一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质

摘要

本发明公开了一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质，方法包括：响应于激励信号发送指令从老化向量存储模块中读取预先写入的目标数字激励数据发送至目标老化板；获取数据发送结束信号；根据数据发送结束信号生成第一模式切换信号发送至目标老化板，使得目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式；切换完成后生成目标模拟激励数据发送至目标老化板，使得目标老化板在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验；接收反馈的老化试验结果数据。本发明实施例的集成电路老化试验方法能够实现DFT测试模式和功能模式两种场景的分时激励，既保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留功能老化方式贴近真实场景的优势。

权利要求

1.一种集成电路老化试验方法，其特征在于，包括以下步骤：

响应于激励信号发送指令，从老化向量存储模块中读取预先写入的目标数字激励数据并发送至目标老化板；

获取数据发送结束信号，所述数据发送结束信号用于指示所述目标数字激励数据已写入所述目标老化板中；

根据所述数据发送结束信号生成第一模式切换信号并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式；

切换完成后生成目标模拟激励数据并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板在功能模式下根据所述目标数字激励数据和所述目标模拟激励数据进行老化试验；

接收由所述目标老化板实时反馈的老化试验结果数据，直至完成老化试验。

2.根据权利要求1所述的集成电路老化试验方法，其特征在于，在所述目标老化板在功能模式下根据所述目标数字激励数据和所述目标模拟激励数据进行老化试验后，还包括以下步骤：获取由所述目标老化板反馈的总执行结果信号，所述总执行结果信号用于指示所述目标老化板是否完成老化试验，以在所述总执行结果信号指示所述目标老化板已完成老化试验后进行下一次老化试验。

3.根据权利要求2所述的集成电路老化试验方法，其特征在于，所述目标老化板包括多个老化单元；所述总执行结果信号由以下步骤得到：获取由多个所述老化单元一一对应反馈的多个老化执行结果信号，所述老化执行结果信号用于指示所述老化单元是否完成老化试验；

根据多个所述老化执行结果信号生成所述总执行结果信号。

4.根据权利要求1所述的集成电路老化试验方法，其特征在于，所述目标模拟激励数据包括多个目标模拟激励信号，每个所述目标模拟激励信号皆由以下步骤得到：在所述目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式完成后，生成原始模拟激励信号，所述原始模拟激励信号包括方波信号、正弦波信号和三角波信号；

对所述原始模拟激励信号进行波形调整，得到所述目标模拟激励信号。

5.根据权利要求1所述的集成电路老化试验方法，其特征在于，所述集成电路老化试验方法还包括以下步骤：获取功能模式超时信号和由所述目标老化板发送的功能模式结束信号；

根据所述功能模式超时信号或所述功能模式结束信号生成第二模式切换信号并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板从功能模式切换至DFT测试模式。

6.根据权利要求1所述的集成电路老化试验方法，其特征在于，所述集成电路老化试验方法还包括以下步骤：响应于修改数据指令，对所述老化向量存储模块中的所述目标数字激励数据进行修改操作，以更新所述目标数字激励数据，所述修改操作包括擦除操作和编程操作。

7.一种集成电路老化试验装置，其特征在于，包括：

高温试验箱，用于提供老化试验时的高温环境；

目标老化板，设于所述高温试验箱内部，所述目标老化板具有DFT测试模式和功能模式；

老化向量发生装置，设于所述高温试验箱外部且与所述目标老化板电性连接，所述老化向量发生装置用于执行如权利要求1至6中任一所述的集成电路老化试验方法。

8.根据权利要求7所述的集成电路老化试验装置，其特征在于，所述老化向量发生装置包括：老化向量存储模块，用于存储目标数字激励数据；

信号处理模块，用于对模拟信号进行波形调整；

主控制器，用于响应于激励信号发送指令，从所述老化向量存储模块中读取预先写入的所述目标数字激励数据并发送至所述目标老化板；获取数据发送结束信号，所述数据发送结束信号用于指示所述目标数字激励数据已写入所述目标老化板中；根据所述数据发送结束信号生成第一模式切换信号并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式；切换完成后经过所述信号处理模块生成目标模拟激励数据并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板在功能模式下根据所述目标数字激励数据和所述目标模拟激励数据进行老化试验；

辅助控制模块，用于接收由所述目标老化板实时反馈的老化试验结果数据。

9.根据权利要求7所述的集成电路老化试验装置，其特征在于，所述集成电路老化试验装置还包括设于所述高温试验箱外部的多个驱动模块，多个所述驱动模块的输入端皆与同一个所述老化向量发生装置连接，输出端用于一一对应连接多个不同的所述目标老化板，所述驱动模块用于放大目标数字激励数据和目标模拟激励数据。

10.一种计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，其特征在于，所述计算机可执行指令用于执行如权利要求1至6中任一所述的集成电路老化试验方法。

说明书

一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质

技术领域

[0001] 本发明涉及电子相关技术领域，尤其是涉及一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质。

背景技术

[0002] 集成电路由于规模大，外部管脚较多，且控制信号多样，内部逻辑复杂，在进行老化试验时，通常需要使用较为复杂的外部信号进行动态激励。对于混合集成电路，同时需要数字激励和模拟激励才能保证器件的所有部分均处于动态状态，实现各部分充分动作且均衡老化。

[0003] 较大规模的集成电路一般集成有DFT（Design For Test）电路专为生产测试而设计，这类集成电路可在功能模式和DFT模式自由切换。进行老化试验时，既可以基于功能模式，又可以基于DFT模式，这两种模式各有优势。在功能模式下，各电路特别是数字电路工作在正常的工作场景，贴近真实应用场景的老化方式更能激发实际使用场景下电路中的薄弱点，然而功能模式下，常规的外部激励往往无法对内部特定逻辑实现定向化、定量化覆盖，换言之无法可控地保证内部特定的逻辑门电路在老化试验过程中进行了“0‑1”或者“1‑0”的翻转跳变从而达到模拟工作状态的目的。因此对于大规模数字逻辑芯片，通常采用DFT模式进行老化试验，而无法保留功能老化方式贴近真实场景的优势。

发明内容

[0004] 本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此，本发明提出一种集成电路老化试验方法，能够实现DFT测试模式和功能模式两种场景的分时激励，既保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留功能老化方式贴近真实场景的优势。

[0005] 本发明还提供了一种集成电路老化试验系统、装置以及计算机可读存储介质。

[0006] 根据本发明的第一方面实施例的集成电路老化试验方法，包括以下步骤：

[0007] 响应于激励信号发送指令，从老化向量存储模块中读取预先写入的目标数字激励数据并发送至目标老化板；

[0008] 获取数据发送结束信号，所述数据发送结束信号用于指示所述目标数字激励数据已写入所述目标老化板中；

[0009] 根据所述数据发送结束信号生成第一模式切换信号并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式；

[0010] 切换完成后生成目标模拟激励数据并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板在功能模式下根据所述目标数字激励数据和所述目标模拟激励数据进行老化试验；

[0011] 接收由所述目标老化板实时反馈的老化试验结果数据，直至完成老化试验。

[0012] 根据本发明实施例的集成电路老化试验方法，至少具有如下有益效果：

[0013] 目标数字激励数据预先写入在老化向量存储模块中，可对目标数字激励数据进行替换、升级或修改，可以满足对数字激励的应用灵活性要求。能实现同时产生目标数字激励数据和目标模拟激励数据，可以满足模数混合集成电路基本的、通用的激励需求。通过在DFT测试模式下向目标老化板发送目标数字激励数据，可以实现可控的、可量化的数字逻辑的激励，且效果与专用老化试验箱等同，但成本更低，适合批量老化筛选的应用场景。在DFT测试模式下向目标老化板发送目标数字激励数据后切换至功能模式，并在功能模式下向目标老化板发送目标模拟激励数据，使得目标老化板在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验，可以充分体现功能老化方式贴近真实场景的优势，更能激发实际使用场景下电路中的薄弱点，老化试验效果更好。本发明实施例的集成电路老化试验方法通过控制目标老化板的DFT测试模式和功能模式两种场景的切换从而进行分时激励，既能够保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留了功能老化方式贴近真实场景的优势。

[0014] 根据本发明的一些实施例，在所述目标老化板在功能模式下根据所述目标数字激励数据和所述目标模拟激励数据进行老化试验后，还包括以下步骤：

[0015] 获取由所述目标老化板反馈的总执行结果信号，所述总执行结果信号用于指示所述目标老化板是否完成老化试验，以在所述总执行结果信号指示所述目标老化板已完成老化试验后进行下一次老化试验。

[0016] 根据本发明的一些实施例，所述目标老化板包括多个老化单元；所述总执行结果信号由以下步骤得到：

[0017] 获取由多个所述老化单元一一对应反馈的多个老化执行结果信号，所述老化执行结果信号用于指示所述老化单元是否完成老化试验；

[0018] 根据多个所述老化执行结果信号生成所述总执行结果信号。

[0019] 根据本发明的一些实施例，所述目标模拟激励数据包括多个目标模拟激励信号，每个所述目标模拟激励信号皆由以下步骤得到：

[0020] 在所述目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式完成后，生成原始模拟激励信号，所述原始模拟激励信号包括方波信号、正弦波信号和三角波信号；

[0021] 对所述原始模拟激励信号进行波形调整，得到所述目标模拟激励信号。

[0022] 根据本发明的一些实施例，所述集成电路老化试验方法还包括以下步骤：

[0023] 获取功能模式超时信号和由所述目标老化板发送的功能模式结束信号；

[0024] 根据所述功能模式超时信号和所述功能模式结束信号生成第二模式切换信号并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板从功能模式切换至DFT测试模式。

[0025] 根据本发明的一些实施例，所述集成电路老化试验方法还包括以下步骤：

[0026] 响应于修改数据指令，对所述老化向量存储模块中的所述目标数字激励数据进行修改操作，以更新所述目标数字激励数据，所述修改操作包括擦除操作和编程操作。

[0027] 根据本发明的第二方面实施例的集成电路老化试验装置，包括：

[0028] 高温试验箱，用于提供老化试验时的高温环境；

[0029] 目标老化板，设于所述高温试验箱内部，所述目标老化板具有DFT测试模式和功能模式；

[0030] 老化向量发生装置，设于所述高温试验箱外部且与所述目标老化板电性连接，所述老化向量发生装置用于执行如上述第一方面实施例所述的集成电路老化试验方法。

[0031] 根据本发明实施例的集成电路老化试验装置，至少具有如下有益效果：

[0032] 通过将老化向量发生装置设置在高温试验箱外部，不需要选用高温器件，可以避免老化向量发生装置在高温环境下工作寿命减少的问题。目标数字激励数据预先写入在老化向量存储模块中，可对目标数字激励数据进行替换、升级或修改，可以满足对数字激励的应用灵活性要求。能实现同时产生目标数字激励数据和目标模拟激励数据，可以满足模数混合集成电路基本的、通用的激励需求。通过在DFT测试模式下向目标老化板发送目标数字激励数据，可以实现可控的、可量化的数字逻辑的激励，且效果与专用老化试验箱等同，但成本更低，适合批量老化筛选的应用场景。在DFT测试模式下向目标老化板发送目标数字激励数据后切换至功能模式，并在功能模式下向目标老化板发送目标模拟激励数据，使得目标老化板在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验，可以充分体现功能老化方式贴近真实场景的优势，更能激发实际使用场景下电路中的薄弱点，老化试验效果更好。本发明实施例的集成电路老化试验装置将老化向量发生装置设置在高温试验箱外部，可以避免老化向量发生装置在高温环境下工作寿命减少的问题，通过老化向量发生装置控制目标老化板的DFT测试模式和功能模式两种场景的切换从而进行分时激励，既能够保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留了功能老化方式贴近真实场景的优势。

[0033] 根据本发明的一些实施例，所述老化向量发生装置包括：

[0034] 老化向量存储模块，用于存储目标数字激励数据；

[0035] 信号处理模块，用于对模拟信号进行波形调整；

[0036] 主控制器，用于响应于激励信号发送指令，从所述老化向量存储模块中读取预先写入的所述目标数字激励数据并发送至所述目标老化板；获取数据发送结束信号，所述数据发送结束信号用于指示所述目标数字激励数据已写入所述目标老化板中；根据所述数据发送结束信号生成第一模式切换信号并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板从DFT测试模式切换至功能模式；切换完成后经过所述信号处理模块生成目标模拟激励数据并发送至所述目标老化板，以使得所述目标老化板在功能模式下根据所述目标数字激励数据和所述目标模拟激励数据进行老化试验；

[0037] 辅助控制模块，用于接收由所述目标老化板实时反馈的老化试验结果数据。

[0038] 根据本发明的一些实施例，所述集成电路老化试验装置还包括设于所述高温试验箱外部的多个驱动模块，多个所述驱动模块的输入端皆与同一个所述老化向量发生装置连接，输出端用于一一对应连接多个不同的所述目标老化板，所述驱动模块用于放大目标数字激励数据和目标模拟激励数据。

[0039] 根据本发明的第三方面实施例的计算机可读存储介质，存储有计算机可执行指令，所述计算机可执行指令用于执行如上述第一方面实施例所述的集成电路老化试验方法。由于计算机可读存储介质采用了上述实施例的集成电路老化试验方法的全部技术方案，因此至少具有上述实施例的技术方案所带来的所有有益效果。

[0040] 本发明的其它特征和优点将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。

附图说明

[0041] 本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

[0042] 图1是本发明一实施例的集成电路老化试验方法的流程图；

[0043] 图2是本发明一实施例的集成电路老化试验装置的示意图；

[0044] 图3是本发明一实施例的老化向量发生装置的系统框图。

[0045] 附图标记：

[0046] 高温试验箱100；

[0047] 目标老化板200、老化单元210；

[0048] 老化向量发生装置300、老化向量存储模块310、信号处理模块320、主控制器330、辅助控制模块340、显示单元350、通信接口360、外围电路370、调试接口380、主接口390；

[0049] 驱动模块400。

具体实施方式

[0050] 下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

[0051] 在本发明的描述中，如果有描述到第一、第二等只是用于区分技术特征为目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量或者隐含指明所指示的技术特征的先后关系。

[0052] 在本发明的描述中，需要理解的是，涉及到方位描述，例如上、下等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

[0053] 本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的限定，设置、安装、连接等词语应做广义理解，所属技术领域技术人员可以结合技术方案的具体内容合理确定上述词语在本发明中的具体含义。

[0054] 为了更好地体现本发明实施例的集成电路老化试验方法的优势，首先对现有技术中已有的老化方案进行说明。

[0055] 现有技术中通常有以下三种老化方案：

[0056] （1）使用定制化的老化试验设备。设备板卡化、模块化，具有一定的通用性、灵活性。在pattern板卡配置支持的情况下，可以生成DFT模式的老化pattern作为激励，能保证较高的数字电路覆盖率。但该方案pattern板卡缺乏灵活性和通用性，只能针有限范围的、类型相似的集成电路芯片，且针对不同芯片可能需要重新开发和替换部分板卡，额外带来一些经济上和时间上的成本。一般板卡数量可按需配置，整体成本可控性较好，但是该方案需配置定制化的试验箱，这种温箱的制作周期长，成本高。

[0057] （2）使用专用的老化试验箱作为老化试验设备。集成了多种资源，能提供精密的温度控制和监测、细化到试验单元的温度控制、时序可控的可编程多路电源、多路可编程IO通道、向量存储单元、实时的电压和电流监控、实时的数据比对和记录存储等多种资源。其集成度很高，性能强大，可以支持高速pattern。另外其通用性强，自动化程度高，适用于各种数字类芯片的老化试验，特别适合集成度高、高速数字芯片。然而，上述专用老化试验箱的主要限制在于，设备非常昂贵，且老化向量的开发和调试需要一定的技术要求。另外由于向量存储资源有限，大容量的老化向量需要裁剪优化。由于其专业性强、经济性差的特点，多用于设计公司产品研发阶段的样片可靠性认证试验（例如HTOL1000h试验），适合做实验而不适合做生产，极少用来做批次性的老化筛选。

[0058] （3）对于一般集成度、速度要求不高的集成电路，除了上述两种方案，还有以下几种做法类似的简便替代方案：

[0059] a.采用外部提供电源、专用设备提供激励、试验箱仅提供高温环境。环境搭建简便易实现，成本低，降低了试验箱的要求。但只适合一些简便的模拟类芯片，应用范围很有限，不适合数字芯片。

[0060] b.将测试激励电路模块化，集成在老化板上，试验时由老化板自身产生激励信号至各个试验单元。环境搭建简便易实现，经济性好，降低了试验箱的要求，可实现多种激励并行方式（数字+模拟），可满足一般混合集成电路如一些MCU、DSP 芯片的测试需要，能较为充分驱动芯片的所有模块产生动作，从而达到各个部分均衡老化的目的。功能方式的老化贴近真实应用场景，更能模拟实际应用中失效的产生机制。但对于模块较多的芯片，其测试激励电路可能会要求多种多样，稍显复杂，但太复杂的老化激励电路会增加老化板成本和面积，激励电路所用器件需选用高温器件，额外增加设计选型的困难，随老化板同时进入高温环境，因此往往需要选用相对昂贵的耐高温器件，并且由于跟随样品同步进行老化试验，长期工作在高温环境，大大减少器件的使用寿命。而老化板生命周期相对较短，随老化板一起报废时带来额外的损失。由于激励电路不能过于复杂，其电路往往只适合做功能模式的老化，难以实现DFT方式的老化，常规的功能模式下的老化试验，而无法像专用试验箱一样，通过DFT老化向量对集成电路数字逻辑实现广法的、可控的、定量化的覆盖。采用这些激励方式时，器件内部逻辑电路在老化试验过程是否产生有效翻转、是否存在部分电路过翻转而部分电路欠翻转，皆是无法量化评估的，这种方式必然导致无法通过加速老化实现潜在薄弱环节的激发目的。

[0061] 基于此，本发明实施例提出了一种集成电路老化试验方法、装置及可读存储介质，能够实现DFT测试模式和功能模式两种场景的分时激励，既保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留功能老化方式贴近真实场景的优势，摆脱了高覆盖率要求下对专用老化试验箱的依赖，极大降低了做批量筛选时的设备要求，适合大范围的、生产性质的老化筛选应用，降低了成本，且对于同一类型的集成电路均适用。

[0062] 下面将结合图1至图3对本发明第一方面实施例的集成电路老化试验方法进行清楚、完整的描述，显然，以下所描述的实施例是本发明一部分实施例，并非全部实施例。

[0063] 根据本发明第一方面实施例的集成电路老化试验方法，包括以下步骤：

[0064] 响应于激励信号发送指令，从老化向量存储模块310中读取预先写入的目标数字激励数据并发送至目标老化板200；

[0065] 获取数据发送结束信号，数据发送结束信号用于指示目标数字激励数据已写入目标老化板200中；

[0066] 根据数据发送结束信号生成第一模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从DFT测试模式切换至功能模式；

[0067] 切换完成后生成目标模拟激励数据并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验；

[0068] 接收由目标老化板200实时反馈的老化试验结果数据，直至完成老化试验。

[0069] 目标数字激励数据为预先写入老化向量存储模块310中，可通过擦除操作和编程操作对老化向量存储模块310中的目标数字激励数据进行替换、升级或修改，从而满足对数字激励的应用灵活性要求。

[0070] 目标数字激励数据已写入目标老化板200完成后，生成数据发送结束信号，可以用二进制字符串表示，其具体形式可以根据实际情况进行选择，在此不进行限定。若接收到数据发送结束信号，表示目标数字激励数据已写入目标老化板200中，此时生成第一模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从DFT测试模式切换至功能模式，以便进行后续操作。可以确保目标数字激励数据已发送完成后再进行的目标老化板200从DFT测试模式到功能模式的切换，不会出现故障。

[0071] 在老化试验中，电压、温度、频率为老化加速的三个加速因子。目标数字激励数据的发送速率直接影响老化加速的效果，速率过快或者过慢都将使老化效果不符合预期，故目标数字激励数据需要按照预设传输速率发送至目标老化板200。需要说明的是，具体的预设传输速率需要根据实际情况进行确定，在此不作具体限定。

[0072] 目标老化板200包括多个老化单元210，老化试验结果数据包括但不限于各个老化单元210的状态数据、故障数据、芯片结温数据、温度数据、电压数据、电流数据和老化时间数据。通过对各个老化单元210的状态数据、故障数据、芯片结温数据、温度数据、电压数据、电流数据和老化时间数据的同步实时监控，可以实现目标老化板200中各个部分科学、均衡老化，实现系统地评估和筛选目的。

[0073] 目标数字激励数据包括多个目标数字激励信号，目标模拟激励数据包括多个目标模拟激励信号，目标数字激励信号和目标模拟激励信号皆用于对各个老化单元210进行老化激励，目标数字激励信号和目标模拟激励信号与老化单元210的具体对应情况需要根据实际老化单元210的电路结构决定，在此不作具体限定。

[0074] 通过控制目标老化板200的DFT测试模式和功能模式两种场景的切换从而进行分时激励，既能够保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留了功能老化方式贴近真实场景的优势，摆脱了高覆盖率要求下对专用老化试验箱的依赖，极大降低了做批量筛选时的设备要求，适合大范围的、生产性质的老化筛选应用，降低了成本，且对于同一类型的集成电路均适用。

[0075] 根据本发明实施例的集成电路老化试验方法，目标数字激励数据预先写入在老化向量存储模块310中，可对目标数字激励数据进行替换、升级或修改，可以满足对数字激励的应用灵活性要求。能实现同时产生目标数字激励数据和目标模拟激励数据，可以满足模数混合集成电路基本的、通用的激励需求。通过在DFT测试模式下向目标老化板200发送目标数字激励数据，可以实现可控的、可量化的数字逻辑的激励，且效果与专用老化试验箱等同，但成本更低，适合批量老化筛选的应用场景。在DFT测试模式下向目标老化板200发送目标数字激励数据后切换至功能模式，并在功能模式下向目标老化板200发送目标模拟激励数据，使得目标老化板200在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验，可以充分体现功能老化方式贴近真实场景的优势，更能激发实际使用场景下电路中的薄弱点，老化试验效果更好。本发明实施例的集成电路老化试验方法通过控制目标老化板200的DFT测试模式和功能模式两种场景的切换从而进行分时激励，既能够保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留了功能老化方式贴近真实场景的优势。

[0076] 在本发明的一些实施例中，目标老化板200包括多个老化单元210；在目标老化板200在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验后，还包括以下步骤：

[0077] 获取由目标老化板200反馈的总执行结果信号，总执行结果信号用于指示目标老化板200是否完成老化试验，以在总执行结果信号指示目标老化板200已完成老化试验后进行下一次老化试验；

[0078] 其中，总执行结果信号由以下步骤得到：

[0079] 获取由多个老化单元210一一对应反馈的多个老化执行结果信号，老化执行结果信号用于指示老化单元210是否完成老化试验；

[0080] 根据多个老化执行结果信号生成总执行结果信号。

[0081] 若老化执行结果信号指示老化单元210已完成老化试验，则为高电平，即为1；若老化执行结果信号指示老化单元210未完成老化试验，则为低电平，即为0。对多个老化执行结果信号进行逻辑“与”运算，得到总执行结果信号。若有一个老化执行结果信号为0，则总执行结果信号为0；若所有老化执行结果信号为1，则总执行结果信号为1。可以理解的是，当总执行结果信号为1时，表示所有老化单元210已完成老化试验，可以进行下一次老化试验，保证所有老化单元210皆完成老化试验后再重新发送新的激励信号，避免误判的情况出现。

[0082] 在本发明的一些实施例中，目标模拟激励数据包括多个目标模拟激励信号，每个目标模拟激励信号皆由以下步骤得到：

[0083] 在目标老化板200从DFT测试模式切换至功能模式完成后，生成原始模拟激励信号，原始模拟激励信号包括方波信号、正弦波信号和三角波信号；

[0084] 对原始模拟激励信号进行波形调整，得到目标模拟激励信号。

[0085] 当目标老化板200对模拟激励的精度要求不高时，可以通过主控制器330输出方波信号再由信号处理模块320进行频率、幅度等参数的调整后得到目标模拟激励数据。如果对频率、幅度等参数的调整范围和精度要求较高（即要求老化过程中，模拟信号的幅度、频率、甚至波形类型可以进行动态切换），则可利用专用的集成电路例如DDS(Direct Digital Synthesize)芯片实现相应的波形调整后得到目标模拟激励数据。目标模拟激励数据可调，可以满足对模拟激励的应用灵活性要求。

[0086] 需要说明的是，原始模拟激励信号的具体波形、相应的对原始模拟激励信号的波形调整过程、最终得到的目标模拟激励数据的具体波形皆需要根据实际需要确定，在此不作具体描述。

[0087] 在本发明的一些实施例中，集成电路老化试验方法还包括以下步骤：

[0088] 获取功能模式超时信号和由目标老化板200发送的功能模式结束信号；

[0089] 根据功能模式超时信号和功能模式结束信号生成第二模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从功能模式切换至DFT测试模式。

[0090] 功能模式结束信号由目标老化板200生成，功能模式结束信号表征目标老化板200已结束功能模式。功能模式超时信号由主控制器330生成，从发送第一模式切换信号至目标老化板200，将目标老化板200从DFT测试模式切换到功能模式开始，主控制器330设置一个预设时间阈值，若功能模式的运行时长超过预设时间阈值，则生成功能模式超时信号，表示功能模式结束信号的生成过程可能出现异常，此时目标老化板200已结束功能模式，可以防止目标老化板200软件挂死导致超时不响应不反馈功能模式结束信号，导致系统陷于功能模式无法跳出。需要说明的是，具体的预设时间阈值在此不作限定，需要根据实际情况进行设定。

[0091] 根据功能模式超时信号和功能模式结束信号生成第二模式切换信号包括以下步骤：若接收到功能模式超时信号或功能模式结束信号，生成第二模式切换信号。只要接收到功能模式超时信号和功能模式结束信号中的任一一个，表示目标老化板200已结束功能模式，则生成第二模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从功能模式切换至DFT测试模式，便于进行下一轮向目标老化板200进行目标数字激励数据写入。

[0092] 在本发明的一些实施例中，参考图3，在接收由目标老化板200实时反馈的老化试验结果数据后，还包括以下步骤：

[0093] 每间隔预设的记录时长存储并显示老化试验结果数据。

[0094] 通过中断方式对目标老化板200反馈的老化试验结果数据进行存储和显示，可以方便实时监控目标老化板200工作的运行状态，且能控制接收的数据量，不会占用过大内存空间。当有外部选择读取老化试验结果数据时，可以读取并显示老化试验结果数据。需要说明的是，具体的预设的记录时长可以根据实际情况进行选择，在此不作具体限定。

[0095] 在本发明的一些实施例中，参考图3，集成电路老化试验方法还包括以下步骤：响应于修改数据指令，对老化向量存储模块310中的目标数字激励数据进行修改操作，以更新目标数字激励数据，修改操作包括擦除操作和编程操作。响应于修改数据指令，首先对老化向量存储模块310中的目标数字激励数据进行擦除操作，再接收由上位机发送的新的目标数字激励数据，并对老化向量存储模块310进行编程操作，以将新的目标数字激励数据写入老化向量存储模块310，从而实现对目标数字激励数据的替换、升级或修改，可以满足对数字激励的应用灵活性要求。需要说明的是，擦除操作和编程操作的工作原理皆为本领域技术人员可知的现有技术，在此不作赘述。

[0096] 为了更好地体现本发明实施例的集成电路老化试验方法的优势，接下来以一个具体实施例进行详细说明。

[0097] 响应于修改数据指令，对老化向量存储模块310中的目标数字激励数据进行修改操作，以更新目标数字激励数据，修改操作包括擦除操作和编程操作；

[0098] 响应于激励信号发送指令，从老化向量存储模块310中读取预先写入的目标数字激励数据并发送至目标老化板200；

[0099] 获取数据发送结束信号，数据发送结束信号用于指示目标数字激励数据已写入目标老化板200中；

[0100] 根据数据发送结束信号生成第一模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从DFT测试模式切换至功能模式；

[0101] 在目标老化板200从DFT测试模式切换至功能模式完成后，生成原始模拟激励信号，原始模拟激励信号包括方波信号、正弦波信号和三角波信号；

[0102] 对原始模拟激励信号进行波形调整，得到目标模拟激励信号，并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验；

[0103] 获取由目标老化板200反馈的总执行结果信号，总执行结果信号用于指示目标老化板200是否完成老化试验，以在总执行结果信号指示目标老化板200已完成老化试验后进行下一次老化试验；其中，总执行结果信号由以下步骤得到：获取由多个老化单元210一一对应反馈的多个老化执行结果信号，老化执行结果信号用于指示老化单元210是否完成老化试验；根据多个老化执行结果信号生成总执行结果信号；

[0104] 接收由目标老化板200实时反馈的老化试验结果数据，每间隔预设的记录时长存储并显示老化试验结果数据，直至完成老化试验；

[0105] 获取功能模式超时信号和由目标老化板200发送的功能模式结束信号；

[0106] 若接收到功能模式超时信号或功能模式结束信号，生成第二模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从功能模式切换至DFT测试模式，以进行下一轮向目标老化板200进行目标数字激励数据写入。

[0107] 目标数字激励数据预先写入在老化向量存储模块310中，可对目标数字激励数据进行替换、升级或修改；通过对原始模拟激励信号进行波形调整，得到目标模拟激励信号，实现目标模拟激励数据可调，可以满足对数字激励和模拟激励的应用灵活性要求。能实现同时产生目标数字激励数据和目标模拟激励数据，可以满足模数混合集成电路基本的、通用的激励需求。通过在DFT测试模式下向目标老化板200发送目标数字激励数据，可以实现可控的、可量化的数字逻辑的激励，且效果与专用老化试验箱等同，但成本更低，适合批量老化筛选的应用场景。在DFT测试模式下向目标老化板200发送目标数字激励数据后切换至功能模式，并在功能模式下向目标老化板200发送目标模拟激励数据，使得目标老化板200在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验，可以充分体现功能老化方式贴近真实场景的优势，更能激发实际使用场景下电路中的薄弱点，老化试验效果更好。本发明实施例的集成电路老化试验方法通过控制目标老化板200的DFT测试模式和功能模式两种场景的切换从而进行分时激励，既能够保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留了功能老化方式贴近真实场景的优势，摆脱了高覆盖率要求下对专用老化试验箱的依赖，极大降低了做批量筛选时的设备要求，适合大范围的、生产性质的老化筛选应用，降低了成本，且对于同一类型的集成电路均适用。

[0108] 下面将结合图2和图3对本发明第二方面实施例的集成电路老化试验装置进行清楚、完整的描述，显然，以下所描述的实施例是本发明一部分实施例，并非全部实施例。

[0109] 根据本发明的第二方面实施例的集成电路老化试验装置，包括高温试验箱100、目标老化板200、老化向量发生装置300。

[0110] 高温试验箱100，用于提供老化试验时的高温环境；

[0111] 目标老化板200，设于高温试验箱100内部，目标老化板200具有DFT测试模式和功能模式；

[0112] 老化向量发生装置300，设于高温试验箱100外部且与目标老化板200电性连接，老化向量发生装置300用于执行如上述第一方面实施例的集成电路老化试验方法。

[0113] 高温试验箱100的具体结构在此不作具体限定，只要能为目标老化板200提供老化试验时的高温环境，温度可调即可。

[0114] 目标老化板200根据待老化的集成电路的特点进行设计，每块目标老化板200上具有多个老化单元210，老化单元210为数字电路或模拟电路，每块目标老化板200上还具有多个老化单元210的工位（即孔、插座等），集成了必要的器件和接插件，例如阻容元件、程序烧写接口、晶振、复位电路、IO的负载，能够降低目标老化板200的制作成本。目标老化板200的数量可以为多个，具体数量需要根据实际情况确定，目标老化板200中老化单元210的数量也需要根据实际情况确定，老化向量发生装置300也可以为多个，具体数量根据实际情况确定，在此皆不作限定。另外，目标老化板200的具体电路结构在此不作限定。

[0115] 将老化向量发生装置300设置在高温试验箱100外部，不需要选用高温器件，可以避免老化向量发生装置300在高温环境下工作寿命减少的问题。通过老化向量发生装置300控制目标老化板200的DFT测试模式和功能模式两种场景的切换从而进行分时激励，既能够保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留了功能老化方式贴近真实场景的优势，摆脱了高覆盖率要求下对专用老化试验箱的依赖，极大降低了做批量筛选时的设备要求，适合大范围的、生产性质的老化筛选应用，降低了成本，且对于同一类型的集成电路均适用。

[0116] 根据本发明实施例的集成电路老化试验装置，通过将老化向量发生装置300设置在高温试验箱100外部，不需要选用高温器件，可以避免老化向量发生装置300在高温环境下工作寿命减少的问题。目标数字激励数据预先写入在老化向量存储模块310中，可对目标数字激励数据进行替换、升级或修改，可以满足对数字激励的应用灵活性要求。能实现同时产生目标数字激励数据和目标模拟激励数据，可以满足模数混合集成电路基本的、通用的激励需求。通过在DFT测试模式下向目标老化板200发送目标数字激励数据，可以实现可控的、可量化的数字逻辑的激励，且效果与专用老化试验箱等同，但成本更低，适合批量老化筛选的应用场景。在DFT测试模式下向目标老化板200发送目标数字激励数据后切换至功能模式，并在功能模式下向目标老化板200发送目标模拟激励数据，使得目标老化板200在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验，可以充分体现功能老化方式贴近真实场景的优势，更能激发实际使用场景下电路中的薄弱点，老化试验效果更好。本发明实施例的集成电路老化试验装置将老化向量发生装置300设置在高温试验箱100外部，可以避免老化向量发生装置300在高温环境下工作寿命减少的问题，通过老化向量发生装置300控制目标老化板200的DFT测试模式和功能模式两种场景的切换从而进行分时激励，既能够保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留了功能老化方式贴近真实场景的优势。

[0117] 在本发明的一些实施例中，参考图3，老化向量发生装置300包括老化向量存储模块310、信号处理模块320、主控制器330和辅助控制模块340。

[0118] 老化向量存储模块310，用于存储目标数字激励数据；

[0119] 信号处理模块320，用于对模拟信号进行波形调整；

[0120] 主控制器330，用于响应于激励信号发送指令，从老化向量存储模块310中读取预先写入的目标数字激励数据并发送至目标老化板200；获取数据发送结束信号，数据发送结束信号用于指示目标数字激励数据已写入目标老化板200中；根据数据发送结束信号生成第一模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从DFT测试模式切换至功能模式；切换完成后经过信号处理模块320生成目标模拟激励数据并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200在功能模式下根据目标数字激励数据和目标模拟激励数据进行老化试验；

[0121] 辅助控制模块340，用于接收由目标老化板200实时反馈的老化试验结果数据。

[0122] 老化向量存储模块310可以采用容量合理的Flash存储芯片，主控制器330可以对Flash存储芯片进行擦除操作和编程操作，从而对Flash存储芯片中存储的目标数字激励数据进行替换、升级或修改，可以满足对数字激励的应用灵活性要求。Flash存储芯片的读取速率需要大于目标数字激励数据的发送速率，以保证目标数字激励数据的发送不间断。若Flash存储芯片的宽度低于目标数字激励数据一行的位宽，则需要多个Flash存储芯片，主控制器330需要顺序读取多个Flash存储芯片后进行拼接，再进行同步发送，那么每个Flash存储芯片的读取速率至少是目标数字激励数据的发送速率的N倍，其中，N为Flash存储芯片的数量。需要说明的是，老化向量存储模块310的具体选型需要根据实际需要进行选择，不能看作是对本发明的限定。

[0123] 主控制器330可以采用可编程逻辑器件，如FPGA，主控制器330的具体选型可以根据实际需要进行选择，不能看作是对本发明的限定。主控制器330可以接收上位机发送的目标数字激励数据并写入老化向量存储模块310，可对目标数字激励数据进行替换、升级或修改，从而满足对数字激励的应用灵活性要求。主控制器330还可以产生原始模拟激励信号（如方波信号），或者模拟信号的原始数据（如正弦波信号数据和三角波信号数据），再通过信号处理模块320进行频率、幅度等参数的调整或者转换，从而得到目标模拟激励数据。

[0124] 主控制器330还可以生成数据发送结束信号和功能模式超时信号。目标数字激励数据发送完成则生成数据发送结束信号，指示目标数字激励数据已写入完成。主控制器330设置一个预设时间阈值，若功能模式的运行时长超过预设时间阈值，则生成功能模式超时信号，表示功能模式结束信号的生成过程可能出现异常，此时目标老化板200已结束功能模式，可以防止目标老化板200软件挂死导致超时不响应不反馈功能模式结束信号，导致系统陷于功能模式无法跳出。

[0125] 主控制器330若接收到数据发送结束信号，则生成第一模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从DFT测试模式切换至功能模式，确保目标数字激励数据已发送完成后再进行的目标老化板200从DFT测试模式到功能模式的切换，不会出现故障。

[0126] 主控制器330若接收到功能模式超时信号或功能模式结束信号，生成第二模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从功能模式切换至DFT测试模式。只要接收到功能模式超时信号和功能模式结束信号中的任一一个，表示目标老化板200已结束功能模式，则生成第二模式切换信号并发送至目标老化板200，以使得目标老化板200从功能模式切换至DFT测试模式，便于进行下一轮向目标老化板200进行目标数字激励数据写入。

[0127] 当目标老化板200对模拟激励的精度要求不高时，可以通过主控制器330输出方波信号再由信号处理模块320进行频率、幅度等参数的调整后得到目标模拟激励数据。如果对频率、幅度等参数的调整范围和精度要求较高（即要求老化过程中，模拟信号的幅度、频率、甚至波形类型可以进行动态切换），则可利用专用的集成电路例如DDS(Direct Digital Synthesize)芯片实现相应的波形调整后得到目标模拟激励数据。需要说明的是，信号处理模块320的具体电路结构可以根据实际需要进行确定，只要能实现模拟信号的调整功能即可，在此不作限定。

[0128] 老化向量发生装置300还包括与辅助控制模块340电性连接的显示单元350，辅助控制模块340接收由目标老化板200实时反馈的老化试验结果数据后，每间隔预设的记录时长存储并通过显示单元350显示老化试验结果数据。老化试验结果数据可以存储在辅助控制模块340的微控制器内部或者外挂的非易失性存储器中，当有外部选择读取老化试验结果数据时，可将多个老化单元210的老化试验结果数据读取并显示。需要说明的是，辅助控制模块340的具体电路结构和型号在此不作限定，可根据实际情况选择。

[0129] 老化向量发生装置300还包括皆与主控制器330电性连接的通信接口360、外围电路370、调试接口380和主接口390。其中，通信接口360用于接收上位机发送的目标数字激励数据并写入老化向量存储模块310。外围电路370可以包括拨码、滑动变阻器、跳线等外围器件，用于对原始模拟激励信号的波形进行调节，不需要进行模拟激励时，可以用跳线直接关断，具体的外围电路370结构在此不作具体限定。调试接口380的作用为本领域技术人员可知的现有技术，在此不作赘述。主接口390通过IIC、CAN总线等与目标老化板200电性连接，用于与目标老化板200进行数据传输。外围电路370还可以包括按键，通过按键选择直接从老化向量存储模块310中读取目标数字激励数据并发送至目标老化板200，或者擦除老化向量存储模块310中的目标数字激励数据，并接收由上位机发送的目标数字激励数据重新写入老化向量存储模块310。在一些实施例中，擦除操作和/或编程操作出错时，可以通过LED显示故障状态。

[0130] 老化向量发生装置300控制目标老化板200的DFT测试模式和功能模式两种场景的切换从而进行分时激励，既能够保证DFT方式的可控、全面覆盖，又保留了功能老化方式贴近真实场景的优势，摆脱了高覆盖率要求下对专用老化试验箱的依赖，极大降低了做批量筛选时的设备要求，适合大范围的、生产性质的老化筛选应用，降低了成本，且对于同一类型的集成电路均适用。

[0131] 在本发明的一些实施例中，参考图2，集成电路老化试验装置还包括设于高温试验箱100外部的多个驱动模块400，多个驱动模块400的输入端皆与同一个老化向量发生装置300连接，输出端用于一一对应连接多个不同的目标老化板200，驱动模块400用于放大目标数字激励数据和目标模拟激励数据。驱动模块400可以放大目标数字激励数据和目标模拟激励数据，增强驱动能力。老化向量发生装置300与驱动模块400一对一或者一对多电性连接，整个集成电路老化试验装置以较少数量的老化向量发生装置300驱动较多数量的目标老化板200，尽可能减少高温试验箱100外部老化向量发生装置300的数量从而方便试验环境的快速搭建，便于生产性的筛选工作快速展开。需要说明的是，驱动模块400的数量由老化向量发生装置300上的输出接口数量决定，但有数量限制，具体数量根据实际情况确定，在此不作限定。需要说明的是，老化向量发生装置300、驱动模块400和目标老化板200的具体数量可以根据实际需要进行选择，不能看作是对本发明的限定。

[0132] 另外，本发明实施例的主控制器330包括：存储器、处理器及存储在存储器上并可在处理器上运行的计算机程序。处理器和存储器可以通过总线或者其他方式连接。

[0133] 存储器作为一种非暂态计算机可读存储介质，可用于存储非暂态软件程序以及非暂态性计算机可执行程序。此外，存储器可以包括高速随机存取存储器，还可以包括非暂态存储器，例如至少一个磁盘存储器件、闪存器件、或其他非暂态固态存储器件。在一些实施方式中，存储器可选包括相对于处理器远程设置的存储器，这些远程存储器可以通过网络连接至该处理器。上述网络的实例包括但不限于互联网、企业内部网、局域网、移动通信网及其组合。

[0134] 实现上述实施例的集成电路老化试验方法所需的非暂态软件程序以及指令存储在存储器中，当被处理器执行时，执行上述实施例中的集成电路老化试验方法。

[0135] 以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。

[0136] 此外，本发明第三方面实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质存储有计算机可执行指令，该计算机可执行指令被一个处理器或控制器执行，例如，被上述主控制器330的一个处理器执行，可使得上述处理器执行上述实施例中的集成电路老化试验方法。

[0137] 本领域普通技术人员可以理解，上文中所公开方法中的全部或某些步骤、系统可以被实施为软件、固件、硬件及其适当的组合。某些物理组件或所有物理组件可以被实施为由处理器，如中央处理器、数字信号处理器或微处理器执行的软件，或者被实施为硬件，或者被实施为集成电路，如专用集成电路。这样的软件可以分布在计算机可读介质上，计算机可读介质可以包括计算机存储介质（或非暂时性介质）和通信介质（或暂时性介质）。如本领域普通技术人员公知的，术语计算机存储介质包括在用于存储信息（诸如计算机可读指令、数据结构、程序模块或其他数据）的任何方法或技术中实施的易失性和非易失性、可移除和不可移除介质。计算机存储介质包括但不限于RAM、ROM、EEPROM、闪存或其他存储器技术、CD‑ROM、数字多功能盘（DVD）或其他光盘存储、磁盒、磁带、磁盘存储或其他磁存储装置、或者可以用于存储期望的信息并且可以被计算机访问的任何其他的介质。此外，本领域普通技术人员公知的是，通信介质通常包含计算机可读指令、数据结构、程序模块或者诸如载波或其他传输机制之类的调制数据信号中的其他数据，并且可包括任何信息递送介质。

[0138] 上面结合附图对本发明实施例作了详细说明，但本发明不限于上述实施例，在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。