多相逆变电路及调制方法转让专利
申请号 : CN202211588957.3
文献号 : CN115664246B
文献日 : 2023-04-07
发明人 : 胡炎申
申请人 : 惠州市乐亿通科技有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.一种多相逆变电路,用于基于直流电源提供的直流电生成目标交流电,其特征在于,包括至少一个非交错逆变电路,每个所述非交错逆变电路用于输出对应的一相的交流电压,所述目标交流电包括所述交流电压;
所述非交错逆变电路包括:第一桥臂单元、第二桥臂单元和反相耦合变压器;
所述第一桥臂单元和所述第二桥臂单元均包括至少两个具有体二极管的功率开关,所述第一桥臂单元被配置为基于所述直流电生成第一脉冲信号,所述第二桥臂单元被配置为基于所述直流电生成第二脉冲信号;所述第一脉冲信号与所述第二脉冲信号波形相同且存在相位差;其中,所述相位差大于各个桥臂单元的死区时间,且小于所述第一脉冲信号或所述第二脉冲信号的开关周期的一半;
所述反相耦合变压器包括相互耦合的第一绕组和第二绕组;所述第一绕组的同名端与所述第一桥臂单元连接,以接入所述第一脉冲信号;所述第二绕组的异名端与所述第二桥臂单元连接,以接入所述第二脉冲信号;所述第一绕组的异名端与所述第二绕组的同名端连接,且为所述非交错逆变电路的输出端,用于输出所述交流电压;
所述反相耦合变压器用于与所述第一桥臂单元和所述第二桥臂单元形成电流回路,使各个所述体二极管在对应的所述功率开关导通之前导通。
2.如权利要求1所述的多相逆变电路,其特征在于,所述第一桥臂单元包括第一功率开关和第二功率开关,所述第二桥臂单元包括第三功率开关和第四功率开关;
所述第一功率开关的第一导通端与所述直流电源的输出正极连接,所述第一功率开关的第二导通端与所述第二功率开关的第一导通端以及所述第一绕组的同名端连接,所述第二功率开关的第二导通端与所述直流电源的输出负极连接;
所述第三功率开关的第一导通端与所述直流电源的输出正极连接,所述第三功率开关的第二导通端与所述第四功率开关的第一导通端以及所述第二绕组的异名端连接,所述第四功率开关的第二导通端与所述直流电源的输出负极连接。
3.如权利要求1所述的多相逆变电路,其特征在于,所述非交错逆变电路还包括滤波电感,所述滤波电感与所述反相耦合变压器连接,以用于所述反相耦合变压器通过所述滤波电感输出所述交流电压。
4.如权利要求1‑3任一项所述的多相逆变电路,其特征在于,包括两个所述非交错逆变电路,以用于基于两个所述非交错逆变电路输出的所述交流电压生成所述目标交流电;
所述多相逆变电路还包括输出滤波电容和负载电阻,所述输出滤波电容和负载电阻均连接在两个所述非交错逆变电路的输出端之间。
5.如权利要求4所述的多相逆变电路,其特征在于,还包括第一调节开关,所述第一调节开关连接在两个所述非交错逆变电路的输出端之间。
6.如权利要求4所述的多相逆变电路,其特征在于,还包括第二调节开关,所述第二调节开关连接在所述直流电源的输出正极与各个所述非交错逆变电路之间。
7.如权利要求1‑3任一项所述的多相逆变电路,其特征在于,包括三个所述非交错逆变电路,以用于基于三个所述非交错逆变电路输出的交流电压生成所述目标交流电压;
各个所述非交错逆变电路的输出端分别通过对应的输出滤波电容接地。
8.如权利要求1‑3任一项所述的多相逆变电路,其特征在于,还包括电源滤波电容,所述电源滤波电容连接在所述输出正极和所述输出负极之间。
9.如权利要求1‑3任一项所述的多相逆变电路,其特征在于,还包括控制电路,所述控制电路包括电压检测模块、电流检测模块、逻辑运算模块和驱动模块,所述电压检测模块与所述电流检测模块连接,所述电流检测模块与所述逻辑运算模块连接,所述逻辑运算模块通过所述驱动模块与所述多相逆变电路中各个功率开关连接;
所述电压检测模块和所述电流检测模块用于分别基于所述目标交流电的采样电压和采样电流生成对应的第一反馈信号和第二反馈信号,所述逻辑运算模块被配置为基于所述第一反馈信号和所述第二反馈信号控制所述驱动模块向各个所述功率开关输出对应的驱动电压。
10.一种调制方法,其特征在于,应用于如权利要求1‑9任一项所述的多相逆变电路,所述调制方法包括:生成并向所述第一桥臂单元输出第一上桥臂驱动电压和第一下桥臂驱动电压,以用于驱动所述第一桥臂单元生成所述第一脉冲信号;所述第一上桥臂驱动电压和所述第一下桥臂驱动电压的信号极性相反,且所述第一上桥臂驱动电压和所述第一下桥臂驱动电压的高电平之间设有对应的所述死区时间;
生成并向所述第二桥臂单元输出第二上桥臂驱动电压和第二下桥臂驱动电压,以用于驱动所述第二桥臂单元生成所述第二脉冲信号;所述第二上桥臂驱动电压和所述第二下桥臂驱动电压的信号极性相反,且所述第二上桥臂驱动电压和所述第二下桥臂驱动电压的高电平之间设有对应的所述死区时间;
所述第一上桥臂驱动电压与所述第二上桥臂驱动电压波形相同且存在所述相位差,所述第一下桥臂驱动电压与所述第二下桥臂驱动电压波形相同且存在所述相位差。
说明书 :
多相逆变电路及调制方法
技术领域
背景技术
统双极性高频正弦波脉宽调制(Sinusoidal Pulse width modulation;SPWM)方式时,四个功率开关管均工作于高频硬开关状态,开关功耗较大,尤其其体二极管反向恢复功耗较大,
导致转换效率较低。为了提高转换效率,也可使用单极性或混合调制方法,但会造成较高共
模干扰和较高漏电流。
发明内容
对应的一相的交流电压,所述目标交流电包括所述交流电压;所述非交错逆变电路包括:第
一桥臂单元、第二桥臂单元和反相耦合变压器;所述第一桥臂单元和所述第二桥臂单元均
包括至少两个具有体二极管的功率开关,所述第一桥臂单元被配置为基于所述直流电生成
第一脉冲信号,所述第二桥臂单元被配置为基于所述直流电生成第二脉冲信号;所述第一
脉冲信号与所述第二脉冲信号波形相同且存在相位差;其中,所述相位差大于各个桥臂单
元的死区时间,且小于所述第一脉冲信号或所述第二脉冲信号的开关周期的一半;所述反
相耦合变压器包括相互耦合的第一绕组和第二绕组;所述第一绕组的同名端与所述第一桥
臂单元连接,以接入所述第一脉冲信号;所述第二绕组的异名端与所述第二桥臂单元连接,
以接入所述第二脉冲信号;所述第一绕组的异名端与所述第二绕组的同名端连接,且为所
述非交错逆变电路的输出端,用于输出所述交流电压;所述反相耦合变压器用于与所述第
一桥臂单元和所述第二桥臂单元形成电流回路,使各个所述体二极管在对应的所述功率开
关导通之前导通。
流电源的输出正极连接,所述第一功率开关的第二导通端与所述第二功率开关的第一导通
端以及所述第一绕组的同名端连接,所述第二功率开关的第二导通端与所述直流电源的输
出负极连接;所述第三功率开关的第一导通端与所述直流电源的输出正极连接,所述第三
功率开关的第二导通端与所述第四功率开关的第一导通端以及所述第二绕组的异名端连
接,所述第四功率开关的第二导通端与所述直流电源的输出负极连接。
和负载电阻,所述输出滤波电容和负载电阻均连接在两个所述非交错逆变电路的输出端之
间。
过对应的输出滤波电容接地。
模块与所述逻辑运算模块连接,所述逻辑运算模块通过所述驱动模块与所述多相逆变电路
中各个功率开关连接;所述电压检测模块和所述电流检测模块用于分别基于所述目标交流
电的采样电压和采样电流生成对应的第一反馈信号和第二反馈信号,所述逻辑运算模块被
配置为基于所述第一反馈信号和所述第二反馈信号控制所述驱动模块向各个所述功率开
关输出对应的驱动电压。
动电压,以用于驱动所述第一桥臂单元生成所述第一脉冲信号;所述第一上桥臂驱动电压
和所述第一下桥臂驱动电压的信号极性相反,且所述第一上桥臂驱动电压和所述第一下桥
臂驱动电压的高电平之间设有对应的所述死区时间;生成并向所述第二桥臂单元输出第二
上桥臂驱动电压和第二下桥臂驱动电压,以用于驱动所述第二桥臂单元生成所述第二脉冲
信号;所述第二上桥臂驱动电压和所述第二下桥臂驱动电压的信号极性相反,且所述第二
上桥臂驱动电压和所述第二下桥臂驱动电压的高电平之间设有对应的所述死区时间;所述
第一上桥臂驱动电压与所述第二上桥臂驱动电压波形相同且存在所述相位差,所述第一下
桥臂驱动电压与所述第二下桥臂驱动电压波形相同且存在所述相位差。
环路,使得功率开关在导通之前,其体二极管先导通,从而降低对应功率开关的体二极管的
反向恢复功耗,实现零电压软开关(Zero Voltage Switch;ZVS)。
附图说明
具体实施方式
用以解释本申请,并不用于限定本申请。
直流电生成第二脉冲信号。第一脉冲信号与第二脉冲信号波形相同且存在相位差。其中,相
位差大于各个桥臂单元的死区时间,且小于第一脉冲信号或第二脉冲信号的开关周期的一
半。反相耦合变压器130包括相互耦合的第一绕组和第二绕组。第一绕组的同名端与第一桥
臂单元110连接,以接入第一脉冲信号。第二绕组的异名端与第二桥臂单元120连接,以接入
第二脉冲信号。第一绕组的异名端与第二绕组的同名端连接,且为反相耦合变压器130的输
出中点M。输出中点M可以作为非交错逆变电路100的输出端,用于输出交流电压;反相耦合
变压器130还用于与第一桥臂单元110和第二桥臂单元120形成电流回路,使各个功率开关
的体二极管在对应的功率开关导通之前导通。其中,第一脉冲信号和第二脉冲信号均为高
频方波信号。功率开关可以采用全控型功率半导体器件,如金属氧化物场效应晶体管
(Metal‑Oxide‑Semiconductor Field‑Effect Transistor;MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor;IGBT),也可使用第三代半导体宽禁带(Wide
Bandgap;WBG)功率器件,如碳化硅(SiC)MOSFET、氮化镓(GaN)MOSFET等。多相逆变电路10的类型不受限制,可以根据实际需求进行配置,例如,多相逆变电路10可以是全桥逆变电路、
半桥逆变电路、三相逆变电路等任意一种逆变电路,多相逆变电路10至少包括一个非交错
逆变电路100,用于至少输出其中一相交流电压。
环路,使功率开关的体二极管先导通,从而降低对应功率开关的体二极管的反向恢复功耗,
实现零电压软开关,提高转换效率。
桥臂电路产生的热量较小且分布均衡,提高逆变电路的可靠性。
为2,则ф≠360º/2,其中,相位差可以采用的取值范围为ф<0.5Ts,Ts为脉冲信号的开关周期。具体地,当D>0.5时,ф<(1‑D)*Ts;当D<0.5时,ф
Q2、第三功率开关Q3和第四功率开关Q4均为N型MOS管,各个功率开关的第一导通端对应N型
MOS管的漏极,各个功率开关的第二导通端对应N型MOS管的源极,各个功率开关的受控端对
应N型MOS管的栅极,受控端用于接收对应的驱动电压。
的第二导通端与直流电源20的输出负极连接。
的第二导通端与直流电源20的输出负极连接。
连接点即是第二桥臂输出中点b。
中点a到反相耦合变压器130的输出中点M的电压,VbM为第二桥臂输出中点b到反相耦合变压
器130的输出中点M的电压,i1为第一桥臂输出中点a流向反相耦合变压器130的电流,i2为
第二桥臂输出中点b流向反相耦合变压器130的电流。
动电压和第三功率开关Q3的驱动电压的占空比均大于0.5。由于第一脉冲信号与第二脉冲
信号波形相同且存在相位差,相应的,第一功率开关Q1的驱动电压与第三功率开关Q3的驱
动电压的波形相同且存在相同的相位差,第二功率开关Q2的驱动电压与第四功率开关Q4的
驱动电压的波形相同且存在相同的相位差。同时,在常规技术方案中,同一桥臂单元的两个
功率开关的驱动电压还设有死区时间,即第一功率开关Q1的驱动电压与第二功率开关Q2的
驱动电压的高电平之间存在死区时间,第三功率开关Q3的驱动电压与第四功率开关Q4的驱
动电压的高电平之间存在死区时间,因此相位差需要大于死区时间。示例性的,第一脉冲信
号与第二脉冲信号之间的相位差为死区时间的两倍。
Q1由关断变为导通时(即第一功率开关Q1的驱动电压由低电平变为高电平时),第一功率开
关Q1的体二极管已经导通,从而实现第一功率开关Q1的零电压导通。
从而实现第三功率开关Q3的零电压导通。
现第二功率开关Q2的零电压导通。
从而实现第四功率开关Q4的零电压导通。
前,电流i2为负值。从而在各个功率开关在导通之前,通过反相耦合变压器130生成的电流
回路,可以使各个体二极管先导通,从而降低甚至消除各个功率开关的体二极管反向恢复
功耗,实现零电压导通。另外,通过各个功率开关的第一导通端与第二导通端之间的寄生电
容,或者各个功率开关外并的小电容,可以近似实现零电压关断。通过上述的调制方法,可
以得到较好的均流和均热效果。
用于优化交流电压的波形。具体地,滤波电感L1的第一端与反相耦合变压器130的输出中点
M连接,滤波电感L1的第二端用于输出优化后的交流电压,此时滤波电感L1的第二端为非交
错逆变电路100的输出端。
用双极性或单极性控制方式。
电压通过输出滤波电容Cf的滤波后,负载电阻RL两端将生成对应的目标交流电。
节开关可以使多相逆变电路10变为高效可靠逆变电路(Highly Efficient Reliable
Inverter Concept;HERIC),从而减小多相逆变电路10的共模干扰及漏电流,并且也会形成多电平工作。示例性的,如图5所示,第一调节开关可以包括串联的功率开关Q5和功率开关
Q6。
可以使多相逆变电路10变为H5拓扑结构的逆变电路,可以减小多相逆变电路10的共模干扰
及漏电流。
可以组成三相逆变电路,各个非交错逆变电路100分别输出电压Va、电压Vb和电压Vc,以生
成三相电压。
一个开关桥臂电路200和一个非交错逆变电路100,开关桥臂电路200具体包括第五功率开
关Q8、第六功率开关Q9和滤波电感L2,第五功率开关Q8的第一导通端与直流电源20的输出
正极连接,第五功率开关Q8的第二导通端与第六功率开关Q9的第一导通端一以及滤波电感
L2的第一端连接,滤波电感L2的第二端用于输出对应的交流电压,从而配合非交错逆变电
路100生成目标交流电。第五功率开关Q8和第六功率开关Q9可以是IGBT管。开关桥臂电路
200可以采用单极性控制方式,非交错逆变电路100可以采用双极性控制方式。
滤交流电信号。
可以与一个非交错逆变电路100组成半桥逆变电路。电容的成本比功率开关更低。非交错逆
变电路100可以采用双极性控制方式。
采样电压和采样电流生成对应的第一反馈信号和第二反馈信号,电压检测模块310与电流
检测模块320连接,电流检测模块320与逻辑运算模块330连接,逻辑运算模块330通过驱动
模块340与各个功率开关连接,逻辑运算模块330被配置为基于采样电压和采样电流控制驱
动模块340向各个功率开关输出对应的驱动电压。
第二运放单元U3,逻辑运算模块330和驱动模块340可使用分立电子元器件搭建,也可设计
和使用专用集成电路,如模拟控制芯片、通过软件编程的单片机(MCU)、数字信号处理器
(DSP)或可编程逻辑器件(FPGA/CPLD)等。
元U1反相输入端连接,以采集采样电压,第一运放单元U1的正相输入端与参考电压源Vr连
接,第一运放单元U1的输出端与光电耦合器U2的原边二极管负端连接,第一运放单元U1被
配置为基于其反相输入端和其正相输入端的电信号生成并通过其输出端输出第一反馈信
号,原边二极管负端的正端与内部电源连接,光电耦合器U2的副边三极管的发射极接地,副
边三极管的集电极与第二运放单元U3的正相输入端以及参考电流源Is连接,第二运放单元
U3的反相输入端通过电流采集器件与其中一个非交错逆变电路100的输出中点M连接,以采
集采样电流,电流采集器件可以是电流传感器、电流互感器或电阻,第二运放单元U3输出端
与逻辑运算模块330连接,第二运放单元U3被配置为基于其反相输入端和其正相输入端的
电信号生成并通过其输出端输出第二反馈信号,逻辑运算模块330可以根据第二反馈信号
得到目标交流电的参数情况,判断当前输出的目标交流电的电压和电流是否与预设参数相
等,进而调节驱动模块340输出的驱动电压。
环比例积分(PI)补偿设计,可以采用平均电流模式或峰值电流模式控制,从而提高多相逆
变电路10动态响应性能。第一运放单元U1和第二运放单元U3可以采用二阶或多阶外环比例
积分补偿或其他智能控制方式。可选地,逻辑运算模块330可采用各种类型的控制方式,如
准谐振控制、单开关周期控制、电流连续导通模式(CCM)、电流断续模式(DCM)、电流临界导通模式(CRM)等。
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动电压的信号极性相反,且第一上桥臂驱动电压和第一下桥臂驱动电压的高电平之间设有
对应的死区时间。
动电压的信号极性相反,且第二上桥臂驱动电压和第二下桥臂驱动电压的高电平之间设有
对应的死区时间。
一下桥臂驱动电压的高电平之间的死区时间等于第二上桥臂驱动电压和第二下桥臂驱动
电压的高电平之间的死区时间,各个驱动电压的开关周期均相同。
Q2的驱动电压,第二上桥臂驱动电压即为提供给第三功率开关Q3的驱动电压,第二下桥臂
驱动电压即为提供给第四功率开关Q4的驱动电压。
定。步骤S100和步骤S200可以同时进行。
功能单元、模块完成,即将所述装置的内部结构划分成不同的功能单元或模块,以完成以上
描述的全部或者部分功能。实施例中的各功能单元、模块可以集成在一个处理单元中,也可
以是各个单元单独物理存在,也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中,上述集成的
单元既可以采用硬件的形式实现,也可以采用软件功能单元的形式实现。另外,各功能单
元、模块的具体名称也只是为了便于相互区分,并不用于限制本申请的保护范围。上述系统
中单元、模块的具体工作过程,可以参考前述方法实施例中的对应过程,在此不再赘述。
实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改
或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围,均应
包含在本申请的保护范围之内。