一种20mm晶玉材料及其制备方法

摘要

本发明涉及人造石技术领域，尤其涉及一种20mm晶玉材料及其制备方法。本发明中以高白高岭土、高白钾长石、钠长石、石英粉、硅酸锆、熔块、氧化硼、氮化硅、碳化钽、助剂为原料制备的晶玉材料具有高透光率、高机械强度，同时晶玉材料润白、表现出玉质感，且底纹和面上的图案一致。

权利要求

1.一种20mm晶玉材料的制备方法，包括以下步骤：

步骤1：将坯体原料、色料、辅助剂、水混合均匀进行球磨，得到坯体层浆料；将坯体层浆料进行喷粉制成坯料；

步骤2：将上述坯料按照预设图案进行布料，然后经预辊压制成型，得到坯体层及布施在坯体层表面的图案层；

步骤3：将上述坯体层及布施在坯体层表面的图案层进行低温慢烘，得到生坯；

步骤4：将上述生坯煅烧，最后对正反面进行抛光，得到晶玉材料；

步骤3中所述低温慢烘的具体操作为：前段温度控制在120‑130℃，反应时间50‑55min；

后段温度控制在180‑200℃，干燥时间50‑55min；

步骤4中所述煅烧为将生坯在800‑900℃煅烧30‑40min，然后升温至1150‑1220℃煅烧

140‑170min；

所述坯体原料包括以下原料：高白高岭土、高白钾长石、高白霞石粉、石英粉、硅酸锆、熔块、氧化硼、氮化硅、碳化钽、助剂；

所述助剂由YbF3、CaF2、YMgSiNC纳米带按质量比1‑2:0.5‑1:3‑5混合而成；

所述辅助剂为三聚磷酸钠、硅烷偶联剂、聚丙烯酸、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或多种；

所述YMgSiNC纳米带的制备方法，包括以下步骤：

将3‑5重量份二氧化硅、1‑5重量份三聚氰胺、0.1‑1重量份氧化镁、1‑3重量份三氧化二钇、1‑2重量份镁粉混合均匀，然后加入0.1‑0.5重量份三聚磷酸钠、10‑30重量份无水乙醇置于球磨机中球磨2‑5h，球磨的转速为100‑500r/min，最后干燥、过100目筛，在20‑30MPa压制成型，在氮气气氛下，加热是600‑700℃煅烧1‑2h，然后以1‑10℃/min升温至1200‑1400℃煅烧3‑8h，得到YMgSiNC纳米带。

2.如权利要求1所述的20mm晶玉材料的制备方法，其特征在于：所述坯体原料的颗粒级配质量百分比如下：20目≤2%，30‑40目：5‑10%，60目：38‑80%，100目≤15%，100目以上<2%，各目数颗粒的质量百分比之和为100%。

3.如权利要求1所述的20mm晶玉材料的制备方法，其特征在于：其中色料占坯体原料总质量的1‑5%；辅助剂占坯体原料与色料总质量的0.5‑2%。

4.一种20mm晶玉材料，其特征在于：由权利要求1‑3中任一项所述的制备方法制备而成。

说明书

一种20mm晶玉材料及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明涉及人造石技术领域，尤其涉及一种20mm晶玉材料及其制备方法。

背景技术

[0002] 天然大理石是一种天然的中硬石材，被广泛应用于装修领域，但是天然大理石成本高让大多数消费者望而却步，因此人造通体岩被广泛生产、应用，可以根据人们的需要制备不同大小、不同花纹的通体岩，扩展其应用。

[0003] 传统的通体材料包括玻璃、聚合物、碱金属等材质制备而成，但这些材料键合强度弱、机械强度欠佳、化学稳定性差等问题同时烧成范围窄，需要采用两次烧成造成能耗大的问题，因此具有高强度、化学稳定性的通体材料被广泛研究。

[0004] CN114380625A公开了一种通体岩板及其制备方法，本发明提供的通体岩板从下至上依次包括坯体层、底釉层、面釉层、干粒层；所述干粒层通过喷干粒形成，所述干粒的施料2
量为180‑220g/m ，所述干粒的膨胀系数为230‑275/℃，所述干粒的粒度为100‑300目；本发明的技术方案提供的通体岩板添加了干粒层，使得制备得到的产品具有良好的流沙效果、优异的耐磨性和平整度，且防污等级高；另外，本发明还提供了所述通体岩板的制备方法，所述制备方法采用喷墨打印并施模具效果，使得制备得到的通体岩板具有高精密度的通体，并且操作简单、对设备要求少、制备效率高，利于大批量生产。虽然根据这些配方和方法制备出来的透光陶瓷砖具有一定的透光性，但存在陶瓷砖产品白度低、强度低或透光效果较差的问题，很难实现高白度、高强度和高透光率的特点。如现有的一些透光陶瓷砖虽然透光性好，但是强度低，陶瓷承重力低。

发明内容

[0005] 有鉴于现有技术的上述缺陷，本发明所要解决的技术问题是一种强度高、透光性好的20mm晶玉材料。

[0006] 为实现上述目的，本发明提供了一种20mm晶玉材料，其特征在于：包括：坯体层、布施在坯体表面的图案层；

[0007] 所述坯体层包括以下原料组成：坯体原料、色料、辅助剂、水。

[0008] 所述坯体原料包括以下重量份原料：10‑20重量份高白高岭土、1‑5重量份高白钾长石、1‑10重量份高白霞石粉、2‑6重量份石英粉、5‑20重量份硅酸锆、10‑20重量份熔块、1‑5重量份氧化硼、1‑10重量份氮化硅、1‑10重量份碳化钽、2‑10重量份助剂。

[0009] 所述坯体原料的颗粒级配质量百分比如下：20目≤2%，30‑40目：5‑10%，60目：38‑80%，100目≤15%，100目以上<2%。

[0010] 其中高白高岭土的含铁量均≤0.2%；所述高白钾长石、高白霞石粉的含铁量均≤0.1%。

[0011] 所述辅助剂为三聚磷酸钠、硅烷偶联剂、聚丙烯酸、聚乙烯醇缩丁醛中的一种或多种。

[0012] 色料根据实际需要进行选择；其中色料占坯体原料总质量的1‑5%；辅助剂占坯体原料与色料总质量的0.5‑2%；

[0013] 所述助剂为YbF3、CaF2、YMgSiNC纳米带中的一种或多种混合物；优选的，所述助剂由YbF3、CaF2、YMgSiNC纳米带按质量比1‑2:0.5‑1:3‑5混合而成。

[0014] 所述YMgSiNC纳米带的制备方法，包括以下步骤：

[0015] 将3‑5重量份二氧化硅、1‑5重量份三聚氰胺、0.1‑1重量份氧化镁、1‑3重量份三氧化二钇、1‑2重量份镁粉混合均匀，然后加入0.1‑0.5重量份三聚磷酸钠、10‑30重量份无水乙醇置于球磨机中球磨2‑5h，球磨的转速为100‑500r/min，最后干燥、过100目筛，在20‑30MPa压制成型，在氮气气氛下，加热是600‑700℃煅烧1‑2h，然后以1‑10℃/min升温至
1200‑1400℃煅烧3‑8h，得到YMgSiNC纳米带。

[0016] 本发明中引入YbF3、CaF2可以降低混合物的生成温度，降低液相粘度，增加材料扩散系数，从而使氮化硅、硅酸锆、碳化钽、氧化硼颗粒更加湿润，减少成核和生长的能量。YbF3相互作用改善晶玉材料的协助致密化，同时提高抗氧化性、机械性、透光率。但是CaF2在高温造成坯体过烧，窑炉温度难以控制，温度稍低时晶玉材料坯体透光率极差，温度稍高时易过烧形成蜂窝状，造成坯体破坏强度偏低。

[0017] 在上述基础上引入YMgSiNC纳米带可以提供Mg2+，从而降低硅酸盐玻璃的熔点。与氧化镁相比，在液相中没有引入额外的氧原子。YbF3、CaF2、YMgSiNC添加形成的液相对氮化硅、硅酸锆、碳化钽、氧化硼颗粒的相对密度有强烈的影响。YbF3、CaF2、YMgSiNC具有较高的加氧结合或脱氧能力，可以防止或减少氧原子向氮化硅晶格中的溶解，同时YbF3、CaF2、YMgSiNC的引入会在烧结过程中产生更广泛的液相，足够的液相有利于粒子的重排，从而促进了晶玉材料的致密化，降低坯体的气孔率，提高晶玉材料的致密度，进而改善透光率；YbF3、CaF2、YMgSiNC非氧化物质可以消除固有的二氧化硅和增加晶界相的N/O比抑制氧原子溶解到氮化硅晶格，从而提高晶玉材料的导热系数。

[0018] 本发明将坯体原料、色料通过辅助剂进行混合，提高浆料的均匀性、分体流动性及其坯体层的强度，减少有机物到气孔形成的促进作用，进一步减少气孔。

[0019] 本发明还公开一种20mm晶玉材料的制备方法。

[0020] 一种20mm晶玉材料的制备方法，包括以下步骤：

[0021] 步骤1：将坯体原料、色料、辅助剂、水混合均匀进行球磨，得到坯体层浆料；通过喷雾造粒塔喷粉将坯体层浆料制成坯料；

[0022] 步骤2：将上述坯料经数码布料机按照预设图案进行布料，然后采用辊压机经预辊压制成型，压力为90‑100MPa，得到坯体层及布施在坯体层表面的图案层；

[0023] 步骤3：将上述坯体层及布施在坯体层表面的图案层进行低温慢烘，得到生坯；

[0024] 其中步骤3中所述低温慢烘的具体操作为：前段温度控制在120‑130℃，反应时间50‑55min；后段温度控制在180‑200℃，干燥时间50‑55min；

[0025] 步骤4：将上述生坯在800‑900℃煅烧30‑40min，然后升温至1150‑1220℃煅烧140‑170min，最后对正反面进行抛光，得到晶玉材料，其中晶玉材料的厚度为20mm。

[0026] 步骤1中所述坯料的水分含量为10‑10.5%；

[0027] 步骤2中采用辊压机经预辊压制成型，保证顺畅排气，成型稳定。

[0028] 步骤3中采用低温慢烘的目的是保证水分的顺利排出；

[0029] 步骤4中煅烧的前期采用的低温，即800‑900℃煅烧；后期升温至1150‑1220℃煅烧，目的是保证排水顺利，氧化分解段拉长。

[0030] 步骤4中的升温速率为5‑10℃/min；

[0031] 本发明的有益效果：

[0032] 本发明中以高白高岭土、高白钾长石、高白霞石粉、石英粉、硅酸锆、熔块、氧化硼、氮化硅、碳化钽、助剂为原料制备的晶玉材料具有高透光率、高机械强度，同时晶玉材料润白、表现出玉质感，且底纹和面上的图案一致。

[0033] 本发明中引入助剂，YbF3、CaF2、YMgSiNC具有较高的加氧结合或脱氧能力，可以防止或减少氧原子向氮化硅晶格中的溶解，同时YbF3、CaF2、YMgSiNC的引入会在烧结过程中产生更广泛的液相，足够的液相有利于粒子的重排，从而促进了晶玉材料的致密化，降低坯体的气孔率，提高晶玉材料的致密度，进而改善透光率；YbF3、CaF2、YMgSiNC非氧化物质可以消除固有的二氧化硅和增加晶界相的N/O比抑制氧原子溶解到氮化硅晶格，从而提高晶玉材料的导热系数。

具体实施方式

[0034] 使用具体化学物质的参数，来源。

[0035] 高白高岭土，白度：88‑89%，购买自灵寿县远大云母厂。

[0036] 高白钾长石，白度：85%，购买自广西梧州市上林马督建材有限公司。

[0037] 高白霞石粉，白度为80‑95%，购买自灵寿县凯浩铭矿产品加工厂。

[0038] 实施例中所述熔块，由以下重量百分比原料组成：50%SiO2、22%Al2O3、8%CaO、1%MgO、2%K2O、10%Na2O、3.5%BaO、1%Li2O、1.5%P2O5、1%CaF2。

[0039] 聚乙烯醇缩丁醛，Butvar® B‑98，Mw=40000‑70000，购买自上海科拉曼试剂有限公司。实施例1

[0040] 一种20mm晶玉材料的制备方法，包括以下步骤：

[0041] 步骤1：将坯体原料、银灰色料、水混合均匀进行球磨，得到坯体层浆料；通过喷雾造粒塔喷粉将坯体层浆料制成坯料；其中所述坯料的水分含量为10%；

[0042] 步骤2：将上述坯料经数码布料机按照预设图案进行布料，然后采用辊压机经预辊压制成型，压力为100MPa，得到坯体层及布施在坯体层表面的图案层；

[0043] 步骤3：将上述坯体层及布施在坯体层表面的图案层进行低温慢烘，得到生坯；其中步骤3中所述低温慢烘的具体操作为：前段温度控制在125℃，反应时间55min；后段温度控制在190℃，干燥时间55min；

[0044] 步骤4：将上述生坯在900℃煅烧30min，然后以10℃/min速率升温至1200℃煅烧150min，最后对正反面进行抛光，得到晶玉材料，其中晶玉材料的厚度为20mm。

[0045] 所述坯体原料包括以下重量份原料：20重量份高白高岭土、5重量份高白钾长石、3重量份高白霞石粉、4重量份石英粉、15重量份硅酸锆、20重量份熔块、5重量份氧化硼、10重量份氮化硅、10重量份碳化钽。

[0046] 所述坯体原料的颗粒级配质量百分比如下：20目为2%，30‑40目为10%，60目为71%，100目为15%，100目以上2%。

[0047] 其中高白高岭土的含铁量均≤0.2%；所述高白钾长石、高白霞石粉的含铁量均≤0.1%。

[0048] 其中银灰色料占坯体原料总质量的3%；实施例2

[0049] 一种20mm晶玉材料的制备方法，包括以下步骤：

[0050] 步骤1：将坯体原料、银灰色料、辅助剂、水混合均匀进行球磨，得到坯体层浆料；通过喷雾造粒塔喷粉将坯体层浆料制成坯料；其中所述坯料的水分含量为10%；

[0051] 步骤2：将上述坯料经数码布料机按照预设图案进行布料，然后采用辊压机经预辊压制成型，压力为100MPa，得到坯体层及布施在坯体层表面的图案层；

[0052] 步骤3：将上述坯体层及布施在坯体层表面的图案层进行低温慢烘，得到生坯；其中步骤3中所述低温慢烘的具体操作为：前段温度控制在125℃，反应时间55min；后段温度控制在190℃，干燥时间55min；

[0053] 步骤4：将上述生坯在900℃煅烧30min，然后以10℃/min速率升温至1200℃煅烧150min，最后对正反面进行抛光，得到晶玉材料，其中晶玉材料的厚度为20mm。

[0054] 所述坯体原料包括以下重量份原料：20重量份高白高岭土、5重量份高白钾长石、3重量份高白霞石粉、4重量份石英粉、15重量份硅酸锆、20重量份熔块、5重量份氧化硼、10重量份氮化硅、10重量份碳化钽。

[0055] 所述坯体原料的颗粒级配质量百分比如下：20目为2%，30‑40目为10%，60目为71%，100目为15%，100目以上2%。

[0056] 其中高白高岭土的含铁量均≤0.2%；所述高白钾长石、高白霞石粉的含铁量均≤0.1%。

[0057] 所述辅助剂由γ‑(2,3‑环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、聚乙烯醇缩丁醛按质量比1:3混合而成。

[0058] 其中银灰色料占坯体原料总质量的3%；辅助剂占坯体原料与银灰色料总质量的2%；
实施例3

[0059] 一种20mm晶玉材料的制备方法，包括以下步骤：

[0060] 步骤1：将坯体原料、银灰色料、辅助剂、水混合均匀进行球磨，得到坯体层浆料；通过喷雾造粒塔喷粉将坯体层浆料制成坯料；其中所述坯料的水分含量为10%；

[0061] 步骤2：将上述坯料经数码布料机按照预设图案进行布料，然后采用辊压机经预辊压制成型，压力为100MPa，得到坯体层及布施在坯体层表面的图案层；

[0062] 步骤3：将上述坯体层及布施在坯体层表面的图案层进行低温慢烘，得到生坯；其中步骤3中所述低温慢烘的具体操作为：前段温度控制在125℃，反应时间55min；后段温度控制在190℃，干燥时间55min；

[0063] 步骤4：将上述生坯在900℃煅烧30min，然后以10℃/min速率升温至1200℃煅烧150min，最后对正反面进行抛光，得到晶玉材料，其中晶玉材料的厚度为20mm。

[0064] 所述坯体原料包括以下重量份原料：20重量份高白高岭土、5重量份高白钾长石、3重量份高白霞石粉、4重量份石英粉、15重量份硅酸锆、20重量份熔块、5重量份氧化硼、10重量份氮化硅、10重量份碳化钽、8重量份助剂。

[0065] 所述坯体原料的颗粒级配质量百分比如下：20目为2%，30‑40目为10%，60目为71%，100目为15%，100目以上2%。

[0066] 其中高白高岭土的含铁量均≤0.2%；所述高白钾长石、高白霞石粉的含铁量均≤0.1%。

[0067] 所述辅助剂由γ‑(2,3‑环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、聚乙烯醇缩丁醛按质量比1:3混合而成。

[0068] 其中银灰色料占坯体原料总质量的3%；辅助剂占坯体原料与银灰色料总质量的2%；

[0069] 所述助剂由YbF3、CaF2纳米带按质量比1:0.5混合而成。实施例4

[0070] 一种20mm晶玉材料的制备方法，包括以下步骤：

[0071] 步骤1：将坯体原料、银灰色料、辅助剂、水混合均匀进行球磨，得到坯体层浆料；通过喷雾造粒塔喷粉将坯体层浆料制成坯料；其中所述坯料的水分含量为10%；

[0072] 步骤2：将上述坯料经数码布料机按照预设图案进行布料，然后采用辊压机经预辊压制成型，压力为100MPa，得到坯体层及布施在坯体层表面的图案层；

[0073] 步骤3：将上述坯体层及布施在坯体层表面的图案层进行低温慢烘，得到生坯；其中步骤3中所述低温慢烘的具体操作为：前段温度控制在125℃，反应时间55min；后段温度控制在190℃，干燥时间55min；

[0074] 步骤4：将上述生坯在900℃煅烧30min，然后以10℃/min速率升温至1200℃煅烧150min，最后对正反面进行抛光，得到晶玉材料，其中晶玉材料的厚度为20mm。

[0075] 所述坯体原料包括以下重量份原料：20重量份高白高岭土、5重量份高白钾长石、3重量份高白霞石粉、4重量份石英粉、15重量份硅酸锆、20重量份熔块、5重量份氧化硼、10重量份氮化硅、10重量份碳化钽、8重量份助剂。

[0076] 所述坯体原料的颗粒级配质量百分比如下：20目为2%，30‑40目为10%，60目为71%，100目为15%，100目以上2%。

[0077] 其中高白高岭土的含铁量均≤0.2%；所述高白钾长石、高白霞石粉的含铁量均≤0.1%。

[0078] 所述辅助剂由γ‑(2,3‑环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、聚乙烯醇缩丁醛按质量比1:3混合而成。

[0079] 其中银灰色料占坯体原料总质量的3%；辅助剂占坯体原料与银灰色料总质量的2%；

[0080] 所述助剂由CaF2、YMgSiNC纳米带按质量比1.5:4混合而成。

[0081] 所述YMgSiNC纳米带的制备方法，包括以下步骤：

[0082] 将5重量份二氧化硅、5重量份三聚氰胺、1重量份氧化镁、3重量份三氧化二钇、2重量份镁粉混合均匀，然后加入0.5重量份三聚磷酸钠、30重量份无水乙醇置于球磨机中球磨3h，球磨的转速为300r/min，最后干燥、过100目筛，在25MPa压制成型，在氮气气氛下，加热是650℃煅烧2h，然后以10℃/min升温至1400℃煅烧6h，得到YMgSiNC纳米带。
实施例5

[0083] 一种20mm晶玉材料的制备方法，包括以下步骤：

[0084] 步骤1：将坯体原料、银灰色料、辅助剂、水混合均匀进行球磨，得到坯体层浆料；通过喷雾造粒塔喷粉将坯体层浆料制成坯料；其中所述坯料的水分含量为10%；

[0085] 步骤2：将上述坯料经数码布料机按照预设图案进行布料，然后采用辊压机经预辊压制成型，压力为100MPa，得到坯体层及布施在坯体层表面的图案层；

[0086] 步骤3：将上述坯体层及布施在坯体层表面的图案层进行低温慢烘，得到生坯；其中步骤3中所述低温慢烘的具体操作为：前段温度控制在125℃，反应时间55min；后段温度控制在190℃，干燥时间55min；

[0087] 步骤4：将上述生坯在900℃煅烧30min，然后以10℃/min速率升温至1200℃煅烧150min，最后对正反面进行抛光，得到晶玉材料，其中晶玉材料的厚度为20mm。

[0088] 所述坯体原料包括以下重量份原料：20重量份高白高岭土、5重量份高白钾长石、3重量份高白霞石粉、4重量份石英粉、15重量份硅酸锆、20重量份熔块、5重量份氧化硼、10重量份氮化硅、10重量份碳化钽、8重量份助剂。

[0089] 所述坯体原料的颗粒级配质量百分比如下：20目为2%，30‑40目为10%，60目为71%，100目为15%，100目以上2%。

[0090] 其中高白高岭土的含铁量均≤0.2%；所述高白钾长石、高白霞石粉的含铁量均≤0.1%。

[0091] 所述辅助剂由γ‑(2,3‑环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、聚乙烯醇缩丁醛按质量比1:3混合而成。

[0092] 其中银灰色料占坯体原料总质量的3%；辅助剂占坯体原料与银灰色料总质量的2%；

[0093] 所述助剂由YbF3、YMgSiNC纳米带按质量比1.5:4混合而成。

[0094] 所述YMgSiNC纳米带的制备方法，包括以下步骤：

[0095] 将5重量份二氧化硅、5重量份三聚氰胺、1重量份氧化镁、3重量份三氧化二钇、2重量份镁粉混合均匀，然后加入0.5重量份三聚磷酸钠、30重量份无水乙醇置于球磨机中球磨3h，球磨的转速为300r/min，最后干燥、过100目筛，在25MPa压制成型，在氮气气氛下，加热是650℃煅烧2h，然后以10℃/min升温至1400℃煅烧6h，得到YMgSiNC纳米带。
实施例6

[0096] 一种20mm晶玉材料的制备方法，包括以下步骤：

[0097] 步骤1：将坯体原料、银灰色料、辅助剂、水混合均匀进行球磨，得到坯体层浆料；通过喷雾造粒塔喷粉将坯体层浆料制成坯料；其中所述坯料的水分含量为10%；

[0098] 步骤2：将上述坯料经数码布料机按照预设图案进行布料，然后采用辊压机经预辊压制成型，压力为100MPa，得到坯体层及布施在坯体层表面的图案层；

[0099] 步骤3：将上述坯体层及布施在坯体层表面的图案层进行低温慢烘，得到生坯；

[0100] 其中步骤3中所述低温慢烘的具体操作为：前段温度控制在125℃，反应时间55min；后段温度控制在190℃，干燥时间55min；

[0101] 步骤4：将上述生坯在900℃煅烧30min，然后以10℃/min速率升温至1200℃煅烧150min，最后对正反面进行抛光，得到晶玉材料，其中晶玉材料的厚度为20mm。

[0102] 所述坯体原料包括以下重量份原料：20重量份高白高岭土、5重量份高白钾长石、3重量份高白霞石粉、4重量份石英粉、15重量份硅酸锆、20重量份熔块、5重量份氧化硼、10重量份氮化硅、10重量份碳化钽、8重量份助剂。

[0103] 所述坯体原料的颗粒级配质量百分比如下：20目为2%，30‑40目为10%，60目为71%，100目为15%，100目以上2%。

[0104] 其中高白高岭土的含铁量均≤0.2%；所述高白钾长石、高白霞石粉的含铁量均≤0.1%。

[0105] 所述辅助剂由γ‑(2,3‑环氧丙氧基)丙基三甲氧基硅烷、聚乙烯醇缩丁醛按质量比1:3混合而成。

[0106] 其中银灰色料占坯体原料质量的3%；辅助剂占坯体原料与银灰色料总质量的2%；

[0107] 所述助剂由YbF3、CaF2、YMgSiNC纳米带按质量比1:0.5:4混合而成。

[0108] 所述YMgSiNC纳米带的制备方法，包括以下步骤：

[0109] 将5重量份二氧化硅、5重量份三聚氰胺、1重量份氧化镁、3重量份三氧化二钇、2重量份镁粉混合均匀，然后加入0.5重量份三聚磷酸钠、30重量份无水乙醇置于球磨机中球磨3h，球磨的转速为300r/min，最后干燥、过100目筛，在25MPa压制成型，在氮气气氛下，加热是650℃煅烧2h，然后以10℃/min升温至1400℃煅烧6h，得到YMgSiNC纳米带。
测试例1

[0110] 抗弯强度测试：参照GB/T 4741‑1999《陶瓷材料抗弯强度试验方法》中的方法及步骤进行对各实施例得到的晶玉材料进行抗弯强度测试。其中试样为长120mm，宽厚比为1：1的长方体试样，每组准备10根。测试结果取算术平均值作为该试样的抗弯强度值，数据修约到0.1MPa。

[0111] 表1 20mm晶玉材料的抗弯强度测试结果

[0112]抗弯强度（MPa）
实施例1 34.7
实施例2 37.9
实施例3 40.5
实施例4 42.8
实施例5 44.2
实施例6 46.6

[0113] 实施例6制备的20mm晶玉材料具有良好的抗弯强度，其可能的原因是：本发明中引入YbF3、CaF2可以降低混合物的生成温度，降低液相粘度，增加材料扩散系数，从而使氮化硅、硅酸锆、碳化钽、氧化硼颗粒更加湿润，减少成核和生长的能量。YbF3相互作用改善晶玉材料的协助致密化，同时提高抗氧化性、机械性、透光率。但是CaF2在高温造成坯体过烧，窑炉温度难以控制，温度稍低时晶玉材料坯体透光率极差，温度稍高时易过烧形成蜂窝状，造成坯体破坏强度偏低。

[0114] 在上述基础上引入YMgSiNC纳米带可以提供Mg2+，从而降低硅酸盐玻璃的熔点。与氧化镁相比，在液相中没有引入额外的氧原子。YbF3、CaF2、YMgSiNC添加形成的液相对氮化硅、硅酸锆、碳化钽、氧化硼颗粒的相对密度有强烈的影响。YbF3、CaF2、YMgSiNC具有较高的加氧结合或脱氧能力，可以防止或减少氧原子向氮化硅晶格中的溶解，同时YbF3、CaF2、YMgSiNC的引入会在烧结过程中产生更广泛的液相，足够的液相有利于粒子的重排，从而促进了晶玉材料的致密化，降低坯体的气孔率，提高晶玉材料的致密度，进而改善透光率；YbF3、CaF2、YMgSiNC非氧化物质可以消除固有的二氧化硅和增加晶界相的N/O比抑制氧原子溶解到氮化硅晶格，从而提高晶玉材料的导热系数。

[0115] 本发明将坯体原料、色料通过辅助剂进行混合，提高浆料的均匀性、分体流动性及其坯体层的强度，减少有机物到气孔形成的促进作用，进一步减少气孔。

[0116] 测试例2

[0117] 20mm晶玉材料的白度测试参照推荐性行业标准QB/T 1503‑2011《日用陶瓷吧白度测定方法》中的方法及步骤进行。每实施例准备符合标准的试样3件，试样平整面大小满足仪器探头的测定要求。试样待测面为无彩饰的白色部分，表面清洁、平整、无裂纹及其他伤痕。

[0118] 表2 20mm晶玉材料的白度测试结果

[0119] 白度实施例1 61
实施例2 65
实施例3 72
实施例4 74
实施例5 77
实施例6 80

[0120] 根据陶瓷白度等级分类，白度≥75的为优等品，70≤白度＜75的为一等品，白度＜70的为合格品。本申请制备的20mm晶玉材料的白度均达到了优等品的水平。

[0121] 测试例3

[0122] 热稳定性测试：分别取各实施例制备的晶玉材料5块作为试样，置于250℃条件下保温360分钟，保温结束后取出试样并进行核算，在15s内急速投入温度为24℃的水中浸泡10分钟，其中，水的重量与试样重量之比为10：1，取出试样用布揩干，涂上红色墨水，检查有无裂纹，24h后再复查一次，产生裂纹越少，试样的热稳定性越好。

[0123] 表3 20mm晶玉材料的热稳定性测试结果

[0124]热稳定性
实施例1 3块有裂纹
实施例2 1块有裂纹
实施例3 无裂纹
实施例4 无裂纹
实施例5 无裂纹
实施例6 无裂纹

[0125] 本发明中以高白高岭土、高白钾长石、高白霞石粉、石英粉、硅酸锆、熔块、氧化硼、氮化硅、碳化钽、助剂为原料制备的晶玉材料具有高透光率、高机械强度，同时晶玉材料润白、表现出玉质感，且底纹和面上的图案一致。