湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质

摘要

本申请涉及一种湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质，方法包括：获取当前批次的晶圆的片数，判断其是否等于满批片数；若是：在存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制晶圆匹配模块将两批满批片数晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置；在不存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制控片匹配模块将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理；反之：则控制控片匹配模块将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理。上述湿法刻蚀方法能够改善刻蚀系统整体的刻蚀速率以及刻蚀均匀性，提高半导体产品的良率并降低重工率。

权利要求

1.一种湿法刻蚀方法，其特征在于，包括：

获取当前批次的晶圆的片数，判断其是否等于满批片数；

若是：在存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制晶圆匹配模块将两批满批片数晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置；在不存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制控片匹配模块将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置；

反之：则控制控片匹配模块将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得非满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置。

2.根据权利要求1所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，每批所述控片的片数大于等于每批所述晶圆的片数。

3.根据权利要求2所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述满批片数包括25片；所述非满批片数包括小于25片大于0片。

4.根据权利要求2所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在对所述当前批次的晶圆匹配处理后，还包括：控制传输模块将匹配处理后的晶圆传送进湿法刻蚀机台。

5.根据权利要求1‑4任一项所述的湿法刻蚀方法，其特征在于，在所述当前批次的晶圆的片数等于满批片数，且不存在另一满批片数晶圆以及满批片数控片的情况下，则控制传输模块将所述当前批次的晶圆传送进湿法刻蚀机台。

6.一种湿法刻蚀装置，其特征在于，包括：

控制模块，用于获取当前批次的晶圆的片数，判断其是否等于满批片数，若是：在存在另一满批片数晶圆的情况下，生成第一控制指令，在不存在另一满批片数晶圆的情况下，生成第二控制指令；反之：生成第三控制指令；

晶圆匹配模块，与所述控制模块相连，用于响应于第一控制指令，将两批满批片数晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置；

控片匹配模块，与所述控制模块相连，用于响应于第二控制指令，将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置；以及用于响应于第三控制指令，将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得非满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置。

7.根据权利要求6所述的湿法刻蚀装置，其特征在于，还包括：

传输模块，与所述晶圆匹配模块以及所述控片匹配模块均相连，用于在对所述当前批次的晶圆匹配处理后，将匹配处理后的晶圆传送进湿法刻蚀机台。

8.一种湿法刻蚀系统，其特征在于，包括：

湿法刻蚀机台，与传输模块相连，用于对晶圆进行湿法刻蚀；以及

权利要求6‑7任一项所述的湿法刻蚀装置，与所述湿法刻蚀机台相连。

9.一种计算机设备，包括存储器和处理器，所述存储器存储有计算机程序，其特征在于，所述处理器执行所述计算机程序时实现权利要求1至5任一项所述的湿法刻蚀方法的步骤。

10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1至5任一项所述的湿法刻蚀方法的步骤。

说明书

湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质。

背景技术

[0002] 湿法刻蚀是一种刻蚀方法，是将待刻蚀材料，例如晶圆，浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。湿法刻蚀基本可分为三个步骤：首先，腐蚀液中的反应物扩散到晶圆刻蚀面的表面；其次，反应物与晶圆刻蚀面反应；然后，反应后的产物从刻蚀面扩散到溶液中，并随溶液排出。

[0003] 然而，湿法刻蚀的过程中很可能出现刻蚀不均匀的问题，且反应槽内晶圆的片数以及批数也会影响刻蚀效果以及刻蚀设备的效率。因此，亟需提供一种湿法刻蚀方法以及装置，以提高晶圆的刻蚀均匀性并提高设备的刻蚀效率。

发明内容

[0004] 基于此，有必要针对上述背景技术中的问题，提供一种湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质，以提高湿法刻蚀的均匀性以及刻蚀效率。

[0005] 为实现上述目的及其他相关目的，本申请的一方面提供了一种湿法刻蚀方法，包括：获取当前批次的晶圆的片数，判断其是否等于满批片数；若是：在存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制晶圆匹配模块将两批满批片数晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置；在不存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制控片匹配模块将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置；反之：则控制控片匹配模块将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得非满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置。

[0006] 于上述湿法刻蚀方法中，控制晶圆匹配模块将两批满批片数晶圆匹配处理，或控制控片匹配模块将晶圆与满批片数控片匹配处理，能够使得当前批次晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片或晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置，以提高刻蚀均匀性并提高刻蚀机台的刻蚀效率。在普遍采用的刻蚀方法中，刻蚀前的准备步骤通常要将当前批次的晶圆与另一批次的晶圆进行人工匹配，或将当前批次的晶圆与满批片数的控片进行人工匹配，其中，满批片数的控片需要进行人工筛选，且此过程繁杂、耗时长。与普遍采用的刻蚀方法相比，本申请提供的湿法刻蚀方法无需等待双批晶圆到站才可进行匹配，且将当前批次的晶圆与另一批次的晶圆匹配或与控片匹配的判断及选择过程简单化，将控片的片数控制成每批相同且为满批片数的步骤省略，以提高刻蚀系统整体的刻蚀速率及产品的良率。

[0007] 在其中一些实施例中，每批控片的片数大于等于每批晶圆的片数。

[0008] 在其中一些实施例中，满批片数包括25片；非满批片数包括小于25片大于0片。

[0009] 在其中一些实施例中，在对当前批次的晶圆匹配处理后，湿法刻蚀方法还包括：控制传输模块将匹配处理后的晶圆传送进湿法刻蚀机台。

[0010] 在其中一些实施例中，在当前批次的晶圆的片数等于满批片数，且不存在另一满批片数晶圆以及满批片数控片的情况下，则控制传输模块将当前批次的晶圆传送进湿法刻蚀机台。

[0011] 本申请的另一方面提供一种湿法刻蚀装置，包括控制模块、晶圆匹配模块以及控片匹配模块。其中，控制模块用于获取当前批次的晶圆的片数，判断其是否等于满批片数，若是：在存在另一满批片数晶圆的情况下，生成第一控制指令，在不存在另一满批片数晶圆的情况下，生成第二控制指令；反之：生成第三控制指令；晶圆匹配模块与控制模块相连，用于响应于第一控制指令，将两批满批片数晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置；控片匹配模块与控制模块相连，用于响应于第二控制指令，将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置；以及用于响应于第三控制指令，将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得非满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置。

[0012] 于上述湿法刻蚀装置中，控制模块根据到站晶圆的不同情况生成第一控制指令、第二控制指令及第三控制指令，晶圆匹配模块响应于第一控制指令，控片匹配模块响应于第二控制指令以及第三控制指令，将两批满批片数晶圆匹配处理，或将晶圆与满批片数控片匹配处理，以改善普遍采用的刻蚀方法中步骤繁杂、耗时长的工艺问题，提高刻蚀均匀性并提高刻蚀机台的刻蚀效率。

[0013] 在其中一些实施例中，湿法刻蚀装置还包括传输模块。其中，传输模块与晶圆匹配模块以及控片匹配模块均相连，用于在对当前批次的晶圆匹配处理后，将匹配处理后的晶圆传送进湿法刻蚀机台。

[0014] 本申请的再一方面提供一种湿法刻蚀系统，包括湿法刻蚀机台以及本申请实施例中任一项所述的湿法刻蚀装置。其中，湿法刻蚀机台与传输模块相连，用于对晶圆进行湿法刻蚀；湿法刻蚀装置与湿法刻蚀机台相连。

[0015] 于上述湿法刻蚀系统中，通过采用湿法刻蚀机台以及本申请实施例中任一项所述的湿法刻蚀装置，将当前批次的晶圆与另一批次的晶圆匹配或与控片匹配的判断及选择过程简单化，并节省步骤，以改善刻蚀系统整体的刻蚀速率以及刻蚀均匀性，提高半导体产品的良率并降低重工率。

[0016] 本申请的又一方面提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本申请实施例中任一项所述的湿法刻蚀方法的步骤。

[0017] 本申请的还一方面提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本申请实施例中任一项所述的湿法刻蚀方法的步骤。

附图说明

[0018] 为了更好地描述和说明这里公开的那些申请的实施例和/或示例，可以参考一幅或多幅附图。用于描述附图的附加细节或示例不应当被认为是对所公开的申请、目前描述的实施例和/或示例以及目前理解的这些申请的最佳模式中的任何一者的范围的限制。

[0019] 图1a显示为本申请一实施例中提供的一种湿法刻蚀机台中反应槽工作时的截面示意图；

[0020] 图1b显示为本申请一实施例中提供的图1a中刻蚀完成后晶圆刻蚀量与不同位置晶圆关系的柱状示意图；

[0021] 图2a显示为本申请另一实施例中提供的一种湿法刻蚀机台中反应槽工作时的截面示意图；

[0022] 图2b显示为本申请另一实施例中提供的图2a中刻蚀完成后晶圆刻蚀量与不同位置晶圆关系的柱状示意图；

[0023] 图3显示为本申请一实施例中提供的一种湿法刻蚀方法的各步骤流程示意图；

[0024] 图4显示为本申请一实施例中提供的一种湿法刻蚀装置的连接关系示意图；

[0025] 图5显示为本申请另一实施例中提供的一种湿法刻蚀装置的连接关系示意图。

[0026] 附图标记说明：

[0027] 10、晶圆架；11、晶圆；12、控片；13、反应槽；20、控制模块；30、晶圆匹配模块；40、控片匹配模块；50、传输模块；60、湿法刻蚀机台。

具体实施方式

[0028] 为了便于理解本申请，下面将参考相关附图对本申请进行更全面的描述。附图中给出了本申请的首选实施例。但是，本申请可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本申请的公开内容更加透彻全面。

[0029] 除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本申请的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本申请的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本申请。本文所使用的术语“及／或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。

[0030] 应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、 第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。

[0031] 空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

[0032] 在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

[0033] 这里参考作为本申请的理想实施例(和中间结构)的示意图的横截面图来描述申请的实施例。这样，可以预期由于例如制造技术和/或容差导致的从所示形状的变化。因此，本申请的实施例不应当局限于在此所示的区的特定形状，而是包括由于例如制造导致的形状偏差，图中显示的区实质上是示意性的，它们的形状并不意图显示器件的区的实际形状且并不意图限定本申请的范围。

[0034] 请参阅图1a‑图5。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本申请的基本构想，虽图示中仅显示与本申请中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

[0035] 湿法刻蚀是一种工艺简便、设备简单以及选择比好的刻蚀方法，是将待刻蚀材料，例如晶圆，浸泡在腐蚀液内进行腐蚀的技术。湿法刻蚀基本可分为三个步骤：首先，腐蚀液中的反应物扩散到晶圆刻蚀面的表面；其次，反应物与晶圆刻蚀面反应；然后，反应后的产物从刻蚀面扩散到溶液中，并随溶液排出。目前，湿法刻蚀一般被用于工艺流程前面的晶圆片准备、清洗等环节。

[0036] 请参阅图1a‑图1b，湿法刻蚀设备中一个反应槽内最多可同时刻蚀两个满批片数的晶圆，当生产线上传送过来的晶圆达不到两批或每批达不到满批片数时,晶圆在反应槽内工艺可能产生因流场差异产生刻蚀不均匀的问题。图1a为当前批次晶圆进入反应槽13进行刻蚀的示意图，此时离晶圆架10侧壁距离最远的一片晶圆11的刻蚀面离反应槽13的侧壁距离较大，在刻蚀时水置换酸的速度更快，使得酸对晶圆11的刻蚀量较小，导致不同位置晶圆11的刻蚀量不同，产品质量参差不齐。图1b中统计了离晶圆架10侧壁最近的第一片晶圆以及离晶圆架10侧壁最远的一片晶圆的刻蚀量，离晶圆架10侧壁最近的第一片晶圆大概为611A，离晶圆架10侧壁最远的一片晶圆的刻蚀量大概为607A，由此可知，上述两片晶圆的刻蚀量差异较大，使得当前批次晶圆的刻蚀均匀性较差，甚至会导致重工。因此，仅单批晶圆在反应槽内刻蚀会使刻蚀均匀性变差且降低刻蚀机台的产能。

[0037] 请参阅图2a‑图2b，现有技术对于上述问题的改进方法为：将当前批次的晶圆与另一批次的满批片数晶圆或满批片数控片匹配后才进入刻蚀机台，使得当前批次的晶圆中每一片都有与其刻蚀面相对并相邻的晶圆或控片，以提高刻蚀的均匀性。在图2a中，将当前批次的晶圆与控片12匹配处理，使得每一片晶圆的刻蚀面都有与其相邻且刻蚀面相对的控片12，因此，离晶圆架10侧壁距离最远的一片晶圆11有与其相邻且刻蚀面相对的控片12，且其他晶圆也有与其相邻且刻蚀面相对的控片12，减小了酸槽以及水槽的流场差异。图2b中统计了离晶圆架10侧壁最近的第一片晶圆以及离晶圆架10侧壁最远的一片晶圆的刻蚀量，离晶圆架10侧壁最近的第一片晶圆与离晶圆架10侧壁最远的一片晶圆的刻蚀量均为611A，由此可知，均匀性有所增加。

[0038] 然而，上述改进的刻蚀方法存在以下问题：车间生产管理通常需等待双批产品到站点才可进行人工匹配处理；将当前批次的晶圆与另一批次的晶圆匹配或与控片匹配的判断及选择逻辑繁琐；将控片的片数控制成每批相同且为满批片数的步骤复杂且不够智能化、准确性低；刻蚀系统整体的刻蚀速率低且产品良率较低。

[0039] 基于上述技术问题，本申请提供一种湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质，以提高湿法刻蚀的均匀性以及刻蚀效率。

[0040] 请参阅图3，本申请提供了一种湿法刻蚀方法，包括：

[0041] 步骤S21：获取当前批次的晶圆的片数，判断其是否等于满批片数；

[0042] 步骤S22a：若是：在存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制晶圆匹配模块将两批满批片数晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置；

[0043] 步骤S22b：在不存在另一满批片数晶圆的情况下，则控制控片匹配模块将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置；

[0044] 步骤S22c：反之：则控制控片匹配模块将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得非满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置。

[0045] 在步骤S22a中，请参阅图3中的步骤S22a，晶圆匹配模块内置满批片数的晶圆，当接收到控制模块生成的第一控制指令时，晶圆匹配模块将当前批次的满批片数晶圆与内置的另一满批片数的晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置，此时当前批次晶圆的片数等于晶圆匹配模块内另一批次晶圆的片数，保证每片晶圆的刻蚀面都有与其相邻且相对的表面，以减慢刻蚀时水置换酸的速度，使得晶圆的刻蚀面被充分刻蚀，提高刻蚀的均匀性，且晶圆匹配模块能够根据第一控制指令自动匹配两批晶圆，提高匹配效率以及匹配的准确性。

[0046] 在步骤S22b及S22c中，请参阅图3中的步骤S22b及S22c，控片匹配模块内置若干批次满批片数的控片，当接收到控制模块生成的第二控制指令或第三控制指令时，自动将当前批次的晶圆与内置的一批控片匹配处理，使得当前批次晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置，节省了选择满批控片的时间及步骤，并节省了选择将当前批次晶圆匹配晶圆或控片的步骤，以及能够自动将当前批次的晶圆与满批片数的控片进行匹配，提高了匹配的准确性以及效率，从而提高了半导体产品的良率。

[0047] 于上述湿法刻蚀方法中，控制晶圆匹配模块将两批满批片数晶圆匹配处理，或控制控片匹配模块将晶圆与满批片数控片匹配处理，能够使得当前批次晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片或晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置，以提高刻蚀均匀性并提高刻蚀机台的刻蚀效率。在普遍采用的刻蚀方法中，刻蚀前的准备步骤通常要将当前批次的晶圆与另一批次的晶圆进行人工匹配，或将当前批次的晶圆与满批片数的控片进行人工匹配，其中，满批片数的控片需要进行人工筛选，且此过程繁杂、耗时长。与普遍采用的刻蚀方法相比，本申请提供的湿法刻蚀方法无需等待两批晶圆到站才可进行匹配，且将当前批次的晶圆与另一批次的晶圆匹配或与控片匹配的判断及选择过程简单化，将控片的片数控制成每批相同且为满批片数的步骤省略，以提高刻蚀系统整体的刻蚀速率及产品的良率。

[0048] 作为示例，每批控片的片数大于等于每批晶圆的片数。其中，当前批次的晶圆分为满批片数晶圆与非满批片数晶圆，晶圆匹配模块中的每批晶圆为满批片数的晶圆，控片匹配模块中的每批控片为满批片数的控片。因此，控片均为满批片数，而晶圆存在非满批片数，因此，需保证每批控片的片数大于等于每批晶圆的片数。

[0049] 作为示例，满批片数包括25片；非满批片数包括小于25片大于0片，具体地，满批片数的晶圆可以为25片，满批片数的控片可以为25片，非满批片数的晶圆可以为1片、5片、10片、15片、20片或24片。

[0050] 作为示例，在对当前批次的晶圆匹配处理后，湿法刻蚀方法还包括：

[0051] 步骤S3：控制传输模块将匹配处理后的晶圆传送进湿法刻蚀机台。

[0052] 作为示例，在步骤S3中，步骤S22a、步骤S22b及步骤S22c中匹配处理完成的晶圆或控片进入传输模块，当湿法刻蚀机台完成上一批次的晶圆刻蚀后，传输模块将当前批次匹配处理后的晶圆传送进湿法刻蚀机台进行刻蚀，由于本申请采用的湿法刻蚀方法能够自动控制、匹配以及传输晶圆，节省了晶圆在进入湿法刻蚀机台前准备的时间，能够保证湿法刻蚀机台刻蚀工艺的稳定性并提高其产能。

[0053] 作为示例，湿法刻蚀方法还包括：

[0054] 步骤S22d：在当前批次的晶圆的片数等于满批片数，且不存在另一满批片数晶圆以及满批片数控片的情况下，则控制传输模块将当前批次的晶圆传送进湿法刻蚀机台。

[0055] 在步骤S22d中，当晶圆匹配模块中内置的满批片数晶圆被匹配完，还没有补充时，控制模块可以控制当前批次的满批片数晶圆直接被送进湿法刻蚀机台进行刻蚀，以减少刻蚀前的等待时间，提高刻蚀的整体效率，并避免后续批次等待匹配的晶圆出现堵塞现象，以保证工艺的平稳推进。

[0056] 请参阅图4，本申请提供一种湿法刻蚀装置，包括控制模块20、晶圆匹配模块30以及控片匹配模块40。其中，控制模块20用于获取当前批次的晶圆的片数，判断其是否等于满批片数，若是：在存在另一满批片数晶圆的情况下，生成第一控制指令，在不存在另一满批片数晶圆的情况下，生成第二控制指令；反之：生成第三控制指令；晶圆匹配模块30与控制模块20相连，用于响应于第一控制指令，将两批满批片数晶圆匹配处理，使得其中一批满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与另一满批片数晶圆中一片的刻蚀面相对且相邻设置；控片匹配模块40与控制模块20相连，用于响应于第二控制指令，将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置；以及用于响应于第三控制指令，将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理，使得非满批片数晶圆中任一个的刻蚀面与满批片数控片中一片的刻蚀面相对且相邻设置。

[0057] 作为示例，控制模块20能够根据当前批次晶圆的片数以及晶圆匹配模块30中是否存放内置的满批晶圆，而生成不同的控制指令，控制晶圆匹配模块30及控片匹配模块40对当前批次的晶圆进行匹配操作，提高刻蚀前匹配的效率以及准确程度。

[0058] 作为示例，晶圆匹配模块30能够根据第一控制指令，将内置的满批片数晶圆与当前批次的满批片数晶圆匹配处理，晶圆匹配模块30的设置节省了人工检测晶圆片数的时间，且自动匹配处理的过程提高了匹配的准确性，提高了后续湿法刻蚀的均匀性。

[0059] 作为示例，控片匹配模块40能够根据第二控制指令或第三控制指令，将内置的满批片数控片与当前批次的满批片数晶圆或非满批片数晶圆匹配处理，节省了人工检测控片数量的时间，且自动匹配处理的过程提高了匹配的准确性及效率。

[0060] 于上述湿法刻蚀装置中，控制模块20根据到站晶圆的不同情况生成第一控制指令、第二控制指令及第三控制指令，晶圆匹配模块30响应于第一控制指令，控片匹配模块40响应于第二控制指令以及第三控制指令，将两批满批片数晶圆匹配处理，或将晶圆与满批片数控片匹配处理，以改善普遍采用的刻蚀方法中步骤繁杂、耗时长的工艺问题，提高刻蚀均匀性并提高刻蚀机台的刻蚀效率。

[0061] 作为示例，请参阅图5，湿法刻蚀装置还包括传输模块50。其中，传输模块50与晶圆匹配模块30以及控片匹配模块40均相连，用于在对当前批次的晶圆匹配处理后，将匹配处理后的晶圆传送进湿法刻蚀机台。上述传输模块50将当前批次匹配处理后的晶圆传送进湿法刻蚀机台进行刻蚀，匹配处理后的晶圆节省了湿法刻蚀前准备的时间，能够保证湿法刻蚀机台刻蚀工艺的稳定性并提高其产能。

[0062] 作为示例，采用本申请提供的湿法刻蚀方法的具体步骤可以包括如下过程：在当前批次的晶圆到站后，首先检查当前批次的晶圆的片数情况，并根据其片数情况，由缓冲区域对其进行匹配处理。缓冲区域为刻蚀机台在进行湿法刻蚀之前设置的产品匹配区域，并可以进行不同程序的设定，其可以包括晶圆匹配模块、控片匹配模块以及传输模块，用于对到站的晶圆进行匹配并将匹配好的晶圆送入酸槽中。缓冲区域内设置有第一缓冲程序、第二缓冲程序及第三缓冲程序。当第一缓冲程序关闭时，第二缓冲程序及第三缓冲程序也关闭；当第一缓冲程序开启时，第二缓冲程序可选择开启或关闭；当第二缓冲程序关闭时，第三缓冲程序关闭；当第二缓冲程序开启时，第三缓冲程序可选择开启晶圆匹配模块及控片匹配模块其中的一个。

[0063] 作为示例，上述缓冲区域的工作情况可以包括如下过程：在提前检查当前批次到站晶圆的片数情况后，若其等于满批片数，且在存在另一满批片数晶圆的情况下，缓冲区域有两种程序设定方式：第一种：第一缓冲程序关闭，两批满批片数晶圆直接被匹配好并被传输模块传送进刻蚀机台进行湿法刻蚀；第二种：第一缓冲程序及第二缓冲程序开启，以确定另一满批晶圆的存在，第三缓冲程序开启晶圆匹配模块，响应于第一控制指令，两批满批片数晶圆被晶圆匹配模块匹配好并被传输模块传送进刻蚀机台进行湿法刻蚀。若当前批次的晶圆等于满批片数，但同时不存在另一满批片数晶圆，第一缓冲程序及第二缓冲程序开启，以确定另一满批晶圆不存在，第三缓冲程序开启控片匹配模块，响应于第二控制指令，将满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理并被传输模块传送进刻蚀机台进行湿法刻蚀。若当前批次的晶圆不等于满批片数，第一缓冲程序及第二缓冲程序开启，第三缓冲程序开启控片匹配模块，响应于第三控制指令，将非满批片数晶圆与满批片数控片匹配处理并被传输模块传送进刻蚀机台进行湿法刻蚀。上述缓冲区域的设置可以在湿法刻蚀方法中更好地响应不同的控制指令，以将到站产品进行精准的匹配，从而提高刻蚀的效率以及良率。

[0064] 请继续参阅图5，本申请提供一种湿法刻蚀系统，包括湿法刻蚀机台60以及本申请实施例中任一项所述的湿法刻蚀装置。其中，湿法刻蚀机台60与传输模块50相连，用于对晶圆进行湿法刻蚀；湿法刻蚀装置与湿法刻蚀机台60相连。其中，湿法刻蚀装置包括控制模块20、与控制模块20相连的晶圆匹配模块30以及控片匹配模块40，与晶圆匹配模块30以及控片匹配模块40相连的传输模块50。

[0065] 于上述湿法刻蚀系统中，通过采用湿法刻蚀机台60以及本申请实施例中任一项所述的湿法刻蚀装置，将当前批次的晶圆与另一批次的晶圆匹配或与控片匹配的判断及选择过程简单化，并节省步骤，以改善刻蚀系统整体的刻蚀速率以及刻蚀均匀性，提高半导体产品的良率并降低重工率。

[0066] 本申请提供一种计算机设备，包括存储器和处理器，存储器存储有计算机程序，处理器执行计算机程序时实现本申请实施例中任一项所述的湿法刻蚀方法的步骤。

[0067] 本申请提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，计算机程序被处理器执行时实现本申请实施例中任一项所述的湿法刻蚀方法的步骤。

[0068] 于上述湿法刻蚀方法、装置、系统、计算机设备以及介质中，通过采用先判断当前批次晶圆是否为满批片数，再控制各匹配模块将不同情况下的晶圆与晶圆或控片匹配，从而简化了湿法刻蚀前晶圆准备的判断及选择逻辑，并节省了将控片的片数控制成每批相同且为满批片数的步骤，以及提高了匹配的准确性及效率，提高了刻蚀系统整体的刻蚀速率和产品良率。

[0069] 请注意，上述实施例仅出于说明性目的而不意味对本申请的限制。

[0070] 应该理解的是，除非本文中有明确的说明，所述的步骤的执行并没有严格的顺序限制，这些步骤可以以其它的顺序执行。而且，所述的步骤的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，这些子步骤或者阶段的执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其它步骤或者其它步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。

[0071] 本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

[0072] 以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。

[0073] 以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。