光学邻近修正方法和装置

摘要

本公开提供一种光学邻近修正方法和装置。该方法包括：在原始图形中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形和第二光学辅助图形；确定在原始图形中存在异常光学辅助图形，异常光学辅助图形是由第一光学辅助图形和第二光学辅助图形形成的，异常光学辅助图形是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形；对异常光学辅助图形处理，获得包括目标光学辅助图形和原始图形的目标图形，目标光学辅助图形是指不会在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。本公开实施例的方法能够提高所需目标图形的准确性。

权利要求

1.一种光学邻近修正方法，其特征在于，包括：

在一部分区域的原始图形中利用第一光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形，在另一部分区域的所述原始图形中利用第二光学辅助图形形成方式形成第二光学辅助图形；

确定在所述原始图形中存在异常光学辅助图形，所述异常光学辅助图形是由所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形形成的，所述异常光学辅助图形是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形；

对所述异常光学辅助图形处理，获得包括目标光学辅助图形和所述原始图形的目标图形，包括：对所述异常光学辅助图形的位置以及尺寸不断调整迭代，直至所述异常光学辅助图形不能够被曝光为止，所述异常光学辅助图形形成为所述目标光学辅助图形；所述目标光学辅助图形是指不会在所述基板上形成曝光图形的光学辅助图形；

其中，所述第一光学辅助图形形成方式包括基于规则的辅助图形形成方式、基于模型的辅助图形形成方式、基于设计规则检查的辅助图形形成方式、基于掩膜规则检查的辅助图形形成方式中的任意一种或者多种；所述第二光学辅助图形形成方式包括连续透射掩模辅助图形形成方式。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在原始图形中利用第一光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形，包括：分析所述原始图形的结构，获取所述原始图形中的多个最小重复单元；

利用所述第一光学辅助图形形成方式对任意一个所述最小重复单元进行处理，形成所述最小重复单元的第一光学辅助图形；

针对所述多个最小重复单元中剩余的每一个所述最小重复单元，复制所述最小重复单元的第一光学辅助图形，形成所述第一光学辅助图形。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在原始图形中利用第二光学辅助图形形成方式形成第二光学辅助图形，包括：分析所述原始图形的结构，获取所述原始图形中的多个最小重复单元；

利用所述第二光学辅助图形形成方式对所述最小重复单元进行处理，形成所述最小重复单元的第二光学辅助图形；

针对所述多个最小重复单元中剩余的每一个所述最小重复单元，复制所述最小重复单元的第二光学辅助图形，形成所述第二光学辅助图形。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，确定在所述原始图形中存在异常光学辅助图形，包括：确定连通的所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形；

确定能够被曝光的连通的所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形为所述异常光学辅助图形；和/或，确定未连通的且最小间距小于预设阈值的所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形；

确定能够被曝光的未连通的所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形为所述异常光学辅助图形。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，

基于所述原始图形，获取重复图形区域；

利用第二光学辅助图形形成方式形成第二光学辅助图形包括：在所述重复图形区域的角隅部形成所述第二光学辅助图形。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

基于所述原始图形，获得重复图形区域；

基于所述重复图形区域，获得所述重复图形区域的内区域和外区域；

确定所述内区域的所述异常光学辅助图形和所述外区域的所述异常光学辅助图形；

分别获取所述内区域的所述异常光学辅助图形的初始内位置和初始内尺寸以及所述外区域的所述异常光学辅助图形的初始外位置和初始外尺寸；

分别对所述内区域的所述异常光学辅助图形的所述初始内位置和所述初始内尺寸以及所述外区域的所述异常光学辅助图形的所述初始外位置和所述初始外尺寸不断调整迭代，直至所述内区域和所述外区域的所述异常光学辅助图形不能够被曝光为止，所述异常光学辅助图形形成为所述目标光学辅助图形。

7.一种光学邻近修正装置，其特征在于，包括：

形成模块，用于在一部分区域的原始图形中利用第一光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形，在另一部分区域的所述原始图形中利用第二光学辅助图形形成方式形成第二光学辅助图形；

其中，所述第一光学辅助图形形成方式包括基于规则的辅助图形形成方式、基于模型的辅助图形形成方式、基于设计规则检查的辅助图形形成方式、基于掩膜规则检查的辅助图形形成方式中的任意一种或者多种；所述第二光学辅助图形形成方式包括连续透射掩模辅助图形形成方式；

确定模块，用于确定在所述原始图形中存在异常光学辅助图形，所述异常光学辅助图形是由所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形形成的，所述异常光学辅助图形是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形；

处理模块，用于对所述异常光学辅助图形处理，获得包括目标光学辅助图形和所述原始图形的目标图形，包括：对所述异常光学辅助图形的位置以及尺寸不断调整迭代，直至所述异常光学辅助图形不能够被曝光为止，所述异常光学辅助图形形成为所述目标光学辅助图形；所述目标光学辅助图形是指不会在所述基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

说明书

光学邻近修正方法和装置

技术领域

[0001] 本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种光学邻近修正方法和装置。

背景技术

[0002] 光学邻近校正（Optical Proximity Correction，OPC）是一种光刻增强技术，在半导体器件的生产过程中使用，以保证生产过程中涉及的图形的边缘得到完整的蚀刻。

[0003] 随着集成电路元件缩小以及集成化，各膜层的关键尺寸越来越小，在半导体工艺中，往往通过光刻将掩膜图形转移至硅片上形成各膜层图形，但是由于各元件的尺寸减小，光刻的准确率降低。相关技术中，在集成电路设计版图中的图形周围添加亚分辨率辅助图形，以提高工艺窗口并提高光刻的准确率。但是在实际生产过程中，形成亚分辨率辅助图形的耗时较长，且准确性较低，难以满足工艺要求，导致半导体器件良率降低。

[0004] 在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的相关技术的信息。

发明内容

[0005] 本公开实施例提供了一种光学邻近修正方法，能够提高所需目标图形的准确性。

[0006] 本公开实施例提供了一种光学邻近修正方法，包括：在原始图形中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形和第二光学辅助图形；确定在所述原始图形中存在异常光学辅助图形，所述异常光学辅助图形是由所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形形成的，所述异常光学辅助图形是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形；对所述异常光学辅助图形处理，获得包括目标光学辅助图形和所述原始图形的目标图形，所述目标光学辅助图形是指不会在所述基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

[0007] 在一些实施例中，在原始图形中利用第一光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形，包括：分析所述原始图形的结构，获取所述原始图形中的多个最小重复单元；利用所述第一光学辅助图形形成方式对任意一个所述最小重复单元进行处理，形成所述最小重复单元的第一光学辅助图形；针对所述多个最小重复单元中剩余的每一个所述最小重复单元，复制所述最小重复单元的第一光学辅助图形，形成所述第一光学辅助图形。

[0008] 在一些实施例中，在原始图形中利用第二光学辅助图形形成方式形成第二光学辅助图形，包括：分析所述原始图形的结构，获取所述原始图形中的多个最小重复单元；利用所述第二光学辅助图形形成方式对所述最小重复单元进行处理，形成所述最小重复单元的第二光学辅助图形；针对所述多个最小重复单元中剩余的每一个所述最小重复单元，复制所述最小重复单元的第二光学辅助图形，形成所述第二光学辅助图形。

[0009] 在一些实施例中，确定在所述原始图形中存在异常光学辅助图形，包括：确定连通的所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形；确定能够被曝光的连通的所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形为所述异常光学辅助图形；和/或，确定未连通的且最小间距小于预设阈值的所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形；确定能够被曝光的未连通的所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形为所述异常光学辅助图形。

[0010] 在一些实施例中，对所述异常光学辅助图形处理，获得包括目标光学辅助图形和所述原始图形的目标图形，包括：对所述异常光学辅助图形的位置以及尺寸不断调整迭代，直至所述异常光学辅助图形不能够被曝光为止，所述异常光学辅助图形形成为所述目标光学辅助图形。

[0011] 在一些实施例中，基于所述原始图形，获取重复图形区域，利用第二光学辅助图形形成方式形成第二光学辅助图形包括：在所述重复图形区域的角隅部形成所述第二光学辅助图形。

[0012] 在一些实施例中，所述方法还包括：基于所述原始图形，获得重复图形区域；基于所述重复图形区域，获得所述重复图形区域的内区域和外区域；确定所述内区域的所述异常光学辅助图形和所述外区域的所述异常光学辅助图形；分别获取所述内区域的所述异常光学辅助图形的初始内位置和初始内尺寸以及所述外区域的所述异常光学辅助图形的初始外位置和初始外尺寸；分别对所述内区域的所述异常光学辅助图形的所述初始内位置和所述初始内尺寸以及所述外区域的所述异常光学辅助图形的所述初始外位置和所述初始外尺寸不断调整迭代，直至所述内区域和所述外区域的所述异常光学辅助图形不能够被曝光为止，所述异常光学辅助图形形成为所述目标光学辅助图形。

[0013] 在一些实施例中，所述第一光学辅助图形形成方式包括基于规则的辅助图形形成方式、基于模型的辅助图形形成方式、基于设计规则检查的辅助图形形成方式、基于掩膜规则检查的辅助图形形成方式中的任意一种或者多种。

[0014] 在一些实施例中，所述第二光学辅助图形形成方式包括连续透射掩模辅助图形形成方式。

[0015] 本公开实施例还提供一种光学邻近修正装置，包括形成模块、确定模块和处理模块。

[0016] 形成模块用于在原始图形中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形和第二光学辅助图形。

[0017] 确定模块用于确定在所述原始图形中存在异常光学辅助图形，所述异常光学辅助图形是由所述第一光学辅助图形和所述第二光学辅助图形形成的，所述异常光学辅助图形是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

[0018] 处理模块对所述异常光学辅助图形处理，获得包括目标光学辅助图形和所述原始图形的目标图形，所述目标光学辅助图形是指不会在所述基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

[0019] 由上述技术方案可知，本公开实施例的光学邻近修正方法具备以下优点和积极效果中的至少之一：

[0020] 本公开实施例中，分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形和第二光学辅助图形，通过第一光学辅助图形和第二光学辅助图形，确定异常光学辅助图形，并对异常光学辅助图形处理，即将两种光学辅助图形形成方式联合使用，降低了光学辅助图形的形成时间，并且通过对异常光学辅助图形的处理，使得所有的光学辅助图形均不会被曝光，提高了所需目标图形的准确性以及一致性，使得后续光刻工艺的准确率提高，并提高了半导体器件的良率。

附图说明

[0021] 通过参照附图详细描述其示例实施方式，本公开的上述和其它特征及优点将变得更加明显。

[0022] 图1为本公开一些实施例示出的光学邻近修正方法的流程图；

[0023] 图2为本公开一些实施例示出的利用第二光学辅助图形形成方式形成的具有矩形形式的光学辅助图形的示意图；

[0024] 图3为本公开一些实施例示出的利用第二光学辅助图形形成方式形成的线条为不光滑的阶梯形式的光学辅助图形的示意图；

[0025] 图4为本公开一些实施例示出的利用第二光学辅助图形形成方式形成的线条为光滑的曲线形式的光学辅助图形的示意图；

[0026] 图5为本公开一些实施例的在过渡区的原始图形示意图（a）以及其GDS（Geometry Data Standard，几何数据标准版图）示意图（b）；

[0027] 图6为从图5中示出的原始图形中分析获得的对应的重复单元的示意图；

[0028] 图7为本公开一些实施例示出的在原始图形中形成第一光学辅助图形的局部示意图；

[0029] 图8为本公开一些实施例示出的在原始图形中形成第二光学辅助图形的局部示意图，其中示出了异常光学辅助图形；

[0030] 图9为本公开一些实施例示出的对处于异常光学辅助图形中的第二光学辅助图形调整迭代的流程图；

[0031] 图10为本公开一些实施例示出的对异常光学辅助图形进行处理形成目标图形的示意图；

[0032] 图11为本公开一些实施例示出的对异常光学辅助图形进行处理的过程示意图；

[0033] 图12为本公开另一些实施例示出的在原始图形中形成第一光学辅助图形和第二光学辅助图形及其异常光学辅助图形的示意图；

[0034] 图13为图12中将其异常光学辅助图形处理后形成的目标图形的示意图；

[0035] 图14为本公开一些实施例示出的一种光学邻近修正装置的框图；

[0036] 图15为本公开一些实施例示出的一种计算机设备的结构示意图；

[0037] 图16为本公开一些实施例示出的计算机可读存储介质的示意图。

[0038] 附图标记说明：

[0039] 1、原始图形；11、第一光学辅助图形；12、第二光学辅助图形；13、异常光学辅助图形；14、最小重复单元；14’、第一最小重复单元；14”、第二最小重复单元； 15、目标光学辅助图形；16、目标图形；A、阵列区；C、过渡区；P、外围区；S1、第一重复区域；S2、第二重复区域；S3、非重复区域；I、内区域；O、外区域。

具体实施方式

[0040] 现在将参考附图更全面地描述示例实施方式。然而，示例实施方式能够以多种形式实施，且不应被理解为限于在此阐述的实施方式；相反，提供这些实施方式使得本公开将全面和完整，并将示例实施方式的构思全面地传达给本领域的技术人员。图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略它们的详细描述。

[0041] 在对本公开的不同示例性实施方式的下面描述中，参照附图进行，附图形成本公开的一部分，并且其中以示例方式显示了可实现本公开的多个方面的不同示例性结构。应理解的是，可以使用部件、结构、示例性装置、系统和步骤的其他特定方案，并且可在不偏离本公开范围的情况下进行结构和功能性修改。而且，虽然本说明书中可使用术语“之上”、“之间”、“之内”等来描述本公开的不同示例性特征和元件，但是这些术语用于本文中仅出于方便，例如根据附图中的示例的方向。本说明书中的任何内容都不应理解为需要结构的特定三维方向才落入本公开的范围内。此外，术语“第一”、“第二”等仅作为标记使用，不是对其对象的数字限制。

[0042] 附图中所示的流程图仅是示例性说明，不是必须包括所有的内容和操作/步骤，也不是必须按所描述的顺序执行。例如，有的操作/步骤还可以分解，而有的操作/步骤可以合并或部分合并，因此实际执行的顺序有可能根据实际情况改变。

[0043] 另外，在本公开的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。

[0044] 如图1所示，本公开实施例提供了一种光学邻近修正方法，包括如下步骤S110至S130。

[0045] S110：在原始图形1中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12。

[0046] 如图2所示，原始图形1是指用户最终需要形成在基板上的图形，原始图形可以有多个，作为示例，图2中的附图标记1仅指出了其中一个。本公开实施例对掩膜版上的掩膜图形进行预设计，使得掩膜图形经过光刻工艺后，在光刻胶层上能够形成接近原始图形1的光刻图形。其中，基板可以是晶圆或者芯片。

[0047] 在一些实施例中，第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12均为亚分辨率辅助图形（Sub‑Resolution Assistant Feature，SRAF），第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12的尺寸均小于光刻系统的成像分辨率，本身在曝光时不会形成光刻图形，但可以对附近的原始图形1的光刻成像的光强的分布产生影响，使得原始图形1的光刻更加准确。

[0048] 其中，第一光学辅助图形11由第一光学辅助图形形成方式形成。在一些实施例中，第一光学辅助图形形成方式可以包括基于规则的辅助图形形成方式（Rule‑based SRAF）、基于模型的辅助图形形成方式（Model‑based SRAF）、基于设计规则检查的辅助图形形成方式（Design Rule Check，DRC SRAF）、基于掩膜规则检查的辅助图形形成方式（Mask Rule Check，MRC SRAF）等中的任意一种或者多种。

[0049] 第二光学辅助图形12由第二光学辅助图形形成方式形成。在一些实施例中，第二光学辅助图形形成方式可以包括连续透射掩模辅助图形形成方式（Continuous transmission mask，CTM SRAF），CTM SRAF是反演光刻技术（Inverse Lithography Technology，ILT）的一种实际应用。

[0050] ILT是把要在基板上实现的图形作为目标反演计算出掩膜上所需的图形的技术。ILT通过复杂的反演数学计算得到一个理想的掩膜图形，用这种方法设计出的掩膜，在曝光时能提供比较高的图形对比度。

[0051] CTM是一种迭代形成参考图的方法，可以提取和放置精度更高的光学辅助图形。由CTM形成的光学辅助图形可以为矩形（Rectangle）形式（如图2所示）、线条可以为不光滑的阶梯(Staircase)形式（如图3所示）或者线条为光滑的曲线（Curvilinear）形式（如图4所示）。在实际使用过程中，本领域技术人员可以根据需求选择，此处不做特殊限定。CTM均能够提高光刻工艺窗口，即提高成像精确度、曝光度和焦深。

[0052] 本公开实施例中，原始图形1的分布可对应于阵列区（cell）A、过渡区（core）C和外围区（periphery）P。过渡区C围绕阵列区A，外围区P围绕过渡区C。其中，阵列区A中原始图形1基本完全重复，过渡区C的原始图形1部分重复，部分不重复，外围区P的原始图形基本不重复。

[0053] 基于此，如图7所示，本公开实施例中的S110中的在原始图形1中利用第一光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11，可以包括：分析原始图形1的结构，获取原始图形1中的多个最小重复单元14；利用第一光学辅助图形形成方式对任意一个最小重复单元14进行处理，形成最小重复单元14的第一光学辅助图形11；针对多个最小重复单元14中剩余的每一个最小重复单元14，复制最小重复单元14的第一光学辅助图形11，形成第一光学辅助图形11。

[0054] 具体地，无论是哪个区域的原始图形1，均可以分析位于该区域的原始图形1的结构，获取原始图形1的多个最小重复单元14。例如，如图7所示，在阵列区A进行分析，若阵列区A中的原始图形1全部为重复的图形，则可以获得整个阵列区A中的全部最小重复单元14。如图5和图6所示，其中图5中a为过渡区C的原始图形分布的示意图，b为过渡区C的原始图形的GDS仿真图，在过渡区C中进行分析，可以获得重复的原始图形1中的最小重复单元14，而没有重复的原始图形1，则结果会显示不重复。如图5和图6所示，在外围区P中进行分析，若外围区P中没有重复的最小重复单元14，则结果会显示不重复或者不显示。

[0055] 当然，若提前判断得出阵列区A的原始图形1为全部重复的图形，而外围区P没有重复的原始图形1，则可以省略对阵列区A和外围区P的重复性分析，从而节省时间和能耗。

[0056] 最小重复单元14可以是一个原始图形1，也可以是一组具有排列规律的原始图形1。在获得最小重复单元14后，利用第一光学辅助图形形成方式对任一个最小重复单元14进行处理，形成最小重复单元14的第一光学辅助图形11，之后针对剩余的每个最小重复单元
14，复制上述的一个最小重复单元14的第一光学辅助图形11，形成所有的最小重复单元14的第一光学辅助图形11，即形成原始图形1的第一光学辅助图形11。因而，只需要获取任意一个最小重复单元14的第一光学辅助图形11，就可以通过复制粘贴的方式获得整个原始图形1的第一光学辅助图形11，大大减少了处理时间，同时节省了能耗。

[0057] 在一些实施例中，如图8所示，本公开实施例中的S110中的在原始图形1中利用第二光学辅助图形形成方式形成第二光学辅助图形12，可以包括：分析原始图形1的结构，获取原始图形1中的多个最小重复单元14；利用第二光学辅助图形形成方式对最小重复单元14进行处理，形成最小重复单元14的第二光学辅助图形12；针对多个最小重复单元14中剩余的每一个最小重复单元14，复制最小重复单元14的第二光学辅助图形12，形成第二光学辅助图形12。

[0058] 由于第二光学辅助图形形成方式可以为CTM SRAF，CTM SRAF为迭代、反演计算形成参考图的方法，形成的辅助图形精度更高，但是由于迭代、计算会造成处理速度下降，耗时严重，因而在本公开实施例中，同上述形成第一光学辅助图形11相似，获得最小重复单元14后，利用第二光学辅助图形形成方式对任一个最小重复单元14进行处理，形成最小重复单元14的第二光学辅助图形12，之后针对剩余的每个最小重复单元14，复制上述的一个最小重复单元14的第二光学辅助图形12，形成所有的最小重复单元14的第二光学辅助图形
12，即形成原始图形1的第二光学辅助图形12。因此，只需要获取任意一个最小重复单元14的第二光学辅助图形12，就可以通过复制粘贴的方式获得整个原始图形1的第二光学辅助图形12，大大减少了处理时间，节省了能耗，同时能够获得更加准确的第二光学辅助图形
12。

[0059] 在一些实施例中，当分析原始图形1的结构获得多个最小重复单元14后，可以利用第一光学辅助图形形成方式对一部分区域的任意一个最小重复单元14进行处理，形成该最小重复单元14的第一光学辅助图形11，对该区域的剩余的最小重复单元14，可以复制上述的第一光学辅助图形11。对于另一部分区域，可以利用第二光学辅助图形形成方式对该部分区域的任意一个最小重复单元14进行处理，形成该最小重复单元14的第二光学辅助图形12，对该另一部分区域的剩余的最小重复单元14，可以复制上述第二光学辅助图形12。

[0060] 上述的实施例中的方法可以应用于过渡区C的原始图形1处理中。由于过渡区C中既包含重复区域，又包含不重复的区域，且不同的重复区域中的重复单元也不相同，因而，如图5和图6所示，本公开实施例的方法还可以包括：分析原始图形1中的过渡区C的结构，获取多个重复区域；分析原始图形1的每个重复区域中的结构，获取每个重复区域的多个最小重复单元14。

[0061] 在示例性实施例中，如图5所示，通过对原始图形1的过渡区C的结构进行分析，分析得出过渡区C的图形包括第一重复区域S1、第二重复区域S2以及非重复区域S3。如图6所示，分析每个重复区域中的结构，获取第一重复区域S1的多个第一最小重复单元14'以及第二重复区域S2的多个第二最小重复单元14"，由于非重复区域S3中不具有最小重复单元，因而结果中不显示非重复区域S3。从图6中可以看出，第一重复区域S1的多个第一最小重复单元14'为横向排列的多个矩形，第二重复区域S2的多个第二最小重复单元14"为纵向排列的多个矩形。由此获得的不同重复区域的多个最小重复单元，利用上述实施例中的方法，分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一最小重复单元14'、第二最小重复单元14"的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12，然后进行复制，形成过渡区C中的所有重复区域的原始图形1的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形
12。

[0062] 对于非重复区域S3，可以采用第一光学辅助图形形成方式，形成每个原始图形1的第一光学辅助图形11即可。需要说明的是，对于图5中示出的非重复区域S3以及不具有重复单元的外围区P，均可采用第一光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11，这是因为，第二光学辅助图形形成方式均采用迭代、反演计算的方法形成第二光学辅助图形12，计算量较大，虽然形成的辅助图形的精度更高，但是处理速度下降，耗时严重。而第一光学辅助图形形成方式的处理速度较第二光学辅助图形形成方式的处理速度更快，因此，若无其他影响且形成的第一光学辅助图形在可取的精度范围内，考虑到处理速度，均可以采用第一光学辅助图形形成方式。

[0063] 在一些实施例中，对原始图形1进行处理，可以先形成第一光学辅助图形11，后形成第二光学辅助图形12，也可以先形成第二光学辅助图形12，再形成第一光学辅助图形11，本领域技术人员可以根据实际情况选择形成的顺序，此处不做特殊限定。

[0064] S120：确定在原始图形1中存在异常光学辅助图形13，异常光学辅助图形13是由第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12形成的，异常光学辅助图形13是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

[0065] 如图7至图8所示，在原始图形1中形成第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12后，会出现上述异常光学辅助图形13。确定原始图形1中存在异常光学辅助图形13包括：
确定连通的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12；确定能够被曝光的连通的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12为异常光学辅助图形13。

[0066] 具体地，如图8所示，第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12会存在连通和重叠的部分，若至少两个光学辅助图形连通，则两个连通的光学辅助图形的尺寸变大，当尺寸超过系统分辨率的尺寸时，该光学辅助图形会被曝光，进而会在原始图形1中形成用户不希望出现的图形，将这些能够被曝光的图形称为异常光学辅助图形13，因此，需要对这些异常光学辅助图形13进行调整，使其不能够被曝光。

[0067] 在一些实施例中，确定未连通的且最小间距小于预设阈值的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12；确定能够被曝光的未连通的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12为异常光学辅助图形13。具体地，异常光学辅助图形13还可以包括未连通的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12，两个光学辅助图形的角对角的间距或者相邻的边缘之间的间距小于一预设阈值，在这种情况下，由于间距很小，两个光学辅助图形也可能被曝光。因此，也需要对这种类型的异常光学辅助图形13进行调整，使其不能够被曝光。

[0068] S130：对异常光学辅助图形13处理，获得包括目标光学辅助图形15和原始图形1的目标图形16，目标光学辅助图形15是指不会在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

[0069] 在一些实施例中，对异常光学辅助图形13处理，获得包括目标光学辅助图形15和原始图形1的目标图形16，包括：对异常光学辅助图形13的位置以及尺寸不断调整迭代，直至异常光学辅助图形13不能够被曝光为止，异常光学辅助图形13形成为目标光学辅助图形15；原始图形1的目标图形16包括目标光学辅助图形15和原始图形1。

[0070] 其中，目标光学辅助图形15不会在基板上被曝光，原始图形1的目标图形16是指在获得目标光学辅助图形15后，其与原始图形1共同形成为目标图形16，以基于该目标图形16进行修正。

[0071] 在一些实施例中，对异常光学辅助图形13的位置以及尺寸不断调整迭代，如图9所示，包括如下步骤S910至S950。

[0072] S910：获取异常光学辅助图形13的第一位置，并将异常光学辅助图形13从第一位置移动至第二位置。

[0073] 如图10所示，以异常光学辅助图形13为第一光学辅助图形11为例。第一位置是指形成第一光学辅助图形11的初始位置，如图10中所示的三级第一光学辅助图形11的初始位置分别为94nm，94+92nm，94+92+104nm。三级第一光学辅助图形11可以理解为光衍射后形成的三个级别（或三层）的图形。可以将第一光学辅助图形11的位置向外扩展移动，使得第一光学辅助图形11距离其对应的原始图形1的距离变大，也可以使得三级第一光学辅助图形11之间的距离变大，即拉开各个图形之间的间距，使得各个图形不会产生叠加和连体的效应以及间距过小的情况，避免被曝光。其中，第二位置即为从第一位置外扩后的位置。当然，还可以将第一光学辅助图形11的位置向内扩展移动，只要能够使得异常光学辅助图形13被调整为不被曝光即可。

[0074] S920：获取异常光学辅助图形13的第一尺寸，修改异常光学辅助图形13的第一尺寸为第二尺寸。

[0075] 如图10中所示的三级第一光学辅助图形11的初始尺寸分别为：第一级的 为，第二级的 为 ，第三级的 为 。将第一光学辅助图形11的尺寸修改，例如部分修改变小，部分修改变大，使得第一光学辅助图形11能够远离原始图形1和第二光学辅助图形12，拉开各个图形之间的间距，避免被曝光。其中，第二尺寸即为从第一尺寸修改后的尺寸，具体数值可以根据实际情况选择，此处不再赘述。

[0076] S930：利用第二位置和第二尺寸进行迭代，判断异常光学辅助图形13是否能够被曝光。

[0077] 具体地，在获得第二位置和第二尺寸后，将其对应的数值进行迭代，判断此时的异常光学辅助图形13是否仍然能够被曝光。

[0078] S940：若否，则停止迭代。

[0079] S950：若是，继续调整异常光学辅助图形13的位置以及尺寸。

[0080] 具体地，如果不能被曝光，说明经过调整后，异常光学辅助图形13已经形成为目标光学辅助图形15。如果能够被曝光，说明该异常光学辅助图形13仍然不符合要求，继续对异常光学辅助图形13进行上述位置和/或尺寸的调整，直至迭代后该异常光学辅助图形13不能被曝光为止。如此，最终获得第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12均不能被曝光，确保原始图形1的准确性与一致性。

[0081] 在一些实施例中，对异常光学辅助图形13中的第二光学辅助图形12不断调整迭代，具体方法与上述实施例中的第一光学辅助图形11的迭代方法以及形成目标光学辅助图形15的方法相同，此处不再赘述。

[0082] 在一些实施例中，如图11所示，基于原始图形1，获取重复图形区域，利用第二光学辅助图形形成方式形成第二光学辅助图形12包括：在重复图形区域的角隅部形成第二光学辅助图形12。在其他位置利用第一光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11。由于角隅部形成的图形容易出现误差，而利用第二光学辅助图形形成方式形成的第二光学辅助图形12的精度更高，可以降低角隅部（corner）的光学辅助图形的误差，并且节省了第二光学辅助图形12的形成时间。其中，可以对原始图形1的结构进行分析，获取包含重复单元的重复图形区域。

[0083] 继续参考图11，其示出了对第二光学辅助图形12不断调整迭代的过程，其中，矩形虚线框表示调整的部位。从图中可以看出，由于对第二光学辅助图形12的调整过程中会影响到其他的辅助图形，因此调整范围可以灵活改变，如在调整过程中，矩形框的面积可能变大，也可能变小，直到调整至所有的光学辅助图形不能被曝光为止。

[0084] 在一些实施例中，该方法可以应用于原始图形所在的阵列区A。如图7至图8以及图10所示，该方法还包括：基于原始图形1，获得重复图形区域，基于重复图形区域，获得内区域I和外区域O；确定内区域I的异常光学辅助图形13和外区域O的异常光学辅助图形13；分别获取内区域I的异常光学辅助图形13的初始内位置和初始内尺寸以及外区域O的异常光学辅助图形13的初始外位置和初始外尺寸；分别对内区域I的异常光学辅助图形13的初始内位置和初始内尺寸以及外区域O的异常光学辅助图形13的初始外位置和初始外尺寸不断调整迭代，直至内区域I和外区域O的异常光学辅助图形13不能够被曝光为止，异常光学辅助图形13形成为目标光学辅助图形15。

[0085] 其中，如图10所示，上述的重复图形区域以阵列区A为例，位于阵列区A的边缘的第一圈的原始图形1所在的区域为外区域O，位于第一圈以内的原始图形1所在区域为内区域I。

[0086] 其中的“内”和“外”是表示相对位置关系的术语，例如，从阵列区A的边缘向靠近阵列区A的中心的方向为向内，反之则为向外，其仅仅为了便于说明，并不具有限定作用。

[0087] 获取的内区域I的异常光学辅助图形13的初始内位置和初始内尺寸，是指在内区域I的异常光学辅助图形13的初始的位置和初始的尺寸，获取的外区域O的异常光学辅助图形13的初始外位置和初始外尺寸，是指在外区域O的异常光学辅助图形13的初始的位置和初始的尺寸。如下表一列出了内区域I（以位于阵列区A的边缘的第二圈的原始图形1的所在的区域为例）和外区域O的初始位置的值与初始尺寸的值。

[0088] 表一

[0089]

[0090] 在表一中，SRAF H 1表示辅助图形在水平方向上的尺寸，SRAF V 1表示辅助图形在垂直方向上的尺寸。其中的1、2、3分别表示图10中的光学辅助图形的三个等级。该表一中分别列出了内区域I和外区域O的初始值，因此，可以根据该初始值对光学辅助图形进行调整。

[0091] 如图12和图13所示，为另一些实施例中示出的对异常光学辅助图形13进行处理的示意图。从图12中可以看出，第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12出现重叠部分和连体的部分，该部分形成了异常光学辅助图形13，获取该异常光学辅助图形13的位置和尺寸，对第一光学辅助图形11和/或第二光学辅助图形12进行不断的迭代调整，最终获得如图13所示的具有目标光学辅助图形15和原始图形1的目标图形16。在该实施例中，通过调整，图13中显示将第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12重叠的部分保留，重叠之外的部分去除，以减小异常光学辅助图形13的尺寸，使其不能够被曝光。

[0092] 综上，本公开实施例中，分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12，通过第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12，确定异常光学辅助图形13，并对异常光学辅助图形13处理，即将两种光学辅助图形形成方式联合使用，降低了光学辅助图形的形成时间，并且通过对异常光学辅助图形13的处理，使得所有的光学辅助图形均不会被曝光，大大提高了所需目标图形16的准确性以及一致性，使得后续光刻工艺的准确率提高，并提高了半导体器件的良率。

[0093] 如图14所示，本公开实施例还提供了一种光学邻近修正装置1400，该装置1400包括形成模块1401、确定模块1402和处理模块1403。

[0094] 其中，形成模块1401用于在原始图形1中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12。

[0095] 确定模块1402用于确定在原始图形1中存在异常光学辅助图形13，异常光学辅助图形13是由第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12形成的，异常光学辅助图形13是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

[0096] 处理模块1403用于对异常光学辅助图形13处理，获得包括目标光学辅助图形15和原始图形1的目标图形16，目标光学辅助图形15是指不会在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

[0097] 在一些实施例中，形成模块1401还用于分析原始图形1的结构，获取原始图形1中的多个最小重复单元14；利用第一光学辅助图形形成方式对任意一个最小重复单元14进行处理，形成最小重复单元14的第一光学辅助图形；针对多个最小重复单元14中剩余的每一个最小重复单元14，复制最小重复单元14的第一光学辅助图形，形成第一光学辅助图形11。

[0098] 在一些实施例中，形成模块1401还用于分析原始图形1的结构，获取原始图形1中的多个最小重复单元14；利用第二光学辅助图形形成方式对最小重复单元14进行处理，形成最小重复单元14的第二光学辅助图形；针对多个最小重复单元14中剩余的每一个最小重复单元14，复制最小重复单元14的第二光学辅助图形，形成第二光学辅助图形12。

[0099] 在一些实施例中，确定模块1402还用于确定连通的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12；确定能够被曝光的连通的第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12为异常光学辅助图形13。

[0100] 在一些实施例中，处理模块1403还用于对异常光学辅助图形13的位置以及尺寸不断调整迭代，直至异常光学辅助图形13不能够被曝光为止，异常光学辅助图形13形成为目标光学辅助图形15。

[0101] 在一些实施例中，形成模块1401还用于基于原始图形1，获取重复图形区域，再在重复图形区域的角隅部形成第二光学辅助图形12。

[0102] 在一些实施例中，处理模块1403还用于基于原始图形，获得重复图形区域，基于重复图形区域，获得重复图形区域的内区域I和外区域O；确定内区域I的异常光学辅助图形13和外区域O的异常光学辅助图形13；分别获取内区域I的异常光学辅助图形13的初始内位置和初始内尺寸以及外区域O的异常光学辅助图形13的初始外位置和初始外尺寸，分别对内区域I的异常光学辅助图形13的初始内位置和初始内尺寸以及外区域O的异常光学辅助图形13的初始外位置和初始外尺寸不断调整迭代，直至内区域I和外区域O的异常光学辅助图形13不能够被曝光为止，异常光学辅助图形13形成为目标光学辅助图形15。

[0103] 综上，本公开实施例的光学邻近修正装置1400，分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12，通过第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12，确定异常光学辅助图形13，并对异常光学辅助图形13处理，即将两种光学辅助图形形成方式联合使用，降低了光学辅助图形的形成时间，并且通过对异常光学辅助图形13的处理，使得所有的光学辅助图形均不会被曝光，大大提高了所需目标图形16的准确性以及一致性，使得后续光刻工艺的准确率提高，提高了半导体器件的良率。

[0104] 本公开实施例还提供一种计算机设备。如图15所示，本公开实施例中的计算机设备可以包括一个或多个处理器1501和存储器1502。处理器1501与存储器1502，如图15所示，该处理器1501、存储器1502通过总线1504连接。在一示例性实施例中，计算机设备还可以包括输入输出接口1503，其通过总线1504与处理器1501、存储器1502连接。存储器1502用于存储计算机程序，该计算机程序包括程序指令，输入输出接口1503用于接收数据及输出数据，如用于宿主机与计算机设备之间进行数据交互，或者用于在宿主机中的各个虚拟机之间进行数据交互；处理器1501用于执行存储器1502存储的程序指令。

[0105] 其中，该处理器1501可以执行如下操作：在原始图形1中分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12；确定在原始图形1中存在异常光学辅助图形13，异常光学辅助图形13是由第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12形成的，异常光学辅助图形13是指能够在基板上形成曝光图形的光学辅助图形；对异常光学辅助图形13处理，获得包括目标光学辅助图形15和原始图形1的目标图形16，目标光学辅助图形15是指不会在基板上形成曝光图形的光学辅助图形。

[0106] 在一些可行的实施方式中，该处理器1501可以是中央处理单元（central processing unit，CPU），该处理器还可以是其他通用处理器、数字信号处理器（digital signal processor，DSP）、专用集成电路（application specific integrated circuit，ASIC）、现成可编程门阵列（field programmable gate array，FPGA）或者其他可编程逻辑器件、分立门或者晶体管逻辑器件、分立硬件组件等。通用处理器可以是微处理器或者该处理器也可以是任何常规的处理器等。

[0107] 该存储器1502可以包括只读存储器和随机存取存储器，并向处理器1501和输入输出接口1503提供指令和数据。存储器1502的一部分还可以包括非易失性随机存取存储器。例如，存储器1502还可以存储设备类型的信息。

[0108] 具体实现中，该计算机设备可通过其内置的各个功能模块执行如上述任一方法实施例中各个步骤所提供的实现方式，具体可参见上述方法实施例所示图中各个步骤所提供的实现方式，在此不再赘述。

[0109] 本公开实施例通过提供一种计算机设备，包括处理器1501、输入输出接口1503和存储器1502，通过处理器1501获取存储器1502中的计算机程序，执行上述任一实施例中所示方法的各个步骤。

[0110] 本公开实施例还提供一种计算机可读存储介质1600，该计算机可读存储介质1600存储有计算机程序，该计算机程序适于由该处理器1501加载并执行上述任一实施例中各个步骤所提供的光学邻近修正方法，具体可参见该上述任一实施例中各个步骤所提供的实现方式，在此不再赘述。

[0111] 另外，对采用相同方法的有益效果描述，也不再进行赘述。对于本公开所涉及的计算机可读存储介质1600实施例中未披露的技术细节，请参照本公开方法实施例的描述。作为示例，计算机程序可被部署为在一个计算机设备上执行，或者在位于一个地点的多个计算机设备上执行，又或者，在分布在多个地点且通过通信网络互连的多个计算机设备上执行。

[0112] 该计算机可读存储介质1600可以是前述任一实施例提供的光学邻近修正装置1400或者是该计算机设备的内部存储单元，例如计算机设备的硬盘或内存。该计算机可读存储介质1600也可以是该计算机设备的外部存储设备，例如该计算机设备上配备的插接式硬盘，智能存储卡（smart media card，SMC），安全数字（secure digital，SD）卡，闪存卡（flash card）等。进一步地，该计算机可读存储介质1600还可以既包括该计算机设备的内部存储单元也包括外部存储设备。该计算机可读存储介质1600用于存储该计算机程序以及该计算机设备所需的其他程序和数据。该计算机可读存储介质1600还可以用于暂时地存储已经输出或者将要输出的数据。

[0113] 本公开实施例还提供了一种计算机程序产品或计算机程序，该计算机程序产品或计算机程序包括计算机指令，该计算机指令存储在计算机可读存储介质1600中。计算机设备的处理器从计算机可读存储介质1600读取该计算机指令，处理器执行该计算机指令，使得该计算机设备执行上述任一实施例中的各种可选方式中所提供的方法。

[0114] 综上所述，本公开实施例的光学邻近修正方法、装置1400、计算机设备、计算机可读存储介质1600及计算机程序产品，分别利用第一光学辅助图形形成方式和第二光学辅助图形形成方式形成第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12，通过第一光学辅助图形11和第二光学辅助图形12，确定异常光学辅助图形13，并对异常光学辅助图形13处理，即将两种光学辅助图形形成方式联合使用，降低了光学辅助图形的形成时间，并且通过对异常光学辅助图形13的处理，使得所有的光学辅助图形均不会被曝光，大大提高了所需目标图形16的准确性以及一致性，使得后续光刻工艺的准确率提高，并提高了半导体器件的良率。

[0115] 应可理解的是，本公开不将其应用限制到本说明书提出的部件的详细结构和布置方式。本公开能够具有其他实施方式，并且能够以多种方式实现并且执行。前述变形形式和修改形式落在本公开的范围内。应可理解的是，本说明书公开和限定的本公开延伸到文中和/或附图中提到或明显的两个或两个以上单独特征的所有可替代组合。所有这些不同的组合构成本公开的多个可替代方面。本说明书所述的实施方式说明了已知用于实现本公开的最佳方式，并且将使本领域技术人员能够采用本公开。