量子点膜及其制备方法、光电器件、显示装置、量子点发光器件的制备方法

摘要

一种量子点膜及其制备方法、光电器件、显示装置、量子点发光器件的制备方法，所述量子点膜由含有配体的量子点形成，所述配体为卤素离子；所述量子点膜的制备方法包括：S100：采用含有油溶性配体的量子点制备初始量子点膜；S200：利用固态配体交换法，采用卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为卤素离子，以及使所述卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为卤素离子的量子点膜。本公开实施例的量子点膜表面的配体为空间位阻小的卤素离子，膜层荧光量子产率高，用该量子点膜制成的器件的俄歇复合中心少，载流子注入高，器件效率高，寿命长。

权利要求

1.一种量子点膜，其特征在于，由含有配体的量子点形成，所述配体为卤素离子。

2.根据权利要求1所述的量子点膜，其特征在于，所述配体选自I‑、Br‑和Cl‑中的任意一种或多种。

3.根据权利要求2所述的量子点膜，其特征在于，所述配体选自I‑、Br‑和Cl‑中的两种或三种。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的量子点膜，其特征在于，所述量子点选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge和C中的任意一种或多种。

5.一种光电器件，其特征在于，所述光电器件为量子点发光器件、光电探测器、光伏器件、光响应晶体管、场响应晶体管中的任意一种，所述光电器件包括根据权利要求1至4中任一项所述的量子点膜。

6.根据权利要求5所述的光电器件，其特征在于，所述光电器件为量子点发光器件，所述量子点发光器件包括阳极、阴极、夹设在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层为根据权利要求1至4中任一项所述的量子点膜。

7.一种显示装置，其特征在于，包括多个如权利要求6所述的光电器件。

8.一种量子点膜的制备方法，其特征在于，包括：

S100：采用含有油溶性配体的量子点制备初始量子点膜；

S200：利用固态配体交换法，采用卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为卤素离子，以及使所述卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为卤素离子的量子点膜。

9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，步骤S200包括：S201：采用第一卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为第一卤素离子，以及使所述第一卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子的第一量子点膜；

S202：采用第二卤素的有机盐与所述第一量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子和第二卤素离子的第二量子点膜；

其中，所述第一卤素离子的粒径大于所述第二卤素离子的粒径。

10.根据权利要求9所述的制备方法，其特征在于，步骤S200还包括：在步骤S202之后，S203：采用第三卤素的有机盐与所述第二量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子、第二卤素离子和第三卤素离子的第三量子点膜；

其中，所述第二卤素离子的粒径大于所述第三卤素离子的粒径。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述第一卤素离子为I‑，所述第二卤素离子为Br‑，所述第三卤素离子为Cl‑。

12.根据权利要求8至11中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述配体交换或者所述配位反应包括：将卤素的有机盐溶解在溶剂中制成卤素的有机盐溶液；

将所述卤素的有机盐溶液滴在待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜上，静置第一时间段后旋干；或者，将待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜浸泡在所述卤素的有机盐溶液中，静置第二时间段后将量子点膜从所述卤素的有机盐溶液中取出并旋干；

用与配制所述卤素的有机盐溶液相同的溶剂清洗旋干后的量子膜表面。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述卤素的有机盐溶液的浓度为

2mg/mL至50mg/ml。

14.根据权利要求8至10中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述卤素的有机盐选自四丁基卤化铵、四丙基卤化铵和四戊基卤化铵中的任意一种或多种；所述卤素的有机盐中的卤素为I、Br或Cl。

15.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂为去离子水、乙腈、甲醇和乙醇中的任意一种或多种。

16.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述第一时间段为30秒至90秒。

17.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述第二时间段为10秒至120秒。

18.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括：

形成第一电极；

形成量子点发光层，所述量子点发光层为量子点膜，所述量子点膜由含有配体的量子点形成，所述配体为卤素离子；

形成第二电极。

19.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，所述形成量子点发光层包括：S100：采用含有油溶性配体的量子点制备初始量子点膜；

S200：利用固态配体交换法，采用卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为卤素离子，以及使所述卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为卤素离子的量子点膜，即得到所述量子点发光层。

20.根据权利要求19所述的制备方法，其特征在于，步骤S200包括：S201：采用第一卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为第一卤素离子，以及使所述第一卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子的第一量子点膜；

S202：采用第二卤素的有机盐与所述第一量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子和第二卤素离子的第二量子点膜；

其中，所述第一卤素离子的粒径大于所述第二卤素离子的粒径。

21.根据权利要求20所述的制备方法，其特征在于，步骤S200还包括：在步骤S202之后，S203：采用第三卤素的有机盐与所述第二量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子、第二卤素离子和第三卤素离子的第三量子点膜；

其中，所述第二卤素离子的粒径大于所述第三卤素离子的粒径。

22.根据权利要求21所述的制备方法，其特征在于，所述第一卤素离子为I‑，所述第二卤素离子为Br‑，所述第三卤素离子为Cl‑。

23.根据权利要求19至22中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述配体交换或者所述配位反应包括：将卤素的有机盐溶解在溶剂中制成卤素的有机盐溶液；

将所述卤素的有机盐溶液滴在待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜上，静置第一时间段后旋干；或者，将待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜浸泡在所述卤素的有机盐溶液中，静置第二时间段后将量子点膜从所述卤素的有机盐溶液中取出并旋干；

用与配制所述卤素的有机盐溶液相同的溶剂清洗旋干后的量子膜表面。

24.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于，所述卤素的有机盐溶液的浓度为

2mg/mL至50mg/ml。

25.根据权利要求19至21中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述卤素的有机盐选自四丁基卤化铵、四丙基卤化铵和四戊基卤化铵中的任意一种或多种；所述卤素的有机盐中的卤素为I、Br或Cl。

26.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂为去离子水、乙腈、甲醇和乙醇中的任意一种或多种。

27.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于，所述第一时间段为30秒至90秒。

28.根据权利要求23所述的制备方法，其特征在于，所述第二时间段为10秒至120秒。

29.根据权利要求19至22中任一项所述的制备方法，其特征在于，所述量子点选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge和C中的任意一种或多种；

所述初始量子点膜通过旋涂、蒸镀或喷墨打印的方法形成。

30.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；

在形成第一电极之后，形成量子点发光层之前，所述制备方法还包括：在所述第一电极上依次形成空穴注入层和空穴传输层；

所述形成量子点发光层包括：在所述空穴传输层上形成所述量子点发光层；

在形成量子点发光层之后，形成第二电极之前，所述制备方法还包括：在所述量子点发光层上形成电子传输层；

所述形成第二电极包括：在所述电子传输层上形成所述第二电极。

31.根据权利要求18所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；

在形成第一电极之后，形成量子点发光层之前，所述制备方法还包括：在所述第一电极上形成电子传输层；

所述形成量子点发光层包括：在所述电子传输层上形成所述量子点发光层；

在形成量子点发光层之后，形成第二电极之前，所述制备方法还包括：在所述量子点发光层上依次形成空穴传输层和空穴注入层；

所述形成第二电极包括：在所述空穴注入层上形成所述第二电极。

32.根据权利要求30或31所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极的材料为导电基板或沉积有第一透明导电氧化物的基板，所述第一透明导电氧化物选自氧化铟锡、氧化铟锌和氟掺杂氧化锡中的任意一种或多种；所述第二电极的材料为金属或第二透明导电氧化物，所述金属为Mg、Ag、Al及其合金，所述第二透明导电氧化物为氧化铟锌，所述第二电极通过蒸镀或溅射的方法形成。

33.根据权利要求30或31所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料选自聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐、NiO、MoO3、WoO3、V2O5、CuO、CuS、CuSCN和Cu:NiO中的任意一种或多种；所述空穴注入层通过旋涂、蒸镀或喷墨打印的方法形成。

34.根据权利要求33所述的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材料为聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐，其中，聚3,4‑乙烯二氧噻吩的成膜温度为130℃至150℃，成膜时匀胶机的转速为500rpm至2500rpm。

35.根据权利要求30或31所述的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层的材料选自聚(9,9‑二辛基芴‑CO‑N‑(4‑丁基苯基)二苯胺)、聚乙烯基咔唑、N,N′‑双(3‑甲基苯基)‑N,N′‑二苯基‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺和4,4'‑二(9‑咔唑)联苯中的任意一种或多种；所述空穴传输层通过旋涂、蒸镀或喷墨打印的方法形成。

36.根据权利要求30或31所述的制备方法，其特征在于，所述电子传输层为氧化锌纳米粒子薄膜或氧化锌溶胶凝胶薄膜；所述氧化锌纳米粒子薄膜的材料为氧化锌纳米粒子或掺杂型氧化锌纳米粒子，所述掺杂型氧化锌纳米粒子中掺杂的金属选自Mg、In、Al和Ga中的任意一种或多种。

37.根据权利要求36所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锌纳米粒子薄膜的制备过程包括：将氧化锌纳米粒子溶解在醇类溶剂中得到氧化锌纳米粒子醇溶液，将所述氧化锌纳米粒子醇溶液旋涂并加热成膜；

其中，所述氧化锌纳米粒子醇溶液成膜时的温度为25℃至120℃，旋涂速度为500rpm至

2500rpm。

38.根据权利要求36所述的制备方法，其特征在于，所述氧化锌溶胶凝胶薄膜的制备过程包括：将锌的前驱体溶解在溶剂中得到含锌前驱体的溶液，将所述含锌前驱体的溶液旋涂并加热成膜；

其中，所述含锌前驱体的溶液成膜时的温度为180℃至250℃，旋涂速度为1000rpm至

4000rpm，锌的前驱体为醋酸锌，溶解锌的前驱体的溶剂为乙醇胺与正丁醇的混合溶剂。

说明书

量子点膜及其制备方法、光电器件、显示装置、量子点发光器

件的制备方法

技术领域

[0001] 本公开实施例涉及但不限于显示技术领域，尤其涉及一种量子点膜及其制备方法、光电器件、显示装置和量子点发光器件的制备方法。

背景技术

[0002] 胶体量子点由于具有高的量子效率、窄的激发光谱、独特的尺寸依赖激发光谱和良好的溶液加工兼容性等优异特性，在高色彩质量显示方面有着巨大的应用潜力。量子点发光二极管(Quantum dot light‑emitting diode,QLED)是基于量子点的电致发光器件，其以量子点作为发光层，与有机发光二极管相比有很大的优越性，有望成为下一代显示技术的核心。近年来，随着量子点电致发光技术的不断发展，已经有少量相关的显示产品投入市场，但是距离大规模量产仍然有很远的距离，主要原因是器件效率仍偏低，寿命也需要继续提升。而器件性能重要的决定因素在于发光材料的性能，提高材料的发光性能，对于后续提升器件发光性能具有十分重要的意义。

[0003] 量子点材料在光的照射下可以发出荧光，而发光效率除了取决于量子点核壳结构的质量外，很大程度上也取决于表面配体的修饰。直接合成出来的量子点材料，由于表面存在大量缺陷往往无法发光，或者效率较低，需要包覆配体材料来增加其发光效率，所以配体的质量以及数量对量子点的发光性能存在很大的影响。另外，在制作器件时，由于量子点材料存在缺陷，也会造成缺陷发光，降低器件发光的色纯度，从这方面讲，减少量子点的缺陷也十分重要。

发明内容

[0004] 以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制本申请的保护范围。

[0005] 本公开实施例提供一种量子点膜，所述量子点膜由含有配体的量子点形成，所述配体为卤素离子。

[0006] 在示例性实施例中，所述配体可以选自I‑、Br‑和Cl‑中的任意一种或多种。

[0007] 在示例性实施例中，所述配体可以选自I‑、Br‑和Cl‑中的两种或三种。

[0008] 在示例性实施例中，所述量子点可以选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge和C中的任意一种或多种。

[0009] 本公开实施例还提供一种光电器件，所述光电器件可以为量子点发光器件、光电探测器、光伏器件、光响应晶体管、场响应晶体管中的任意一种，所述光电器件包括如上所述的量子点膜。

[0010] 在示例性实施例中，所述光电器件为量子点发光器件，所述量子点发光器件包括阳极、阴极、夹设在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层为如上所述的量子点膜。

[0011] 本公开实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括多个量子点发光器件，所述量子点发光器件的发光层为如上所述的量子点膜。

[0012] 本公开实施例还提供一种量子点膜的制备方法，所述制备方法包括：

[0013] S100：采用含有油溶性配体的量子点制备初始量子点膜；

[0014] S200：利用固态配体交换法，采用卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为卤素离子，以及使所述卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为卤素离子的量子点膜。

[0015] 在示例性实施例中，步骤S200可以包括：

[0016] S201：采用第一卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为第一卤素离子，以及使所述第一卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子的第一量子点膜；

[0017] S202：采用第二卤素的有机盐与所述第一量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子和第二卤素离子的第二量子点膜；

[0018] 其中，所述第一卤素离子的粒径大于所述第二卤素离子的粒径。

[0019] 在示例性实施例中，步骤S200还可以包括：在步骤S202之后，

[0020] S203：采用第三卤素的有机盐与所述第二量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子、第二卤素离子和第三卤素离子的第三量子点膜；

[0021] 其中，所述第二卤素离子的粒径大于所述第三卤素离子的粒径。

[0022] 在示例性实施例中，所述第一卤素离子可以为I‑，所述第二卤素离子可以为Br‑，所‑述第三卤素离子可以为Cl。

[0023] 在示例性实施例中，所述配体交换或者所述配位反应可以包括：

[0024] 将卤素的有机盐溶解在溶剂中制成卤素的有机盐溶液；

[0025] 将所述卤素的有机盐溶液滴在待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜上，静置第一时间段后旋干；或者，将待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜浸泡在所述卤素的有机盐溶液中，静置第二时间段后将量子点膜从所述卤素的有机盐溶液中取出并旋干；

[0026] 用与配制所述卤素的有机盐溶液相同的溶剂清洗旋干后的量子膜表面。

[0027] 在示例性实施例中，所述卤素的有机盐溶液的浓度可以为2mg/mL至50mg/ml。

[0028] 在示例性实施例中，所述卤素的有机盐可以选自四丁基卤化铵、四丙基卤化铵和四戊基卤化铵中的任意一种或多种；所述卤素的有机盐中的卤素为I、Br或Cl。

[0029] 在示例性实施例中，所述溶剂可以为去离子水、乙腈、甲醇和乙醇中的任意一种或多种。

[0030] 在示例性实施例中，所述第一时间段可以为30秒至90秒。

[0031] 在示例性实施例中，所述第二时间段可以为10秒至120秒。

[0032] 本公开实施例还提供一种量子点发光器件的制备方法，所述制备方法包括：

[0033] 形成第一电极；

[0034] 形成量子点发光层，所述量子点发光层为量子点膜，所述量子点膜由含有配体的量子点形成，所述配体为卤素离子；

[0035] 形成第二电极。

[0036] 在示例性实施例中，所述形成量子点发光层可以包括：

[0037] S100：采用含有油溶性配体的量子点制备初始量子点膜；

[0038] S200：利用固态配体交换法，采用卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为卤素离子，以及使所述卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为卤素离子的量子点膜，即得到所述量子点发光层。

[0039] 在示例性实施例中，步骤S200可以包括：

[0040] S201：采用第一卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为第一卤素离子，以及使所述第一卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子的第一量子点膜；

[0041] S202：采用第二卤素的有机盐与所述第一量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子和第二卤素离子的第二量子点膜；

[0042] 其中，所述第一卤素离子的粒径大于所述第二卤素离子的粒径。

[0043] 在示例性实施例中，步骤S200还可以包括：在步骤S202之后，

[0044] S203：采用第三卤素的有机盐与所述第二量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子、第二卤素离子和第三卤素离子的第三量子点膜；

[0045] 其中，所述第二卤素离子的粒径大于所述第三卤素离子的粒径。

[0046] 在示例性实施例中，所述第一卤素离子可以为I‑，所述第二卤素离子可以为Br‑，所‑述第三卤素离子可以为Cl。

[0047] 在示例性实施例中，所述配体交换或者所述配位反应可以包括：

[0048] 将卤素的有机盐溶解在溶剂中制成卤素的有机盐溶液；

[0049] 将所述卤素的有机盐溶液滴在待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜上，静置第一时间段后旋干；或者，将待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜浸泡在所述卤素的有机盐溶液中，静置第二时间段后将量子点膜从所述卤素的有机盐溶液中取出并旋干；

[0050] 用与配制所述卤素的有机盐溶液相同的溶剂清洗旋干后的量子膜表面。

[0051] 在示例性实施例中，所述卤素的有机盐溶液的浓度可以为2mg/mL至50mg/ml。

[0052] 在示例性实施例中，所述卤素的有机盐可以选自四丁基卤化铵、四丙基卤化铵和四戊基卤化铵中的任意一种或多种；所述卤素的有机盐中的卤素可以为I、Br或Cl。

[0053] 在示例性实施例中，所述溶剂可以为去离子水、乙腈、甲醇和乙醇中的任意一种或多种。

[0054] 在示例性实施例中，所述第一时间段可以为30秒至90秒。

[0055] 在示例性实施例中，所述第二时间段可以为10秒至120秒。

[0056] 在示例性实施例中，所述量子点可以选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge和C中的任意一种或多种；所述初始量子点膜可以通过旋涂、蒸镀或喷墨打印的方法形成。

[0057] 在示例性实施例中，所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；

[0058] 在形成第一电极之后，形成量子点发光层之前，所述制备方法还可以包括：在所述第一电极上依次形成空穴注入层和空穴传输层；

[0059] 所述形成量子点发光层包括：在所述空穴传输层上形成所述量子点发光层；

[0060] 在形成量子点发光层之后，形成第二电极之前，所述制备方法还可以包括：在所述量子点发光层上形成电子传输层；

[0061] 所述形成第二电极包括：在所述电子传输层上形成所述第二电极。

[0062] 在示例性实施例中，所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；

[0063] 在形成第一电极之后，形成量子点发光层之前，所述制备方法还可以包括：在所述第一电极上形成电子传输层；

[0064] 所述形成量子点发光层包括：在所述电子传输层上形成所述量子点发光层；

[0065] 在形成量子点发光层之后，形成第二电极之前，所述制备方法还可以包括：在所述量子点发光层上依次形成空穴传输层和空穴注入层；

[0066] 所述形成第二电极包括：在所述空穴注入层上形成所述第二电极。

[0067] 在示例性实施例中，所述第一电极的材料可以为导电基板或沉积有第一透明导电氧化物的基板，所述第一透明导电氧化物可以选自氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)和氟掺杂氧化锡(F‑doped Tin Oxide,FTO)中的任意一种或多种；所述第二电极的材料可以为金属或第二透明导电氧化物，所述金属可以为Mg、Ag、Al及其合金，所述第二透明导电氧化物可以为氧化铟锌，所述第二电极可以通过蒸镀或溅射的方法形成。

[0068] 在示例性实施例中，所述空穴注入层的材料可以选自聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐、NiO、MoO3、WoO3、V2O5、CuO、CuS、CuSCN和Cu:NiO中的任意一种或多种；所述空穴注入层可以通过旋涂、蒸镀或喷墨打印的方法形成。

[0069] 在示例性实施例中，所述空穴注入层的材料可以为聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐，其中，聚3,4‑乙烯二氧噻吩的成膜温度可以为130℃至150℃，成膜时匀胶机的转速可以为500rpm至2500rpm。

[0070] 在示例性实施例中，所述空穴传输层的材料可以选自聚(9,9‑二辛基芴‑CO‑N‑(4‑丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯基咔唑(PVK)、N,N′‑双(3‑甲基苯基)‑N,N′‑二苯基‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺(TPD)和4,4'‑二(9‑咔唑)联苯(CBP)中的任意一种或多种；所述空穴传输层可以通过旋涂、蒸镀或喷墨打印的方法形成。

[0071] 在示例性实施例中，所述电子传输层可以为氧化锌纳米粒子薄膜或氧化锌溶胶凝胶薄膜；所述氧化锌纳米粒子薄膜的材料可以为氧化锌纳米粒子或掺杂型氧化锌纳米粒子，所述掺杂型氧化锌纳米粒子中掺杂的金属可以选自Mg、In、Al和Ga中的任意一种或多种。

[0072] 在示例性实施例中，所述氧化锌纳米粒子薄膜的制备过程可以包括：将氧化锌纳米粒子溶解在醇类溶剂中得到氧化锌纳米粒子醇溶液，将所述氧化锌纳米粒子醇溶液旋涂并加热成膜；

[0073] 其中，所述氧化锌纳米粒子醇溶液成膜时的温度可以为25℃至120℃，旋涂速度可以为500rpm至2500rpm。

[0074] 在示例性实施例中，所述氧化锌溶胶凝胶薄膜的制备过程可以包括：将锌的前驱体溶解在溶剂中得到含锌前驱体的溶液，将所述含锌前驱体的溶液旋涂并加热成膜；

[0075] 其中，所述含锌前驱体的溶液成膜时的温度可以为180℃至250℃，旋涂速度可以为1000rpm至4000rpm，锌的前驱体可以为醋酸锌，溶解锌的前驱体的溶剂可以为乙醇胺与正丁醇的混合溶剂。

[0076] 本公开实施例的量子点膜的制备方法，在得到初始量子点膜后，使用卤素的有机盐对初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，置换掉表面导电性不好的油溶性配体，以及使卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，使得量子点表面未被配体钝化的缺陷位点被更多的无机配体——卤素离子占据，消除量子点表面的缺陷，实现膜层荧光量子产率的提高，也减少利用该量子点膜制成的器件的俄歇复合中心；而且，本公开实施例的量子点膜的制备方法可以使量子点膜从表面到膜层中，形成能级梯度，提高载流子的注入，进而提高量子点发光器件的效率；此外，量子点膜表面的配体为无机配体，可以提高量子点发光器件的寿命。

[0077] 在阅读并理解了附图和详细描述后，可以明白其他方面。

附图说明

[0078] 附图用来提供对本公开技术方案的理解，并且构成说明书的一部分，与本公开的实施例一起用于解释本公开的技术方案，并不构成对本公开技术方案的限制。

[0079] 图1为本公开示例性实施例一种量子点膜的制备方法的流程示意图；

[0080] 图2为本公开示例性实施例另一种量子点膜的制备方法的流程示意图；

[0081] 图3为本公开示例性实施例的正置QLED器件的结构示意图；

[0082] 图4为本公开示例性实施例的倒置QLED器件的结构示意图。

[0083] 附图中的标记符号的含义为：

[0084] 1‑油溶性配体；2‑量子点；3‑初始量子点膜；4‑卤素离子；5‑I‑；6‑Br‑；7‑Cl‑；100‑阳极；200‑空穴注入层；300‑空穴传输层；400‑量子点发光层；500‑电子传输层；600‑阴极。

具体实施方式

[0085] 本文中的实施方式可以以多个不同形式来实施。所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实现方式和内容可以在不脱离本公开的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本公开不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互任意组合。

[0086] 在附图中，有时为了明确起见，可能夸大表示了构成要素的大小、层的厚度或区域。因此，本公开的任意一个实现方式并不一定限定于图中所示尺寸，附图中部件的形状和大小不反映真实比例。此外，附图示意性地示出了理想的例子，本公开的任意一个实现方式不局限于附图所示的形状或数值等。

[0087] 本说明书中的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混同而设置，而不是为了在数量方面上进行限定的。

[0088] 在本说明书中，“膜”和“层”可以相互调换。例如，有时可以将“导电层”换成为“导电膜”。与此同样，有时可以将“量子点膜”换成为“量子点层”。

[0089] 在合成量子点时，为了利于量子点的合成和分散在有机溶剂中，需要选择长链的有机配体，例如油酸、油胺、十二硫醇等配体，来作为量子点的表面钝化材料，减少量子点的表面缺陷，来提高量子点材料的荧光性能。然而，由于长链有机配体具有一定的链长，一方面会降低载流子的传输性能，另一方面会发生扭曲甚至缠绕，形成空间位阻，导致量子点表面可以引入的配体数量有限，钝化效果有限，导致配体无法完全覆盖表面的缺陷，而且量子点表面的悬挂键不能被完全消除，而悬挂键容易捕获载流子，在器件中容易造成非辐射复合，降低发光效率。

[0090] 本公开实施例提供一种量子点膜，所述量子点膜由含有配体的量子点形成，所述配体为卤素离子。

[0091] 在示例性实施例中，所述配体可以选自I‑、Br‑和Cl‑中的任意一种或多种。

[0092] 在示例性实施例中，所述配体可以选自I‑、Br‑和Cl‑中的两种或三种。

[0093] 在示例性实施例中，所述量子点可以选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge和C中的任意一种或多种。

[0094] 在示例性实施例中，所述量子点为不含镉的量子点。

[0095] 本公开实施例的量子点膜表面的配体为无机配体——卤素离子，量子点表面未被配体钝化的缺陷位点被无机配体占据，由于卤素离子的空间位阻小，使得可以引入更多配体，更好地消除量子点表面的缺陷，实现膜层荧光量子产率的提高，也减少用该量子点膜制成的器件的俄歇复合中心；而且，量子点膜从表面到膜层中，形成能级梯度，提高载流子的注入，进而提高量子点发光器件的效率；此外，量子点膜表面的配体为无机配体，可以提高量子点发光器件的寿命。

[0096] 本公开实施例还提供一种量子点膜的制备方法，所述制备方法包括：

[0097] S100：采用含有油溶性配体的量子点制备初始量子点膜；

[0098] S200：利用固态配体交换法，采用卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为卤素离子，以及使所述卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为卤素离子的量子点膜。

[0099] 本公开实施例的量子点膜的制备方法，在得到初始量子点膜后，使用卤素的有机盐对初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，置换掉表面导电性不好的油溶性配体，以及使卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，使得量子点表面未被配体钝化的缺陷位点被更多的空间位阻小的无机配体——卤素离子占据，消除量子点表面的缺陷，实现膜层荧光量子产率的提高，也减少利用该量子点膜制成的器件的俄歇复合中心；而且，本公开实施例的量子点膜的制备方法可以使量子点膜从表面到膜层中，形成能级梯度，提高载流子的注入，进而提高量子点发光器件的效率；此外，量子点膜表面的配体为无机配体，可以提高量子点发光器件的寿命。

[0100] 在示例性实施例中，步骤S200可以包括：

[0101] S201：采用第一卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为第一卤素离子，以及使所述第一卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子的第一量子点膜；

[0102] S202：采用第二卤素的有机盐与所述第一量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子和第二卤素离子的第二量子点膜；

[0103] 其中，所述第一卤素离子的粒径大于所述第二卤素离子的粒径。

[0104] 在示例性实施例中，步骤S200还可以包括：在步骤S202之后，

[0105] S203：采用第三卤素的有机盐与所述第二量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子、第二卤素离子和第三卤素离子的第三量子点膜；

[0106] 其中，所述第二卤素离子的粒径大于所述第三卤素离子的粒径。

[0107] 在示例性实施例中，所述第一卤素离子可以为I‑，所述第二卤素离子可以为Br‑，所述第三卤素离子可以为Cl‑。

[0108] 当采用至少两种卤素离子进行配体交换和配位反应时，先选用粒径大(空间位阻大)的卤素离子进行配体交换，再利用粒径小(空间位阻小)的卤素离子进行配体交换，通过选择不同大小的配体进行多重交换和钝化，可以在量子点膜表面引入更多的卤素离子配体，使得量子点表面的缺陷态得到有效钝化，进而提升器件效率。

[0109] 在示例性实施例中，所述配体交换或者所述配位反应可以包括：

[0110] 将卤素的有机盐溶解在溶剂中制成卤素的有机盐溶液；

[0111] 将所述卤素的有机盐溶液滴在待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜上，静置第一时间段后旋干；或者，将待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜浸泡在所述卤素的有机盐溶液中，静置第二时间段后将量子点膜从所述卤素的有机盐溶液中取出并旋干；

[0112] 用与配制所述卤素的有机盐溶液相同的溶剂清洗旋干后的量子膜表面。

[0113] 图1为本公开示例性实施例一种量子点膜的制备方法的流程示意图。如图1所示，所述制备方法可以包括：

[0114] S100：采用含有油溶性配体1的量子点2制备初始量子点膜3；

[0115] S200‑1：将卤素的有机盐溶解在溶剂中制成卤素的有机盐溶液，将所述卤素的有机盐溶液滴在初始量子点膜3上，静置，旋干，使卤素的有机盐溶液中的卤素离子4与所述初始量子点膜3表面的油溶性配体1进行配体交换，以及使所述卤素的有机盐与初始量子点膜3表面未被占据的缺陷位点进行配位反应；

[0116] S200‑2：用与配制所述卤素的有机盐溶液相同的溶剂清洗旋干后的量子膜表面，使量子点膜表面的杂质(包括未反应完的卤素的有机盐、交换下来的油溶性配体等)被清洗掉，得到表面的配体为卤素离子的量子点膜5。

[0117] 应理解，在本公开实施例的量子点膜的制备方法中，卤素离子可能不能对油溶性配体进行百分之百的交换，因此得到的量子膜中可能含有少量的油溶性配体，但基本上都是卤素离子配体。

[0118] 图2为本公开示例性实施例另一种量子点膜的制备方法的流程示意图。

[0119] 如图2所示，在示例性实施例中，所述制备方法可以包括：

[0120] S100：采用含有油溶性配体1的量子点2制备初始量子点膜；

[0121] S201：采用碘的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体1进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体1被交换为I‑5，以及使碘的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为I‑5的第一量子点膜；

[0122] S202：采用溴的有机盐与所述第一量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为I‑5和Br‑6的第二量子点膜；

[0123] S203：采用氯的有机盐对所述第二量子点膜表面的未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为I‑5、Br‑6和Cl‑7的第三量子点膜。

[0124] 在示例性实施例中，所述卤素的有机盐溶液的浓度可以为2mg/mL至50mg/ml。

[0125] 在示例性实施例中，所述卤素的有机盐可以选自四丁基卤化铵、四丙基卤化铵和四戊基卤化铵中的任意一种或多种；所述卤素的有机盐中的卤素为I、Br或Cl。

[0126] 在示例性实施例中，所述溶剂可以为去离子水、乙腈、甲醇和乙醇中的任意一种或多种。

[0127] 在示例性实施例中，所述第一时间段可以为30秒至90秒。

[0128] 在示例性实施例中，所述第二时间段可以为10秒至120秒。

[0129] 在示例性实施例中，所述量子点可以选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge和C中的任意一种或多种。

[0130] 在示例性实施例中，所述量子点为不含镉的量子点。

[0131] 本公开实施例还提供一种光电器件，所述光电器件可以为量子点发光器件、光电探测器、光伏器件、光响应晶体管、场响应晶体管中的任意一种，所述光电器件包括如上所述的量子点膜。

[0132] 在示例性实施例中，所述光电器件为量子点发光器件，所述量子点发光器件包括阳极、阴极、夹设在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，所述量子点发光层为如上所述的量子点膜。

[0133] 本公开实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括多个量子点发光器件，所述量子点发光器件的发光层为如上所述的量子点膜。

[0134] 本公开实施例还提供一种显示装置，所述显示装置包括多个量子点发光器件，所述量子点发光器件的发光层为如上所述的量子点膜。

[0135] 所述显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪、车载显示器、智能手表、智能手环等任何具有显示功能的产品或部件。

[0136] 本公开实施例还提供一种量子点发光器件的制备方法，所述制备方法包括：

[0137] 形成第一电极；

[0138] 形成量子点发光层，所述量子点发光层为量子点膜，所述量子点膜由含有配体的量子点形成，所述配体为卤素离子；

[0139] 形成第二电极。

[0140] 在示例性实施例中，所述形成量子点发光层可以包括：

[0141] S100：采用含有油溶性配体的量子点制备初始量子点膜；

[0142] S200：利用固态配体交换法，采用卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为卤素离子，以及使所述卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为卤素离子的量子点膜，即得到所述量子点发光层。

[0143] 在示例性实施例中，步骤S200可以包括：

[0144] S201：采用第一卤素的有机盐对所述初始量子点膜表面的油溶性配体进行配体交换，使量子点膜表面的油溶性配体被交换为第一卤素离子，以及使所述第一卤素的有机盐与量子点表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子的第一量子点膜；

[0145] S202：采用第二卤素的有机盐与所述第一量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子和第二卤素离子的第二量子点膜；

[0146] 其中，所述第一卤素离子的粒径大于所述第二卤素离子的粒径。

[0147] 在示例性实施例中，步骤S200还可以包括：在步骤S202之后，

[0148] S203：采用第三卤素的有机盐与所述第二量子点膜表面未被占据的缺陷位点进行配位反应，得到表面配体为第一卤素离子、第二卤素离子和第三卤素离子的第三量子点膜；

[0149] 其中，所述第二卤素离子的粒径大于所述第三卤素离子的粒径。

[0150] 在示例性实施例中，所述第一卤素离子可以为I‑，所述第二卤素离子可以为Br‑，所述第三卤素离子可以为Cl‑。

[0151] 在示例性实施例中，所述配体交换或者所述配位反应可以包括：

[0152] 将卤素的有机盐溶解在溶剂中制成卤素的有机盐溶液；

[0153] 将所述卤素的有机盐溶液滴在待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜上，静置第一时间段后旋干；或者，将待进行配体交换或待进行配位反应的量子点膜浸泡在所述卤素的有机盐溶液中，静置第二时间段后将量子点膜从所述卤素的有机盐溶液中取出并旋干；

[0154] 用与配制所述卤素的有机盐溶液相同的溶剂清洗旋干后的量子膜表面。

[0155] 在示例性实施例中，所述卤素的有机盐溶液的浓度可以为2mg/mL至50mg/ml。

[0156] 在示例性实施例中，所述卤素的有机盐可以选自四丁基卤化铵、四丙基卤化铵和四戊基卤化铵中的任意一种或多种；所述卤素的有机盐中的卤素可以为I、Br或Cl。

[0157] 在示例性实施例中，所述溶剂可以为去离子水、乙腈、甲醇和乙醇中的任意一种或多种。

[0158] 在示例性实施例中，所述第一时间段可以为30秒至90秒。

[0159] 在示例性实施例中，所述第二时间段可以为10秒至120秒。

[0160] 在示例性实施例中，所述量子点可以选自CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge和C中的任意一种或多种；所述初始量子点膜可以通过旋涂、蒸镀或喷墨打印的方法形成。

[0161] 在示例性实施例中，所述量子点发光器件可以为正置结构或倒置结构，正置结构包括正置顶发射结构和正置底发射结构，倒置结构包括倒置顶发射结构和倒置底发射结构。

[0162] 在示例性实施例中，所述量子点发光器件为正置结构，此时所述第一电极为阳极，所述第二电极为阴极；

[0163] 在形成第一电极之后，形成量子点发光层之前，所述制备方法还可以包括：在所述第一电极上依次形成空穴注入层和空穴传输层；

[0164] 所述形成量子点发光层包括：在所述空穴传输层上形成所述量子点发光层；

[0165] 在形成量子点发光层之后，形成第二电极之前，所述制备方法还可以包括：在所述量子点发光层上形成电子传输层；

[0166] 所述形成第二电极包括：在所述电子传输层上形成所述第二电极。

[0167] 图3为本公开示例性实施例的正置QLED器件的结构示意图。如图3所示，正置结构的QLED器件可以包括：阳极100、设置在阳极100上的空穴注入层200、设置在空穴注入层200远离阳极100一侧的空穴传输层300、设置在空穴传输层300远离阳极100一侧的量子点发光层400、设置在量子点发光层400远离阳极100一侧的电子传输层500、以及设置在电子传输层500远离阳极100一侧的阴极600。

[0168] 在示例性实施例中，在正置结构的QLED器件中，

[0169] 所述阳极100可以采用底发射基板导电玻璃或者采用沉积有导电层的普通玻璃基板，导电层可以由氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)、氟掺杂氧化锡(F‑doped Tin Oxide,FTO)等导电透明材料形成；

[0170] 所述空穴注入层200可以通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备；其中，有机空穴注入层可以选择PEDOT:PSS 4083(聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸盐)或者其它商业化适用于形成空穴注入层的化合物等，例如，NiO、MoO3、WoO3、V2O5、CuO、CuS、CuSCN、Cu:NiO等；PEDOT的成膜温度可以为130℃至150℃，成膜时匀胶机转速可以设置为500rpm至2500rpm，以调整膜层的厚度；

[0171] 所述空穴传输层300可以通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备空穴传输层，空穴传输层的材料可以选自例如聚(9,9‑二辛基芴‑CO‑N‑(4‑丁基苯基)二苯胺)(TFB)、聚乙烯基咔唑(PVK)、N,N′‑双(3‑甲基苯基)‑N,N′‑二苯基‑1,1′‑联苯‑4,4′‑二胺(TPD)、4,4'‑二(9‑咔唑)联苯(CBP)等成熟的商用材料；

[0172] 所述量子点发光层400可以通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备，制备量子点发光层的量子点可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge、C以及具有上述成分的其他纳米尺度材料，例如纳米棒、纳米片；

[0173] 以CdSe量子点合成量子点发光层为例，具体的合成方法是：在惰性气体以及约100℃条件下，将硒粉溶解在十八烯中，得到硒溶液；将CdO和油酸加入到十八烯中并加热到280℃左右，得到镉的前驱体溶液；将硒溶液加入到镉的前驱体溶液中，降温到250℃左右进行反应，反应结束后冷却到室温，用甲醇‑己烷进行萃取以除掉未反应的前驱体，用乙醇进行沉淀，并溶解于辛烷中，得到CdSe量子点溶液，并旋涂成膜(也可以通过打印、印刷、电喷印等方式成膜)；

[0174] 所述电子传输层500的材料可以选自氧化铝、氟化钡、二氧化钛、硫化锌、氧化锆、硒化锌、氧化镁、氧化锌、氧化钇和氟化铝中的任意一种或多种；例如，所述电子传输层500可以选择氧化锌纳米粒子薄膜或氧化锌溶胶凝胶薄膜等；

[0175] (a)氧化锌纳米粒子薄膜的制备：例如，将90μL至120μL浓度为10mg/mL至30mg/mL的氧化锌纳米粒子溶解在醇类溶剂(例如，甲醇、乙醇、异丙醇等)中得到的溶液滴加至量子点发光层上，设置匀胶机转速为500rpm至2500rpm并旋涂成膜，在室温或加热(温度可以为25℃至120℃)下成膜，以调整氧化锌纳米粒子薄膜的厚度；

[0176] (b)氧化锌溶胶凝胶薄膜的制备：将2g醋酸锌加入至10mL乙醇胺和正丁醇的混合溶剂中，旋涂成膜，设置匀胶机转速为1000rpm至4000rpm，并于180℃至250℃的热台上加热成膜；

[0177] 电子传输层500的材料还可以选择离子掺杂型氧化锌纳米粒子，例如，Mg、In、Al或Ga掺杂的氧化锌纳米粒子等；

[0178] 阴极600可以通过蒸镀或溅射的方法制备，可以为金属膜(例如Al膜)或IZO膜。

[0179] 在示例性实施例中，所述量子点发光器件为倒置结构，此时所述第一电极为阴极，所述第二电极为阳极；

[0180] 在形成第一电极之后，形成量子点发光层之前，所述制备方法还可以包括：在所述第一电极上形成电子传输层；

[0181] 所述形成量子点发光层包括：在所述电子传输层上形成所述量子点发光层；

[0182] 在形成量子点发光层之后，形成第二电极之前，所述制备方法还可以包括：在所述量子点发光层上依次形成空穴传输层和空穴注入层；

[0183] 所述形成第二电极包括：在所述空穴注入层上形成所述第二电极。

[0184] 图4为本公开示例性实施例的倒置QLED器件的结构示意图。如图4所示，倒置结构的QLED器件可以包括：阴极600、设置在阴极600上的电子传输层500、设置在电子传输层500远离阴极600一侧的量子点发光层400、设置在量子点发光层400远离阴极600一侧的空穴传输层300、设置在空穴传输层300远离阴极600一侧的空穴注入层200、以及设置在空穴注入层200远离阴极600一侧的阳极100。

[0185] 在示例性实施例中，在倒置结构的QLED器件中，

[0186] 阴极600可以采用底发射基板导电玻璃或者采用沉积有导电层的普通玻璃基板，导电层可以由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、FTO(F‑doped Tin Oxide)等导电透明材料形成；

[0187] 阳极100可以通过蒸镀或溅射的方法制备，可以为金属膜(例如Al膜)或IZO膜；

[0188] 空穴注入层200、空穴传输层300、量子点发光层400、电子传输层500可以选择与正置结构的QLED器件相同的材料和方法制备得到。

[0189] 本公开的示例性实施例提供一种具有如图3所示正置结构的QLED器件的制备方法，包括：

[0190] (1)准备阳极：

[0191] 采用底发射基板导电玻璃作为阳极：分别采用异丙醇、水和丙酮超声清洗底发射基板导电玻璃，并在紫外UV下处理5min至10min；

[0192] 或者，采用沉积有导电层的普通玻璃基板作为阳极，导电层可以由ITO、IZO、FTO等导电透明材料形成；

[0193] (2)在阳极上制备空穴注入层：在阳极上，通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备空穴注入层；其中，有机空穴注入层可以选择PEDOT:PSS 4083(聚3,4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)或者其它商业化适用于形成空穴注入层的化合物等，例如，NiO、MoO3、WoO3、V2O5、CuO、CuS、CuSCN、Cu:NiO等；PEDOT的成膜温度可以为130℃至150℃，成膜时匀胶机转速可以设置为500rpm至2500rpm，以调整膜层的厚度；

[0194] (3)在空穴注入层上制备空穴传输层：在空穴注入层上，通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备空穴传输层，空穴传输层的材料可以选自例如TFB、PVK、TPD、CBP等成熟的商用材料；

[0195] (4)在空穴传输层上制备初始量子点膜：在空穴传输层上，通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备初始量子点膜，制备初始量子点膜的量子点可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge、C以及具有上述成分的其他纳米尺度材料，例如纳米棒、纳米片；

[0196] 以CdSe量子点合成初始量子点膜为例，具体的合成方法例如：在惰性气体以及约100℃条件下，将硒粉溶解在十八烯中，得到硒溶液；将CdO和油酸加入到十八烯中并加热到
280℃左右，得到镉的前驱体溶液；将硒溶液加入到镉的前驱体溶液中，降温到250℃左右进行反应，反应结束后冷却到室温，用甲醇‑己烷进行萃取以除掉未反应的前驱体，用乙醇进行沉淀，并溶解于辛烷中，得到CdSe量子点溶液，并旋涂成膜(也可以通过打印、印刷、电喷印等方式成膜)；

[0197] (5)对初始量子点膜进行配体交换和配位反应得到量子点发光层：

[0198] (a)碘离子的配体交换和配位反应：配制浓度为2mg/mL至50mg/ml的四丁基碘化铵的甲醇溶液，在步骤(4)得到的量子点发光层上滴加四丁基碘化铵的甲醇溶液，静置60s后，旋干，再用甲醇重复清洗量子点膜表面，除去量子点膜表面的杂质；(b)溴离子的配位反应：配制浓度为2mg/mL至50mg/ml的四丁基溴化铵的甲醇溶液，在步骤(a)得到的量子点膜上滴四丁基溴化铵的甲醇溶液，静置60s后，旋干，再用甲醇重复清洗量子点膜表面，除去量子点膜表面的杂质；(c)氯离子的配位反应：配制浓度为2mg/mL至50mg/ml的四丁基氯化铵的甲醇溶液，在步骤(b)得到的量子点膜上滴四丁基氯化铵甲醇溶液，静置60s后，旋干，再用甲醇重复清洗薄膜表面，除去量子点膜表面的杂质；经过以上步骤后得到配体交换后的量子点发光层；

[0199] (6)在量子点发光层上制备电子传输层：在步骤(5)得到的量子点发光层上制备电子传输层，电子传输层可以选择氧化锌纳米粒子薄膜或氧化锌溶胶凝胶薄膜等；

[0200] (a)氧化锌纳米粒子薄膜的制备：例如，将90μL至120μL浓度为10mg/mL至30mg/mL的氧化锌纳米粒子溶解在醇类溶剂(例如，甲醇、乙醇、异丙醇等)中得到的溶液滴加至步骤(5)得到的量子点发光层上，设置匀胶机转速为500rpm至2500rpm并旋涂成膜，在室温或加热(温度可以为25℃至120℃)下成膜，以调整氧化锌纳米粒子薄膜的厚度；

[0201] (b)氧化锌溶胶凝胶薄膜的制备：将2g醋酸锌加入至10mL乙醇胺和正丁醇的混合溶剂中，旋涂成膜，设置匀胶机转速为1000rpm至4000rpm，并于180℃至250℃的热台上加热成膜；

[0202] 电子传输层材料还可以选择离子掺杂型氧化锌纳米粒子，例如，Mg、In、Al或Ga掺杂的氧化锌纳米粒子等；

[0203] (7)在电子传输层上制备阴极：在电子传输层上引入阳极材料制备阴极，例如蒸镀Al膜或溅射IZO膜，制备QLED器件。

[0204] 本公开的示例性实施例提供一种具有如图4所示倒置结构的QLED器件的制备方法，包括：

[0205] (1)准备阴极：

[0206] 采用底发射基板导电玻璃作为阴极：分别采用异丙醇、水和丙酮超声清洗底发射基板导电玻璃，并在紫外UV下处理5min至10min；

[0207] 或者，采用沉积有导电层的普通玻璃基板作为阴极，导电层可以由ITO(Indium Tin Oxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、FTO(F‑doped Tin Oxide)等导电透明材料形成；

[0208] (2)在阴极上制备电子传输层：在阴极上制备电子传输层，电子传输层可以选择氧化锌纳米粒子薄膜或氧化锌溶胶凝胶薄膜等；

[0209] (a)氧化锌纳米粒子薄膜的制备：例如，将90μL至120μL浓度为10mg/mL至30mg/mL的氧化锌纳米粒子溶解在醇类溶剂(例如，甲醇、乙醇、异丙醇等)中得到的溶液滴加至阴极上，设置匀胶机转速为500rpm至2500rpm并旋涂成膜，在室温或加热(温度可以为25℃至120℃)下成膜，以调整氧化锌纳米粒子薄膜的厚度；

[0210] (b)氧化锌溶胶凝胶薄膜的制备：将2g醋酸锌加入至10mL乙醇胺和正丁醇的混合溶剂中，旋涂成膜，设置匀胶机转速为1000rpm至4000rpm，并于180℃至250℃的热台上加热成膜；

[0211] 电子传输层材料还可以选择离子掺杂型氧化锌纳米粒子，例如，Mg、In、Al或Ga掺杂的氧化锌纳米粒子等；

[0212] (3)在电子传输层上制备初始量子点膜：在电子传输层上，通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备初始量子点膜，制备初始量子点膜的量子点可以包括CdS、CdSe、CdTe、ZnSe、InP、PbS、CuInS2、ZnO、CsPbCl3、CsPbBr3、CsPhI3、CdS/ZnS、CdSe/ZnS、ZnSe、InP/ZnS、PbS/ZnS、InAs、InGaAs、InGaN、GaNk、ZnTe、Si、Ge、C以及具有上述成分的其他纳米尺度材料，例如纳米棒、纳米片；

[0213] 以CdSe量子点合成初始量子点膜为例，具体的合成方法例如：在惰性气体以及约100℃条件下，将硒粉溶解在十八烯中，得到硒溶液；将CdO和油酸加入到十八烯中并加热到
280℃左右，得到镉的前驱体溶液；将硒溶液加入到镉的前驱体溶液中，降温到250℃左右进行反应，反应结束后冷却到室温，用甲醇‑己烷进行萃取以除掉未反应的前驱体，用乙醇进行沉淀，并溶解于辛烷中，得到CdSe量子点溶液，并旋涂成膜(也可以通过打印、印刷、电喷印等方式成膜)；

[0214] (4)对初始量子点膜进行配体交换和配位反应得到量子点发光层：

[0215] (a)碘离子的配体交换配位反应：配制浓度为2mg/mL至50mg/ml的四丁基碘化铵的甲醇溶液，在步骤(3)得到的量子点发光层上滴加四丁基碘化铵的甲醇溶液，静置60s后，旋干，再用甲醇重复清洗量子点膜表面，除去量子点膜表面的杂质；(b)溴离子的配位反应：配制浓度为2mg/mL至50mg/ml的四丁基溴化铵的甲醇溶液，在步骤(a)得到的量子点膜上滴四丁基溴化铵的甲醇溶液，静置60s后，旋干，再用甲醇重复清洗量子点膜表面，除去量子点膜表面的杂质；(c)氯离子的配位反应：配制浓度为2mg/mL至50mg/ml的四丁基氯化铵的甲醇溶液，在步骤(b)得到的量子点膜上滴四丁基氯化铵甲醇溶液，静置60s后，旋干，再用甲醇重复清洗膜表面，除去量子点膜表面的杂质；经过以上步骤后得到配体交换后的量子点发光层；

[0216] (5)在量子点发光层上制备空穴传输层：在量子点发光层上，通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备空穴传输层，空穴传输层的材料可以选自例如TFB、PVK、TPD、CBP等成熟的商用材料；

[0217] (6)在空穴传输层上制备空穴注入层：在空穴传输层上，通过旋涂、蒸镀或喷墨打印等方式制备空穴注入层；其中，有机空穴注入层可以选择PEDOT:PSS 4083(聚3,4‑乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)或者其它商业化适用于形成空穴注入层的化合物等，例如，NiO、MoO3、WoO3、V2O5、CuO、CuS、CuSCN、Cu:NiO等；PEDOT的成膜温度可以为130℃至150℃，成膜时匀胶机转速可以设置为500rpm至2500rpm，以调整膜层的厚度；

[0218] (7)在空穴注入层上制备阳极：在空穴注入层上引入电极材料制备阳极，例如蒸镀Al膜或溅射IZO膜，制备QLED器件。

[0219] 虽然本公开所揭露的实施方式如上，但所述的内容仅为便于理解本公开而采用的实施方式，并非用以限定本公开。任何所属领域内的技术人员，在不脱离本公开所揭露的精神和范围的前提下，可以在实施的形式及细节上进行任何的修改与变化，但本申请的专利保护范围，仍须以所附的权利要求书所界定的范围为准。