低噪声放大器电路及无线通信系统

摘要

本发明涉及一种低噪声放大器电路及无线通信系统，放大器电路包括射频放大模块，其包括输入节点、射频放大晶体管、反馈电路和阻抗变换电路，阻抗变换电路包括至少一个传输线阻抗变换器和输出节点，射频放大晶体管的第一栅极与输入节点耦合，射频放大晶体管的漏极与传输线阻抗变换器耦合，传输线阻抗变换器耦合至输出节点，输出节点通过反馈回路耦合至射频放大晶体管的第一栅极。本发明具有高带宽、高增益以及极低噪声的特性，克服了现有放大器无法同时兼顾解决噪声系数、工作带宽、增益的技术缺陷。

权利要求

1.一种低噪声放大器电路，其特征在于：包括：

射频放大模块，其包括输入节点、射频放大晶体管、反馈电路和阻抗变换电路，所述阻抗变换电路包括至少一个传输线阻抗变换器和输出节点，所述射频放大晶体管的第一栅极与所述输入节点耦合，所述射频放大晶体管的漏极与所述传输线阻抗变换器耦合，所述传输线阻抗变换器耦合至所述输出节点，所述输出节点通过所述反馈电路耦合至所述射频放大晶体管的第一栅极；

偏置模块，其包括采样晶体管、控制电路和偏置节点，所述采样晶体管的漏极耦合至所述控制电路的输入端，所述控制电路的输出端耦合至所述采样晶体管的第一栅极，所述采样晶体管的第一栅极通过所述偏置节点耦合至所述射频放大晶体管的第一栅极；

所述阻抗变换电路包括第一耦合传输线阻抗变换器和第三电源输入端，所述第一耦合传输线阻抗变换器的三个端口分别与所述射频放大晶体管的漏极、所述第三电源输入端以及所述输出节点耦合，其中：所述第一耦合传输线阻抗变换器由相互耦合的第一传输线和第二传输线构成；所述第一传输线的两个端口分别为耦合线第一端口和耦合线第二端口；

所述第二传输线的两个端口分别为耦合线第三端口和耦合线第四端口；所述耦合线第一端口与所述耦合线第三端口为耦合端口，所述耦合线第二端口与所述耦合线第四端口为耦合端口；所述第一耦合传输线阻抗变换器的第二端口耦合到其第三端口，所述射频放大晶体管的漏极耦合到所述第一耦合传输线阻抗变换器的第一端口，所述第一耦合传输线阻抗变换器的第四端耦合到第三电源输入端，所述第一耦合传输线阻抗变换器的第二端耦合到输出节点；

所述反馈电路包括至少一个电容和/或电阻，至少一个电容和/或电阻将所述射频放大晶体管的漏极射频信号反馈至所述射频放大晶体管的第一栅极；

所述控制电路包括至少一个FET管和电阻分压器，所述FET管的栅极通过电阻分压器耦合到所述采样晶体管的漏极，所述FET管的源极耦合到所述采样晶体管的第一栅极；

还包括第一电源输入端，所述射频放大晶体管的第二栅极和所述采样晶体管的第二栅极均耦合至所述第一电源输入端；

还包括第二电源输入端，所述采样晶体管的漏极耦合至所述第二电源输入端。

2.根据权利要求1所述的一种低噪声放大器电路，其特征在于：当所述阻抗变换器的数量为多个时，多个所述阻抗变换器串联和/或并联构成所述阻抗变换电路。

3.根据权利要求2所述的一种低噪声放大器电路，其特征在于：使用多个不同的传输线阻抗变换器进行相互切换，用于实现频带切换和/或阻抗比切换。

4.根据权利要求1所述的一种低噪声放大器电路，其特征在于：所述电阻分压器包括串联的至少两个电阻，至少两个电阻耦合位置的电压为电阻分压器的输出电压，该电阻分压器的输出电压耦合到所述FET管的栅极。

5.根据权利要求1所述的一种低噪声放大器电路，其特征在于：所述射频放大晶体管和采样晶体管为共源共栅晶体管。

6.一种无线通信系统，其特征在于：包括如权利要求1‑5任一项所述的一种低噪声放大器电路。

说明书

低噪声放大器电路及无线通信系统

技术领域

[0001] 本发明涉及射频通信技术领域，尤其是指一种低噪声放大器电路及无线通信系统。

背景技术

[0002] 射频低噪声放大器广泛应用于无线通信领域，射频低噪声放大器用于将加载于载波信号上的传输信息的调制信号功率放大，或将天线接收的射频信号进行功率放大，形成具有一定带宽的射频信号。例如，导航通信和手机通信。射频低噪声放大器的噪声系数和频带宽度直接影响无线通信的信号完整性和误码率。

[0003] 传统的射频低噪声放大器，如美国专利US10608590B2提出的低噪声放大器电路，其使用电感、电容等无源器件进行输入、输出阻抗匹配设计。但是电感、电容等无源元件及其寄生电阻限制了低噪声放大器的噪声系数和工作带宽，同时增加了低噪声放大器的面积。目前主要的带宽增加方式是反馈技术，如专利CN109474243A提出的低噪声放大器电路，该方法将低噪声放大器的输出信号反馈回输入端，增加工作带宽，且改善输入输出阻抗匹配。但是反馈闭环会降低低噪声放大器的增益，同时使输入阻抗偏离最佳噪声阻抗点，增加低噪声放大器的噪声系数，难以实现小于1dB的噪声系数。

[0004] 因此，迫切需要提出一种同时兼顾解决噪声系数、工作带宽、增益的低噪声放大器电路。

发明内容

[0005] 为此，本发明所要解决的技术问题在于克服现有技术放大器无法同时兼顾解决噪声系数、工作带宽、增益的技术缺陷。

[0006] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种低噪声放大器电路，包括：

[0007] 射频放大模块，其包括输入节点、射频放大晶体管、反馈电路和阻抗变换电路，所述阻抗变换电路包括至少一个传输线阻抗变换器和输出节点，所述射频放大晶体管的第一栅极与所述输入节点耦合，所述射频放大晶体管的漏极与所述传输线阻抗变换器耦合，所述传输线阻抗变换器耦合至所述输出节点，所述输出节点通过所述反馈回路耦合至所述射频放大晶体管的第一栅极；

[0008] 偏置模块，其包括采样晶体管、控制电路和偏置节点，所述采样晶体管的漏极耦合至所述控制电路的输入端，所述控制电路的输出端耦合至所述采样晶体管的第一栅极，所述采样晶体管的第一栅极通过所述偏置节点耦合至所述射频放大晶体管的第一栅极。

[0009] 在本发明的一个实施例中，所述反馈电路包括至少一个电容和/或电阻，至少一个电容和/或电阻将所述射频放大晶体管的漏极射频信号反馈至所述射频放大晶体管的第一栅极。

[0010] 在本发明的一个实施例中，当所述阻抗变换器的数量为多个时，多个所述阻抗变换器串联和/或并联构成所述阻抗变换电路。

[0011] 在本发明的一个实施例中，使用多个不同的传输线阻抗变换器进行相互切换，用于实现频带切换和/或阻抗比切换。

[0012] 在本发明的一个实施例中，所述控制电路包括至少一个FET管和电阻分压器，所述FET管的栅极通过电阻分压器耦合到所述采样晶体管的漏极，所述FET管的源极耦合到所述采样晶体管的第一栅极。

[0013] 在本发明的一个实施例中，所述电阻分压器包括串联的至少两个电阻，至少两个电阻耦合位置的电压为电阻分压器的输出电压，该电阻分压器的输出电压耦合到所述FET管的栅极。

[0014] 在本发明的一个实施例中，所述射频放大晶体管和采样晶体管为共源共栅晶体管。

[0015] 在本发明的一个实施例中，还包括第一电源输入端，所述射频放大晶体管的第二栅极和所述采样晶体管的第二栅极均耦合至所述第一电源输入端。

[0016] 在本发明的一个实施例中，还包括第二电源输入端，所述采样晶体管的漏极耦合至所述第二电源输入端。

[0017] 此外，本发明还提供一种无线通信系统，其特征在于：包括如上述所述的一种低噪声放大器电路。

[0018] 本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：

[0019] 1.本发明所述的一种低噪声放大器电路及无线通信系统，其具有高带宽、高增益以及极低噪声的特性，克服了现有放大器无法同时兼顾解决噪声系数、工作带宽、增益的技术缺陷；

[0020] 2.本发明所述的一种低噪声放大器电路及无线通信系统，其通过采样晶体管将射频放大晶体管的电流变化反馈至射频放大晶体管的第一栅极，实现了远优于传统放大器及偏置电路的静态电流稳定性，简化了现有的放大器偏置电路结构，节省了电路面积，降低了设计难度，能够同时兼顾解决静态偏置电流稳定性和差异性问题。

附图说明

[0021] 为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明。

[0022] 图1是本发明实施例一所提出的一种低噪声放大器电路的电路原理图。

[0023] 图2是本发明实施例二所提出的一种低噪声放大器电路的电路原理图。

[0024] 图3是本发明实施例二所提出的一种低噪声放大器电路的电路原理图。

[0025] 图4是本发明S散射参数分布图。

[0026] 图5是本发明噪声系数分布图。

[0027] 其中，附图标记说明如下：1、第一FET管；2、第一电阻；3、第二电阻；4、第一电容；5、第二FET管；6、第三电阻；7、第二电容；8、第四电阻；9、第五电阻；10、第六电阻；11、第一电源输入端；12、第二电源输入端；13、第七电阻、14、第二共源共栅晶体管；15、第三电容；16、第一共源共栅晶体管；17、第一耦合传输线阻抗变换器；18、第三电源输入端；19、第四电容；20、输入节点；21、输出节点；22、第一射频开关；23、第二射频开关、24、第二耦合传输线阻抗变换器；25、第三耦合传输线阻抗变换器；26、第四耦合传输线阻抗变换器。

具体实施方式

[0028] 下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，以使本领域的技术人员可以更好地理解本发明并能予以实施，但所举实施例不作为对本发明的限定。

[0029] 实施例一

[0030] 参照图1，本发明实施例一提供了一种结构的低噪声放大器电路，其包括射频放大模块、偏置模块、第一电源输入端11和第二电源输入端12，射频放大模块包括输入节点20、射频放大晶体管、反馈电路和阻抗变换电路，所述阻抗变换电路包括至少一个传输线阻抗变换器和输出节点21；偏置模块包括采样晶体管、控制电路和偏置节点；其中射频放大晶体管和采样晶体管均采用双栅FET管实现的共源共栅晶体管，共源共栅晶体管的四个电路端口分别是漏极、源极、第一栅极和第二栅极，共源共栅晶体管的共源管对外接口包含源极和第一栅极，共栅管对外接口包含漏极和第二栅极。为了区分两个共源共栅晶体管，下文将射频放大晶体管叫做第一共源共栅晶体管16，将采样晶体管叫做第二共源共栅晶体管14，所述第一共源共栅晶体管16的第一栅极与所述输入节点20耦合，所述第一共源共栅晶体管16的漏极与所述传输线阻抗变换器耦合，所述传输线阻抗变换器耦合至所述输出节点21，所述输出节点21通过所述反馈回路耦合至所述射频放大晶体管的第一栅极；所述第二共源共栅晶体管14的漏极耦合至所述控制电路的输入端，所述控制电路的输出端耦合至所述第二共源共栅晶体管14的第一栅极，所述第二共源共栅晶体管14的第一栅极通过所述偏置节点耦合至所述第一共源共栅晶体管16的第一栅极。

[0031] 本发明所述的一种低噪声放大器电路，其具有高带宽、高增益以及极低噪声的特性，其工作带宽超过4倍频程，在工作频段内增益超过20dB，并且具有极低的噪声系数，在工作频段内噪声系数小于0.5dB，克服了现有放大器无法同时兼顾解决噪声系数、工作带宽、增益的技术缺陷。

[0032] 上述反馈电路和阻抗变换电路组合使用，通过提高负载阻抗和负反馈实现了宽带低噪声放大器。同时，反馈电路和阻抗变换电路组合实现了低噪声放大器电路的输入匹配、输出匹配，使输入驻波比和输出驻波比小于2。双栅FET管用于提高低噪声放大器的增益。双栅FET管、反馈电路和阻抗变换电路组合使用实现低噪声放大器的高增益和低噪声系数，低噪声放大器的噪声系数达到射频放大晶体管本身的最小噪声系数。

[0033] 上述阻抗变换电路包括第一耦合传输线阻抗变换器17、第三电源输入端18和输出节点21，第一耦合传输线阻抗变换器17的三个端口分别与第一共源共栅晶体管16的漏极、第三电源输入端18以及输出节点21耦合。其中第一耦合传输线阻抗变换器17由相互耦合的第一传输线和第二传输线构成，第一传输线的两个端口分别为耦合线第一端口和耦合线第二端口，第二传输线的两个端口分别为耦合线第三端口和耦合线第四端口，耦合线第一端口与耦合线第三端口为耦合端口，耦合线第二端口与耦合线第四端口为耦合端口。第一耦合传输线阻抗变换器17的第二端口耦合到其第三端口，所述第一共源共栅晶体管16的漏极耦合到第一耦合传输线阻抗变换器17的第一端口，第一耦合传输线阻抗变换器17的第四端耦合到第三电源输入端18，第三电源输入端18起到交流地的作用，第一耦合传输线阻抗变换器17的第二端耦合到输出节点21。第一耦合传输线阻抗变换器17对负载阻抗进行变换，形成高负载阻抗，实现高增益和超过4倍频程的工作带宽，同时提高负载阻抗可以降低工作电流。其中第一耦合传输线阻抗变换器17的第一端口是高阻抗端，第一耦合传输线阻抗变换器17的第二端口是高阻抗端，通过一个耦合传输线阻抗变换器实现50Ω变换至200Ω的阻抗变换。

[0034] 上述放大器的工作频带由阻抗变换器决定，通过切换多个不同工作频段的传输线阻抗变换器用于实现低噪声放大器的工作频段变换，即本发明通过切换不同频段的耦合传输线阻抗变换器，以实现低噪声放大器电路的工作频段的切换，从而兼容北斗频段、GPS频段及其它无线通信频段。

[0035] 进一步地，所述反馈电路包括至少一个电容和/或电阻，至少一个电容和/或电阻将所述第一共源共栅晶体管16的漏极射频信号反馈至所述第一共源共栅晶体管16的第一栅极。即本发明反馈电路包括电容、电阻、电感或电容、电阻、电感的组合形成反馈闭环，能够改善输入阻抗匹配，减小源极所需的电感量。作为示例的，所述反馈电路包括第三电容15和第六电阻10，第一共源共栅晶体管16的漏极射频信号通过第三电容15和第六电阻10反馈至其第一栅极，形成负反馈，显著增大了带宽，同时改善输入和输出阻抗，在电路中不需要输入电感和电源串联电感，极大的降低了低噪声放大器的电路面积。

[0036] 上述所述射频放大模块还包括第二电容7和第四电容19，所述第一共源共栅晶体管16的第一栅极通过第二电容7耦合输入节点20，所述耦合传输线阻抗变换器17的第二端口通过第四电容19耦合输出节点21。

[0037] 上述低噪声放大器电路中的其他电路组成了偏置模块，偏置模块的第二共源共栅晶体管14的共源管第一栅极耦合到第一共源共栅晶体管16的第一栅极，第二共源共栅晶体14的共栅管第二栅极、共栅管的漏极和共源管的源极分别耦合至第一电源输入端11、第二电源输入端12和地。当所述第一共源共栅晶体管16的漏极电流发生变化时，通过其第一共源共栅晶体16的第一栅极反馈至所述第二共源共栅晶体管14的第一栅极，使得第二共源共栅晶体管14的电流产生变化，即偏置模块将电流变化反馈至所述第二共源共栅晶体管14的第一栅极和第一共源共栅晶体管16的第一栅极，实现所述第一共源共栅晶体管16的电流控制，稳定低噪声放大器静态工作点电流。

[0038] 具体地，所述控制电路包括第一FET管1、第二FET管5、第一电阻2、第二电阻3、第一电容4、第三电阻6、第四电阻8、第五电阻9、第七电阻13，第一FET管1的栅极耦合至第二共源共栅晶体管14的漏极，所述第一FET管1的源极通过第一电阻2耦合所述第二FET管5的栅极，所述第二FET管5的栅极通过所述第二电阻3接地，所述第二FET管5的源极分别通过第三电阻6和第一电容4接地，所述第二FET管5的源极通过第五电阻9耦合第一共源共栅晶体管16的第一栅极，所述第二共源共栅晶体管14的漏极通过第七电阻13耦合第二电源输入端12，所述第二共源共栅晶体管14的第一栅极通过第四电阻8耦合第一共源共栅晶体管16的第一栅极，所述第二共源共栅晶体管14的源极接地。即当所述第一共源共栅晶体管16的漏极电流发生变化时，通过其第一栅极反馈至所述第二共源共栅晶体管14的第一栅极，使得第二共源共栅晶体管14的电流产生变化，从而给所述第一FET管1反馈，再通过所述第二FET管5将其变化反馈至所述第二共源共栅晶体管14的第一栅极和第一共源共栅晶体管16的第一栅极，以对所述第一共源共栅晶体管16的电流进行控制，降低了静态电流随工艺偏差、温度的波动，极大地降低了多个放大器产品间的静态偏置电流的差异，实现了远优于传统低噪声放大器的静态电流稳定性。

[0039] 作为优选的，上述所述第二共源共栅晶体管14和所述第一共源共栅晶体管16除了栅宽不同外其余参数均相同，所述第二共源共栅晶体管14的栅宽小于所述第一共源共栅晶体管16的栅宽，且所述第二共源共栅晶体管14、第一共源共栅晶体管16的静态电流比与第二共源共栅晶体管14、第一共源共栅晶体管16的栅宽比相同。

[0040] 本发明所述的一种低噪声放大器电路，其应用双栅FET管技术、反馈技术、宽带传输线阻抗匹配技术和采样技术实现了无需输入电感、电源串联电感和输入输出匹配电路的低噪声放大器电路，简化了现有的低噪声放大器电路结构，节省了电路面积，降低了设计难度，能够同时兼顾噪声系数、工作带宽、增益以及解决静态偏置电流稳定性和差异性问题，易于推广使用。

[0041] 本发明所述的一种低噪声放大器电路，其对第一共源共栅晶体管的源极电感不敏感，第一共源共栅晶体管的源极直接接地或通过极小的电感接地，极大地降低了低噪声放大器电路的面积，节约了成本。

[0042] 下面以图1所示的结构为例来详细的阐述一下本发明的有益效果。

[0043] 请参照图1所示，设置第三电源输入端18的电压为1.8V，设置第一电源输入端11的电压为0.8V，设置第二电源输入端12的电压为2.5V。设置第一电阻2为2000Ω，第二电阻3为5000Ω，第三电阻6为1000Ω，第四电阻8为10000Ω，第五电阻9为5000Ω，第六电阻10为
2000Ω，第七电阻13为700Ω。设置第一电电容4为3pF，第二电容7为1000pF，第三电容15为
5pF，第四电容19为1000pF，设置第一FET管1、第二FET管5、第二共源共栅晶体管14、第一共源共栅晶体管16为稳懋25μm的E‑mode FET管；第一FET管1、第二FET管5的栅宽为50μm；第二共源共栅晶体管14的栅宽为60μm；第一共源共栅晶体管16的栅宽为300μm；设置第一耦合传输线阻抗变换器17为耦合双线阻抗变换器，该耦合双线阻抗变换器的偶模阻抗为500，奇模阻抗为50，电长度为在1GHz频率时18度。

[0044] 参照图4和图5，本发明提出的低噪声放大器电路在超过7倍频程的600MHz～4.7GHz的频段内，输入、输出回波损耗小于‑10dB，增益大于20dB，噪声系数小于0.36dB。

[0045] 本发明放大器与现有技术放大器关于噪声和增益的对比结果请参照表1，现有技术1(US10608590B2)提出的放大器与本发明低噪声放大器FET管数量均为一个的情况下进行对比，其中现有技术1的相对带宽为0.7，其远小于本发明低噪声放大器的1.5，且现有技术1的增益为14.46，其小于本发明低噪声放大器的增益20dB，另外现有技术1的噪声系数为0.67dB，其大于本发明低噪声放大器的噪声系数0.36dB。同时参考图4，选取与现有技术1相同测量频率5～6GHz，本发明低噪声放大器的增益和噪声系数分别为16.6dB和0.42dB，其结果仍优于现有技术1。

[0046] 继续参照表1，现有技术2(CN109474243A)提出的低噪声放大器的相对带宽为2，其带宽虽然是本发明低噪声放大器的1.3倍；但是现有技术2的噪声系数大于2.5dB，其远大于本发明低噪声放大器的噪声系数0.36dB和现有技术1的噪声系数0.67dB；同时为了提升增益，现有技术2使用了两个射频放大器FET管，其增益为17.5dB，其小于本发明低噪声放大器的增益20dB。

[0047] 表1

[0048]

[0049] 此外，本发明无需采用现有技术1和现有技术2电路中使用的匹配电感结构，因此可以极大的降低了低噪声放大器的电路面积。

[0050] 综上，本发明提出的低噪声放大器电路结构较现有低噪声放大器电路更加简明，同时噪声性能优于现有低噪声放大器电路，且能够同时兼顾噪声系数、工作带宽、增益以及解决静态偏置电流稳定性和差异性问题，易于推广使用。

[0051] 实施例二

[0052] 本发明实施例二提供了另一种结构的低噪声放大器电路，其包括上述实施例一中的各个部件，且相同的部件采用相同的附图标记，该实施例在这里不再赘述。然而不同的是，参照图2，本实施例中阻抗变换电路包括第一耦合传输线阻抗变换器17、第二耦合传输线阻抗变换器24、第三电源输入端18和输出节点21，第一耦合传输线阻抗变换器17的第一端口、第二耦合传输线阻抗变换器24的第二端口分别与第一共源共栅晶体管16的漏极、输出节点21耦合，第三电源输入端18分别耦合到第一耦合传输线阻抗变换器17的第三端口、第二耦合传输线阻抗变换器24的第三端口。本实施例通过两个耦合传输线阻抗变换器组合使用，50Ω负载阻抗通过第一耦合传输线阻抗变换器17变换至200Ω的阻抗，再通过第二耦合传输线阻抗变换器24将200Ω的阻抗提升至800Ω的阻抗，实现整体50Ω至800Ω的负载阻抗变换，即本发明利用耦合传输线阻抗变换器的组合，可以将多个耦合传输线阻抗变换器逐级耦合，实现更高的阻抗变换比，进一步提升射频放大晶体管的负载电阻，降低射频放大晶体管的工作电流，提升低噪声放大器电路效率。

[0053] 作为优选的，所述多个且不限于两个耦合传输线阻抗变换器组合在一起实现更高的阻抗变换比，从而使第一共源共栅晶体管16的漏极负载阻抗提升，降低第一共源共栅晶体管16的工作电流，提升所述低噪声放大器的效率。

[0054] 实施例三

[0055] 本发明实施例三提供了另一种结构的低噪声放大器电路，其包括上述实施例一中的各个部件，且相同的部件采用相同的附图标记，该实施例在这里不再赘述。然而不同的是，参照图3，本实施例中阻抗变换电路包括第一射频开关22、第二射频开关23、第一耦合传输线阻抗变换器17、第三耦合传输线阻抗变换器25、第四耦合传输线阻抗变换器26、第三电源输入端18和输出节点21，第一共源共栅晶体管16的漏极通过第一射频开关22分别与第一耦合传输线阻抗变换器17、第三耦合传输线阻抗变换器25和第四耦合传输线阻抗变换器26的第一端口耦合，输出节点21通过第二射频开关23分别与第一耦合传输线阻抗变换器17、第三耦合传输线阻抗变换器25和第四耦合传输线阻抗变换器26的第二端口耦合，第三电源输入端18分别与第一耦合传输线阻抗变换器17、第三耦合传输线阻抗变换器25、第四耦合传输线阻抗变换器26的第三端口耦合。本发明通过三个耦合传输线阻抗变换器的组合使用，实现50Ω负载阻抗至2400Ω的阻抗变化，即通过多个耦合传输线阻抗变换器实现更高的阻抗变换比。

[0056] 实施例四

[0057] 本发明实施例四还提供一种无线通信系统，其包括如上述三个实施例所述的低噪声放大器电路，其具有低噪声放大器电路的所有有益效果，本发明不再赘述。

[0058] 显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引申出的显而易见的变化或变动仍处于本发明创造的保护范围之中。