发光器件

摘要

提供了一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发光层，设置在第一电极与第二电极之间。发光层包括新型的多环化合物，因此，发光器件可以表现出高的发光效率性质和提高的寿命性质。

权利要求

1.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；

第二电极，设置在所述第一电极上；以及发光层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，并且包括多环化合物，其中，所述第一电极和所述第二电极均独立地包括选自于以下物质中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的氧化物；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的化合物；以及Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的混合物，并且所述多环化合物包括：苯基；第一取代基，取代在所述苯基处，并且由式A‑1表示；第二取代基，在所述苯基处取代在相对于所述第一取代基的邻位处；以及第三取代基，在所述苯基处取代在相对于所述第一取代基的邻位处且在相对于所述第二取代基的间位处，其中，所述第二取代基和所述第三取代基均独立地为由式A‑2表示的基团：[式A‑1]

[式A‑2]

其中，在式A‑1中，

X1和X2均独立地为O、S、Se或N(Ra)，m和n均独立地为从0至4的整数，并且Ra、Rc1和Rc2均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地结合到相邻基团以形成环，其中，在式A‑2中，

o是从0至8的整数，并且

Rd为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至

30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地结合到相邻基团以形成环，并且其中，在式A‑1和式A‑2中，‑*表示与所述苯基的结合位。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述苯基和所述第一取代基具有扭曲的分子结构。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中，所述第一取代基位于第一平面上，并且所述苯基位于不平行于所述第一平面的第二平面上。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式A‑1中，X1和X2中的至少一个是N(Ra)，并且Ra是由式A1至式A6中的一个表示的基团：其中，在式A1至式A6中，

Ph是未取代的苯基，并且

‑*表示与N(Ra)中的氮原子的结合位。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式A‑1中，Rc1和Rc2均独立地为取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的二苯胺基。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式A‑1中，m和n均为1，并且

Rc1和Rc2均在相对于硼原子的对位处。

7.根据权利要求1所述的发光器件，其中，在式A‑2中，Rd为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基或者取代或未取代的甲基。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多环化合物还包括在所述苯基处取代在相对于所述第一取代基的对位处的第四取代基，并且

所述第四取代基是氢原子、取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的叔丁基。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多环化合物是选自于化合物组1中的一种：

[化合物组1]

其中，在化合物组1中，

Ph是未取代的苯基。

10.一种发光器件，所述发光器件包括：第一电极；

第二电极，设置在所述第一电极上；以及发光层，设置在所述第一电极与所述第二电极之间，其中，所述发光层包括由式1表示的多环化合物，并且所述发光器件的最大外量子效率等于或大于20％：[式1]

其中，在式1中，

X1和X2均独立地为O、S、Se或N(Ra)，a是从0至3的整数，

b和c均独立地为从0至8的整数，d和e均独立地为从0至4的整数，并且R1至R5和Ra均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可选地结合到相邻基团以形成环。

11.根据权利要求10所述的发光器件，其中，由式1表示的所述多环化合物由式2表示：[式2]

其中，在式2中，

X1、X2、b至e和R1至R5与式1中所定义的相同。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中，在式2中，R1为氢原子、取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的叔丁基。

13.根据权利要求10所述的发光器件，其中，在式1中，R2和R3均独立地为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基或者取代或未取代的甲基。

14.根据权利要求10所述的发光器件，其中，由式1表示的所述多环化合物由式3‑1或式

3‑2表示：

[式3‑1]

[式3‑2]

其中，在式3‑1和式3‑2中，R21、R22、R31和R32均独立地为氢原子、氟原子、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基或者取代或未取代的甲基，并且X1、X2、a、d、e、R1、R4和R5与式1中所定义的相同。

15.根据权利要求10所述的发光器件，其中，由式1表示的所述多环化合物由式4表示：[式4]

其中，在式4中，

X1、X2、a至c和R1至R5与式1中所定义的相同。

16.根据权利要求15所述的发光器件，其中，在式4中，R4和R5均独立地为取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的二苯胺基。

17.根据权利要求10所述的发光器件，其中，X1和X2中的至少一个是N(Ra)，并且Ra是由式A1至式A6中的一个表示的基团：其中，在式A1至式A6中，

Ph是未取代的苯基，并且

‑*表示与N(Ra)中的氮原子的结合位。

18.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述多环化合物包括对映异构体。

19.根据权利要求10所述的发光器件，其中，所述发光层发射具有在450nm至470nm的范围内的中心波长的蓝光。

20.根据权利要求10所述的发光器件，其中，由式1表示的所述多环化合物是选自于化合物组1中的一种：

[化合物组1]

其中，在化合物组1中，

Ph是未取代的苯基。

说明书

发光器件

[0001] 本申请要求于2021年7月21日在韩国知识产权局提交的第10‑2021‑0096029号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

[0002] 公开涉及一种在发光层中包括新型的多环化合物的发光器件。

背景技术

[0003] 对于有机电致发光显示装置等作为图像显示装置继续积极开发。有机电致发光显示装置是包括所谓的自发光发光器件的显示装置，在自发光发光器件中，分别从第一电极
和第二电极注入的空穴和电子在发光层中复合，使得发光层的发光材料发射光以实现图像
的显示。

[0004] 在将发光器件应用于图像显示器时，存在低驱动电压、高发光效率和长寿命的需求，并且需要不断开发用于能够稳定地实现这样特性的发光器件的材料。

[0005] 最近，为了实现高效率的发光器件，正在开发针对使用三重态能量的磷光发射的技术或使用其中通过三重态激子的碰撞产生单重态激子的三重态‑三重态湮灭(TTA)的延
迟荧光发射的技术，并且正在针对使用延迟荧光的热激活延迟荧光(TADF)材料进行开发。

[0006] 将理解的是，该背景技术部分部分地旨在提供用于理解技术的有用的背景技术。然而，该背景技术部分也可以包括不是相关领域技术人员在这里公开的主题的对应有效提
交日之前已知或领会的一部分的想法、构思或认识。

发明内容

[0007] 公开提供了一种表现出优异的发光效率的发光器件。

[0008] 实施例提供了一种发光器件，所述发光器件可以包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发光层，设置在第一电极与第二电极之间。发光层可以包括多环化合物，并且第一电极和第二电极可以均独立地包括选自于以下物质中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的氧化物；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的化合物；以及Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的混合物。多环化合物可以包括：苯基；第一取代基，取代在苯基处，并且由式A‑1表示；第二取代基，在苯基处取代在相对于第一取代基的邻位处；以及第三取代基，在苯基处取代在相对于第一取代基的邻位处且在相对于第二取代基的间位处。第
二取代基和第三取代基可以均独立地为由式A‑2表示的基团。

[0009] [式A‑1]

[0010]

[0011] [式A‑2]

[0012]

[0013] 在式A‑1中，X1和X2可以均独立地为O、S、Se或N(Ra)，m和n可以均独立地为从0至4的整数，并且Ra、Rc1和Rc2可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以
形成环。在式A‑2中，o可以是从0至8的整数，并且Rd可以为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环
碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地
结合到相邻基团以形成环。

[0014] 在实施例中，苯基和第一取代基可以具有扭曲的分子结构。

[0015] 在实施例中，第一取代基可以位于第一平面上，并且苯基可以位于不平行于第一平面的第二平面上。

[0016] 在实施例中，在式A‑1中，X1和X2中的至少一个可以是N(Ra)，并且Ra可以是由式A1至式A6中的任何一个表示的基团。

[0017]

[0018] 在式A1至式A6中，Ph可以是未取代的苯基。

[0019] 在实施例中，在式A‑1中，Rc1和Rc2可以均独立地为取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的二苯胺基。

[0020] 在实施例中，在式A‑1中，m和n可以均为1，并且Rc1和Rc2可以均在相对于硼原子的对位处。

[0021] 在实施例中，在式A‑2中，Rd可以为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基或者取代或未取代的甲基。

[0022] 在实施例中，多环化合物还可以包括在苯基处取代在相对于第一取代基的对位处的第四取代基，并且第四取代基可以是氢原子、取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代
的叔丁基。

[0023] 在实施例中，多环化合物可以是选自于在下面解释的化合物组1中的任何一种。

[0024] 在实施例中，发光器件可以包括：第一电极；第二电极，设置在第一电极上；以及发光层，设置在第一电极与第二电极之间。发光层可以包括由式1表示的多环化合物，并且发光器件的最大外量子效率可以等于或大于约20％。

[0025] [式1]

[0026]

[0027] 在式1中，X1和X2可以均独立地为O、S、Se或N(Ra)，a可以是从0至3的整数，b和c可以均独立地为从0至8的整数，d和e可以均独立地为从0至4的整数，并且R1至R5和Ra可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个
成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。

[0028] 在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式2表示。

[0029] [式2]

[0030]

[0031] 在式2中，X1、X2、b至e和R1至R5可以与式1中所定义的相同。

[0032] 在实施例中，在式2中，R1可以为氢原子、取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的叔丁基。

[0033] 在实施例中，在式1中，R2和R3可以均独立地为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基或者取代或未取代的甲基。

[0034] 在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式3‑1或式3‑2表示。

[0035] [式3‑1]

[0036]

[0037] [式3‑2]

[0038]

[0039] 在式3‑1和式3‑2中，R21、R22、R31和R32可以均独立地为氢原子、氟原子、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基或者取代或未取代的甲基，并且X1、X2、a、d、e、R1、R4和R5可以与式1中所定义的相同。

[0040] 在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式4表示。

[0041] [式4]

[0042]

[0043] 在式4中，X1、X2、a至c和R1至R5可以与式1中所定义的相同。

[0044] 在实施例中，在式4中，R4和R5可以均独立地为取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的二苯胺基。

[0045] 在实施例中，X1和X2中的至少一个可以是N(Ra)，并且Ra可以是由式A1至式A6中的任何一个表示的基团。

[0046]

[0047] 在式A1至式A6中，Ph可以是未取代的苯基。

[0048] 在实施例中，多环化合物可以包括对映异构体。

[0049] 在实施例中，发光层可以是包括主体和掺杂剂的延迟荧光发光层，并且掺杂剂可以包括多环化合物。

[0050] 在实施例中，发光层可以发射具有在约450nm至约470nm的范围内的中心波长的蓝光。

附图说明

[0051] 包括附图以提供对实施例的进一步理解，并且附图被并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图示出了公开的实施例及其原理。通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的上面和其它方面和特征将变得更加明显，在附图中：

[0052] 图1是示出根据实施例的显示装置的平面图；

[0053] 图2是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；

[0054] 图3是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图；

[0055] 图4是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图；

[0056] 图5是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图；

[0057] 图6是示出根据实施例的发光器件的示意性剖视图；

[0058] 图7是示出根据实施例构思的多环化合物的结构的示意图；

[0059] 图8是根据实施例的显示装置的示意性剖视图；以及

[0060] 图9是根据实施例的显示装置的示意性剖视图。

具体实施方式

[0061] 现在将在下文中参照附图更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应该被解释为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。

[0062] 在附图中，为了易于描述和为了清楚，可以夸大元件的尺寸、厚度、比率和大小。同样的标号始终指同样的元件。

[0063] 在说明书中，将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，该元件(或区域、层、部分等)可以直接在所述另一元件上、直接连接到或直接结合到所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或更多个居间元件。以类似的含义，当元件(或区域、层、部分等)被描述为“覆盖”另一元件时，该元件(或区域、层、部分等)可以直接覆盖所述另一元件，或者在它们之间可以存在一个或更多个居间元件。

[0064] 在说明书中，当元件“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件时，不存在居间元件。例如，“直接在……上”可以意味着设置两个层或两个元件，而在它们之间没有诸如粘合元件的附加元件。

[0065] 如在此所使用的，除非上下文另外清楚地指示，否则以单数使用的表达(诸如“一”、“一个(种/者)”和“所述(该)”)也旨在包括复数形式。

[0066] 如在此所使用的，术语“和/或”包括相关所列项中的一个或更多个的任何组合和所有组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意味着“A、B或者A和B”。术语“和”以及“或”可以以连接或分离的含义使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

[0067] 出于其含义和解释的目的，术语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“选自于……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意味着“A、B或者A和B”。当术语“……中的至少一个(种/者)”在一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)，而不修饰该列中的个别元件(要素)。

[0068] 将理解的是，尽管在此可以使用术语第一、第二等来描述各种元件，但是这些元件不应该受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离公开的教导的情况下，第一元件可以被称为第二元件。类似地，在不脱离公开的范围的情况下，第二元件可以被称为第一元件。

[0069] 为了易于描述，在此可以使用空间相对术语“在……下方”、“在……之下”、“下(下部)”、“在……上方”、“上(上部)”等来描述如附图中所示出的一个元件或组件与另一元件或组件之间的关系。将理解的是，除了附图中所描绘的方位之外，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的不同方位。例如，在附图中所示出的装置被翻转的情况下，位于另一装置“下方”或“之下”的装置可以放置“在”另一装置“上方”。因此，说明性术语“在……下方”可以包括下部位置和上部位置两者。装置也可以在其它方向上定向，因此空间相对术语可以根据方位而不同地解释。

[0070] 如在此所使用的术语“约(大约)”或“近似”包括所陈述的值，并且考虑到所讨论的测量和与所述量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)，意味着在如由本领域普通技术人员所确定的所述值的可接受偏差的范围内。例如，“约(大约)”可以意味着在一个或更多个标准偏差内，或在所陈述的值的±20％、±10％或±5％内。

[0071] 应该理解的是，术语“包含”、“包括”、“具有”、“含有”及其变型等旨在说明在公开中存在所陈述的特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合，但不排除存在或添加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件或它们的组合。

[0072] 除非在此另外定义或暗示，否则所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非在说明
书中清楚地定义，否则术语(诸如在常用词典中定义的术语)应该被解释为具有与它们在相
关领域的上下文中的含义一致的含义，并且不应该以理想化或过于形式化的含义来解释。

[0073] 在说明书中，术语“取代或未取代的”可以意味着被选自于由氘原子、卤素原子、氰基、硝基、氨基(或胺基)、甲硅烷基、氧基、硫基、亚磺酰基、磺酰基、羰基、硼基、氧化膦基、硫化膦基、烷基、烯基、炔基、烷氧基、烃环基、芳基和杂环基组成的组中的一个或更多个取代基取代或未取代的基团。上述取代基中的每个本身可以被取代或未被取代。例如，联苯基可以解释为芳基，或者可以解释为被苯基取代的苯基。

[0074] 在说明书中，术语“结合到相邻基团以形成环”可以意味着结合到相邻基团以形成取代或未取代的烃环或者取代或未取代的杂环的基团。烃环可以是脂肪族烃环或芳香族烃环。杂环可以是脂肪族杂环或芳香族杂环。烃环和杂环可以均独立地为单环或多环。由相邻基团的结合形成的环本身可以连接到另一环以形成螺结构。

[0075] 在说明书中，术语“相邻基团”可以意味着在与被取代基取代的原子直接连接的原子处进行取代的取代基、在被取代基取代的原子处取代的另一取代基或者在三维结构上与对应的取代基最相邻的取代基。例如，在1,2‑二甲基苯中，两个甲基可以解释为彼此“相邻基团”，并且在1,1‑二乙基环戊烷中，两个乙基可以解释为彼此“相邻基团”。例如，在4,5‑二甲基菲中，两个甲基可以解释为彼此“相邻基团”。

[0076] 在说明书中，卤素原子的示例可以包括氟原子、氯原子、溴原子或碘原子。

[0077] 在说明书中，烷基可以是直链的、支链的或环链的。烷基中的碳原子数可以为1个至30个、1个至20个、1个至10个或1个至6个。烷基的示例可以包括甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、叔丁基、异丁基、2‑乙基丁基、3,3‑二甲基丁基、正戊基、异戊基、新戊基、叔戊基、环戊基、1‑甲基戊基、3‑甲基戊基、2‑乙基戊基、4‑甲基‑2‑戊基、正己基、1‑甲基己基、2‑乙基己基、2‑丁基己基、环己基、4‑甲基环己基、4‑叔丁基环己基、正庚基、1‑甲基庚基、2,2‑二甲基庚基、2‑乙基庚基、2‑丁基庚基、正辛基、叔辛基、2‑乙基辛基、2‑丁基辛基、
2‑己基辛基、3,7‑二甲基辛基、环辛基、正壬基、正癸基、金刚烷基、2‑乙基癸基、2‑丁基癸基、2‑己基癸基、2‑辛基癸基、正十一烷基、正十二烷基、2‑乙基十二烷基，2‑丁基十二烷基、
2‑己基十二烷基、2‑辛基十二烷基、正十三烷基、正十四烷基、正十五烷基、正十六烷基、2‑乙基十六烷基、2‑丁基十六烷基、2‑己基十六烷基、2‑辛基十六烷基、正十七烷基、正十八烷基、正十九烷基、正二十烷基、2‑乙基二十烷基、2‑丁基二十烷基、2‑己基二十烷基、2‑辛基二十烷基、正二十一烷基、正二十二烷基、正二十三烷基、正二十四烷基、正二十五烷基、正二十六烷基、正二十七烷基、正二十八烷基、正二十九烷基和正三十烷基等，但不限于此。

[0078] 在说明书中，环烷基可以是环状烷基。环烷基中的碳原子数可以为3个至50个、3个至30个、3个至20个或3个至10个。环烷基的示例可以包括环丙基、环丁基、环戊基、环己基、4‑甲基环己基、4‑叔丁基环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、降冰片基、1‑金刚烷基、
2‑金刚烷基、异冰片基、二环庚基等，但不限于此。

[0079] 在说明书中，烯基可以是在具有2个或更多个碳原子的烷基的中间或末端处包括一个或更多个碳‑碳双键的烃基。烯基可以是直链的或支链的。烯基中的碳原子数没有具体地限制，但是可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。烯基的示例可以包括乙烯基、1‑丁烯基、1‑戊烯基、1,3‑丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，但不限于此。

[0080] 在说明书中，炔基可以是在具有2个或更多个碳原子的烷基的中间或末端处包括一个或更多个碳‑碳三键的烃基。炔基可以是直链的或支链的。炔基中的碳原子数没有具体地限制，但是可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。炔基的示例可以包括乙炔基、丙炔基等，但不限于此。

[0081] 在说明书中，烃环基可以是衍生自脂肪族烃环的任何官能团或取代基。烃环基中的成环碳原子数可以是5个至20个。

[0082] 在说明书中，芳基可以是衍生自芳香族烃环的任何官能团或取代基。芳基可以是单环芳基或多环芳基。芳基中的成环碳原子数可以为6个至60个、6个至30个、6个至20个或6个至15个。芳基的示例可以包括苯基、萘基、芴基、蒽基、菲基、联苯基、三联苯基、四联苯基、五联苯基、六联苯基、亚联苯基、苯并[9,10]菲基、芘基、苯并荧蒽基、 基等，但不限于此。

[0083] 在说明书中，芴基可以被取代，并且两个取代基可以彼此结合以形成螺结构。被取代的芴基的示例如下。然而，实施例不限于此。

[0084]

[0085] 在说明书中，杂环基可以是衍生自包括B、O、N、P、Si和S中的一种或更多种作为杂原子的环的任何官能团或取代基。杂环基可以是脂肪族杂环基或芳香族杂环基。芳香族杂环基可以是杂芳基。脂肪族杂环基和芳香族杂环基可以均独立地为单环或多环。

[0086] 在说明书中，杂环基可以包括B、O、N、P、Si和S中的一种或更多种作为杂原子。当杂环基包括两种或更多种杂原子时，两种或更多种杂原子可以彼此相同或不同。杂环基可以是单环杂环基或多环杂环基，并且杂环基可以是杂芳基。杂环基中的成环碳原子数可以为2个至30个、2个至20个或2个至10个。

[0087] 在说明书中，脂肪族杂环基可以包括B、O、N、P、Si和S中的一种或更多种作为杂原子。脂肪族杂环基中的成环碳原子数可以为2个至30个、2个至20个或2个至10个。脂肪族杂环基的示例可以包括环氧乙烷基、硫杂丙环基、吡咯烷基、哌啶基、四氢呋喃基、四氢噻吩基、硫代环戊烷基、四氢吡喃基、1,4‑二噁烷基等，但不限于此。

[0088] 在说明书中，杂芳基可以包括B、O、N、P、Si和S中的一种或更多种作为杂原子。当杂芳基包括两种或更多种杂原子时，两种或更多种杂原子可以彼此相同或不同。杂芳基可以是单环杂芳基或多环杂芳基。杂芳基中的成环碳原子数可以为2个至30个、2个至20个或2个至10个。杂芳基的示例可以包括噻吩基、呋喃基、吡咯基、咪唑基、三唑基、吡啶基、联吡啶基、嘧啶基、三嗪基、吖啶基、哒嗪基、吡嗪基、喹啉基、喹唑啉基、喹喔啉基、吩噁嗪基、酞嗪基、吡啶并嘧啶基、吡啶并吡嗪基、吡嗪并吡嗪基、异喹啉基、吲哚基、咔唑基、N‑芳基咔唑基、N‑杂芳基咔唑基、N‑烷基咔唑基、苯并噁唑基、苯并咪唑基、苯并噻唑基、苯并咔唑基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻吩并噻吩基、苯并呋喃基、菲咯啉基、噻唑基、异噁唑基、噁唑基、噁二唑基、噻二唑基、吩噻嗪基、二苯并噻咯基、二苯并呋喃基等，但不限于此。

[0089] 在说明书中，除了亚芳基是二价基团之外，芳基的上面的描述可以应用于亚芳基。除了亚杂芳基是二价基团之外，杂芳基的上面的描述可以应用于亚杂芳基。

[0090] 在说明书中，甲硅烷基可以是烷基甲硅烷基或芳基甲硅烷基。甲硅烷基的示例可以包括三甲基甲硅烷基、三乙基甲硅烷基、叔丁基二甲基甲硅烷基、乙烯基二甲基甲硅烷
基、丙基二甲基甲硅烷基、三苯基甲硅烷基、二苯基甲硅烷基、苯基甲硅烷基等，但不限于此。

[0091] 在说明书中，氨基中的碳原子数没有具体地限制，但可以是1个至30个。氨基可以是烷氨基、芳氨基或杂芳氨基。氨基的示例可以包括甲氨基、二甲氨基、苯氨基、二苯氨基、萘氨基、9‑甲基‑蒽氨基等，但不限于此。

[0092] 在说明书中，羰基中的碳原子数没有具体地限制，但可以是1个至40个、1个至30个或1个至20个。例如，羰基可以具有以下结构中的一个，但不限于此。

[0093]

[0094] 在说明书中，亚磺酰基或磺酰基中的碳原子数没有具体地限制，但可以是1个至30个。亚磺酰基可以是烷基亚磺酰基或芳基亚磺酰基。磺酰基可以是烷基磺酰基或芳基磺酰
基。

[0095] 在说明书中，硫基可以是烷硫基或芳硫基。硫基可以是结合到如上面定义的烷基或结合到如上面定义的芳基的硫原子。硫基的示例可以包括甲硫基、乙硫基、丙硫基、戊硫基、己硫基、辛硫基、十二烷硫基、环戊硫基、环己硫基、苯硫基、萘硫基等，但不限于此。

[0096] 在说明书中，氧基可以是结合到如上面定义的烷基或结合到如上面定义的芳基的氧原子。氧基可以是烷氧基或芳氧基。烷氧基可以是直链的、支链的或环链的。烷氧基中的碳原子数没有具体地限制，但可以是例如1个至20个或1个至10个。氧基的示例可以包括甲
氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、丁氧基、戊氧基、己氧基、辛氧基、壬氧基、癸氧基、苄氧基等，但不限于此。

[0097] 在说明书中，硼基可以是结合到如上面定义的烷基或结合到如上面定义的芳基的硼原子。硼基可以是烷基硼基或芳基硼基。硼基的示例可以包括二甲基硼基、二乙基硼基、叔丁基甲基硼基、二苯基硼基、苯基硼基等，但不限于此。

[0098] 在说明书中，烯基可以是直链的或支链的。烯基中的碳原子数没有具体地限制，但可以是2个至30个、2个至20个或2个至10个。烯基的示例可以包括乙烯基、1‑丁烯基、1‑戊烯基、1,3‑丁二烯基、苯乙烯基、苯乙烯基乙烯基等，但不限于此。

[0099] 在说明书中，胺基中的碳原子数没有具体地限制，但可以为1个至30个。胺基可以是烷胺基或芳胺基。胺基的示例可以包括甲胺基、二甲胺基、苯胺基、二苯胺基、萘胺基、9‑甲基‑蒽胺基等，但不限于此。

[0100] 在说明书中，在烷氧基、烷硫基、烷基亚磺酰基、烷基磺酰基、烷芳基、烷氨基、烷基硼基、烷基甲硅烷基或烷胺基中的烷基可以与上面描述的烷基的示例相同。

[0101] 在说明书中，在芳氧基、芳硫基、芳基亚磺酰基、芳基磺酰基、芳氨基、芳基硼基、芳基甲硅烷基或芳胺基中的芳基可以与上面描述的芳基的示例相同。

[0102] 在说明书中，直连键可以是单键。

[0103] 在说明书中， 和‑*均指示与邻近原子的结合位。

[0104] 在下文中，将参照附图描述实施例。

[0105] 图1是示出显示装置DD的实施例的平面图。图2是实施例的显示装置DD的示意性剖视图。图2是示出对应于图1的线I‑I'的部分的示意性剖视图。

[0106] 显示装置DD可以包括显示面板DP和设置在显示面板DP上的光学层PP。显示面板DP包括发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3。显示装置DD可以包括多个发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3。光学层PP可以设置在显示面板DP上，并且可以控制来自外部光而在显示面板DP处反射的光。
光学层PP可以包括例如偏振层或滤色器层。尽管未在附图中示出，但是在实施例中，可以从显示装置DD省略光学层PP。

[0107] 基体基底BL可以设置在光学层PP上。基体基底BL可以提供其上设置有光学层PP的基体表面。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，并且基体基底BL可以包括无机层、有机层或复合材料层。尽管未在附图中示出，但是在实施例中，可以省略基体基底BL。

[0108] 根据实施例的显示装置DD还可以包括填充层(未示出)。填充层(未示出)可以设置在显示元件层DP‑ED与基体基底BL之间。填充层(未示出)可以是有机材料层。填充层(未示出)可以包括丙烯酸树脂、(聚)硅氧烷类树脂和环氧树脂中的至少一种。

[0109] 显示面板DP可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP‑CL和显示元件层DP‑ED。显示元件层DP‑ED可以包括像素限定层PDL、设置在像素限定层PDL之间的发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3以及设置在发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3上的封装层TFE。

[0110] 基体层BS可以提供其上设置有显示元件层DP‑ED的基体表面。基体层BS可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，并且基体层BS可以包括无机层、有机层或复合材料层。

[0111] 在实施例中，电路层DP‑CL设置在基体层BS上，并且电路层DP‑CL可以包括晶体管(未示出)。晶体管(未示出)中的每个可以包括控制电极、输入电极和输出电极。例如，电路层DP‑CL可以包括用来驱动显示元件层DP‑ED的发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3的驱动晶体管和开关晶体管。

[0112] 发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3中的每个可以具有稍后将描述的根据图3至图6的实施例的发光器件ED的结构。发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3中的每个可以包括第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发光层EML‑R、EML‑G和EML‑B、电子传输区域ETR以及第二电极EL2。

[0113] 图2示出了这样的实施例，其中，发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3的发光层EML‑R、EML‑G和EML‑B设置在像素限定层PDL中限定的开口OH中，并且空穴传输区域HTR、电子传输区域ETR和第二电极EL2均设置为遍及发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3的公共层。然而，实施例不限于此。尽管未在图2中示出，但是在实施例中，空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR可以均被图案化且设置在像素限定层PDL中限定的开口OH内部。例如，在实施例中，发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3的空穴传输区域HTR、发光层EML‑R、EML‑G和EML‑B、电子传输区域ETR等可以通过喷墨印刷方法而被图案化和被设置。

[0114] 封装层TFE可以覆盖发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3。封装层TFE可以使发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3密封。封装层TFE可以是薄膜封装层。封装层TFE可以是单个层或多个层的层叠体。封装层TFE可以包括至少一个绝缘层。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个无机膜(在下文中，封装无机膜)。根据实施例的封装层TFE可以包括至少一个有机膜(在下文中，封装有机膜)和至少一个封装无机膜。

[0115] 封装无机膜可以保护显示元件层DP‑ED免受湿气和/或氧的影响，并且封装有机膜可以保护显示元件层DP‑ED免受诸如灰尘颗粒的异物的影响。封装无机膜可以包括氮化硅、氮氧化硅、氧化硅、氧化钛、氧化铝等，但不具体地限于此。封装有机膜可以包括丙烯酸化合物、环氧类化合物等。封装有机膜可以包括可光聚合的有机材料，但不具体地限于此。

[0116] 封装层TFE可以设置在第二电极EL2上，并且可以设置为填充开口OH。

[0117] 参照图1和图2，显示装置DD可以包括非发光区域NPXA和发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B。发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B中的每个可以是其中发射从发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3中的每个产生的光的区域。发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B可以在平面上彼此间隔开。

[0118] 发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B中的每个可以是通过像素限定层PDL分离的区域。非发光区域NPXA可以是在相邻发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B之间的区域，并且可以对应于像素限定层PDL。例如，在实施例中，发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B中的每个可以对应于像素。像素限定层PDL可以使发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3分离。发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3的发光层EML‑R、EML‑G和EML‑B可以设置于在像素限定层PDL中限定并且彼此分离的开口OH中。

[0119] 可以根据从发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3中的每个产生的光的颜色将发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B分成组。在图1和图2中所示出的实施例的显示装置DD中，示出了分别发射红光、绿光和蓝光的三个发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B。例如，实施例的显示装置DD可以包括彼此不同的红色发光区域PXA‑R、绿色发光区域PXA‑G和蓝色发光区域PXA‑B。

[0120] 在根据实施例的显示装置DD中，发光器件ED‑1、ED‑2和ED‑3可以均发射不同波长区域的光。例如，在实施例中，显示装置DD可以包括发射红光的第一发光器件ED‑1、发射绿光的第二发光器件ED‑2和发射蓝光的第三发光器件ED‑3。例如，显示装置DD的红色发光区域PXA‑R、绿色发光区域PXA‑G和蓝色发光区域PXA‑B可以分别对应于第一发光器件ED‑1、第二发光器件ED‑2和第三发光器件ED‑3。

[0121] 然而，实施例不限于此。第一发光器件ED‑1、第二发光器件ED‑2和第三发光器件ED‑3可以发射相同波长区域内的光或其至少一个可以发射不同波长区域的光。例如，第一发光器件ED‑1、第二发光器件ED‑2和第三发光器件ED‑3都可以发射蓝光。

[0122] 在根据实施例的显示装置DD中，发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B可以以条纹构造布置。参照图1，红色发光区域PXA‑R、绿色发光区域PXA‑G和蓝色发光区域PXA‑B中的每个可以沿着第二方向轴DR2布置。在另一实施例中，红色发光区域PXA‑R、绿色发光区域PXA‑G和蓝色发光区域PXA‑B可以沿着第一方向轴DR1按红色发光区域PXA‑R、绿色发光区域PXA‑G和蓝色发光区域PXA‑B的顺序交替地布置。

[0123] 图1和图2示出了发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B的面积在尺寸上都类似，但是实施例不限于此。发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B的面积可以根据发射的光的波长区域而彼此不同。发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B的面积可以是在由与第三方向轴DR3交叉的第一方向轴DR1和第二方向轴DR2定义的平面图中的面积。

[0124] 发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B的布置类型不限于图1中所示出的布置类型。可以根据显示装置DD所需的显示质量特性以各种组合设置其中布置有红色发光区域PXA‑R、绿色发光区域PXA‑G和蓝色发光区域PXA‑B的顺序。例如，发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B的布置可以是 布置形状或菱形布置形状。

[0125] 在实施例中，发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B的面积可以在尺寸上彼此不同。例如，在实施例中，绿色发光区域PXA‑G的面积可以小于蓝色发光区域PXA‑B的面积，但是实施例不限于此。

[0126] 在下文中，图3至图6均是示出根据实施例的发光器件ED的示意性剖视图。图7是示出根据实施例的多环化合物的结构的示意图。

[0127] 根据实施例的发光器件ED可以包括顺序堆叠的第一电极EL1、空穴传输区域HTR、发光层EML、电子传输区域ETR和第二电极EL2。

[0128] 与图3相比，图4示出了其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL和空穴传输层HTL，并且电子传输区域ETR包括电子注入层EIL和电子传输层ETL的实施例的发光器件ED的
示意性剖视图。与图3相比，图5示出了其中空穴传输区域HTR包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL，并且电子传输区域ETR包括电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL的实施例的发光器件ED的示意性剖视图。与图4相比，图6示出了包括设置在第二电极EL2上的盖层CPL的实施例的发光器件ED的示意性剖视图。

[0129] 第一电极EL1具有导电性。第一电极EL1可以由金属材料、金属合金或导电化合物形成。第一电极EL1可以是阳极或阴极。然而，实施例不限于此。例如，第一电极EL1可以是阳极。第一电极EL1可以是透射电极、透反射电极或反射电极。例如，第一电极EL1可以包括选自于以下物质中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的氧化物；
Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的化合物；以及Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的混合物。当第一电极EL1是透射电极时，第一电极EL1可以包括透明金属氧化物，例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等。当第一电极EL1是反射电极或透反射电极时，第一电极EL1可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、它们的化合物、它们的混合物(例如，Ag和Mg的混合物)或具有包括从它们中选择的两种或更多种的
多层结构的材料(诸如LiF/Ca或LiF/Al)。在另一实施例中，第一电极EL1可以具有包括由上述材料形成的反射膜或透反射膜以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜的多层结构。例如，第一电极EL1可以具有ITO/Ag/ITO的三层结构。然而，实施例不限于此。第一电极EL1可以包括上述金属材料、选自于上述金属材料中的两种或更多种金属材料的组合、上述金属材料中的任何一种的氧化物等中的任何
一种。第一电极EL1的厚度可以在约 至约 的范围内。例如，第一电极EL1的厚
度可以在约 至约 的范围内。

[0130] 空穴传输区域HTR设置在第一电极EL1上。空穴传输区域HTR可以包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、缓冲层(未示出)、发光辅助层(未示出)和电子阻挡层EBL中的至少一个。空穴传输区域HTR的厚度可以例如在约 至约 的范围内。

[0131] 空穴传输区域HTR可以是由单种材料形成的层、由不同的材料形成的层或具有由不同的材料形成的层的多层结构。

[0132] 例如，空穴传输区域HTR可以具有含有空穴注入层HIL或空穴传输层HTL的单个层的单层结构，或者可以具有含有由空穴注入材料和空穴传输材料形成的单个层的单层结
构。例如，空穴传输区域HTR可以具有由不同的材料形成的单层结构，或者可以具有其中空穴注入层HIL/空穴传输层HTL、空穴注入层HIL/空穴传输层HTL/缓冲层(未示出)、空穴注入层HIL/缓冲层(未示出)、空穴传输层HTL/缓冲层(未示出)或空穴注入层HIL/空穴传输层
HTL/电子阻挡层EBL从第一电极EL1按其相应的所陈述的顺序堆叠的结构，但是实施例不限
于此。

[0133] 空穴传输区域HTR可以使用各种方法(诸如真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔‑布洛杰特(LB)、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(LITI))形成。

[0134] 空穴传输区域HTR可以包括由式H‑1表示的化合物。

[0135] [式H‑1]

[0136]

[0137] 在式H‑1中，L1和L2可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在式H‑1中，a和b可以均独立地为从0至10的整数。当a或b为2或更大时，多个L1基团和多个L2基团可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。

[0138] 在式H‑1中，Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式H‑1中，Ar3可以是取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基。

[0139] 在实施例中，由式H‑1表示的化合物可以是单胺化合物。在另一实施例中，由式H‑1表示的化合物可以是其中Ar1至Ar3中的至少一个包括胺基作为取代基的二胺化合物。在又一实施例中，由式H‑1表示的化合物可以是在Ar1和Ar2中的至少一个中含有取代或未取代的咔唑基的咔唑类化合物或者在Ar1和Ar2中的至少一个中含有取代或未取代的芴基的芴类化
合物。

[0140] 由式H‑1表示的化合物可以是选自于化合物组H中的任何一种。然而，化合物组H中列出的化合物仅是示例。由式H‑1表示的化合物不限于化合物组H中列出的化合物。

[0141] [化合物组H]

[0142]

[0143]

[0144] 空穴传输区域HTR可以包括酞菁化合物(诸如铜酞菁)、N1,N1'‑([1,1'‑联苯]‑4,1 4 4
4'‑二基)双(N‑苯基‑N ,N ‑二‑间甲苯基苯‑1,4‑二胺)(DNTPD)、4,4',4”‑[三(3‑甲基苯基)苯基氨基]三苯胺(m‑MTDATA)、4,4',4”‑三(N,N‑二苯基氨基)三苯胺(TDATA)、4,4',4”‑三[N‑(2‑萘基)‑N‑苯基氨基]三苯胺(2‑TNATA)、聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)/聚(4‑苯乙烯磺酸盐)(PEDOT/PSS)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(PANI/DBSA)、聚苯胺/樟脑磺酸(PANI/CSA)、聚苯胺/聚(4‑苯乙烯磺酸盐)(PANI/PSS)、N,N'‑二(萘‑1‑基)‑N,N'‑二苯基‑联苯胺(NPB)、含三苯胺聚醚酮(TPAPEK)、4‑异丙基‑4'‑甲基二苯基碘鎓[四(五氟苯基)硼酸盐]、二吡嗪并[2,3‑f:2',3'‑h]喹喔啉‑2,3,6,7,10,11‑六腈(HAT‑CN)等。

[0145] 空穴传输区域HTR可以包括咔唑类衍生物(诸如N‑苯基咔唑和聚乙烯基咔唑)、芴类衍生物、三苯胺类衍生物(诸如N,N'‑双(3‑甲基苯基)‑N,N'‑二苯基‑[1,1'‑联苯]‑4,4'‑二胺(TPD)和4,4',4”‑三(N‑咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'‑二(萘‑1‑基)‑N,N'‑二苯基‑联苯胺(NPB)、4,4'‑亚环己基双[N,N‑双(4‑甲基苯基)苯胺](TAPC)、4,4'‑双[N,N'‑(3‑甲苯基)氨基]‑3,3'‑二甲基联苯(HMTPD)、1,3‑双(N‑咔唑基)苯(mCP)等。

[0146] 空穴传输区域HTR可以包括CzSi(9‑(4‑叔丁基苯基)‑3,6‑双(三苯基甲硅烷基)‑9H‑咔唑)、CCP(9‑苯基‑9H‑3,9'‑联咔唑)、mDCP(1,3‑双(1,8‑二甲基‑9H‑咔唑‑9‑基)苯)等。

[0147] 空穴传输区域HTR可以在空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL中的至少一个中包括上述的空穴传输区域HTR的化合物。

[0148] 空穴传输区域HTR的厚度可以在约 至约 的范围内。例如，空穴传输区域HTR的厚度可以在约 至约 的范围内。当空穴传输区域HTR包括空穴注入层
HIL时，空穴注入层HIL的厚度可以例如在约 至约 的范围内。当空穴传输区域
HTR包括空穴传输层HTL时，空穴传输层HTL的厚度可以在约 至约 的范围内。当
空穴传输区域HTR包括电子阻挡层EBL时，电子阻挡层EBL的厚度可以在约 至约
的范围内。当空穴传输区域HTR、空穴注入层HIL、空穴传输层HTL和电子阻挡层EBL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的空穴传输性质而不显著增大驱动电压。

[0149] 除了上述材料之外，空穴传输区域HTR还可以包括电荷产生材料以提高导电性。电荷产生材料可以均匀地或非均匀地分散在空穴传输区域HTR中。电荷产生材料可以是例如p
掺杂剂。p掺杂剂可以包括卤化金属化合物、醌衍生物、金属氧化物和含氰基化合物中的至少一种，但实施例不限于此。例如，p掺杂剂可以包括卤化金属化合物(诸如CuI和RbI)、醌衍生物(诸如四氰基醌二甲烷(TCNQ)和2,3,5,6‑四氟‑7,7,8,8‑四氰基醌二甲烷(F4‑TCNQ))、金属氧化物(诸如氧化钨和氧化钼)、含氰基化合物(诸如二吡嗪并[2,3‑f:2',3'‑h]喹喔
啉‑2,3,6,7,10,11‑六腈(HAT‑CN)和4‑[[2,3‑双[氰基‑(4‑氰基‑2,3,5,6‑四氟苯基)亚甲基]亚环丙基]‑氰基甲基]‑2,3,5,6‑四氟苄腈(NDP9))等，但实施例不限于此。

[0150] 如上面所描述的，除了空穴注入层HIL和空穴传输层HTL之外，空穴传输区域HTR还可以包括缓冲层(未示出)和电子阻挡层EBL中的至少一个。缓冲层(未示出)可以根据从发
光层EML发射的光的波长通过补偿共振距离来增加发光效率。关于可以包括在缓冲层中的
材料，可以使用可以包括在空穴传输区域HTR中的材料。电子阻挡层EBL可以防止电子从电
子传输区域ETR注入到空穴传输区域HTR。

[0151] 发光层EML设置在空穴传输区域HTR上。发光层EML可以具有在约 至约的范围内的厚度。例如，发光层EML可以具有在约 至约 的范围内的厚
度。发光层EML可以是由单种材料形成的层、由不同的材料形成的层或具有由不同的材料形成的层的多层结构。

[0152] 在实施例的发光器件ED中，发光层EML可以包括实施例的多环化合物。参照图7，实施例的多环化合物可以包括苯基PN、取代在苯基PN中的第一取代基SUB1、在苯基PN中取代在相对于第一取代基SUB1的邻位处的第二取代基SUB2以及在苯基PN中取代在相对于第一
取代基SUB1的邻位处且在相对于第二取代基SUB2的间位处的第三取代基SUB3。

[0153] 实施例的多环化合物可以具有其中苯基PN和第一取代基SUB1扭曲的扭曲的分子结构。第一取代基SUB1可以平行于由X方向DR‑X和Y方向DR‑Y定义的第一平面PA1，并且苯基PN可以平行于不与第一平面PA1平行的第二平面PA2。第一平面PA1与第二平面PA2之间的角
度AG可以在约30度至约90度的范围内。例如，第二平面PA2可以垂直于第一平面PA1。第二平面PA2可以是由Y方向DR‑Y和Z方向DR‑Z定义的平面。第二取代基SUB2和第三取代基SUB3可以在Z方向DR‑Z上彼此间隔开且第一取代基SUB1在其之间。

[0154] 在实施例的多环化合物中，第二取代基SUB2和第三取代基SUB3可以彼此相同或不同。当第二取代基SUB2和第三取代基SUB3彼此不同时，实施例的多环化合物可以包括对映
异构体。当第二取代基SUB2和第三取代基SUB3相同时，实施例的多环化合物可以具有对称
结构。

[0155] 第一取代基SUB1可以是由式A‑1表示的基团。

[0156] [式A‑1]

[0157]

[0158] 在式A‑1中，‑*可以指示第一取代基SUB1结合到苯基PN的部分。

[0159] 在式A‑1中，X1和X2可以均独立地为O、S、Se或N(Ra)。X1和X2可以彼此相同或不同。例如，在实施例中，X1和X2可以均是N(Ra)，或者X1和X2中的一个可以是N(Ra)，并且X1和X2中的另一个可以是O、S或Se。

[0160] 在式A‑1中，Ra、Rc1和Rc2可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到
相邻基团以形成环。

[0161] 在实施例中，在式A‑1中，X1和X2中的至少一个可以是N(Ra)，并且Ra可以是由式A1至式A6中的任何一个表示的基团。

[0162]

[0163] 在式A1至式A6中，Ph是未取代的苯基。在式A1至式A6中，‑*可以指示在X1和X2中的至少一个是N(Ra)时如由式A1至式A6中的任何一个表示的Ra结合到N(Ra)的氮原子的部分。

[0164] 在式A‑1中，m和n可以均独立地为从0至4的整数。在式A‑1中，m和n可以彼此相同或不同。当m是0时，苯环可以未被取代，并且当m是1时，一个Rc1基团可以取代在苯环处。当m是2或更大时，多个Rc1基团可以取代在苯环处。当m是1时，Rc1可以在苯环处取代在相对于硼原子的对位处。当m为2或更大时，多个Rc1基团可以全部相同，或者至少一个Rc1基团可以不同。
当n为1时，Rc2可以在苯环处取代在相对于硼原子的对位处，并且当n为2或更大时，多个Rc2基团可以全部相同，或者至少一个Rc2基团可以不同。

[0165] 在实施例中，在式A‑1中，Rc1和Rc2可以均独立地为取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的二苯胺基。然而，实施例不限于此。

[0166] 第二取代基SUB2和第三取代基SUB3可以均独立地为由式A‑2表示的基团。例如，第二取代基SUB2和第三取代基SUB3可以彼此相同或不同。

[0167] [式A‑2]

[0168]

[0169] 在式A‑2中，o可以是从0至8的整数。当o为0时，苯环可以未被取代，并且当o为1时，一个Rd基团可以取代在苯环处。当o为2或更大时，多个Rd基团可以取代在苯环处。当o为1时，Rd可以在苯环处取代在相对于氮原子的对位处。当o为2时，两个Rd基团可以取代在苯环处，并且可以均在相对于氮原子的对位处。当o为2或更大时，多个Rd基团可以全部相同，或者至少一个Rd基团可以不同。

[0170] 在式A‑2中，Rd可以为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个(例如，1个至10个)碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相
邻基团以形成环。在实施例中，在式A‑2中，Rd可以为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基或者取代或未取
代的甲基。然而，实施例不限于此。

[0171] 在式A‑2中，当o为1或2时，除了当Rd为氘原子时之外，Rd可以取代在相对于式A‑2的氮原子的对位处。例如，当o为1时，一个Rd基团可以取代在相对于氮原子的对位处，并且当o为2时，两个Rd基团可以均取代在相对于氮原子的对位处。

[0172] 实施例的多环化合物具有其中苯基PN和第一取代基SUB1扭曲的扭曲的分子结构，使得苯基PN和第一取代基SUB1可以不共振。由于苯基PN和第一取代基SUB1不共振，因此第
一取代基SUB1的电子不会在苯基PN中离域。由于第一取代基SUB1的电子不在苯基PN中离
域，因此第一取代基SUB1的电子的密度可以增大，因此，第一取代基SUB1的多共振效应可以增大。

[0173] 在实施例中，庞大的(体积大的)第二取代基SUB2和第三取代基SUB3可以保护第一取代基SUB1的硼原子的空p轨道免受亲核试剂的影响。结果，可以减少由于实施例的多环化合物的硼原子与亲核试剂之间的相互作用引起的劣化，并且多环化合物的结构稳定性可以
增加。在实施例的多环化合物中，由于庞大的第二取代基SUB2和第三取代基SUB3的空间位
阻效应，与其它多环化合物的分子间距离可以是大的，使得可以存在较小的分子间相互作
用。结果，实施例的多环化合物的结构稳定性可以增大。

[0174] 尽管未在附图中示出，但在实施例中，多环化合物还可以包括在苯基PN处取代在相对于第一取代基SUB1的对位处的第四取代基。在实施例中，第四取代基可以是氢原子、取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的叔丁基。

[0175] 在实施例中，多环化合物可以是选自于化合物组1中的任何一种。

[0176] [化合物组1]

[0177]

[0178]

[0179]

[0180]

[0181]

[0182]

[0183] 在化合物组1中，Ph可以是未取代的苯基。

[0184] 在实施例中，多环化合物可以由式1表示。

[0185] [式1]

[0186]

[0187] 在式1中，X1和X2可以均独立地为O、S、Se或N(Ra)。X1和X2可以彼此相同或不同。例如，在实施例中，X1和X2可以均为N(Ra)，或者X1和X2中的一个可以是N(Ra)，并且X1和X2中的另一个可以是O、S或Se。然而，实施例不限于此。

[0188] 在实施例中，X1和X2中的至少一个可以是N(Ra)，并且Ra可以是由式A1至式A6中的任何一个表示的基团。

[0189]

[0190] 在式A1至式A6中，Ph是未取代的苯基。在式A1至式A6中，—*可以指示在X1和X2中的至少一个是N(Ra)时如由式A1至式A6中的任何一个表示的Ra结合到N(Ra)的氮原子的部分。

[0191] 在式1中，R1至R5和Ra可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻
基团以形成环。例如，R1至R5和Ra可以可选地结合到相邻基团以形成烃环。

[0192] 在实施例中，R1可以为氢原子、取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的叔丁基。然而，实施例不限于此。

[0193] 在实施例中，R2和R3可以均独立地为氢原子、氘原子、氟原子、氰基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基或者取代或未取代的甲基。然而，实施例不限于此。

[0194] 在实施例中，R4和R5可以均独立地为取代或未取代的咔唑基或者取代或未取代的二苯胺基。然而，实施例不限于此。

[0195] 在式1中，a可以是从0至3的整数。当a是0时，可以未取代有R1，并且当a是1时，可以取代有一个R1基团。当a为2或更大时，可以取代有多个R1基团。当a是1时，R1可以在苯基处取代在相对于咔唑基的邻位处。当a为2或更大时，多个R1基团可以全部相同，或者至少一个R1基团可以与其它R1基团不同。

[0196] 在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式2表示。式2表示其中a为1并且R1在苯基处取代在相对于咔唑基的间位处的情况。

[0197] [式2]

[0198]

[0199] 在式2中，X1、X2、b至e和R1至R5可以与式1中所定义的相同。

[0200] 在式1中，b和c可以均独立地为从0至8的整数。当b是0时，咔唑基未被取代，并且当b是1时，一个R2基团取代在咔唑基处。当b为2或更大时，多个R2基团取代在咔唑基处。当b是1时，R2可以在咔唑基处取代在相对于咔唑基中的氮原子的对位处，并且当b是2时，两个R2基团可以取代在咔唑基处并且可以均在相对于咔唑基中的氮原子的对位处。当b为2或更大时，多个R2基团可以全部相同，或者至少一个R2基团可以与其它R2基团不同。当c是1时，R3可以在咔唑基处取代在相对于咔唑基中的氮原子的对位处，并且当c是2时，两个R3基团可以
取代在咔唑基处并且可以均在相对于咔唑基中的氮原子的对位处。当c为2或更大时，多个
R3基团可以全部相同，或者至少一个R3基团可以与其它R3基团不同。

[0201] 在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式3‑1或式3‑2表示。式3‑1是其中式1中的b和c均为1，并且R2和R3中的每个在咔唑基处取代在相对于咔唑基中的氮原子的对位处的情况。式3‑2是其中式1中的b和c均为2，并且R2和R3中的每个取代在咔唑基处并且均在相对于咔唑基中的氮原子的对位处的情况。

[0202] [式3‑1]

[0203]

[0204] [式3‑2]

[0205]

[0206] 在式3‑1和式3‑2中，R21、R22、R31和R32可以均独立地为氢原子、氟原子、氰基、取代或未取代的苯基、取代或未取代的叔丁基、取代或未取代的三苯基甲硅烷基或者取代或未取代的甲基。在式3‑1和式3‑2中，X1、X2、a、d、e、R1、R4和R5可以与式1中所定义的相同。

[0207] 在式1中，d和e可以均独立地为从0至4的整数。当d是1时，R4可以在核部分处取代在相对于硼原子的对位处。当d为2或更大时，多个R4基团可以全部相同，或者至少一个R4基团可以与其它R4基团不同。当e是1时，R5可以在核部分处取代在相对于硼原子的对位处。当e为2或更大时，多个R5基团可以全部相同，或者至少一个R5基团可以与其它R5基团不同。

[0208] 在实施例中，由式1表示的多环化合物可以由式4表示。式4是其中d和e均为1，并且R4和R5中的每个在核部分处取代在相对于硼原子的对位处的情况。

[0209] [式4]

[0210]

[0211] 在式4中，X1、X2、a至c和R1至R5可以与式1中所定义的相同。

[0212] 在实施例中，由式1表示的多环化合物可以是选自于如上面解释的化合物组1中的任何一种。

[0213] 由式1表示或包括取代有第一取代基SUB1至第三取代基SUB3的苯基PN的多环化合物可以用作热激活延迟荧光(TADF)材料。例如，实施例的多环化合物可以用作发射蓝光的
TADF掺杂剂材料。实施例的多环化合物可以是具有在等于或小于约490nm的波长区域内的
发光中心波长(λmax)的发光材料。例如，实施例的多环化合物可以是具有在约450nm至约
470nm的范围内的发光中心波长的发光材料。实施例的多环化合物可以是蓝色热激活延迟
荧光掺杂剂材料。然而，实施例不限于此。

[0214] 根据上述实施例的由式1表示或包括取代有第一取代基SUB1至第三取代基SUB3的苯基PN的多环化合物具有扭曲的分子结构，在扭曲的分子结构中，苯基PN和第一取代基
SUB1由于庞大的第二取代基SUB2和第三取代基SUB3的空间位阻效应而扭曲。由于其中苯基
PN和第一取代基SUB1扭曲的扭曲的分子结构，第一取代基SUB1可以位于第一平面PA1上，并且苯基PN可以位于第二平面PA2上。多环化合物可以具有位于庞大的第二取代基SUB2与第
三取代基SUB3之间的第一取代基SUB1。例如，在庞大的第二取代基SUB2与第三取代基SUB3
之间，可以定位有第一取代基SUB1的硼原子。由于庞大的第二取代基SUB2和第三取代基
SUB3的空间位阻效应，可以将第一取代基SUB1的硼原子的空p轨道与亲核试剂阻隔。由于庞大的第二取代基SUB2和第三取代基SUB3的空间位阻效应，多环化合物与其它分子之间的分
子间距离变大，使得可以存在较小的分子间相互作用。结果，根据实施例的多环化合物的结构稳定性可以增加，并且可以提高在发光层EML中包括根据实施例的多环化合物的发光器
件ED的效率。

[0215] 实施例的发光器件ED可以具有等于或大于约20％的最大外量子效率(EQE)。最大外量子效率可以通过以下公式来计算：

[0216] [内量子效率×电荷平衡×外耦合效率]。

[0217] 内量子效率是所产生的激子被转换成光的形式所处的比率。电荷平衡意味着形成激子的空穴与电子之间的平衡，并且假设空穴和电子的比率为1:1，电荷平衡通常具有1的
值。外耦合效率是发射到外部的光与从发光层发射的光的比率。在具有扭曲的分子结构的
多环化合物中，作为核部分的第一取代基SUB1与苯基PN之间不发生共振，使得不发生电子
从多环化合物的第一取代基SUB1离域到苯基PN。因此，多环化合物的核部分中的电子密度
可以增大，并且在多环化合物的核部分中，可以促进多共振。结果，可以增大根据实施例的多环化合物的电性质，并且可以提高在发光层EML中包括根据实施例的多环化合物的发光
器件ED的效率。例如，发光器件ED的最大外量子效率(EQE)可以等于或大于约20％。

[0218] 实施例的发光器件ED除了上面描述的实施例的多环化合物之外还可以包括以下发光层材料。在实施例的发光器件ED中，发光层EML可以包括蒽衍生物、芘衍生物、荧蒽衍生物、 衍生物、二氢苯并蒽衍生物或苯并[9,10]菲衍生物。例如，发光层EML可以包括蒽衍
生物或芘衍生物。

[0219] 在图3至图6中所示出的实施例的发光器件ED中，发光层EML可以包括主体和掺杂剂，并且发光层EML可以包括由式E‑1表示的化合物。由式E‑1表示的化合物可以用作荧光主体材料。

[0220] [式E‑1]

[0221]

[0222] 在式E‑1中，R31至R40可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、取代或未取代的甲硅烷基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以
可选地结合到相邻基团以形成环。在式E‑1中，R31至R40可以可选地结合到相邻基团以形成饱和烃环、不饱和烃环、饱和杂环或不饱和杂环。

[0223] 在式E‑1中，c和d可以均独立地为从0至5的整数。

[0224] 由式E‑1表示的化合物可以是选自于化合物E1至化合物E19中的任何一种。

[0225]

[0226]

[0227] 在实施例中，发光层EML可以包括由式E‑2a或式E‑2b表示的化合物。由式E‑2a或式E‑2b表示的化合物可以用作磷光主体材料。

[0228] [式E‑2a]

[0229]

[0230] 在式E‑2a中，a可以是从0至10的整数，并且La可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳
基。当a为2或更大时，多个La基团可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。

[0231] 在式E‑2a中，A1至A5可以均独立地为N或C(Ri)。Ra至Ri可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至10个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂
芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。Ra至Ri可以可选地结合到相邻基团以形成烃环或含有N、O、S等作为成环原子的杂环。

[0232] 在式E‑2a中，A1至A5中的两个或三个可以是N，并且A1至A5中的其余可以是C(Ri)。

[0233] [式E‑2b]

[0234]

[0235] 在式E‑2b中，Cbz1和Cbz2可以均独立地为未取代的咔唑基或取代有具有6个至30个成环碳原子的芳基的咔唑基。Lb可以是直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。在式E‑2b中，b可以是从0至10的整数，并且当b为2或更大时，多个Lb基团可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂
芳基。

[0236] 由式E‑2a或式E‑2b表示的化合物可以是选自于化合物组E‑2中的任何一种。然而，化合物组E‑2中列出的化合物仅为示例。由式E‑2a或式E‑2b表示的化合物不限于化合物组E‑2中列出的化合物。

[0237] [化合物组E‑2]

[0238]

[0239]

[0240] 发光层EML还可以包括本领域中的常用材料作为主体材料。例如，发光层EML可以包括双(4‑(9H‑咔唑‑9‑基)苯基)二苯基硅烷(BCPDS)、(4‑(1‑(4‑(二苯基氨基)苯基)环己基)苯基)二苯基‑氧化膦(POPCPA)、双[2‑(二苯基膦基)苯基]醚氧化物(DPEPO)、4,4'‑双(N‑咔唑基)‑1,1'‑联苯(CBP)、1,3‑双(咔唑‑9‑基)苯(mCP)、2,8‑双(二苯基磷酰基)二苯并[b,d]呋喃(PPF)、4,4',4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺(TCTA)和1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并[d]咪唑‑2‑基)苯(TPBi)中的至少一种作为主体材料。然而，实施例不限于此。例如，三(8‑羟基喹啉)铝(Alq3)、9,10‑二(萘‑2‑基)蒽(ADN)、2‑叔丁基‑9,10‑二(萘‑2‑基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA)、4,4'‑双(9‑咔唑基)‑2,2'‑二甲基‑联苯(CDBP)、2‑甲基‑9,10‑双(萘‑2‑基)蒽(MADN)、六苯基环三磷腈(CP1)、1,4‑双(三苯基甲硅烷基)苯(UGH2)、六苯基环三硅氧烷(DPSiO3)、八苯基环四硅氧烷(DPSiO4)等可以用作主体材料。

[0241] 发光层EML可以包括由式M‑a或式M‑b表示的化合物。由式M‑a或式M‑b表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。

[0242] [式M‑a]

[0243]

[0244] 在式M‑a中，Y1至Y4和Z1至Z4可以均独立地为C(R1)或N，并且R1至R4可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环
碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。在式M‑a中，m可以是0或1，并且n可以是2或3。在式M‑a中，当m是0时，n可以是3，并且当m是1时，n可以是2。

[0245] 由式M‑a表示的化合物可以用作磷光掺杂剂材料。

[0246] 由式M‑a表示的化合物可以是选自于化合物M‑a1至化合物M‑a25中的任何一种。然而，化合物M‑a1至化合物M‑a25仅为示例。由式M‑a表示的化合物不限于化合物M‑a1至化合物M‑a25。

[0247]

[0248]

[0249]

[0250] 化合物M‑a1和化合物M‑a2可以用作红色掺杂剂材料，并且化合物M‑a3至化合物M‑a7可以用作绿色掺杂剂材料。

[0251] [式M‑b]

[0252]

[0253] 在式M‑b中，Q1至Q4可以均独立地为C或N，并且C1至C4可以均独立地为取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。在式M‑b中，L21至L24可以均独立地为直连键、*—O—*、*‑S‑*、
取代或未取代的具有1个至20个
碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的
具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基，并且e1至e4可以均独立地为0或1。在式M‑b中，R31至R39可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代
或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成
环，并且d1至d4可以均独立地为从0至4的整数。

[0254] 由式M‑b表示的化合物可以用作蓝色磷光掺杂剂材料或用作绿色磷光掺杂剂材料。

[0255] 由式M‑b表示的化合物可以是选自于化合物M‑b‑1至化合物M‑b‑12中的任何一种。然而，化合物M‑b‑1至化合物M‑b‑12仅为示例。由式M‑b表示的化合物不限于化合物M‑b‑1至化合物M‑b‑12。

[0256]

[0257] 在化合物M‑b‑1至化合物M‑b‑12中，R、R38和R39可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。

[0258] 发光层EML可以包括由式F‑a至式F‑c中的任何一个表示的化合物。由式F‑a至式F‑c表示的化合物可以用作荧光掺杂剂材料。

[0259] [式F‑a]

[0260]

[0261] 在式F‑a中，选自于Ra至Rj中的两个可以均独立地被由*‑NAr1Ar2表示的基团取代。Ra至Rj中的未被由*‑NAr1Ar2表示的基团取代的其余可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子
的杂芳基。

[0262] 在由*‑NAr1Ar2表示的基团中，Ar1和Ar2可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。例如，Ar1和Ar2中的至少一个可以是含有O或S作为成环原子的杂芳基。

[0263] [式F‑b]

[0264]

[0265] 在式F‑b中，Ra和Rb可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有2个至20个碳原子的烯基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基，并且
可以可选地结合到相邻基团以形成环。

[0266] 在式F‑b中，U和V可以均独立地为取代或未取代的具有5个至30个成环碳原子的烃环或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂环。

[0267] 在式F‑b中，由U和V表示的环的数量可以均独立地为0或1。例如，在式F‑b中，当U或V的数量为1时，在由U或V指示的部分处可以存在缩合环，并且当U或V的数量为0时，在由U或V指示的部分处可以不存在缩合环。当U的数量为0且V的数量为1时或U的数量为1且V的数量为0时，式F‑b的具有芴核的缩合环可以是四环化合物。当U的数量和V的数量都是0时，式F‑b的具有芴核的缩合环可以是三环化合物。当U的数量和V的数量均是1时，式F‑b的具有芴核的缩合环可以是五环化合物。

[0268] 在式F‑b中，Ar1至Ar4可以均独立地为取代或未取代的1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的2个至30个成环碳原子的杂芳基。

[0269] [式F‑c]

[0270]

[0271] 在式F‑c中，A1和A2可以均独立地为O、S、Se或N(Rm)，并且Rm可以为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式F‑c中，R1至R11可以均独立地为氢原子、氘原子、卤素原子、氰基、取代或未取代的胺基、取代或未取代的硼基、取代或未取代的氧基、取代或未取代的硫基、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷
基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个
成环碳原子的杂芳基，并且可以可选地结合到相邻基团以形成环。

[0272] 在式F‑c中，A1和A2可以可选地均独立地结合到相邻环的取代基以形成缩合环。例如，当A1和A2均独立地为N(Rm)时，A1可以结合到R4或R5以形成环。例如，A2可以结合到R7或R8以形成环。

[0273] 在实施例中，发光层EML可以包括苯乙烯基衍生物(例如，1,4‑双[2‑(3‑N‑乙基咔唑基)乙烯基]苯(BCzVB)、4‑(二‑对甲苯基氨基)‑4'‑[(二‑对甲苯基氨基)苯乙烯基]茋(DPAVB)、N‑(4‑((E)‑2‑(6‑((E)‑4‑(二苯基氨基)苯乙烯基)萘‑2‑基)乙烯基)苯基)‑N‑苯基苯胺(N‑BDAVBi)、4,4'‑双[2‑(4‑(N,N‑二苯基氨基)苯基)乙烯基]联苯(DPAVBi))、苝及其衍生物(例如，2,5,8,11‑四叔丁基苝(TBP))、芘及其衍生物(例如，1,1'‑二芘、1,4‑二芘基苯和1,4‑双(N,N‑二苯基氨基)芘)等作为掺杂剂材料。

[0274] 发光层EML可以包括磷光掺杂剂材料。例如，包括铱(Ir)、铂(Pt)、锇(Os)、金(Au)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、铕(Eu)、铽(Tb)或铥(Tm)的金属配合物可以用作磷光掺杂剂材料。例如，双(4,6‑二氟苯基吡啶‑N,C2)吡啶甲酸合铱(III)(FIrpic)、双(2,4‑二氟苯基吡啶)‑四(1‑吡唑基)硼酸铱(III)(FIr6)或八乙基卟啉铂(PtOEP)可以用作磷光掺杂剂材料。然
而，实施例不限于此。

[0275] 发光层EML可以包括量子点材料。量子点可以是II‑VI族化合物、III‑VI族化合物、I‑III‑VI族化合物、III‑V族化合物、III‑II‑V族化合物、IV‑VI族化合物、IV族元素、IV族化合物或它们的组合。

[0276] II‑VI族化合物可以是：二元化合物，选自于由CdSe、CdTe、CdS、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物组成的组；四元化合物，选自于由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物组成的组；或者它们的任何组合。

[0277] III‑VI族化合物可以是：二元化合物(诸如In2S3、In2Se3等)；三元化合物(诸如InGaS3、InGaSe3等)；或者它们的任何组合。

[0278] I‑III‑VI族化合物可以是：三元化合物，选自于由AgInS、AgInS2、CuInS、CuInS2、AgGaS2、CuGaS2、CuGaO2、AgGaO2、AgAlO2和它们的混合物组成的组；四元化合物，诸如AgInGaS2、CuInGaS2等；或者它们的任何组合。

[0279] III‑V族化合物可以是：二元化合物，选自于由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InAlP、InNP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物组成的组；四元化合物，选自于由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物组成的组；或者它们的任何组合。III‑V族化合物可以进一步包括II族金属。例如，可以选择InZnP等作为III‑II‑V族化合物。

[0280] IV‑VI族化合物可以是：二元化合物，选自于由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物组成的组；三元化合物，选自于由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物组成的组；四元化合物，选自于由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物组成的组；或者它们的任何组合。IV族元素可以选自于由Si、Ge和它们的混合物组成的组。IV族化合物可以是选自于由SiC、SiGe和它们的混合物组成的组的二元化合物。

[0281] 二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度分布存在于颗粒中，或者可以以部分不同的浓度分布存在于颗粒中。在实施例中，量子点材料可以具有其中一个
量子点围绕另一量子点的核/壳结构。在核/壳结构中，量子点材料可以具有其中存在于壳
中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。

[0282] 在实施例中，量子点可以具有包括如上面所描述的包括纳米晶体的核和围绕核的壳的核/壳结构。量子点的壳可以是防止核的化学变形以维持半导体性质的保护层和/或可
以是赋予量子点电泳性质的荷电层。壳可以是单个层或多个层。量子点的壳的示例可以包
括金属氧化物、非金属氧化物、半导体化合物或它们的组合。

[0283] 例如，金属氧化物或非金属氧化物可以是：二元化合物，诸如SiO2、Al2O3、TiO2、ZnO、MnO、Mn2O3、Mn3O4、CuO、FeO、Fe2O3、Fe3O4、CoO、Co3O4和NiO；或三元化合物，诸如MgAl2O4、CoFe2O4、NiFe2O4和CoMn2O4。然而，实施例不限于此。

[0284] 半导体化合物可以是例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP、AlSb等。然而，实施例不限于此。

[0285] 量子点可以具有等于或小于约45nm的发光波长光谱的半峰全宽(FWHM)。例如，量子点可以具有等于或小于约40nm的发光波长光谱的FWHM。例如，量子点可以具有等于或小
于约30nm的发光波长光谱的FWHM。在上面的范围内可以提高色纯度或颜色再现性。通过量
子点发射的光可以在所有方向上发射，使得可以改善宽视角。

[0286] 量子点的形式没有具体地限制，只要它是本领域使用的形式即可。例如，量子点可以具有球形形状、金字塔形形状、多臂形形状或立方体形状，或者量子点可以呈纳米颗粒、纳米管、纳米线、纳米纤维、纳米片等的形式。

[0287] 量子点可以根据其粒径来控制发射的光的颜色。因此，量子点可以具有各种发光颜色(诸如蓝色、红色、绿色等)。

[0288] 在图3至图6中所示出的实施例的发光器件ED中，电子传输区域ETR设置在发光层EML上。电子传输区域ETR可以包括空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL中的至少一个，但实施例不限于此。

[0289] 电子传输区域ETR可以是由单种材料形成的层、由不同的材料形成的层或具有由不同的材料形成的层的多层结构。

[0290] 例如，电子传输区域ETR可以具有电子注入层EIL或电子传输层ETL的单层结构，或者由电子注入材料和电子传输材料形成的单层结构。电子传输区域ETR可以是由不同的材
料形成的单层，或者可以具有其中电子传输层ETL/电子注入层EIL或空穴阻挡层HBL/电子
传输层ETL/电子注入层EIL从发光层EML以其相应的所陈述的顺序堆叠的结构，但实施例不
限于此。电子传输区域ETR的厚度可以例如在约 至约 的范围内。

[0291] 电子传输区域ETR可以使用各种方法(诸如真空沉积、旋涂、浇铸、朗格缪尔‑布洛杰特(LB)、喷墨印刷、激光印刷和激光诱导热成像(LITI))形成。

[0292] 电子传输区域ETR可以包括由式ET‑1表示的化合物。

[0293] [式ET‑1]

[0294]

[0295] 在式ET‑1中，X1至X3中的至少一个可以是N，并且X1至X3中的其余可以是C(Ra)。Ra可以为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的杂芳基。在式ET‑1中，Ar1至Ar3可以均独立地为氢原子、氘原子、取代或未取代的具有1个至20个碳原子的烷基、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的芳基或者取代或未取代的具有2个至
30个成环碳原子的杂芳基。

[0296] 在式ET‑1中，a至c可以均独立地为从0至10的整数。在式ET‑1中，L1至L3可以均独立地为直连键、取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳原子的亚杂芳基。当a至c均为2或更大时，L1至L3可以均独立地为取代或未取代的具有6个至30个成环碳原子的亚芳基或者取代或未取代的具有2个至30个成环碳
原子的亚杂芳基。

[0297] 电子传输区域ETR可以包括蒽类化合物。然而，实施例不限于此。电子传输区域ETR可以包括三(8‑羟基喹啉)铝(Alq3)、1,3,5‑三[(3‑吡啶基)‑苯‑3‑基]苯、2,4,6‑三(3'‑(吡啶‑3‑基)联苯‑3‑基)‑1,3,5‑三嗪、2‑(4‑(N‑苯基苯并咪唑‑1‑基)苯基)‑9,10‑二萘基蒽、1,3,5‑三(1‑苯基‑1H‑苯并[d]咪唑‑2‑基)苯(TPBi)、2,9‑二甲基‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉(BCP)、4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉(Bphen)、3‑(4‑联苯基)‑4‑苯基‑5‑叔丁基苯基‑1,2,4‑三唑(TAZ)、4‑(萘‑1‑基)‑3,5‑二苯基‑4H‑1,2,4‑三唑(NTAZ)、2‑(4‑联苯基)‑5‑(4‑叔丁基苯基)‑1,3,4‑噁二唑(tBu‑PBD)、双(2‑甲基‑8‑羟基喹啉‑N1,O8)‑(1,1'‑联苯‑4‑羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉‑10‑羟基)铍(Bebq2)、9,10‑二(萘‑2‑基)蒽(ADN)、1,3‑双[3,5‑二(吡啶‑3‑基)苯基]苯(BmPyPhB)和它们的混合物。

[0298] 电子传输区域ETR可以包括化合物ET1至化合物ET36中的至少一种。

[0299]

[0300]

[0301]

[0302]

[0303] 电子传输区域ETR可以包括金属卤化物(诸如LiF、NaCl、CsF、RbCl、RbI、CuI和KI)、镧系元素(诸如Yb)或上面的金属卤化物和镧系元素的共沉积材料。例如，电子传输区域ETR可以包括KI:Yb、RbI:Yb等作为共沉积材料。电子传输区域ETR可以包括诸如Li2O和BaO的金属氧化物或8‑羟基‑喹啉锂(Liq)等，但是实施例不限于此。电子传输区域ETR也可以由电子传输材料和绝缘的有机金属盐的混合物构成。有机金属盐可以是具有等于或大于约4eV的能带隙的材料。例如，有机金属盐可以包括金属乙酸盐、金属苯甲酸盐、金属乙酰乙酸盐、金属乙酰丙酮酸盐或金属硬脂酸盐。

[0304] 电子传输区域ETR还可以包括2,9‑二甲基‑4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉(BCP)、二苯基(4‑(三苯基甲硅烷基)苯基)氧化膦(TSPO1)和4,7‑二苯基‑1,10‑菲咯啉(Bphen)中的至少一种，但实施例不限于此。

[0305] 电子传输区域ETR可以在电子注入层EIL、电子传输层ETL和空穴阻挡层HBL中的至少一个中包括上述的电子传输区域ETR的化合物。

[0306] 当电子传输区域ETR包括电子传输层ETL时，电子传输层ETL的厚度可以在约至约 的范围内。例如，电子传输层ETL的厚度可以在约 至约 的范围内。
当电子传输层ETL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的电子传输性质而不显著增
大驱动电压。当电子传输区域ETR包括电子注入层EIL时，电子注入层EIL的厚度可以在约
至约 的范围内。例如，电子注入层EIL的厚度可以在约 至约 的范围内。当
电子注入层EIL的厚度满足上述范围时，可以获得令人满意的电子注入性质而不显著增大
驱动电压。

[0307] 第二电极EL2设置在电子传输区域ETR上。第二电极EL2可以是共电极。第二电极EL2可以是阴极或阳极，但实施例不限于此。例如，当第一电极EL1是阳极时，第二电极EL2可以是阴极，并且当第一电极EL1是阴极时，第二电极EL2可以是阳极。

[0308] 第二电极EL2可以是透射电极、透反射电极或反射电极。例如，第二电极EL2可以包括选自于以下物质中的至少一种：Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的氧化物；Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的化合物；以及Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、W、In、Sn、Zn的混合物。当第二电极EL2是透射电极时，第二电极EL2可以由透明金属氧化物(例如，氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等)形成。

[0309] 当第二电极EL2是透反射电极或反射电极时，第二电极EL2可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、Yb、W、它们的化合物、它们的混合物(例如，AgMg、AgYb或MgAg)或具有包括从它们中选择的两种或更多种的多层结构的材料(诸如LiF/Ca或LiF/Al)。在另一实施例中，第二电极EL2可以具有多层结构，该多层结构包括均由上面描述的材料形成的反射膜或透反射膜以及由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌
(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)等形成的透明导电膜。例如，第二电极EL2可以包括上述金属材
料、选自于上述金属材料中的两种或更多种的组合、上述金属材料中的任何一种的氧化物
等中的任何一种。

[0310] 尽管未在附图中示出，但是第二电极EL2可以电连接到辅助电极。当第二电极EL2电连接到辅助电极时，第二电极EL2的电阻可以减小。

[0311] 在实施例中，发光器件ED还可以包括设置在第二电极EL2上的盖层CPL。盖层CPL可以是多层或单个层。

[0312] 在实施例中，盖层CPL可以包括有机层或无机层。例如，当盖层CPL包括无机物质时，无机物质可以包括诸如LiF的碱金属化合物、诸如MgF2的碱土金属化合物、SiON、SiNx、SiOy等。

[0313] 例如，当盖层CPL包括有机物质时，有机物质可以包括α‑NPD、NPB、TPD、m‑MTDATA、Alq3、CuPc、N4,N4,N4',N4'‑四(联苯‑4‑基)联苯‑4,4'‑二胺(TPD15)、4,4',4”‑三(咔唑‑9‑基)三苯胺(TCTA)等，或者可以包括环氧树脂或诸如甲基丙烯酸酯的丙烯酸酯。然而，实施例不限于此。盖层CPL可以包括化合物P1至化合物P5中的至少一种，但是实施例不限于此。

[0314]

[0315]

[0316] 盖层CPL的折射率可以等于或大于约1.6。例如，相对于在约550nm至约660nm的波长范围内的光，盖层CPL的折射率可以等于或大于约1.6。

[0317] 图8和图9均是根据实施例的显示装置DD的示意性剖视图。在下文中，在参照图8和图9提供的实施例的显示装置DD的描述中，将不重复与上面参照图1至图7描述的内容相同
的内容。相反，描述将集中于不同的特征。

[0318] 参照图8，根据实施例的显示装置DD可以包括具有显示元件层DP‑ED的显示面板DP、设置在显示面板DP上的光控制层CCL和滤色器层CFL。

[0319] 参照图8，显示面板DP可以包括基体层BS、设置在基体层BS上的电路层DP‑CL和显示元件层DP‑ED，并且显示元件层DP‑ED可以包括发光器件ED。

[0320] 发光器件ED可以包括第一电极EL1、设置在第一电极EL1上的空穴传输区域HTR、设置在空穴传输区域HTR上的发光层EML、设置在发光层EML上的电子传输区域ETR以及设置在
电子传输区域ETR上的第二电极EL2。如上面描述的根据图3至图6的发光器件ED的结构可以
应用于图8中所示出的发光器件ED的结构。

[0321] 参照图8，发光层EML可以设置在像素限定层PDL中限定的开口OH中。例如，通过像素限定层PDL划分并且与发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B中的每个对应地设置的发光层EML可以发射相同波长区域内的光。在实施例的显示装置DD中，发光层EML可以发射蓝光。尽管未在附图中示出，但是在实施例中，发光层EML可以针对所有发光区域PXA‑R、PXA‑G和PXA‑B设置为公共层。

[0322] 光控制层CCL可以设置在显示面板DP上。光控制层CCL可以包括光转换体。光转换体可以包括量子点、荧光体等。光转换体可以转换所提供的光的波长并且可以发射所转换
的光。例如，光控制层CCL可以是包括量子点的层或包括荧光体的层。

[0323] 光控制层CCL可以包括光控制单元CCP1、CCP2和CCP3。光控制单元CCP1、CCP2和CCP3可以彼此间隔开。

[0324] 参照图8，分割图案BMP可以设置在彼此间隔开的光控制单元CCP1、CCP2和CCP3之间，但是实施例不限于此。在图8中，分割图案BMP被示出为不与光控制单元CCP1、CCP2和
CCP3叠置，但是光控制单元CCP1、CCP2和CCP3的边缘可以与分割图案BMP的至少一部分叠
置。

[0325] 光控制层CCL可以包括第一光控制单元CCP1、第二光控制单元CCP2和第三光控制单元CCP3，第一光控制单元CCP1包括将从发光器件ED提供的第一颜色光转换成第二颜色光
的第一量子点QD1，第二光控制单元CCP2包括将第一颜色光转换成第三颜色光的第二量子
点QD2，第三光控制单元CCP3透射第一颜色光。

[0326] 在实施例中，第一光控制单元CCP1可以提供作为第二颜色光的红光，并且第二光控制单元CCP2可以提供作为第三颜色光的绿光。第三光控制单元CCP3可以透射和提供作为
从发光器件ED提供的第一颜色光的蓝光。例如，第一量子点QD1可以是红色量子点，第二量子点QD2可以是绿色量子点。如上面关于量子点提供的相同的描述可以应用于量子点QD1和
QD2。

[0327] 光控制层CCL还可以包括散射体SP。第一光控制单元CCP1可以包括第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制单元CCP2可以包括第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制单元CCP3可以不包括量子点但可以包括散射体SP。

[0328] 散射体SP可以是无机颗粒。例如，散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的至少一种。散射体SP可以包括TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的任何一种，或者可以是选自于TiO2、ZnO、Al2O3、SiO2和中空二氧化硅中的两种或更多种材料的混合物。

[0329] 第一光控制单元CCP1、第二光控制单元CCP2和第三光控制单元CCP3可以均包括分散量子点QD1和QD2以及散射体SP的基体树脂BR1、BR2和BR3。在实施例中，第一光控制单元CCP1可以包括分散在第一基体树脂BR1中的第一量子点QD1和散射体SP，第二光控制单元
CCP2可以包括分散在第二基体树脂BR2中的第二量子点QD2和散射体SP，并且第三光控制单
元CCP3可以包括分散在第三基体树脂BR3中的散射体SP。基体树脂BR1、BR2和BR3可以均是
其中分散有量子点QD1和QD2以及散射体SP的介质，并且可以由通常可以被称为粘合剂的各
种树脂成分形成。例如，基体树脂BR1、BR2和BR3可以均独立地为丙烯酸树脂、聚氨酯类树脂、(聚)硅氧烷类树脂、环氧树脂等。基体树脂BR1、BR2和BR3可以均是透明树脂。在实施例中，第一基体树脂BR1、第二基体树脂BR2和第三基体树脂BR3可以彼此相同或不同。

[0330] 光控制层CCL可以包括阻挡层BFL1。阻挡层BFL1可以防止湿气和/或氧(在下文中，被称为“湿气/氧”)的渗透。阻挡层BFL1可以设置在光控制单元CCP1、CCP2和CCP3上，并且可以阻挡光控制单元CCP1、CCP2和CCP3被暴露于湿气/氧。阻挡层BFL1可以覆盖光控制单元
CCP1、CCP2和CCP3。阻挡层BFL2可以设置在光控制单元CCP1、CCP2和CCP3与滤色器层CFL之间。在图8中，为了便于示出，将阻挡层BFL2示出为滤色器层CFL的一部分，然而，本公开的实施例不限于此。

[0331] 阻挡层BFL1和BFL2可以均包括至少一个无机层。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以均通过包括无机材料形成。例如，阻挡层BFL1和BFL2可以通过包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅或者具有透光率的薄金属膜等来形成。阻挡层BFL1和BFL2还可以包括有机膜。阻挡层BFL1和BFL2可以由单
个层形成或由多个层形成。

[0332] 在实施例的显示装置DD中，滤色器层CFL可以设置在光控制层CCL上。在实施例中，滤色器层CFL可以直接设置在光控制层CCL上。例如，可以省略阻挡层BFL2。

[0333] 滤色器层CFL可以包括阻光部分BM和滤光器CF1、CF2和CF3。滤色器层CFL可以包括透射第二颜色光的第一滤光器CF1、透射第三颜色光的第二滤光器CF2和透射第一颜色光的
第三滤光器CF3。例如，第一滤光器CF1可以是红色滤光器，第二滤光器CF2可以是绿色滤光器，并且第三滤光器CF3可以是蓝色滤光器。滤光器CF1、CF2和CF3中的每个可以包括聚合光敏树脂和颜料或染料。第一滤光器CF1可以包括红色颜料或红色染料，第二滤光器CF2可以
包括绿色颜料或绿色染料，并且第三滤光器CF3可以包括蓝色颜料或蓝色染料。然而，实施例不限于此。第三滤光器CF3可以不包括颜料或染料。第三滤光器CF3可以包括聚合光敏树
脂，但可以不包括颜料或染料。第三滤光器CF3可以是透明的。第三滤光器CF3可以由透明光敏树脂形成。

[0334] 在实施例中，第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以均是黄色滤光器。第一滤光器CF1和第二滤光器CF2可以设置为一体而不彼此区分。

[0335] 阻光部分BM可以是黑色矩阵。阻光部分BM可以包括有机阻光材料或无机阻光材料，有机阻光材料或无机阻光材料均包括黑色颜料或黑色染料。阻光部分BM可以防止光泄
漏，并且可以将相邻的滤光器CF1、CF2和CF3之间的边界区分。在实施例中，阻光部分BM可以由蓝色滤光器形成。

[0336] 第一滤光器CF1、第二滤光器CF2和第三滤光器CF3可以分别对应于红色发光区域PXA‑R、绿色发光区域PXA‑G和蓝色发光区域PXA‑B设置。

[0337] 基体基底BL可以设置在滤色器层CFL上。基体基底BL可以提供其上设置有滤色器层CFL、光控制层CCL等的基体表面。基体基底BL可以是玻璃基底、金属基底、塑料基底等。然而，实施例不限于此，并且基体基底BL可以包括无机层、有机层或复合材料层。尽管未在附图中示出，但是在实施例中，可以省略基体基底BL。

[0338] 图9是示出根据实施例的显示装置DD‑TD的一部分的示意性剖视图。图9示出了对应于图8的显示面板DP的一部分的示意性剖视图。在实施例的显示装置DD‑TD中，发光器件ED‑BT可以包括发光结构OL‑B1、OL‑B2和OL‑B3。发光器件ED‑BT可以包括彼此面对的第一电极EL1和第二电极EL2以及在厚度方向上堆叠且设置在第一电极EL1与第二电极EL2之间的
发光结构OL‑B1、OL‑B2和OL‑B3。发光结构OL‑B1、OL‑B2和OL‑B3中的每个可以包括设置有置于其之间的发光层EML(见图8)的空穴传输区域HTR和电子传输区域ETR。

[0339] 例如，包括在实施例的显示装置DD‑TD中的发光器件ED‑BT可以是具有串联结构且包括多个发光层EML的发光器件。

[0340] 在图9中所示出的实施例中，从发光结构OL‑B1、OL‑B2和OL‑B3中的每个发射的光可以全部是蓝光。然而，实施例不限于此。从发光结构OL‑B1、OL‑B2和OL‑B3中的每个发射的光的波长区域可以彼此不同。例如，包括发射不同的波长区域内的光的发光结构OL‑B1、OL‑B2和OL‑B3的发光器件ED‑BT可以发射白光。

[0341] 电荷产生层CGL1和CGL2可以设置在相邻的发光结构OL‑B1、OL‑B2和OL‑B3之间。电荷产生层CGL1和CGL2可以均独立地包括p型电荷产生层和/或n型电荷产生层。

[0342] 在下文中，参照示例和对比示例，将详细地描述根据实施例的多环化合物和实施例的发光器件。示例仅用于说明的目的以促进对公开的理解，因此，公开的范围不限于此。

[0343] [示例]

[0344] 1、多环化合物的合成

[0345] 将参照用于合成化合物组1的化合物2、化合物18、化合物26、化合物45、化合物56和化合物72的方法详细描述根据实施例的用于合成多环化合物的方法。下面描述的用于合成多环化合物的方法仅是示例，并且根据实施例的用于合成多环化合物的方法不限于以下
示例。

[0346] <化合物2的合成>

[0347] 根据实施例的化合物2可以例如通过反应式1的步骤合成。

[0348] [反应式1]

[0349]

[0350] (中间体2‑1的合成)

[0351] 将(3,5‑二氯苯基)硼酸(1当量)、2‑溴‑1,3‑二氟苯(1.1当量)、四(三苯基膦)钯(0)(Pd(PPh3)4)(0.05当量)、四正丁基溴化铵(0.05当量)和碳酸钠(3当量)溶解于甲苯:乙醇:DW(体积比为5:1:2)中，并在110℃下搅拌13小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除乙醇。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体2‑1(产率：
67％)。

[0352] (中间体2‑2的合成)

[0353] 将中间体2‑1(1当量)、苯胺(2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在110℃下在氮气氛中搅拌4小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。将从其去除了邻二甲苯的混合物用乙酸乙酯和水洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体2‑2(产率：71％)。

[0354] (中间体2‑3的合成)

[0355] 将中间体2‑2(1当量)、1‑氯‑3‑碘苯(2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在110℃下在氮气氛中搅拌8小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。将从其去除了邻二甲苯的混合物用乙酸乙酯和水洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体2‑3(产率：75％)。

[0356] (中间体2‑4的合成)

[0357] 将中间体2‑3(1当量)、9H‑咔唑(2当量)、K3PO4(5当量)、18‑冠(醚)‑6(3当量)溶解于DMF中，并在180℃下搅拌40小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除DMF。用乙酸乙酯和水执行洗涤以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体2‑4(产率：62％)。

[0358] (中间体2‑5的合成)

[0359] 在将中间体2‑4(1当量)溶解于邻二氯苯中之后，将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并向其缓慢注入溶解于邻二氯苯中的BI3(2.5当量)。在完成滴入之后，将温度升至140℃并执行搅拌4小时。执行冷却至0℃，并通过将三乙胺缓慢滴入烧瓶中直至加热停止来终止反应。加入己烷以使沉淀发生，并执行过滤以获得固体。将所获得的固体通过硅胶过滤纯化，并且通过MC/Hex重结晶再次纯化以获得中间体2‑5。用柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行最终纯化(产率：34％)。在以下反应中纯化除了中间体2‑5之外的异构体。

[0360] (化合物2的合成)

[0361] 将中间体2‑5(1当量)、3,6‑二叔丁基‑9H‑咔唑(2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在150℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得化合物2。通过升华纯化执行最终纯化(升华之后的产率：4.5％)。

[0362] <化合物18的合成>

[0363] 根据实施例的化合物18可以例如通过反应式2的步骤合成。

[0364] [反应式2]

[0365]

[0366] (中间体18‑1的合成)

[0367] 将(3,5‑二氯苯基)硼酸(1当量)、2‑溴‑1,3,5‑三氟苯(1.1当量)、四(三苯基膦)钯(0)(Pd(PPh3)4)(0.05当量)、四正丁基溴化铵(0.05当量)、碳酸钠(3当量)溶解于甲苯:乙醇:DW(体积比为5:1:2)中，并在110℃下搅拌13小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除乙醇。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体18‑1(产率：
56％)。

[0368] (中间体18‑2的合成)

[0369] 将中间体18‑1(1当量)、N‑(3‑氯苯基)‑[1,1'‑联苯]‑2‑胺(2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在150℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体18‑2(产率：68％)。

[0370] (中间体18‑3的合成)

[0371] 将中间体18‑2(1当量)、9H‑咔唑(3当量)、K3PO4(5当量)、18‑冠(醚)‑6(3当量)溶解于DMF中，并在180℃下搅拌40小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除DMF。用乙酸乙酯和水执行洗涤以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体18‑3(产率：72％)。

[0372] (中间体18‑4的合成)

[0373] 在将中间体18‑3(1当量)溶解于邻二氯苯中之后，将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并向其缓慢注入溶解于邻二氯苯中的BI3(2.5当量)。在完成滴入之后，将温度升至140℃并执行搅拌10小时。执行冷却至0℃，并通过将三乙胺缓慢滴入烧瓶中直至加热停止来终止反应。加入己烷以使沉淀发生，并执行过滤以获得固体。将所获得的固体通过硅胶过滤纯化，并通过MC/Hex重结晶再次纯化以获得中间体18‑4。用柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行最终纯化(产率：44％)。在以下反应中纯化除了中间体18‑4之外的异构体。

[0374] (化合物18的合成)

[0375] 将中间体18‑4(1当量)、9H‑咔唑(2.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在150℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：
正己烷)执行纯化和重结晶以获得化合物18。通过升华纯化执行最终纯化(升华之后的产
率：3.7％)。

[0376] <化合物26的合成>

[0377] 根据实施例的化合物26可以例如通过反应式3的步骤合成。

[0378] [反应式3]

[0379]

[0380] (中间体26‑1的合成)

[0381] 将(3‑氯‑5‑羟基苯基)硼酸(1当量)、2‑溴‑5‑(叔丁基)‑1,3‑二氟苯(1.1当量)、四(三苯基膦)钯(0)(Pd(PPh3)4)(0.05当量)、四正丁基溴化铵(0.05当量)、碳酸钠(3当量)溶解于甲苯:乙醇:DW(体积比为5:1:2)中，并在110℃下搅拌15小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除乙醇。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体26‑1(产率：69％)。

[0382] (中间体26‑2的合成)

[0383] 将中间体26‑1(1当量)、3‑氯‑N‑苯基苯胺(1.1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.10当量)、叔丁醇钠(2当量)溶解于邻二甲苯中，并在140℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体26‑2(产率：54％)。

[0384] (中间体26‑3的合成)

[0385] 将中间体26‑2(1当量)、1‑溴‑3‑氯苯(1.1当量)、CuI(1当量)、2‑吡啶甲酸(0.05当量)、碳酸钾(3当量)溶解于DMF中，并在150℃下搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除DMF。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体26‑3(产率：54％)。

[0386] (中间体26‑4的合成)

[0387] 将中间体26‑3(1当量)、9H‑咔唑(2.5当量)、K3PO4(4当量)、18‑冠(醚)‑6(3当量)溶解于DMF中，并在180℃下搅拌40小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除DMF。用乙酸乙酯和水执行洗涤以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体26‑4(产率：46％)。

[0388] (中间体26‑5的合成)

[0389] 在将中间体26‑4(1当量)溶解于邻二氯苯中之后，将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并向其缓慢注入溶解于邻二氯苯中的BI3(1.5当量)。在完成滴入之后，将温度升至140℃并执行搅拌10小时。执行冷却至0℃，并通过将三乙胺缓慢滴入烧瓶中直至加热停止来终止反应。加入己烷以使沉淀发生，并执行过滤以获得固体。将所获得的固体通过硅胶过滤纯化，并通过MC/Hex重结晶再次纯化以获得中间体26‑5。用柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行最终纯化(产率：31％)。在以下反应中纯化除了中间体26‑5之外的异构体。

[0390] (化合物26的合成)

[0391] 将中间体26‑5(1当量)、3,6‑二叔丁基‑9H‑咔唑(2.2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在150℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得化合物26。通过升华纯化执行最终纯化(升华之后的产率：8.7％)。

[0392] <化合物45的合成>

[0393] 根据实施例的化合物45可以例如通过反应式4的步骤合成。

[0394] [反应式4]

[0395]

[0396] (中间体45‑1的合成)

[0397] 将1,3‑二溴‑5‑氟苯(1当量)、3‑氯‑N‑苯基苯胺(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、三叔丁基膦(0.1当量)、叔丁醇钠(1.2当量)溶解于邻二甲苯中，并在150℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化以获得中间体45‑1(产率：67％)。

[0398] (中间体45‑2的合成)

[0399] 将中间体45‑1(1当量)和3‑氯苯硫醇盐(3当量)溶解于NMP中，并将温度升至170℃并执行搅拌10小时。在室温下用甲苯稀释，并滴入到蒸馏水。在萃取之后，使用无水Na2SO4干燥有机层。将所获得的有机物质通过硅胶过滤纯化，并通过MC/Hex重结晶再次纯化以获得中间体45‑2。用柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行最终纯化(产率：41％)。

[0400] (中间体45‑3的合成)

[0401] 在将中间体45‑2(1当量)溶解于无水THF中之后，将温度降低至‑78℃并执行搅拌1小时，并向其缓慢滴入n‑BuLi(1当量)。在执行搅拌2小时之后，滴入硼酸三甲酯(3当量)，并且将温度升至室温并执行搅拌6小时。将在用EA和蒸馏水执行萃取之后获得的有机物质通过硅胶过滤纯化以获得中间体45‑3(产率：70％)。

[0402] (中间体45‑4的合成)

[0403] 将中间体45‑3(1当量)、2‑溴‑5‑(叔丁基)‑1,3‑二氟苯(1.1当量)、四(三苯基膦)钯(0)(Pd(PPh3)4)(0.05当量)、四正丁基溴化铵(0.05当量)、碳酸钠(3当量)溶解于甲苯:乙醇:DW(体积比为5:1:2)中，并在110℃下搅拌15小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除乙醇。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化以获得中间体45‑4(产率：62％)。

[0404] (中间体45‑5的合成)

[0405] 将中间体45‑4(1当量)、9H‑咔唑(3当量)、K3PO4(5当量)、18‑冠(醚)‑6(3当量)溶解于DMF中，并在180℃下搅拌40小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除DMF。用乙酸乙酯和水执行洗涤以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体45‑5(产率：48％)。

[0406] (中间体45‑6的合成)

[0407] 在将中间体45‑5(1当量)溶解于邻二氯苯中之后，将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并向其缓慢注入溶解于邻二氯苯中的BI3(1.5当量)。在完成滴入之后，将温度升至140℃并执行搅拌10小时。执行冷却至0℃，并通过将三乙胺缓慢滴入烧瓶中直至加热停止来终止反应。加入己烷以使沉淀发生，并执行过滤以获得固体。将所获得的固体通过硅胶过滤纯化，并通过MC/Hex重结晶再次纯化以获得中间体45‑6。用柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行最终纯化(产率：31％)。在以下反应中纯化除了中间体45‑6之外的异构体。

[0408] (化合物45的合成)

[0409] 将中间体45‑6(1当量)、9H‑咔唑‑3‑甲腈(2.2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在150℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得化合物45。通过升华纯化执行最终纯化(升华之
后的产率：6.7％)。

[0410] <化合物56的合成>

[0411] 根据实施例的化合物56可以例如通过反应式5的步骤合成。

[0412] [反应式5]

[0413]

[0414] (中间体56‑1的合成)

[0415] 将1,3,5‑三溴苯(1当量)、3‑氯‑N‑苯基苯胺(1当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.05当量)、BINAP(0.1当量)、叔丁醇钠(1当量)溶解于甲苯中，并在100℃下在氮气氛中搅拌8小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化以获得中间体56‑1(产率：38％)。

[0416] (中间体56‑2的合成)

[0417] 将中间体56‑1(1当量)、(4‑(叔丁基)‑2,6‑二氟苯基)硼酸(1当量)、四(三苯基膦)钯(0)(Pd(PPh3)4)(0.05当量)、四正丁基溴化铵(0.05当量)、碳酸钠(1.3当量)溶解于甲苯:乙醇:DW(体积比为5:1:2)中，并在110℃下搅拌15小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除乙醇。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化以获得中间体56‑2(产率：56％)。

[0418] (中间体56‑3的合成)

[0419] 将中间体56‑2(1当量)、9H‑咔唑(3当量)、K3PO4(5当量)、18‑冠(醚)‑6(3当量)溶解于DMF中，并在180℃下搅拌40小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除DMF。用乙酸乙酯和水执行洗涤以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体56‑3(产率：56％)。

[0420] (中间体56‑4的合成)

[0421] 将中间体56‑3(1当量)、3‑氯‑苯硒酚(1当量)、CuI(3当量)、K3CO4(5当量)、L‑脯氨酸(3当量)溶解于DMF中，并在180℃下搅拌40小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除DMF。用乙酸乙酯和水执行洗涤以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体56‑3(产率：56％)。

[0422] (中间体56‑5的合成)

[0423] 在将中间体56‑4(1当量)溶解于邻二氯苯中之后，将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并向其缓慢注入溶解于邻二氯苯中的BI3(1.5当量)。在完成滴入之后，将温度升至140℃并执行搅拌10小时。执行冷却至0℃，并通过将三乙胺缓慢滴入烧瓶中直至加热停止来终止反应。加入己烷以使沉淀发生，并执行过滤以获得固体。将所获得的固体通过硅胶过滤纯化，并通过MC/Hex重结晶再次纯化以获得中间体56‑5。用柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行最终纯化(产率：33％)。在以下反应中纯化除了中间体56‑5之外的异构体。

[0424] (化合物56的合成)

[0425] 将中间体56‑5(1当量)、双(4‑(叔丁基)苯基)胺(2.2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在150℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得化合物56。通过升华纯化执行最终纯化(升华之后的产率：10.9％)。

[0426] <化合物72的合成>

[0427] 根据实施例的化合物72可以例如通过反应式6的步骤合成。

[0428] [反应式6]

[0429]

[0430] (中间体72‑1的合成)

[0431] 将(3‑([1,1'‑联苯]‑2‑基(3‑氯苯基)氨基)‑5‑((3‑氯苯基)硫基)苯基)硼酸(1当量)、2‑溴‑1,3‑二氟苯(1.1当量)、四(三苯基膦)钯(0)(Pd(PPh3)4)(0.05当量)、四正丁基溴化铵(0.05当量)、碳酸钠(2当量)溶解于甲苯:乙醇:DW(体积比为5:1:2)中，并在110℃下搅拌15小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除乙醇。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体72‑1(产率：71％)。

[0432] (中间体72‑2的合成)

[0433] 将中间体72‑1(1当量)、9H‑咔唑(3当量)、K3PO4(5当量)、18‑冠(醚)‑6(3当量)溶解于DMF中，并在180℃下搅拌40小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除DMF。用乙酸乙酯和水执行洗涤以获得有机层，并将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得中间体72‑2(产率：62％)。

[0434] (中间体72‑3的合成)

[0435] 在将中间体72‑2(1当量)溶解于邻二氯苯中之后，将烧瓶在氮气氛中冷却至0℃，并向其缓慢注入溶解于邻二氯苯中的BI3(1.5当量)。在完成滴入之后，将温度升至140℃并执行搅拌10小时。执行冷却至0℃，并通过将三乙胺缓慢滴入烧瓶中直至加热停止来终止反应。加入己烷以使沉淀发生，并执行过滤以获得固体。将所获得的固体通过硅胶过滤纯化，并通过MC/Hex重结晶再次纯化以获得中间体72‑3。用柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行最终纯化(产率：26％)。在以下反应中纯化除了中间体72‑3之外的异构体。

[0436] (化合物72的合成)

[0437] 将中间体72‑3(1当量)、9H‑咔唑‑D8(2.2当量)、三(二亚苄基丙酮)二钯(0)(0.1当量)、三叔丁基膦(0.2当量)、叔丁醇钠(3当量)溶解于邻二甲苯中，并在150℃下在氮气氛中搅拌20小时。将混合物冷却，并在减压下干燥以去除邻二甲苯。用乙酸乙酯和水执行洗涤三次以获得有机层，并且将有机层用无水MgSO4干燥并在减压下干燥。通过柱色谱(二氯甲烷：正己烷)执行纯化和重结晶以获得化合物72。通过升华纯化执行最终纯化(升华之后的产
率：7.9％)。

[0438] (合成的化合物的分子量和H NMR分析结果)

[0439] [表1]

[0440]

[0441]

[0442] 2、发光器件的制造与评价

[0443] (发光器件的制造)

[0444] 以以下方式制造在发光层中包括实施例的多环化合物的实施例的发光器件。分别使用化合物2、化合物18、化合物26、化合物45、化合物56和化合物72的多环化合物作为发光层中的掺杂剂制造示例1至示例6的发光器件。

[0445] 在对比示例1至对比示例4中，分别使用对比示例化合物X‑1至对比示例化合物X‑4制造发光器件。

[0446] 示出了在器件的制造中使用的示例的化合物和对比示例的化合物。

[0447] (示例化合物)

[0448]

[0449] (对比示例化合物)

[0450]

[0451] (用于制造器件的其它化合物)

[0452]

[0453] 将具有15Ω/cm2的电阻值和 的厚度的ITO玻璃基底切割成50mm×50mm×0.7mm的尺寸，并且使用异丙醇和纯水各超声洗涤5分钟，并用紫外光线照射30分钟并暴露
于臭氧以进行清洗。将N,N'‑二(1‑萘基)‑N,N'‑二苯基联苯胺(NPD)真空沉积在形成在玻璃基底上的ITO的上部上以形成具有 的厚度的空穴注入层。将化合物H‑1‑19真空沉积在
空穴注入层的上部上以形成具有 的厚度的空穴传输层。将空穴传输化合物CzSi真空
沉积在空穴传输层的上部上以形成具有 的厚度的发光辅助层。

[0454] 在发光辅助层的上部上，以99:1的重量比同时沉积mCP和示例化合物或者mCP和对比示例化合物以形成具有 的厚度的发光层。

[0455] 在发光层的上部上，真空沉积TSPO1以形成具有 的厚度的电子传输层。将缓冲电子传输化合物TPBi真空沉积在电子传输层的上部上以形成具有 的厚度的缓冲
层，并将LiF真空沉积在其上以形成具有 的厚度的电子注入层。

[0456] 真空沉积铝(Al)以形成具有 的厚度的第二电极，从而制造了发光器件。

[0457] (发光器件的性质评价)

[0458] 表2示出了示例1至示例6以及对比示例1至对比示例4中的每个的发光器件的评价结果。在表2中，对比并示出了制造的发光器件中的每个的驱动电压(V)、发光效率(cd/A)、最大外量子效率(％)和发光颜色。所制造的器件都被确认为表现出蓝色发光颜色。

[0459] [表2]

[0460]

[0461]

[0462] 参照表2的结果，可以看出的是，其中实施例的多环化合物用作发光层中的掺杂剂材料的示例的发光器件表现出低驱动电压、优异的发光效率和优异的最大外量子效率性
质。

[0463] 可以看出的是，示例1至示例6中的每个的器件具有4.5V或更低的驱动电压，而对比示例1至对比示例4中的每个的器件具有5.1V或更高的驱动电压。可以看出的是，示例1至示例6中的每个的器件具有23.2cd/A或更高的发光效率，而对比示例1至对比示例4中的每
个的器件具有17.8cd/A或更低的发光效率。可以看出的是，示例1至示例6中的每个的器件
具有20％或更高的最大外量子效率，而对比示例1至对比示例4中的每个的器件具有小于
20％的最大外量子效率。参照表2，可以看出的是，当与对比示例1至对比示例4中的每个的器件相比时，示例1至示例6中的每个的器件表现出低的驱动电压、高的发光效率和优异的
最大外量子效率。

[0464] 与对比示例化合物X‑1至对比示例化合物X‑4相比，可以看出的是，示例的化合物在核中且在取代在核结构中的苯基中的邻位中的每个处包括具有庞大结构的取代基，以阻隔硼原子暴露于电荷，从而增加多环化合物的稳定性，结果表现出低的驱动电压和高的发
光效率。

[0465] 如上面所描述的，与对比示例1至对比示例4相比，示例1至示例6表现出提高的发光效率的结果。通过使用包括苯基、取代有该苯基的含有一个硼原子的硼类多环环以及在
硼类多环环中且在该苯基中的邻位处的两个庞大取代基的实施例的多环化合物，能够提高
实施例的发光器件的发光效率。

[0466] 实施例的多环化合物包括苯基、取代有该苯基的硼类多环环以及在取代有该苯基的硼类多环环中且在该苯基中的两个邻位中的每个处的两个庞大取代基，并因此具有高的
结构稳定性以有助于发光器件的高效率性质。根据实施例的发光器件包括实施例的多环化
合物，并因此可以表现出高效率性质。

[0467] 实施例的发光器件包括多环化合物，并因此可以表现出高效率性质。

[0468] 在此已经公开了实施例，并且尽管采用了术语，但是它们仅在一般性和描述性含义上使用和解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如本领域普通技术人员将明显
的，除非另外特别地指示，否则结合实施例描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施例描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域普通技术人员将理解的是，在不脱离如权利要求中阐述的公开的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上
的各种改变。