基板保持器、镀覆装置以及镀覆装置的制造方法

摘要

本发明涉及基板保持器、镀覆装置以及镀覆装置的制造方法，基板保持器在镀覆装置中保持基板，具备：密封件，封闭上述基板的外周部，且具有供上述基板的被镀覆面露出的第一开口；和密封环保持器，按压上述密封件，且具有供上述基板的被镀覆面露出的第二开口，上述第二开口的开口直径与上述第一开口的开口直径之比亦即开口直径比在99.32％以上且99.80％以下的范围内。

权利要求

1.一种基板保持器，是在镀覆装置中保持直径为300mm的大小的基板的基板保持器，其中，具备：密封件，该密封件使所述基板的外周部封闭，且具有供所述基板的被镀覆面露出的第一开口；和密封环保持器，该密封环保持器按压所述密封件，且具有供所述基板的被镀覆面露出的第二开口，所述第二开口的开口直径与所述第一开口的开口直径之比亦即开口直径比在99.32％以上且99.80％以下的范围内，将所述密封件的高度与所述密封环保持器的高度加在一起而成的堤部的高度为2mm以上3mm以下的范围，并且所述密封环保持器的高度比所述密封件的高度大。

2.根据权利要求1所述的基板保持器，其中，

所述开口直径比处于99.42％以上且99.59％以下的范围。

3.根据权利要求1或2所述的基板保持器，其中，所述密封环保持器的所述第二开口在远离所述密封件的一侧具有第一锥形部，所述第一锥形部设置为随着越远离所述密封件，而所述第二开口的直径变得越大。

4.根据权利要求1或2所述的基板保持器，其中，所述密封环保持器的所述第二开口在靠近所述密封件的一侧具有第二锥形部，所述第二锥形部设置为随着越靠近所述密封件，而所述第二开口的直径变得越大。

5.根据权利要求1或2所述的基板保持器，其中，所述密封环保持器的所述第二开口在远离所述密封件的一侧具有第一锥形部，并且在靠近所述密封件的一侧具有第二锥形部，所述第一锥形部设置为随着越远离所述密封件，而所述第二开口的直径变得越大，所述第二锥形部设置为随着越靠近所述密封件，而所述第二开口的直径变得越大。

6.一种基板保持器，是在镀覆装置中保持直径为300mm的大小的基板的基板保持器，其中，具备：密封件，该密封件使所述基板的外周部封闭，且具有供所述基板的被镀覆面露出的第一开口；和密封环保持器，该密封环保持器按压所述密封件，且具有供所述基板的被镀覆面露出的第二开口，所述密封环保持器的所述第二开口具有设置在远离所述密封件的一侧的第一锥形部以及设置在靠近所述密封件的一侧的第二锥形部，所述第一锥形部设置为随着越远离所述密封件，而所述第二开口的开口直径变得越大，所述第二锥形部设置为随着越靠近所述密封件，而所述第二开口的开口直径变得越大，所述第二开口的开口直径与所述第一开口的开口直径之比亦即开口直径比处于

99.32％以上且99.80％以下的范围，

将所述密封件的高度与所述密封环保持器的高度加在一起而成的堤部的高度为2mm以上3mm以下的范围，并且所述密封环保持器的高度比所述密封件的高度大。

7.根据权利要求1、2、6中任一项所述的基板保持器，其中，将基板的被镀覆面朝向下方地保持。

8.根据权利要求1、2、6中任一项所述的基板保持器，其中，在镀覆模块中将基板的被镀覆面保持为竖立的状态。

9.一种镀覆装置，其中，具备：

权利要求1～8中任一项所述的基板保持器；和

供所述基板保持器配置的镀覆槽。

10.一种方法，是用于制造镀覆装置的方法，该镀覆装置具备保持直径为300mm的大小的基板的基板保持器，其中，所述方法具有将密封件与密封环保持器组装的工序，该密封件具有第一开口且使所述基板的外周部封闭，该密封环保持器具有第二开口且按压所述密封件，在所述工序中，选择所述密封环保持器及所述密封件，以便所述密封环保持器的所述第二开口的开口直径与所述密封件的所述第一开口的开口直径之比亦即开口直径比处于

99.32％以上且99.80％以下的范围，并且以便将所述密封件的高度与所述密封环保持器的高度加在一起而成的堤部的高度为2mm以上3mm以下的范围，且所述密封环保持器的高度比所述密封件的高度大。

说明书

基板保持器、镀覆装置以及镀覆装置的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及基板保持器、镀覆装置以及镀覆装置的制造方法。

背景技术

[0002] 作为镀覆装置的一个例子，公知有杯式的电镀装置。杯式的电镀装置通过使被镀覆面朝向下方地将保持于基板保持器的基板(例如半导体晶片)浸渍于镀覆液，在基板与阳极之间施加电压，从而使导电膜(镀膜)在基板的表面析出。在这样的镀覆装置中，已知在镀覆时，朝向基板的被镀覆面的电力线(电场)的密度会对镀膜厚度的均匀性造成影响。在美国专利第6，193，859号说明书(专利文献1)中，记载了在基板保持器中，在保持对向基板供电用的触点进行保护的密封件的密封件保持器的下方设置凸缘，使凸缘的开口直径变化，由此调整基板缘部处的镀膜厚度。

[0003] 专利文献1：美国专利第6，193，859号说明书

[0004] 在上述专利文献1中，对于基板保持器的密封件及密封件保持器的结构对镀膜厚度的均匀性造成的影响，没有任何讨论。基板保持器的密封件及密封件保持器设置为为了使基板的被镀覆面露出于镀覆液而具有开口的环状的部件。通常，密封件保持器的开口直径构成为比密封件的开口直径小，以使密封件保持器能够适当地按压密封件。该密封件与密封件保持器的开口直径之差有可能对朝向基板的被镀覆面的电力线(电场)的密度造成影响，进而对镀膜厚度的均匀性造成影响。

发明内容

[0005] 本发明的目的之一在于提供一种能够提高镀膜厚度的均匀性的基板保持器的密封件及密封件保持器的结构。

[0006] 根据本发明的一侧面，提供一种基板保持器，该基板保持器在镀覆装置中将基板保持为被镀覆面朝向下方，具备：密封件，使上述基板的外周部封闭，且具有供上述基板的被镀覆面露出的第一开口；和密封环保持器，按压上述密封件，且具有供上述基板的被镀覆面露出的第二开口，上述第二开口的开口直径与上述第一开口的开口直径之比亦即开口直径比在99.32％以上且99.80％以下的范围内。

附图说明

[0007] 图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。

[0008] 图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。

[0009] 图3是表示本实施方式所涉及的镀覆模块的一个例子的示意图。

[0010] 图4是表示本实施方式的基板保持器的结构的示意图。

[0011] 图5是说明基板附近的电力线的说明图。

[0012] 图6是镀膜厚度的面内均匀性的模拟结果例。

[0013] 图7是表示模拟结果例中的SRH与密封件的开口直径之比的表。

[0014] 图8是说明面内均匀性的计算方法的说明图。

[0015] 图9是镀膜厚度的模拟结果例。

[0016] 图10A是表示变形例所涉及的基板保持器的结构的示意图。

[0017] 图10B是表示变形例所涉及的基板保持器的结构的示意图。

[0018] 图10C是表示变形例所涉及的基板保持器的结构的示意图。

具体实施方式

[0019] 以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。在以下说明的附图中，对相同或相当的构成要素标注相同的附图标记并省略重复的说明。

[0020] 图1是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置的整体结构的俯视图。如图1、2所示，镀覆装置1000具备装载口100、输送机械臂110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转冲洗干燥模块600、输送装置700以及控制模块800。

[0021] 装载口100是用于将收纳于未图示的FOUP等盒的基板搬入于镀覆装置1000或者从镀覆装置1000向盒搬出基板的模块。在本实施方式中，4台装载口100沿水平方向排列配置，但装载口100的数量及配置是任意的。输送机械臂110是用于输送基板的机械臂，构成为在装载口100、对准器120以及输送装置700之间交接基板。输送机械臂110及输送装置700能够在输送机械臂110与输送装置700之间交接基板时，经由未图示的临时放置台进行基板的交接。

[0022] 对准器120是用于使基板的定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准的模块。在本实施方式中，2台对准器120沿水平方向排列配置，但对准器120的数量及配置是任意的。预湿模块200是通过使纯水或脱气水等处理液润湿镀覆处理前的基板的被镀覆面，将在基板表面形成的图案内部的空气置换为处理液。预湿模块200构成为实施通过在镀覆时将图案内部的处理液置换为镀覆液而容易向图案内部供给镀覆液的预湿处理。在本实施方式中，2台预湿模块200沿上下方向排列配置，但预湿模块200的数量及配置是任意的。

[0023] 预浸模块300例如构成为实施利用硫酸、盐酸等处理液对在镀覆处理前的基板的被镀覆面形成的种子层表面等存在的电阻大的氧化膜进行蚀刻除去而对镀覆基底表面进行清洗或活化的预浸处理。在本实施方式中，2台预浸模块300沿上下方向排列配置，但预浸模块300的数量及配置是任意的。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。在本实施方式中，沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台镀覆模块400的组件为两组，合计设置有24台镀覆模块400，但镀覆模块400的数量及配置是任意的。

[0024] 清洗模块500构成为为了除去镀覆处理后的基板上残留的镀覆液等而对基板进行清洗处理。在本实施方式中，2台清洗模块500沿上下方向排列配置，但清洗模块500的数量及配置是任意的。旋转冲洗干燥模块600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而使其干燥的模块。在本实施方式中，2台旋转冲洗干燥模块沿上下方向排列配置，但旋转冲洗干燥模块的数量及配置是任意的。输送装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块之间输送基板的装置。控制模块800构成为控制镀覆装置1000的多个模块，例如能够由具备与操作人员之间的输入输出接口的一般的计算机或专用计算机构成。控制模块800具备易失性以及/或者非易失性的存储器，或者构成为能够与这样的存储器进行通信。控制模块800具备保存用于控制镀覆装置的各部的程序、参数等的非易失性的存储介质，或者构成为能够与这样的存储介质进行通信。

[0025] 对镀覆装置1000进行的一系列镀覆处理的一个例子进行说明。首先，将收纳于盒的基板搬入于装载口100。接着，输送机械臂110从装载口100的盒取出基板，并将基板输送至对准器120。对准器120使基板的定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准。输送机械臂110将由对准器120对准了方向的基板交接给输送装置700。

[0026] 输送装置700将从输送机械臂110接收到的基板输送给预湿模块200。预湿模块200对基板实施预湿处理。输送装置700将实施了预湿处理的基板输送给预浸模块300。预浸模块300对基板实施预浸处理。输送装置700将实施了预浸处理的基板输送给镀覆模块400。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。

[0027] 输送装置700将实施了镀覆处理的基板输送给清洗模块500。清洗模块500对基板实施清洗处理。输送装置700将实施了清洗处理的基板输送给旋转冲洗干燥模块600。旋转冲洗干燥模块600对基板实施干燥处理。输送装置700将实施了干燥处理的基板交接给输送机械臂110。输送机械臂110将从输送装置700接收到的基板输送给装载口100的盒。最后，将收纳基板的盒从装载口100搬出。

[0028] 图3是表示本实施方式所涉及的镀覆模块的一个例子的示意图。如该图所示，本实施方式所涉及的镀覆模块400是所谓的面朝下式或杯式的镀覆模块。镀覆液例如是硫酸铜溶液，镀膜能够为铜膜。但是，镀膜可以是能够镀覆的任意金属，镀覆液能够根据镀膜的种类来选择。

[0029] 镀覆模块400具备镀覆槽401、作为基板保持件的基板保持器403、以及镀覆液存积槽404。基板保持器403构成为将晶片等基板402保持为使其被镀覆面向下。镀覆模块400具有使基板保持器403沿周向旋转的马达411。马达411从未图示的电源接受电力的供给。马达411被控制模块800控制，使基板保持器403以及保持于基板保持器403的基板402旋转。换言之，控制模块800通过控制马达411的旋转，来控制基板402的每单位时间的转速(也称为频率、旋转速度)。通过使基板402旋转，在基板面附近形成镀覆液的液流，向基板402均匀地供给足够量的离子。在镀覆槽401中以与基板402对置的方式配置有阳极410。在阳极410也可以设置有调整阳极410的露出区域的阳极掩膜(省略图示)。

[0030] 镀覆模块400还具有镀覆液承接槽408。镀覆液存积槽404内的镀覆液通过泵405，经过过滤器406及镀覆液供给管407从镀覆槽401的底部供给到镀覆槽401内。从镀覆槽401溢出的镀覆液被镀覆液承接槽408接收，并返回到镀覆液存积槽404。

[0031] 镀覆模块400还具有与基板402和阳极410连接的电源409。马达411使基板保持器403旋转，并且电源409对基板402与阳极410之间施加规定的电压(直流电压、脉冲电压)，由此在阳极410与基板402之间流动有镀覆电流，在基板402的被镀覆面形成有镀膜。

[0032] 另外，在基板402与阳极410之间配置有设置了多个孔的电场调整用的板(电阻体)10。多个孔在板10的表面与背面之间贯通，构成供镀覆液及镀覆液中的离子通过的路径。通过调整由多个孔形成的开口密度，能够调整板10的电阻值(相对于离子流或镀覆电流的电阻值)。

[0033] 在基板402与板10之间配置有搅棒412。搅棒412由驱动机构413驱动，通过与基板402平行地(沿大致水平方向)往复运动来搅拌镀覆液，在基板402的表面形成更强的液流，由此向基板402均匀地供给足够量的离子。驱动机构413具有：马达413a，从未图示的电源接受电力的供给；滚珠丝杠等旋转直动转换机构413b，将马达413a的旋转转换为直线运动；以及轴413c，与旋转直动转换机构413b及搅棒412连结，将旋转直动转换机构413b的动力传递至搅棒412。控制模块800通过控制马达413a的旋转，来控制搅棒412的往复运动的速度(也称为运动速度)。

[0034] 图4是表示本实施方式的基板保持器的结构的示意图。基板保持器403具备：触点(省略图示)，用于与基板402的外周部接触并供电；密封件421，是封闭触点的环状的部件；以及密封环保持器(SRH)422，作为保持密封件421的密封件保持器的一个例子。密封件421与基板402的外周部至外周部的内侧接触，封闭基板402的外周部，由此防止镀覆液侵入触点与基板402之间的接点。密封件421与基板402接触，SRH422朝向基板402按压密封件421，由此构成为镀覆液不侵入触点侧。密封件421为了使基板402的被镀覆面露出，而具备具有开口直径Φseal的开口431。SRH422为了使基板402的被镀覆面露出，而具备具有开口直径Φsrh的开口432。如图4所示，SRH422的开口直径Φsrh形成为比密封件421的开口直径Φseal小，以使SRH422能够按压密封件421(Φsrh＜Φseal)。

[0035] 图5是说明基板附近的电力线的说明图。由于在基板402与阳极410之间施加的电压，电力线(电场)从阳极410朝向基板402。从图4及图5可知，由于SRH422的开口直径Φsrh与密封件421的开口直径Φseal之差，箭头所示的电力线(电场)在SRH422的开口432收缩，在密封件421的开口431扩展。因此，申请人通过控制密封件开口直径Φseal及SRH开口直径Φsrh的关系，来控制基板表面的镀膜厚度的面内均匀性。即，发现通过由SRH422引起的电场的收缩与由密封件421引起的电场的扩散的平衡，能够提高基板表面的镀膜厚度的面内均匀性，决定镀膜厚度分布变得均匀的最佳的开口直径Φsrh、Φseal的关系(后述的开口直径比＝Φsrh/Φseal的范围)。

[0036] 另外，如图5所示，除了密封件开口直径及SRH开口直径之外，认为密封件的高度Hseal及SRH的高度Hsrh也会对电力线(电场)造成影响。因此，定义由密封件421及SRH422构成的堤部的高度Hbank＝Hseal+Hsrh，也验证了堤部的高度Hbank对电场造成的影响。为了在基板402的表面形成强的镀覆液流，优选使基板402与搅棒412的距离尽可能地接近。因此，需要降低堤部的高度，以使搅棒412不与堤部碰撞。另一方面，考虑到将密封件421推压于基板402来防止镀覆液的侵入的SRH422的功能，SRH422被要求具有能够充分承受因密封件421被压缩而产生的反作用力的机械强度，需要一定程度的厚度(堤部高度)。考虑两者的平衡，堤部的高度优选为2.0mm≤Hbank≤3.0mm的范围，更优选为2.5mm左右。

[0037] 图6是镀膜厚度的面内均匀性的模拟结果例。该模拟能够使用市面出售或专用的镀覆解析软件/程序来实施。作为模拟的解析条件(模型)，设定包括镀覆模块的模块构造(包括密封件及SRH的材质、形状、尺寸以及/或者配置)、施加电压、镀覆液的种类的参数。解析软件例如能够使用COMSOL Multiphysics(注册商标)。在该模拟中，改变SRH开口直径Φsrh及密封件开口直径Φseal的大小的组合，对于直径300mm的圆形的晶片，计算实施了电镀的结果获得的镀膜厚度分布(图9)，根据该镀膜厚度分布计算面内均匀性U。堤部的高度Hbank为2.5mm(密封件高度Hseal＝1mm，SRH高度Hsrh＝1.5mm)。密封件高度是通过螺纹固定等将保持密封件421的SRH422固定于基板保持器主体，并推压于基板402而将密封件421压扁时的密封件421高度。此外，这些数值是设计值，由于来自密封件421的反作用力引起的SRH422的变形以及/或者密封件421、SRH422的尺寸公差等，请注意实际的基板保持器的数值可能会产生一些偏差。图6(A)是改变SRH开口直径及密封件开口直径的大小的组合，镀覆种子层为膜厚300nm的Cu层的直径300mm的晶片的情况下的面内均匀性U的模拟结果。图6(B)是改变SRH开口直径及密封件开口直径的大小的组合，镀覆种子层为膜厚50nm的Cu层的直径300mm的晶片的情况下的面内均匀性U的模拟结果。

[0038] 图8是说明面内均匀性的计算方法的说明图。在图中，横轴表示基板的径向的位置，纵轴表示镀膜厚度。纵轴的镀膜厚度以整个基板的平均膜厚标准化地显示。整个基板的平均膜厚也可以是在基板面内设定任意个数的膜厚的测定点(采样点)的情况下的膜厚的平均值。在该图中，Tmax、Tmin、Tavg分别是在基板面内设定任意个数的膜厚的测定点(采样点)的情况下的镀膜厚度的最大值、镀膜厚度的最小值、镀膜厚度的平均值。在本实施方式中，使用以下的式(1)，计算镀膜厚度的面内均匀性U。面内均匀性U的值是镀膜厚度的均匀性越高而越小的值，理想情况(镀膜厚度在整个基板上完全相同的情况)下的镀膜厚度的均匀性为U＝0％。

[0039] U[％]＝(Tmax－Tmin)/2/Tavg＊100···(1)

[0040] 图9是镀膜厚度的模拟结果例。在图中，横轴表示基板的径向的位置，纵轴表示镀膜厚度。纵轴的镀膜厚度以整个基板的平均膜厚标准化地显示。整个基板的平均膜厚也可以为在基板面内设定任意个数的膜厚的测定点(模拟点)的情况下的膜厚的平均值。在该图中，表示与图6的模拟结果例的一部分对应的膜厚分布的模拟结果。图9(A)表示在Cu种子层膜厚300nm的直径300mm的晶片中，密封件开口直径Φseal＝295.2mm，SRH开口直径Φsrh＝293.8mm的情况下的镀膜厚度的模拟结果例。此时，面内均匀性U＝0.56％。图9(B)表示在Cu种子层膜厚300nm的直径300mm的晶片中，密封件开口直径Φseal＝294.8mm，SRH开口直径Φsrh＝294.5mm的情况下的镀膜厚度的模拟结果例。此时，面内均匀性U＝1.84％。图9(C)表示在作为膜厚300nm的Cu种子层的直径300mm的晶片中，密封件开口直径Φseal＝
295.3mm，SRH开口直径Φsrh＝293.3mm的情况下的镀膜厚度的模拟结果例。此时，面内均匀性U＝1.70％。从图9的模拟结果例可知，通过密封件开口直径与SRH开口直径的大小的组合，基板上的镀膜厚度分布变化，特别是基板外周部的镀膜厚度分布大幅变化。

[0041] 对于密封件开口直径Φseal与SRH开口直径Φsrh的各组合，通过模拟取得图9所例示的镀膜厚度分布，图6表示利用图8及上述所示的式(1)计算面内均匀性U的结果。从图6可知，通过改变密封件开口直径与SRH开口直径的大小的组合，镀膜厚度的均匀性(面内均匀性U)变化。在该例中，将所希望的面内均匀性的条件设为面内均匀性U≤1.5％，对于满足面内均匀性U≤1.5％的SRH开口直径Φsrh与密封件开口直径Φseal的组合，计算式(2)所示的开口直径比R。这里，在本实施方式中，如上所述，由于Φsrh＜Φseal，因此开口直径比成为R＜1。

[0042] 开口直径比R＝Φsrh/Φseal×100[％]···(2)

[0043] 图7是表示图6的模拟结果例中的SRH与密封件的开口直径之比的表。在该图中，各栏的数值表示与SRH开口直径和密封件开口直径的各组合对应的开口直径比R。在该图中，也一并示出了不满足面内均匀性U≤1.5％的、与SRH开口直径和密封件开口直径的各组合对应的开口直径比R。灰色背景栏表示不满足面内均匀性U≤1.5％的开口直径比、以及密封件开口直径与SRH开口直径的组合。灰色背景以外的栏表示满足面内均匀性U≤1.5％的开口直径比、以及密封件开口直径与SRH开口直径的组合。图7(A)的各栏对应于图6(A)的各栏。图7(B)的各栏对应于图6(B)的各栏。根据图7，满足面内均匀性U≤1.5％的开口直径比的范围是[99.32％≤开口直径比R≤99.80％]，更优选为[99.42％≤开口直径比R≤99.59％]。因此，为了使开口直径比R满足上述范围，通过选择密封件开口直径Φseal及SRH开口直径Φsrh，能够实现所希望的面内均匀性U≤1.5％。

[0044] 在制造具备保持基板的基板保持器403的镀覆装置1000(镀覆模块400)的方法中，在组装具有密封件开口431且封闭基板的外周部的密封件421、与具有SRH开口432且按压密封件421的SRH422的工序中，为了使SRH开口432的开口直径Φsrh的大小在密封件开口431的开口直径Φseal的大小的99.32％以上且99.80％以下(更优选为99.42％以上且99.59％以下)的范围内，通过选择SRH422及密封件421，能够实现所希望的面内均匀性U≤1.5％的镀膜厚度分布。

[0045] 图10A是表示变形例所涉及的基板保持器的结构的示意图。在该例中，在SRH422的开口432的下方侧/开口端侧(与密封件421、基板402相反侧)的开口缘设置有越靠下方开口432的直径变得越大的锥形部423。将锥形部423也称为开口端侧锥形部。在设置有这样的锥形部423的情况下，在基板保持器403与镀覆液接触时容易排出基板402的表面的气泡。此外，在该结构中，上述提及的SRH的开口直径Φsrh为SRH422的开口432的最窄的部分的直径。

[0046] 图10B是表示另一变形例所涉及的基板保持器的结构的示意图。在该例中，在SRH422的上方侧(靠近密封件421、基板402的一侧)设置有越靠上方开口432的直径变得越大的锥形部424。将锥形部424也称为密封件侧锥形部。由于在密封件421侧具有扩径的锥形部424，因此在镀覆后，能够使镀覆液不积存于由SRH422与密封件421的开口直径之差引起的台阶。此外，在该结构中，上述提及的SRH的开口直径Φsrh为SRH422的开口432的最窄的部分的直径。

[0047] 图10C是表示又一变形例所涉及的基板保持器的结构的示意图。在该例中，在SRH422设置有锥形部423及锥形部424这两者。在该情况下，能够获得上述两个例子的作用效果双方。即，在基板保持器403与镀覆液接触时容易排出基板402的表面的气泡，并且在镀覆后，能够使镀覆液不积存于由SRH422与密封件421的开口直径之差引起的台阶。此外，在该结构中，上述提及的SRH的开口直径Φsrh为SRH422的开口432的最窄的部分的直径。

[0048] (其他实施方式)

[0049] 在上述实施方式中，将基板保持为被镀覆面朝向下方。根据该方式，举出所谓的面朝下式或杯式的镀覆模块为例进行了说明，但在镀覆模块中，对于使用将基板保持为被镀覆面沿铅垂方向竖立的状态的基板保持器进行镀覆的、所谓的浸渍式的镀覆模块，也可以应用上述实施方式。

[0050] 在上述实施方式中，至少包括以下的实施方式。

[0051] 根据一个实施方式，提供一种基板保持器，该基板保持器在镀覆装置中保持基板，具备：密封件，使上述基板的外周部封闭，且具有供上述基板的被镀覆面露出的第一开口；和密封环保持器，按压上述密封件，且具有供上述基板的被镀覆面露出的第二开口，上述第二开口的开口直径与上述第一开口的开口直径之比亦即开口直径比在99.32％以上且
99.80％以下的范围内。换言之，上述第二开口的开口直径的大小在上述第一开口的开口直径的大小的99.32％以上且99.80％以下的范围内。由密封件及SRH构成的堤部的高度能够为2.0mm以上3.0mm以下，优选为约2.5mm。开口直径为开口的最窄的部分的直径。开口直径比是将第二开口的开口直径Φsrh与第一开口的开口直径Φseal之比记为百分比，通过式(2)而计算出的。

[0052] 开口直径比R＝Φsrh/Φseal×100[％]···(2)

[0053] 根据该实施方式，通过将密封环保持器(SRH)与密封件的开口直径比控制在适当的范围内，能够良好地平衡由SRH引起的电场的收缩与由密封件引起的电场的扩散，能够提高镀覆在基板上的镀膜厚度的均匀性。特别是具有抑制基板外周部的镀膜厚度的偏差的效果。另外，不用在SRH的前表面另外设置电场调整用的构件，就能够提高镀覆在基板上的镀膜厚度的均匀性。

[0054] 根据一个实施方式，上述开口直径比在99.42％以上且99.59％以下的范围内。

[0055] 通过将SRH与密封件的开口直径比进一步限定在上述范围内，能够更可靠地提高镀膜厚度的均匀性。

[0056] 根据一个实施方式，上述密封环保持器的上述第二开口在远离上述密封件的一侧具有第一锥形部，上述第一锥形部设置为随着越远离上述密封件，而上述第二开口的直径变得越大。

[0057] 在设置有这样的第一锥形部的情况下，在基板保持器与镀覆液接触时，容易排出基板的表面的气泡，能够使镀覆液相对于基板均匀地接触。其结果，能够进一步提高镀膜厚度的面内均匀性。

[0058] 根据一个实施方式，上述密封环保持器的上述第二开口在靠近上述密封件的一侧具有第二锥形部，上述第二锥形部设置为随着越靠近上述密封件，而上述第二开口的直径变得越大。

[0059] 由于在密封件侧具有扩径的第二锥形部，因此在镀覆后，能够使镀覆液不积存于由SRH与密封件的开口直径之差引起的台阶。在镀覆液积存于上述台阶的情况下，(A)每镀覆一片基板的镀覆液带出量变多。需要补充镀覆液的带出的量的镀覆液，导致装置的运行成本增加。另外，(B)在镀覆后清洗晶片时所需的水的量、时间变大。水的使用量导致装置的运行成本增加。另外，若清洗时间变长，则会影响每单位时间能够处理的基板的片数(即装置的生产性能、生产率)。通过使镀覆液不积存于上述台阶，起到能够降低装置的运行成本以及/或者能够提高生产率的作用效果。

[0060] 根据一个实施方式，上述密封环保持器的上述第二开口在远离上述密封件的一侧具有第一锥形部，并且在靠近上述密封件的一侧具有第二锥形部，上述第一锥形部设置为随着越远离上述密封件，而上述第二开口的直径变得越大，上述第二锥形部设置为随着越靠近上述密封件，而上述第二开口的直径变得越大。

[0061] 根据该实施方式，能够起到上述第一锥形部带来的作用效果以及第二锥形部带来的作用效果双方。

[0062] 根据一个实施方式，提供一种基板保持器，该基板保持器在镀覆装置中保持基板，具备：密封件，使上述基板的外周部封闭，且具有供上述基板的被镀覆面露出的第一开口；和密封环保持器，按压上述密封件，且具有供上述基板的被镀覆面露出的第二开口，上述密封环保持器的上述第二开口具有设置在远离上述密封件的一侧的第一锥形部以及/或者设置在靠近上述密封件的一侧的第二锥形部，上述第一锥形部设置为随着越远离上述密封件，而上述第二开口的直径变得越大，上述第二锥形部设置为随着越靠近上述密封件，而上述第二开口的直径变得越大。

[0063] 根据该方式，能够起到上述第一锥形部带来的作用效果以及/或者第二锥形部带来的作用效果。

[0064] 根据一个实施方式，在上述实施方式的任一个所记载的基板保持器中，将基板保持为被镀覆面朝向下方。根据该方式，在所谓的面朝下式或杯式的镀覆装置中，能够起到上述作用效果。

[0065] 根据一个实施方式，在上述实施方式的任一个所记载的基板保持器中，在镀覆模块中将基板的被镀覆面保持在竖立的状态。根据该方式，在使基板以竖立的状态浸渍于镀覆液来进行镀覆的、所谓的浸渍式的镀覆装置中，能够起到上述作用效果。

[0066] 根据一个实施方式，提供一种镀覆装置，具备：上述实施方式的任一个所记载的基板保持器；和配置上述基板保持器的镀覆槽。

[0067] 根据该方式，能够提供起到上述作用效果的镀覆装置。

[0068] 根据一个实施方式，提供一种方法，该方法用于制造具备保持基板的基板保持器的镀覆装置，具有组装密封件与密封环保持器的工序，该密封件具有第一开口且封闭上述基板的外周部，该密封环保持器具有第二开口且按压上述密封件，在上述工序中，选择上述密封环保持器及上述密封件，以便上述密封环保持器的上述第二开口的开口直径与上述密封件的上述第一开口的开口直径之比亦即开口直径比在99.32％以上且99.80％以下的范围内。

[0069] 根据该实施方式，通过将密封环保持器(SRH)与密封件的开口直径比控制在适当的范围内，能够提高镀覆在基板上的镀膜厚度的均匀性。

[0070] 以上，对本发明的实施方式进行了说明，但上述发明的实施方式是为了容易理解本发明，而不限定本发明。本发明当然能够在不脱离其主旨的情况下进行变更、改进，并且在本发明中也包括其等效物。另外，在能够解决上述课题的至少一部分的范围，或者起到效果的至少一部分的范围内，能够进行权利要求书及说明书中记载的各构成要素的任意组合或省略。美国专利第6，193，859号说明书(专利文献1)的包括说明书、权利要求书、附图以及摘要的全部的公开内容通过参照而整体被引入本申请。

[0071] 附图标记说明

[0072] 100...装载口；110...输送机械臂；120...对准器；200...预湿模块；300...预浸模块；400...镀覆模块；401...镀覆槽；402...基板；403...基板保持器；404...镀覆液存积槽；405...泵；406...过滤器；407...镀覆液供给管；408...镀覆液承接槽；409...电源；410...阳极；411...马达；412...搅棒；413...驱动机构；413a...马达；413b...旋转直动转换机构；413c...轴；421...密封件；422...密封环保持器(SRH)；431...密封件开口；
432...SRH开口；423...开口端侧锥形部；424...密封件侧锥形部；500...清洗模块；600...旋转冲洗干燥模块；700...输送装置；800...控制模块；1000...镀覆装置。