显示装置

摘要

本公开涉及显示装置，该显示装置包括：子像素；堤部，设置在衬底上并设置在子像素之间的边界处；波长控制层，包括设置在由堤部围绕的区域中的波长转换层和设置在子像素中的透光层；滤色器层，设置在波长控制层上；以及发光元件层，设置在衬底和波长控制层之间，发光元件层包括设置在子像素中的至少一个中的发光元件和连接到发光元件的端部的连接电极。波长转换层中的每个接触连接电极中的至少一个。

权利要求

1.一种显示装置，包括：子像素；

堤部，设置在衬底上并设置在所述子像素之间的边界处；

波长控制层，包括：

波长转换层，设置在由所述堤部围绕的区域中；以及透光层，设置在所述子像素中；

滤色器层，设置在所述波长控制层上；以及发光元件层，设置在所述衬底和所述波长控制层之间，所述发光元件层包括：发光元件，设置在所述子像素中的至少一个中；以及连接电极，电连接到所述发光元件的端部，其中，所述波长转换层中的每个接触所述连接电极中的至少一个。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述子像素包括：

第一子像素；

第二子像素；以及

第三子像素，以及

所述波长转换层包括：

第一波长转换层，设置在所述第一子像素中；以及第二波长转换层，设置在所述第二子像素中。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述透光层在所述第一子像素中设置在所述第一波长转换层上，所述透光层在所述第二子像素中设置在所述第二波长转换层上，以及所述透光层设置在所述第三子像素中。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一波长转换层接触所述连接电极中的设置在所述第一子像素中的至少一个，所述第二波长转换层接触所述连接电极中的设置在所述第二子像素中的至少一个，以及所述透光层接触所述连接电极中的设置在所述第三子像素中的至少一个。

5.根据权利要求3所述的显示装置，还包括：第一封盖层，设置在所述透光层和所述滤色器层之间；

第二封盖层，设置在所述滤色器层上；以及第三封盖层，设置在所述透光层和所述第一波长转换层之间，并且设置在所述透光层和所述第二波长转换层之间。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述第三封盖层的至少一部分接触所述连接电极中的设置在所述第三子像素中的至少一个，所述滤色器层包括滤色器，其中，第一光阻挡构件设置在所述透光层与所述第三封盖层之间，并且在平面图中与所述堤部重叠。

7.根据权利要求5所述的显示装置，还包括：透光图案，在所述第三子像素中设置在所述第三封盖层和所述连接电极之间。

8.一种显示装置，包括：子像素；

堤部，设置在衬底上并设置在所述子像素之间的边界处；

波长控制层，包括：

波长转换层，设置在由所述堤部围绕的区域中；以及第一透光层，设置在所述子像素中；

滤色器层，设置在所述波长控制层上；以及发光元件层，设置在所述衬底和所述波长控制层之间，所述发光元件层包括：发光元件；以及

连接电极，电连接到所述发光元件的端部，其中，所述第一透光层设置在所述波长转换层和所述发光元件层之间，以及所述第一透光层接触所述连接电极中的至少一个。

9.根据权利要求8所述的显示装置，还包括：至少一个封盖层，设置在所述波长转换层和所述第一透光层与所述滤色器层之间；以及第二透光层，设置在所述至少一个封盖层和所述滤色器层之间，其中，所述第一透光层和所述第二透光层完全设置在所述子像素内。

10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，所述子像素包括：

第一子像素；

第二子像素；以及

第三子像素，

所述波长转换层包括：

第一波长转换层，设置在所述第一子像素中；以及第二波长转换层，设置在所述第二子像素中，所述至少一个封盖层在平面图中与所述第一波长转换层、所述第二波长转换层和所述第一透光层重叠，以及所述至少一个封盖层接触所述第一波长转换层、所述第二波长转换层和所述第一透光层。

说明书

显示装置

技术领域

[0001] 本公开涉及显示装置。

背景技术

[0002] 随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性稳步增加。响应于增加的重要性，已经使用了各种类型的显示装置，诸如有机发光显示器、液晶显示器(LCD)等。

[0003] 显示装置是用于显示图像的装置，并且包括诸如有机发光显示面板或液晶显示面板的显示面板。发光显示面板可以包括例如发光二极管(LED)的发光元件。发光二极管的示例包括使用有机材料作为发光材料的有机发光二极管(OLED)和使用无机材料作为发光材料的无机发光二极管。

[0004] 将理解的是，该技术部分的背景部分地旨在为理解该技术提供有用的背景。然而，该技术部分的背景也可以包括在本文中公开的主题的相应有效申请日之前不是相关领域中的技术人员所已知或理解的部分的思想、概念或认知。

发明内容

[0005] 本公开的方面提供能够防止波长控制层和发光元件由于外部湿气和氧气而劣化并且也能够防止波长控制层由于发光元件的光而劣化的显示装置。

[0006] 然而，本公开的方面不限于本文中阐述的方面。通过参考以下给出的本公开的详细描述，本公开的以上和其它方面对于本公开所属领域中的普通技术人员将变得更加显而易见。

[0007] 根据本公开的实施方式，显示装置可以包括：子像素；堤部，设置在衬底上并设置在子像素之间的边界处；波长控制层，包括设置在由堤部围绕的区域中的波长转换层和设置在子像素中的透光层；滤色器层，设置在波长控制层上；以及发光元件层，设置在衬底和波长控制层之间，发光元件层包括设置在子像素中的至少一个中的发光元件和连接到发光元件的端部的连接电极。波长转换层中的每个可以接触连接电极中的至少一个。

[0008] 在实施方式中，子像素可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。波长转换层包括设置在第一子像素中的第一波长转换层和设置在第二子像素中的第二波长转换层。

[0009] 在实施方式中，透光层可以在第一子像素中设置在第一波长转换层上。透光层可以在第二子像素中设置在第二波长转换层上。透光层可以设置在第三子像素中。

[0010] 在实施方式中，第一波长转换层可以接触连接电极中的设置在第一子像素中的至少一个。第二波长转换层可以接触连接电极中的设置在第二子像素中的至少一个。透光层可以接触连接电极中的设置在第三子像素中的至少一个。

[0011] 在实施方式中，显示装置还可以包括：第一封盖层，设置在透光层和滤色器层之间；第二封盖层，设置在滤色器层上；以及第三封盖层，设置在透光层和第一波长转换层之间并且设置在透光层和第二波长转换层之间。

[0012] 在实施方式中，第三封盖层的至少一部分可以接触连接电极中的设置在第三子像素中的至少一个。滤色器层可以包括滤色器。第一光阻挡构件可以设置在透光层和第三封盖层之间，并且可以在平面图中与堤部重叠。

[0013] 在实施方式中，显示装置还可以包括在第三子像素中设置在第三封盖层和连接电极之间的的透光图案。

[0014] 根据本公开的实施方式，显示装置可以包括：子像素；堤部，设置在衬底上并设置在子像素之间的边界处；波长控制层，包括设置在由堤部围绕的区域中的波长转换层和设置在子像素中的第一透光层；滤色器层，设置在波长控制层上；以及发光元件层，设置在衬底和波长控制层之间，发光元件层包括发光元件和电连接到发光元件的端部的连接电极。第一透光层可以设置在波长转换层和发光元件层之间。第一透光层接触连接电极中的至少一个。

[0015] 在实施方式中，显示装置还可以包括：至少一个封盖层，设置在波长转换层和第一透光层与滤色器层之间；以及第二透光层，设置在至少一个封盖层和滤色器层之间。第一透光层和第二透光层可以完全设置在子像素内。

[0016] 在实施方式中，子像素可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素。波长转换层可以包括设置在第一子像素中的第一波长转换层和设置在第二子像素中的第二波长转换层。在平面图中，至少一个封盖层可以与第一波长转换层、第二波长转换层和第一透光层重叠。至少一个封盖层可以接触第一波长转换层、第二波长转换层和第一透光层。

[0017] 在根据实施方式的显示装置中，通过设置覆盖波长转换层的透光层和在透光层上的封盖层，能够防止波长转换层或发光元件被外部湿气或氧气劣化。

[0018] 此外，通过在波长转换层和发光元件之间设置透光层，可以减少波长转换层由于发光元件的光的劣化。

[0019] 然而，本公开的效果不限于上述效果，并且各种其它效果包括在说明书中。

附图说明

[0020] 通过参考附图详细描述本公开的实施方式，本公开的以上和其它方面和特征将变得更加显而易见，在附图中：

[0021] 图1是示意性地示出根据实施方式的显示装置的平面图；

[0022] 图2是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图；

[0023] 图3是示出设置在根据实施方式的显示装置的像素中的滤色器层的示意性平面图；

[0024] 图4是示出设置在根据实施方式的显示装置的像素中的发光元件层的示意性平面图；

[0025] 图5是示出设置在根据实施方式的显示装置的像素中的波长控制层的示意性平面图；

[0026] 图6是沿着图4的线Q1‑Q1'、线Q2‑Q2'和线Q3‑Q3'截取的示意性剖视图；

[0027] 图7是沿着图4的线Q4‑Q4'截取的示意性剖视图；

[0028] 图8是根据实施方式的发光元件的示意性立体图；

[0029] 图9是示出图6的区域Q的另一示例的放大示意剖视图；

[0030] 图10是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图；

[0031] 图11是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图；

[0032] 图12是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图；

[0033] 图13是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图；

[0034] 图14是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图；以及

[0035] 图15是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图。

具体实施方式

[0036] 现在将参考附图在下文中更全面地描述本公开，在附图中示出了实施方式。然而，本公开可以以不同的形式来实现，并且不应被解释为限于本文中阐述的实施方式。确切地说，提供这些实施方式使得本公开将是彻底和完整的，并且将本公开的范围完全传达给本领域中技术人员。

[0037] 还将理解的是，当层被称为在另一层或衬底“上”时，它可以直接在所述另一层或衬底上，或者也可以存在居间层。在整个说明书中，相同的参考标记表示相同的组件。

[0038] 将理解的是，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不背离实施方式的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。类似地，第二元件也可以被称为第一元件。

[0039] 本公开的各种实施方式的特征中的每个可以部分地或整体地组合或彼此组合，并且技术上各种互锁和驱动是可能的。每个实施方式可以彼此独立地实现，或者可以关联地一起实现。

[0040] 术语“重叠”或“重叠的”意指第一对象可以在第二对象上方或下方或者在第二对象的一侧，并且反之亦然。另外，术语“重叠”可以包括层、叠层、面对(face)或面(facing)、遍及…延伸、覆盖或部分覆盖或如本领域中普通技术人员将理解和领会的任何其它合适的术语。

[0041] 将理解的是，在说明书中，当元件(或区域、层、部分等)被称为在另一元件“上”、“连接到”或“联接到”的另一元件时，它可以直接设置在上述另一元件上、直接连接到或直接联接到上述另一元件，或者居间元件可以设置在它们之间。

[0042] 如本文中所用，单数形式“一个”、“一种”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另外清楚地指示。

[0043] 在说明书和权利要求书中，术语“和/或”旨在包括术语“和”以及“或”的任何组合，以用于其含义和解释的目的。例如，“A和/或B”可以理解为意指“A、B、或A和B”。术语“和”以及“或”可以以结合或分开的意义使用，并且可以理解为等同于“和/或”。

[0044] 如本文中所用，“约”、“基本上”或“近似”包括所述值和在如本领域中普通技术人员在考虑所讨论的测量和与特定量的测量相关联的误差(即，测量系统的限制)时所确定的特定值的可接受偏差范围内的平均值。例如，“约”可以意指在一个或多个标准偏差内，或在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％内。

[0045] 在说明书和权利要求书中，短语“…中的至少一个”旨在包括“选自…的组中的至少一个”的含义，以用于其含义和解释的目的。例如，“A和B中的至少一个”可以理解为意指“A、B、或A和B”。

[0046] 除非本文中另外限定或暗示，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开所属领域中的技术人员所通常理解的相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在常用词典中限定的术语)应当被解释为具有与它们在相关技术和本公开的上下文
中的含义一致的含义，并且不应当被解释为理想的或过于正式的含义，除非在本文中清楚地如此限定。

[0047] 在下文中，将参考附图详细描述实施方式。

[0048] 图1是示意性地示出根据一个实施方式的显示装置的平面图。

[0049] 参考图1，显示装置10显示移动图像或静止图像。显示装置10可以指提供显示屏的任何电子装置。显示装置10的示例可以包括提供显示屏的电视、膝上型计算机、监视器、广告牌、物联网装置、移动电话、智能电话、平板个人计算机(PC)、电子手表、智能手表、手表电话、头戴式显示器、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(PMP)、导航装置、游戏机、数码相机、可携式摄像机等。

[0050] 显示装置10包括提供显示屏的显示面板。显示面板的示例可以包括无机发光二极管显示面板、有机发光显示面板、量子点发光显示面板、等离子体显示面板和场发射显示面板。在下面的描述中，无机发光二极管显示面板被用作示例性显示面板，但是本公开不限于此，并且在技术精神的相同范围内，可以应用其它显示面板。

[0051] 在下文中，在描述显示装置10的实施方式的附图中限定了第一方向DR1、第二方向DR2和第三方向DR3。第一方向DR1和第二方向DR2可以是在平面中彼此垂直的方向。第三方向DR3可以是垂直于第一方向DR1和第二方向DR2所定位的平面的方向。第三方向DR3垂直于第一方向DR1和第二方向DR2中的每个。在描述显示装置10的实施方式中，第三方向DR3表示显示装置10的厚度方向。

[0052] 显示装置10可以具有包括长侧和短侧的矩形形状，使得在平面图中第一方向DR1上的侧长于第二方向DR2上的侧。显示装置10的长侧和短侧相交的拐角部分在平面图中可以是直角的。然而，本公开不限于此，并且其可以是圆化的以具有曲化形状。显示装置10的平面形状不限于所示示例，并且可以是其它形状，诸如正方形形状、具有圆角(顶点)的四边形形状、其它多边形形状和圆形形状。

[0053] 显示装置10的显示表面可以设置在作为厚度方向的第三方向DR3的一侧上。在描述显示装置10的实施方式中，除非另外指出，否则术语“向上”是指第三方向DR3的作为显示方向的一侧，并且术语“顶表面”是指朝向显示方向的表面。此外，术语“向下”是指第三方向DR3的作为显示方向的相反方向的另一侧，并且术语“底表面”是指与显示方向相反的表面。
此外，“左”、“右”、“上”和“下”表示当从上方观察显示装置10时的方向。例如，“右侧”表示第一方向DR1的一侧，“左侧”表示第一方向DR1的另一侧，“上侧”表示第二方向DR2的一侧，以及“下侧”表示第二方向DR2的另一侧。

[0054] 显示装置10可以包括显示区域DA和非显示区域NDA。显示区域DA是可以显示屏幕的区域，以及非显示区域NDA是不显示屏幕的区域。

[0055] 显示区域DA的形状可以类似于显示装置10的整体形状。例如，显示区域DA在平面图中可以具有矩形形状。显示区域DA可以基本上占据显示装置10的中心。

[0056] 显示区域DA可以包括像素PX。像素PX可以布置成矩阵形式。在平面图中，每个像素PX的形状可以是矩形形状或正方形形状。然而，每个像素PX的形状不限于此，并且可以是其中每侧相对于一方向倾斜的菱形形状。像素PX可以交替地设置成条型或 型。

[0057] 非显示区域NDA可以设置在显示区域DA周围。非显示区域NDA可以完全或部分地围绕显示区域DA。在实施方式中，显示区域DA可以具有矩形形状，并且非显示区域NDA可以邻近显示区域DA的四侧设置。非显示区域NDA可以形成显示装置10的边框。在非显示区域NDA中，可以设置属于显示装置10的布线和电路驱动器或其上安装有外部装置的焊盘部分。

[0058] 图2是根据实施方式的显示装置的示意性剖视图。

[0059] 参考图2，像素PX中的每个可以包括子像素SPXn(n是1至3的整数)。例如，像素PX可以包括第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3。第一子像素SPX1可以发射第一颜色的光，第二子像素SPX2可以发射第二颜色的光，并且第三子像素SPX3可以发射第三颜色的光。第一颜色可以是红色，第二颜色可以是绿色，以及第三颜色可以是蓝色(可以分别由图中的“R”、“G”和“B”表示)。尽管图2示出了像素PX包括三个子像素SPXn，但是本公开不限于此，并且像素PX可以包括更大数量的子像素SPXn。

[0060] 显示装置10的每个子像素SPXn可以包括发射区域EMA和非发射区域NEA。发射区域EMA可以是其中设置有发光元件层EL并发射波长带的光的区域，并且非发射区域NEA可以是其中不设置发光元件层EL并且由于前述的光不到达这里而不从其发射光的区域。

[0061] 显示装置10可以包括衬底SUB和设置在衬底SUB上的发光元件层EL、波长控制层CWL和滤色器层CFL。显示装置10还可以包括设置在衬底SUB和发光元件层EL之间的电路层CCL、设置在波长控制层CWL和滤色器层CFL之间的第一封盖层CPL1、以及设置在滤色器层CFL上的第二封盖层CPL2和封装层ENL。在衬底SUB上，电路层CCL、发光元件层EL、波长控制层CWL、第一封盖层CPL1、滤色器层CFL、第二封盖层CPL2和封装层ENL可以依次设置。

[0062] 堤部BNL(参见图3)可以设置在子像素SPXn之间的边界处，并且发光元件层EL可以设置在由堤部BNL分开的子像素SPXn中的每个中。发光元件层EL可以设置在设置于衬底SUB上的电路层CCL和波长控制层CWL之间，并且可以包括发光元件ED(参考图4)以发射选定波长带的光。光可以通过波长控制层CWL入射到滤色器层CFL。

[0063] 根据实施方式的显示装置10可以是其中光在其上设置有发光元件层EL的衬底SUB的向上方向上发射的前发射型显示装置。从发光元件层EL发射的光可以在衬底SUB的向下方向上行进，但是可以被发光元件层EL内的结构或电路层CCL的结构反射，以在衬底SUB的向上方向上发射。显示装置10可以是仅包括一个衬底SUB、包括依次设置在衬底SUB上的多个层的前发射型发光显示装置。因此，显示装置10可以通过仅使用一个衬底SUB依次堆叠多个层同时省略将衬底SUB结合到另一衬底的工艺来制造，从而可以改进制造工艺。

[0064] 在下文中，将参考其它附图详细描述包括发光元件层EL、波长控制层CWL和滤色器层CFL的显示装置10。

[0065] 图3是示出设置在根据实施方式的显示装置的像素中的滤色器层的示意性平面图。图4是示出设置在根据实施方式的显示装置的像素中的发光元件层的示意性平面图。图
5是示出设置在根据实施方式的显示装置的像素中的波长控制层的示意性平面图。图6是沿着图4的线Q1‑Q1'、线Q2‑Q2'和线Q3‑Q3'截取的示意性剖视图。图7是沿着图4的线Q4‑Q4'截取的示意性剖视图。

[0066] 图3至图5示意性地示出了发光元件层EL、波长控制层CWL和滤色器层CFL相对于设置在子像素SPXn的边界处的堤部BNL的布局。图3示出了滤色器层CFL和第一光阻挡构件BK1，图4示出了发光元件层EL，以及图5示出了波长控制层CWL。图6示出了第一子像素SPX1的剖面，以及图7示出了第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的剖面。图6和图7以与图4的切割线对应的部分一起示出了滤色器层CFL和波长控制层CWL。

[0067] 结合图2参考图3至图7，堤部BNL设置在相应子像素SPXn的边界处。堤部BNL可以在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸，并且在将相邻的子像素SPXn分离的同时围绕子像素SPXn。

[0068] 除了发射区域EMA之外，每个子像素SPXn还可以包括非发射区域NEA(参考图2)。此外，每个子像素SPXn可以包括设置在非发射区域NEA中的子区域SA。子区域SA可以设置在发射区域EMA的在第二方向DR2上的一侧上。子区域SA可以设置在子像素SPXn的在第二方向DR2上相邻的发射区域EMA之间。发射区域EMA和子区域SA可以布置在显示装置10的显示区域DA中。例如，发射区域EMA和子区域SA可以分别重复地布置在第一方向DR1上，同时交替地布置在第二方向DR2上。

[0069] 堤部BNL可以设置在子区域SA之间和发射区域EMA之间，并且它们之间的距离可以随着堤部BNL在第二方向DR2上的宽度而变化。由于在子区域SA中没有设置发光元件ED，所以光不从子区域SA发射，但是设置在每个子像素SPXn中的电极RME的一部分可以延伸到子区域SA。为每个子像素SPXn提供的电极RME可以在子区域SA中彼此分离。

[0070] 衬底SUB可以是绝缘衬底。衬底SUB可以由诸如玻璃、石英或聚合物树脂的透明绝缘材料制成。此外，衬底SUB可以是刚性衬底，但也可以是可以弯曲、折叠或卷曲的柔性衬底。

[0071] 电路层CCL(参考图2)可以设置在衬底SUB上。电路层CCL可以包括第一导电层CAS(参考图6)、半导体层、第二导电层和第三导电层以及设置在它们之间的绝缘层。尽管所示的电路层CCL仅包括一个第一晶体管TR1(参考图6)和一些布线，但是本公开不限于此。除了第一晶体管TR1之外，显示装置10的电路层CCL还可以包括更大数量的晶体管，包括更多的布线、电极和半导体层。显示装置10还可以包括电容器。例如，通过除了第一晶体管TR1之外还包括一个或多个晶体管，显示装置10可以包括用于每个子像素SPXn的两个、三个、六个或七个晶体管。

[0072] 第一导电层CAS可以设置在衬底SUB上。第一导电层CAS可以与显示装置10的第一晶体管TR1的有源层ACT重叠。第一导电层CAS可以包括能够阻挡光以防止光到达第一晶体管TR1的有源层ACT的材料。例如，第一导电层CAS可以由阻挡光透射的不透明金属材料形成。然而，本公开不限于此，并且在一些情况下，可以省略第一导电层CAS。

[0073] 缓冲层BL可以完全设置在第一导电层CAS和衬底SUB上。缓冲层BL可以形成在衬底SUB上，以保护像素PX的第一晶体管TR1免受渗透通过衬底SUB(易受湿气渗透)的湿气的影响，并且可以执行表面平坦化功能。缓冲层BL可以由交替堆叠的无机层形成。例如，缓冲层BL可以形成为通过堆叠包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层而形成的双层。缓冲层BL也可以通过交替堆叠包括那些材料的层而形成为多层结构。替代地，层中的每个可以由包括那些材料的单个无机层形成。

[0074] 半导体层设置在缓冲层BL上。半导体层可以包括第一晶体管TR1的有源层ACT。它可以与下面将描述的第二导电层的栅电极GE部分重叠。

[0075] 在实施方式中，半导体层可以包括多晶硅、单晶硅、氧化物半导体等。当半导体层包括氧化物半导体时，每个有源层ACT可以包括导电区域ACTa和ACTb以及在它们之间的沟道区域ACTc。氧化物半导体可以是包含铟(In)的氧化物半导体。在一些实施方式中，氧化物半导体可以是氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锌(IGZO)、氧化铟镓锡(IGTO)、氧化铟镓锌锡(IGZTO)等。

[0076] 在其它示例中，半导体层可以包括多晶硅。多晶硅可以通过使非晶硅结晶而形成。有源层ACT的导电区域ACTa和ACTb可以是掺杂有杂质的区域。

[0077] 栅极绝缘层GI设置在半导体层和缓冲层BL上。栅极绝缘层GI可以用作每个晶体管的栅极绝缘层。栅极绝缘层GI可以形成为通过堆叠包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层而形成的双层。栅极绝缘层GI也可以通过交替堆叠包括那些材料的层而形成为多层结构。替代地，层中的每个可以由包括那些材料的单个无机层形成。

[0078] 第二导电层设置在栅极绝缘层GI上。第二导电层可以包括第一晶体管TR1的栅电极GE。栅电极GE可以在厚度方向上与有源层ACT的沟道区域ACTc重叠。第二导电层可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金制成的单层或多层。然而，本公开不限于此。

[0079] 层间绝缘层IL可以设置在第二导电层上。层间绝缘层IL可以覆盖第二导电层以保护第二导电层。层间绝缘层IL可以形成为通过堆叠包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)和氮氧化硅(SiOxNy)中的至少一种的无机层而形成的双层。层间绝缘层IL也可以通过交替堆叠包括那些材料的层而形成为多层结构。替代地，层中的每个可以由包括那些材料的单个无机层形成。

[0080] 第三导电层设置在层间绝缘层IL上。第三导电层可以包括第一晶体管TR1的源电极S1和漏电极D1、第一电压线VL1、第二电压线VL2和导电图案CDP。

[0081] 第一晶体管TR1的源电极S1和漏电极D1可以分别通过穿过层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI形成的接触孔电接触有源层ACT的导电区域ACTa和ACTb。此外，第一晶体管TR1的源电极S1可以通过另一接触孔电连接到第一导电层CAS。

[0082] 第一电压线VL1可以施加有传送到第一电极RME1的高电位电压(或第一电力电压)，并且第二电压线VL2可以施加有传送到第二电极RME2的低电位电压(或第二电力电
压)。第一电压线VL1的一部分可以通过穿透层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI的接触孔电接触第一晶体管TR1的有源层ACT。第一电压线VL1可以用作第一晶体管TR1的漏电极D1。第一电压线VL1可以直接连接到下面将描述的第一电极RME1。第二电压线VL2可以直接连接到下面将描述的第二电极RME2。

[0083] 导电图案CDP可以通过穿透层间绝缘层IL和栅极绝缘层GI的接触孔电接触第一晶体管TR1的有源层ACT。导电图案CDP可以用作第一晶体管TR1的源电极S1。

[0084] 第三导电层可以形成为由钼(Mo)、铝(Al)、铬(Cr)、金(Au)、钛(Ti)、镍(Ni)、钕(Nd)和铜(Cu)中的任一种或其合金制成的单层或多层。然而，本公开不限于此。

[0085] 过孔层VIA设置在第三导电层上。过孔层VIA可以包括有机绝缘材料，例如诸如聚酰亚胺(PI)的有机材料，以执行表面平坦化功能。

[0086] 发光元件层EL可以包括电极RME、堤部图案BP、堤部BNL、发光元件ED和连接电极CNE。这些元件可以设置在过孔层VIA上。此外，绝缘层PAS1、PAS2和PAS3可以设置在过孔层VIA上。

[0087] 堤部图案BP可以直接设置在过孔层VIA上。堤部图案BP可以设置在发射区域EMA中，其中堤部图案BP可以具有在每个子像素SPXn内在第二方向DR2上延伸而不延伸到在第二方向DR2上相邻的其它子像素SPXn的形状。堤部图案BP可以在第一方向DR1上彼此间隔
开，并且发光元件ED可以设置在它们之间。堤部图案BP可以设置成用于每个子像素SPXn，以在显示装置10的显示区域DA中形成线性图案。在附图中，在每个子像素SPXn中示出了两个堤部图案BP，但是本公开不限于此。根据电极RME1和RME2的数量，可以设置更大数量的堤部图案BP。

[0088] 堤部图案BP可以具有其中至少一部分相对于过孔层VIA的顶表面突出的结构。每个堤部图案BP的突出部分可以具有倾斜的侧表面，并且从发光元件ED发射的光可以被设置在堤部图案BP上的电极RME反射，并且在向上方向上从过孔层VIA发射。堤部图案BP可以提供在其中设置发光元件ED的区域，并且还可以用作将从发光元件ED发射的光向上反射的反射分隔壁。堤部图案BP的侧表面可以以线性形状倾斜，但不限于此，堤部图案BP的外表面可以具有曲化的半圆形状或半椭圆形状。堤部图案BP可以包括诸如聚酰亚胺(PI)的有机绝缘材料，但不限于此。

[0089] 电极RME可以设置在堤部图案BP和过孔层VIA上。电极RME可以包括第一电极RME1和第二电极RME2。第一电极RME1和第二电极RME2可以在第二方向DR2上延伸，并且可以在第一方向DR1上彼此间隔开。

[0090] 第一电极RME1和第二电极RME2可以在子像素SPXn内在第二方向DR2上延伸，同时在子区域SA中与其它电极RME1和RME2分离。例如，子区域SA可以设置于在第二方向DR2上相邻的子像素SPXn的发射区域EMA之间，并且第一电极RME1和第二电极RME2可以在子区域SA的分离部分ROP(参考图4)处与设置于在第二方向DR2上相邻的子像素SPXn中的其它第一电极RME1和第二电极RME2分离。然而，本公开不限于此，并且一些电极RME1和RME2可以不在相应的子像素SPX1、SPX2和SPX3之间分离，而是可以延伸超出在第二方向DR2上相邻的子像素SPXn的边界，或者可以仅第一电极RME1和第二电极RME2中的一个被分离。

[0091] 第一电极RME1可以通过第一电极接触孔CT1电连接到第一晶体管TR1，并且第二电极RME2可以通过第二电极接触孔CT2电连接到第二电压线VL2。例如，第一电极RME1可以通过在与堤部BNL重叠的在子区域SA和发射区域EMA之间的区域中穿过过孔层VIA形成的第一电极接触孔CT1电接触导电图案CDP。第二电极RME2也可以通过穿透过孔层VIA的第二电极接触孔CT2与第二电压线VL2接触。然而，本公开不限于此。在其它示例中，第一电极接触孔CT1和第二电极接触孔CT2可以设置在子区域SA中。

[0092] 第一电极接触孔CT1可以电连接第一电极RME1和导电图案CDP。用于对准发光元件ED的信号可以施加到第一电压线VL1，以通过第一晶体管TR1和导电图案CDP施加到第一电极RME1。第二电极接触孔CT2可以电连接第二电极RME2和第二电压线VL2。第二电力电压可以通过第二电压线VL2施加到第二电极RME2。如下面将描述的，在发光元件ED对准之后，第一电极RME1和第二电极RME2在分离部分ROP处分离，并且第二电极RME2不从第二电压线VL2接收信号。

[0093] 在附图中，为每个子像素SPXn设置一个第一电极RME1和一个第二电极RME2，但是本公开不限于此，并且可以在子像素SPXn中设置更大数量的第一电极RME1和更大数量的第二电极RME2。设置在每个子像素SPXn中的第一电极RME1和第二电极RME2可以不必具有在单个方向上延伸的形状，并且第一电极RME1和第二电极RME2可以布置成其它结构。例如，第一电极RME1或第二电极RME2可以具有部分曲化或弯曲的形状，并且一个电极可以围绕另一电极。

[0094] 第一电极RME1和第二电极RME2可以分别直接设置在堤部图案BP上。第一电极RME1和第二电极RME2中的每个可以具有比堤部图案BP的宽度大的宽度。例如，第一电极RME1和第二电极RME2中的每个可以覆盖堤部图案BP的外表面。第一电极RME1和第二电极RME2可以分别设置在堤部图案BP的侧表面上，并且第一电极RME1和第二电极RME2之间的距离可以小于堤部图案BP之间的距离。此外，第一电极RME1和第二电极RME2的至少一部分可以直接设置在过孔层VIA上，使得第一电极RME1和第二电极RME2可以设置在相同的平面上。然而，本公开不限于此。在一些情况下，第一电极RME1和第二电极RME2的宽度可以小于堤部图案BP的宽度。然而，第一电极RME1和第二电极RME2中的每个可以覆盖堤部图案BP的至少一个侧表面，以反射从发光元件ED发射的光。

[0095] 第一电极RME1和第二电极RME2可以包括具有高反射率的导电材料。例如，第一电极RME1和第二电极RME2可以包括诸如银(Ag)、铜(Cu)或铝(Al)的金属作为具有高反射率的材料，或者可以是包括铝(Al)、镍(Ni)、镧(La)等的合金。第一电极RME1和第二电极RME2中的每个可以在每个子像素SPXn的向上方向上反射从发光元件ED发射并且朝向堤部图案BP的侧表面行进的光。

[0096] 然而，本公开不限于此，并且第一电极RME1和第二电极RME2还可以包括透明导电材料。例如，第一电极RME1和第二电极RME2可以包括诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)的材料。在一些实施方式中，第一电极RME1和第二电极RME2可以堆叠至少一种透明导电材料和具有高反射率的至少一个金属层，或者可以是包括这些材料的单层。例如，第一电极RME1和第二电极RME2可以具有ITO/银(Ag)/ITO、ITO/Ag/IZO、ITO/Ag/ITZO/IZO等的堆叠结构。

[0097] 第一电极RME1和第二电极RME2可以用于在子像素SPXn中形成电场，以在制造工艺期间对准发光元件ED。发光元件ED可以通过形成在第一电极RME1和第二电极RME2上的电场设置在第一电极RME1和第二电极RME2之间。显示装置10的发光元件ED可以通过喷墨印刷工艺注入到电极RME上。当包括发光元件ED的油墨被注入到电极RME上时，对准信号被施加到电极RME以产生电场。选定的电压可以通过第一电压线VL1和第二电压线VL2施加到第一电极RME1和第二电极RME2，使得发光元件ED可以被对准。分散在油墨中的发光元件ED可以通过接收由在电极RME1和RME2上产生的电场产生的介电泳力来对准。

[0098] 设置于在第二方向DR2的相反方向上相邻的不同子像素SPXn中的电极RME1和RME2可以在子区域SA的分离部分ROP处彼此间隔开。电极RME1和RME2可以形成为使得每个电极形成为在第二方向DR2上延伸的单个电极线，发光元件ED布置在电极线上并对准，并且然后在后续工艺中，电极线被分离。电极线可以用于在子像素SPXn中产生电场，以便在显示装置
10的制造工艺期间对准发光元件ED。在对准发光元件ED之后，电极线可以在分离部分ROP处分离，以形成每个子像素SPXn的在第二方向DR2上分离的电极RME1和RME2。

[0099] 第一绝缘层PAS1可以设置在过孔层VIA、堤部图案BP和电极RME1和RME2上。第一绝缘层PAS1可以设置在过孔层VIA上，以覆盖电极RME1和RME2以及堤部图案BP。第一绝缘层PAS1也可以设置在子区域SA中，但是可以不设置在电极RME1和RME2分离的分离部分ROP处。第一绝缘层PAS1可以保护电极RME1和RME2，同时使不同的电极RME1和RME2彼此绝缘。第一绝缘层PAS1可以防止设置在其上的发光元件ED由于与其它构件直接接触而被损坏。

[0100] 在实施方式中，第一绝缘层PAS1可以具有台阶部分，使得其顶表面在于第一方向DR1上间隔开的电极RME1和RME2之间部分地凹陷。发光元件ED可以设置在第一绝缘层PAS1的形成有台阶部分的顶表面上，并且因此可以在发光元件ED和第一绝缘层PAS1之间保留空间。

[0101] 堤部BNL可以设置在第一绝缘层PAS1上。在平面图中，堤部BNL可以包括在第一方向DR1和第二方向DR2上延伸的部分，并且因此可以布置成栅格图案。堤部BNL可以沿着子像素SPXn之间的边界设置，以界定相邻的子像素SPXn。堤部BNL可以围绕发射区域EMA和子区域SA，并且由堤部BNL划分和打开的区域可以分别是发射区域EMA和子区域SA。

[0102] 堤部BNL可以具有一定的高度，并且在一些实施方式中，堤部BNL的顶表面的高度可以高于堤部图案BP的高度，并且堤部BNL的厚度可以等于或大于堤部图案BP的厚度。然而，本公开不限于此，并且堤部BNL的顶表面的高度可以等于或低于堤部图案BP的高度，以及堤部BNL的厚度可以小于堤部图案BP的厚度。堤部BNL可以防止在显示装置10的制造工艺期间在喷墨印刷步骤中油墨溢出到相邻的子像素SPXn。堤部BNL可以防止不同的发光元件ED分散在不同的子像素SPXn中的油墨彼此混合。类似于堤部图案BP，堤部BNL可以包括聚酰亚胺，但不限于此。

[0103] 发光元件ED可以布置在第一绝缘层PAS1上。发光元件ED可以包括布置在平行于衬底SUB的顶表面的方向上的多个层。显示装置10的发光元件ED可以设置成使得其延伸方向平行于衬底SUB的顶表面，并且包括在发光元件ED中的半导体层可以在平行于衬底SUB的顶表面的方向上依次布置。然而，本公开不限于此。在发光元件ED具有不同结构的情况下，多个层可以布置在垂直于衬底SUB的顶表面的第三方向DR3上。

[0104] 发光元件ED可以沿着电极RME1和RME2延伸的第二方向DR2彼此间隔开，并且可以对准成基本上彼此平行。发光元件ED可以具有在一个方向上延伸的形状，并且发光元件ED的延伸方向可以基本上垂直于电极RME1和RME2的延伸方向。然而，本公开不限于此，并且发光元件ED可以各自布置成与电极RME1和RME2的延伸方向成对角，而不是垂直于延伸方向。

[0105] 设置在每个子像素SPXn中的发光元件ED可以包括发射层并发射相同波长带的光。因此，可以从第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的发光元件ED发射相同颜色的光。然而，本公开不限于此，并且子像素SPXn可以包括不同类型的发光元件ED以发射不同颜色的光。

[0106] 在堤部图案BP之间，发光元件ED可以具有分别设置在电极RME1和RME2上方的两端。发光元件ED的延伸长度可以长于第一电极RME1和第二电极RME2之间的距离，并且发光元件ED的两端可以分别设置在第一电极RME1和第二电极RME2上方。例如，发光元件ED可以设置成使得一端位于第一电极RME1上方以及另一端位于第二电极RME2上方。

[0107] 发光元件ED的端部可以电接触相应的连接电极CNE1和CNE2。例如，绝缘膜38(参考图8)可以不形成在发光元件ED的在延伸方向上一个端表面上，并且半导体层31和32(参考图8)或电极层37(参考图8)可以被部分暴露，并且暴露的半导体层31和32或电极层37可以电接触连接电极CNE1和CNE2。然而，本公开不限于此，并且可以从发光元件ED去除绝缘膜38的至少一部分以部分地暴露半导体层31和32的两端处的侧表面。半导体层31和32的暴露的侧表面可以直接接触连接电极CNE1和CNE2。

[0108] 第二绝缘层PAS2可以部分地设置在发光元件ED上。例如，第二绝缘层PAS2可以具有小于发光元件ED的延伸长度的宽度并且设置在发光元件ED上，以在围绕发光元件ED的同时暴露发光元件ED的两端。在显示装置10的制造工艺期间，第二绝缘层PAS2可以覆盖发光元件ED、电极RME1和RME2、以及第一绝缘层PAS1，并且然后可以被图案化以暴露发光元件ED的两端。在平面图中，第二绝缘层PAS2可以在第一绝缘层PAS1和发光元件ED上在第二方向DR2上延伸，从而在子像素SPXn中的每个中形成线性图案或岛状图案。在显示装置10的制造工艺期间，第二绝缘层PAS2可以在固定发光元件ED的同时保护发光元件ED。

[0109] 连接电极CNE1和CNE2可以设置在第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和发光元件ED上。

[0110] 连接电极CNE1和CNE2可以分别设置在电极RME1和RME2上。连接电极CNE1和CNE2可以包括设置在第一电极RME1上的第一连接电极CNE1和设置在第二电极RME2上的第二连接电极CNE2。连接电极CNE1和CNE2可以彼此间隔开或者可以彼此面对。例如，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以分别设置在第一电极RME1和第二电极RME2上，以便在第一方向DR1上彼此间隔开。

[0111] 第一连接电极CNE1可以在发射区域EMA内在第二方向DR2上延伸。第一连接电极CNE1可以与第一电极RME1重叠，并且可以平行于第一电极RME1设置。第一连接电极CNE1通常可以具有在第二方向DR2上延伸的形状。

[0112] 第二连接电极CNE2可以在发射区域EMA内在第二方向DR2上延伸。第二连接电极CNE2可以与第二电极RME2重叠，并且可以平行于第二电极RME2设置。第二连接电极CNE2通常可以具有在第二方向DR2上延伸的形状。

[0113] 连接电极CNE1和CNE2可以各自电接触发光元件ED。第一连接电极CNE1可以电接触发光元件ED的一端，以及第二连接电极CNE2可以电接触发光元件ED的另一端。半导体层31和32或电极层37可以在发光元件ED的在延伸方向上的两个端表面上暴露，并且连接电极CNE1和CNE2中的每个可以电接触发光元件ED的半导体层31和32或电极层37以电连接到发
光元件ED。连接电极CNE1和CNE2中的每个的接触发光元件ED的一端的一侧可以设置在第二绝缘层PAS2的侧表面上。在实施方式中，第一连接电极CNE1可以设置在第二绝缘层PAS2的一侧表面上，并且第二连接电极CNE2可以设置在第二绝缘层PAS2的另一侧表面上。

[0114] 连接电极CNE1和CNE2中的每个在一方向上测量的宽度可以小于电极RME1和RME2中的每个在该方向上测量的宽度。连接电极CNE1和CNE2可以设置成不仅分别接触发光元件ED的端部中的一个，而且覆盖相应的第一电极RME1或第二电极RME2的顶表面的一部分。然而，本公开不限于此，连接电极CNE1和CNE2可以具有比电极RME1和RME2的宽度大的宽度，以覆盖电极RME1和RME2的两侧。

[0115] 连接电极CNE1和CNE2可以包括透明导电材料。例如，它们可以包括ITO、IZO、ITZO、铝(Al)等。从发光元件ED发射的光可以穿过连接电极CNE1和CNE2并向上行进。然而，本公开不限于此。

[0116] 在附图中，两个连接电极CNE1和CNE2设置在一个子像素SPXn中，但是本公开不限于此。连接电极CNE1和CNE2的数量可以根据设置在每个子像素SPXn中的电极RME1和RME2的数量而变化。

[0117] 第三绝缘层PAS3可以设置在第一连接电极CNE1上。第三绝缘层PAS3可以使第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2彼此电绝缘。第三绝缘层PAS3可以覆盖第一连接电极CNE1，但是可以不设置在发光元件ED的另一端上方，以允许发光元件ED电接触第二连接电极CNE2。第三绝缘层PAS3可以在第二绝缘层PAS2的顶表面上部分地接触第一连接电极CNE1和第二绝缘层PAS2。第三绝缘层PAS3的在设置有第二电极RME2的一侧上的侧表面可以与第二绝缘层PAS2的侧表面对准。此外，第三绝缘层PAS3也可以设置在非发射区域NEA中，例如，设置在设置于过孔层VIA上的第一绝缘层PAS1上。然而，本公开不限于此。

[0118] 第二连接电极CNE2可以设置在第二电极RME2、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3上。第二连接电极CNE2可以电接触发光元件ED的另一端和第二电极RME2的暴露的顶表面。发光元件ED的另一端可以通过第二连接电极CNE2电连接到第二电极RME2。

[0119] 第二连接电极CNE2可以部分地接触第二绝缘层PAS2、第三绝缘层PAS3、第二电极RME2和发光元件ED。由于在第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2之间存在第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以彼此不接触。然而，本公开不限于此，并且在一些情况下，可以省略第三绝缘层PAS3。

[0120] 上述第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3中的每个可以包括无机绝缘材料或有机绝缘材料。在实施方式中，第一绝缘层PAS1、第二绝缘层PAS2和第三绝缘层PAS3可以包括无机绝缘材料，诸如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)等。在其它示例中，它们可以包括有机绝缘材料，诸如丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚亚苯基树脂、聚苯硫醚树脂、苯并环丁烯、卡多(cardo)树脂、硅氧烷树脂、倍半硅氧烷树脂、聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯‑聚碳酸酯合成树脂等。然而，本公开不限于此。

[0121] 波长控制层CWL可以设置在发光元件层EL上。根据实施方式，波长控制层CWL可以设置在由堤部BNL围绕的区域中。波长控制层CWL可以设置在每个子像素SPXn中，但是它可以在由堤部BNL围绕的区域内仅设置在发射区域EMA中，而不设置在子区域SA中。子区域SA是其中不设置发光元件层EL的发光元件ED并且光可以基本上不从子区域SA发射的区域。在其中设置有发光元件ED的发光元件层EL的区域中，波长控制层CWL可以设置在由堤部BNL围绕的区域中。

[0122] 在一些实施方式中，波长控制层CWL的高度可以大于堤部BNL的高度。波长控制层CWL可以通过在显示装置10的制造工艺中的喷墨印刷工艺或光刻工艺来形成。波长控制层CWL可以在波长控制层CWL的材料被喷射或涂覆到由堤部BNL围绕的区域中之后通过干燥工艺或曝光/显影工艺来形成。例如，形成波长控制层CWL的材料可以包括有机材料并具有粘度。因此，即使这种有机材料被喷射或涂覆到高于堤部BNL的位置，它也不会溢出到堤部BNL之外的其它子像素SPXn中。因此，波长控制层CWL的高度可以设置成高于堤部BNL的高度。然而，本公开不限于此。

[0123] 在其中每个子像素SPXn的发光元件层EL发射第一颜色的光的实施方式中，波长控制层CWL可以包括设置在第一子像素SPX1中的第一波长转换层WCL1、设置在第二子像素SPX2中的第二波长转换层WCL2、以及设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的透光层TPL。

[0124] 第一波长转换层WCL1可以包括第一基础树脂BRS1和设置在第一基础树脂BRS1中的第一波长转换材料WCP1。第二波长转换层WCL2可以包括第二基础树脂BRS2和设置在第二基础树脂BRS2中的第二波长转换材料WCP2。第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2可以透射从发光元件层EL入射的第一颜色的光，同时转换其波长。第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2的散射体SCP可以提高波长转换效率。

[0125] 透光层TPL可以包括第三基础树脂BRS3和包含在第三基础树脂BRS3中的散射体SCP。透光层TPL透射从发光元件层EL入射的第一颜色的光，同时保持其波长。透光层TPL的散射体SCP可以用于控制通过透光层TPL发射的光的发射路径。透光层TPL可以不包括波长转换材料。

[0126] 散射体SCP可以具有与第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3的折射率不同的折射率。散射体SCP可以是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物颗粒的示例可以包括氧化钛(TiO2)、氧化锆(ZrO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化铟(In2O3)、氧化锌(ZnO2)、硅土、硫酸钡(BaSO4)、氧化锡(SnO2)等，并且有机颗粒的示例可以包括聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)等。散射体SCP可以具有中空结构，但不限于此。

[0127] 散射体SCP的尺寸可以与从发光元件ED发射的光的波长相关。例如，当从发光元件ED发射的光的波长为λ时，散射体SCP的尺寸可以在约λ/10至约5λ的范围内。例如，散射体SCP的尺寸可以是约λ/2，但不限于此。在另一示例中，当从发光元件ED发射的光具有约480nm或更小的峰值波长，例如在约445nm至约480nm的范围内的峰值波长时，散射体SCP的尺寸可以在约150nm至约300nm的范围内。

[0128] 第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3可以包括透光有机材料。例如，第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3可以包括环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多(cardo)树脂、酰亚胺树脂等。第一基础树脂BRS1、第二基础树脂BRS2和第三基础树脂BRS3可以由相同的材料形成，但本公开不限于此。

[0129] 第一波长转换材料WCP1可以将第一颜色的光转换为第二颜色的光，并且第二波长转换材料WCP2可以将第一颜色的光转换为第三颜色的光。第一波长转换材料WCP1和第二波长转换材料WCP2可以是量子点、量子棒、磷光体等。

[0130] 例如，第一波长转换材料WCP1可以是将蓝光转换为红光的材料。第二波长转换材料WCP2可以是将蓝光转换为绿光的材料。第一波长转换材料WCP1和第二波长转换材料WCP2可以是量子点(QD)、量子棒、荧光材料或磷光材料。量子点的示例可以包括IV族纳米晶体、II‑VI族化合物纳米晶体、III‑V族化合物纳米晶体、IV‑VI族化合物纳米晶体及其组合。

[0131] 量子点可以包括核和围绕核的壳。核可以是例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InP、InAs、InSb、SiC、Ca、Se、In、P、Fe、Pt、Ni、Co、Al、Ag、Au、Cu、FePt、Fe2O3、Fe3O4、Si和Ge中的至少一种，但不限于此。壳可以包括例如ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAS、TlSb、PbS、PbSe和PbTe中的至少一种，但不限于此。

[0132] 荧光材料可以是无机荧光材料，并且可以使用无机磷光体，诸如石榴石、硅酸盐、3+
硫化物、氮氧化物、氮化物或铝酸盐。无机磷光体可以包括例如Y3Al5O12:Ce (YAG:Ce)、
3+ 2+ 2+
Tb3Al5O12:Ce (TAG:Ce)、(Sr,Ba,Ca)2SiO4:Eu 、(Sr,Ba,Ca,Mg,Zn)2Si(OD)4:Eu D＝F,Cl,
2+ 2+ 3+ 2+
S,N,Br、Ba2MgSi2O7:Eu 、Ba2SiO4:Eu 、Ca3(Sc,Mg)2Si3O12:Ce 、(Ca,Sr)S:Eu 、(Sr,Ca)
2+ 2+ 3+ 2+ 2+ 2
Ga2S4:Eu 、SrSi2O2N2:Eu 、SiAlON:Ce 、β‑SiAlON:Eu 、Ca‑α‑SiAlON:Eu 、Ba3Si6O12N2:Eu+ 2+ 2+ 2+ 2+ 2+
、CaAlSiN3:Eu 、(Sr,Ca)AlSiN3:Eu 、Sr2Si5N8:Eu 、(Sr,Ba)Al2O4:Eu 、(Mg,Sr)Al2O4:Eu
2+
和BaMg2Al16O27:Eu 中的至少一种，但不限于此。然而，本公开不限于此，并且荧光材料可以包括有机荧光材料。

[0133] 波长控制层CWL可以直接设置在发光元件层EL上。在显示装置10中，由于堤部BNL具有选定的高度并且可以围绕子像素SPXn，波长控制层CWL的基础树脂BRS1、BRS2和BRS3可以直接设置在发光元件层EL的第二连接电极CNE2以及第三绝缘层PAS3上。

[0134] 波长控制层CWL的基础树脂BRS1、BRS2和BRS3可以设置在由堤部BNL围绕的区域中，以围绕发光元件层EL的发光元件ED、堤部图案BP、电极RME和连接电极CNE1和CNE2。波长控制层CWL的散射体SCP和波长转换材料WCP1和WCP2可以设置在基础树脂BRS1、BRS2和BRS3中的每个中，并且可以设置在发光元件层EL附近。

[0135] 在实施方式中，波长控制层CWL的第一波长转换层WCL1可以设置在第一子像素SPX1中，并且第二波长转换层WCL2可以设置在第二子像素SPX2中。透光层TPL可以设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中。透光层TPL可以设置在第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2上以覆盖它们。透光层TPL可以直接设置在设置于第三子像素SPX3中的发光元件层EL的第二连接电极CNE2以及第三绝缘层PAS3上并接触它们。透光层TPL可以接触将子像素SPXn分离的堤部BNL的顶表面和侧表面中的至少一个。

[0136] 透光层TPL可以构成波长控制层CWL的上部，以使波长控制层CWL的顶表面平坦化。因此，即使第一波长转换层WCL1或第二波长转换层WCL2形成为倒锥形形状，也能够防止形成在第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2上的下面将描述的第一封盖层CPL1的不
连续形成。第一封盖层CPL1可以用于完全覆盖波长控制层CWL，以保护波长控制层CWL免受外部湿气或氧气的影响。通过使第一封盖层CPL1之下的部分平坦化，使得第一封盖层CPL1连续地形成以完全覆盖波长控制层CWL，透光层TPL可以防止发光元件ED和波长控制层CWL的波长转换材料WCP1和WCP2由于外部湿气或氧气而劣化。

[0137] 上述波长控制层CWL可以通过以下方式形成：通过光刻工艺形成第一波长转换层WCL1，形成第二波长转换层WCL2，并且然后将透光层TPL涂覆在衬底SUB的整个显示区域DA中。然而，本公开不限于此，并且第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2可以以相反的顺序形成。

[0138] 从相应的发光元件层EL发射的光可以是具有相同第一颜色的光L1。从发光元件ED的两端发射的光可以朝向波长控制层CWL行进。从设置在第一子像素SPX1中的第一发光元件层EL1的发光元件ED发射的光L1入射到第一波长转换层WCL1；从设置在第二子像素SPX2中的第二发光元件层EL2的发光元件ED发射的光L1入射到第二波长转换层WCL2；以及从设置在第三子像素SPX3中的第三发光元件层EL3的发光元件ED发射的光L1入射到透光层TPL。入射到第一波长转换层WCL1的光L1可以被转换为第二颜色的光L2，并且入射到第二波长转换层WCL2的光L1可以被转换为第三颜色的光L3。从第三子像素SPX3入射到透光层TPL的光L1可以作为第一颜色的光L1透射，而不经历波长转换。第二颜色的光L2和第三颜色的光L3入射到透光层TPL，但是第二颜色的光L2和第三颜色的光L3可以透射通过透光层TPL或者散射，而不经历进一步的波长转换。即使相应子像素SPXn可以包括发射相同颜色的光的发光元件层EL，它们也可以根据设置在其上的波长控制层CWL的布局来显示不同颜色的光。

[0139] 第一封盖层CPL1可以设置在波长控制层CWL上。第一封盖层CPL1可以设置在波长控制层CWL上以覆盖波长控制层CWL。第一封盖层CPL1可以设置在滤色器层CFL和透光层TPL之间。第一封盖层CPL1可以接触透光层TPL的顶表面。在实施方式中，第一封盖层CPL1密封透光层TPL，使得可以防止损坏或污染透光层TPL以及设置在透光层TPL之下的第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2。

[0140] 第一封盖层CPL1可以包含无机材料。例如，第一封盖层CPL1可以包含氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅中的至少一种。尽管在附图中第一封盖层CPL1形成为单层，但是本公开不限于此。例如，第一封盖层CPL1可以形成为其中无机层(无机层中的每个包括前述材料中的至少一种)交替堆叠的多层。第一封盖层CPL1的厚度可以在约0.05μm至约2μm的范围内，但不限于此。

[0141] 滤色器层CFL可以在显示区域DA中设置在第一封盖层CPL1上。滤色器层CFL可以包括第一光阻挡构件BK1和设置在由第一光阻挡构件BK1划分的空间中的滤色器CF。

[0142] 第一光阻挡构件BK1可以设置在第一封盖层CPL1上。在第一封盖层CPL1上，第一光阻挡构件BK1可以沿着第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的边界设置在非发射区域NEA中。第一光阻挡构件BK1可以在显示装置10的厚度方向(例如，第三方向DR3)上与堤部BNL重叠。

[0143] 第一光阻挡构件BK1不仅可以阻挡光发射，而且可以抑制外部光的反射。第一光阻挡构件BK1可以形成为网格形状，在平面图中围绕发射区域EMA。第一光阻挡构件BK1可以不设置在每个子像素SPXn的发射区域EMA中，但是可以设置在子区域SA中。例如，第一光阻挡构件BK1可以围绕发射区域EMA。在实施方式中，第一光阻挡构件BK1可以具有比堤部BNL小的宽度。然而，本公开不限于此，并且第一光阻挡构件BK1可以具有与堤部BNL基本上相同的宽度。

[0144] 第一光阻挡构件BK1可以包括有机材料。在实施方式中，第一光阻挡构件BK1可以包括吸收可见波长带的光吸收材料。由于第一光阻挡构件BK1包括光吸收材料并且沿着第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的边界设置，因此发射区域EMA可以由第一光阻挡构件BK1限定(或被第一光阻挡构件BK1围绕)。

[0145] 滤色器CF可以包括第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3。

[0146] 第一滤色器CF1设置在第一子像素SPX1的发射区域EMA中；第二滤色器CF2设置在第二子像素SPX2的发射区域EMA中；并且第三滤色器CF3可以设置在第三子像素SPX3的发射区域EMA中。第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以被第一光阻挡构件BK1围绕。

[0147] 第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以包括吸收不同于相应颜色波长的波长的诸如染料或颜料的着色剂。第一滤色器CF1可以选择性地允许第二颜色的光L2(例如，红光)穿过，并阻挡或吸收第一颜色的光L1(例如，蓝光)和第三颜色的光L3(例如，绿光)。第二滤色器CF2可以选择性地允许第三颜色的光L3(例如，绿光)穿过，并阻挡或吸收第一颜色的光L1(例如，蓝光)和第二颜色的光L2(例如，红光)。第三滤色器CF3可以选择性地允许第一颜色的光L1(例如，蓝光)穿过，并阻挡或吸收第二颜色的光L2(例如，红光)和第三颜色的光L3(例如，绿光)。例如，第一滤色器CF1可以是红色滤色器，第二滤色器CF2可以是绿色滤色器，并且第三滤色器CF3可以是蓝色滤色器。

[0148] 在实施方式中，已经到达第一滤色器CF1的光可以在第一波长转换层WCL1中被光转换为第二颜色的光L2，并且已经到达第二滤色器CF2的光可以在第二波长转换层WCL2中被光转换为第三颜色的光L3，并且已经到达第三滤色器CF3的光可以是透射通过透光层TPL的第一颜色的光L1。因此，已经穿过第一滤色器CF1的第二颜色的光L2、已经穿过第二滤色器CF2的第三颜色的光L3和已经穿过第三滤色器CF3的第一颜色的光L1可以从衬底SUB向上发射，以实现全色显示。

[0149] 第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以吸收来自显示装置10的外部的光的一部分，以减少外部光的反射光。因此，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以防止由外部光的反射引起的颜色失真。

[0150] 在实施方式中，第一光阻挡构件BK1的开口的面积对于每个子像素SPXn可以是不同的。根据包括在滤色器层CFL中的颜色材料，第一光阻挡构件BK1的开口对于每个子像素SPXn可以具有不同的面积，并且由于堤部BNL设置成与第一光阻挡构件BK1的开口的面积对应，所以每个子像素SPXn的面积可以是不同的。例如，包括红色材料的第一滤色器CF1可以设置在第一子像素SPX1中，并且第一子像素SPX1的面积可以大于第二子像素SPX2和第三子像素SPX3的面积。此外，包括绿色材料的第二滤色器CF2可以设置在第二子像素SPX2中，并且第二子像素SPX2的面积可以大于第三子像素SPX3的面积。然而，本公开不限于此。子像素SPXn中的至少一个的面积可以与其它子像素SPXn的面积不同，并且它们的尺寸关系可以与上述示例不同。在显示装置10中，每个子像素SPXn的面积可以设计成不同的，以防止可能由外部光的反射引起的显示质量的劣化。

[0151] 滤色器层CFL可以设置在每个子像素SPXn的发射区域EMA中。尽管在附图中示出了滤色器层CFL单独地设置成用于每个子像素SPXn以形成岛状图案，但是本公开不限于此。滤色器层CFL可以在整个显示区域DA中形成线性图案。

[0152] 滤色器层CFL设置在第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2以及透光层TPL上，使得显示装置10可以不需要用于滤色器层CFL的单独的衬底。因此，可以相对减小显示装置10的厚度。

[0153] 第二封盖层CPL2可以设置在滤色器层CFL上。第二封盖层CPL2可以设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3以及第一光阻挡构件BK1上，从而覆盖它们。第二封盖层CPL2可以保护滤色器层CFL。

[0154] 封装层ENL可以设置在第二封盖层CPL2上。封装层ENL可以包括至少一个薄膜封装层，以保护设置在衬底SUB上的构件免受外部湿气或氧气的影响。例如，封装层ENL可以由包括无机材料的单个封装层形成，但不限于此。当封装层ENL包括无机材料时，无机材料可以包括氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等。

[0155] 图8是根据实施方式的发光元件的立体图。

[0156] 参考图8，作为颗粒元件的发光元件ED可以具有拥有选定纵横比的杆形状或圆柱形形状。发光元件ED可以具有纳米级(等于或大于约1nm且小于约1μm)或微米级(等于或大于约1μm且小于约1mm)的尺寸。在实施方式中，发光元件ED的直径和长度可以是纳米级或微米级。在其它示例中，发光元件ED的直径可以是纳米级，而发光元件ED的长度可以是微米级。在一些实施方式中，发光元件ED中的一些可以具有纳米级的直径和/或长度，而发光元件ED中的其它一些可以具有微米级的直径和/或长度。

[0157] 在实施方式中，发光元件ED可以是无机发光二极管。例如，发光元件ED可以包括掺杂有任何导电类型(例如，p型或n型)杂质的半导体层。半导体层可以通过接收从外部电源施加的电信号来发射选定波长带的光。

[0158] 根据一个实施方式的发光元件ED可以包括在纵向方向上依次堆叠的第一半导体层31、发光层33、第二半导体层32和电极层37。发光元件ED还可以包括覆盖第一半导体层
31、第二半导体层32和发光层33的外表面的绝缘膜38。

[0159] 第一半导体层31可以是n型半导体。当发光元件ED发射蓝色波长带的光时，第一半导体层31可以包括化学式为AlxGayIn1‑x‑yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，它可以是n型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任一种或多种。第一半导体层31可以掺杂有n型掺杂剂，并且n型掺杂剂可以是Si、Ge、Se、Sn等。例如，第一半导体层31可以是掺杂有n型Si的n‑GaN。第一半导体层31的长度可以在约1.5μm至约5μm的范围内，但不限于此。

[0160] 第二半导体层32可以设置在下面将要描述的发光层33上。第二半导体层32可以是p型半导体。当发光元件ED发射蓝色波长带或绿色波长带的光时，第二半导体层32可以包括化学式为AlxGayIn1‑x‑yN(0≤x≤1、0≤y≤1、0≤x+y≤1)的半导体材料。例如，它可以是p型掺杂的AlGaInN、GaN、AlGaN、InGaN、AlN和InN中的任一种或多种。第二半导体层32可以掺杂有p型掺杂剂，并且p型掺杂剂可以是Mg、Zn、Ca、Ba等。例如，第二半导体层32可以是掺杂有p型Mg的p‑GaN。第二半导体层32的长度可以在约0.05μm至约0.10μm的范围内，但不限于此。

[0161] 尽管附图示出了第一半导体层31和第二半导体层32配置为单层，但是本公开不限于此。根据发光层33的材料，第一半导体层31和第二半导体层32还可以包括更大数量的层，诸如包覆层或拉伸应变势垒减小(TSBR)层。

[0162] 发光层33可以设置在第一半导体层31和第二半导体层32之间。发光层33可以包括具有单量子阱结构或多量子阱结构的材料。当发光层33包括具有多量子阱结构的材料时，量子层和阱层可以交替堆叠。发光层33可以通过根据通过第一半导体层31和第二半导体层32施加的电信号耦合电子‑空穴对来发射光。当发光层33发射蓝色波长带的光时，可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料。在发光层33具有其中量子层和阱层交替堆叠的多量子阱结构的情况下，量子层可以包括诸如AlGaN或AlGaInN的材料，以及阱层可以包括诸如GaN或
AlInN的材料。例如，如上所述，发光层33可以包括AlGaInN作为量子层以及包括AlInN作为阱层，并且发光层33可以发射具有450nm至495nm的中心波长带的蓝光。

[0163] 然而，本公开不限于此，并且发光层33可以具有其中具有大能带隙的半导体材料和具有小能带隙的半导体材料交替堆叠的结构，并且可以根据发射的光的波长带包括其它III族至V族半导体材料。由发光层33发射的光不限于蓝色波长带的光，而是发光层33也可以发射红色波长带或绿色波长带的光。发光层33的长度可以在约0.05μm至约0.10μm的范围内，但不限于此。

[0164] 从发光层33发射的光可以在纵向方向上发射到发光元件ED的两个侧表面以及外表面。从发光层33发射的光的方向性不限于单个方向。

[0165] 电极层37可以是欧姆连接电极。然而，本公开不限于此，并且其可以是肖特基连接电极。发光元件ED可以包括至少一个电极层37。尽管图8示出了发光元件ED包括一个电极层37，但是本公开不限于此。在一些情况下，发光元件ED可以包括更大数量的电极层37或不包括电极层37。以下描述可以应用于电极层37的数量不同或还包括其它结构的发光元件ED。

[0166] 在根据实施方式的显示装置10中，当发光元件ED电连接到电极或连接电极时，电极层37可以减小发光元件ED和电极或连接电极之间的电阻。电极层37可以包括导电金属。例如，电极层37可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铟(In)、金(Au)、银(Ag)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)和氧化铟锡锌(ITZO)中的至少一种。此外，电极层37可以包括n型或p型掺杂的半导体材料。电极层37可以包括单一材料或各种不同材料，但不限于此。

[0167] 绝缘膜38可以围绕上述半导体层31和32和电极层37的外表面。例如，绝缘膜38可以围绕至少发光层33的外表面，并且发光元件ED可以在一个方向上是长型的。绝缘膜38可以保护构件。绝缘膜38可以形成为围绕构件的侧表面，同时暴露发光元件ED的在纵向方向上的两端。

[0168] 尽管在附图中绝缘膜38在发光元件ED的纵向方向上延伸并覆盖发光元件ED的从第一半导体层31到电极层37的侧表面，但是本公开不限于此。绝缘膜38可以仅覆盖发光层
33和半导体层31和32中的一些的外表面的一部分，或者可以仅覆盖电极层37的外表面的一部分并部分地暴露电极层37的外表面。此外，在剖视图中，绝缘膜38可以具有顶表面，该顶表面在邻近发光元件ED的至少一端的区域中是圆化的。

[0169] 绝缘膜38的厚度可以在约10nm至约1.0μm的范围内，但不限于此。例如，绝缘膜38的厚度可以是约40nm。

[0170] 绝缘膜38可以包括具有绝缘特性的材料，例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氮化铝(AlN)、氧化铝(AlxOy)等。因此，能够防止当发光层33直接接触电信号通过其传送到发光元件ED的电极时可能发生的电短路。由于绝缘膜38保护包括发光层33的发光元件ED的外表面，因此能够防止光发射效率的劣化。

[0171] 此外，绝缘膜38可以具有经表面处理的外表面。发光元件ED可以通过在电极上喷射其中分散有发光元件ED的油墨来对准。绝缘膜38的表面可以处理成具有疏水特性或亲水特性，以便保持发光元件ED分散在油墨中而不与油墨中的其它相邻的发光元件ED聚集。例如，绝缘膜38可以在外表面上用诸如硬脂酸和2,3‑萘二甲酸的材料进行表面处理。

[0172] 图9是示出图6的区域Q的另一示例的放大示意剖视图。

[0173] 参考图9，根据实施方式的显示装置10与图6的实施方式的不同之处在于，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2形成在相同的层上，并且省略了第三绝缘层PAS3。

[0174] 第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以直接设置在第二绝缘层PAS2上。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以形成在相同的层上。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以包括相同的材料。例如，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以通过单个掩模工艺同时形成。因此，由于不需要附加的掩模工艺来形成第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2，所以可以提高显示装置10的工艺效率。

[0175] 第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以通过第二绝缘层PAS2彼此间隔开。第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以暴露第二绝缘层PAS2的顶表面的至少一部分。尽管附图示出第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2设置在第二绝缘层PAS2的侧表面上并且在第二绝缘层PAS2的顶表面上间隔开，但是本公开不限于此。在另一示例中，第一连接电极CNE1和第二连接电极CNE2可以与第二绝缘层PAS2的顶表面齐平。

[0176] 由于除了省略了第三绝缘层PAS3之外，其它结构与图6的实施方式的结构相同，因此将省略冗余描述。

[0177] 在下文中，将描述其它实施方式。在以下实施方式中，将省略或简化对与上述组件相同的组件的描述，并且将主要描述不同之处。

[0178] 图10是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图。

[0179] 参考图10，根据实施方式的显示装置10与上述图2至图7的实施方式的不同之处还在于，它还包括覆盖第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2的第三封盖层CPL3，并且第一光阻挡构件BK1设置在第三封盖层CPL3上。

[0180] 第三封盖层CPL3可以设置在透光层TPL与第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2之间。第三封盖层CPL3可以设置在显示装置10的整个显示区域DA(参考图1)中。第三封盖层CPL3可以完全覆盖第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3，并且可以设置在整个发射区域EMA和整个非发射区域NEA中。

[0181] 第三封盖层CPL3可以在第一子像素SPX1中设置在第一波长转换层WCL1和透光层TPL之间，并且可以直接接触第一波长转换层WCL1和透光层TPL。第三封盖层CPL3可以覆盖分离发射区域EMA和非发射区域NEA的堤部BNL，并且可以直接接触堤部BNL的顶表面。在第二子像素SPX2中，第三封盖层CPL3可以设置在第二波长转换层WCL2和透光层TPL之间，并且可以直接接触第二波长转换层WCL2和透光层TPL。在第三子像素SPX3中，第三封盖层CPL3可以覆盖发光元件层EL的第二连接电极CNE2以及第三绝缘层PAS3，同时直接接触它们。

[0182] 第三封盖层CPL3可以覆盖和保护第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和发光元件层EL。此外，第三封盖层CPL3使得能够形成下面将描述的设置在透光层TPL之下的第一光阻挡构件BK1。第三封盖层CPL3可以由与上面描述的第一封盖层CPL1和/或第二封盖层CPL2相同的材料形成或具有相同的结构。

[0183] 第一光阻挡构件BK1可以设置在第三封盖层CPL3上。第一光阻挡构件BK1可以与堤部BNL重叠并且直接设置在第三封盖层CPL3上，并且可以接触第三封盖层CPL3。第一光阻挡构件BK1可以设置在第三封盖层CPL3和透光层TPL之间，以直接接触透光层TPL。第一光阻挡构件BK1在平面图中的布局与上述布局相同，并且将省略进一步的描述。

[0184] 第一光阻挡构件BK1可以邻近发光元件层EL以及第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2设置，以防止在第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2中转换的光渗透到相邻的子像素SPXn中。

[0185] 由于第一光阻挡构件BK1设置在第三封盖层CPL3和透光层TPL之间，因此第一光阻挡构件BK1可以从滤色器层CFL中省略。例如，第一光阻挡构件BK1可以不设置在滤色器CF1、CF2和CF3之间。滤色器CF1、CF2和CF3可以彼此间隔开，并且设置在滤色器CF1、CF2和CF3上的第二封盖层CPL2可以与第一封盖层CPL1直接接触。

[0186] 在实施方式中，通过提供直接覆盖第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2以及发光元件层EL的第三封盖层CPL3，可以防止第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2以及发光元件层EL由于外部湿气和氧气而劣化。通过在第三封盖层CPL3上设置第一光阻挡构件BK1，可以防止颜色混合。

[0187] 图11是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图。

[0188] 参考图11，根据实施方式的显示装置10与图10的上述实施方式的不同之处在于，在滤色器层CFL中还包括第二光阻挡构件BK2。

[0189] 第二光阻挡构件BK2可以设置在第一封盖层CPL1和第二封盖层CPL2之间。第二光阻挡构件BK2可以设置在滤色器CF1、CF2和CF3之间。第二光阻挡构件BK2可以与第一光阻挡构件BK1重叠，并且在平面图中可以具有与图3的第一光阻挡构件BK1的形状相同的形状。在一个实施方式中，第二光阻挡构件BK2的宽度可以大于第一光阻挡构件BK1的宽度。然而，本公开不限于此，并且第二光阻挡构件BK2和第一光阻挡构件BK1的宽度可以相等。

[0190] 在实施方式中，由于除了第一光阻挡构件BK1之外还包括第二光阻挡构件BK2，所以可以防止外部光的反射，并且可以进一步抑制相邻的子像素SPXn之间的颜色混合。

[0191] 图12是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图。

[0192] 参考图12，根据实施方式的显示装置10与图10的实施方式的不同之处在于，在第三子像素SPX3中设置有透光图案TPP，并且透光层TPL设置在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP上。

[0193] 透光图案TPP可以设置在第三子像素SPX3的发射区域EMA中。透光图案TPP可以直接设置在第三绝缘层PAS3和第二连接电极CNE2上，以直接接触第三绝缘层PAS3和第二连接电极CNE2。透光图案TPP可以接触界定第三子像素SPX3的堤部BNL的侧表面，并且可以在第三方向DR3上突出到高于堤部BNL的高度。

[0194] 透光图案TPP可以包括第三基础树脂BRS3和设置在第三基础树脂BRS3中的散射体SCP。透光图案TPP透射从发光元件层EL入射的第一颜色的光L1，同时保持光L1的波长。透光图案TPP的散射体SCP可以控制通过透光图案TPP发射的光L1的发射路径。透光图案TPP可以不包括波长转换材料。

[0195] 第三封盖层CPL3可以设置在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP上，并且与堤部BNL和非发射区域NEA重叠的第一光阻挡构件BK1可以设置在第三封盖层CPL3上。

[0196] 透光层TPL可以设置在第三封盖层CPL3和第一光阻挡构件BK1上。透光层TPL可以设置在第三封盖层CPL3和第一封盖层CPL1之间，并且可以与第三封盖层CPL3和第一封盖层CPL1直接接触。透光层TPL可以完全遍及第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3设置。此外，透光层TPL可以与第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP重叠。透光层TPL也可以与第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3重叠。

[0197] 透光层TPL包括第四基础树脂BRS4和散射体SCP，它们可以与透光图案TPP的第三基础树脂BRS3和散射体SCP基本上相同。

[0198] 在实施方式中，通过形成第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP，并且然后通过设置直接覆盖它们的第三封盖层CPL3，可以防止第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP由于外部湿气和氧气而劣化。通过在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP上形成平坦的透光层TPL，并且然后在透光层TPL上设置第一封盖层CPL1，能够进一步防止第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP由于外部湿气和/或氧气而劣化。

[0199] 图13是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图。

[0200] 参考图13，根据实施方式的显示装置10与上述图7中的实施方式的不同之处在于，透光层TPL设置在第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2之下，并且外涂层OC设置在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光层TPL上。

[0201] 透光层TPL可以直接设置在设置于第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个中的第三绝缘层PAS3和第二连接电极CNE2上。透光层TPL可以与设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个中的第三绝缘层PAS3和第二连接电极CNE2直接接触。

[0202] 第一波长转换层WCL1可以设置在第一子像素SPX1的透光层TPL上，第二波长转换层WCL2可以设置在第二子像素SPX2的透光层TPL上。例如，透光层TPL可以设置在发光元件ED和第一波长转换层WCL1之间以及发光元件ED和第二波长转换层WCL2之间，以增加发光元件ED和第一波长转换层WCL1之间的距离以及发光元件ED和第二波长转换层WCL2之间的距
离。在实施方式中，透光层TPL的厚度可以在约3μm至约10μm的范围内。

[0203] 分别包括在第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2中的波长转换材料WCP1和WCP2的劣化程度根据从发光元件ED发射的光的强度而变化。最靠近发光元件ED定位的波长转换材料可以较早地劣化，并且距离发光元件ED最远的波长转换材料可以相对较晚地劣化。

[0204] 在实施方式中，通过在发光元件ED与第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2之间设置透光层TPL，增加了发光元件ED与第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2之间的距离。这可以减轻波长转换材料WCP1和WCP2的劣化。包括散射体SCP的透光层TPL散射从发光元件ED发射的光以提供均匀的光强度，从而使波长转换材料WCP1和WCP2的劣化速率均匀。

[0205] 第一封盖层CPL1可以设置在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光层TPL上。在第一封盖层CPL1上，第一光阻挡构件BK1可以设置于在平面图中与堤部BNL重叠的非发射区域NEA中。

[0206] 外涂层OC可以设置在第一光阻挡构件BK1和第一封盖层CPL1上。外涂层OC可以完全设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中，并且可以具有平坦表面。
外涂层OC可以使由第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2、透光层TPL、第一光阻挡构件BK1和第一封盖层CPL1形成的台阶平坦化，从而促进滤色器层CFL的形成。

[0207] 滤色器层CFL的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以直接设置在外涂层OC上。设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3上的第二封盖层CPL2的至少一部分可以直接接触外涂层OC。然而，本公开不限于此，并且封盖层还可以设置在外涂层OC和滤色器CF之间。

[0208] 图14是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图。

[0209] 参考图14，根据实施方式的显示装置10与上述图13的实施方式的不同之处在于，第一透光层TPL1设置在第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2之下；第二透光层TPL2设置于第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和第一透光层TPL1上；以及第一封盖层CPL1设置在第二透光层TPL2上。

[0210] 第一透光层TPL1可以直接设置在设置于第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个中的第三绝缘层PAS3和第二连接电极CNE2上。第一透光层TPL1可以直接接触设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个中的第三绝缘层PAS3和第二连接电极CNE2。第一透光层TPL1可以设置在波长转换层WCL1和WCL2与发光元件层EL之间。

[0211] 第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2可以设置在第一透光层TPL1上。第三封盖层CPL3可以设置在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和第一透光层TPL1上。第三封盖层CPL3可以覆盖第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和第一透光层TPL1，同时接触它们。在第三封盖层CPL3上，第一光阻挡构件BK1可以设置于在平面图中与堤部BNL重叠的非发射区域NEA中。

[0212] 第二透光层TPL2可以设置在第一光阻挡构件BK1和第三封盖层CPL3上。第二透光层TPL2可以完全设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中，并且可以具有平坦表面。第二透光层TPL2可以使由第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2、第一透光层TPL1、第一光阻挡构件BK1和第三封盖层CPL3形成的台阶平坦化，从而促进下面将描述的第一封盖层CPL1的形成。例如，由于第一封盖层CPL1设置在平坦的第二透光层TPL2上，所以第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2可以保护第一透光层TPL1免受外部湿气
或氧气的影响。第二透光层TPL2可以均匀地散射已经穿过第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和第一透光层TPL1的光，使得均匀量的光可以入射到滤色器CF1、CF2和CF3中的每个。

[0213] 滤色器层CFL的第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3可以直接设置在第一封盖层CPL1上。在平面图中，第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3中的每个可以与第一透光层TPL1和第二透光层TPL2重叠。在平面图中，第一滤色器CF1可以与第一波长转换层WCL1重叠，并且第二滤色器CF2可以与第二波长转换层WCL2重叠。设置在第一滤色器CF1、第二滤色器CF2和第三滤色器CF3上的第二封盖层CPL2的至少一部分可以直接接触第一封盖层CPL1。

[0214] 图15是示意性地示出根据实施方式的显示装置的剖视图。

[0215] 参考图15，根据实施方式的显示装置10与上述图12中的实施方式的不同之处在于，外涂层OC设置在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP之下。

[0216] 外涂层OC可以设置在第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP之下。外涂层OC可以直接设置在设置于第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素
SPX3中的每个中的第三绝缘层PAS3和第二连接电极CNE2上。外涂层OC可以直接接触设置在第一子像素SPX1、第二子像素SPX2和第三子像素SPX3中的每个中的第三绝缘层PAS3和第二连接电极CNE2。

[0217] 第一波长转换层WCL1可以设置在第一子像素SPX1的外涂层OC上；第二波长转换层WCL2可以设置在第二子像素SPX2的外涂层OC上；以及透光图案TPP可以设置在第三子像素SPX3的外涂层OC上。第一波长转换层WCL1、第二波长转换层WCL2和透光图案TPP可以直接设置在外涂层OC上以与外涂层OC接触。

[0218] 例如，外涂层OC可以设置在发光元件ED和第一波长转换层WCL1之间以及发光元件ED和第二波长转换层WCL2之间，以增加发光元件ED和第一波长转换层WCL1之间的距离以及发光元件ED和第二波长转换层WCL2之间的距离。在实施方式中，通过在发光元件ED与第一波长转换层WCL1和第二波长转换层WCL2之间设置外涂层OC，可以增加它们之间的距离，以减轻波长转换材料WCP1和WCP2的劣化。

[0219] 本文中已经公开了实施方式，并且尽管使用了术语，但是它们被使用并且仅以一般和描述性的意义来解释，而不是为了限制的目的。在一些情况下，如对本领域中的普通技术人员将显而易见的是，除非另外特别指示，否则结合实施方式描述的特征、特性和/或元件可以单独使用或与结合其它实施方式描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此，本领域中的普通技术人员将理解的是，在不背离如所附权利要求中阐述的本公开的精神和范围的情况下，可以在形式和细节上进行各种改变。