一种基于超表面结构的紧凑型集成偏振分束器转让专利

申请号 : CN202211374592.4

文献号 : CN115685443B

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发明人 : 王琳张磊尹坤

申请人 : 之江实验室

摘要 :

本发明公开了一种基于超表面结构的紧凑型集成偏振分束器,所述分束器由上至下共分为三层,分别为超表面硅层,SOI器件层和埋氧层,此三层结构被置于二氧化硅包层中,所述超表面硅层位于最上方,为带有正方形刻蚀孔的硅层,所述SOI器件层位于超表面硅层下方,为一个平板硅波导,所述埋氧层位于所述分束器最下方,其材料为二氧化硅材料,与所述SOI器件层一同由标准SOI工艺平台制成,所述分束器通过超表面硅层中刻蚀孔的不均匀分布来实现对输入光的TE基模与TM基模的分束,通过本发明可以实现硅光芯片内光的高效模式分束,可应用于硅基光电子芯片等领域,具有结构紧凑、易集成和设计复杂度低等特点。