针对目标晶圆上各个目标晶粒的检测及检测结果记录，从而可以有效提高晶圆检测的效率，并降低人工检测可能存在的误操作风险。

[0101] 在本申请所提供的实施例中，应该理解到，所揭露的装置和方法，也可以通过其它的方式实现。以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，附图中的流程图和框图显示了根据本申请的多个实施例的装置、方法和计算机程序产品的可能实现的体系架构、功能和操作。在这点上，流程图或框图中的每个方框可以代表一个模块、程序段或代码的一部分，所述模块、程序段或代码的一部分包含一个或多个用于实现规定的逻辑功能的可执行指令。也应当注意，在有些作为替换的实现方式中，方框中所标注的功能也可以以不同于附图中所标注的顺序发生。例如，两个连续的方框实际上可以基本并行地执行，它们有时也可以按相反的顺序执行，这依所涉及的功能而定。也要注意的是，框图和/或流程图中的每个方框、以及框图和/或流程图中的方框的组合，可以用执行规定的功能或动作的专用的基于硬件的系统来实现，或者可以用专用硬件与计算机指令的组合来实现。

[0102] 另外，在本申请各个实施例中的各功能模块可以集成在一起形成一个独立的部分，也可以是各个模块单独存在，也可以两个或两个以上模块集成形成一个独立的部分。

[0103] 所述功能如果以软件功能模块的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备（可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器（ROM，Read‑Only Memory）、随机存取存储器（RAM，Random Access Memory）、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

[0104] 需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。

[0105] 以上所述，仅为本申请的各种实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应所述以权利要求的保护范围为准。