用于高温反向偏置测试的保护电路转让专利

申请号 : CN202280004008.8

文献号 : CN115668681B

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相似专利:

发明人 : 林逸铭胡凯盛健健

申请人 : 英诺赛科(苏州)半导体有限公司

摘要 :

本公开提供一种用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的保护电路,所述保护电路包括:开关,其被配置成基于切换信号而将所述保护电路连接到所述电子器件/从所述电子器件断开所述保护电路;电流感测电路,其被配置成感测流过所述电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号;以及驱动电路,其被配置成从所述电流感测电路接收所述电流感测信号且产生用于开启/关断所述开关的驱动信号,使得在所述电流感测信号高于参考电压时,所述漏极‑源极泄漏电流由所述开关阻断。

权利要求 :

1.一种用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的保护电路,其特征在于,所述保护电路包括:开关,其被配置成基于切换信号而将所述保护电路连接到所述电子器件/从所述电子器件断开所述保护电路;

电流感测电路,其被配置成感测流过所述电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号;以及驱动电路,其被配置成从所述电流感测电路接收所述电流感测信号且产生用于开启/关断所述开关的驱动信号,使得在所述电流感测信号高于参考电压时,所述漏极‑源极泄漏电流由所述开关阻断;

其中:

所述开关具有连接到所述电子器件的第一导电端子;

所述电流感测电路具有连接到所述开关的第二导电端子的输入端子和连接到电源的负极端子的接地端子;并且所述驱动电路具有连接到所述电流感测电路的输出端子的输入端子、连接到所述电源的负极端子的接地端子,以及连接到所述开关的控制端子的输出端子;

其中,所述电流感测电路包括:

第一电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述输入端子的第一末端、连接到所述电流感测电路的所述接地端子的第二末端;

第二电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述输入端子的第一末端;

第三电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述接地端子的第一末端;

第四电阻器,具有连接到所述第三电阻器的第二末端的第一末端和连接到所述电流感测电路的所述输出端子的第二末端;

第一比较器,具有连接到所述第二电阻器的第二末端的非反相输入端子、联合地连接到所述第三电阻器的所述第二末端和所述第四电阻器的所述第一末端的反相输入端子以及连接到所述电流感测电路的所述输出端子的输出端子;

所述驱动电路包括:

比较器,其被配置成接收所述电流感测信号,并且将所述电流感测信号与所述参考电压进行比较以产生比较输出信号;

内部参考电压源,其被配置成将所述参考电压提供到所述比较器;以及锁存器,其被配置成接收所述比较输出信号且产生所述驱动信号;

所述开关为常关型开关;

其中,所述驱动电路的比较器具有连接到所述驱动电路的输入端子的非反相输入端子和连接到所述内部参考电压的反相输入端子;并且所述驱动电路的锁存器为上升沿触发锁存器,具有连接到所述比较器的输出端子的重置端子和连接到所述驱动电路的输出端子的反相输出端子;或,所述驱动电路的比较器具有连接到所述内部参考电压源的非反相输入端子和连接到所述驱动电路的输入端子的反相输入端子;并且所述驱动电路的锁存器为下降沿触发锁存器,具有连接到所述比较器的输出端子的重置端子和连接到所述驱动电路的输出端子的反相输出端子。

2.根据权利要求1所述的保护电路,其特征在于,所述开关为增强型场效应晶体管。

3.一种用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的保护电路,其特征在于,所述保护电路包括:开关,其被配置成基于切换信号而将所述保护电路连接到所述电子器件/从所述电子器件断开所述保护电路;

电流感测电路,其被配置成感测流过所述电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号;以及驱动电路,其被配置成从所述电流感测电路接收所述电流感测信号且产生用于开启/关断所述开关的驱动信号,使得在所述电流感测信号高于参考电压时,所述漏极‑源极泄漏电流由所述开关阻断;

其中:

所述开关具有连接到所述电子器件的第一导电端子;

所述电流感测电路具有连接到所述开关的第二导电端子的输入端子和连接到电源的负极端子的接地端子;并且所述驱动电路具有连接到所述电流感测电路的输出端子的输入端子、连接到所述电源的负极端子的接地端子,以及连接到所述开关的控制端子的输出端子;

其中,所述电流感测电路包括:

第一电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述输入端子的第一末端、连接到所述电流感测电路的所述接地端子的第二末端;

第二电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述输入端子的第一末端;

第三电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述接地端子的第一末端;

第四电阻器,具有连接到所述第三电阻器的第二末端的第一末端和连接到所述电流感测电路的所述输出端子的第二末端;

第一比较器,具有连接到所述第二电阻器的第二末端的非反相输入端子、联合地连接到所述第三电阻器的所述第二末端和所述第四电阻器的所述第一末端的反相输入端子以及连接到所述电流感测电路的所述输出端子的输出端子;

所述驱动电路包括:

比较器,其被配置成接收所述电流感测信号,并且将所述电流感测信号与所述参考电压进行比较以产生比较输出信号;

内部参考电压源,其被配置成将所述参考电压提供到所述比较器;以及锁存器,其被配置成接收所述比较输出信号且产生所述驱动信号;

所述开关为常开型开关;

其中,所述驱动电路的比较器具有连接到所述驱动电路的输入端子的非反相输入端子和连接到所述内部参考电压的反相输入端子;并且所述驱动电路的锁存器为上升沿触发锁存器,具有连接到所述比较器的输出端子的重置端子和连接到所述驱动电路的输出端子的非反相输出端子;或,所述驱动电路的比较器具有连接到所述内部参考电压源的非反相输入端子和连接到所述驱动电路的输入端子的反相输入端子;并且所述驱动电路的锁存器为下降沿触发锁存器,具有连接到所述比较器的输出端子的重置端子和连接到所述驱动电路的输出端子的非反相输出端子。

4.根据权利要求3所述的保护电路,其特征在于,所述开关为耗尽型场效应晶体管。

5.一种高温反向偏置(HTRB)测试系统,其特征在于,包括根据权利要求1到4中任一项所述的保护电路。

6.一种用于实施用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的保护电路的方法,其特征在于,包括:将开关的第一导电端子连接到所述电子器件;

将电流感测电路的输入端子连接到所述开关的第二导电端子;

其中,所述电流感测电路包括:

第一电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述输入端子的第一末端、连接到所述电流感测电路的接地端子的第二末端;

第二电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述输入端子的第一末端;

第三电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述接地端子的第一末端;

第四电阻器,具有连接到所述第三电阻器的第二末端的第一末端和连接到所述电流感测电路的输出端子的第二末端;

第一比较器,具有连接到所述第二电阻器的第二末端的非反相输入端子、联合地连接到所述第三电阻器的所述第二末端和所述第四电阻器的所述第一末端的反相输入端子以及连接到所述电流感测电路的所述输出端子的输出端子;

将所述电流感测电路的接地端子连接到电源的负极端子;

将驱动电路的输入端子连接到所述电流感测电路的输出端子;

将所述驱动电路的接地端子连接到所述电源的负极端子;

将所述驱动电路的输出端子连接到所述开关的控制端子;

基于切换信号而配置所述开关以将所述保护电路连接到所述电子器件/从所述电子器件断开所述保护电路;

配置所述电流感测电路以感测流过所述电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号;以及配置所述驱动电路以从所述电流感测电路接收所述电流感测信号且产生用于开启/关断所述开关的驱动信号,使得在所述电流感测信号高于参考电压时,所述漏极‑源极泄漏电流由所述开关阻断;

在所述开关为常关型开关时,

所述驱动电路通过以下操作被配置:

将比较器的非反相输入端子连接到所述驱动电路的输入端子;

将所述比较器的反相输入端子连接到内部参考电压;

将上升沿触发锁存器的重置端子连接到所述比较器的输出端子;以及将所述上升沿触发锁存器的反相输出端子连接到所述驱动电路的输出端子;

或,所述驱动电路通过以下操作被配置:

将比较器的非反相输入端子连接到内部参考电压;

将所述比较器的反相输入端子连接到所述驱动电路的输入端子;

将下降沿触发锁存器的重置端子连接到所述比较器的输出端子;以及将所述下降沿触发锁存器的反相输出端子连接到所述驱动电路的输出端子。

7.一种用于实施用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的保护电路的方法,其特征在于,包括:将开关的第一导电端子连接到所述电子器件;

将电流感测电路的输入端子连接到所述开关的第二导电端子;

将所述电流感测电路的接地端子连接到电源的负极端子;

其中,所述电流感测电路包括:

第一电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述输入端子的第一末端、连接到所述电流感测电路的所述接地端子的第二末端;

第二电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述输入端子的第一末端;

第三电阻器,具有连接到所述电流感测电路的所述接地端子的第一末端;

第四电阻器,具有连接到所述第三电阻器的第二末端的第一末端和连接到所述电流感测电路的输出端子的第二末端;

第一比较器,具有连接到所述第二电阻器的第二末端的非反相输入端子、联合地连接到所述第三电阻器的所述第二末端和所述第四电阻器的所述第一末端的反相输入端子以及连接到所述电流感测电路的所述输出端子的输出端子;

将驱动电路的输入端子连接到所述电流感测电路的输出端子;

将所述驱动电路的接地端子连接到所述电源的负极端子;

将所述驱动电路的输出端子连接到所述开关的控制端子;

基于切换信号而配置所述开关以将所述保护电路连接到所述电子器件/从所述电子器件断开所述保护电路;

配置所述电流感测电路以感测流过所述电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号;以及配置所述驱动电路以从所述电流感测电路接收所述电流感测信号且产生用于开启/关断所述开关的驱动信号,使得在所述电流感测信号高于参考电压时,所述漏极‑源极泄漏电流由所述开关阻断;

在所述开关为常开型开关时,

所述驱动电路通过以下操作被配置:

将比较器的非反相输入端子连接到所述驱动电路的输入端子;

将所述比较器的反相输入端子连接到内部参考电压;

将上升沿触发锁存器的重置端子连接到所述比较器的输出端子;以及将所述上升沿触发锁存器的非反相输出端子连接到所述驱动电路的输出端子;

或,所述驱动电路通过以下操作被配置:

将比较器的非反相输入端子连接到内部参考电压;

将所述比较器的反相输入端子连接到所述驱动电路的输入端子;

将下降沿触发锁存器的重置端子连接到所述比较器的输出端子;以及将所述下降沿触发锁存器的非反相输出端子连接到所述驱动电路的输出端子。

说明书 :

用于高温反向偏置测试的保护电路

技术领域

[0001] 本发明总体来说涉及对氮化物基半导体器件的高温反向偏置(HTRB)测试。更具体地说,本发明涉及用于对氮化物基半导体器件的高温反向偏置测试的保护电路。

背景技术

[0002] 由于低功率损耗和快速切换转变,氮化镓(GaN)基器件已广泛用于高频率电能转换系统。相较于硅金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高功率和高频率应用中具有更好的品质因数和更具前景的性能。
[0003] 高温反向偏置(HTRB)测试为用于电力器件的重要可靠性测试之一。HTRB测试被设计成通过使用偏置操作条件来加速热激活的失效机制。在典型的HTRB测试期间,器件样品于延长的时段内在接近其最大额定结温度的环境温度下承受等同于或稍微小于其最大额定反向击穿电压。HTRB测试可为长期稳定性提供非常宝贵的信息,并且有助于研究和开发,以及产品检核。
[0004] HTRB测试常常涉及多个受测试器件(例如,晶片测试)。多个器件并联连接且施加相同应力电压。当器件在HTRB测试中失效时,其漏极‑源极结可能短路,并且可能产生超大漏极‑源极泄漏电流进一步损坏晶体管。这可能使失效模式复杂化且使失效分析变得困难。通常,如图1中所展示,每一受测试器件(DUT)可与电流限制电阻器R(通常为1MΩ)串联连接,以按无源方式减少泄漏电流。当器件经受由电源(PS)供应的电压应力时,将产生一定的泄漏电流Idss,从而导致在电流限制电阻器R两端的电压降为VR,其由下式给出:VR=Idss×R。
[0005] 对于Si和SiC器件,在HTRB测试的典型环境温度150℃下泄漏电流Idss大约为10uA,从而导致在电流限制电阻器两端大约有10V的电压降。但对于GaN器件,在150℃下泄漏电流Idss大约为10uA~100uA,从而导致在电流限制电阻器两端的电压降大约为10~
100V,这继而减少施加到受测试器件的应力电压。为了解决此问题,其中一种方法是减小电流限制电阻器的值,然而,这方法会让器件于HTRB测试中失效时失去保护,让大泄漏电流通过。另一方法是增加应力电压以补偿由于泄漏电流引起的电压降。然而,由于不同器件可在相同偏置电压下具有不同泄漏电流,因此对于批量的受测试器件,将难以设定适当的补偿电压。如果针对具有相对较小泄漏电流的器件确定补偿电压,则具有相对较大泄漏电流的器件的应力电压会不足;如果针对具有相对较大泄漏电流的器件确定补偿电压,则具有相对较小泄漏电流的器件将承受过量的应力。因此,对于GaN器件,将电流限制电阻器与每一受测试器件串联连接的现有方法无法在HTRB测试失败时同时保留器件失效模式和确保同一批次中的所有受测试器件经受相同的HTRB测试应力。因此,必需有一种具有恰当地设计的保护电路的测试配置,以避免对器件和设备的损坏以及测试数据的丢失。

发明内容

[0006] 根据本公开的一个方面,提供一种用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的有源保护电路,以及一种包含有源保护电路的HTRB测试系统。所述保护电路包括:开关,其被配置成基于切换信号而将有源保护电路连接到电子器件/从电子器件断开有源保护电路;电流感测电路,其被配置成感测流过电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号;以及驱动电路,其被配置成从电流感测电路接收电流感测信号且产生用于开启/关断开关的驱动信号,使得在电流感测信号高于参考电压时,漏极‑源极泄漏电流由开关阻断;其中:开关具有连接到电子器件的第一导电端子;电流感测电路具有连接到开关的第二导电端子的输入端子和连接到电源的负极端子的接地端子,并且驱动电路具有连接到电流感测电路的输出端子的输入端子、连接到电源的负极端子的接地端子,以及连接到开关的控制端子的输出端子。
[0007] 根据本发明的另一方面,提供一种用于实施用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的保护电路的方法。所述方法包括:将开关的第一导电端子连接到电子器件;将电流感测电路的输入端子连接到开关的第二导电端子;将电流感测电路的接地端子连接到电源的负极端子;将驱动电路的输入端子连接到电流感测电路的输出端子;将驱动电路的接地端子连接到电源的负极端子;将驱动电路的输出端子连接到开关的控制端子;基于切换信号而配置开关以将保护电路连接到电子器件/从电子器件断开保护电路;配置电流感测电路以感测流过电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号;以及配置驱动电路以从电流感测电路接收电流感测信号且产生用于开启/关断开关的驱动信号,使得在电流感测信号高于参考电压时,漏极‑源极泄漏电流由开关阻断。
[0008] 所提供的有源保护电路可在HTRB测试失败时同时保留器件失效模式,而无需使用大值电流限制电阻器,除了避免泄漏电流引起的大电压降,还可维持同一批次中的所有受测试器件上的HTRB应力电压的均一性。此外,有源保护电路可用于保护任何单个器件且防止其失效引致同一批次内的其它器件的HTRB测试中断。因此,可改进HTRB测试的效率和有效性。

附图说明

[0009] 参考附图,从以下详细描述可容易理解本公开的各方面。图示可能未必按比例绘制。也就是说,为了论述的清楚起见,各种特征的尺寸可任意增加或减少。由于制造过程和公差,本公开中的工艺再现与实际设备之间可能存在区别。可在整个图式和具体实施方式中使用共同参考标号来指示相同或类似组件。
[0010] 图1展示用于进行HTRB测试的器件的常规保护电路;
[0011] 图2展示根据本发明的一些实施例的用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件的有源保护电路的电路框图;
[0012] 图3A‑图3C展示根据本发明的一些实施例的开关的各种示例性电路图;
[0013] 图4展示根据本发明的一些实施例的电流感测电路的示例性电路图;
[0014] 图5展示根据本发明的一些实施例的驱动电路的示例性电路图;
[0015] 图6A描绘根据本发明的一个实施例的驱动电路在其被配置成充当反相驱动器时的示例性电路图;
[0016] 图6B描绘根据本发明的一个实施例的驱动电路在其被配置成充当反相驱动器时的另一示例性电路图;
[0017] 图6C描绘根据本发明的一个实施例的驱动电路在其被配置成充当非反相驱动器时的示例性电路图;
[0018] 图6D描绘根据本发明的一个实施例的驱动电路在其被配置成充当反相驱动器时的另一示例性电路图;
[0019] 图7为根据本发明的一些实施例的说明用于实施用于在HTRB测试下保护电子器件的保护电路的方法的流程图。

具体实施方式

[0020] 在以下描述中,将阐述本公开的优选实例作为应被视为说明性而非限制性的实施例。可省略具体细节以免使本公开模糊不清;然而,编写本公开是为了使所属领域的技术人员能够在不进行不当实验的情况下实践本文中的教示。
[0021] 图2展示根据本发明的一些实施例的用于在高温反向偏置(HTRB)测试下保护电子器件10的有源保护电路20的电路框图。如所展示,有源保护电路20可耦合在电子器件10与电源30之间。电子器件10可具有第一导电端子、第二导电端子和控制端子。在一些实施例中,DUT 10可为具有作为控制端子的栅极G、作为第一导电端子的源极S和作为第二导电端子的漏极的晶体管。
[0022] 有源保护电路20可具有连接到电子器件10的第一导电端子Ccdt1的第一端子201和连接到电源30的负极端子的第二端子202。
[0023] 保护电路10可包括开关22,其被配置成基于切换信号Vsw而将保护电路连接到电子器件/从电子器件断开保护电路。保护电路10可进一步包括电流感测电路24,其被配置成感测流过电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流Ids且产生电流感测信号Vcs。保护电路10可进一步包括驱动电路26,其被配置成从电流感测电路24接收电流感测信号Vcs且产生用于开启/关断开关22的驱动信号Vsw,使得在电流感测信号Vcs高于参考电压Vref时,漏极‑源极泄漏电流Ids由开关阻断。
[0024] 开关22可具有连接到电子器件10的第一导电端子Ccdt1。电流感测电路24可具有连接到开关22的第二导电端子Ccdt2的输入端子In和连接到电源30的负极端子的接地端子GND。驱动电路26可具有连接到电流感测电路24的输出端子Out的输入端子In、连接到电源30的负极端子的接地端子GND,以及连接到开关22的控制端子Ctrl的输出端子Out。
[0025] 图3A‑图3C展示根据本发明的一些实施例的开关22的各种示例性电路图。如图3A中所展示,开关22可包含具有连接到开关22的第一导电端子的漏极、连接到开关22的第二导电端子Cdct2的源极以及连接到开关22的控制端子Ctrl的栅极的场效应晶体管(FET)。在一些实施例中,FET Q1可为在零栅极‑源极电压下处于开启状态的增强型(E型)FET。在一些实施例中,FET可为在零栅极‑源极电压下处于关断状态的耗尽型(D型)FET。
[0026] 如图3B中所展示,开关22可包含具有连接到开关22的第一导电端子的集电极、连接到开关22的第二导电端子Cdct2的发射极以及连接到开关22的控制端子Ctrl的栅极的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
[0027] 如图3C中所展示,开关22可包含具有连接到开关22的第一导电端子的第一触点、连接到开关22的第二导电端子Cdct2的第二触点以及连接到开关22的控制端子Ctrl的控制端子的继电器。
[0028] 图4展示根据本发明的一些实施例的电流感测电路24的示例性电路图。如所展示,电流感测电路24可包含具有连接到电流感测电路24的输入端子In的第一末端、连接到电流感测电路24的接地端子GND的第二末端的第一电阻器R1。电流感测电路24可进一步包含具有连接到电流感测电路24的输入端子In的第一末端的第二电阻器R2。电流感测电路24可进一步包含具有连接到电流感测电路24的接地端子GND的第一末端的第三电阻器R3。电流感测电路24可进一步包含具有连接到第三电阻器R3的第二末端的第一末端和连接到电流感测电路24的输出端子Out的第二末端的第四电阻器R4。电流感测电路24可进一步包含具有连接到第二电阻器R2的第二末端的非反相输入、联合地连接到第三电阻器R3的第二末端和第四电阻器R4的第一末端的反相输入以及连接到电流感测电路24的输出端子Out的输出的比较器241。
[0029] 图5展示根据本发明的一些实施例的驱动电路26的示例性电路图。驱动电路26可包括比较器261,其被配置成接收电流感测信号Vcs,并且将电流感测信号Vcs与参考电压Vref进行比较以产生比较输出信号Vco。驱动电路26可进一步包括内部参考电压源262,其被配置成将参考电压Vref提供到比较器261。驱动电路26可进一步包括锁存器263,其被配置成接收比较输出信号Vco且产生驱动信号Vsw。
[0030] 在开关22为常关型开关的情况下,驱动电路26可被配置成在电流感测信号具有高电平值时产生具有低电平值的驱动信号Vsw且在电流感测信号具有低电平值时产生具有高电平值的驱动信号Vsw。也就是说,驱动电路26可被配置成在开关22为常关型开关时充当反相驱动器。
[0031] 图6A描绘根据本发明的一个实施例的驱动电路26在其被配置成充当反相驱动器时的示例性电路图。如所展示,驱动电路26可包含具有连接到驱动电路26的输入端子的非反相(+)输入端子和连接到内部参考电压源262的反相(‑)输入端子的比较器261A。驱动电路26可进一步包含具有连接到比较器261A的输出端子的重置端子和连接到驱动电路26的输出端子的反相输出端子的上升沿触发锁存器263A。
[0032] 图6B描绘根据本发明的一个实施例的驱动电路26在其被配置成充当反相驱动器时的另一示例性电路图。如所展示,驱动电路26可包含具有连接到驱动电路26的输入端子的反相(‑)输入端子和连接到内部参考电压源262的反相(‑)输入端子的比较器261B。驱动电路26可进一步包含具有连接到比较器261B的输出端子的重置端子和连接到驱动电路26的输出端子的反相输出端子的下降沿触发锁存器263B。
[0033] 在开关22为常开型开关的情况下,驱动电路26可被配置成在电流感测信号具有低电平值时产生具有低电平值的驱动信号Vsw且在电流感测信号具有高电平值时产生具有高电平值的驱动信号Vsw。也就是说,驱动电路26可被配置成在开关22为常开型开关时充当非反相驱动器。
[0034] 图6C描绘根据本发明的一个实施例的驱动电路26在其被配置成充当非反相驱动器时的示例性电路图。如所展示,驱动电路26可包含具有连接到驱动电路26的输入端子的非反相(+)输入端子和连接到内部参考电压源262的反相(‑)输入端子的比较器261C。驱动电路26可进一步包含具有连接到比较器261C的输出端子的重置端子和连接到驱动电路26的输出端子的非反相输出端子的上升沿触发锁存器263C。
[0035] 图6D描绘根据本发明的一个实施例的驱动电路26在其被配置成充当反相驱动器时的另一示例性电路图。如所展示,驱动电路26可包含具有连接到驱动电路26的输入端子的反相(‑)输入端子和连接到内部参考电压源262的反相(‑)输入端子的比较器261D。驱动电路26可进一步包含具有连接到比较器261D的输出端子的重置端子和连接到驱动电路26的输出端子的非反相输出端子的下降沿触发锁存器263D。
[0036] 图7为根据本发明的一些实施例的说明用于实施用于在HTRB测试下保护电子器件的保护电路的方法的流程图。如所展示,所述方法可包括:步骤S702:将开关的第一导电端子连接到电子器件;步骤S704:将电流感测电路的输入端子连接到开关的第二导电端子;步骤S706:将电流感测电路的接地端子连接到电源的负极端子;步骤S708:将驱动电路的输入端子连接到电流感测电路的输出端子;步骤S710:将驱动电路的接地端子连接到电源的负极端子;步骤S712:将驱动电路的输出端子连接到开关的控制端子;步骤S714:基于切换信号而配置开关以将保护电路连接到电子器件/从电子器件断开保护电路;步骤S716:配置电流感测电路以感测流过电子器件的漏极‑源极结的漏极‑源极泄漏电流且产生电流感测信号;以及步骤S718:配置驱动电路以从电流感测电路接收电流感测信号且产生用于开启/关断开关的驱动信号,使得在电流感测信号高于参考电压时,漏极‑源极泄漏电流由开关阻断。
[0037] 在开关为常关型开关时,驱动电路可通过以下操作被配置:将比较器的非反相输入端子连接到驱动电路的输入端子;将比较器的反相输入端子连接到内部参考电压;将上升沿触发锁存器的重置端子连接到比较器的输出端子;以及将上升沿触发锁存器的反相输出端子连接到驱动电路的输出端子。替代地,驱动电路可通过以下操作被配置:将比较器的非反相输入端子连接到内部参考电压;将比较器的反相输入端子连接到驱动电路的输入端子;将下降沿触发锁存器的重置端子连接到比较器的输出端子;以及将下降沿触发锁存器的反相输出端子连接到驱动电路的输出端子。
[0038] 在开关为常开型开关时,驱动电路可通过以下操作被配置:将比较器的非反相输入端子连接到驱动电路的输入端子;将比较器的反相输入端子连接到内部参考电压;将上升沿触发锁存器的重置端子连接到比较器的输出端子;以及将上升沿触发锁存器的非反相输出端子连接到驱动电路的输出端子。替代地,驱动电路可通过以下操作被配置:将比较器的非反相输入端子连接到内部参考电压;将比较器的反相输入端子连接到驱动电路的输入端子;将下降沿触发锁存器的重置端子连接到比较器的输出端子;以及将下降沿触发锁存器的非反相输出端子连接到驱动电路的输出端子。
[0039] 选择和描述实施例是为了最好地解释本发明的原理和其实际应用,由此使得所属领域的其他技术人员能够理解本发明的各种实施例以及适合于所预期的特定用途的各种修改。虽然本文中所公开的方法已参考按特定次序执行的特定步骤加以描述,但应理解,可在不脱离本公开的教示的情况下组合、细分或重新排序这些步骤以形成等效方法。因此,除非在本文中具体指示,否则操作的次序和分组并非限制性的。虽然本文中所公开的设备已参考特定结构、形状、材料、物质组成和关系等等加以描述,但这些描述和说明并非限制性的。可进行修改以将特定情形适用于本公开的目标、精神和范围。所有此类修改意图在所附权利要求书的范围内。