一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法

摘要

本发明公开了一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法，属于硅橡胶技术领域所述原料包括硅橡胶、基粉，硅橡胶、基粉的质量比为98：2，所述基粉包括氧化钇、金属粉，将混料炼制、冷却后得胶料，将胶料加热硫化得出成品。本发明在硅橡胶中混入基粉后，可以增强硅橡胶的耐冲蚀磨损性能。

权利要求

1.一种耐等离子蚀刻硅橡胶，其特征在于：原料包括硅橡胶、基粉，硅橡胶、基粉的质量比为98：2，所述基粉包括第一粉料和第二粉料；第一粉料为氧化钇，所述氧化钇与第二粉料的质量比为1:1，第二粉料为氧化铈、氧化铝或氧化钛中的一种，氧化铈、氧化铝、氧化钛的粒径均为0.5μm；所述硅橡胶为甲基乙烯基硅橡胶；

所述耐等离子蚀刻硅橡胶的制备方法，具体包括以下步骤：

S1，将硅橡胶与基粉按比例混匀得混料；

S2，将混料炼制、冷却后得胶料；

S3，将胶料再次加热硫化得出成品；

所述步骤S2中炼制时先经恒温炼制再升温炼制，恒温时炼制温度为55‑60摄氏度，炼制时间为2‑4小时，升温后的炼制温度为130‑150摄氏度，炼制时间为1.5‑2.5小时，炼制时均需为真空负压条件；所述真空负压条件为表压力‑0.04MPa；所述步骤S3中的加热温度为170摄氏度，硫化3‑5次。

说明书

一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法

技术领域

[0001] 本发明属于硅橡胶技术领域，具体涉及一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法。

背景技术

[0002] 目前随着技术的革新，电子产品的快速升级换代，用户对电子产品的性能、质感、外观等提出更高的要求。在半导体领域中，对高分子材料的运用越来越广泛，其中橡胶类的高分子产品的使用尤其突出。

[0003] 现在的半导体领域腔体中往往存在等离子环境，其对现有的普通硅橡胶密封垫的蚀刻比较严重，增加了普通硅橡胶的损耗，降低了硅橡胶密封垫的使用寿命，本发明主要是为了制备一种半导体机台中使用的耐等离子蚀刻甲基乙烯基硅橡胶。

发明内容

[0004] 有鉴于此，本发明的目的在于提供一种耐等离子蚀刻硅橡胶及其制备方法，以改善半导体行业硅橡胶材料等离子蚀刻损耗问题。

[0005] 为达到上述目的，本发明提供如下技术方案：所述原料包括硅橡胶、基粉，硅橡胶、基粉的质量比为98：2，所述基粉包括氧化钇、金属粉。

[0006] 进一步地，所述氧化钇与金属粉的质量比为1:1，金属粉为氧化铈、氧化铝或氧化钛中的一种，氧化铈、氧化铝、氧化钛的粒径均为0.5μm；所述硅橡胶为甲基乙烯基硅橡胶。

[0007] 进一步地，一种制备耐等离子蚀刻硅橡胶的方法，具体包括以下步骤：

[0008] S1，将硅橡胶与基粉按比例混匀得混料；

[0009] S2，将混料炼制、冷却后得胶料；

[0010] S3，将胶料再次加热硫化得出成品。

[0011] 进一步地，所述步骤S2中炼制时先经恒温炼制再升温炼制，恒温时炼制温度为55‑60摄氏度，炼制时间为2‑4小时，升温后的炼制温度为130‑150摄氏度，炼制时间为1.5‑2.5小时，炼制时均需为真空负压条件。

[0012] 进一步地，所述真空负压条件为表压力‑0.04MPa。

[0013] 进一步地，所述步骤S3中的加热温度为170摄氏度，硫化3‑5次。

[0014] 本发明的有益效果在于：

[0015] 本发明在硅橡胶中混入基粉后，可以增强硅橡胶的耐冲蚀磨损性能。

[0016] 本发明的其他优点、目标和特征将在随后的说明书中进行阐述，并且在某种程度上对本领域技术人员而言是显而易见的，或者本领域技术人员可以从本发明的实践中得到教导。本发明的目标和其他优点可以通过下面的说明书来实现和获得。

具体实施方式

[0017] 实施例1

[0018] S1、将98份硅橡胶、2份氧化铈与氧化钇混合粉末混匀得混料；

[0019] S2、将混料在真空负压条件下先以58摄氏度混炼3小时，再升温至140摄氏度混炼2小时，负压条件为表压力‑0.04MPa；

[0020] S3、将胶料加热至170摄氏度，硫化4次得成品。

[0021] 实施例2

[0022] S1、将98份硅橡胶、2份氧化铝与氧化钇混合粉末混匀得混料；

[0023] S2、将混料在真空负压条件下先以58摄氏度混炼3小时，再升温至140摄氏度混炼2小时，负压条件为表压力‑0.04MPa；

[0024] S3、将胶料加热至170摄氏度，硫化4次得成品。

[0025] 实施例3

[0026] S1、将98份硅橡胶、2份氧化钛与氧化钇混合粉末混匀得混料；

[0027] S2、将混料在真空负压条件下先以58摄氏度混炼3小时，再升温至140摄氏度混炼2小时，负压条件为表压力‑0.04MPa；

[0028] S3、将胶料加热至170摄氏度，硫化4次得成品。

[0029] 实验

[0030] 将炼制所得的成品，做耐等离子蚀刻实验，本次实验，使用的是CF4气体；在F‑的环境下，做耐等离子蚀刻，实验压力为10pa，流量100SCCM，等离子功率350W。测试蚀刻量结果如下表所示：

[0031]

[0032] 表2蚀刻量每150s的减少量

[0033]

[0034] 由上表可知：相比较传统的硅橡胶制备方式，4800s后硅橡胶总体蚀刻量的减少总量为32.79，本申请掺入氧化铈的硅橡胶总体蚀刻量的减少总量为26.88，掺入Al2O3的硅橡胶总体蚀刻量的减少总量为25.42，掺入氧化钛的硅橡胶总体蚀刻量的减少总量为31.32。虽然由于掺入金属粉末的种类不同，减少总量之间由差异，但是本申请总体的减少量相对于传统的方式均有所减少，而其中又以Al2O3粉末对其耐等离子蚀刻方面性能的提升最好。

[0035] 最后说明的是，以上优选实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管通过上述优选实施例已经对本发明进行了详细的描述，但本领域技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离本发明权利要求书所限定的范围。