静压支撑件、双面研磨装置和双面研磨方法

摘要

本公开涉及静压支撑件、双面研磨装置和双面研磨方法，该静压支撑件用于在硅片的双面研磨中通过提供至硅片的相反两面的流体的静压以非接触的方式支撑硅片，该静压支撑件包括相对设置的两个静压板，两个静压板的表面均设置有第一孔，以用于在研磨时向置于两个静压板之间的硅片的相反两面提供流体，并且两个静压板中的用于在研磨完成时吸附硅片的一者的表面还设置有第二孔，第二孔用于至少在研磨时进行抽气以吸除研磨中产生的碎屑。根据该静压支撑件、双面研磨装置和双面研磨方法，避免了因碎屑附着到静压板上导致硅片吸附于该静压板时在其表面上产生印记甚至划痕的问题。

权利要求

1.一种静压支撑件，用于在硅片的双面研磨中通过提供至所述硅片的相反两面的流体的静压以非接触的方式支撑所述硅片，其特征在于，所述静压支撑件包括相对设置的两个静压板，所述两个静压板的表面均设置有第一孔，以用于在研磨时向置于所述两个静压板之间的所述硅片的相反两面提供所述流体，并且所述两个静压板中的用于在研磨完成时吸附所述硅片的一者的所述表面还设置有第二孔，所述第二孔用于至少在研磨时进行抽气以吸除研磨中产生的碎屑。

2.根据权利要求1所述的静压支撑件，其特征在于，所述第二孔在所述硅片于研磨完成时吸附在所述两个静压板中的所述一者的所述表面上之前继续进行抽气。

3.根据权利要求1或2所述的静压支撑件，其特征在于，所述流体为气体，并且在研磨时，由设置在所述两个静压板中的所述一者的所述表面上的所述第一孔提供的气流的流速为10m/s‑25m/s，并且由所述第二孔提供的气流的流速为0.5m/s‑3m/s。

4.根据权利要求1或2所述的静压支撑件，其特征在于，所述第二孔包括均匀地设置在所述两个静压板中的所述一者的所述表面上的多个导孔。

5.根据权利要求1或2所述的静压支撑件，其特征在于，所述两个静压板中的另一者的所述表面与所述第二孔对应地设置有第三孔，所述第三孔用于至少在研磨时进行抽气以吸除研磨中产生的碎屑。

6.根据权利要求1或2所述的静压支撑件，其特征在于，还包括收集部分，所述收集部分与所述两个静压板中的所述一者连通以用于收集由所述第二孔吸入的所述碎屑。

7.根据权利要求1或2所述的静压支撑件，其特征在于，还包括所述碎屑不易附着在其上的隔离膜，所述隔离膜设置在所述两个静压板中的所述一者的所述表面上并且具有与所述第一孔和所述第二孔的位置对应的通孔。

8.根据权利要求7所述的静压支撑件，其特征在于，所述隔离膜由包含聚四氟乙烯的疏水复合材料制成。

9.一种双面研磨装置，用于对硅片的相反两面进行研磨，其特征在于，包括根据权利要求1至8中的任一项所述的静压支撑件。

10.一种双面研磨方法，其特征在于，使用根据权利要求9所述的双面研磨装置进行，所述双面研磨方法包括：通过所述静压支撑件的所述两个静压板支撑所述硅片；

通过磨轮对所述硅片的相反两面进行研磨，并且开启抽气模式以通过所述第二孔进行抽气从而吸除研磨中产生的碎屑；

在研磨完成时，使所述硅片吸附于所述两个静压板中的所述一者；以及通过机械臂移出所述硅片。

说明书

静压支撑件、双面研磨装置和双面研磨方法

技术领域

[0001] 本公开涉及研磨技术领域，具体地，涉及静压支撑件、包括该静压支撑件的双面研磨装置以及使用该双面研磨装置进行的双面研磨方法。

背景技术

[0002] 半导体硅材料是集成电路产业的主体功能材料，硅片的加工技术已逐步成为电子信息产业发展的重要驱动力。随着半导体技术的不断发展，硅片的直径越来越大并且集成电路的特征尺寸越来越小，由此，对硅片表面的平坦度及去除速率提出了更高的要求，而双面研磨加工是加快厚度去除速率、提升硅片表面平坦度最有效的技术手段之一。

[0003] 目前，对于双面研磨，当经研磨的硅片要下料时，例如，磨轮退出，硅片由一侧的静压板缓慢真空吸附于其表面上，之后，研磨室门打开，机械臂进入研磨室，到达硅片所在位置并吸取硅片，随后，将硅片从研磨室缓慢移出送入下一工序。

[0004] 然而，在研磨过程中，不断产生的硅渣、磨粒等碎屑及其他杂质碎屑会附着于两侧的静压板，导致当硅片吸附于一侧的静压板时，硅片的与该静压板接触的表面会因与静压板的挤压作用等而产生大量深度印记（Mark）甚至划痕，这些印记甚至划痕无法或很难在后道工序中去除，从而导致成品硅片出现品质异常甚至报废，进而极大地增加了成本。而且，为了解决上述问题而对静压板进行的频繁清洁及保养会造成大量时间浪费，且清洁过程受人工因素影响较大，对操作员的技术水准有较高要求，导致清洁效果无法保证，对后续产能提升造成严重制约。

发明内容

[0005] 本部分提供了本公开的总体概要，而不是对本公开的全部范围或所有特征的全面公开。

[0006] 本公开的一个目的在于提供一种能够避免硅片在移出过程中发生品质异常甚至报废的静压支撑件。

[0007] 本公开的另一目的在于提供一种能够减少静压板的频繁清洁及养护时间的静压支撑件。

[0008] 本公开的又一目的在于提供一种能够方便清洁的静压支撑件。

[0009] 为了实现上述目的中的一个或多个，根据本公开的一方面，提供了一种静压支撑件，用于在硅片的双面研磨中通过提供至硅片的相反两面的流体的静压以非接触的方式支撑硅片，静压支撑件包括相对设置的两个静压板，

[0010] 两个静压板的表面均设置有第一孔，以用于在研磨时向置于两个静压板之间的硅片的相反两面提供流体，并且

[0011] 两个静压板中的用于在研磨完成时吸附硅片的一者的表面还设置有第二孔，第二孔用于至少在研磨时进行抽气以吸除研磨中产生的碎屑。

[0012] 在上述静压支撑件中，第二孔可以在硅片于研磨完成时吸附在两个静压板中的所述一者的表面上之前继续进行抽气。

[0013] 在上述静压支撑件中，流体可以为气体，并且在研磨时，由设置在两个静压板中的所述一者的表面上的第一孔提供的气流的流速可以为10m/s‑25m/s，并且由第二孔提供的气流的流速可以为0.5m/s‑3m/s。

[0014] 在上述静压支撑件中，第二孔可以包括均匀地设置在两个静压板中的所述一者的表面上的多个导孔。

[0015] 在上述静压支撑件中，两个静压板中的另一者的表面可以与第二孔对应地设置有第三孔，第三孔用于至少在研磨时进行抽气以吸除研磨中产生的碎屑。

[0016] 在上述静压支撑件中，还可以包括收集部分，收集部分与两个静压板中的所述一者连通以用于收集由第二孔吸入的碎屑。

[0017] 在上述静压支撑件中，还可以包括碎屑不易附着在其上的隔离膜，隔离膜设置在两个静压板中的所述一者的表面上并且具有与第一孔和第二孔的位置对应的通孔。

[0018] 在上述静压支撑件中，隔离膜可以由包含聚四氟乙烯的疏水复合材料制成。

[0019] 根据本公开的另一方面，提供了一种双面研磨装置，用于对硅片的相反两面进行研磨，其包括根据前述段落中的任一个所述的静压支撑件。

[0020] 根据本公开的又一方面，提供了一种双面研磨方法，其使用根据前述段落所述的双面研磨装置进行，该双面研磨方法包括：

[0021] 通过静压支撑件的两个静压板支撑硅片；

[0022] 通过磨轮对硅片的相反两面进行研磨，并且开启抽气模式以通过第二孔进行抽气从而吸除研磨中产生的碎屑；

[0023] 在研磨完成时，使硅片吸附于两个静压板中的所述一者；以及

[0024] 通过机械臂移出硅片。

[0025] 根据本公开，通过在用于吸附研磨后的硅片的静压板的表面上设置用于至少在研磨时进行抽气的第二孔，可以将研磨过程中不断产生的大量硅渣、磨粒等碎屑及其他杂质碎屑吸除，使得这些碎屑不会飞溅到并附着在该静压板的表面上，以此方式，当硅片在研磨完成的时候吸附于静压板上时，硅片表面不会因为与静压板的表面接触和发生挤压而产生印记甚至划痕，由此避免了成品硅片因产生印记和划痕而导致的品质异常甚至报废，并由此避免了浪费和成本增加的风险；而且，大量碎屑的吸除使得静压板的表面附着这些碎屑的可能性大大降低，由此拉长了清洁及养护静压板的时间间隔并因此降低了清洁及养护频率，从而最终提高了生产效率。

[0026] 通过以下结合附图对本公开的示例性实施方式的详细说明，本公开的上述特征和优点以及其他特征和优点将更加清楚。

附图说明

[0027] 图1以示意图示出了常规的双面研磨装置；

[0028] 图2以示意图示出了根据本公开的实施方式的双面研磨装置；

[0029] 图3以示意图示出了图2中所示的双面研磨装置的两个静压板；

[0030] 图4以示意图示出了根据本公开的另一实施方式的双面研磨装置；

[0031] 图5以示意图示出了图4中所示的双面研磨装置的两个静压板；以及

[0032] 图6以流程图示出了根据本公开的实施方式的双面研磨方法。

具体实施方式

[0033] 下面参照附图、借助于示例性实施方式对本公开进行详细描述。要注意的是，对本公开的以下详细描述仅仅是出于说明目的，而绝不是对本公开的限制。此外，在各个附图中采用相同或相似的附图标记来表示相同的部件。

[0034] 在对硅片的相反两面进行研磨的双面研磨处理中，通常，可以使用如图1中所示的双面研磨装置100。双面研磨装置100例如包括：承载结构101；相对设置的两个静压板102a、102b；以及相对设置的两个磨轮103a、103b。具体地，承载结构101可以呈环形以用于沿周向方向将待研磨的硅片200承载在该环形的内部。相对设置的两个静压板102a、102b分别设置在承载结构101的两侧，以用于在研磨时通过分别从两个静压板102a、102b提供至承载于承载结构101的硅片200的相反两面的流体的静压以非接触的方式支撑硅片200，例如支撑硅片200保持处于竖向方向。相对设置的两个磨轮103a、103b同样分别设置在承载结构101的两侧，以用于在研磨时分别对硅片200的相反两面进行研磨。

[0035] 当要进行研磨时，可以通过例如机械臂（未示出）吸取待加工的硅片200，靠近图1中的左侧的静压板102a进入研磨室，并将硅片200移入承载结构101内，与此同时，左右两侧的静压板102a、102b分别向硅片200的相反两面提供流速相等的流体，例如气体，以将硅片200协同稳定在竖向方向上。之后，机械臂移出，左右两侧的静压板102a、102b相向前进以靠近硅片200，并且左右两侧的磨轮103a、103b相向前进以分别接触硅片200的相反两面，开启对硅片200的双面研磨加工。

[0036] 当研磨完成时，左右两侧的磨轮103a、103b沿相反方向后退，左侧的静压板102a开启向硅片200的相反两面中的左侧面喷气的喷气模式，并且右侧的静压板102b开启对硅片200的相反两面中的右侧面进行抽吸的吸真空模式，使得硅片200从承载结构101脱离而吸附于右侧的静压板102b的表面上。之后，机械臂再次进入研磨室，并从左侧吸附硅片200，此时，左侧的静压板102a上的喷气模式关闭，并且右侧的静压板102b上的吸真空模式关闭，由此，机械臂吸取硅片200并将其从研磨室移出以进入下一工序。

[0037] 如之前已经提到的，在研磨过程中，不断产生的硅渣、磨粒等碎屑及其他杂质碎屑可能会飞溅到并附着在位于正被研磨的硅片的左右两侧的静压板的表面上，在这种情况下，当硅片在研磨完成的时候被吸附于例如图1中的右侧的静压板时，硅片的与该静压板接触的右侧面会因与该静压板的挤压作用等而受到附着在该静压板的表面上的碎屑的破坏，由此可能产生大量深度印记甚至划痕，这些印记甚至划痕无法或很难在后道工序中去除，从而导致成品硅片出现品质异常甚至报废，造成大量浪费并由此极大地增加了成本。而且，目前为了解决上述问题而对静压板进行的频繁清洁及保养会造成大量时间浪费，且清洁过程受人工因素影响较大，对操作员的技术水准有较高要求，导致清洁效果无法保证，对后续产能提升造成严重制约。

[0038] 为了解决上述问题，参照图2和图3，根据本公开的一方面，提供了一种静压支撑件1，其用于在硅片200的双面研磨中通过提供至硅片200的相反两面的流体的静压以非接触的方式支撑硅片200。

[0039] 静压支撑件1包括相对设置的两个静压板11、12（图2和图4中示出为左侧的静压板L和右侧的静压板R）。

[0040] 两个静压板11、12的表面11a、12a均设置有第一孔111，如图3中所示，以用于在研磨时向置于两个静压板11、12之间的硅片200的相反两面提供上述流体。

[0041] 如图2中所示，两个静压板11、12分别设置在待研磨的硅片200的左右两侧，以用于在研磨时通过分别从两个静压板11、12的各自的第一孔111提供至硅片200的相反两面的流体的静压以非接触的方式支撑硅片200。

[0042] 可以理解的是，从两个静压板11、12的各自的第一孔111提供的流体需要将硅片200例如支撑在竖向方向上，为此，例如，从两侧的第一孔111提供的流体的静压是相等的并且所提供的静压的施加位置使硅片200保持在竖向方向上，在这种情况下，静压板11上的第一孔111可以包括均匀分布在静压板11上的多个孔，静压板12上的第一孔111可以包括与静压板11上的多个孔对应分布的多个孔，并且每个孔所提供的流体的流速是相等的。如图3中所示，静压板11上的第一孔111可以包括在周向方向上均匀分布在静压板11的表面11a上的
3个孔111’，这3个孔会向硅片200的侧面的对应地均匀分布的3个位置提供流体，静压板12具有同样地设置，由此将硅片200支撑在竖向方向上。所述多个孔中的每个孔的孔径可以设定为6mm‑10mm，以便提供流体静压。

[0043] 可以设想的是，静压板11、12上的第一孔111也可以采用其他形式，包括数目及分布，只要能够将硅片200通过流体静压支撑在所需的位置即可。

[0044] 需要注意的是，这里的流体包括液体和气体，仅为了能提供至硅片的侧面以产生流体静压。在下面的描述中，流体被直接描述为气体，以便于进行说明。

[0045] 在本公开的实施方式中，如图2和图3中所示，两个静压板11、12中的用于在研磨完成时吸附硅片200的一者12（在本示例中示出为右侧的静压板）的表面12a还设置有第二孔112，第二孔112用于至少在研磨时进行抽气以吸除研磨中产生的碎屑。

[0046] 具体而言，当研磨过程开始时，设置在静压板12的表面12a上的第二孔112开始进入抽气模式以进行抽气，由此，研磨过程中不断产生的大量硅渣、磨粒等碎屑及其他杂质碎屑在飞溅到静压板12的表面12a附近时会随第二孔112抽气时所带动的抽气气流被吸入到第二孔112中，该抽气模式至少发生在研磨过程期间，以使得研磨过程中不断产生的这些碎屑不会飞溅到并附着在静压板12的表面12a上。

[0047] 通过这种方式，当硅片200在研磨完成的时候吸附于静压板12的表面12a上时，硅片200的右侧表面不会因为与静压板12的表面12a接触和发生挤压而产生印记甚至划痕，由此避免了成品硅片因产生印记和划痕而导致的品质异常甚至报废，并由此避免了浪费和成本增加的风险。进一步地，由于第二孔112会吸入在研磨过程中不断产生的大量碎屑，使得静压板12的表面12a附着这些碎屑的可能性大大降低，由此拉长了清洁及养护静压板的时间间隔并因此降低了清洁及养护频率，从而最终提高了生产效率。

[0048] 在本公开的实施方式中，第二孔112可以在硅片200于研磨完成时吸附在两个静压板11、12中的所述一者即静压板12的表面12a上之前继续进行抽气。

[0049] 当研磨完成时，研磨室中可能仍存在有在研磨过程中已产生的但尚未被第二孔112吸入的硅渣、磨粒等碎屑及其他杂质碎屑，此时，第二孔112可以继续处于抽气模式以进行抽气，有利于进一步吸除可能会附着到静压板12的表面12a上的这些碎屑；此外，在硅片
200于研磨完成的时候从用于承载硅片200的承载结构例如图1中的承载结构101脱离时，也可能会带动某些尚未被吸入的碎屑移动并且这些碎屑有可能随之附着到静压板12的表面
12a上，第二孔112继续抽气也会有利于吸入这些碎屑，由此避免碎屑由于附着到静压板12的表面12a上而在吸附于静压板12的硅片200的右侧表面上产生印记甚至划痕。

[0050] 可以设想的是，当硅片200吸附于静压板12的表面12a上时，第二孔112仍可以处于抽气模式，由此对硅片200提供额外甚至单独的吸附力。然而，也可以理解的是，当硅片200吸附于静压板12的表面12a上时，第二孔112可以停止抽气。

[0051] 在研磨时，硅片200的右侧表面在图2中的水平方向上受到方向相反的两个力，即由来自静压板12的第一孔111的喷气对硅片200的右侧表面施加的向左的流体静压力和由来自静压板12的第二孔112的抽气对硅片200的右侧表面施加的向右的抽吸力。

[0052] 为了使硅片200通过流体静压被准确地支撑在所需方向上，例如如图2中所示支撑在竖向方向上，可以使静压板12的表面12a上的第一孔111的喷气对硅片200施加的力远大于第二孔112的抽气对硅片200施加的力，也就是说，静压板12的表面12a上的第一孔111提供的气流的流速要远大于第二孔112提供的气流的流速。

[0053] 例如，在本公开的实施方式中，在研磨时，由静压板12的表面12a上的第一孔111提供的气流的流速可以设定为10m/s‑25m/s，并且由第二孔112提供的气流的流速可以设定为0.5m/s‑3m/s。

[0054] 可以设想的是，可以分别设置独立的供气装置和抽气装置来实现第一孔111的喷气和第二孔112的抽气。

[0055] 在本公开的实施方式中，如图3中所示，第二孔112可以包括均匀地设置在两个静压板11、12中的所述一者12的表面12a上的多个导孔112’。这些导孔112’在静压板12的表面12a上的均匀分布使得能够尽可能充分地吸除硅渣碎屑等。

[0056] 在本公开的实施方式中，每个导孔112’的孔径可以为1mm‑3mm，以使得既能够实现吸入硅渣碎屑而不易阻塞，且能够便于控制抽气的气体流速，还能够避免孔径过大时可能对吸附在静压板上的硅片造成污染。

[0057] 根据本公开的实施方式，参照图4和图5，两个静压板11、12中的另一者11（在本示例中示出为左侧的静压板）的表面11a可以与第二孔112对应地设置有第三孔113，第三孔113用于至少在研磨时进行抽气以吸除研磨中产生的碎屑。

[0058] 通过在左侧的静压板11的表面11a上对应地设置第三孔113，一方面，可以增强对研磨中产生的硅渣、磨粒等碎屑及其他杂质碎屑的吸除，使得研磨室中的碎屑残留更少，有利于降低碎屑飞溅到并附着在右侧的静压板12的表面12a上的可能性；另一方面，使得碎屑附着在左侧的静压板11的表面11a本身上的可能性降低，由此拉长了清洁及养护左侧的静压板11的时间间隔，并因而整体性地降低了对双面研磨装置的清洁及养护频率；再一方面，第二孔112与第三孔113对应设置有助于平衡二者在工作时分别对硅片200的相反两面施加的抽吸力，使得能够消除仅设置第二孔112时在硅片200的相反两面产生的微小受力差异，有利于硅片始终准确保持在所需方向如竖向方向上。

[0059] 类似地，第三孔113同样可以包括均匀地设置在静压板11的表面11a上的多个导孔113’，以便能够尽可能充分地吸除硅渣碎屑等。另外，每个导孔113’的孔径可以与每个导孔
112’的孔径相同，范围同样可以在1mm‑3mm。

[0060] 当研磨完成时，硅片200会移动以被吸附在例如右侧的静压板12的表面12a上。对于该移动吸附过程，在本公开的实施方式中，当双面研磨加工完成时，左侧的静压板11上的第一孔111可以开启向硅片200的左侧表面喷气的喷气模式，并且右侧的静压板12上的第一孔111可以开启对硅片200的右侧表面进行抽吸的吸真空模式，由此，硅片200从承载其的承载结构脱离并被吸附到静压板12的表面12a上。如之前提到的，可以设想的是，在该过程中，第二孔112可以继续保持抽气模式。另外，还可以设想的是，可以仅通过由静压板12上的第一孔111提供的抽吸作用来使硅片200从承载结构脱离并被吸附到静压板12的表面12a上，在这种情况下，还可以考虑使第一孔111的气流的流速是能够调节的，以根据需要调大气流流速以便于增大吸附力。

[0061] 在本公开的另一实施方式中，由第二孔112提供的气流的流速是能够调节的，使得两个静压板11、12中的所述一者12在研磨完成时对硅片200的吸附能够通过第二孔112借助于增大气流的流速来实现。

[0062] 具体而言，当双面研磨加工完成时，可以仅通过由第二孔112提供的抽吸作用（此时，静压板11和12的第一孔111可以均停止工作）来使硅片200从承载结构脱离并被吸附到静压板12的表面12a上，在该过程中，可以通过增大由第二孔112提供的气流的流速来增强第二孔112能够提供的抽吸作用。当然，还可以设想的是，在该移动吸附过程中，左侧的静压板11上的第一孔111可以开启喷气模式，以有助于硅片200更好地从承载结构脱离。

[0063] 可以设想的是，还可以采用其他构造和形式来实现硅片的该移动吸附过程。

[0064] 如图2中的多个黑色箭头所示，研磨过程中产生的大量碎屑在通过第二孔112被吸入时会进入到静压板12中，并在重力和气流的带动下集中沉降。

[0065] 在本公开的实施方式中，静压支撑件1还可以包括收集部分（未示出），收集部分与静压板12连通以用于收集由第二孔112吸入的碎屑。

[0066] 收集部分例如可以是设置在静压支承件1或双面研磨装置的底部的收集装置，以用于收集集中沉降的大量碎屑。可以设想的是，收集部分可以是能够打开的，以便定期打开以进行清洁。

[0067] 如图4中所示，在静压板11设置有第三孔113的情况下，还可以设置有与静压板11连通的收集部分，以用于收集从第三孔113吸入的碎屑。可以设想的是，与静压板12连通的收集部分和与静压板11连通的收集部分可以是同一或一体的收集部分。

[0068] 在本公开的实施方式中，如图2中所示，静压支撑件1还可以包括碎屑不易附着在其上的隔离膜13（图3和图5中隔离膜13覆盖在静压板12的表面12a上，故对同一部位以12a/13同时指示），隔离膜13设置在静压板12的表面12a上并且具有与第一孔111和第二孔112的位置对应的通孔。

[0069] 隔离膜13固定在静压板12的表面12a上，由此，研磨过程中产生的大量碎屑不易附着在隔离膜13上。每次整个研磨完成后，仅需要清洁隔离膜13即可，例如可以直接擦拭，或者可以直接进行更换隔离膜13即可，清洁方便快捷，而不会对静压板12的表面12a本身产生任何污染和损伤，从而有效地节约了时间成本。

[0070] 如图4中所示，还可以在静压板11的表面11a上设置碎屑不易附着在其上的隔离膜14（图5中隔离膜14覆盖在静压板11的表面11a上，故对同一部位以11a/14同时指示），并且类似地，该隔离膜14同样具有与第一孔111和第三孔113的位置对应的通孔。类似地，通过这种方式，可以使得对静压板11的清洁更加方便快捷。

[0071] 在本公开的实施方式中，隔离膜13可以由包含聚四氟乙烯（PTFE）的疏水复合材料制成。

[0072] 该疏水复合材料具有诸多优势，例如，广泛的化学兼容性，耐受二甲基亚砜（DMSO）、四氢呋喃（THF）、二甲基甲酰胺（DMF）、二氯甲烷、氯仿等强溶剂；不含粘结剂和可溶出性物质；剥离强度高；复合强度稳定；截留率好；操作简单等。

[0073] 根据本公开的另一方面，还提供了一种双面研磨装置300，如图2和图4中所示，其用于对硅片200的相反两面进行研磨，该双面研磨装置300包括如前所述的静压支撑件1。

[0074] 根据本公开的实施方式，该双面研磨装置300还包括承载结构301，其呈环形并用于在周向方向上将硅片200承载在该环形内。而且，静压支撑件1的两个静压板11、12设置在承载结构301的相反两侧。

[0075] 根据本公开的实施方式，该双面研磨装置300还包括相对设置的两个磨轮302、303，两个磨轮302、303设置在承载结构301的相反两侧，以用于从这两侧对承载在承载结构
301中的硅片200的相反两面进行研磨。

[0076] 根据本公开的又一方面，如图6中所示，还提供了一种双面研磨方法，其使用如前所述的双面研磨装置300进行，该双面研磨方法包括：

[0077] 通过静压支撑件1的两个静压板11、12支撑硅片200；

[0078] 通过磨轮302、303对硅片的相反两面进行研磨，并且开启抽气模式以通过第二孔112进行抽气从而吸除研磨中产生的碎屑；

[0079] 在研磨完成时，使硅片200吸附于静压板12；以及

[0080] 通过机械臂移出硅片200。

[0081] 在本公开的实施方式中，当研磨完成时，使第二孔112继续保持抽气模式。

[0082] 在本公开的实施方式中，当研磨完成时，静压板11上的第一孔111开启向硅片200的左侧表面喷气的喷气模式，并且静压板12上的第一孔111开启对硅片200的右侧表面进行抽吸的吸真空模式，以使硅片200脱离承载结构301并被吸附在静压板12的表面12a上。

[0083] 在本公开的实施方式中，当硅片200吸附在静压板12的表面12a上时，使机械臂进入双面研磨装置的研磨室并通过硅片200的左侧表面吸附硅片200，同时，使静压板11上的第一孔111的喷气模式关闭、静压板12上的第一孔111的吸真空模式关闭、以及第二孔112的抽气模式关闭，随后使机械臂将硅片200从研磨室移出以进入下一工序。

[0084] 本公开中的术语“第一”和“第二”之间不具有逻辑或时序上的依赖关系，也不对数量和执行顺序进行限定。还应理解，尽管以上描述使用术语“第一”和“第二”等来描述各种结构，但这些结构不应受术语的限制。这些术语只是用于将一结构与另一结构区别分开。

[0085] 以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。