一种高边NMOS浮地驱动电路转让专利

申请号 : CN202211645241.2

文献号 : CN115622548B

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发明人 : 张妹雄王萌张明杰欧家茂

申请人 : 无锡明芯微电子有限公司

摘要 :

本发明公开一种高边NMOS浮地驱动电路,属于电子电路领域。浮地产生电路、高压浮地时钟产生电路和自适应三级电荷泵产生VIN+12V的电源VDD_chg,VDD_gate产生电路和GATE驱动电源产生电路产生自适应驱动电压GATE,GATE电压跟随输出OUT变化,避免在启动过程中栅源电压Vgs突变而产生很大的瞬态电流。本发明采用自举电荷泵原理,在不采用外部BOOST电容下,可轻松驱动高端NMOS功率管;功率管NMOS的栅极电压自适应跟随源端电压,从而避免了启动/工作过程中由于栅极/源极电压不同步造成的输出电流跳变。