一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法转让专利

申请号 : CN202211742928.8

文献号 : CN115933914B

文献日 :

基本信息:

PDF:

法律信息:

相似专利:

发明人 : 冯建龙

申请人 : 东莞市通豪实业投资有限公司

摘要 :

本发明涉及电容屏技术领域,尤其是涉及一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,设置长方形状的电容屏主体,电容屏主体依次设置有电容屏基层、ITO导电层、绝缘胶层、银胶走线层和OCA层;通过设置多段横向排列的独立区域,每段独立区域采用相同的激光加工图案,将ITO导电层分割为第一走线区域、第一导电区域、隔离区域、第二导电区域和第二走线区域;采用蚀刻和激光混合工艺,对ITO导电层进行图案设置;使电容屏主体整体在工艺上仅通过部分蚀刻和激光结合丝印即可实现,引脚处的蚀刻由于引脚间距足够大,无需采用黄光生产也能达到要求,能够大大降低生产制作的要求以及生产加工成本。

权利要求 :

1.一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,其特征在于,设置长方形状的电容屏主体,电容屏主体依次设置有电容屏基层、ITO导电层、绝缘胶层、银胶走线层和OCA层,电容屏基层、ITO导电层、绝缘胶层、银胶走线层和OCA层的设置包括如下步骤:步骤1,设计蚀刻图案:将ITO导电层分布成横向排列的多段独立区域,且将每段独立区域分布为相互耦合的前半段和后半段,在每段独立区域对应后半段的后部均设置有前后分布的第一跳线区域和第二跳线区域,在第一跳线区域和第二跳线区域上均设置有第一蚀刻图案用于蚀刻出多条跳线引脚;在每段独立区域对应前半段的前部均设置有第二蚀刻图案用于蚀刻出多条排线引脚;

步骤2,设计激光加工图案:在每段独立区域中均设置有激光图案,每段独立区域通过激光图案分割为横向排布的第一走线区域、第一导电区域、隔离区域、第二导电区域和第二走线区域,第一走线区域与第一跳线区域连接,第二走线区域与第二跳线区域连接;

步骤3,镀膜清洗:将ITO导电层镀在电容屏基层上,再将镀好ITO导电层的电容屏基层进行清洗;

步骤4,蚀刻加工:镀有ITO导电层的电容屏基层在清洗后,根据第一蚀刻图案对ITO导电层进行蚀刻,使独立区域的后半段的端部具有可实现跳线连接的多个跳线引脚;根据第二蚀刻图案对ITO导电层进行蚀刻,使独立区域的前半段的端部具有可实现排线连接的多个排线引脚;步骤5,激光加工:蚀刻出排线引脚和跳线引脚后,依据排线引脚和跳线引脚的位置,通过设计的激光加工图案将ITO导电层进行分割,其中,第一导电区域和第二导电区域沿着隔离区域的方向均形成有相互耦合的多组电极端,且第一导电区域和第二导电区域依据多组电极端分割成多段,第一走线区域和第二走线区域依据多组电极端分割有独立的多条走线道;独立区域的后半段所对应的第一导电区域和第二导电区域的每段均通过独立的走线道连接到跳线引脚;独立区域的前半段所对应的第一导电区域和第二导电区域的每段均通过独立的走线道连接到排线引脚;

步骤6,丝印绝缘胶:ITO导电层分割后,采用丝印的方式在第一跳线区域和第二跳线区域的表面丝印出一层绝缘胶层,且在绝缘胶层上对应每个跳线引脚的端部均开设有搭接点;

步骤7,丝印银胶走线:根据搭接点以及第一跳线区域和第二跳线区域,丝印两组银胶走线,其中一组银胶走线与第一跳线区域的搭接点连接,另外一组银胶走线与第二跳线区域连接,两组银胶走线分别沿着ITO导电层的两旁延伸至ITO导电层的前端,并且两组银胶走线的延申端部与排线引脚并排对齐,再对排线引脚和银胶走线的延申端部焊上排线;

步骤8,贴OCA层,在电容屏基层上附上OCA层,使OCA层覆盖于ITO导电层、绝缘胶层和银胶走线层,完成单层多点电容屏的加工。

2.根据权利要求1所述的一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,其特征在于,每段独立区域的跳线引脚均横向呈阶梯状延申,且跳线引脚的端部呈方块状扩张设置;搭接点与跳线引脚扩张设置的部分对应,且银胶走线连接跳线引脚的部位扩张设置。

3.根据权利要求1所述的一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,其特征在于,第一导电区域和第二导电区域均设置有多道激光线,第一导电区域和第二导电区域通过多道激光线分割成多段,且该多道激光线沿着第一走线区域或第二走线区域互不交叉地延申至跳线引脚或排线引脚,形成走线道。

4.根据权利要求3所述的一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,其特征在于,第一走线区域和第二走线区域上未形成走线道的部分做网格状激光切割。

5.根据权利要求1所述的一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,其特征在于,在第一导电区域和隔离区域之间以及隔离区域和第二导电区域之间均设置有一条连续不断的激光线路,第一导电区域、隔离区域和第二导电区域通过该激光线路进行分割,且该激光线路由两道激光线切割而成,并且ITO导电层在两道激光线之间的部分再做网格状激光切割。

6.根据权利要求1所述的一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,其特征在于,每组电极端均为相互耦合的扁形状结构,使每组电极端形成一电容器。

7.根据权利要求1所述的一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,其特征在于,根据第一蚀刻图案的蚀刻,ITO导电层上位于第一跳线区域以及第二跳线区域之后的部分还形成有多组电容按键,每组电容按键包括连接于就近隔离区域的第一耦合部和耦合于第一耦合部的第二耦合部,第一耦合部通过隔离区域连接于一排线引脚,第二耦合部通过丝印银胶走线的方式将其导通至与排线引脚并排对齐。

说明书 :

一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法

技术领域

[0001] 本发明涉及电容屏技术领域,尤其是涉及一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法。

背景技术

[0002] 电容屏要实现多点触控,靠的就是增加互电容的电极,简单地说,就是将屏幕分块,在每一个区域里设置一组互电容模块都是独立工作,所以电容屏就可以独立检测到各区域的触控情况,进行处理后,简单地实现多点触控;随着智能型手机的普及,多点触控的技术需求与日俱增。目前,多点触控主要是透过双层氧化铟锡材质(Indium Tin Oxide  ,ITO)形成行列交错感测单元矩阵,以侦测得到精确的触控位置。其技术的基本原理是以电容感应为主,利用设计多个蚀刻后的氧化铟锡材质电极,增加数组存在不同平面、同时又相互垂直的透明导线,形成类似X、Y轴驱动线。这些导线皆由控制器所控制,其依序扫瞄侦测电容值变化以反馈至控制器。
[0003] 然而氧化铟锡材质价格非常昂贵,基于成本考虑,双层氧化铟锡材质之触摸板逐渐被单层氧化铟锡材质的触摸板所取代;现单层多点电容屏工艺,一般只有具备黄光生产线等昂贵生产设备的厂家才能生产,一般中小企业无法生产此类型的产品。

发明内容

[0004] 本发明为克服上述情况不足,旨在提供一种能解决上述问题的技术方案。
[0005] 一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,设置长方形状的电容屏主体,电容屏主体依次设置有电容屏基层、ITO导电层、绝缘胶层、银胶走线层和OCA层,电容屏基层、ITO导电层、绝缘胶层、银胶走线层和OCA层的设置包括如下步骤:
[0006] 步骤1,设计蚀刻图案:将ITO导电层分布成横向排列的多段独立区域,且将每段独立区域分布为相互耦合的前半段和后半段,在每段独立区域对应后半段的后部均设置有前后分布的第一跳线区域和第二跳线区域,在第一跳线区域和第二跳线区域上均设置有第一蚀刻图案用于蚀刻出多条跳线引脚;在每段独立区域对应前半段的前部均设置有第二蚀刻图案用于蚀刻出多条排线引脚;
[0007] 步骤2,设计激光加工图案:在每段独立区域中均设置有激光图案,每段独立区域通过激光图案分割为横向排布的第一走线区域、第一导电区域、隔离区域、第二导电区域和第二走线区域,第一走线区域与第一跳线区域连接,第二走线区域与第二跳线区域连接;
[0008] 步骤3,镀膜清洗:将ITO导电层镀在电容屏基层上,再将镀好ITO导电层的电容屏基层进行清洗;
[0009] 步骤4,蚀刻加工:镀有ITO导电层的电容屏基层在清洗后,根据第一蚀刻图案对ITO导电层进行蚀刻,使独立区域的后半段的端部具有可实现跳线连接的多个跳线引脚;根据第二蚀刻图案对ITO导电层进行蚀刻,使独立区域的前半段的端部具有可实现排线连接的多个排线引脚;
[0010] 步骤5,激光加工:蚀刻出排线引脚和跳线引脚后,依据排线引脚和跳线引脚的位置,通过设计的激光加工图案将ITO导电层进行分割,其中,第一导电区域和第二导电区域沿着隔离区域的方向均形成有相互耦合的多组电极端,且第一导电区域和第二导电区域依据多组电极端分割成多段,第一走线区域和第二走线区域依据多组电极端分割有独立的多条走线道;独立区域的后半段所对应的第一导电区域和第二导电区域的每段均通过独立的走线道连接到跳线引脚;独立区域的前半段所对应的第一导电区域和第二导电区域的每段均通过独立的走线道连接到排线引脚;
[0011] 步骤6,丝印绝缘胶:ITO导电层分割后,采用丝印的方式在第一跳线区域和第二跳线区域的表面丝印出一层绝缘胶层,且在绝缘胶层上对应每个跳线引脚的端部均开设有搭接点;
[0012] 步骤7,丝印银胶走线:根据搭接点以及第一跳线区域和第二跳线区域,丝印两组银胶走线,其中一组银胶走线与第一跳线区域的搭接点连接,另外一组银胶走线与第二跳线区域连接,两组银胶走线分别沿着ITO导电层的两旁延伸至ITO导电层的前端,并且两组银胶走线的延申端部与排线引脚并排对齐,再对排线引脚和银胶走线的延申端部焊上排线;
[0013] 步骤8,贴OCA层,在电容屏基层上附上OCA层,使OCA层覆盖于ITO导电层、绝缘胶层和银胶走线层,完成单层多点电容屏的加工。
[0014] 优选地,每段独立区域的跳线引脚均横向呈阶梯状延申,且跳线引脚的端部呈方块状扩张设置;搭接点与跳线引脚扩张设置的部分对应,且银胶走线连接跳线引脚的部位扩张设置。
[0015] 优选地,第一导电区域和第二导电区域均设置有多道激光线,第一导电区域和第二导电区域通过多道激光线分割成多段,且该多道激光线沿着第一走线区域或第二走线区域互不交叉地延申至跳线引脚或排线引脚,形成走线道。
[0016] 优选地,第一走线区域和第二走线区域上未形成走线道的部分做网格状激光切割。
[0017] 优选地,在第一导电区域和隔离区域之间以及隔离区域和第二导电区域之间均设置有一条连续不断的激光线路,第一导电区域、隔离区域和第二导电区域通过该激光线路进行分割,且该激光线路由两道激光线切割而成,并且ITO导电层在两道激光线之间的部分再做网格状激光切割。
[0018] 优选地,每组电极端均为相互耦合的扁形状结构,使每组电极端形成一电容器。
[0019] 优选地,根据第一蚀刻图案的蚀刻,ITO导电层上位于第一跳线区域以及第二跳线区域之后的部分还形成有多组电容按键,每组电容按键包括连接于就近隔离区域的第一耦合部和耦合于第一耦合部的第二耦合部,第一耦合部通过隔离区域连接于一排线引脚,第二耦合部通过丝印银胶走线的方式将其导通至与排线引脚并排对齐。
[0020] 与现有技术相比,本发明的有益效果是:
[0021] 通过将电容屏主体设置为电容屏基层、ITO导电层、绝缘胶层、银胶走线层和OCA层,通过设置多段横向排列的独立区域,每段独立区域采用相同的激光加工图案,将ITO导电层分割为第一走线区域、第一导电区域、隔离区域、第二导电区域和第二走线区域,第一导电区域和第二导电区域分别设置相互耦合的电极端,通过隔离区域进行隔离,使每组相互耦合的电极端形成一个电容器,每个电容器通过第一走线区域和第二走线区域来连接到不同的引脚;单点击对应位置处的电容器,其对应引脚根据电容参数的变化产生一个点击信号发送给中央处理器,从而计算识别出点击所处位置;
[0022] 采用蚀刻和激光混合工艺,对ITO导电层进行图案设置,蚀刻工艺主要对ITO导电层的引脚位置进行蚀刻,引脚位置分布于ITO导电层的前后位置,激光工艺主要切割出相互耦合的多组电极及其将电极与对应引脚位置进行连接的多条走线道,结合绝缘胶层和银胶走线层,绝缘胶层将后方的ITO导电层随对应的引脚位置(跳线引脚)进行绝缘封装,绝缘胶层设置搭接点使跳线引脚仅露出于端部,再通过在绝缘胶层上以及利用ITO导电层两侧位置处设置银胶走线的方式将跳线引脚导通至ITO导电层前端与排线引脚对齐排布,银胶走线主要设置两组分别沿ITO导电层两侧延申,采用丝印的方式保证搭接点位置处的具有足够银胶来通过搭接点后连接至跳线引脚,使电容屏主体整体在工艺上仅通过部分蚀刻和激光结合丝印即可实现,引脚处的蚀刻由于引脚间距足够大,无需采用黄光生产也能达到要求,能够大大降低生产制作的要求以及生产加工成本。
[0023] 本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。

附图说明

[0024] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动性的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0025] 图1是本发明的结构示意图;
[0026] 图2是本发明的层次分布结构示意图;
[0027] 图3是本发明中ITO导电层划分区域的结构示意图;
[0028] 图4是本发明中ITO导电层蚀刻后的结构示意图;
[0029] 图5是本发明图4中A处的结构示意图;
[0030] 图6是本发明ITO导电层激光加工每段独立区域的结构示意图;
[0031] 图7是本发明ITO导电层激光加工后的结构示意图;
[0032] 图8是本发明图7中B处的结构示意图
[0033] 图9是本发明中绝缘胶层的结构示意图;
[0034] 图10是本发明中绝缘胶层和银胶走线层的结构示意图;
[0035] 图11是本发明图10中C处的结构示意图。
[0036] 图中的附图标记及名称如下:
[0037] 电容屏基层10、ITO导电层20、独立区域21、第一走线区域211、第一导电区域212、隔离区域213、第二导电区域214、第二走线区域215、电极端216、第一跳线区域22、第二跳线区域23、跳线引脚24、排线引脚25、绝缘胶层30、搭接点31、银胶走线层40、OCA层50、电容按键60、第一耦合部61、第二耦合部62、排线70。

具体实施方式

[0038] 下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0039] 请参阅图1至图11,本发明实施例中,一种基于激光蚀刻混合工艺加工单层多点式电容屏的方法,设置长方形状的电容屏主体,电容屏主体依次设置有电容屏基层10、ITO导电层20、绝缘胶层30、银胶走线层40和OCA层50,电容屏基层10、ITO导电层20、绝缘胶层30、银胶走线层40和OCA层50的设置包括如下步骤:
[0040] 步骤1,请参照图3和图4,设计蚀刻图案:将ITO导电层20分布成横向排列的多段独立区域21,且将每段独立区域21分布为相互耦合的前半段和后半段,在每段独立区域21对应后半段的后部均设置有前后分布的第一跳线区域22和第二跳线区域23,在第一跳线区域22和第二跳线区域23上均设置有第一蚀刻图案用于蚀刻出多条跳线引脚24;在每段独立区域21对应前半段的前部均设置有第二蚀刻图案用于蚀刻出多条排线引脚25;
[0041] 步骤2,请参照图6至图8,设计激光加工图案:在每段独立区域21中均设置有激光图案,每段独立区域21通过激光图案分割为横向排布的第一走线区域211、第一导电区域212、隔离区域213、第二导电区域214和第二走线区域215,第一走线区域211与第一跳线区域22连接,第二走线区域215与第二跳线区域23连接;
[0042] 步骤3,镀膜清洗:将ITO导电层20镀在电容屏基层10上,再将镀好ITO导电层20的电容屏基层10进行清洗;
[0043] 步骤4,请参照图4和图5,蚀刻加工:镀有ITO导电层20的电容屏基层10在清洗后,根据第一蚀刻图案对ITO导电层20进行蚀刻,使独立区域21的后半段的端部具有可实现跳线连接的多个跳线引脚24;根据第二蚀刻图案对ITO导电层20进行蚀刻,使独立区域21的前半段的端部具有可实现排线连接的多个排线引脚25;
[0044] 步骤5,请参照图7和图8,激光加工:蚀刻出排线引脚25和跳线引脚24后,依据排线引脚25和跳线引脚24的位置,通过设计的激光加工图案将ITO导电层20进行分割,其中,第一导电区域212和第二导电区域214沿着隔离区域213的方向均形成有相互耦合的多组电极端216,且第一导电区域212和第二导电区域214依据多组电极端216分割成多段,第一走线区域211和第二走线区域215依据多组电极端216分割有独立的多条走线道;独立区域21的后半段所对应的第一导电区域212和第二导电区域214的每段均通过独立的走线道连接到跳线引脚24;独立区域21的前半段所对应的第一导电区域212和第二导电区域214的每段均通过独立的走线道连接到排线引脚25;
[0045] 步骤6,请参照图9,丝印绝缘胶:ITO导电层20分割后,采用丝印的方式在第一跳线区域22和第二跳线区域23的表面丝印出一层绝缘胶层30,且在绝缘胶层30上对应每个跳线引脚24的端部均开设有搭接点31;
[0046] 步骤7,请参照图10和图11,丝印银胶走线:根据搭接点31以及第一跳线区域22和第二跳线区域23,丝印两组银胶走线,其中一组银胶走线与第一跳线区域22的搭接点31连接,另外一组银胶走线与第二跳线区域23连接,两组银胶走线分别沿着ITO导电层20的两旁延伸至ITO导电层20的前端,并且两组银胶走线的延申端部与排线引脚25并排对齐,再对排线引脚25和银胶走线的延申端部焊上排线70;
[0047] 步骤8,贴OCA层50,在电容屏基层10上附上OCA层50,使OCA层50覆盖于ITO导电层20、绝缘胶层30和银胶走线层40,完成单层多点电容屏的加工。
[0048] 通过将电容屏主体设置为电容屏基层10、ITO导电层20、绝缘胶层30、银胶走线层40和OCA层50,通过设置多段横向排列的独立区域21,每段独立区域21采用相同的激光加工图案,将ITO导电层20分割为第一走线区域211、第一导电区域212、隔离区域213、第二导电区域214和第二走线区域215,第一导电区域212和第二导电区域214分别设置相互耦合的电极端216,通过隔离区域213进行隔离,使每组相互耦合的电极端216形成一个电容器,每个电容器通过第一走线区域211和第二走线区域215来连接到不同的引脚;单点击对应位置处的电容器,其对应引脚根据电容参数的变化产生一个点击信号发送给中央处理器,从而计算识别出点击所处位置;
[0049] 采用蚀刻和激光混合工艺,对ITO导电层20进行图案设置,蚀刻工艺主要对ITO导电层20的引脚位置进行蚀刻,引脚位置分布于ITO导电层20的前后位置,激光工艺主要切割出相互耦合的多组电极及其将电极与对应引脚位置进行连接的多条走线道,结合绝缘胶层30和银胶走线层40,绝缘胶层30将后方的ITO导电层20随对应的引脚位置(跳线引脚24)进行绝缘封装,绝缘胶层30设置搭接点31使跳线引脚24仅露出于端部,再通过在绝缘胶层30上以及利用ITO导电层20两侧位置处设置银胶走线的方式将跳线引脚24导通至ITO导电层
20前端与排线引脚25对齐排布,银胶走线主要设置两组分别沿ITO导电层20两侧延申,采用丝印的方式保证搭接点31位置处的具有足够银胶来通过搭接点31后连接至跳线引脚24,使电容屏主体整体在工艺上仅通过部分蚀刻和激光结合丝印即可实现,引脚处的蚀刻由于引脚间距足够大,无需采用黄光生产也能达到要求,能够大大降低生产制作的要求以及生产加工成本。
[0050] 其跳线引脚24处的连接方式是通过每段独立区域21的跳线引脚24均横向呈阶梯状延申,使ITO导电层20后半段的所有独立区域21横相对应的电极两端分别通过第一跳线区域22和第二跳线区域23的一条银胶走线进行连接,根据该银胶走线的不同位置从而对银胶走线产生的电容参数不同来判断点击处所处的独立区域21,再通过将ITO导电层20后半段的每段独立区域21的每组电极两端分别通过第一跳线区域22和第二跳线区域23的不同银胶走线进行连接,根据该不同银胶走线产生的电容参数来判断点击处所处独立区域21的哪个电极端216,从而达到单层多点判断点击位置处所处的位置;为了保证丝印时跳线引脚24和银胶走线连接位置处导通,跳线引脚24的端部呈方块状扩张设置;搭接点31与跳线引脚24扩张设置的部分对应,且银胶走线连接跳线引脚24的部位扩张设置。
[0051] 请参照图6和图8,第一导电区域212和第二导电区域214均设置有多道激光线,第一导电区域212和第二导电区域214通过多道激光线分割成多段,且该多道激光线沿着第一走线区域211或第二走线区域215互不交叉地延申至跳线引脚24或排线引脚25,形成走线道;使每组相互耦合的电极端216均能够独立地连接到不同的引脚,且整体结构紧凑,保证电极端216数量的足够多,从而提高触摸的精准度;此外,针对第一走线区域211和第二走线区域215上未形成走线道的部分做网格状激光切割;保证第一走线区域211和第二走线区域215上未形成走线道的部分无法导通,且采用网格状激光切割方式简单,从产品质量和制作效率上均能够起到一定地提升。
[0052] 请参照图6和图8,在第一导电区域212和隔离区域213之间以及隔离区域213和第二导电区域214之间均设置有一条连续不断的激光线路,第一导电区域212、隔离区域213和第二导电区域214通过该激光线路进行分割,且该激光线路由两道激光线切割而成,保证第一导电区域212和隔离区域213之间以及隔离区域213和第二导电区域214之间具有足够的间隙来相互独立,为保证激光线路的无法导通性,同样对ITO导电层20在两道激光线之间的部分再做网格状激光切割;考虑电容屏主体整体呈长方形状,因此将每组电极端216均为相互耦合的扁形状结构,使每组电极端216形成一电容器,能够保证横向排布的电容器足够多。
[0053] 请参照图4至图11,考虑到隔离区域213由两条连续不断的激光线路来分割第一导电区和第二导电区域214,因此隔离区域213的前端也能够被设置出排线引脚25,在此基础上,根据第一蚀刻图案的蚀刻,ITO导电层20上位于第一跳线区域22以及第二跳线区域23之后的部分还形成有多组电容按键60,每组电容按键60包括连接于就近隔离区域213的第一耦合部61和耦合于第一耦合部61的第二耦合部62,第一耦合部61通过隔离区域213连接于一排线引脚25,第二耦合部62通过丝印银胶走线的方式将其导通至与排线引脚25并排对齐。
[0054] 对于本领域技术人员而言,显然本发明不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下,能够以其他的具体形式实现本发明。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。