显示装置

摘要

本公开涉及一种显示装置，并且显示装置包括：第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，分别设置在衬底上并且发射不同颜色的光；第一绝缘层，设置在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件上并且包括至少一个开口；以及第二绝缘层，设置在第一绝缘层上并且设置在至少一个开口中，其中，第二绝缘层的折射率高于第一绝缘层的折射率，并且至少一个开口在平面图中与第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的至少一个重叠，并且在平面图中不与第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的至少另一个重叠。

权利要求

1.显示装置，包括：

第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，分别设置在衬底上并发射不同颜色的光；

第一绝缘层，设置在所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件上，所述第一绝缘层包括至少一个开口；以及第二绝缘层，设置在所述第一绝缘层上，所述第二绝缘层设置在所述至少一个开口中，其中，所述第二绝缘层的折射率高于所述第一绝缘层的折射率，所述至少一个开口在平面图中与所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的至少一个重叠，以及所述至少一个开口在平面图中不与所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件中的至少另一个重叠。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个开口在平面图中与所述第一发光元件和所述第三发光元件重叠，以及所述至少一个开口在平面图中不与所述第二发光元件重叠。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层覆盖整个所述第二发光元件。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一发光元件发射红色光，

所述第二发光元件发射绿色光，以及

所述第三发光元件发射蓝色光。

5.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述至少一个开口在平面图中与所述第三发光元件重叠，以及所述至少一个开口在平面图中不与所述第一发光元件和所述第二发光元件重叠。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第一发光元件发射红色光，所述第二发光元件发射绿色光，以及所述第三发光元件发射蓝色光。

7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，设置在所述衬底上；以及堤部层，设置在所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极上，其中，所述堤部层包括在平面图中与所述第一像素电极、所述第二像素电极和所述第三像素电极重叠的多个像素开口，所述至少一个开口在平面图中与所述多个像素开口中的至少一个重叠，以及所述至少一个开口在平面图中不与所述多个像素开口中的至少另一个重叠。

8.根据权利要求7所述的显示装置，还包括：第一发射层，设置在所述第一像素电极上；

第二发射层，设置在所述第二像素电极上；

第三发射层，设置在所述第三像素电极上；以及公共电极，设置在所述第一发射层、所述第二发射层、所述第三发射层和所述堤部层上，其中，所述至少一个开口在平面图中与所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层中的至少一个重叠，以及所述至少一个开口在平面图中不与所述第一发射层、所述第二发射层和所述第三发射层中的至少另一个重叠。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一像素电极、所述第一发射层和所述公共电极形成所述第一发光元件，所述第二像素电极、所述第二发射层和所述公共电极形成所述第二发光元件，以及所述第三像素电极、所述第三发射层和所述公共电极形成所述第三发光元件。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述至少一个开口在平面图中与所述第一像素电极和所述第一发射层重叠，并且在平面图中与所述第三像素电极和所述第三发射层重叠，所述至少一个开口在平面图中不与所述第二像素电极和所述第二发射层重叠。

11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述至少一个开口在平面图中不与所述第一像素电极和所述第一发射层重叠，所述至少一个开口在平面图中不与所述第二像素电极和所述第二发射层重叠，以及所述至少一个开口在平面图中与所述第三像素电极和所述第三发射层重叠。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，所述第一发射层包括发射红色光的有机材料，所述第二发射层包括发射绿色光的有机材料，以及所述第三发射层包括发射蓝色光的有机材料。

13.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述多个像素开口在平面图中位于所述至少一个开口内。

14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的折射率在1.40至1.59的范围内，以及所述第二绝缘层的折射率在1.60至1.80的范围内。

15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘层的厚度在2.0μm至3.5μm的范围内。

16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二绝缘层由透光有机绝缘材料或压敏粘合剂形成。

17.根据权利要求1所述的显示装置，还包括：封装层，设置在所述第一发光元件、所述第二发光元件和所述第三发光元件上；以及感测电极，设置在所述封装层上，其中，所述第一绝缘层设置在所述感测电极上。

说明书

显示装置

[0001] 相关申请的交叉引用

[0002] 本申请要求于2021年7月22日在韩国知识产权局(KIPO)提交的第10‑2021‑0096366号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

[0003] 本公开涉及能够提高发光效率和显示质量的显示装置。

背景技术

[0004] 显示装置是显示屏幕的装置，并且包括液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器等。这种显示装置用于各种电子装置中，诸如便携式电话、导航装置、数码相机、电子书、便携式游戏装置或各种终端。

[0005] 显示装置具有多层结构。例如，显示装置可以具有其中发光元件、触摸传感器等彼此堆叠在衬底上的多层结构。由发光元件产生的光穿过多个层并被发射到显示装置的外部，并且因此可以显示屏幕。然而，由发光元件产生的光中的一些可能被相邻层之间的界面反射和损失，并且可能不被发射到外部。因此，显示装置的前面发光效率和显示质量可能变差。

[0006] 在此背景技术部分中公开的上述信息仅用于增强对所述技术的背景技术的理解，并且因此其可以包含如下的信息：该信息不形成本国家中对本领域普通技术人员已知的现有技术。

发明内容

[0007] 实施方式提供一种能够提高发光效率和显示质量的显示装置。

[0008] 根据实施方式的显示装置包括：第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件，分别设置在衬底上并发射不同颜色的光；第一绝缘层，设置在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件上，第一绝缘层包括至少一个开口；以及第二绝缘层，设置在第一绝缘层上，第二绝缘层设置在至少一个开口中，其中，第二绝缘层的折射率高于第一绝缘层的折射率，并且至少一个开口在平面图中与第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的至少一个重叠，并且至少一个开口在平面图中不与第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件中的至少另一个重叠。

[0009] 至少一个开口可以在平面图中与第一发光元件和第三发光元件重叠，并且可以在平面图中不与第二发光元件重叠。

[0010] 第一绝缘层可以覆盖整个第二发光元件。

[0011] 第一发光元件可以发射红色光，第二发光元件可以发射绿色光，并且第三发光元件可以发射蓝色光。

[0012] 至少一个开口可以在平面图中与第三发光元件重叠，并且至少一个开口可以在平面图中不与第一发光元件和第二发光元件重叠。

[0013] 第一发光元件可以发射红色光，第二发光元件可以发射绿色光，并且第三发光元件可以发射蓝色光。

[0014] 根据实施方式的显示装置还可以包括设置在衬底上的第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极；以及设置在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上的堤部层，并且堤部层包括在平面图中与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极重叠的多个像素开口，至少一个开口可以在平面图中与多个像素开口中的至少一个重叠，并且至少一个开口可以在平面图中不与多个像素开口中的至少另一个重叠。

[0015] 根据实施方式的显示装置还可以包括设置在第一像素电极上的第一发射层；设置在第二像素电极上的第二发射层；设置在第三像素电极上的第三发射层；以及设置在第一发射层、第二发射层、第三发射层和堤部层上的公共电极。至少一个开口可以在平面图中与第一发射层、第二发射层和第三发射层中的至少一个重叠，并且至少一个开口可以在平面图中不与第一发射层、第二发射层和第三发射层中的至少另一个重叠。

[0016] 第一像素电极、第一发射层和公共电极可以形成第一发光元件，第二像素电极、第二发射层和公共电极可以形成第二发光元件，并且第三像素电极、第三发射层和公共电极可以形成第三发光元件。

[0017] 至少一个开口可以在平面图中与第一像素电极和第一发射层重叠，并且可以在平面图中与第三像素电极和第三发射层重叠，并且至少一个开口可以在平面图中不与第二像素电极和第二发射层重叠。

[0018] 至少一个开口可以在平面图中不与第一像素电极和第一发射层重叠，至少一个开口可以在平面图中不与第二像素电极和第二发射层重叠，并且可以在平面图中与第三像素电极和第三发射层重叠。

[0019] 第一发射层可以包括发射红色光的有机材料，第二发射层可以包括发射绿色光的有机材料，并且第三发射层可以包括发射蓝色光的有机材料。

[0020] 多个像素开口可以在平面图中位于至少一个开口内。

[0021] 第一绝缘层的折射率可以在约1.40至约1.59的范围内，并且第二绝缘层的折射率可以在约1.60至约1.80的范围内。

[0022] 第一绝缘层的厚度可以在约2.0μm至约3.5μm的范围内。

[0023] 第二绝缘层可以由透光有机绝缘材料或压敏粘合剂形成。

[0024] 根据实施方式的显示装置还可以包括设置在第一发光元件、第二发光元件和第三发光元件上的封装层；以及设置在封装层上的感测电极，其中，第一绝缘层可以设置在感测电极上。

[0025] 根据实施方式的显示装置包括：第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极，设置在衬底上；堤部层，设置在第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极上，堤部层包括在平面图中与第一像素电极、第二像素电极和第三像素电极重叠的多个像素开口；第一发射层，设置在第一像素电极上；第二发射层，设置在第二像素电极上；第三发射层，设置在第三像素电极上；公共电极，设置在第一发射层、第二发射层和第三发射层上；封装层，设置在公共电极上；感测电极，设置在封装层上；第一绝缘层，设置在感测电极上并包括至少一个开口；以及第二绝缘层，设置在第一绝缘层中，并且具有比第一绝缘层的折射率高的折射率，并且至少一个开口在平面图中与多个像素开口中的至少一个重叠，并且在平面图中不与多个像素开口中的至少另一个重叠。

[0026] 第一发射层可以包括发射红色光的有机材料，第二发射层可以包括发射绿色光的有机材料，并且第三发射层可以包括发射蓝色光的有机材料。

[0027] 至少一个开口可以在平面图中与多个像素开口中与第一像素电极重叠的至少一部分和多个像素开口中与第三像素电极重叠的至少一部分重叠，并且至少一个开口可以在平面图中不与多个像素开口中与第二像素电极重叠的至少一部分重叠。

[0028] 在平面图中，第一绝缘层可以覆盖与第二像素电极重叠的整个像素开口。

[0029] 至少一个开口可以在平面图中与第一像素电极、第一发射层、第三像素电极和第三发射层重叠，并且至少一个开口可以在平面图中不与第二像素电极和第二发射层重叠。

[0030] 开口可以与和第三像素电极重叠的像素开口重叠，并且可以不与和第一像素电极重叠的像素开口以及和第二像素电极重叠的像素开口重叠。

[0031] 第一绝缘层可以完全覆盖与第一像素电极重叠的像素开口和与第二像素电极重叠的像素开口。

[0032] 开口可以不与第一像素电极和第一发射层重叠，可以不与第二像素电极和第二发射层重叠，并且可以与第三像素电极和第三发射层重叠。

[0033] 根据实施方式，可以提高显示装置的发光效率和显示质量。

附图说明

[0034] 通过参考附图详细描述本公开的实施方式，根据本公开的实施方式的额外的理解将变得更加明显，其中：

[0035] 图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图；

[0036] 图2是根据实施方式的显示装置中包括检测部分的一部分的示意性平面图；

[0037] 图3是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图；

[0038] 图4是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；

[0039] 图5是根据实施方式的显示装置的第一像素和第一像素的周边的示意性剖视图；

[0040] 图6是根据实施方式的显示装置的第二像素和第二像素的周边的示意性剖视图；

[0041] 图7是根据实施方式的显示装置的第三像素和第三像素的周边的示意性剖视图；

[0042] 图8示出了根据第一参考示例的显示装置中的光的分布；

[0043] 图9示出了根据第二参考示例的显示装置中的光的分布；

[0044] 图10示出了根据第二参考示例的显示装置中的光的分布以及根据实施方式的显示装置中的光的分布；

[0045] 图11是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；

[0046] 图12是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；

[0047] 图13是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；

[0048] 图14是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图；

[0049] 图15示出了根据第二参考示例的显示装置中的光的分布以及根据实施方式的显示装置中的光的分布；以及

[0050] 图16是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。

具体实施方式

[0051] 在下文中，将参考附图更全面地描述实施方式，在附图中示出了本发明的实施方式。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施方式。

[0052] 附图和描述在本质上被认为是说明性的而不是限制性的。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的元件。

[0053] 此外，由于为了更好地理解和易于描述而任意地指示附图中所示的每个配置的尺寸和厚度，因此本公开不一定限于附图。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。此外，在附图中，为了更好地理解和易于描述，可以夸大一些层和区域的厚度。

[0054] 应当理解，当诸如层、膜、区域或衬底的元件被称为在另一个元件“上”时，它可以直接在另一个元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称为“直接”在另一个元件“上”时，不存在中间元件。此外，在整个说明书中，在目标元件“上”一词将被理解为意为位于目标元件上方或下方，并且不一定将被理解为意为基于与重力方向相反的方向而位于“上侧处”。

[0055] 此外，除非明确地相反描述，否则词语“包括(comprise)”和诸如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”的变型将被理解为暗示包括所陈述的元件，但不排除任何其它元件。

[0056] 此外，在整个说明书中，短语“在平面上”或“在平面图中”意为从顶部观察目标部分，并且短语“在横截面上”或“在剖视图中”意为观察通过从侧面竖直地切割目标部分而形成的横截面。

[0057] 如本文中所用的术语“约”或“近似地”包括所陈述的值和在本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的限制)所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意为在所陈述的值的一个或多个标准偏差内，或在±30％、±20％、±10％、±5％内。

[0058] 应当理解，术语“接触”、“连接到”和“联接到”可以包括物理的和/或电的接触、连接或联接。

[0059] 出于其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个”旨在包括“从……的组中选择的至少一个”的含义。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意为“A、B或者A和B”。

[0060] 除非本文另外限定或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本公开所属领域的技术人员的通常理解相同的含义。还应当理解，术语(诸如在常用词典中定义的术语)应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文中的含义一致的含义，并且不应当以理想化或过于正式的含义解释，除非在本文中清楚地如此限定。

[0061] 在下文中，参考图1和图2，将描述根据实施方式的显示装置。

[0062] 图1是根据实施方式的显示装置的示意性平面图，以及图2是根据实施方式的显示装置中包括检测部分的一部分的示意性平面图。

[0063] 参考图1，根据实施方式的显示装置可以包括衬底100和焊盘部分30。

[0064] 衬底100可以包括显示区域DA和非显示区域NA。显示区域DA可以是在其中形成包括发光二极管和晶体管的像素(图1和图2中未示出)以显示图像的区域。非显示区域NA可以是其中不显示图像的区域。非显示区域NA可以围绕显示区域DA。非显示区域NA可以是包括焊盘部分30的区域，在焊盘部分30中形成有用于向像素施加驱动信号的焊盘PAD。

[0065] 包括晶体管、发光二极管等的像素(图1和图2中未示出)可以位于显示区域DA中。像素可以以各种形状排列，例如，以矩阵格式排列。包括感测电极520和540(例如，参考图2)的感测区域TA可以进一步位于显示区域DA的上部上以识别触摸(例如，触摸事件)。

[0066] 在非显示区域NA中，可以定位用于向形成在显示区域DA中的像素发送诸如电压和信号的驱动信号的驱动电压线(未示出)、驱动低压线(未示出)和焊盘部分30。感测线512和522(例如，参考图2)可以进一步位于非显示区域NA中。感测线512和522可以电连接到感测电极520和540。将参考图2进一步描述感测线512和522以及感测电极520和540。

[0067] 焊盘部分30位于非显示区域NA的一部分上，并且包括焊盘PAD。电压、信号等可以被施加到通过焊盘PAD、感测线512和522(参考图2)等电连接到显示区域DA的电压线(未示出)。柔性印刷电路板(FPCB)(未示出)可以附接到非显示区域NA。柔性印刷电路板(FPCB)可以与焊盘部分30电连接。柔性印刷电路板(FPCB)和焊盘部分30可以通过各向异性导电膜电连接。柔性印刷电路板(FPCB)可以包括驱动器集成芯片(IC)(未示出)，并且从驱动器IC输出的驱动信号可以通过焊盘部分30的焊盘PAD提供给每个像素。

[0068] 如图2中所示，衬底100还可以包括感测区域TA以及围绕感测区域TA的外围区域PA，其中，感测区域TA具有形成在显示区域DA上的感测电极520和540。在实施方式中，感测区域TA可以包括图1的显示区域DA和非显示区域NA的至少一部分，并且外围区域PA可以包括图1的非显示区域NA中的除感测区域TA之外的区域。例如，外围区域PA可以包括图1的非显示区域NA的不与感测区域TA重叠的另一部分。然而，感测区域TA和外围区域PA的位置可以不同地改变。例如，感测区域TA可以包括显示区域DA的一部分，并且外围区域PA可以包括显示区域DA中的除感测区域TA之外的区域和非显示区域NA。例如，外围区域PA可以包括显示区域DA的另一部分和非显示区域NA。作为另一示例，感测区域TA可以包括显示区域DA和非显示区域NA。

[0069] 感测电极520和540可以位于感测区域TA中。感测电极520和540可以包括第一感测电极520和第二感测电极540。感测电极520和540可以形成在与包括像素的衬底100相同的衬底上。例如，可以在包括像素的衬底100上形成感测电极520和540。例如，像素和感测电极520和540可以位于单个面板中。

[0070] 第一感测电极520和第二感测电极540可以彼此电绝缘。在实施方式中，第一感测电极520可以是感测输入电极，并且第二感测电极540可以是感测输出电极。然而，本公开不限于此，并且第一感测电极520可以是感测输出电极，并且第二感测电极540可以是感测输入电极。

[0071] 在平面图中，第一感测电极520和第二感测电极540可以在感测区域TA中交替设置并且彼此不重叠。因此，第一感测电极520和第二感测电极540可以设置成网状。第一感测电极520可以沿着列方向和行方向中的每一个排列成多个，并且第二感测电极540也可以沿着列方向和行方向中的每一个排列成多个。第一感测电极520可以通过第一感测电极连接部分521在列方向上彼此电连接。第二感测电极540可以通过第二感测电极连接部分541在行方向上彼此电连接。

[0072] 第一感测电极520和第二感测电极540可以位于相同层上。在实施方式中，第一感测电极520和第二感测电极540可以位于不同的层上。第一感测电极520和第二感测电极540可以具有菱形形状，但不限于此。第一感测电极520和第二感测电极540可以具有诸如四边形或六边形的多边形形状，或者圆形形状或椭圆形形状。然而，本公开不限于此，并且第一感测电极520和第二感测电极540可以以各种形状(诸如具有突出部分的突出形状)来实现，以提高感测传感器的灵敏度。第一感测电极520和第二感测电极540可以由透明导体或不透明导体形成。例如，第一感测电极520和第二感测电极540可以包括透明导电氧化物(TCO)，并且透明导电氧化物(TCO)可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、碳纳米管(CNT)和石墨烯中的至少一种。第一感测电极520和第二感测电极540可以包括开口。形成在感测电极520和540上的开口用于允许从发光二极管发射的光不受干扰地发射到前面。

[0073] 第一感测电极520可以通过第一感测电极连接部分521(也称为电桥)彼此电连接，并且第二感测电极540可以通过第二感测电极连接部分541彼此电连接。在第一感测电极520在第一方向上电连接的情况下，第二感测电极540可以在与第一方向交叉的第二方向上电连接。在第一感测电极520和第二感测电极540位于相同层上的情况下，第一感测电极连接部分521和第二感测电极连接部分541中的一个可以位于与第一感测电极520和第二感测电极540的层相同的层上，并且第一感测电极连接部分521和第二感测电极连接部分541中的另一个可以位于与第一感测电极520和第二感测电极540的层不同的层上。因此，第一感测电极520和第二感测电极540可以是电断开的或电分开的(或电绝缘的)。第一感测电极连接部分521和第二感测电极连接部分541中的位于另一层上的另一个可以位于第一感测电极520和第二感测电极540的上层或下层上。在以下描述的实施方式中，第一感测电极连接部分521和第二感测电极连接部分541中的另一个可以位于下层(例如，比第一感测电极520和第二感测电极540更靠近衬底100的层)上，并且因此将被主要描述。

[0074] 电连接到第一感测电极520和第二感测电极540的感测线512和522可以分别位于外围区域PA中。感测线512和522可以包括第一感测线512和第二感测线522。第一感测线512可以电连接到在行方向上设置的第二感测电极540，并且第二感测线522可以电连接到在列方向上设置的第一感测电极520。在实施方式中，第一感测线512和第二感测线522可以电连接到包括在图1的焊盘部分30中的焊盘PAD中的一些。

[0075] 在图2中，示出了用于使用两个感测电极520和540来感测触摸(或触摸事件)的互电容类型的感测部分。然而，在实施方式中，感测部分也可以形成为例如仅使用一个感测电极来感测触摸(或触摸事件)的自电容类型的传感器，或者利用例如仅使用一个感测电极来感测触摸(或触摸事件)的自电容类型的传感器来实现。

[0076] 在下文中，参考图3至图7，将描述根据实施方式的显示装置中的各个像素的排列形式。

[0077] 图3是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性平面图，以及图4是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。图5是根据实施方式的显示装置的第一像素和第一像素的周边的示意性剖视图，图6是根据实施方式的显示装置的第二像素和第二像素的周边的示意性剖视图，以及图7是根据实施方式的显示装置的第三像素和第三像素的周边的示意性剖视图。

[0078] 参考图3至图7，根据实施方式的显示装置可以包括像素R、G和B。像素R、G和B可以包括第一像素R、第二像素G和第三像素B。第一像素R可以显示红色，第二像素G可以显示绿色，并且第三像素B可以显示蓝色。然而，这仅仅是示例，并且像素还可以包括显示除红色、绿色和蓝色之外的其它颜色的像素。例如，显示装置还可以包括白色像素。作为另一示例，显示装置可以包括用于显示青色的像素、用于显示品红色的像素以及用于显示黄色的像素。

[0079] 在根据实施方式的显示装置的衬底100的显示区域DA中，包括半导体131、栅极电极124、源极电极173和漏极电极175的晶体管TFT、栅极绝缘层120、第一层间绝缘层160、第二层间绝缘层180、像素电极191R、191G和191B、发射层370R、370G和370B、堤部层350、公共电极270和封装层400可以位于像素R、G和B中的每一个中。像素电极191R、191G和191B、发射层370R、370G和370B以及公共电极270可以形成发光元件EDR、EDG和EDB。根据实施方式的显示装置还可以包括位于显示区域DA上方的感测区域TA，并且感测区域TA可以包括第一感测绝缘层510、第二感测绝缘层530、感测电极520和540、第一感测电极连接部分521以及第二感测电极连接部分541。根据实施方式的显示装置还可以包括设置在感测区域TA上方的第一绝缘层550和第二绝缘层560。

[0080] 衬底100可以包括诸如玻璃的具有刚性特性的材料或者诸如塑料或聚酰亚胺的可以弯曲的柔性材料。在衬底100上，可以进一步定位缓冲层111，该缓冲层111用于平坦化衬底100的表面并阻挡不纯元素(或杂质)的渗透。缓冲层111可以包括无机材料。例如，缓冲层111可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料。缓冲层111可以是上述材料的单层结构或多层结构。阻挡层(未示出)可以进一步定位在衬底100上。在这种情况下，阻挡层可以位于衬底100和缓冲层111之间。阻挡层可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料。阻挡层可以具有上述材料的单层结构或多层结构。

[0081] 半导体131可以位于衬底100上。例如，半导体131可以设置在缓冲层111上。半导体131可以包括非晶硅、多晶硅和氧化物半导体中的至少一种。例如，半导体131可以包含低温多晶硅(LTPS)或氧化物半导体材料，该氧化物半导体材料包含锌(Zn)、铟(In)、镓(Ga)、锡(Sn)及其混合物中的至少一种。例如，半导体131可以包括氧化铟镓锌(IGZO)。半导体131可以包括根据是否执行杂质掺杂而分类的沟道区域、源极区域和漏极区域。源极区域和漏极区域可具有对应于导体的导电特性。

[0082] 栅极绝缘层120可以覆盖半导体131和衬底100(或与半导体131和衬底100重叠)。例如，栅极绝缘层120可以覆盖半导体131和缓冲层111。栅极绝缘层120可以包括诸如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiOxNy)的至少一种无机绝缘材料。栅极绝缘层
120可以具有上述材料的单层结构或多层结构。

[0083] 栅极电极124可以位于栅极绝缘层120之上。栅极电极124可以包括诸如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)、银(Ag)、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)的金属。栅极电极124可以包括上述金属的金属合金。栅极电极124可以形成为单层或多层。半导体131中的在平面图中与栅极电极124重叠的区域可以是沟道区域。

[0084] 第一层间绝缘层160可以覆盖栅极电极124和栅极绝缘层120。第一层间绝缘层160可以包括诸如硅物(SiNx)、硅氧化物(SiOx)或硅氮氧化物(SiOxNy)的无机绝缘材料。第一层间绝缘层160可以具有上述材料的单层结构或多层结构。

[0085] 源极电极173和漏极电极175可以位于第一层间绝缘层160上。源极电极173和漏极电极175可以通过穿过第一层间绝缘层160和栅极绝缘层120形成的开口(例如，接触孔)而分别电连接到半导体131的源极区域和漏极区域。上述半导体131、栅极电极124、源极电极173和漏极电极175形成一个晶体管TFT。在实施方式中，晶体管TFT可以仅包括半导体131的源极区域和漏极区域，而不包括源极电极173和漏极电极175。尽管晶体管TFT设置在像素R、G和B中的每一个中，但是多个晶体管TFT可以位于像素R、G和B中的每一个中。

[0086] 源极电极173和漏极电极175可以包含铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)、钽(Ta)等中的至少一种金属或者金属合金。源极电极173和漏极电极175可以形成为单层或多层。根据实施方式的源极电极173和漏极电极175可以由包括上层、中间层和下层的三层形成。例如，三层的上层和下层可以包括钛(Ti)，并且三层的中间层可以包括铝(Al)。

[0087] 第二层间绝缘层180可以位于源极电极173和漏极电极175上。第二层间绝缘层180可以覆盖源极电极173、漏极电极175和第一层间绝缘层160。第二层间绝缘层180可以使衬底100的设置有晶体管TFT的表面平坦化。第二层间绝缘层180可以是例如有机绝缘体，并且可以包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料。

[0088] 像素电极191R、191G和191B可以位于第二层间绝缘层180上。第一像素电极191R可以位于第一像素R中，第二像素电极191G可以位于第二像素G中，并且第三像素电极191B可以位于第三像素B中。像素电极191R、191G和191B也可以被称为阳极，并且可以由包括透明导电氧化物膜或金属材料的单层形成或由包括透明导电氧化物膜和金属材料的多层形成。像素电极191R、191G和191B的透明导电氧化物膜可以包括氧化铟锡(ITO)、聚ITO、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。像素电极191R、191G和191B的金属材料可以包括银(Ag)、钼(Mo)、铜(Cu)、金(Au)和铝(Al)中的至少一种。

[0089] 第二层间绝缘层180可以包括暴露漏极电极175的过孔81。漏极电极175和像素电极191R、191G和191B可以通过第二层间绝缘层180的过孔81物理连接和电连接。因此，像素电极191R、191G和191B可以接收从漏极电极175传送到发射层370R、370G和370B的输出电流。

[0090] 堤部层350可以位于像素电极191R、191G和191B以及第二层间绝缘层180上。堤部层350也可以被称为像素限定层(PDL)，并且包括在平面图中与像素电极191R、191G和191B的至少一部分重叠的像素开口351。在这种情况下，像素开口351可以在平面图中与像素电极191R、191G和191B的中心部分重叠，并且可以在平面图中不与像素电极191R、191G和191B的边缘部分重叠。因此，像素开口351的尺寸可以小于像素电极191R、191G和191B中的每个的尺寸。堤部层350可以对发射层370R、370G和370B的形成位置进行分隔(例如，分隔壁或堤部)，使得发射层370R、370G和370B可以位于暴露像素电极191R、191G和191B的上表面的部分上。堤部层350可以是有机绝缘体，该有机绝缘体包括选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组中的至少一种材料。在实施方式中，堤部层350可以形成为例如包括黑色颜料的黑色像素限定层(BPDL)或者用例如包括黑色颜料的黑色像素限定层(BPDL)实现。

[0091] 在平面图中，像素开口351各自可以具有类似于像素电极191R、191G和191B的形状的形状。例如，像素开口351和像素电极191R、191G和191B可以形成为平面图中的多边形形状。在这种情况下，像素开口351和像素电极191R、191G和191B的角部可以被倒角。然而，像素开口351的形状和像素电极191R、191G和191B的形状不限于此，并且可以不同地改变。

[0092] 在平面图中，分别对应于第一像素R、第二像素G和第三像素B的像素电极191R、191G和191B可以具有不同的尺寸。类似地，在平面图中，分别对应于第一像素R、第二像素G和第三像素B的像素开口351可以具有不同的尺寸。例如，在平面图中，对应于第一像素R的像素开口351和第一像素电极191R可以具有分别大于对应于第二像素G的像素开口351和第二像素电极191G的尺寸的尺寸。在平面图中，对应于第一像素R的像素开口351和第一像素电极191R可以分别具有小于或类似于对应于第三像素B的像素开口351和第三像素电极
191B的尺寸的尺寸。然而，本公开不限于此，并且像素开口351和像素电极191R、191G和191B中的每一个可以具有各种尺寸。

[0093] 根据实施方式的显示装置的像素可以沿着行方向和列方向设置。例如，第二像素电极191G可以在第N行中以预定的(或选定的)间隔彼此间隔开，并且第三像素电极191B和第一像素电极191R可以交替地设置在相邻的第(N+1)行中。类似地，第二像素电极191G可以在相邻的第(N+2)行中以预定的间隔彼此间隔开，并且第一像素电极191R和第三像素电极191B可以交替地设置在相邻的第(N+3)行中。

[0094] 设置在第N行中的第二像素电极191G可以设置成与设置在第M列中的第三像素电极191B和第一像素电极191R相互交叉(或相交)。例如，第三像素电极191B和第一像素电极191R可以交替地设置在第M列中，并且第二像素电极191G可以以预定的间隔设置在相邻的第(M+1)列中。类似地，第一像素电极191R和第三像素电极191B可以交替地设置在相邻的第(M+2)列中，并且第二像素电极191G可以设置在相邻的第(M+3)列中，并且以预定的间隔彼此间隔开。例如，像素电极191R、191G和191B可以以上述结构重复地设置在衬底100上。

[0095] 发射层370R、370G和370B中的每一个可以位于由堤部层350分隔开的像素开口351内。发射层370R、370G和370B可以包括发射诸如红色、绿色和蓝色的光的有机材料。发射红色光、绿色光和蓝色光的发射层370R、370G和370B可以包含低分子量或高分子量的有机材料。在第一像素R中，第一发射层370R可以位于第一像素电极191R上。第一发射层370R可以包括发射红色光的有机材料。在第二像素G中，第二发射层370G可以位于第二像素电极191G上。第二发射层370G可以包括发射绿色光的有机材料。在第三像素B中，第三发射层370B可以位于第三像素电极191B上。第三发射层370B可以包括发射蓝色光的有机材料。

[0096] 在图4至图7中，发射层370R、370G和370B被示为单层，但是基本上，诸如电子注入层、电子传输层、空穴传输层和空穴注入层的辅助层也可以被包括在发射层370R、370G和370B中的每一个的上方和/或下方。空穴注入层和空穴传输层可以位于发射层370R、370G和
370B的下方，并且电子传输层和电子注入层可以位于发射层370R、370G和370B的上方。

[0097] 其它发射层可以进一步位于发射层370R、370G和370B上。例如，第四发射层可以进一步位于第一发射层370R上，并且第四发射层可以发射具有与第一发射层370R发射的光的波长基本上相等的波长的光。第五发射层可以进一步位于第二发射层370G上，并且第五发射层可以发射具有与第二发射层370G发射的光的波长基本上相等的波长的光。第六发射层可以进一步位于第三发射层370B上，并且第六发射层可以发射具有与第三发射层370B发射的光的波长基本上相等的波长的光。在上述情况下已经描述了两个发射层在平面图中彼此重叠，但不限于此。例如，可以堆叠和形成三个或更多个发射层。

[0098] 尽管未示出，但间隔件可进一步定位在堤部层350上。间隔件和堤部层350可以包括相同的材料。然而，本公开不限于此，并且间隔件可以由与堤部层350的材料不同的材料形成。间隔件可以是有机绝缘体，该有机绝缘体包含选自由聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、苯并环丁烯和酚醛树脂组成的组的至少一种材料。

[0099] 公共电极270可以位于堤部层350和发射层370R、370G和370B上。像素R、G和B中的每个的公共电极270可以彼此电连接。公共电极270可以整体地连接到衬底100。公共电极270也可以被称为阴极，并且可以由透明导电层形成，该透明导电层包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓锌(IGZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。公共电极270可以由诸如银(Ag)或镁(Mg)或者它们的混合物的至少一种金属材料形成。可以调节公共电极270的厚度以形成透明导电层。例如，可以减小包括金属材料的公共电极270的厚度，并且公共电极270可以透射光。例如，公共电极270可以具有半透明特性，并且可以与像素电极191R、
191G和191B一起形成微腔。根据微腔结构，特定波长的光可以通过两个电极之间的间隔和特性发射到显示装置的上部，并且可以以红色、绿色或蓝色来显示结果。

[0100] 像素电极191R、191G和191B、发射层370R、370G和370B以及公共电极270可以形成发光元件EDR、EDG和EDB。在第一像素R中，第一像素电极191R、第一发射层370R和公共电极270可以形成发射红色光的第一发光元件EDR。在平面图中，第一像素电极191R、第一发射层
370R和公共电极270彼此重叠的部分可以是第一发光元件EDR的发光区域。在第二像素G中，第二像素电极191G、第二发射层370G和公共电极270可以形成发射绿色光的第二发光元件EDG。在平面图中，第二像素电极191G、第二发射层370G和公共电极270彼此重叠的部分可以是第二发光元件EDG的发光区域。在第三像素B中，第三像素电极191B、第三发射层370B和公共电极270可以形成发射蓝色光的第三发光元件EDB。在平面图中，第三像素电极191B、第三发射层370B和公共电极270彼此重叠的部分可以是第三发光元件EDB的发光区域。

[0101] 封装层400可以位于公共电极270之上。封装层400可以包括至少一个无机层和至少一个有机层。在实施方式中，封装层400可以包括第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430。然而，这仅仅是示例，并且形成封装层400的无机层和有机层的数量可以不同地改变。例如，封装层400可以按第一无机封装层、第二无机封装层、第一有机封装层和第三无机封装层的顺序堆叠。在另一示例中，封装层400可以按第一无机封装层、第一有机封装层、第二无机封装层和第三无机封装层的顺序堆叠。第一无机封装层410、有机封装层420和第二无机封装层430可以位于显示区域DA和非显示区域NA的至少一部分中。在实施方式中，有机封装层420可以围绕显示区域DA形成，并且第一无机封装层410和第二无机封装层430可以形成为一直到非显示区域NA。封装层400可以保护发光元件EDR、EDG和EDB免受可能从外部流入的湿气或氧气的影响，并且第一无机封装层410和第二无机封装层430的端部可以形成为彼此直接接触。

[0102] 缓冲层501可以位于封装层400上。缓冲层501可以形成为例如无机绝缘层，或用无机绝缘层实现。包括在缓冲层501的无机绝缘层中的无机材料可以是氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。在实施方式中，可以省略缓冲层501。

[0103] 第二感测电极连接部分541、第一感测绝缘层510以及感测电极520和540可以位于缓冲层501上。尽管未示出，但是第一感测电极连接部分521(例如，参考图2)可以设置在缓冲层501上。第一感测电极连接部分521(例如，参考图2)和第二感测电极连接部分541中的一个可以设置在与感测电极520和540相同的层上，并且另一个可以设置在与感测电极520和540不同的层上。在下文中，将描述第二感测电极连接部分541位于与感测电极520和540不同的层上的示例。

[0104] 第二感测电极连接部分541、第一感测电极连接部分521、第一感测绝缘层510以及感测电极520和540可以形成感测传感器。感测传感器可以分为电阻类型、电容类型、电磁类型、光学类型等。根据实施方式的感测传感器可以使用电容类型的传感器。

[0105] 第二感测电极连接部分541可以位于缓冲层501上，并且第一感测绝缘层510可以位于缓冲层501和第二感测电极连接部分541上。第一感测绝缘层510可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。第一感测绝缘层510的无机绝缘材料可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。第一感测绝缘层510的有机绝缘材料可以包括基于丙烯酰基的树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、基于乙烯基的树脂、基于环氧的树脂、基于氨基甲酸乙酯的树脂、基于纤维素的树脂和基于二萘嵌苯的树脂中的至少一种。

[0106] 感测电极520和540可以位于第一感测绝缘层510上。感测电极520和540可以包括第一感测电极520和第二感测电极540。第一感测电极520和第二感测电极540可以电绝缘。第一感测绝缘层510可以包括暴露第二感测电极连接部分541的上表面的开口(例如，接触孔)，并且第二感测电极连接部分541可以电连接到第二感测电极540，并且因此可以通过第一感测绝缘层510的开口电连接两个相邻的第二感测电极540。用于连接第一感测电极520的第一感测电极连接部分521、第一感测电极520和第二感测电极540可以形成在相同层上。

[0107] 感测电极520和540可以包含具有良好导电性的导电材料。例如，感测电极520和540可以包括诸如铝(Al)、铜(Cu)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、钯(Pd)、镍(Ni)、钼(Mo)、钨(W)、钛(Ti)、铬(Cr)或钽(Ta)的金属或其金属合金。感测电极520和540可以由单层或多层形成。
感测电极520和540可以包括开口，并且因此从发光二极管发射的光不受干扰地向上发射。
在实施方式中，感测电极520和540可以形成为包括上层、中间层和下层的三层。例如，三层的上层和下层可以包括钛(Ti)，并且三层的中间层可以包括铝(Al)。

[0108] 第二感测绝缘层530可以设置在感测电极520和540以及第一感测绝缘层510上。第二感测绝缘层530可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。第二感测绝缘层530的无机绝缘材料可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。第二感测绝缘层530的有机绝缘材料可以包括基于丙烯酰基的树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、基于乙烯基的树脂、基于环氧的树脂、基于氨基甲酸乙酯的树脂、基于纤维素的树脂和基于二萘嵌苯的树脂中的至少一种。

[0109] 第一绝缘层550可以设置在第二感测绝缘层530上。第一绝缘层550可以包括具有低折射率的透光有机绝缘材料。例如，第一绝缘层550可以包括丙烯酸(丙烯酸的)树脂、聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂和Alq3[三(8‑羟基喹啉根合)铝]中的至少一种。第一绝缘层550可以具有与第二绝缘层560的折射率相比相对较小的折射率，这将在下面描述。例如，第一绝缘层550可具有在约1.40至约1.59的范围内的折射率。第一绝缘层550的厚度可以在约2.0μm至约3.5μm的范围内。

[0110] 第一绝缘层550可以包括开口551。开口551可以意为第二感测绝缘层530不被第一绝缘层550覆盖的部分。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与一些(或部分)像素R、G和B的像素开口351重叠。第一绝缘层550的开口551可以大于像素开口351，并且可以以围绕像素开口351的形状形成。在本说明书中，开口551和像素开口351可以以单数形式使用，然而，开口551和像素开口351也可以分别理解为多个开口551和多个像素开口351。

[0111] 在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与像素R、G和B中的一些像素重叠，并且可以不与像素R、G和B中的一些其它像素重叠。例如，在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一像素R、第二像素G和第三像素B中的至少一个重叠，并且可以不与第一像素R、第二像素G和第三像素B中的至少另一个重叠。因此，在平面图中，第一绝缘层550的开口
551可以与第一发光元件EDR、第二发光元件EDG和第三发光元件EDB中的至少一个重叠，并且可以不与第一发光元件EDR、第二发光元件EDG和第三发光元件EDB中的至少另一个重叠。
在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一像素电极191R、第二像素电极191G和第三像素电极191B中的至少一个重叠，并且可以不与第一像素电极191R、第二像素电极191G和第三像素电极191B中的至少另一个重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与位于第一像素R、第二像素G和第三像素B中的至少一个中的像素开口351重叠，并且可以不与位于第一像素R、第二像素G和第三像素B中的至少另一个中的像素开口351重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一发射层370R、第二发射层370G和第三发射层
370B中的至少一个重叠，并且可以不与第一发射层370R、第二发射层370G和第三发射层
370B中的至少另一个重叠。

[0112] 例如，第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第一像素R和第三像素B重叠，并且可以在平面图中不与第二像素G重叠。因此，在第一像素R和第三像素B中，第二感测绝缘层530的至少一部分可以不被第一绝缘层550覆盖，而是可以被暴露。第一像素R和第三像素B中的由开口551暴露的第二感测绝缘层530可以与第二绝缘层560接触。在第二像素G中，整个第二感测绝缘层530可以被第一绝缘层550覆盖(或重叠)，并且第二感测绝缘层530可以不被暴露。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一发光元件EDR和第三发光元件EDB重叠，并且可以不与第二发光元件EDG重叠。第一发光元件EDR和第三发光元件EDB的至少一部分可以不被第一绝缘层550覆盖，并且第二发光元件EDG可以完全被第一绝缘层550覆盖。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一像素电极191R和第三像素电极
191B重叠，并且可以不与第二像素电极191G重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与位于第一像素R处的像素开口351和位于第三像素B处的像素开口351重叠，并且可以不与位于第二像素G处的像素开口351重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一发射层370R和第三发射层370B重叠，并且可以不与第二发射层370G重叠。

[0113] 在第一像素R和第三像素B中，像素开口351和第一绝缘层550的开口551之间的间隔距离可以是恒定的。像素开口351与第一绝缘层550的开口551之间的间隔距离可以意为像素开口351的边缘与开口551的边缘之间的最短距离。像素开口351的边缘可以意为堤部层350的边缘接触像素电极191R、191G和191B的点。开口551的边缘可以意为第一绝缘层550的边缘与第二感测绝缘层530接触的点。像素开口351与第一绝缘层550的开口551之间的间隔距离可以在约0.5μm至约3.0μm的范围内。在实施方式中，像素开口351和第一绝缘层550的开口551之间的间隔距离可以是恒定的，但不限于此。第一像素R和第三像素B中的像素开口351和第一绝缘层550的开口551之间的间隔距离可以根据其位置而不同。第一像素R中的像素开口351与第一绝缘层550的开口551之间的间隔距离可以不同于第三像素B中的像素开口351与第一绝缘层550的开口551之间的间隔距离。

[0114] 第二绝缘层560可以位于第二感测绝缘层530和第一绝缘层550上。第二绝缘层560可以包括具有高折射率的透光有机绝缘材料。第二绝缘层560可以具有与第一绝缘层550的折射率相比相对较大的折射率。例如，第二绝缘层560可以具有在约1.60至约1.80的范围内的折射率。

[0115] 第二绝缘层560可以位于第一绝缘层550的开口551内。第二绝缘层560可以与第一绝缘层550的侧表面相接触(或可以接触第一绝缘层550的侧表面)。此外，第二绝缘层560可以位于第一绝缘层550的上表面上，以便与第一绝缘层550的上表面相接触。

[0116] 在第一绝缘层550上形成开口551之后，可以通过喷墨方法将具有高折射率的材料作为整体施加在第一绝缘层550上，并且可以执行固化工艺以形成第二绝缘层560。高折射率材料可以具有流动性并且可以移动。因此，高折射率材料可迁移到第一绝缘层550的开口551中并填充开口551。然而，第一绝缘层550的开口551的一部分可能不填充高折射率材料。
第一绝缘层550的开口551的尺寸越小，高折射率材料不能进入的概率越高。与第一像素R和第三像素B相比，第二像素G可以具有相对小的尺寸。在实施方式中，第一绝缘层550的开口
551在平面图中与第一像素R和第三像素B重叠，但是在平面图中不与第二像素G重叠。在第一绝缘层550的开口551与第二像素G重叠的情况下，与其它像素相比，开口551的尺寸可以相对小。因此，高折射率材料可能不被填充在与第二像素G重叠的开口551中。在实施方式中，第一绝缘层550的开口551可以在平面图中不与具有相对小尺寸的第二像素G重叠，但是可以在平面图中与具有相对大尺寸的第一像素R和第三像素B重叠。因此，高折射率材料可以适当地填充在第一绝缘层550的与第一像素R和第三像素B重叠的开口551中。例如，可以解决第二绝缘层560不形成在第一绝缘层550的开口551中的一些中的问题。

[0117] 第一绝缘层550的厚度越厚，高折射率材料进入开口551的障碍越高。在实施方式中，由于第一绝缘层550的开口551不与具有相对小尺寸的第二像素G重叠，所以可以形成较高的这种进入障碍。例如，虽然第一绝缘层550的厚度形成得较厚，但是高折射率材料可以适当地填充在第一绝缘层550的开口551中，并且第二绝缘层560可以形成在开口551中。例如，第一绝缘层550的厚度可以形成为高达约3.5μm。由于增加了第一绝缘层550的厚度，所以可以增加到前面的光收集效率。例如，可以提高显示装置的前面可见度和光输出效率。

[0118] 尽管上面已经描述了通过在第一绝缘层550上施加具有流动性的高折射率材料来形成第二绝缘层560的方法，但是用于形成第二绝缘层560的方法不限于此。例如，第二绝缘层560可以由具有高折射率的压敏粘合剂(PSA)形成。压敏粘合剂可包括基于施加到其粘合表面上的压力的施加而具有粘性的粘合剂材料。压敏粘合剂可以通过混合各种类型的橡胶和各种树脂来制作。粘合剂的强度可能受到施加到粘合剂的表面的压力的大小的影响。在第一绝缘层550上形成开口551之后，高折射率的压敏粘合剂可以被定位在第一绝缘层550上，并且可以施加压力以形成第二绝缘层560。在压力可以施加到高折射率的压敏粘合剂的情况下，第二绝缘层560可以位于第一绝缘层550的开口551内。在第二绝缘层560由高折射率的压敏粘合剂制成的情况下，第二绝缘层560可以位于开口551内，而不管开口551的尺寸如何。因此，可以增加第一绝缘层550的厚度，并且可以提高显示装置的前面可见度和光输出效率。

[0119] 偏振层600可以进一步位于第二绝缘层560上。偏振层600可以位于感测区域TA(例如，参考图2)中，并且可以包括线偏振器、延迟器等。

[0120] 保护感测区域TA和显示区域DA的覆盖窗620可以进一步位于感测区域TA上。粘合剂层610可以进一步位于偏振层600和覆盖窗620之间。

[0121] 根据实施方式的显示装置可以包括第一绝缘层550和第二绝缘层560，其中，第一绝缘层550包括开口551，第二绝缘层560位于第一绝缘层550的开口551内，从而提高显示装置的前面可见度和光输出效率。例如，由第一发光元件EDR和第三发光元件EDB产生的光的至少一部分可以在第一绝缘层550和第二绝缘层560之间的界面处被全反射，并且因此光可以被会聚到前面。

[0122] 从像素R、G和B的发射层370R、370G和370B产生的光L可以在各种方向上发射，并且可以以各种入射角度入射在感测区域TA上。如图5至图7中所示，从第一像素R的第一发光元件EDR和第三像素B的第三发光元件EDB发射并入射到感测区域TA的第二绝缘层560的光L的一部分可以被发射到前面，并且光L的另一部分可以在第一绝缘层550和第二绝缘层560之间的界面处被反射。例如，在入射到第二绝缘层560的光L的入射角度大于阈值角度的情况下，入射光L可以在第一绝缘层550和第二绝缘层560之间的界面处被全反射。例如，当入射在具有相对大的折射率的第二绝缘层560上的光L到达具有相对小的折射率的第一绝缘层550时，可发生在第一绝缘层550和第二绝缘层560之间的界面处的全反射。第一绝缘层550和第二绝缘层560之间的界面可以以预定角度与平行于衬底100的直线相交。第一绝缘层
550和第二绝缘层560之间的界面可以是第一绝缘层550的侧表面。因此，第一绝缘层550的侧表面可以相对于第二感测绝缘层530的上表面以预定倾斜角度倾斜。

[0123] 参考图6，从第二像素G的第二发光元件EDG发射并入射在感测区域TA的第一绝缘层550上的光L的一部分可以在穿过第二绝缘层560之后发射到前面，并且其他光L可以在被覆盖窗620反射之后返回。开口551可以在平面图中形成在第一绝缘层550的与第一像素R和第三像素B重叠的一部分中，并且光L在第一绝缘层550和第二绝缘层560的位于开口551内的界面处被全反射，并且因此可以增加前面光输出率。

[0124] 开口551可以不形成在第一绝缘层550的在平面图中与第二像素G重叠的部分中，并且与第一像素R和第三像素B相比，可以相对增加侧面光发射率。在第一绝缘层550的开口551在平面图中与所有像素R、G和B重叠的情况下，侧面亮度比可能降低。在根据实施方式的显示装置中，通过不在第一绝缘层550的在平面图中与一些像素重叠的一部分中形成开口
551，可以提高侧面亮度比。

[0125] 在下文中，参考图8至图10，根据实施方式的显示装置将与根据参考示例的显示装置进行比较。

[0126] 图8示出了根据第一参考示例REF1的显示装置中的光的分布，并且图9示出了根据第二参考示例REF2的显示装置中的光的分布。图10示出了根据第二参考示例REF2的显示装置中的光的分布以及根据实施方式EMB1的显示装置中的光的分布。在图10中，根据第二参考示例REF2的显示装置中的光的分布在左侧示出，并且根据实施方式EMB1的显示装置中的光的分布在右侧示出。

[0127] 在图8至图10中，垂直于衬底的向前方向是0度，并且以约+90度至约‑90度的角度示出从前表面的两侧发射的光，并且指示了从相应角度发射的光的量。图示了光中的大部分被示出为分布在约+30度和约‑30度之间的范围内。剩余的光被示出为分布在约+30度和约+60度之间，以及约‑30度和约‑60度之间。光被分成红色光、绿色光和蓝色光。

[0128] 在根据第一参考示例REF1的显示装置中，在第一绝缘层中不形成开口。在根据第二参考示例REF2的显示装置中，第一绝缘层的开口在平面图中与所有像素重叠。在根据实施方式EMB1的显示装置中，第一绝缘层的开口形成为在平面图中与一些像素重叠，且在平面图中不与一些其它像素重叠。在这种情况下，第一绝缘层的开口形成为在平面图中与红色像素和蓝色像素重叠，并且在平面图中不与绿色像素重叠。

[0129] 如图8中所示，在根据第一参考示例REF1的显示装置中，从侧面发射的光的量与从前面发射的光的量的比率，即侧面亮度比，可以是约47.1％。在这种情况下，从侧面发射的光的量可以表示约45度处的光的量。如图9中所示，在根据第二参考示例REF2的显示装置中，侧面亮度比可以是约40.4％。在根据第二参考示例REF2的显示装置中，第一绝缘层的开口被形成为在平面图中与所有像素重叠，并且因此前面亮度比可以相对高，并且侧面亮度比可以相对低。在根据第一参考示例REF1的显示装置中，由于开口没有形成在第一绝缘层中，所以前面光发射比可以相对低，并且侧面亮度比可以相对高。

[0130] 如图10中所示，在根据实施方式EMB1的显示装置中，侧面亮度比可以是约46.9％。在根据实施方式EMB1的显示装置中，通过不在第一绝缘层的与绿色像素重叠的部分中形成开口来增加发射到侧面的光的量，可以增加侧面亮度比。在根据第二参考示例REF2的显示装置中，在低角度(在0度和约+30度之间、0度和约‑30度之间的范围)，红色像素的发光效率高，并且因此可能出现微红色现象。在根据实施方式EMB1的显示装置中，可以通过增加绿色像素的侧面亮度比来防止在低角度侧处出现微红色现象。

[0131] 例如，根据实施方式EMB1的显示装置可以通过在第一绝缘层的与一些像素重叠的部分中形成开口来提高前面光发射比，并且通过在第一绝缘层的与一些其它像素重叠的部分中不形成开口，可以提高侧面亮度比并且可以减轻微红色现象。

[0132] 接下来，参考图11，将描述根据实施方式的显示装置。

[0133] 根据图11中所示的实施方式的显示装置几乎与根据图1至图7的实施方式的显示装置相同，并且因此将省略对相同部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于：第一绝缘层的开口在平面图中不与第三像素重叠，并且将在下面进一步描述。

[0134] 图11是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。

[0135] 参考图11，根据实施方式的显示装置可以包括衬底100、设置在衬底100上的晶体管TFT、以及电连接到晶体管TFT的发光元件EDR、EDG和EDB。根据实施方式的显示装置可以包括像素R、G和B，并且像素R、G和B可以包括第一像素R、第二像素G和第三像素B。第一发光元件EDR可以包括第一像素电极191R、第一发射层370R和公共电极270，并且可以位于第一像素R中。第二发光元件EDG可以包括第二像素电极191G、第二发射层370G和公共电极270，并且可以位于第二像素G中。第三发光元件EDB可以包括第三像素电极191B、第三发射层370B和公共电极270，并且可以位于第三像素B中。第一发光元件EDR可以发射红色光，第二发光元件EDG可以发射绿色光，并且第三发光元件EDB可以发射蓝色光。根据实施方式的显示装置还可以包括位于发光元件EDR、EDG和EDB上的第一感测绝缘层510、第二感测绝缘层
530以及感测电极520和540。根据实施方式的显示装置还可以包括具有开口551的第一绝缘层550以及位于第一绝缘层550上的第二绝缘层560。第一绝缘层550和第二绝缘层560可以设置在感测电极520和540上。

[0136] 第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第一像素R和第二像素G重叠，并且可以在平面图中不与第三像素B重叠。例如，第一绝缘层550的开口551可以在平面图中仅与第一像素R和第二像素G中的每一个重叠。因此，在第一像素R和第二像素G中，第二感测绝缘层530的至少一部分可以不被第一绝缘层550覆盖(或重叠)，而是可以被开口551暴露。在第一像素R和第二像素G中，第二感测绝缘层530可以由开口551暴露，并且可以与第二绝缘层560接触。在第三像素B中，整个第二感测绝缘层530可以被第一绝缘层550覆盖，并且第二感测绝缘层530可以不被暴露。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一发光元件EDR和第二发光元件EDG重叠，并且可以不与第三发光元件EDB重叠。第一发光元件EDR和第二发光元件EDG的至少一部分可以不被第一绝缘层550覆盖，并且第三发光元件EDB可以完全被第一绝缘层550覆盖。第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第一像素电极191R和第二像素电极191G重叠，并且可以在平面图中不与第三像素电极191B重叠。第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与位于第一像素R处的像素开口351和位于第二像素G处的像素开口351重叠，并且可以在平面图中不与位于第三像素B处的像素开口351重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一发射层370R和第二发射层370G重叠，并且可以不与第三发射层370B重叠。

[0137] 例如，根据实施方式的显示装置可以通过在第一绝缘层的与一些像素重叠的部分中形成开口来提高前面光发射比，并且通过不在第一绝缘层的与一些其它像素重叠的部分中形成开口，可以提高侧面亮度比，并且可以调节从显示装置发射的光的颜色。

[0138] 接下来，参考图12，将描述根据实施方式的显示装置。

[0139] 根据图12中所示实施方式的显示装置几乎与根据图1至图7中所示实施方式的显示装置相同，并且因此将省略对相同部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于：第一绝缘层的开口在平面图中不与第一像素重叠，这将在下面进一步描述。

[0140] 图12是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。

[0141] 参考图12，根据实施方式的显示装置可以包括衬底100、设置在衬底100上的晶体管TFT、以及电连接到晶体管TFT的发光元件EDR、EDG和EDB。根据实施方式的显示装置可以包括像素R、G和B，并且像素R、G和B可以包括第一像素R、第二像素G和第三像素B。第一发光元件EDR可以包括第一像素电极191R、第一发射层370R和公共电极270，并且可以位于第一像素R中。第二发光元件EDG可以包括第二像素电极191G、第二发射层370G和公共电极270，并且可以位于第二像素G中。第三发光元件EDB可以包括第三像素电极191B、第三发射层370B和公共电极270，并且可以位于第三像素B中。第一发光元件EDR可以发射红色光，第二发光元件EDG可以发射绿色光，并且第三发光元件EDB可以发射蓝色光。根据实施方式的显示装置还可以包括位于发光元件EDR、EDG和EDB上的第一感测绝缘层510、第二感测绝缘层
530以及感测电极520和540。根据实施方式的显示装置还可以包括具有开口551的第一绝缘层550以及位于第一绝缘层550上的第二绝缘层560。第一绝缘层550和第二绝缘层560可以设置在感测电极520和540上。

[0142] 第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第二像素G和第三像素B重叠，并且可以在平面图中不与第一像素R重叠。例如，在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以仅与第二像素G和第三像素B中的每一个重叠。因此，在第二像素G和第三像素B中，第二感测绝缘层530的至少一部分可以不被第一绝缘层550覆盖，而是可以被开口551暴露。在第二像素G和第三像素B中，第二感测绝缘层530可以由开口551暴露，且可以与第二绝缘层560接触。在第一像素R中，整个第二感测绝缘层530可以被第一绝缘层550覆盖，并且第二感测绝缘层530可以不被暴露。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第二发光元件EDG和第三发光元件EDB重叠，并且可以不与第一发光元件EDR重叠。第二发光元件EDG和第三发光元件EDB的至少一部分可以不被第一绝缘层550覆盖，并且第一发光元件EDR可以完全被第一绝缘层550覆盖。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第二像素电极191G和第三像素电极191B重叠，并且可以不与第一像素电极191R重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口
551可以与位于第二像素G的像素开口351和位于第三像素B的像素开口351重叠，并且可以不与位于第一像素R的像素开口351重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第二发射层370G和第三发射层370B重叠，并且可以不与第一发射层370R重叠。

[0143] 根据实施方式的显示装置可以通过在第一绝缘层的与一些像素重叠的部分中形成开口来提高前面光发射比，并且通过不在第一绝缘层的与一些其它像素重叠的部分中形成开口，可以提高侧面亮度比，并且可以调节从显示装置发射的光的颜色。

[0144] 接下来，参考图13，将描述根据实施方式的显示装置。

[0145] 根据图13中所示实施方式的显示装置几乎与根据图1至图7中所示实施方式的显示装置相同，并且因此将省略对相同部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于：第一绝缘层的开口在平面图中不与第二像素和第三像素重叠，这将在下面进一步描述。

[0146] 图13是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。

[0147] 参考图13，根据实施方式的显示装置可以包括衬底100、设置在衬底100上的晶体管TFT、以及电连接到晶体管TFT的发光元件EDR、EDG和EDB。根据实施方式的显示装置可以包括像素R、G和B，并且像素R、G和B可以包括第一像素R、第二像素G和第三像素B。第一发光元件EDR可以包括第一像素电极191R、第一发射层370R和公共电极270，并且可以位于第一像素R中。第二发光元件EDG可以包括第二像素电极191G、第二发射层370G和公共电极270，并且可以位于第二像素G中。第三发光元件EDB可以包括第三像素电极191B、第三发射层370B和公共电极270，并且可以位于第三像素B中。第一发光元件EDR可以发射红色光，第二发光元件EDG可以发射绿色光，并且第三发光元件EDB可以发射蓝色光。根据实施方式的显示装置还可以包括位于发光元件EDR、EDG和EDB上的第一感测绝缘层510、第二感测绝缘层
530以及感测电极520和540。根据实施方式的显示装置还可以包括具有开口551的第一绝缘层550以及位于第一绝缘层550上的第二绝缘层560。第一绝缘层550和第二绝缘层560可以设置在感测电极520和540上。

[0148] 第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第一像素R重叠，并且可以在平面图中不与第二像素G和第三像素B重叠。因此，在第一像素R中，第二感测绝缘层530的至少一部分可以被暴露而不被第一绝缘层550覆盖。例如，可以在第一像素R中对第一绝缘层550的一部分进行开口，以暴露第二感测绝缘层530的一部分。在第一像素R中由开口551暴露的第二感测绝缘层530可以与第二绝缘层560接触。在第二像素G和第三像素B中，整个第二感测绝缘层530可以被第一绝缘层550覆盖，并且第二感测绝缘层530可以不被暴露。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一发光元件EDR重叠，并且可以不与第二发光元件EDG和第三发光元件EDB重叠。第一发光元件EDR的至少一部分可以不被第一绝缘层550覆盖，并且第二发光元件EDG和第三发光元件EDB可以完全被第一绝缘层550覆盖。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第一像素电极191R重叠，并且可以不与第二像素电极191G和第三像素电极191B重叠。第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与位于第一像素R处的像素开口351重叠，并且可以在平面图中不与位于第二像素G处的像素开口351和位于第三像素B处的像素开口351重叠。第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第一发射层370R重叠，并且可以在平面图中不与第二发射层370G和第三发射层370B重叠。

[0149] 根据实施方式的显示装置可以通过在第一绝缘层的与一些像素重叠的部分中形成开口来提高前面光发射比，并且通过不在第一绝缘层的与一些其它像素重叠的部分中形成开口，可以提高侧面亮度比，并且可以调节从显示装置发射的光的颜色。

[0150] 接下来，将参考图14和图15描述根据实施方式的显示装置。

[0151] 根据图14和图15中所示实施方式的显示装置几乎与根据图1至图7中所示实施方式的显示装置相同，并且因此将省略对相同部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于：第一绝缘层的开口在平面图中不与第一像素和第二像素重叠，并且将在下面进一步描述。

[0152] 图14是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图，以及图15示出了根据第二参考示例REF2的显示装置中的光的分布以及根据实施方式的显示装置中的光的分布。在图15中，根据第二参考示例REF2的显示装置中的光的分布示于左边，并且根据实施方式EMB2的显示装置中的光的分布示于右边。

[0153] 如图14中所示，根据实施方式的显示装置可以包括衬底100、设置在衬底100上的晶体管TFT、以及电连接到晶体管TFT的发光元件EDR、EDG和EDB。根据实施方式的显示装置可以包括像素R、G和B，并且像素R、G和B可以包括第一像素R、第二像素G和第三像素B。第一发光元件EDR可以包括第一像素电极191R、第一发射层370R和公共电极270，并且可以位于第一像素R中。第二发光元件EDG可以包括第二像素电极191G、第二发射层370G和公共电极270，并且可以位于第二像素G中。第三发光元件EDB可以包括第三像素电极191B、第三发射层370B和公共电极270，并且可以位于第三像素B中。第一发光元件EDR可以发射红色光，第二发光元件EDG可以发射绿色光，并且第三发光元件EDB可以发射蓝色光。根据实施方式的显示装置还可以包括位于发光元件EDR、EDG和EDB上的第一感测绝缘层510、第二感测绝缘层530以及感测电极520和540。根据实施方式的显示装置还可以包括具有开口551的第一绝缘层550以及位于第一绝缘层550上的第二绝缘层560。第一绝缘层550和第二绝缘层560可以设置在感测电极520和540上。

[0154] 第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第三像素B重叠，并且可以在平面图中不与第一像素R和第二像素G重叠。因此，在第三像素B中，第二感测绝缘层530的至少一部分可以被暴露而不被第一绝缘层550覆盖。例如，可以在第三像素B中对第一绝缘层550的一部分进行开口，以暴露第二感测绝缘层530的一部分。在第三像素B中由开口551暴露的第二感测绝缘层530可以与第二绝缘层560接触。在第一像素R和第二像素G中，整个第二感测绝缘层530可以被第一绝缘层550覆盖，并且第二感测绝缘层530可以不被暴露。第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第三发光元件EDB重叠，并且可以在平面图中不与第一发光元件EDR和第二发光元件EDG重叠。第三发光元件EDB的至少一部分可以不被第一绝缘层
550覆盖，并且第一发光元件EDR和第二发光元件EDG可以完全被第一绝缘层550覆盖。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第三像素电极191B重叠，并且可以不与第一像素电极191R和第二像素电极191G重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与位于第三像素B处的像素开口351重叠，并且可以不与位于第一像素R处的像素开口351和位于第二像素G处的像素开口351重叠。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第三发射层
370B重叠，并且可以不与第一发射层370R和第二发射层370G重叠。

[0155] 根据实施方式的显示装置可以通过在第一绝缘层的与一些像素重叠的部分中形成开口来提高前面光发射比，并且通过不在第一绝缘层的与一些其它像素重叠的部分中形成开口，可以提高侧面亮度比，并且可以调节从显示装置发射的光的颜色。

[0156] 如图15中所示，在根据实施方式EMB2的显示装置中，从侧面发射的光的侧面亮度比可以为约48.1％。在根据实施方式EMB2的显示装置中，在第一绝缘层的与红色像素和绿色像素重叠的部分中不形成开口，并且因此增加了向侧面发射的光的量，从而增加了侧面亮度比。在根据第二参考示例REF2的显示装置中，侧面亮度比为约40.4％，并且在根据上文参考图1至图10描述的实施方式的显示装置中的侧面亮度比可以约为46.9％。根据本实施方式，侧面亮度比为约48.1％，并且因此，可以进一步提高侧面亮度比。在本实施方式中，可以确定发射的红色光和绿色光的量在低角度下增加。

[0157] 接下来，将参考图16描述根据实施方式的显示装置。

[0158] 根据图16中所示的实施方式的显示装置几乎与根据图1至图7中所示的实施方式的显示装置相同，并且因此将省略对相同部分的描述。该实施方式与前面的实施方式的不同之处至少在于：第一绝缘层的开口不与第一像素和第三像素重叠，并且将在下面进一步描述。

[0159] 图16是根据实施方式的显示装置的一部分的示意性剖视图。

[0160] 如图16中所示，根据实施方式的显示装置可以包括衬底100、设置在衬底100上的晶体管TFT、以及电连接到晶体管TFT的发光元件EDR、EDG和EDB。根据实施方式的显示装置可以包括像素R、G和B，并且像素R、G和B可以包括第一像素R、第二像素G和第三像素B。第一发光元件EDR可以包括第一像素电极191R、第一发射层370R和公共电极270，并且可以位于第一像素R中。第二发光元件EDG可以包括第二像素电极191G、第二发射层370G和公共电极270，并且可以位于第二像素G中。第三发光元件EDB可以包括第三像素电极191B、第三发射层370B和公共电极270，并且可以位于第三像素B中。第一发光元件EDR可以发射红色光，第二发光元件EDG可以发射绿色光，并且第三发光元件EDB可以发射蓝色光。根据实施方式的显示装置还可以包括位于发光元件EDR、EDG和EDB上的第一感测绝缘层510、第二感测绝缘层530以及感测电极520和540。根据实施方式的显示装置还可以包括具有开口551的第一绝缘层550以及位于第一绝缘层550上的第二绝缘层560。第一绝缘层550和第二绝缘层560可以设置在感测电极520和540上。

[0161] 第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第二像素G重叠，并且可以在平面图中不与第一像素R和第三像素B重叠。因此，在第二像素G中，第二感测绝缘层530的至少一部分可以被暴露而不被第一绝缘层550覆盖。例如，可以在第二像素G中对第一绝缘层550的一部分进行开口，以暴露第二感测绝缘层530的一部分。在第二像素G中由开口551暴露的第二感测绝缘层530可以与第二绝缘层560接触。在第一像素R和第三像素B中，整个第二感测绝缘层530可以被第一绝缘层550覆盖，并且第二感测绝缘层530可以不被暴露。第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第二发光元件EDG重叠，并且可以在平面图中不与第一发光元件EDR和第三发光元件EDB重叠。第二发光元件EDG的至少一部分可以不被第一绝缘层
550覆盖，并且第一发光元件EDR和第三发光元件EDB可以完全被第一绝缘层550覆盖。在平面图中，第一绝缘层550的开口551可以与第二像素电极191G重叠，并且可以不与第一像素电极191R和第三像素电极191B重叠。第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与位于第二像素G处的像素开口351重叠，并且可以在平面图中不与位于第一像素R处的像素开口351和位于第三像素B处的像素开口351重叠。第一绝缘层550的开口551可以在平面图中与第二发射层370G重叠，并且可以在平面图中不与第一发射层370R和第三发射层370B重叠。

[0162] 根据实施方式的显示装置可以通过在第一绝缘层的与一些像素重叠的部分中形成开口来提高前面光发射比，并且通过不在第一绝缘层的与一些其它像素重叠的部分中形成开口，可以提高侧面亮度比，并且可以调节从显示装置发射的光的颜色。

[0163] 尽管已经结合当前被认为是实际实施方式的实施方式描述了本公开，但是应当理解，本公开不限于所公开的实施方式。相反，本公开旨在覆盖包括在所附权利要求的精神和范围内的各种修改和等效布置。