显示面板及其制备方法

摘要

本申请提供了一种显示面板及其制备方法，显示面板包括：衬底；驱动电路层，位于衬底的一侧；阳极膜层，包括多个间隔设置在驱动电路层背离衬底的一侧的子阳极膜层；像素定义层，设置在相邻的两个子阳极膜层之间；导电层，设置于像素定义层背离衬底的一侧；绝缘层，设置于导电层背离衬底的一侧，部分突出于导电层的侧边，且为热缩结构层；有机发光层，设置于阳极膜层和像素定义层上；阴极膜层，设置于有机发光层上并覆盖导电层的部分侧面；无机封装层，设置在阴极膜层和导电层上。本申请提供的显示面板中绝缘层可受热收缩，使阴极膜层与导体层的接触面积增大，减小阴极膜层与导体层的搭接电阻，提高无机封装层的覆盖面积和强度，提高显示效果。

权利要求

1.一种显示面板，其特征在于，包括：

衬底；

驱动电路层，所述驱动电路层位于所述衬底的一侧；

阳极膜层，所述阳极膜层包括多个间隔设置在所述驱动电路层背离所述衬底的一侧的子阳极膜层；

像素定义层，相邻的两个所述子阳极膜层之间设置有所述像素定义层；

导电层，所述导电层设置于所述像素定义层背离所述衬底的一侧；

绝缘层，所述绝缘层设置于所述导电层背离所述像素定义层的一侧，且所述绝缘层的部分突出于所述导电层的侧边，所述绝缘层为热缩结构层；

有机发光层，所述有机发光层设置于所述阳极膜层和所述像素定义层上；

阴极膜层，所述阴极膜层设置于所述有机发光层上并覆盖所述导电层的部分侧面，部分所述阴极膜层位于所述绝缘层沿所述绝缘层的厚度方向的投影区域内；

无机封装层，所述无机封装层设置在所述阴极膜层和所述导电层上。

2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层远离所述导电层的一侧的宽度大于所述绝缘层靠近所述导电层的一侧的宽度。

3.根据权利要求2所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层沿所述绝缘层的厚度方向的横截面为梯形，沿远离所述导电层的方向，所述绝缘层的宽度逐渐增大。

4.根据权利要求3所述的显示面板，其特征在于，所述绝缘层的侧面为倾斜角度为20°～70°的倾斜面。

5.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，所述热缩结构层包含热缩材料，所述热缩材料包括锑、铋、镓、青铜、ScF3、锑的氧化物或者氟化物、铋的氧化物或者氟化物、镓的氧化物或者氟化物、青铜的氧化物或者氟化物、热收缩性高分子材料中的至少一种；可选地，所述热收缩性高分子材料包括聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯、硅橡胶中的至少一种。

6.根据权利要求1至4任一项所述的显示面板，其特征在于，绝缘层突出于所述导电层的边沿的宽度为0.2μm～1μm；和/或，所述导电层的侧面为倾斜面。

7.一种显示面板的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底的一侧制备驱动电路层；

在所述驱动电路层背离所述衬底的一侧制备阳极膜层，对所述阳极膜层进行刻蚀处理得到多个间隔设置的子阳极膜层；

在相邻的两个所述子阳极膜层之间制备像素定义层；

在所述像素定义层上依次制备导电层和绝缘层，其中所述绝缘层的部分突出于所述导电层的侧边，所述绝缘层为热缩结构层；

采用蒸镀法在所述阳极膜层和所述像素定义层上制备有机发光层；

控制所述热缩结构层的温度以使所述热缩结构层收缩且所述热缩结构层的部分突出于所述导电层的侧边，在所述有机发光层上和所述导电层上制备阴极膜层；

在所述阴极膜层和所述导电层上制备无机封装层。

8.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在形成所述阴极膜层之前对所述热缩结构层进行加热处理以使所述热缩结构层收缩；和/或，制备所述有机发光层时的成膜角度小于制备所述阴极膜层时的成膜角度；和/或，制备所述有机发光层时所述热缩结构层的温度小于制备所述阴极膜层时所述热缩结构层的温度。

9.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，所述热缩结构层收缩后突出于所述导电层的侧边的宽度为0.2μm～1μm。

10.根据权利要求7所述的显示面板的制备方法，其特征在于，在所述像素定义层上依次制备导电层和绝缘层包括：在所述子阳极膜层和所述像素定义层上覆盖依次层叠设置的预导电层、预绝缘层和预保护层；

对所述预保护层进行局部干法刻蚀得到对应所述像素定义层设置的保护层；

对所述预绝缘层进行湿法刻蚀得到位于所述保护层和所述预导电层之间的绝缘层；

对所述预导电层进行湿法刻蚀得到位于所述绝缘层和所述像素定义层之间的导电层；

去除所述保护层。

说明书

显示面板及其制备方法

技术领域

[0001] 本申请属于显示面板技术领域，更具体地说，是涉及一种显示面板及其制备方法。

背景技术

[0002] 有机电致发光显示装置，例如有机发光二极管（OLED）显示器，具有自动发光、宽视角、快速响应、小的厚度、高对比度等特性，因此，作为下一代平板显示装置的有机电致发光装置已经普遍运用在我们的手机、平板甚至电脑显示面板上。通常地，OLED显示面板包括多个像素，用于发射不同颜色的光，多个像素发射光以显示图像。每个像素由Red、Green、Blue三种颜色的子像素叠加混合实现白色画面的显示，以及通过控制不同颜色子像素的发光程
度来显示不同的彩色画面。

[0003] 制作三种颜色的发光器件目前有三种方式：一是采用精细金属掩膜板作为掩膜，分别沉积三种颜色的发光器件，二是采用喷墨打印的方案分别打印三种颜色的发光器件，
三是采用光刻的方式在整面成膜后的基板刻蚀出三种颜色的发光器件。现在普遍采用的技
术运用第一种方案。但随着显示面板PPI（像素密度单位Pixels Per Inch）的增加，金属掩
膜板不能更好的应对，采用光刻技术来蚀刻出图案已成为行业内深入研究的课题。

[0004] 现有技术中，采用光刻技术制作发光器件存在以下问题：在制备阴极膜层时，由于受绝缘层端部的限制，阴极膜层与导体的接触面积受到制约，导致阴极膜层与导体的接触
部位电阻大，产生电压降，影响显示效果。在封装过程中，无机封装层同样会受到绝缘层端
部的限制，导致覆盖的无机封装层的保护性变差以及容易出现裂纹的问题。

发明内容

[0005] 有鉴于此，本申请提供一种显示面板及其制备方法，以实现阴极膜层与导体更好的导通以及提高无机封装层的强度。

[0006] 本申请采用的技术方案是：一方面，本申请提供一种显示面板，包括：

[0007] 衬底；

[0008] 驱动电路层，所述驱动电路层位于所述衬底的一侧；

[0009] 阳极膜层，所述阳极膜层包括多个间隔设置在所述驱动电路层背离所述衬底的一侧的子阳极膜层；

[0010] 像素定义层，相邻的两个所述子阳极膜层之间设置有所述像素定义层；

[0011] 导电层，所述导电层设置于所述像素定义层背离所述衬底的一侧；

[0012] 绝缘层，所述绝缘层设置于所述导电层背离所述像素定义层的一侧，且所述绝缘层的部分突出于所述导电层的侧边，所述绝缘层为热缩结构层；

[0013] 有机发光层，所述有机发光层设置于所述阳极膜层和所述像素定义层上；

[0014] 阴极膜层，所述阴极膜层设置于所述有机发光层上并覆盖所述导电层的部分侧面，部分所述阴极膜层位于所述绝缘层沿所述绝缘层的厚度方向的投影区域内；

[0015] 无机封装层，所述无机封装层设置在所述阴极膜层和所述导电层上。

[0016] 可选地，所述绝缘层远离所述导电层的一侧的宽度大于所述绝缘层靠近所述导电层的一侧的宽度。

[0017] 可选地，所述绝缘层沿所述绝缘层的厚度方向的横截面为梯形，沿远离所述导电层的方向，所述绝缘层的宽度逐渐增大。

[0018] 可选地，所述绝缘层的侧面为倾斜角度为20°～70°的倾斜面。

[0019] 可选地，所述热缩结构层包含热缩材料，所述热缩材料包括锑、铋、镓、青铜、ScF3、锑的氧化物或者氟化物、铋的氧化物或者氟化物、镓的氧化物或者氟化物、青铜的氧化物或者氟化物、热收缩性高分子材料中的至少一种。

[0020] 可选地，所述热收缩性高分子材料包括聚氯乙烯、聚乙烯、聚丙烯、聚酯、硅橡胶中的至少一种。

[0021] 可选地，绝缘层突出于所述导电层的边沿的宽度为0.2μm～1μm。

[0022] 可选地，所述导电层的侧面为倾斜面。

[0023] 另一方面，本申请还提供一种显示面板的制备方法，包括：

[0024] 提供衬底；

[0025] 在所述衬底的一侧制备驱动电路层；

[0026] 在所述驱动电路层背离所述衬底的一侧制备阳极膜层，对所述阳极膜层进行刻蚀处理得到多个间隔设置的子阳极膜层；

[0027] 在相邻的两个所述子阳极膜层之间制备像素定义层；

[0028] 在所述像素定义层上依次制备导电层和绝缘层，其中所述绝缘层的部分突出于所述导电层的侧边，所述绝缘层为热缩结构层；

[0029] 采用蒸镀法在所述阳极膜层和所述像素定义层上制备有机发光层；

[0030] 控制所述热缩结构层的温度以使所述热缩结构层收缩且所述热缩结构层的部分突出于所述导电层的侧边，在所述有机发光层上和所述导电层上制备阴极膜层；

[0031] 在所述阴极膜层和所述导电层上制备无机封装层。

[0032] 可选地，在形成所述阴极膜层之前对所述热缩结构层进行加热处理以使所述热缩结构层收缩。

[0033] 可选地，制备所述有机发光层时的成膜角度小于制备所述阴极膜层时的成膜角度。

[0034] 可选地，制备所述有机发光层时所述热缩结构层的温度小于制备所述阴极膜层时所述热缩结构层的温度。

[0035] 可选地，所述热缩结构层收缩后突出于所述导电层的侧边的宽度为0.2μm～1μm。

[0036] 可选地，在所述像素定义层上依次制备导电层和绝缘层包括：

[0037] 在所述子阳极膜层和所述像素定义层上覆盖依次层叠设置的预导电层、预绝缘层和预保护层；

[0038] 对所述预保护层进行局部干法刻蚀得到对应所述像素定义层设置的保护层；

[0039] 对所述预绝缘层进行湿法刻蚀得到位于所述保护层和所述预导电层之间的绝缘层；

[0040] 对所述预导电层进行湿法刻蚀得到位于所述绝缘层和所述像素定义层之间的导电层；

[0041] 去除所述保护层。

[0042] 本申请提供的显示面板的有益效果在于：本申请提供的显示面板包括衬底、驱动电路层、阳极膜层、像素定义层、导电层、绝缘层、有机发光层、阴极膜层和无机封装层，其中绝缘层设置于导电层上，并位于背离像素定义层的一侧，这样绝缘层可以对导电层进行保
护；同时绝缘层的部分突出于导电层的侧边，可以理解，绝缘层会对导电层的至少部分侧面
形成遮挡；进一步，阴极膜层设置于有机发光层上，且阴极膜层覆盖导电层的部分侧面，这
样，阴极膜层与导电层能够实现导电，同时部分阴极膜层位于绝缘层沿绝缘层的厚度方向
的投影区域内，即部分阴极膜层位于绝缘层的遮挡区域内，这样，在显示面板的制备过程
中，得益于绝缘层的遮挡作用，阴极膜层形成之后的刻蚀工艺(例如干法刻蚀)不会破坏覆
盖在导电层的侧面上且位于绝缘层的投影区域内的阴极膜层，从而保证阴极膜层与导电层
良好的电接触；另外，绝缘层为热缩结构层，也就是说绝缘层具有加热收缩的特性，在显示
面板的制备过程中，通常是先在导电层上制备绝缘层，然后才是在有机发光层上制备阴极
膜层，在制备阴极膜层时可以通过控制温度使得绝缘层收缩，使得绝缘层在导电层侧面上
的投影区域变小，然后在有机发光层和导电层的侧面上覆盖上阴极膜层，由于投影区域变
小，阴极膜层在导电层的侧面上覆盖的区域会变大，也就是阴极膜层与导电层的接触面变
大，提升阴极膜层与导电层电连接的效果；同时由于投影区域变小，覆盖在导电层上的无机
封装层的厚度与覆盖在阴极膜层上的无机封装层的厚度差异变小，进而保证无机封装层的
强度，降低无机封装层断裂的风险。

[0043] 本申请提供的显示面板的制备方法的有益效果在于：与现有技术相比，本申请采用具有热缩结构层作为绝缘层，利用蒸镀有机发光层时产生的热量对绝缘层进行加热，使
绝缘层产生热收缩，从而增大阴极膜层与导电层的接触面积，减小阴极膜层与导电层的搭
接电阻，增大无机封装层覆盖在导电层上的覆盖面积以及覆盖厚度，对显示面板的保护性
能更好，从而提供更好的封装效果。

附图说明

[0044] 为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些
实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些
附图获得其他的附图。

[0045] 图1为本申请实施例提供的显示面板的结构示意图;

[0046] 图2为本申请实施例一提供的显示面板中绝缘层收缩前的结构示意图；

[0047] 图3为本申请实施例一提供的显示面板中绝缘层收缩后的结构示意图；

[0048] 图4为本申请实施例一提供的显示面板中绝缘层收缩前后的对比示意图；

[0049] 图5为本申请实施例二提供的显示面板的结构示意图，图中隐藏了封装层；

[0050] 图6为本申请实施例二提供的显示面板中绝缘层与现有的绝缘层的对比示意图；图6中的（a）为现有的绝缘层的结构示意图，图6中的（b）为实施例二中绝缘层的结构示意
图；

[0051] 图7为本申请实施例一提供的显示面板的局部示意图；

[0052] 图8为本申请实施例提供的显示面板的制备方法流程示意图。

[0053] 其中，图中各附图标记：

[0054] 衬底10；驱动电路层11；阳极膜层12；像素定义层13；导电层14；绝缘层15；有机发光层16；阴极膜层17；无机封装层18；有机封装层19；第二无机封装层20；盖板21；保护层22。

具体实施方式

[0055] 为了使本申请所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅
用以解释本申请，并不用于限定本申请。

[0056] 需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。

[0057] 需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

[0058] 此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

[0059] 请参阅图1，图1为本申请实施例一提供的显示面板的结构示意图，现对本申请提供的显示面板进行说明。

[0060] 本申请实施例提供一种显示面板，如图1所示，包括：

[0061] 衬底10；

[0062] 驱动电路层11，驱动电路层11位于衬底的一侧；

[0063] 阳极膜层12，阳极膜层12包括多个间隔设置在驱动电路层11背离衬底10的一侧的子阳极膜层；

[0064] 像素定义层13，相邻的两个子阳极膜层之间设置有像素定义层13；

[0065] 导电层14，导电层14设置于像素定义层13背离衬底10的一侧；

[0066] 绝缘层15，绝缘层15设置于导电层14背离像素定义层13的一侧，且绝缘层的部分突出于导电层14的侧边，形成屋檐结构，绝缘层15为热缩结构层；

[0067] 有机发光层16，有机发光层16设置于阳极膜层12和像素定义层13上；

[0068] 阴极膜层17，阴极膜层17设置于有机发光层16上并覆盖导电层14的部分侧面，部分阴极膜层17位于绝缘层15沿绝缘层15的厚度方向的投影区域内；

[0069] 无机封装层18，无机封装层18设置在阴极膜层17和导电层14上。

[0070] 现有技术中，在采用光刻技术制作发光器件的过程中，因为采用整面成膜的方式，在阳极膜层12上方以及绝缘层15上方均会存在有机发光层16和阴极膜层17。但是绝缘层15
是必不可少的，其作用是将有机发光层16以及阴极膜层17断开，且覆盖阴极层和有机发光
层的端部，以保护其不受后续制程（比如刻蚀制程）的影响。

[0071] 参阅图2‑图4，其中图2为绝缘层收缩前的结构示意图，图3为绝缘层收缩后的结构示意图，图4为本申请实施例一提供的显示面板中绝缘层收缩前后的对比示意图。L2为阴极
膜层17的成膜的边界线，ø2为阴极膜层17的成膜角度。A1区域为因绝缘层15的遮挡，导致无
法沉积阴极膜层17的区域。绝缘层15为热缩结构层，也就是说绝缘层15具有加热收缩的特
性。在显示面板的制备过程中，通常是先在导电层14上制备绝缘层15，然后在有机发光层16
上制备阴极膜层17，在制备阴极膜层17时可以通过控制温度使得绝缘层15收缩。如图4所
示，当绝缘层15受热后，其端部向中间收缩了距离L，使得绝缘层15从导电层14边缘伸出的
宽度变窄。在制备阴极膜层17的过程中，由于阴极膜层17的成膜角度ø2不变，因此A1区域的
面积变小，阴极膜层17与导电层14的接触面积变大，从而减小了阴极膜层17与导电层14的
搭接电阻，使阴极膜层17上的电势与驱动电路层11提供的电势一致，从而保证良好的显示
效果。并且，由于投影区域变小，覆盖在导电层14上的无机封装层18的厚度与覆盖在阴极膜
层17上的无机封装层18的厚度差异变小, 无机封装层18的强度更大，不易产生裂纹，可提
供更好的封装效果。

[0072] 在本申请的一些实施例中，如图2和图3所示，绝缘层15的侧面设置为斜面，且该斜面朝向背离导电层14的一侧，可选地，绝缘层15的侧面也可以设置成直面。

[0073] 参阅图5，图5为本申请实施例二提供的显示面板的结构示意图。在本申请的一些实施例中，绝缘层15远离导电层14的一侧的宽度大于绝缘层15靠近导电层14的一侧的宽
度。

[0074] 在本申请的一些实施例中，绝缘层15沿其厚度方向的横截面为梯形，沿远离导电层14的方向，绝缘层15的宽度逐渐增大。

[0075] 在本申请的另一些实施例中，绝缘层15沿其厚度方向的横截面也可以是台阶形，且沿远离导电层14的方向，绝缘层15的宽度依次增大。

[0076] 参阅图6，图6为本申请实施例二提供的显示面板中绝缘层与实施例一提供的绝缘层的结构对比示意图。其中图6（a）中展示了实施例一提供的绝缘层，从图中可以看出实施
例一提供的绝缘层为上小下大（参照中所示的方向），阴极膜层17的成膜边界线L2受绝缘层
15的下平面端点的限制。图6（b）中展示了实施例二中的绝缘层15，从图中可以看出，该绝缘层15的截面形状为梯形，且沿远离导电层14的方向，绝缘层15的宽度逐渐增大。采用本申请
实施例二提供的绝缘层15后，阴极膜层17的成膜边界线L2也受绝缘层15的下平面端点的限
制，但是与实施例一中绝缘层15的下平面端点相比，其离导电层14的距离减小，从而使A1区
域的面积减小，可以进一步的增加阴极膜层17与导电层14的接触面积，从而降低搭接电阻，
提高显示效果。

[0077] 如图6（b）所示，绝缘层15的侧面设置为向导电层14一侧倾斜的斜面，可以减小绝缘层15的下平面端点对阴极膜层17的成膜边界线L2的限制，在绝缘层15凸出于导电层14的
宽度不变的情况下，随着该斜面倾斜角度（即该斜面与竖直平面的夹角）的增大，绝缘层15
的下平面端点对阴极膜层17的成膜边界线L2的限制逐渐减小。当绝缘层15的侧面的倾斜角
度与阴极膜层17的成膜角度ø2相同（即阴极膜层17的成膜边界线L2位于该斜面所在的平面
内）时，此时A1区域的面积达到最小。

[0078] 在本申请的另一些实施例中，绝缘层15侧面的倾斜角度大于阴极膜层17的成膜角度ø2，此时绝缘层15的下平面端点对阴极膜层17的成膜边界线L2不再形成限制，A1区域的
面积同样达到最小。

[0079] 在本申请的一些实施例中，绝缘层15的侧面为斜面，且该斜面的倾斜角度为20°～70°之间的任意角度，例如，20°、30°、40°、50°、60°、70°等，本申请不做限定，可通过调节成膜设备，使成膜角度ø2与该斜面的倾斜角度相同。

[0080] 图7为本申请实施例一中绝缘层的局部示意图，A1区域为因绝缘层15的遮挡导致的无法沉积有机发光层16和阴极膜层17的区域，m为绝缘层15凸出于导电层14的宽度，n是
导电层14上无法沉积膜层部分的宽度。根据三角形区域S1的正弦定理：n/sin(90‑ø2)=m/
sin(∂),得到n=m*cos (ø2)/ sin(∂),式中ø2为阴极膜层17的成膜角度，∂为阴极膜层17的
成膜边界线与导电层14表面之间的夹角，因阴极膜层17的成膜角度ø2不变，则两个角度值
并不变化。当m值变小时，则n值变小，导电层14的斜边长度L值不变情况下，可以沉积阴极膜层17区域的宽度L‑n将变大，这种情况下，阴极膜层17与导电层14的接触面积更大，更有利
于显示不良控制。

[0081] 在本申请的一些实施例中，绝缘层15所采用的热缩材料为ScF（3 三氟化钪），ScF3具有良好的受热收缩性能，采用ScF3制作的绝缘层15在受热后，其宽度收窄，阴极膜层17在沉积时受到绝缘层15端部的限制范围（即A1区域）变小，更多的阴极膜层17可以沉积在导电层
14上。

[0082] 在本申请的其他实施例中，绝缘层15也可采用其他热缩材料制作，例如锑、铋、镓、青铜、锑的氧化物或者氟化物、铋的氧化物或者氟化物、镓的氧化物或者氟化物以及青铜的氧化物或者氟化物、热收缩性高分子材料中的一种或多种。

[0083] 在本申请的一些实施例中，绝缘层15中采用的热收缩性高分子材料为聚氯乙烯，在本申请的其他实施例中，也可采用聚乙烯、聚丙烯、聚酯、硅橡胶中的一种或多种。

[0084] 在本申请的一些实施例中，绝缘层15的组成物质除了热缩材料之外，还包括非热缩材料（例如热塑性材料），只要保证通过热缩材料和非热缩材料制备得到的绝缘层15具有
受热收缩的功能即可。

[0085] 在本申请的一些实施例中，绝缘层15凸出于导电层14的宽度为0.2μm～1μm之间的任意值，例如，可以是0.3μm、0.5μm、0.8μm、1μm等，本申请不做限定。若绝缘层15凸出的宽度太小，则会导致阴极膜层17不能被断开，若绝缘层15凸出的宽度太大，则会导致阴极膜层17
与导电层14的连接面积太小，影响导电性。通过将绝缘层15凸出的宽度限制在该范围内，可
以在保证将阴极膜层17断开的前提下，尽可能的增大阴极膜层17与导电层14的连接面积，
减小阴极膜层17与导电层14的搭接电阻。

[0086] 在本申请的一些实施例中，导电层14的侧面为向绝缘层15一侧倾斜的斜面，阴极膜层17与导电层14的连接处位于斜面上。

[0087] 在本申请的一些实施例中，如图3所示，导电层14的侧面为向绝缘层15一侧倾斜的斜面，且阴极膜层17与导电层14的连接处位于斜面上。通过将导电层14的侧面设置成斜面，
可以便于阴极膜层17沉积在导电层14上。在本申请的另一些实施例中，导电层14的侧面设
置为内凹的曲面，在本申请的其他实施例中，导电层14的侧面也可以设置成其他形式，本申
请不做限定。

[0088] 在本申请的一些实施例中，有机发光层16不与导电层14连接，在本申请的另一些实施例中，有机发光层16也可以与导电层14连接，本申请不做限定。

[0089] 在本申请的一些实施例中，如图1所示，该显示面板还包括有机封装层19、和第二无机封装层20，有机封装层19设置在无机封装层18以及绝缘层15远离衬底10的一侧，第二
无机封装层20设置在有机封装层19远离衬底10的一侧。

[0090] 在本申请的一些实施例中，无机封装层18和第二无机封装层20可采用氮化硅。在本申请的其他实施例中，无机封装层18和第二无机封装层20也可以采用氧化硅、氮氧化硅、
上述材料的叠层组合等，本申请不做限定。

[0091] 在本申请的一些实施例中，有机封装层19采用环氧树脂基聚合物，例如环氧树脂，在本申请的其他实施例中，有机封装层19也可采用其他材料，本申请不做限定。

[0092] 在本申请的另一些实施例中，也可以用盖板21代替无机封装层18、有机封装层19、和第二无机封装层20，实现显示面板的封装。可选地，盖板21可采用玻璃、树脂或者其他材
质，本申请不做限定。

[0093] 在本申请的一些实施例中，如图1所示，也可以同时采用无机封装层18、有机封装层19、第二无机封装层20和盖板21一起对显示面板进行封装。如图1所示，无机封装层18、有机封装层19、第二无机封装层20和盖板21沿远离衬底10方向依次设置。

[0094] 请参阅图8，本申请的实施例还提供一种显示面板的制备方法，包括以下步骤：

[0095] 提供衬底10；

[0096] 在衬底10的一侧制备驱动电路层11；

[0097] 在驱动电路层11背离衬底10的一侧制备阳极膜层12，对阳极膜层12进行刻蚀处理得到多个间隔设置的子阳极膜层；

[0098] 在相邻的两个子阳极膜层之间制备像素定义层13；

[0099] 在像素定义层13上依次制备导电层14和绝缘层15，其中绝缘层15的部分突出于导电层14的侧边，绝缘层15为热缩结构层；

[0100] 采用蒸镀法在阳极膜层12和像素定义层13上制备有机发光层16；

[0101] 控制热缩结构层的温度以使热缩结构层收缩且热缩结构层的部分突出于导电层14的侧边，在有机发光层16上和导电层14上制备阴极膜层17；

[0102] 在阴极膜层17和导电层14上制备无机封装层18。

[0103] 采用本申请提供的制备方法，在蒸镀有机发光层16的过程中会产生热量，可利用蒸镀有机发光层16时产生的热量对绝缘层15进行加热，使绝缘层15产生热收缩，且收缩后
的绝缘层15仍然有一部分凸出于导电层14的侧边，从而在保证有机发光层16以及阴极膜层
17断开的前提下，使得绝缘层15在导电层14侧面上的投影区域变小，由于投影区域变小，阴
极膜层17在导电层14的侧面上覆盖的区域变大，即阴极膜层17与导电层14的接触面积变
大，提升阴极膜层17与导电层14电连接的效果；同时由于投影区域变小，覆盖在导电层14上
的无机封装层18的厚度与覆盖在阴极膜层17上的无机封装层18的厚度差异变小，进而保证
无机封装层18的强度，降低无机封装层18断裂的风险。

[0104] 在本申请的一些实施例中，驱动电路层11包括TFT（薄膜晶体管）叠层、IC（集成电路）、FPC（柔性电路板）。在本申请的其他实施例中，驱动电路层11也可采用其他结构，只要能够为有机发光层16提供驱动电压即可。本实施例中，驱动电路层11通过光刻的方法在衬
底10上制作，在本申请的其他实施例中，也可采用其他方法制作，本申请不做限定。

[0105] 在本申请的一些实施例中，如图8所示，在相邻的两个子阳极膜层之间制备像素定义层具体包括：在阳极膜层12上制作像素定义层13，对像素定义层13进行曝光显影，使像素
定义层13在每个子阳极膜层上方形成像素开口，并且像素定义层13覆盖子阳极膜层的边
缘。

[0106] 在本实施例中，阳极膜层12的材质为铝，在本申请的其他实施例中，也可以采用银及其氧化物、ITO（氧化铟锡）、IZO（氧化铟锌）、金属与ITO的叠层或者金属与IZO的叠层。阳极膜层12可通过蒸发镀膜或者溅射镀膜的方式沉积到驱动电路层11上。

[0107] 在本实施例中，像素定义层13采用PR(photoresist，光致抗蚀剂)，在本申请的另一些实施例中，像素定义层13也可采用无机薄膜，如氮化硅，氧化硅，氮氧化硅等。

[0108] 在本申请的一些实施例中，在有机发光层16以及导电层14的表面形成阴极膜层17可采用蒸发镀膜工艺，在本申请的其他实施例中，阴极膜层17也可采用真空溅射镀膜或其
他工艺形成，本申请不做限定。

[0109] 在本申请的一些实施例中，为了保证绝缘层15的热收缩量满足要求，在蒸镀有机发光层16之后形成阴极膜层17之前，对绝缘层15进行加热，以保证绝缘层15具有足够的热
积累，从而达到最佳的热收缩量。

[0110] 在本申请的一些实施例中，可在蒸镀完有机发光层16之后，将显示面板放置到加热平台上进行加热。接触面可以是绝缘层15所在的面，也可以是背离绝缘层15的面（即衬底
10所在的面）。

[0111] 在本申请的一些实施例中，制备有机发光层16时绝缘层15的温度小于制备阴极膜层17时绝缘层15的温度。通过控制绝缘层15的温度，使得在制备有机发光层16时，有机发光
层16能尽可能少的覆盖在导电层14上，而阴极膜层17尽可能多的覆盖在导电层14上。

[0112] 在本申请的一些实施例中，绝缘层15受热收缩后，其边缘凸出于导电层14侧边的宽度为0.2μm～1μm。在该范围内，可以在保证将阴极膜层17断开的前提下，尽可能的增大阴极膜层17与导电层14的连接面积，减小阴极膜层17与导电层14的搭接电阻。

[0113] 在本申请的一些实施例中，如图5所示，L1为有机发光层16的成膜边界线，ø1为有机发光层16的成膜角度（也即蒸镀角度），L2为有阴极膜层17的成膜边界线，ø2为阴极膜层
17的成膜角度。在制备有机发光层16和阴极膜层17时，控制ø1＜ø2（可通过调节蒸镀设备控
制成膜角度），从而使阴极膜层17的覆盖面积大于有机发光层16的覆盖面积，防止有机发光
层16影响阴极膜层17与导电层14的连接。

[0114] 在本申请的一些实施例中，参阅图8，在像素定义层13上依次制备导电层14和绝缘层15具体包括：

[0115] 在子阳极膜层和像素定义层13上覆盖依次层叠设置的预导电层、预绝缘层和预保护层；

[0116] 对预保护层进行局部干法刻蚀得到对应像素定义层13设置的保护层22；

[0117] 对预绝缘层进行湿法刻蚀得到位于保护层22和预导电层之间的绝缘层15；

[0118] 对预导电层进行湿法刻蚀得到位于绝缘层15和像素定义层13之间的导电层14；

[0119] 然后去除保护层22。

[0120] 在本申请的一些实施例中，预导电层可以是钼，铝，镍，银等金属，也可以是它们的一种或者多种的叠层，也可以是他们的氧化物，合金等，本申请不做限定。

[0121] 在本申请的一些实施例中，预导电层可通过PVD(物理气相沉积)的方法沉积在阳极膜层12以及像素定义层13上，例如：真空蒸发镀膜、真空溅射镀膜和真空离子镀膜。

[0122] 在本申请的一些实施例中，预绝缘层若采用无机材料，可通过化学气相沉积的方法沉积在预导电层上，预绝缘层若采用有机材料，可通过喷涂的方式涂覆在预导电层上。

[0123] 在本申请的一些实施例中，保护层22可采用PR(photoresist，光致抗蚀剂)层，去除PR层可采用现有技术中常用的去除方法，本申请不做限定。

[0124] 以上仅为本申请的较佳实施例而已，并不用以限制本申请，凡在本申请的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。