半导体封装器件及其制造方法转让专利
申请号 : CN202211401715.9
文献号 : CN115662973B
文献日 : 2023-12-29
发明人 : 许二岗 , 曹凯 , 张雷 , 张建平
申请人 : 英诺赛科(苏州)半导体有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种氮化物半导体封装器件,其特征在于,包括:
载体衬底;
第一重配置线路层,设于所述载体衬底的凹槽内;
高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片,设于所述凹槽内,其中所述高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片分别具有彼此相对的主动表面与背面,所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述主动表面背离所述第一重配置线路层,且所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片分别通过其对应的所述背面与所述第一重配置线路层接触,其中所述第一重配置线路层由高于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述背面的位置沿着所述凹槽的表面延伸至所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的一侧;所述第一重配置线路层包括与所述高压氮化物半导体芯片接触的第一部分和与所述低压氮化物半导体芯片接触的第二部分;
封装材料,填入所述凹槽以将所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片封装;所述封装材料的至少一部分延伸入所述第一部分与所述第二部分之间,以使所述第一重配置线路层的所述第一、第二部分隔开;以及多个第一传导接垫以及多个第二传导接垫,其中所述多个第一传导接垫贯穿所述封装材料,以使所述多个第一传导接垫的一部分与所述高压氮化物半导体芯片的所述主动表面接触,且所述多个第一传导接垫的另一部分与所述低压氮化物半导体芯片的所述主动表面接触;所述多个第二传导接垫贯穿所述封装材料,以使所述多个第二传导接垫与所述第一重配置线路层接触。
2.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,更包括介电层,其中所述介电层位于所述载体衬底与所述第一重配置线路层之间,且所述第一重配置线路层通过所述介电层与所述载体衬底隔离。
3.如权利要求2所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,其中所述载体衬底具有下表面,且所述凹槽由所述下表面的至少一部分所界定,其中所述介电层完整地覆盖所述载体衬底的所述下表面。
4.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,其中所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片通过所述封装材料隔开。
5.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,其中所述载体衬底具有第一部分与第二部分,其中所述第一部分设有所述凹槽而其平均厚度小于所述第二部分的平均厚度,所述第二部分连接所述第一部分且环绕所述第一部分。
6.如权利要求5所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,更包括第二重配置线路层,设于所述载体衬底的上表面且贯穿所述载体衬底的所述第一部分,且所述第二重配置线路层与所述高压、低压氮化物半导体芯片重叠。
7.如权利要求6所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,更包括绝缘层,与所述载体衬底的所述上表面接触并与所述第二重配置线路层共同贯穿所述载体衬底的所述第一部分,其中所述绝缘层位于所述第二重配置线路层与所述载体衬底之间。
8.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,其中所述第一重配置线路层由高于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述背面的高度沿着所述凹槽的表面延伸至低于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述主动表面的高度。
9.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,其中所述第一重配置线路层由高于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述背面的高度沿着所述凹槽的表面延伸至实质上等于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述主动表面的高度。
10.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,其中所述凹槽具有相对的两内侧面且分别面对所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片。
11.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,其中所述凹槽为梯型凹槽。
12.如权利要求1所述的氮化物半导体封装器件,其特征在于,其中所述高压氮化物半导体芯片的侧表面连接其所述主动表面与其所述背面,且所述低压氮化物半导体芯片的侧表面连接其所述主动表面与其所述背面。
13.一种制造氮化物半导体封装器件的制造方法,其特征在于,包括:
形成具有凹陷的载体衬底;
形成第一重配置线路层于所述凹陷内;以及
放置高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片于所述凹陷内,所述高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片分别具有彼此相对的主动表面与背面,以使所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的背面与所述第一重配置线路层接触,其中所述第一重配置线路层被形成,以使其由高于所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的所述背面的位置沿着所述凹陷的表面延伸至所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片的一侧;所述第一重配置线路层包括与所述高压氮化物半导体芯片接触的第一部分和与所述低压氮化物半导体芯片接触的第二部分;
将封装材料填入于所述凹陷中,以将所述高压氮化物半导体芯片及所述低压氮化物半导体芯片封装;所述封装材料的至少一部分延伸入所述第一部分与所述第二部分之间,以使所述第一重配置线路层的所述第一、第二部分隔开;以及形成多个第一传导接垫以及多个第二传导接垫,其中所述多个第一传导接垫贯穿所述封装材料,以使所述多个第一传导接垫的一部分与所述高压氮化物半导体芯片的所述主动表面接触,且所述多个第一传导接垫的另一部分与所述低压氮化物半导体芯片的所述主动表面接触;所述多个第二传导接垫贯穿所述封装材料,以使所述多个第二传导接垫与所述第一重配置线路层接触。
14. 如权利要求13所述的氮化物半导体封装器件的制造方法,其中形成具有所述凹陷的所述载体衬底的步骤更包括:提供中间载体衬底;以及
移除所述中间载体衬底的至少一部分,以形成具有所述凹陷的所述载体衬底。
15.如权利要求13所述的氮化物半导体封装器件的制造方法,在形成所述第一重配置线路层的步骤前,更包括:形成介电层于所述载体衬底具有凹陷的一表面。
16.如权利要求15所述的氮化物半导体封装器件的制造方法,在形成所述介电层的步骤后,更包括:形成第二重配置线路层于所述第一重配置线路层上并贯穿所述载体衬底,以使所述第二重配置线路层与所述介电层接触。
17.一种半导体封装器件,其特征在于,包括:
多个半导体芯片;各半导体芯片包含彼此相对的主动表面和背面;
载体衬底,其中所述多个半导体芯片设于所述载体衬底的凹陷内;
封装材料,填入所述凹陷内,以将所述半导体芯片封装;
多个热传导垫,贯穿所述封装材料,各半导体芯片的主动表面的电极通过所述热传导垫引出;以及第一热传导层,设置于所述载体衬底的具有所述凹陷的第一侧,所述第一热传导层包括多个热传导部分,其中所述热传导部分热耦接于对应的所述半导体芯片且从对应的所述半导体芯片的上方沿着所述凹陷的表面横跨所述半导体芯片的厚度,延伸至所述半导体芯片的背面;第一热传导层的各热传导部分分隔开,各所述半导体芯片的主动表面背离第一热传导层设置,且各半导体芯片分别通过其对应的背面与第一热传导层接触。
18.如权利要求17所述的半导体封装器件,其特征在于,其中所述半导体封装器件更包括第二热传导层,设置于所述载体衬底的相对于所述第一侧的第二侧并设置于所述第一热传导层的上方。
19.如权利要求18所述的半导体封装器件,其特征在于,更包括介电层,位于所述第一与所述第二热传导层之间。
20.如权利要求17所述的半导体封装器件,其特征在于,其中所述多个半导体芯片至少包括一对特性不同的芯片。
21.如权利要求17所述的半导体封装器件,其特征在于,其中所述载体衬底具有第一部分与第二部分,其中所述第一部分设有所述凹陷而其平均厚度小于所述第二部分的平均厚度,所述第二部分连接所述第一部分且环绕所述第一部分。
说明书 :
半导体封装器件及其制造方法
技术领域
背景技术
二维电子气(2DEG)区域,满足高功率/频率器件的要求。除了HEMT之外,具有异质结构的器件的示例还包括异质结双极晶体管(heterojunction bipolar transistors,HBT)、异质结
场效应晶体管(heterojunction field effect transistor,HFET)以及调制掺杂FETs
(modulation‑doped FETs,MODFET)。
发明内容
片。第一重配置线路层设于载体衬底的凹槽内。高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导
体芯片,设于凹槽内。高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片分别具有彼此相对
的主动表面与背面。高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片的主动表面背离第一
重配置线路层,且高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片分别通过其对应的背面
与第一重配置线路层接触。第一重配置线路层由高于高压氮化物半导体芯片及低压氮化物
半导体芯片的背面的位置沿着凹槽的表面延伸至高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半
导体芯片的一侧。
化物半导体芯片的背面与第一重配置线路层接触,其中第一重配置线路层被形成,以使其
由低于高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片的背面的位置沿着凹槽的表面延
伸至高压氮化物半导体芯片及低压氮化物半导体芯片的一侧。
传导部分热耦接于对应的半导体芯片且从对应的半导体芯片的上方沿着凹陷的表面横跨
半导体芯片的厚度,并沿着背离对应的半导体芯片的方向延伸。
物半导体芯片直接接触,从而具有良好的热耦接效果。并且,重配置线路层的一部分从高于低压氮化物半导体芯片的位置延伸到低压氮化物半导体芯片的一侧。重配置线路层的又一
部分从高于高压氮化物半导体芯片的位置延伸到高压氮化物半导体芯片的另一侧。通过上
述的配置,不同功能的氮化物半导体芯片可将其在运作期间中所产生的热传递至器件的不
同位置,故本发明实施例的半导体器件可具有良好的散热效果。
附图说明
具体实施方式
是以任何方向或方式设置于空间中,对此的前提为,本发明内容的实施方式的优点不因如
此设置而偏离。
及/或替换。特定细节可以省略,目的为避免使本发明模糊不清;然而,本发明内容是为了使本领域技术人员能够在不进行过度实验的情况下,实现本发明内容中的教示。
待解决的问题之一。
中,半导体封装器件例如是封装有一对特性不同的半导体芯片的双芯片封装器件,芯片的
特性例如是操作电压范围,但不以此为限。两个半导体芯片例如分别是低压氮化物半导体
芯片LD与高压氮化物半导体芯片HD。于以下的段落中会先介绍两者架构。
括,例如但不限于,III族元素、IV族元素、V族元素或其组合(例如,III‑V族化合物)。在其他实施例中,衬底1021可包括,例如但不限于,一个或多个其他特征,例如,掺杂区、埋层、外延(epi)层或其组合。
间。缓冲层可以配置为减少衬底1021与氮化物半导体层1022间的晶格和热失配,从而固化
因失配/差异导致的缺陷。缓冲层可以包括III‑V族化合物。III‑V族化合物可包括例如但不限于铝、镓、铟、氮或其组合。因此,缓冲层的示例性材料可进一步包括,例如但不限于,氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铝镓(AlGaN)、氮化铝铟镓(InAlGaN)或其组合。
冲层的III族氮化物层之间的失配/差异。成核层的示例性材料可以包括例如但不限于AlN
或其任何合金。
其间形成异质结。例如,当氮化物半导体层1022是带隙约为3.4eV的未掺杂氮化镓(GaN)层
时,氮化物半导体层1023可被选择为带隙约4.0eV的氮化铝镓(AlGaN)层。因此,氮化物半导体层1021和1023可分别用作沟道层(channel layer)和势垒层(barrier layer)。在沟道层
和势垒层之间的键合界面处产生三角形阱电势,使得电子在三角形阱中积聚,从而产生邻
近异质结的二维电子气(2DEG)区域。因此,低压氮化物半导体芯片LD可包括至少一个氮化
镓高电子迁移率晶体管(HEMT)。
氮化物半导体层1023形成欧姆接触。此外,欧姆接触可通过将钛(Ti)、铝(Al)或其他合适的材料施加到电极1024或1025来实现。
导体芯片LD的部件。
层1026可以与氮化物半导体层1023形成至少一个p‑n结以耗尽2DEG区域,使得对应于对应
栅极1027下方的位置的2DEG区域的至少一个区块具有与2DEG区的剩余区块具有不同的特
性(例如不同的电子浓度)并且因此被阻挡。
态。
(AlGaN),且掺杂的氮化物半导体层1027是p型氮化镓(p‑GaN)层,其可向上弯曲其下层的能带结构并耗尽2DEG区的对应区块,从而将低压氮化物半导体芯片LD置于关闭状态。
(W)、金(Au)、铂(Pd)、钛(Ti)、铊(Ta)、钴(Co)、镍(Ni)、铂(Pt)、钼(Mo)、氮化钛(TiN)、氮化铊(TaN)、金属合金或其化合物或其他金属化合物。
在赘述,除了:电极1225和栅极1225之间的距离L2大于电极1025和栅极1027之间的距离L1。
示的氮化物半导体层1222、氮化物半导体层1223、电极1224、1225、掺杂的氮化物半导体层
1226和栅极1227。在另一些实施例中,主动表面AS1、AS2可包含了模拟或数字电路,其被实现为主动器件、被动器件、导电层和在管芯内形成的电介质层,并根据芯片的电设计和功能电互连。例如,电路可包括一个或多个晶体管、二极管或形成在主动表面AS1、AS2内的其他电路组件,以实现模拟电路或数字电路。
中所示的衬底1221。
化物半导体芯片HD的距离L2大于低压氮化物半导体芯片LD的距离L1,高压氮化物半导体芯
片HD的击穿电压高于低压氮化物半导体芯片LD的击穿电压。由于上述配置,高压氮化物半
导体芯片HD可配置于高压应用,低压氮化物半导体芯片LD可配置于低压应用。因此,高压氮化物半导体芯片HD的操作电压可高于低压氮化物半导体芯片LD的操作电压。与低压氮化物
半导体芯片LD相比,高压氮化物半导体芯片HD由于其高工作电压而产生相对大量的热量。
因此,高压氮化物半导体芯片HD也可被称为高功率半导体芯片,低压氮化物半导体芯片LD
也可被称作低功率半导体芯片。低压氮化物半导体芯片LD的电压操作范围例如是落在约
15V至约200V的范围内。另一个半导体芯片HD例如是高压氮化物半导体芯片HD,高压氮化物半导体芯片HD的电压操作范围例如是大于约200V。具体来说,在一些实施例中,高压氮化物半导体芯片HD的电压操作范围例如是落在约200V至约650V的范围(中高压范围)内。在另一
些实施例中,高压氮化物半导体芯片HD的电压操作范围例如是大于约650V的范围(高压范
围)内。
现有半导体封装器件的封装形式通常通过硅衬底或封装材料散热,散热效果差,无法满足
高散热的需求。因此,本领域需要改进的半导体器件封装。
有凹槽R,且凹槽R用于容置高压氮化物半导体芯片HD与低压氮化物半导体芯片LD。凹槽R的两内侧面分别面对高压氮化物半导体芯片HD与低压氮化物半导体芯片LD载体衬底10具有
相对的上、下表面US、DS,其中下表面DS的至少一部分界定出凹槽R。凹槽R例如是梯形凹槽。
14之间,且重配置线路层14通过介电层12与载体衬底10隔离。重配置线路层14包括彼此分
离的部分142以及部分144。在一些实施例中,重配置线路层14的材料例如是包括导电材料,如金属或合金。由于重配置线路层14的材料例如是具有高热传导系数的材料,故其亦或可
被视为热传导层。
层14的部分142。低压氮化物半导体芯片LD通过其背面BS1与重配置线路层14的部分142直
接接触,并与其热耦接。重配置线路层14的部分142由高于背面BS1的位置沿着凹槽R表面延伸至低压氮化物半导体芯片LD的一侧(例如是左侧)。重配置线路层14的部分142由低压氮
化物半导体芯片LD的上方沿着凹陷R表面横跨低压氮化物半导体芯片LD的厚度,并沿着背
离对应的低压氮化物半导体芯片LD的方向延伸。重配置线路层14的部分142由高于背面BS1
的高度沿着凹槽R表面延伸至实质上等于主动表面AS1的高度。
置线路层14的部分144。高压氮化物半导体芯片HD通过其背面BS2与重配置线路层14的部分
144直接接触,并与其热耦接。重配置线路层14的部分144由高于背面BS2的位置沿着凹槽R
表面延伸至高压氮化物半导体芯片HD的一侧(例如是右侧)。重配置线路层14的部分144由
高压氮化物半导体芯片HD的上方沿着凹陷R表面横跨高压氮化物半导体芯片HD的厚度,并
沿着背离对应的高压氮化物半导体芯片HD的方向延伸。重配置线路层14的部分144由高于
背面BS2的高度沿着凹槽R表面延伸至实质上等于主动表面AS2的高度。
芯片HD的侧表面SS2与其主动表面AS2,以及介电层12的下表面。封装材料30的至少一部分
延伸入重配置线路层14的两个分离的部分142、144之间,以将此二部分142、144隔开。在一些实施例中,封装材料30例如是聚酰亚胺(Polyimide,PI)或其他合适的封装材料,本发明
并不以此为限。
的电子器件连接,并将低压氮化物半导体芯片LD、高压氮化物半导体芯片HD内部的电气讯
号通过这些传导接垫P1传递至外部的电子器件,反之亦然。在半导体封装器件1A的运作期
间内,低压氮化物半导体芯片LD、高压氮化物半导体芯片HD所产生的热也可通过传导接垫
P1传递至外界。
子讯号,因此低压氮化物半导体芯片LD与高压氮化物半导体芯片HD可透过其背面BS1、BS2
将热通过重配置线路层14以及多个传导接垫P2传递至外界。故在此情况下重配置线路层14
主要是作为散热层或热传递层。
表面与背面皆可传递电气讯号。半导体芯片除了可通过重配置线路层14以及多个传导接垫
P2散热之外,还可以将电讯号通过重配置线路层14以及多个传导接垫P2传递至外界,而使
半导体封装器件电路设计更具有弹性。在这些实施例中,半导体芯片可以是垂直型的硅基
金属氧化物半导体场效晶体管(Silicon‑based metal‑oxide‑semiconductor field‑
effect transistor,si MOSFET),但不以此为限制。
压氮化物半导体芯片HD的正上方。绝缘层40的至少一部分延伸入中间部分102的这些通孔
并覆盖这些通孔的侧壁。绝缘层40的材料例如是绝缘材料,其例如是氧化硅(SiOx)或氮化
硅(SiNx),本发明并不以此为限。
与重配置线路层50之间。重配置线路层50的至少一部分与绝缘层40的至少一部分共同延伸
入/贯穿中间部分102的这些通孔,以与介电层12接触。介电层12位于重配置线路层40、50之间。重配置线路层50与高压氮化物半导体芯片HD、低压氮化物半导体芯片LD重叠。重配置线路层50可通过介电层12与低压氮化物半导体芯片LD以及高压氮化物半导体芯片HD热耦接。
在一些实施例中,重配置线路层50的材料例如是包括导电材料,如金属或合金。由于重配置线路层50的材料例如是具有高热传导系数的材料,故其亦或可被视为热传导层。
1A的一侧(左侧)。高压氮化物半导体芯片HD所产的热可通过其背面BS经由重配置线路层14
的部分144散热至半导体封装器件1A的一侧(右侧)。通过上述的配置,两氮化物半导体芯片LD、HD可分别散热至半导体封装器件1A的相对两侧,而并非散热于同一处,故半导体封装器件1A可具有良好的散热效果。
散热至半导体封装器件1A的上方。因此,整个半导体封装器件1A的散热能力可以进一步地
被提升。
MOCVD)、等离子体CVD(plasma enhanced CVD,PECVD)、低压CVD(low‑pressure CVD,
LPCVD)、等离子体辅助气相沉积(plasma‑assisted vapor deposition)、外延生长
(epitaxial growth)或其他合适工艺。
接触。重配置线路层14的一部分142被形成由低于高压氮化物半导体芯片HD背面BS1的位置
沿着凹槽R的表面延伸至低压氮化物半导体芯片LD的一侧。另一方面,重配置线路层14的一部分144被形成由低于高压氮化物半导体芯片HD背面BS2的位置沿着凹槽R的表面延伸至高
压氮化物半导体芯片HD的一侧。
AS1上的电极垫接触,且这些传导接垫P1中的另一部分与低压氮化物半导体芯片LD的主动
表面AS2上的电极垫接触。另一方面,多个传导接垫P2被形成以贯穿封装材料30,其中多个传导接垫分别贯穿封装材料30以与重配置线路层的不同部分142、144接触。
至低于低压氮化物半导体芯片LD的AS1主动表面的高度。重配置线路层14B的部分142B由高
于高压氮化物半导体芯片HD的背面BS2的高度沿着凹槽R的表面延伸至低于高压氮化物半
导体芯片HD的主动表面AS2的高度。通过此配置可以满足特定的器件需求。
其背面与重配置线路层直接接触,而实现良好的热耦接。另一方面,载体衬底的上侧亦设有另一重配置线路层,而这些半导体晶粒亦与位于上侧的重配置线路层热耦接。故,半导体封装器件的散热能力佳。
对于本领域技术人员来说,显着地,可存在许多修改以及变化。
预期特定用途的各式修改。
或等于±0.1%,或小于或等于±0.05%。对于术语“实质共面”,其可指在数微米(μm)内沿同一平面定位的两个表面,例如在40微米(μm)内、在30μm内、在20μm内、在10μm内,或1μm内沿着同一平面定位。
神以及范围的情况下,可以进行各种修改以及替换为等效物。附图并非一定是按比例绘制
而成的。由于制造工艺以及公差的因素,本发明内容中所呈现的工艺与实际装置之间可能
存在区别。本发明内容的其他实施方式可能没有具体说明。说明书以及附图应当视为是说
明性的,而不是限制性的。可作出修改以使特定情况、材料、物质组成、方法或工艺能够适应本发明内容的目的、精神以及范围。所有这些修改都会落在本文所附权利要求的范围内。虽然本文所揭露的方法是通过参照特定顺序执行特定操作来描述的,但是应当理解,可以进
行组合、子划分或重新排序这些操作,以形成等效的方法,并且此并不会脱离本发明的教
示。因此,除非在此有特别指出,否则,此些操作的顺序以及分组是不受限制的。