镀覆装置

摘要

本发明提供能够提高形成于基板的镀覆膜的均匀性的镀覆装置。镀覆装置具备：镀覆槽；基板保持架，其用于保持基板；阳极，其以与被上述基板保持架保持的基板对置的方式配置于上述镀覆槽内；以及膜厚测量模块，其具有用于检测与形成于上述基板的被镀覆面的镀覆膜有关的参数的传感器，在镀覆处理过程中，基于上述传感器的检测值对上述镀覆膜的膜厚进行测量。

权利要求

1.一种镀覆装置，其特征在于，具备：

镀覆槽；

基板保持架，其用于保持基板；

阳极，其以与被所述基板保持架保持的基板对置的方式配置于所述镀覆槽内；

电阻体，其配置于所述阳极与所述基板之间，并用于调整电场；以及膜厚测量模块，其具有用于检测与形成于所述基板的被镀覆面的镀覆膜有关的参数的多个传感器，在镀覆处理过程中，基于所述多个传感器的检测值对所述镀覆膜的膜厚进行测量，所述多个传感器包括配置于位于所述基板与所述电阻体之间的第1位置的第1电位传感器、和配置于与所述第1位置相比没有电位变化的第2位置的第2电位传感器，所述膜厚测量模块通过测量所述第1位置与所述第2位置的电位差，而对所述镀覆膜的膜厚进行测量。

2.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，进一步具备镀覆条件调整模块，所述镀覆条件调整模块在镀覆处理过程中，基于由所述膜厚测量模块测量的所述镀覆膜的膜厚对镀覆条件进行调整。

3.根据权利要求2所述的镀覆装置，其特征在于，进一步具备遮蔽体，所述遮蔽体能够向介于所述基板的所述被镀覆面与所述阳极之间的遮蔽位置、和从所述基板的所述被镀覆面与所述阳极之间退避的退避位置移动，所述镀覆条件调整模块作为所述镀覆条件的调整，而对所述遮蔽体的位置进行调整。

4.根据权利要求2所述的镀覆装置，其特征在于，进一步具备驱动机构，所述驱动机构能够变更所述基板与所述电阻体的距离，所述镀覆条件调整模块作为所述镀覆条件的调整，而对所述基板与所述电阻体的距离进行变更。

5.根据权利要求2所述的镀覆装置，其特征在于，进一步具备阳极遮罩，所述阳极遮罩设置于所述阳极的上方，能够变更开口尺寸，所述镀覆条件调整模块作为所述镀覆条件的调整，而对所述阳极遮罩的所述开口尺寸进行变更。

6.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，所述膜厚测量模块构成为基于所述多个传感器的检测信号，对镀覆处理过程中的所述基板内的镀覆电流的分布进行推定。

7.根据权利要求6所述的镀覆装置，其特征在于，所述膜厚测量模块构成为基于推定出的所述基板内的镀覆电流的分布，对所述基板内的所述镀覆膜的膜厚分布进行推定。

8.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，进一步具备使所述基板保持架旋转的旋转机构，所述膜厚测量模块构成为伴随着所述旋转机构使所述基板旋转，而对所述镀覆膜的膜厚进行测量。

9.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，所述第1电位传感器从所述基板的外周部到内周部设置有多个。

10.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，所述第1电位传感器沿着所述基板的外缘设置有多个。

11.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，所述膜厚测量模块构成为在镀覆处理过程中使所述第1电位传感器沿着所述基板的板面移动。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，所述基板保持架构成为在所述镀覆槽内以使所述被镀覆面朝向下方的状态来保持所述基板。

13.根据权利要求1～11中任一项所述的镀覆装置，其特征在于，所述基板保持架构成为在所述镀覆槽内以使所述被镀覆面朝向侧面的状态来保持所述基板。

说明书

镀覆装置

技术领域

[0001] 本申请涉及镀覆装置。

背景技术

[0002] 作为镀覆装置的一个例子，公知有杯式的电镀装置(例如，参照专利文献1)。杯式的电镀装置通过使被镀覆面朝向下方而被基板保持架保持的基板(例如半导体晶圆)浸渍于镀覆液，并在基板与阳极之间施加电压，从而在基板的表面析出导电膜。

[0003] 在镀覆装置中，通常，使用者基于实施镀覆处理的基板的成为目标的镀覆膜厚、实际镀覆面积，预先设定镀覆电流值及镀覆时间等参数，来作为镀覆处理方案，基于设定好的处理方案进行镀覆处理(例如，参照专利文献2)。而且，相对于同一载体的多个晶圆，以同一处理方案进行镀覆处理。另外，在对镀覆处理后的镀覆膜厚进行测量的情况下，通常在载体内的全部晶圆的镀覆处理结束之后，装有晶圆的载体逐一从镀覆装置向其他的膜厚测量装置输送，而单独地测量膜厚及晶圆面内的轮廓。

[0004] 专利文献1：日本特开2008－19496号公报

[0005] 专利文献2：日本特开2002－105695号公报

[0006] 在镀覆装置中，即使相对于同一载体的基板以同一工艺条件进行镀覆处理，也存在因基板的尺寸公差或因镀覆槽内的镀覆液的状态的变化等而在形成于每个基板的镀覆膜的膜厚产生偏差的担忧。另外，即使对多个基板的每一个的平均膜厚进行调整，也存在在同一基板内因部位不同而在镀覆膜厚产生偏差的情况。

发明内容

[0007] 鉴于以上的实际情况，本申请的目的之一在于提供能够提高形成于基板的镀覆膜的均匀性的镀覆装置。

[0008] 根据一个实施方式，提供一种镀覆装置，该镀覆装置具备：镀覆槽；基板保持架，其用于保持基板；阳极，其以与被上述基板保持架保持的基板对置的方式配置于上述镀覆槽内；以及膜厚测量模块，其具有用于检测与形成于上述基板的被镀覆面的镀覆膜有关的参数的传感器，在镀覆处理过程中，基于上述传感器的检测值对上述镀覆膜的膜厚进行测量。

附图说明

[0009] 图1是表示第1实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。

[0010] 图2是表示第1实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。

[0011] 图3是示意性地表示第1实施方式的镀覆模块的结构的纵向剖视图。

[0012] 图4是表示本实施方式中的白色共焦式传感器及基板剖面的一个例子的图。

[0013] 图5是表示白色共焦式传感器的信号检测值的一个例子的图。

[0014] 图6是表示白色共焦式传感器的信号检测值的一个例子的图。

[0015] 图7是从下方观察第1实施方式的遮蔽体与基板的示意图。

[0016] 图8是表示通过第1实施方式的控制模块来调整镀覆条件的一个例子的图。

[0017] 图9是示意性地表示第1实施方式的变形例的镀覆模块的结构的纵向剖视图。

[0018] 图10是示意性地表示第2实施方式的镀覆模块的结构的纵向剖视图。

[0019] 图11是从与基板Wf的板面垂直的方向表示本实施方式的镀覆槽内的基板与传感器的示意图。

[0020] 图12是表示变形例的镀覆槽内的基板与传感器的示意图。

[0021] 图13是表示变形例的镀覆槽内的基板与传感器的示意图。

具体实施方式

[0022] 以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。在以下说明的附图中，对相同或相当的构成要素标注相同的附图标记，并省略重复的说明。

[0023] ＜第1实施方式＞

[0024] ＜镀覆装置的整体结构＞

[0025] 图1是表示第1实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。图2是表示第1实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。本实施方式的镀覆装置被使用于对基板实施镀覆处理。基板包括方形基板、圆形基板。如图1、2所示，镀覆装置1000具备：装载/卸载模块100、输送机器人110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、自旋冲洗干燥模块600、输送装置700以及控制模块800。

[0026] 装载/卸载模块100是用于将半导体晶圆等基板搬入镀覆装置1000或将基板从镀覆装置1000搬出的模块，搭载有用于收容基板的盒。在本实施方式中，4台装载/卸载模块100在水平方向并列配置，但装载/卸载模块100的数量及配置是任意的。输送机器人110是用于输送基板的机器人，构成为在装载/卸载模块100、对准器120及输送装置700之间交接基板。输送机器人110及输送装置700能够在输送机器人110与输送装置700之间交接基板时，经由未图示的暂置台进行基板的交接。对准器120是用于将基板的定向平面(orientation flat)、凹槽等的位置对准规定方向的模块。在本实施方式中，2台对准器120在水平方向并列配置，但对准器120的数量及配置是任意的。

[0027] 预湿模块200是用于使纯水或脱气水等处理液(预湿液)附着于镀覆处理前的基板的被镀覆面的模块。在本实施方式中，2台预湿模块200在上下方向并列配置，但预湿模块200的数量及配置是任意的。预浸模块300是用于对镀覆处理前的基板的被镀覆面的氧化膜进行蚀刻的模块。在本实施方式中，2台预浸模块300在上下方向并列配置，但预浸模块300的数量及配置是任意的。

[0028] 镀覆模块400是用于对基板实施镀覆处理的模块。在本实施方式中，存在2组在上下方向并列配置有3台且在水平方向并列配置有4台的12台镀覆模块400的组，合计设置有24台镀覆模块400，但镀覆模块400的数量及配置是任意的。

[0029] 清洗模块500是用于清洗镀覆处理后的基板的模块。在本实施方式中，2台清洗模块500在上下方向并列配置，但清洗模块500的数量及配置是任意的。自旋冲洗干燥模块600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而干燥的模块。在本实施方式中，2台自旋冲洗干燥模块在上下方向并列配置，但自旋冲洗干燥模块的数量及配置是任意的。

[0030] 输送装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块之间输送基板的装置。控制模块800是用于控制镀覆装置1000的多个模块的模块，例如能够由具备与操作人员之间的输入输出接口的通常发计算机或专用计算机构成。

[0031] 对镀覆装置1000的一系列的镀覆处理的一个例子进行说明。首先，将基板搬入装载/卸载模块100。接着，输送机器人110从装载/卸载模块100取出基板，并将基板输送至对准器120。对准器120将定向平面、凹槽等的位置对准规定方向。输送机器人110将由对准器120对准了方向的基板向输送装置700交接。

[0032] 输送装置700将从输送机器人110接收到的基板向预湿模块200输送。预湿模块200对基板实施预湿处理。输送装置700将实施了预湿处理的基板向预浸模块300输送。预浸模块300对基板实施预浸处理。输送装置700将实施了预浸处理的基板向镀覆模块400输送。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。

[0033] 输送装置700将实施了镀覆处理的基板向清洗模块500输送。清洗模块500对基板实施清洗处理。输送装置700将实施了清洗处理的基板向自旋冲洗干燥模块600输送。自旋冲洗干燥模块600对基板实施干燥处理。输送装置700将实施了干燥处理的基板向输送机器人110交接。输送机器人110将从输送装置700接收到的基板向装载/卸载模块100输送。最后，从装载/卸载模块100搬出基板。

[0034] ＜镀覆模块的结构＞

[0035] 接下来，对镀覆模块400的结构进行说明。本实施方式中的24台镀覆模块400是相同结构，因此仅对1台镀覆模块400进行说明。图3是示意性地表示第1实施方式的镀覆模块400的结构的纵向剖视图。如图3所示，镀覆模块400具备用于收容镀覆液的镀覆槽410。镀覆槽410构成为包括上表面开口的圆筒形的内槽412、和以存积从内槽412的上缘溢流出的镀覆液的方式设置于内槽412的周围的未图示的外槽。

[0036] 镀覆模块400具备基板保持架440，该基板保持架440用于在使被镀覆面Wf－a朝向下方的状态下保持基板Wf。另外，基板保持架440具备供电接点，该供电接点用于从未图示的电源向基板Wf供电。镀覆模块400具备用于使基板保持架440升降的升降机构442。另外，在一个实施方式中，镀覆模块400具备使基板保持架440绕铅垂轴旋转的旋转机构448。升降机构442及旋转机构448例如能够通过马达等公知的机构来实现。

[0037] 镀覆模块400具备将内槽412的内部在上下方向隔开的膜420。内槽412的内部被膜420分隔成阴极区域422与阳极区域424。在阴极区域422与阳极区域424分别填充有镀覆液。
此外，在本实施方式中，示出了设置有膜420的一个例子，但也可以不设置膜420。

[0038] 在阳极区域424的内槽412的底面设置有阳极430。另外，在阳极区域424配置有用于调整阳极430与基板Wf之间的电解的阳极遮罩426。阳极遮罩426例如是由电介质材料构成的大致板状的部件，设置于阳极430的前表面(上方)。阳极遮罩426具有供在阳极430与基板Wf之间流动的电流通过的开口。在本实施方式中，阳极遮罩426构成为能够变更开口尺寸，通过控制模块800来调整开口尺寸。这里，在开口为圆形的情况下，开口尺寸是指直径，在开口为多边形的情况下，开口尺寸是指一边的长度或最长的开口宽度。此外，阳极遮罩426中的开口尺寸的变更能够采用公知的机构。另外，在本实施方式中，示出了设置有阳极遮罩426的一个例子，但也可以不设置阳极遮罩426。另外，上述的膜420也可以设置于阳极遮罩426的开口。

[0039] 在阴极区域422配置有与膜420对置的电阻体450。电阻体450是用于实现基板Wf的被镀覆面Wf－a中的镀覆处理的均匀化的部件。在本实施方式中，电阻体450构成为通过驱动机构452能够在镀覆槽410内在上下方向移动，通过控制模块800来调整电阻体450的位置。但是，不限定于该例，作为一个例子，电阻体450也可以以在镀覆槽410内无法移动的方式固定于镀覆槽410。另外，模块400也可以不具有电阻体450。

[0040] 另外，在阴极区域422设置有传感器460。传感器460支承于传感器支承体468。此外，传感器460也可以取代传感器支承体468而支承于内槽412的侧壁或电阻体450。另外，传感器支承体468也可以是用于搅拌镀覆液的搅棒。这里，搅棒优选是与基板Wf的板面平行地移动来搅拌镀覆液的部件，但不限定于该例。在本实施方式中，沿着基板Wf的径向设置有多个传感器460。但是，不限定于该例，在镀覆模块400中只要设置至少1个传感器460即可。传感器460的检测信号被输入控制模块800。在本实施方式中，传感器460与控制模块800相当于用于测量形成于基板Wf的被镀覆面Wf－a的镀覆膜的膜厚的“膜厚测量模块”的一个例子。传感器460是检测与形成于基板Wf的被镀覆面Wf－a的镀覆膜有关的参数的部件，作为一个例子，能够采用测量传感器460与基板Wf(镀覆膜)的距离的距离传感器，或测量基板Wf的被镀覆面Wf－a的位移的位移传感器。另外，作为传感器460，也可以采用用于推定镀覆膜的形成速度以作为与镀覆膜有关的参数的传感器。具体而言，作为传感器460，例如能够使用白色共焦式等光学传感器、电位传感器、磁场传感器或涡电流式传感器。

[0041] ＜白色共焦式传感器＞

[0042] 图4是表示本实施方式的白色共焦式传感器及基板剖面的一个例子的图，图5及图6是表示白色共焦式传感器的信号检测值的一个例子的图。如图4所示，在用于实施镀覆处理的基板Wf预先形成有抗蚀剂图案。白色共焦式传感器(传感器460)具有：光源462，其产生具有多个波长成分的照射光；受光部464，其接受来自基板Wf的反射光；以及处理部466，其基于由受光部464接受的光的波长成分对至基板Wf为止的距离进行测量。

[0043] 在将照射光照射至基板Wf中的被施加抗蚀剂的区域(以下，也称为“抗蚀剂区域”)Rp时，照射光的一部分被抗蚀剂表面反射。由此，表示至抗蚀剂为止的距离(图5中的A1)的信号强度被较大示出，作为由处理部466计算出的至基板Wf为止的距离。另外，照射光的另一部分透过抗蚀剂而被抗蚀剂里侧的基板Wf的表面反射。由此，表示至抗蚀剂里侧的基板Wf表面为止的距离(图5中的A2)的信号强度被较大示出，作为由处理部466计算出的至基板Wf为止的距离。此外，在抗蚀剂区域Rp不形成镀覆，因此在抗蚀剂区域Rp中，即使进行镀覆处理，传感器460的检测结果也不变化。

[0044] 在将照射光照射至基板Wf中的抗蚀剂开口区域(未被施加抗蚀剂的区域)Op时，照射光主要被基板Wf的表面反射。由此，表示抗蚀剂开口区域Op中的至基板Wf表面为止的距离(图6中的A3)的信号强度被较大示出，作为由处理部466计算出的至基板Wf为止的距离。在抗蚀剂开口区域Op中，通过进行镀覆处理而形成镀覆膜，由传感器460(处理部466)检测出的至基板Wf为止的距离发生变化。

[0045] 这样，在白色共焦式传感器中，抗蚀剂区域Rp中的至抗蚀剂里侧的基板Wf表面为止的距离、与抗蚀剂开口区域Op中的至基板Wf表面为止的距离之差(图6中的th)相当于镀覆膜厚。此外，在使用白色共焦式传感器的情况下，控制模块800优选存储抗蚀剂区域Rp的检测信号的平均，作为初始处理。作为一个例子，控制模块800优选在基板Wf通过基板保持架440的旋转机构448最初旋转1圈或多圈的期间存储抗蚀剂区域Rp的检测信号的平均。此外，控制模块800可以不使用传感器460得到的抗蚀剂区域Rp与抗蚀剂开口区域Op的边界区域的检测信号，也可以将传感器460得到的抗蚀剂区域Rp与抗蚀剂开口区域Op的边界区域的检测信号使用为用于校正基板Wf中的检测位置等的信息。但是，由于通过抗蚀剂的光与环境的折射率不同，所以在推定镀覆膜厚th时，需要基于光学原理将测量信号中的距离换算成实际的距离。

[0046] ＜电位传感器、磁场传感器＞

[0047] 在作为传感器460而采用电位传感器或磁场传感器的情况下，传感器460能够推定形成于被镀覆面Wf－a的镀覆的形成速度，而不用将基板Wf的被镀覆面Wf－a直接作为检测对象。传感器460对基板Wf与阳极430之间的配置有传感器460的场所的电位或磁场进行检测，控制模块800或传感器460(膜厚测量模块)基于检测值对被镀覆面Wf－a的镀覆的形成速度进行计算。这是基于镀覆处理中的镀覆电流与电位或磁场会相关。以从镀覆开始时起计算出的镀覆的形成速度的时间变化为基础，能够推定当前的镀覆膜厚。基于由传感器460检测出的电位或磁场的镀覆膜厚的推定能够采用公知的方法。作为一个例子，膜厚测量模块能够基于检测信号来推定镀覆处理中的基板内的镀覆电流分布，基于推定出的镀覆电流的分布来推定基板内的镀覆膜的膜厚分布。此外，特别是在电位的情况下，优选在相比较而没有电位变化的场所也放置电位测量传感器，取得与此处的电位之差。由于电位差的测量值的变化非常小，所以容易受到噪声的影响。为了减小噪声，优选在镀覆液中设置独立的电极，并将其直接接地。在该情况下，设置于镀覆槽中的电极进一步优选至少放置5个，用于镀覆的基板(阴极)、阳极、2个电位传感器(测量2个电位差)、以及地线。

[0048] ＜涡电流式传感器＞

[0049] 在作为传感器460而采用涡电流式传感器的情况下，传感器460检测由基板Wf的涡电流形成的交链磁通，基于检测出的交链磁通，对基板Wf的镀覆膜厚进行检测。此外，根据本发明人们的研究，可知在作为传感器460而采用了涡电流式传感器的情况下，相较于采用了其他传感器的情况，检测精度变低。这被认为是因施加于基板Wf的抗蚀剂的影响所导致的。

[0050] ＜终点检测、终点预测＞

[0051] 另外，控制模块800或传感器460(膜厚测量模块)可以基于传感器460的检测值进行镀覆处理的终点检测，也可以进行至镀覆处理的终点为止的时间预测，作为一个例子，膜厚测量模块也可以基于传感器460的检测值，在镀覆膜的膜厚成为所希望的厚度时，结束镀覆处理。另外，作为一个例子，膜厚测量模块也可以基于传感器460的检测值，计算镀覆膜的膜厚增加速度，从而预测至成为所希望的厚度为止的时间，即至镀覆处理的终点为止的时间。

[0052] ＜遮蔽体＞

[0053] 返回镀覆模块400的结构的说明。在一个实施方式中，在阴极区域422设置有用于遮蔽从阳极430向基板Wf流动的电流的遮蔽体470。遮蔽体470例如是由电介质材料构成的大致板状的部件。图7是从下方观察本实施方式的遮蔽体470与基板Wf的示意图。此外，在图7中，省略了对基板Wf进行保持的基板保持架440的图示。遮蔽体470构成为能够向介于基板Wf的被镀覆面Wf－a与阳极430之间的遮蔽位置(在图3及图7中，用虚线表示的位置)、和从被镀覆面Wf－a与阳极430之间退避的退避位置(在图3及图4中，用实线表示的位置)移动。
换言之，遮蔽体470构成为能够向作为被镀覆面Wf－a的下方的遮蔽位置、和远离被镀覆面Wf－a的下方的退避位置移动。遮蔽体470的位置通过未图示的驱动机构由控制模块800控制。遮蔽体470的移动能够通过马达或螺线管等公知的机构来实现。在图3及图7所示的例子中，遮蔽体470在遮蔽位置遮蔽基板Wf的被镀覆面Wf－a的外周区域的周向的一部分。另外，在图7所示的例子中，遮蔽体470形成为朝向基板Wf的中央方向变细的锥状。但是，不限定于该例，遮蔽体470能够使用通过实验等预先决定的任意的形状。

[0054] ＜镀覆处理＞

[0055] 接下来，对本实施方式的镀覆模块400的镀覆处理更加详细地进行说明。使用升降机构442使基板Wf浸渍于阴极区域422的镀覆液，由此基板Wf暴露于镀覆液中。镀覆模块400在该状态下对阳极430与基板Wf之间施加电压，由此能够对基板Wf的被镀覆面Wf－a实施镀覆处理。另外，在一个实施方式中，一边使用旋转机构448使基板保持架440旋转一边进行镀覆处理。通过镀覆处理，在基板Wf－a的被镀覆面Wf－a析出导电膜(镀覆膜)。在本实施方式中，在镀覆处理过程中，进行基于传感器460的实时的检测。而且，控制模块800基于传感器460的检测值，对镀覆膜的膜厚进行测量。由此，能够在镀覆处理中对形成于基板Wf的被镀覆面Wf－a的镀覆膜的膜厚变化实时地进行测量。

[0056] 另外，在图3所示的例子中，镀覆模块400具备多个用于测量镀覆膜的膜厚的传感器460，从而能够测量被镀覆面Wf－a的多处的镀覆膜的膜厚。另外，伴随着基板保持架440(基板Wf)的旋转而进行基于传感器460的检测，由此能够变更传感器460的检测位置，从而也能够测量基板Wf的周向的多个地点，或周向整体的膜厚。

[0057] 此外，镀覆模块400也可以在镀覆处理过程中变更旋转机构448使基板Wf旋转的旋转速度。作为一个例子，为了通过膜厚推定模块推定镀覆膜厚，镀覆模块400也可以使基板Wf缓慢旋转。作为一个例子，镀覆模块400也可以在镀覆处理过程中以第1旋转速度Rs1使基板Wf旋转，每隔规定期间(例如，每隔数秒)，在基板Wf旋转1圈或多圈的期间，使基板Wf以比第1旋转速度Rs1慢的第2旋转速度Rs2旋转。如此一来，特别是在传感器460的取样周期相对于基板Wf的旋转速度较小的情况下，也能够高精度地推定基板Wf的镀覆膜厚。这里，第2旋转速度Rs2也可以为第1旋转速度Rs1的十分之一的速度等。

[0058] 这样，根据本实施方式的镀覆装置1000，能够测量镀覆处理过程中的镀覆膜的膜厚变化。参照这样测量出的镀覆膜的膜厚变化，能够调整包含下次及下次以后的镀覆处理的镀覆电流值、镀覆时间、电阻体450的位置、阳极遮罩426的开口尺寸以及遮蔽体470的位置的至少1个在内的镀覆条件。此外，镀覆条件的调整可以由镀覆装置1000的使用者进行，也可以由控制模块800进行。此外，在本实施方式中，控制模块800相当于“镀覆条件调整模块”的一个例子。作为一个例子，通过控制模块800调整镀覆条件可以基于通过实验等被预先决定的条件式或程序等来进行。

[0059] 镀覆条件的调整可以在对其他基板Wf进行镀覆时进行，也可以实时进行当前的镀覆处理中的镀覆条件的调整。作为一个例子，控制模块800也可以调整遮蔽体470的位置。作为通过控制模块800调整镀覆条件的一个例子，图8示出了镀覆处理过程中的遮蔽体470的位置的调整的一个例子。在图8所示的例子中，伴随着基板Wf的旋转，通过传感器460对基板Wf外周附近的规定的检测点Sp(参照图7)进行检测，由此能够测量基板Wf的周向(参照图7中的单点划线)的膜厚变化。图8的上层示出了横轴为周向位置θ，纵轴为膜厚th的膜厚变化。在图8所示的例子中，形成于θ1～θ2的区域的镀覆膜的膜厚th比其他区域小。在这种情况下，控制模块800也可以调整伴随着基板Wf的旋转的遮蔽体470的位置，以便在膜厚th较小的θ1～θ2的区域遮蔽体470向退避位置移动(在图8中为“OFF”)，在其他区域遮蔽体470向遮蔽位置移动(在图8中为“ON”)。如此一来，能够使形成于θ1～θ2的区域的镀覆的量增多，来提高形成于基板Wf的镀覆膜的均匀性。

[0060] 另外，控制模块800也可以调整基板Wf与电阻体450的距离，作为镀覆条件的实时的调整。根据本发明人们的研究，可知基板Wf与电阻体450的距离对形成于基板Wf的外周附近的镀覆的量影响比较大，相比较不会对形成于基板Wf的中央侧区域的镀覆的量给予影响。因此，作为一个例子，控制模块800能够在外周附近的镀覆膜的膜厚比目标大时，使基板Wf与电阻体450的距离接近，在外周附近的镀覆膜的膜厚比目标小时，使基板Wf与电阻体450的距离变远。另外，控制模块800也可以控制成：遮蔽体470位于遮蔽位置的时间越长，使基板Wf与电阻体450的距离越远，遮蔽体470位于遮蔽位置的时间越短，使基板Wf与电阻体
450的距离越近。如此一来，能够调整形成于基板Wf的外周附近的镀覆的量，来提高形成于基板Wf的镀覆膜的均匀性。此外，作为一个例子，控制模块800能够驱动升降机构442来调整基板Wf与电阻体450的距离。但是，不限定于该例，控制模块800也可以通过驱动机构452使电阻体450移动来调整基板Wf与电阻体450的距离。

[0061] 另外，控制模块800也可以调整阳极遮罩426的开口尺寸，作为镀覆条件的实时的调整。作为一个例子，控制模块800也可以在外周附近的镀覆膜的膜厚比目标大时，减小阳极遮罩426的开口尺寸，在外周附近的镀覆膜的膜厚比目标小时，增大阳极遮罩426的开口尺寸。

[0062] ＜变形例＞

[0063] 图9是示意性地表示第1实施方式的变形例的镀覆模块的结构的纵向剖视图。针对变形例的镀覆模块400，对与第1实施方式的镀覆模块400重复的部分省略说明。在变形例的镀覆模块400中，用于支承传感器460的传感器支承体468构成为能够通过驱动机构468a移动。由此，能够使被传感器支承体468支承的传感器460移动，从而能够变更传感器460的检测位置。此外，虽未限定，但驱动机构468a也可以构成为使传感器460沿着基板Wf的径向移动。另外，在图9所示的例子中，单一的传感器460被安装于传感器支承体468，但不限定于该例，也可以构成为将多个传感器460支承于传感器支承体468并能够通过驱动机构468a来移动。

[0064] ＜第2实施方式＞

[0065] 图10是示意性地表示第2实施方式的镀覆模块400A的结构的纵向剖视图。在第2实施方式中，基板Wf被保持为沿铅垂方向延伸，即板面朝向水平方向。如图10所示，镀覆模块400A具备在内部保持镀覆液的镀覆槽410A、配置于镀覆槽410A内的阳极430A以及基板保持架440A。在第2实施方式中，将方形基板作为基板Wf并以此为例进行说明，但与第1实施方式相同，基板Wf包括方形基板、圆形基板。

[0066] 阳极430A配置为在镀覆槽内与基板Wf的板面对置。阳极430A与电源90的正极连接，基板Wf经由基板保持架440A与电源90的负极连接。若对阳极430A与基板Wf之间施加电压，则电流在基板Wf流动，在镀覆液的存在下在基板Wf的表面形成金属膜。

[0067] 镀覆槽410A具备在内部配置有基板Wf及阳极430A的内槽412A、和与内槽412A邻接的溢流槽414A。内槽412A内的镀覆液越过内槽412A的侧壁流入溢流槽414A内。

[0068] 在溢流槽414A的底部连接有镀覆液循环线58a的一端，镀覆液循环线58a的另一端与内槽412A的底部连接。在镀覆液循环线58a安装有循环泵58b、恒温单元58c以及过滤器58d。镀覆液从内槽412A的侧壁溢流而流入溢流槽414A，进一步从溢流槽414A通过镀覆液循环线58a返回镀覆液存积槽52。这样，镀覆液通过镀覆液循环线58a在内槽412A与溢流槽
414A之间循环。

[0069] 镀覆模块400A进一步具备对基板Wf上的电位分布进行调整的调整板(Regulation plate)454、和对内槽412A内的镀覆液进行搅拌的搅棒416。调整板454配置于搅棒416与阳极430A之间，并具有用于限制镀覆液中的电场的开口452a。搅棒416配置于内槽412A内的被基板保持架440A保持的基板Wf的表面附近。搅棒416例如由钛(Ti)或树脂构成。搅棒416与基板Wf的表面平行地往复运动，由此搅拌镀覆液，以便在基板Wf的镀覆过程中将足够的金属离子均匀地供给至基板Wf的表面。

[0070] 另外，镀覆模块400A具有用于测量基板Wf的镀覆膜厚的传感器460A。图11是从与基板Wf的板面垂直的方向表示本实施方式中的镀覆槽内的基板Wf与传感器460A的示意图。在图10及图11所示的例子中，传感器460A安装于搅棒416。虽未限定，但在图11所示的例子中，在基板Wf的被镀覆面的附近配置有2个搅棒416，在2个搅棒416分别各安装有2个传感器
460A。在图10及图11所示的例子中，搅棒416与基板Wf的表面平行地往复运动，由此搅拌镀覆液，并且变更传感器460A的检测位置。此外，不限定于该例，传感器460A可以安装于内槽
412A，也可以支承于与搅棒416不同的未图示的传感器支承体468。另外，作为传感器460A，能够采用与第1实施方式的传感器460相同的传感器。传感器460A的检测信号被输入控制模块800A。

[0071] 在这样的第2实施方式的镀覆模块400A中，能够与第1实施方式的镀覆模块400相同地在镀覆处理过程中进行基于传感器460A的实时的检测。而且，控制模块800A基于传感器460A的检测值，对镀覆膜的膜厚进行测量。由此，能够在镀覆处理中实时地测量形成于基板Wf的被镀覆面的镀覆膜的膜厚变化。另外，控制模块800A也能够基于镀覆膜的膜厚，与在第1实施方式中说明的内容相同地调整镀覆条件。

[0072] ＜变形例＞

[0073] 图12是表示变形例中的镀覆槽内的基板Wf与传感器460A的示意图。在图12所示的例子中，4个传感器460A被设置于被镀覆面的接近4角的位置，并构成为能够通过未图示的驱动机构从4角朝向内侧移动。特别是在方形基板中，存在基板Wf的角部附近的膜厚分布对面内均匀性给予较大影响的倾向，因此通过这样的传感器460A的配置，能够测量基板Wf中的适当位置的膜厚。此外，在图12所示的例子中，设置4个传感器460A，但也可以设置1～3个或5个以上的传感器460A。另外，传感器460A也可以构成为相互同步对称移动。

[0074] 图13是表示其他变形例中的镀覆槽内的基板Wf与传感器460A的示意图。在图13所示的例子中，2个传感器460A被设置于被镀覆面的接近长边的位置，并构成为能够通过未图示的驱动机构沿长边移动。特别是在方形基板中，存在基板Wf的缘部附近的膜厚分布对面内均匀性给予较大影响的倾向，因此通过这样的传感器460A的配置，能够测量基板Wf中的适当位置的膜厚。此外，在图13所示的例子中，设置2个传感器460A，但也可以设置1个或3个以上的传感器460A。另外，传感器460A也可以构成为相互同步对称移动。

[0075] 本发明也能够记载为以下的方式。

[0076] [方式1]根据方式1，提供一种镀覆装置，上述镀覆装置具备：镀覆槽；基板保持架，其用于保持基板；阳极，其以与被上述基板保持架保持的基板对置的方式配置于上述镀覆槽内；以及膜厚测量模块，其具有用于检测与形成于上述基板的被镀覆面的镀覆膜有关的参数的传感器，在镀覆处理过程中，基于上述传感器的检测值对上述镀覆膜的膜厚进行测量。

[0077] 根据方式1，能够在镀覆处理过程中测量镀覆膜的膜厚。由此，能够实现形成于基板的镀覆膜的均匀性的提高。

[0078] [方式2]根据方式2，在方式1的基础上，进一步具备镀覆条件调整模块，上述镀覆条件调整模块在镀覆处理过程中，基于由上述膜厚测量模块测量的上述镀覆膜的膜厚对镀覆条件进行调整。

[0079] 根据方式2，能够提高形成于基板的镀覆膜的均匀性。

[0080] [方式3]根据方式3，在方式2的基础上，进一步具备遮蔽体，上述遮蔽体能够向介于上述基板的上述被镀覆面与上述阳极之间的遮蔽位置、和从上述基板的上述被镀覆面与上述阳极之间退避的退避位置移动，上述镀覆条件调整模块作为上述镀覆条件的调整，而对上述遮蔽体的位置进行调整。

[0081] 根据方式3，能够使用遮蔽体来提高形成于基板的镀覆膜的均匀性。

[0082] [方式4]根据方式4，在方式2或3的基础上，进一步具备：电阻体，其配置于上述阳极与上述基板之间；以及驱动机构，其能够变更上述基板与上述电阻体的距离，上述镀覆条件调整模块作为上述镀覆条件的调整，而对上述基板与上述电阻体的距离进行变更。

[0083] 根据方式4，调整基板与电阻体的距离，能够提高形成于基板的镀覆膜的均匀性。

[0084] [方式5]根据方式5，在方式2～4的基础上，进一步具备阳极遮罩，上述阳极遮罩设置于上述阳极的上方，能够变更开口尺寸，上述镀覆条件调整模块作为上述镀覆条件的调整，而对上述阳极遮罩的上述开口尺寸进行变更。

[0085] 根据方式5，调整阳极遮罩的开口尺寸，能够提高形成于基板的镀覆膜的均匀性。

[0086] [方式6]根据方式6，在方式1～5的基础上，上述传感器是白色共焦式或涡电流式的传感器。

[0087] 根据方式6，能够通过传感器检测基板的被镀覆面。

[0088] [方式7]根据方式7，在方式1～5的基础上，上述传感器是磁场传感器或电位传感器。

[0089] 根据方式7，能够通过传感器检测镀覆槽内的磁场或电位。

[0090] [方式8]根据方式8，在方式7的基础上，上述膜厚测量模块构成为基于上述传感器的检测信号，对镀覆处理过程中的上述基板内的镀覆电流分布进行推定。

[0091] [方式9]根据方式9，在方式8的基础上，上述膜厚测量模块构成为基于推定出的上述基板内的镀覆电流的分布，对上述基板内的上述镀覆膜的膜厚分布进行推定。

[0092] [方式10]根据方式10，在方式1～9的基础上，进一步具备使上述基板保持架旋转的旋转机构，上述膜厚测量模块构成为伴随着上述旋转机构使上述基板旋转，而对上述镀覆膜的膜厚进行测量。

[0093] 根据方式10，能够使基板旋转来变更传感器对基板的检测位置，从而能够更适当地检测在镀覆处理过程中形成于基板的镀覆膜。

[0094] [方式11]根据方式11，在方式1～10的基础上，上述传感器从上述基板的外周部到内周部设置有多个。

[0095] 根据方式11，能够测量基板的多个位置的镀覆膜的膜厚。

[0096] [方式12]根据方式12，在方式1～10的基础上，上述传感器沿着上述基板的外缘设置有多个。

[0097] 根据方式12，能够测量基板的多个位置的镀覆膜的膜厚。

[0098] [方式13]根据方式13，在方式1～10的基础上，上述膜厚测量模块构成为在镀覆处理过程中使上述传感器沿着上述基板的板面移动。

[0099] 根据方式13，能够测量基板的多个位置的镀覆膜的膜厚。

[0100] [方式14]根据方式14，在方式1～13的基础上，上述基板保持架构成为在上述镀覆槽内以使上述被镀覆面朝向下方的状态来保持上述基板。

[0101] [方式15]根据方式15，在方式1～13的基础上，上述基板保持架构成为在上述镀覆槽内以使上述被镀覆面朝向侧面的状态来保持上述基板。

[0102] 以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述发明的实施方式用于容易理解本发明，不对本发明进行限定。本发明能够不脱离其主旨地进行变更、改进，且本发明当然包含其等同物。另外，在能够解决上述课题的至少一部分的范围或起到效果的至少一部分的范围内能够进行实施方式及变形例的任意的组合，能够将在权利要求书及说明书中记载的各构成要素任意地组合或省略。

[0103] 附图标记说明

[0104] 400、400A…镀覆模块；410、410A…镀覆槽；416…搅棒；420…膜；426…阳极遮罩；430、430A…阳极；440、440A…基板保持架；442…升降机构；448…旋转机构；450…电阻体；
452…驱动机构；454…调整板；460、460A…传感器；462…光源；464…受光部；466…处理部；
470…遮蔽体；800、800A…控制模块；1000…镀覆装置；Wf…基板；Wf－a…被镀覆面。