电容结构及其形成方法和存储器

摘要

本申请公开了一种电容结构及其形成方法和存储器，该方法包括：提供衬底；在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构，所述电极支撑结构至少包括顶部的第一支撑层，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；所述电容孔内形成电极柱以及由所述电极柱延伸至所述第一支撑层上表面的电极层；去除所述电极层；去除所述第一支撑层；在所述电极支撑结构的顶部形成介质层，所述介质层覆盖所述电极柱的顶部，且电极柱的顶部的外周壁与介质层连接。通过介质层覆盖电极柱的顶部，使得介质层与电极柱的外周壁之间无间隙，介质层可以完全固定住电极柱的顶部，可防止电极柱发生倾斜变形，使得电极柱不易发生脱落现象。

权利要求

1.一种电容结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；

在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构，所述电极支撑结构至少包括顶部的第一支撑层，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；

所述电容孔内形成电极柱以及由所述电极柱延伸至所述第一支撑层上表面的电极层；

去除所述电极层；

去除所述第一支撑层；

在所述电极支撑结构的顶部形成介质层，所述介质层覆盖所述电极柱的顶部，且所述电极柱的顶部的外周壁与所述介质层连接。

2.根据权利要求1所述的电容结构的形成方法，其特征在于，在所述电极支撑结构的顶部形成介质层之后，还包括：在所述介质层形成沟槽，所述沟槽暴露所述电极支撑结构的表面，所述沟槽位于两个相邻的所述电极柱之间；

和/或所述沟槽位于所述电极柱的一侧。

3.根据权利要求2所述的电容结构的形成方法，其特征在于，在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构包括在所述衬底上由下至上依次堆叠形成第三支撑层、第二氧化硅层、第二支撑层和第一氧化硅层，所述第一氧化硅层形成于所述第一支撑层和所述第二支撑层之间。

4.根据权利要求3所述的电容结构的形成方法，其特征在于，在所述介质层形成沟槽之后，还包括：去除所述第一氧化硅层。

5.根据权利要求1所述的电容结构的形成方法，其特征在于，去除所述第一支撑层包括：所述第一支撑层与所述电极柱之间形成有氧化层，利用湿法刻蚀工艺，去除所述第一支撑层的同时去除所述氧化层；

湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括热磷酸。

6.根据权利要求3所述的电容结构的形成方法，其特征在于，去除所述电极层后，所述电极柱的顶部在所述第一支撑层内形成由下而上的收缩，以及去除所述第一支撑层后，所述介质层在所述第一氧化硅层上逐渐向上再沉积生长，直至填充满原来的所述电极层的位置。

7.根据权利要求1所述的电容结构的形成方法，其特征在于，由化学气相沉积、物理气相沉积以及原子层沉积中的至少一种方式形成所述介质层。

8.根据权利要求1所述的电容结构的形成方法，其特征在于，所述电容孔的底部形成电容接触体，在所述电容接触体上再形成所述电极柱。

9.根据权利要求1所述的电容结构的形成方法，其特征在于，所述电极柱的材料包括氮化钛。

10.根据权利要求1所述的电容结构的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料包括氮化硅或者碳氮化硅。

11.根据权利要求5所述的电容结构的形成方法，其特征在于，所述热磷酸对第一支撑层及其氧化层的第一刻蚀速率大于所述热磷酸对第一氧化硅层和电极柱的第二刻蚀速率，第一刻蚀速率与第二刻蚀速率的比率大于50：1。

12.一种电容结构，其特征在于，采用如权利要求1‑11任一项所述的电容结构的形成方法制备得到。

13.根据权利要求12所述的电容结构，其特征在于，包括：衬底；

电极支撑结构，其设置于所述衬底上，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；

电极柱，其设置于所述电容孔内，所述电极柱露出所述电极支撑结构；

介质层，其覆盖所述电极柱的顶部，且所述电极柱的顶部的外周壁与所述介质层连接。

14.根据权利要求13所述的电容结构，其特征在于，所述介质层设有沟槽，所述沟槽暴露所述电极支撑结构的表面，所述沟槽位于两个相邻的所述电极柱之间；

和/或所述沟槽位于所述电极柱的一侧。

15.根据权利要求13所述的电容结构，其特征在于，所述电极支撑结构包括在所述衬底上由下至上依次层叠设置的第三支撑层、第二氧化硅层和第二支撑层。

16.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求12‑15任一项所述的电容结构。

说明书

电容结构及其形成方法和存储器

技术领域

[0001] 本申请涉及集成电路以及电子元器件制造的技术领域，特别涉及一种电容结构及其形成方法和存储器。

背景技术

[0002] 存储器是用来存储程序和各种数据信息的记忆部件，按存储器的使用类型可分为只读存储器和随机存取存储器。存储器通常包括电容以及与电容连接的晶体管，电容用来存储代表存储信息的电荷，晶体管是控制电容的电荷流入和释放的开关。

[0003] 随着存储器工艺节点的不断缩小，现有技术中在先进的动态随机存取存储器(DRAM)生产制造时，在电容孔中形成的电容下电极容易脱落。

发明内容

[0004] 为解决上述问题，本申请的第一方面提供了一种电容结构的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构，所述电极支撑结构至少包括顶部的第一支撑层，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；所述电容孔内形成电极柱以及由所述电极柱延伸至所述第一支撑层上表面的电极层；去除所述电极层；去除所述第一支撑层；在所述电极支撑结构的顶部形成介质层，所述介质层覆盖所述电极柱的顶部，且所述电极柱的顶部的外周壁与所述介质层连接。

[0005] 可选的，在所述电极支撑结构的顶部形成介质层之后，还包括：在所述介质层形成沟槽，所述沟槽暴露所述电极支撑结构的表面，所述沟槽位于两个相邻的所述电极柱之间；和/或所述沟槽位于所述电极柱的一侧。

[0006] 可选的，在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构包括在所述衬底上由下至上依次堆叠形成第三支撑层、第二氧化硅层、第二支撑层和第一氧化硅层，所述第一氧化硅层形成于所述第一支撑层和所述第二支撑层之间。

[0007] 可选的，在所述介质层形成沟槽之后，还包括：去除所述第一氧化硅层。

[0008] 可选的，去除所述第一支撑层包括：所述第一支撑层与所述电极柱之间形成有氧化层，利用湿法刻蚀工艺，去除所述第一支撑层的同时去除所述氧化层；湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液包括热磷酸。

[0009] 可选的，去除所述电极层后，所述电极柱的顶部在所述第一支撑层内形成由下而上的收缩，以及去除所述第一支撑层后，所述介质层在所述第一氧化硅层上逐渐向上再沉积生长，直至填充满原来的所述电极层的位置。

[0010] 可选的，由化学气相沉积、物理气相沉积以及原子层沉积中的至少一种方式形成所述介质层。

[0011] 可选的，所述电容孔的底部形成电容接触体，在所述电容接触体上再形成所述电极柱。

[0012] 可选的，所述电极柱的材料包括氮化钛。

[0013] 可选的，所述介质层的材料包括氮化硅或者碳氮化硅。

[0014] 可选的，所述热磷酸对第一支撑层及其氧化层的第一刻蚀速率大于所述热磷酸对第一氧化硅层和电极柱的第二刻蚀速率，第一刻蚀速率与第二刻蚀速率的比率大于50：1。

[0015] 本申请的第二方面提供了一种电容结构，采用任一上述的电容结构的形成方法制备得到。

[0016] 在本申请的一种示例性实施例中，所述电容结构包括：衬底；电极支撑结构，其设置于所述衬底上，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔，所述电容孔垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；电极柱，其设置于所述电容孔内，所述电极柱露出所述电极支撑结构；介质层，其覆盖所述电极柱的顶部，且所述电极柱的顶部的外周壁与所述介质层连接。

[0017] 可选的，所述介质层设有沟槽，所述沟槽暴露所述电极支撑结构的表面，所述沟槽位于两个相邻的所述电极柱之间；和/或所述沟槽位于所述电极柱的一侧。

[0018] 可选的，所述电极支撑结构包括在所述衬底上由下至上依次层叠设置的第三支撑层、第二氧化硅层和第二支撑层。

[0019] 本申请的第三方面提供了一种存储器，所述存储器包括上述的电容结构。

[0020] 本申请的上述技术方案具有如下有益的技术效果：

[0021] 本申请实施例中，通过去除第一支撑层及其氧化层，该氧化层为碳氮化硅的氧化层，再在电极支撑结构的顶部形成介质层，介质层可以紧密覆盖电极柱的顶部，电极柱的顶部位于介质层内，且介质层与电极柱的外周壁之间无间隙，这样介质层可以完全固定住电极柱的顶部，可防止电极柱发生倾斜变形，使得电极柱不易发生脱落现象，可提高电容结构的良率。

附图说明

[0022] 图1是现有技术中电容结构的结构示意图；

[0023] 图1a是相关技术中电容结构的结构示意图；

[0024] 图2‑图9是本申请实施例提供的电容结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图；

[0025] 图10是本申请一实施方式的电容结构的形成方法的流程图；

[0026] 图11是本申请另一实施方式的电容结构的形成方法的流程图；

[0027] 附图标记：

[0028] 11‑电容孔；12‑电容接触体；13‑电极柱；14‑沟槽；

[0029] 101‑第一支撑层；102‑第一氧化硅层；103‑第二支撑层；104‑第二氧化硅层；105‑第三支撑层；106‑电极层；107‑氧化层；108‑介质层；109‑掩膜层；110‑第四支撑层。

具体实施方式

[0030] 为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚明了，下面结合具体实施方式并参照附图，对本申请进一步详细说明。应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本申请的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本申请的概念。

[0031] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。

[0032] 可以理解，本申请所使用的术语“第一”、“第二”等可在本文中用于描述各种元件，但这些元件不受这些术语限制。这些术语仅用于将第一个元件与另一个元件区分。举例来说，在不脱离本申请的范围的情况下，可以将第一电阻称为第二电阻，且类似地，可将第二电阻称为第一电阻。第一电阻和第二电阻两者都是电阻，但其不是同一电阻。

[0033] 在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也可以包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应当理解的是，术语“包括/包含”或“具有”等指定所陈述的特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的存在，但是不排除存在或添加一个或更多个其他特征、整体、步骤、操作、组件、部分或它们的组合的可能性。同时，在本说明书中使用的术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

[0034] 由背景技术可知，现有技术中在先进的动态随机存取存储器(DRAM)生产制造时，在电容孔中形成的电容下电极容易脱落。

[0035] 图1是现有技术中电容结构的结构示意图，参考图1，电极柱13的顶部的外周壁与第一支撑层101形成有间隙，第一支撑层101不能将电极柱13固定住，易导致电极柱13发生倾斜变形从第一支撑层101的表面脱落。

[0036] 为解决上述技术问题，本申请的第一方面提供一种电容结构的形成方法，电容孔11内形成电极柱13以及由电极柱13延伸至第一支撑层101上表面的电极层106；去除电极层
106；去除第一支撑层101；在电极支撑结构的顶部形成介质层108，介质层108覆盖电极柱13的顶部，且电极柱13的顶部的外周壁与介质层108连接。介质层108与电极柱13的外周壁之间无间隙，介质层108可以完全固定住电极柱13的顶部，电极柱13与介质层108间紧密接触，可防止电极柱13发生倾斜变形，使得电极柱13不易发生脱落现象。

[0037] 为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的各实施例进行详细的阐述。然而，本领域的普通技术人员可以理解，在本申请各实施例中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，即使没有这些技术细节和基于以下各实施例的种种变化和修改，也可以实现本申请所要求保护的技术方案。

[0038] 图10为本申请一实施方式的电容结构的形成方法的流程图。参考图10，在本申请一些实施例中，提供了一种电容结构的形成方法，可以包括以下步骤：

[0039] S10、提供衬底。衬底为金属硅化物。

[0040] S20、在所述衬底上堆叠形成电极支撑结构，所述电极支撑结构至少包括顶部的第一支撑层101，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔11，所述电容孔11垂直于所述衬底表面的方向向上延伸。第一支撑层101为氮化硅或者碳氮化硅。在形成电容孔11的过程中，暴露于电容孔11的第一支撑层101的侧壁上易于被氧化形成有氧化层107，该氧化层107为碳氮化硅的氧化层107。

[0041] S30、所述电容孔11内形成电极柱13以及由所述电极柱13延伸至所述第一支撑层101上表面的电极层106。在电容孔11中利用沉积工艺形成电极柱13，并形成由电极柱13延伸至第一支撑层101上表面的电极层106，电极层106形成于第一支撑层101的上表面，电极柱13及电极层106的材料包括氮化钛等。

[0042] S40、去除所述电极层106。可利用回刻工艺去除顶部的电极层106，此时电极柱13由于内在的应力收缩，使得电极柱13的顶部的外周壁出现梯形形貌，即电极柱13沿垂直于第一氧化硅层102的方向向上逐渐收缩，因此电极柱13的外周壁在第一支撑层101内与氧化层107存在脱离。

[0043] S50、去除所述第一支撑层101。可利用湿法刻蚀工艺，去除第一支撑层101及其氧化层107。该湿法刻蚀工艺过程选用的刻蚀溶液包括热磷酸，可以完全去除因第一支撑层101上形成电容孔11时生成的氧化层107。此时电极柱13的顶端应力被完全释放，使得电极柱13与后续形成的包裹其表面的介质层108有更好的紧密接触，充分实现介质层108对电极柱13的支撑稳定性。

[0044] S60、在所述电极支撑结构的顶部形成介质层108，所述介质层108覆盖所述电极柱13的顶部，且所述电极柱13的顶部的外周壁与所述介质层108连接。在第一氧化硅层102上再沉积形成介质层108，介质层108的材料包括碳氮化硅。介质层108在第一氧化硅层102上逐渐向上再沉积生长，直至介质层108沉积生长至原有的电极层106的位置，介质层108覆盖电极柱13的顶部，可固定住电极柱13，以防止电极柱13的倾斜及脱离介质层108；而且介质层108与电极柱13接触的表面不易于形成碳氮化硅的氧化层107，而且电极柱13的应力得到了完全释放，电极柱13不易于发生脱落现象。在一些实施例中，采用化学气相沉积、物理气相沉积以及原子层沉积中的至少一种方式来形成介质层108。

[0045] 本发明实施例提供的电容结构的形成方法简单、易操作，还可以使得介质层108与电极柱13的外周壁之间无间隙，介质层108可以完全固定住电极柱13的顶部，电极柱13与介质层108间紧密接触，可防止电极柱13发生倾斜变形，使得电极柱13不易发生脱落现象。

[0046] 图11为本申请另一实施方式的电容结构的形成方法的流程图。参考图11，在本申请另一实施例中提供了一种电容结构的形成方法，在步骤S60之后还可包括以下步骤：

[0047] S70、在所述介质层108形成沟槽14。所述沟槽14暴露所述电极支撑结构的表面，所述沟槽14位于两个相邻的所述电极柱13之间；和/或所述沟槽14位于所述电极柱13的一侧。在介质层108上形成沟槽14之前可在介质层108的顶部形成掩膜层109，利用网格孔的光刻成像的工艺在介质层108上开孔形成沟槽14。

[0048] S80、去除所述第一氧化硅层102。可利用湿法刻蚀工艺去除第一氧化硅层102。在一些实施例中，第一氧化硅层102与第二支撑层103和介质层108的材质不同，并且在同一刻蚀溶液中的被刻蚀速率不同，具体的，在同一刻蚀溶液中，第一氧化硅层102被刻蚀的速率要远远大于第二支撑层103和介质层108被刻蚀的速率，以保证当第一氧化硅层102被完全去除时，第二支撑层103和介质层108能够被完全保留，或近乎完全保留。据此，湿法刻蚀工艺过程选择的刻蚀溶液可为酸性溶液。

[0049] 图2～图9为本申请实施例提供的电容结构的形成方法中各步骤对应的结构示意图。下面将结合图2～图9对本申请实施例的步骤进行详细的阐述。

[0050] 参考图2，提供衬底(在图中未示出)，在衬底上形成电极支撑结构，电极支撑结构包括沿纵向由下至上依次堆叠形成的第三支撑层105、第二氧化硅层104、第二支撑层103、第一氧化硅层102和第一支撑层101，在其上沿纵向间隔形成有电容孔11。可以理解的是，第三支撑层105形成于衬底上。第一支撑层101、第二支撑层103、和第三支撑层105的材料包括氮化硅或者碳氮化硅；第二氧化硅层104的材料包括硼磷硅玻璃(BPSG)；第一氧化硅层102的材料包括正硅酸乙酯(TEOS)。在电容孔11的底部形成有电容接触体12，电容接触体12的材料包括钨或钛等导电材料。在形成电容孔11的过程中，暴露于电容孔11的第一支撑层101的侧壁上易于被氧化形成有氧化层107，该氧化层107为碳氮化硅的氧化层107。

[0051] 参考图3，在电容孔11中利用沉积工艺形成电极柱13，并形成由电极柱13延伸至第一支撑层101上表面的电极层106，电极层106形成于第一支撑层101的上表面，电极柱13及电极层106的材料包括氮化钛等。

[0052] 参考图4，利用回刻工艺去除顶部的电极层106，此时电极柱13由于内在的应力收缩，使得电极柱13的顶部的外周壁出现梯形形貌，即电极柱13沿垂直于第一氧化硅层102的方向向上逐渐收缩，因此电极柱13的外周壁在第一支撑层101内与氧化层107存在脱离。

[0053] 在参考图4所示的基础上，通常情况下，参考图1a，直接在第一支撑层101上沉积碳氮化硅形成第四支撑层110，第四支撑层110的厚度为原来的电极层106的厚度，电极柱13在第一支撑层101内与其外周壁的氧化层107是脱离的，如果将该氧化层107去除后，电极柱13的外周壁与第一支撑层101之间的间隙变得更大了，因此第一支撑层101并不能将其固定住，易导致电极柱13发生倾斜变形发生脱落现象。如果在两个相邻的电极柱13之间开沟槽14后，参考图1，电极柱13的外周壁没有第一支撑层101固定时，电极柱13会发生倾斜变形，甚至两个相邻的电极柱13会相互接触。

[0054] 参考图5，利用湿法刻蚀工艺，去除第一支撑层101及其氧化层107。该湿法刻蚀工艺过程选用的刻蚀溶液包括热磷酸，可以完全去除因第一支撑层101上形成电容孔11时生成的氧化层107。此时电极柱13的顶端应力被完全释放，使得电极柱13与后续形成的包裹其表面的介质层108有更好的紧密接触面积，充分实现介质层108对电极柱13的支撑稳定性。

[0055] 具体的，第一支撑层101的材料包括氮化硅或者碳氮化硅，电极柱13的材料包括氮化钛，第一氧化硅层102的材料包括正硅酸乙酯(TEOS)；一些实施例中，由于第一支撑层101与电极柱13及第一氧化硅层102的材质不同，并且在同一刻蚀溶液中的被刻蚀速率不同，据此，该湿法刻蚀工艺过程选择的刻蚀溶液可为热磷酸。热磷酸对第一支撑层101及其氧化层107的刻蚀速率远远大于对第一氧化硅层102和电极柱13的刻蚀速率，刻蚀速率比大于50：
1，以保证当第一支撑层101及其氧化层107被完全去除时，第一氧化硅层102和电极柱13能够被完全保留，或近乎完全保留。

[0056] 参考图6，在第一氧化硅层102上再沉积形成介质层108，介质层108的材料包括碳氮化硅。介质层108在第一氧化硅层102上逐渐向上再沉积生长，直至介质层108沉积生长至原有的电极层106的位置，介质层108覆盖电极柱13的顶部，可固定住电极柱13，以防止电极柱13的倾斜及脱离介质层108；而且介质层108与电极柱13接触的表面不易于形成碳氮化硅的氧化层107，而且电极柱13的应力得到了完全释放，电极柱13不易于发生脱落现象。在一些实施例中，采用化学气相沉积、物理气相沉积以及原子层沉积中的至少一种方式来形成介质层108。

[0057] 参考图7，在介质层108的顶部形成掩膜层109，利用网格孔的光刻成像的工艺在介质层108上开孔形成沟槽14。示例性实施例中，先在介质层108上表面形成掩膜层109，再图形化掩膜层109，图形化后的掩膜层109形成的图案与沟槽14在介质层108上表面的投影重合。这样，透过外露的介质层108上表面，沿垂直介质层108表面的方向向下对介质层108进行定向刻蚀，就可以在介质层108内形成沟槽14。

[0058] 参考图8，在介质层108内形成的沟槽14可位于两个相邻的电极柱13之间，和/或沟槽14可位于电极柱13的一侧。

[0059] 参考图9，利用湿法刻蚀工艺去除第一氧化硅层102。在一些实施例中，第一氧化硅层102与第二支撑层103和介质层108的材质不同，并且在同一刻蚀溶液中的被刻蚀速率不同，具体的，在同一刻蚀溶液中，第一氧化硅层102被刻蚀的速率要远远大于第二支撑层103和介质层108被刻蚀的速率，以保证当第一氧化硅层102被完全去除时，第二支撑层103和介质层108能够被完全保留，或近乎完全保留。据此，湿法刻蚀工艺过程选择的刻蚀溶液可为酸性溶液。

[0060] 在一些实施例中，第二支撑层103和介质层108的材料包括氮化硅，刻蚀液包括氢氟酸溶液。第一氧化硅层102内掺杂有硼或磷，以保证关键尺寸的均匀性，以及提高第一氧化硅层102被湿法刻蚀时的刻蚀速率。

[0061] 本申请的第二方面提供了一种电容结构，该电容结构采用上述实施例中的方法制备得到。

[0062] 在本申请的一种实施例中，参考图9，电容结构包括衬底(图中未示出)；电极支撑结构，其设置于所述衬底上，在所述电极支撑结构内间隔形成电容孔11，所述电容孔11垂直于所述衬底表面的方向向上延伸；电极柱13，其设置于所述电容孔11内，所述电极柱13露出所述电极支撑结构；介质层108，其覆盖所述电极柱13的顶部，且所述电极柱13的顶部的外周壁与所述介质层108连接。电极支撑结构设置于衬底的上表面，在电容孔11的底部设有电容接触体12，电容接触体12的材料包括钨或钛等导电材料。电极柱13的底部与电容接触体12连接。电极柱13的材料包括氮化钛等；介质层108的材料包括碳氮化硅。介质层108与电极柱13的外周壁之间无间隙，介质层108可以完全固定住电极柱13的顶部，电极柱13与介质层
108间紧密接触，可防止电极柱13发生倾斜变形，使得电极柱13不易发生脱落现象。

[0063] 一些实施例中，所述介质层108设有沟槽14，所述沟槽14暴露所述电极支撑结构的表面，所述沟槽14位于两个相邻的所述电极柱13之间；和/或所述沟槽14位于所述电极柱13的一侧。沟槽14暴露第二支撑层103的上表面。

[0064] 一些实施例中，所述电极支撑结构包括在所述衬底上由下至上依次层叠设置的第三支撑层105、第二氧化硅层104和第二支撑层103。第二支撑层103和第三支撑层105的材料包括氮化硅或者碳氮化硅；第二氧化硅层104的材料包括硼磷硅玻璃(BPSG)。

[0065] 本申请的第三方面提供了一种存储器，所述存储器包括上述的电容结构。

[0066] 在本申请实施例中，通过去除第一支撑层及其氧化层，该氧化层为碳氮化硅的氧化层，再在电极支撑结构的顶部形成介质层，介质层可以覆盖电极柱的顶部，使得介质层与电极柱的外周壁之间无间隙，介质层可以完全固定住电极柱的顶部，可防止电极柱发生倾斜变形，使得电极柱不易发生脱落现象，可提高电容结构的良率。

[0067] 应当理解的是，本申请的上述具体实施方式仅仅用于示例性说明或解释本申请的原理，而不构成对本申请的限制。因此，在不偏离本申请的精神和范围的情况下所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。此外，本申请所附权利要求旨在涵盖落入所附权利要求范围和边界、或者这种范围和边界的等同形式内的全部变化和修改例。