微波源、其制作方法及微波激光产生方法

摘要

本申请实施例提供了一种微波源、其制作方法及微波激光产生方法，其中，该微波源包括：超导腔；超导薄膜，位于超导腔的一侧；支撑结构，位于超导腔与超导薄膜之间，且支撑结构分别与超导腔和超导薄膜接触；多模态的声波器件，位于支撑结构的表面上，多模态的声波器件用于激发出声波在支撑结构上传播，使得支撑结构形变，带动超导腔和/或超导薄膜移动，以实现对超导腔的频率调整。本申请解决了相关技术中集成到芯片上的微波信号源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间消耗较大的问题。

权利要求

1.一种微波源，其特征在于，包括：

超导腔；

超导薄膜，位于所述超导腔的一侧；

支撑结构，位于所述超导腔与所述超导薄膜之间，且所述支撑结构分别与所述超导腔和所述超导薄膜接触；

多模态的声波器件，位于所述支撑结构的表面上，多模态的所述声波器件用于激发出声波在所述支撑结构上传播，使得所述支撑结构形变，带动所述超导腔和/或所述超导薄膜移动，以实现对所述超导腔的频率调整，所述支撑结构包括：

至少两个弹性支柱，至少两个所述弹性支柱间隔设置，至少两个所述弹性支柱的第一端与所述超导腔的表面接触，至少两个所述弹性支柱的第二端的部分表面与所述声波器件接触，至少两个所述弹性支柱的第二端的部分表面与所述超导薄膜接触。

2.根据权利要求1所述的微波源，其特征在于，多模态的所述声波器件包括多模态的声表面波器件。

3.根据权利要求1所述的微波源，其特征在于，所述微波源还包括：介质层，位于所述超导腔与所述超导薄膜之间。

4.根据权利要求3所述的微波源，其特征在于，所述介质层的介电常数为3.9 11.3，缓~冲氧化物刻蚀液对所述超导腔和所述介质层的刻蚀选择比为0.002 0.0026。

~

5.根据权利要求1至4中任一项所述的微波源，其特征在于，所述声波器件包括：至少两个单模态的子声波器件，至少两个所述子声波器件的基本频率不同。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的微波源，其特征在于，所述超导薄膜的厚度为

100nm 500nm。

~

7.根据权利要求1至4中任一项所述的微波源，其特征在于，所述超导腔的频率为：， ，

其中，f为所述超导腔的频率，L为所述超导腔的电感，C为所述超导腔的电容， 为所述超导腔的电容的固定部分， 为所述超导腔的电容的可调部分， 为真空介电常数， 为相对介电常数，A为所述超导腔与所述超导薄膜相对的面积大小，s为所述超导腔与所述超导薄膜之间的距离。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的微波源，其特征在于，构成所述超导腔和所述超导薄膜的超导材料的临界温度大于4K。

9.一种权利要求1至8中任一项所述的微波源的制作方法，其特征在于，包括：提供超导腔；

在所述超导腔的部分表面上形成支撑结构；

在所述支撑结构的远离所述超导腔的部分表面上形成超导薄膜；

在所述支撑结构上形成多模态的声波器件。

10.根据权利要求9所述的微波源的制作方法，其特征在于，在所述超导腔的部分表面上形成支撑结构，包括：在所述超导腔的表面上形成至少两个弹性支柱，至少两个所述弹性支柱间隔设置。

11.根据权利要求9所述的微波源的制作方法，其特征在于，在所述支撑结构的远离所述超导腔的部分表面上形成超导薄膜，包括：在所述超导腔的裸露表面上形成介质层，所述介质层远离所述超导腔的表面与所述支撑结构远离所述超导腔的表面在同一平面上；

在所述介质层远离所述超导腔的表面与所述支撑结构远离所述超导腔的表面上形成所述超导薄膜；

去除所述介质层。

12.根据权利要求11所述的微波源的制作方法，其特征在于，去除所述介质层，包括：将形成有所述超导薄膜的器件置于反应室内；

向所述反应室内通入包括刻蚀气体，以刻蚀去除所述介质层。

13.根据权利要求12所述的微波源的制作方法，其特征在于，所述介质层的材料包括二氧化硅，所述刻蚀气体包括氟化氢气体。

14.根据权利要求10所述的微波源的制作方法，其特征在于，在所述支撑结构上形成多模态的声波器件，包括：在各所述弹性支柱远离所述超导腔的部分表面上形成子声波器件，至少两个所述子声波器件的基本频率不同。

15.一种权利要求1至8中任一项所述的微波源的微波激光产生方法，其特征在于，包括：给多模态的声波器件提供驱动电压，使得多模态的所述声波器件激发出至少两个基频的声波，至少两个基频的所述声波互相叠加形成第一超模态和第二超模态，所述第一超模态的能级小于所述第二超模态的能级；

所述声波器件激发出的声子在所述第一超模态和所述第二超模态之间跃迁，以产生微波激光。

16.根据权利要求15所述的微波源的微波激光产生方法，其特征在于，所述声波器件激发出的声子在所述第一超模态和所述第二超模态之间跃迁，以产生微波激光，包括：所述声子从所述第二超模态跃迁到所述第一超模态，以释放光子至所述超导腔中；

所述声子从所述第一超模态跃迁到所述第二超模态，以从所述超导腔中吸收所述光子；

在释放的所述光子的数量大于吸收的所述光子的数量的情况下，产生微波激光。

17.根据权利要求16所述的微波源的微波激光产生方法，其特征在于，所述微波源的哈密顿量为：，

其中，H为所述哈密顿量， 为约化普朗克常数， 为所述第二超模态对应的频率，为所述第二超模态的所述声子的产生算符， 为所述第二超模态的所述声子的湮灭算符，为所述第一超模态对应的频率， 为所述第一超模态的所述声子的产生算符， 为所述第一超模态的所述声子的湮灭算符， 为所述光子的频率， 为所述光子的产生算符， 为所述光子的湮灭算符， 为所述超导腔与所述声波器件的耦合强度。

18.根据权利要求17所述的微波源的微波激光产生方法，其特征在于，所述微波源的声子运动方程和光子运动方程分别为：，

，

，

2

其中， 为 的导数，i为虚数，i =‑1， 为所述第一超模态和所述第二超模态的衰减率， 为光学的拉格朗日算符，p为第一超模态的声子湮灭的同时第二超模态的声子产生， 为p的导数， 为所述超导腔内光学模态的衰减率， 为声学拉格朗日算符。

19.根据权利要求18所述的微波源的微波激光产生方法，其特征在于，在释放的所述光子的数量大于吸收的所述光子的数量的情况下，产生的所述微波激光的增益为：，

其中， 。

20.一种超导量子芯片，其特征在于，包括：微波源，所述微波源为权利要求1至8中任一项所述的微波源，或者为采用权利要求9至

14中任一项所述的微波源的制作方法制作得到的微波源，所述微波源采用权利要求15至19中任一项所述的微波源的微波激光产生方法产生微波激光。

说明书

微波源、其制作方法及微波激光产生方法

技术领域

[0001] 本申请实施例涉及量子技术领域，具体而言，涉及一种微波源、其制作方法、微波激光产生方法和超导量子芯片。

背景技术

[0002] 目前的超导量子芯片中，把微波信号源集成到芯片上产生相干微波光源对量子比特进行驱动和测量，可以有效的降低超导量子计算机测控系统的体积和造价，对于多比特量子系统来说非常重要。

[0003] 目前低温电子学研发on‑chip（芯片集成）微波光源主要是基于超导约瑟夫森结和超导腔混合系统，或者单磁通量子脉冲来产生微波信号。量子比特目前是基于铝材料（超导临界温度1.2K），因此这类on‑chip集成微波源或者微波脉冲通常需要放在低于1K的温区，占用稀释制冷机的制冷功率及内部低温空间，并对芯片产生噪声。这种系统光源上约瑟夫森结的驱动频率和量子芯片的比特频率接近，会对芯片产生噪声或者串扰。稀释制冷机的冷却功率比较低。通过光腔和量子比特产生激光需要比较大的驱动，在稀释制冷机内部产生更多的辐射噪声，以及热量，影响稀释制冷机的制冷效率。

发明内容

[0004] 本申请实施例提供了一种微波源、其制作方法、微波激光产生方法和超导量子芯片，以至少解决相关技术中集成到芯片上的微波信号源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间消耗较大的问题。

[0005] 根据本申请的一个实施例，提供了一种微波源，包括：超导腔；超导薄膜，位于所述超导腔的一侧；支撑结构，位于所述超导腔与所述超导薄膜之间，且所述支撑结构分别与所述超导腔和所述超导薄膜接触；多模态的声波器件，位于所述支撑结构的表面上，多模态的所述声波器件用于激发出声波在所述支撑结构上传播，使得所述支撑结构形变，带动所述超导腔和/或所述超导薄膜移动，以实现对所述超导腔的频率调整。

[0006] 在一个示例性实施例中，多模态的所述声波器件包括多模态的声表面波器件。

[0007] 在一个示例性实施例中，所述支撑结构包括：至少两个弹性支柱，至少两个所述弹性支柱间隔设置，至少两个所述弹性支柱的第一端与所述超导腔的表面接触，至少两个所述弹性支柱的第二端的部分表面与所述声波器件接触，至少两个所述弹性支柱的第二端的部分表面与所述超导薄膜接触。

[0008] 在一个示例性实施例中，所述微波源还包括：介质层，位于所述超导腔与所述超导薄膜之间。

[0009] 在一个示例性实施例中，所述介质层的介电常数为3.9 11.3，缓冲氧化物刻蚀液~对所述超导腔和所述介质层的刻蚀选择比为0.002 0.0026。
~

[0010] 在一个示例性实施例中，所述声波器件包括：至少两个单模态的子声波器件，至少两个所述子声波器件的基本频率不同。

[0011] 在一个示例性实施例中，所述超导薄膜的厚度为100nm 500nm。~

[0012] 在一个示例性实施例中，所述支撑结构的材料包括可变形材料。

[0013] 在一个示例性实施例中，所述超导腔的频率为：

[0014] ，

[0015] ，

[0016] 其中，f为所述超导腔的频率，L为所述超导腔的电感，C为所述超导腔的电容，为所述超导腔的电容的固定部分， 为所述超导腔的电容的可调部分， 为真空介电常数， 为相对介电常数，A为所述超导腔与所述超导薄膜相对的面积大小，s为所述超导腔与所述超导薄膜之间的距离。

[0017] 在一个示例性实施例中，构成所述超导腔和所述超导薄膜的超导材料的临界温度大于4K。

[0018] 根据本申请的另一个实施例，提供了一种所述的微波源的制作方法，包括：提供超导腔；在所述超导腔的部分表面上形成支撑结构；在所述支撑结构的远离所述超导腔的部分表面上形成超导薄膜；在所述支撑结构上形成多模态的声波器件。

[0019] 在一个示例性实施例中，在所述超导腔的部分表面上形成支撑结构，包括：在所述超导腔的表面上形成至少两个弹性支柱，至少两个所述弹性支柱间隔设置。

[0020] 在一个示例性实施例中，在所述支撑结构的远离所述超导腔的部分表面上形成超导薄膜，包括：在所述超导腔的裸露表面上形成介质层，所述介质层远离所述超导腔的表面与所述支撑结构远离所述超导腔的表面在同一平面上；在所述介质层远离所述超导腔的表面与所述支撑结构远离所述超导腔的表面上形成所述超导薄膜；去除所述介质层。

[0021] 在一个示例性实施例中，去除所述介质层，包括：将形成有所述超导薄膜的器件置于反应室内；向所述反应室内通入包括刻蚀气体，以刻蚀去除所述介质层。

[0022] 在一个示例性实施例中，所述介质层的材料包括二氧化硅，所述刻蚀气体包括氟化氢气体。

[0023] 在一个示例性实施例中，在所述支撑结构上形成多模态的声波器件，包括：在各所述弹性支柱远离所述超导腔的部分表面上形成子声波器件，至少两个所述子声波器件的基本频率不同。

[0024] 根据本申请的又一个实施例，还提供了一种所述的微波源的微波激光产生方法，包括：给多模态的声波器件提供驱动电压，使得多模态的所述声波器件激发出至少两个基频的声波，至少两个基频的所述声波互相叠加形成第一超模态和第二超模态，所述第一超模态的能级小于所述第二超模态的能级；所述声波器件激发出的声子在所述第一超模态和所述第二超模态之间跃迁，以产生微波激光。

[0025] 在一个示例性实施例中，所述声波器件激发出的声子在所述第一超模态和所述第二超模态之间跃迁，以产生微波激光，包括：所述声子从所述第二超模态跃迁到所述第一超模态，以释放光子至所述超导腔中；所述声子从所述第一超模态跃迁到所述第二超模态，以从所述超导腔中吸收所述光子；在释放的所述光子的数量大于吸收的所述光子的数量的情况下，产生微波激光。

[0026] 在一个示例性实施例中，所述微波源的哈密顿量为：

[0027] ，

[0028] 其中，H为所述哈密顿量，为约化普朗克常数， 为所述第二超模态对应的频率，为所述第二超模态的所述声子的产生算符， 为所述第二超模态的所述声子的湮灭算符， 为所述第一超模态对应的频率， 为所述第一超模态的所述声子的产生算符，为所述第一超模态的所述声子的湮灭算符， 为所述光子的频率， 为所述光子的产生算符， 为所述光子的湮灭算符， 为所述超导腔与所述声波器件的耦合强度。

[0029] 在一个示例性实施例中，所述微波源的声子运动方程和光子运动方程分别为：

[0030] ，

[0031] ，

[0032] ，

[0033] 其中， 为 的导数，i为虚数，i2=‑1， 为所述第一超模态和所述第二超模态的衰减率， 为光学的拉格朗日算符，p为第一超模态的声子湮灭的同时第二超模态的声子产生， 为p的导数， 为所述超导腔内光学模态的衰减率， 为声学拉格朗日算符。

[0034] 在一个示例性实施例中，在释放的所述光子的数量大于吸收的所述光子的数量的情况下，产生的所述微波激光的增益为：

[0035] ，

[0036] 其中， 。

[0037] 根据本申请的另一个实施例，还提供了一种超导量子芯片，包括：微波源，所述微波源为任一种所述的微波源，或者为采用任一种所述的方法制作得到的微波源，所述微波源采用任一种所述的方法产生微波激光。

[0038] 通过本申请，提供了一种包括超导腔、超导薄膜、位于两者之间的支撑结构以及位于支撑结构上的多模态声波器件的微波源，超导腔和声波器件相互耦合，通过声波器件激发出声波在所述支撑结构上传播，所述支撑结构根据声波形变，来带动所述超导腔和/或所述超导薄膜移动，从而改变所述超导腔和所述超导薄膜之间的距离，两者距离的改变使得所述超导腔的电容变化，进而使得超导腔的频率变化，形成了声波对光学的调制，实现了驱动声波器件产生微波激光的效果。相比于现有技术中集成到芯片上的微波信号源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间消耗较大的问题，由于本申请的微波源中声波器件不需要超导，因此所述微波源可以放到稀释制冷机中较高温度的温区，从而减少了对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗。

附图说明

[0039] 图1是根据本申请实施例的微波源的结构图；

[0040] 图2是根据本申请实施例的微波源的制作方法的流程图；

[0041] 图3至图7是根据本申请实施例的微波源的制作方法在各工艺步骤后得到的结构俯视图；

[0042] 图8是图1的微波源的俯视图；

[0043] 图9是根据本申请实施例的微波源的微波激光产生方法的流程图；

[0044] 图10是根据本申请实施例的声波超模对光子抽运的示意图。

[0045] 其中，上述附图包括以下附图标记：

[0046] 10、超导腔；11、超导薄膜；12、支撑结构；120、弹性支柱；13、声波器件；130、子声波器件；14、介质层。

具体实施方式

[0047] 下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本申请的实施例。

[0048] 需要说明的是，本申请的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。

[0049] 在本实施例中提供了一种微波源，图1是根据本申请实施例的微波源的结构示意图，如图1所示，该微波源包括：

[0050] 超导腔10；

[0051] 具体地，上述超导腔为采用超导材料制成的一个封闭的空腔。上述超导腔为形状和尺寸可以根据实际需要灵活设计，可以包括但不限于超导谐振腔、超导回旋腔以及超导微带腔等。

[0052] 超导薄膜11，位于上述超导腔10的一侧；

[0053] 具体地，上述超导薄膜是一层具有超导性能的薄膜，由于超导薄膜具有较高的临界温度，使其可以在相对较高的温度下实现超导。上述超导薄膜的材料可以为任意合适且临界温度较高的超导性材料，如铜氧化物、镧钡铜氧化物等。可选地，上述超导薄膜的材料包括以下至少之一：钡铜氧、铋锶钙铜氧。更为具体地，上述超导薄膜可以由氧化铜构成。

[0054] 支撑结构12，位于上述超导腔10与上述超导薄膜11之间，且上述支撑结构12分别与上述超导腔10和上述超导薄膜11接触；

[0055] 可选地，上述支撑结构的材料包括可变形材料，从而保证支撑结构在声波作用下可以产生形变。具体地，上述支撑结构由可变形材料构成。

[0056] 多模态的声波器件13，位于上述支撑结构12的表面上，多模态的上述声波器件13用于激发出声波在上述支撑结构12上传播，使得上述支撑结构12形变，带动上述超导腔10和/或上述超导薄膜11移动，以实现对上述超导腔10的频率调整。

[0057] 具体地，上述声波器件为声波产生器件，多模态的声波器件可以实现不同基本频率的声波的激发，这些基本频率不同的声波相互叠加，可以形成两个超模态，通过这两个超模态实现声波对光子的抽运，来形成微波激光。

[0058] 本申请的上述实施例提供了一种包括超导腔、超导薄膜、位于两者之间的支撑结构以及位于支撑结构上的多模态声波器件的微波源，超导腔和声波器件相互耦合，通过声波器件激发出声波在上述支撑结构上传播，上述支撑结构根据声波形变，来带动上述超导腔和/或上述超导薄膜移动，从而改变上述超导腔和上述超导薄膜之间的距离，两者距离的改变使得上述超导腔的电容变化，进而使得超导腔的频率变化，形成了声波对光学的调制，实现了驱动声波器件产生微波激光的效果。相比于现有技术中集成到芯片上的微波信号源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间消耗较大的问题，由于本申请的微波源中声波器件不需要超导，因此上述微波源可以放到稀释制冷机中较高温度的温区，从而减少了对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗。

[0059] 在实际的应用过程中，本领域技术人员可以选择任意合适类型的声波器件，如声表面波器件以及体声波器件等，本申请的一种可选方案中，多模态的上述声波器件包括多模态的声表面波器件。采用声表面波器件通过逆压电效应将输入电信号转换为声表面波，使得声表面波沿支撑结构的表面传播，并且通过调整输入电信号的大小，可以得到不同模式的声波信号，进而调制出不同的微波激光。另外，由于产生微波激光需要比较强的驱动，而声表面波器件利用压电驱动，激发声表面波的效率较高，可以满足微波激光的产生驱动要求；此外，声表面波器件激发的声表面波的辐射噪声也比较小，可以减少声表面波器件对芯片产生噪声或者串扰；并且，声表面波不能在真空中传播，容易通过物理隔离开，将声表面波器件和超导腔耦合形成光机械系统，做成片上集成微波源放到稀释制冷机的较高温度温区时对超导量子芯片的影响也比较小。

[0060] 更为具体地，多模态的上述声波器件为双模态的声表面波器件。通过一个双模态的声表面波器件即可形成两个声波超模态，既进一步地实现了声波对光学的调制效果，又简化了微波源的器件结构，降低微波源的器件成本。

[0061] 除了一个多模态的声表面波器件外，本申请的又一种可选实施例中，如图1所示，上述声波器件13还可以包括：至少两个单模态的子声波器件130，至少两个上述子声波器件130的基本频率不同。本实施例中通过设置至少两个基本频率不同的单模态的子声波器件，也可以实现不同基本频率的声波的激发，从而形成两个超模态，进一步地通过两个超模态实现声波对光子的抽运来形成微波激光。

[0062] 一种具体实施例中，上述声波器件由两个基本频率不同的单模态的子声波器件构成，上述子声波器件为声表面波器件。

[0063] 可选地，如图1所示，上述支撑结构12包括：至少两个弹性支柱120，至少两个上述弹性支柱120间隔设置，至少两个上述弹性支柱120的第一端与上述超导腔10的表面接触，至少两个上述弹性支柱120的第二端的部分表面与上述声波器件13接触，至少两个上述弹性支柱120的第二端的部分表面与上述超导薄膜11接触。通过至少两个弹性支柱，来实现对超导薄膜的平稳支撑，使得上述超导腔与上述超导薄膜之间各位置的距离基本一致。

[0064] 一个示例性的实施例中，如图1所示，上述弹性支柱120有两个，分别与上述超导腔10的两个端部的上表面接触，单模态的上述子声波器件130一一对应地位于上述弹性支柱
120上。当然，除了示例出的两个弹性支柱外，还可以设置三个，四个，甚至更多的弹性支柱。

[0065] 本申请的上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质可以为空气，在上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质为空气的情况下，上述弹性支柱的可形变范围较大，调制范围也比较大。当然，上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质也可以为其他介质材料，本领域技术人员可以根据实际需要灵活设计。为了进一步地简化上述微波源的制作工艺，具体地，上述微波源还包括：介质层，位于上述超导腔与上述超导薄膜之间。即上述超导腔和上述超导薄膜之间除了上述弹性支柱外，还填充有上述介质层。由于在超导腔一侧生成上述超导薄膜之前，需要在超导腔上生长介质层，来作为超导薄膜的支撑层，在介质层上生长超导薄膜之后，保留介质层，这样可以节省一道介质层去除工艺，简化微波源的制作工艺。

[0066] 一种具体的实施例中，上述介质层的构成材料的介电常数为3.9 11.3，缓冲氧化~物刻蚀液（Buffered oxide etch，简称为BOE）对上述超导腔和上述介质层的刻蚀选择比为
0.002 0.0026。该介质层可以有效增强由超导腔和超导薄膜构成的电容器的电容值。BOE对~
介质层的刻蚀速率远快于对超导腔的刻蚀速率，所以在不需要保留介质层时，可以较为容易地实现对介质层的选择性刻蚀。

[0067] 此外，上述缓冲氧化物刻蚀液对上述超导薄膜和上述介质层的刻蚀选择比也为0.002 0.0026。
~

[0068] 本领域技术人员可以选择合适的材料作为上述的介质层，如可变形材料，或者其他介质材料等。在一个示例性实施例中，上述介质层的材料包括二氧化硅。

[0069] 更为具体的一种实施例中，上述介质层的材料为二氧化硅。二氧化硅具有硬度大、耐高温、耐震以及绝缘等特性，化学性质比较稳定，不与水反应，不跟一般酸反应。而氢氟酸跟二氧化硅反应生成气态四氟化硅，四氟化硅是一种气体。因此二氧化硅容易被氢氟酸气体刻蚀掉，并且产生残留物极少。

[0070] 目前的实验技术可以通过编程控制施加给声波器件的电压从而控制声波信号。当声波器件发出的声波信号在支撑结构上传播时，导致超导微带腔和超导薄膜之间的距离s发生变化，且距离s随声波近周期性振动并改变超导腔的电容，超导腔的频率也随声波变化，就形成声波对光学的调制，即光压类型的耦合，叫做光机械系统（Optomechanics）。

[0071] 具体地，将上述超导腔的电容分为固定部分的电容和可调部分的电容，[0072] ，

[0073] 将可调部分的电容近似看作平行板电容，则该可调部分的电容公式为：

[0074] ，

[0075] 上述超导腔的频率为：

[0076] ，

[0077] 在声波被激发时，可调部分的电容随声波的频率变化，超导腔内光子的频率发生变化，因此声波的声子和超导腔内的光子相互耦合。

[0078] 其中，f为所述超导腔的频率，L为所述超导腔的电感，C为所述超导腔的电容，为所述超导腔的电容的固定部分， 为所述超导腔的电容的可调部分， 为真空介电常数， 为相对介电常数，A为所述超导腔与所述超导薄膜相对的面积大小，s为所述超导腔与所述超导薄膜之间的距离。

[0079] 上述实施例中，位于支撑结构上的声波器件激发出声波，使得支撑结构发生形变，来改变支撑结构的高度，超导腔和超导薄膜之间的距离改变，使得超导腔的总电容发生变化，从而使得超导腔的频率改变，进而改变超导腔内光子的频率，导致声波的声子和超导腔内的光子相互调制和耦合，进一步地实现了超导腔与声波器件的耦合。

[0080] 在上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质为空气的情况下， ，上述超导腔与上述超导薄膜相对的面积大小指的是上述超导薄膜投影在上述超导腔上，投影与上述超导腔重叠的部分的面积。

[0081] 为了进一步地减少微波源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗，根据再一种示例性实施例，构成上述超导腔和上述超导薄膜的超导材料的临界温度大于4K。由于声波器件由压电材料制成，无需超导，而超导腔又采用临界温度比较高的超导材料制备，这样可以使得制成的微波源可以放到稀释制冷机的较高温度的温区，如4K温区，相比于现有技术中的片上集成微波源需要放到稀释制冷机的10mK温区，造成制冷功率与制冷空间的消耗较大的问题，本申请可以进一步地减小微波源对稀释制冷机极低温区域的依赖，进一步地减小对微波源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗。

[0082] 此外，上述超导薄膜的厚度为100nm 500nm。该厚度范围内的超导薄膜容易进行剥~离或者刻蚀，稳定性较强。超导薄膜的材料可以为超导材料，超导材料指的是低于某个临界温度下呈现出电阻等于零并且对排斥磁力线排斥的材料。

[0083] 铌是非混合超导材料中临界超导温度最高的，在标准大气压下，超导临界温度为9.2K(约零下263.95℃)。高质量铌膜通常通过溅射工艺来进行生长，目前基于铌膜的超导腔应用广泛，铌膜厚度通常在100nm左右。

[0084] 铌钛（NbTi）超导合金是目前低温实验用得最多的超导材料，当Nb和Ti的质量比接近1：1时，NbTi合金具有良好的超导电性能，其超导临界转变温度Tc=9．5K左右。

[0085] 其他实施例中，上述超导腔的材料还可以包括铌等临界温度大于4K的超导材料。

[0086] 本申请的上述微波源为片上集成微波源，相比于传统室温的测量微波源，本申请的片上集成微波源的体积更小，造价更低，且能放置到大于4K温度的稀释制冷机温区中，避免对稀释制冷机中10mK等超低温度温区的占用。

[0087] 根据本申请的另一方面，还提供了一种上述的微波源的制作方法，图2是根据本申请实施例的微波源的制作方法的流程图，如图2所示，该流程包括如下步骤：

[0088] 步骤S102，提供如图3所示的超导腔10；

[0089] 具体地，上述超导腔为采用超导材料制成的一个封闭的空腔。上述超导腔为形状和尺寸可以根据实际需要灵活设计，可以包括但不限于超导谐振腔、超导回旋腔以及超导微带腔等。

[0090] 步骤S104，在上述超导腔10的部分表面上形成支撑结构12，得到如图4所示的结构；

[0091] 具体地，可以通过任意合适的方式在上述超导腔的部分表面上形成上述支撑结构，如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)、金属有机气相外延(MOVPE)、氢化物气相外延(HVPE)和/或其它公知的晶体生长工艺的一种或者多种形成，可选地，上述支撑结构的材料包括可变形材料，从而保证支撑结构在声波作用下可以产生形变。具体地，上述支撑结构由可变形材料构成。

[0092] 步骤S106，如图7所示，在上述支撑结构12的远离上述超导腔10的部分表面上形成超导薄膜11；

[0093] 具体地，可以采用蒸发法、溅射法和分子束外延法等物理气相沉积（PVD）或金属有机化学气相沉积（MOCVD）和气相沉积（APCVD）等化学气相沉积（CVD）等方法形成上述超导薄膜。

[0094] 上述超导薄膜是一层具有超导性能的薄膜，由于超导薄膜具有较高的临界温度，使其可以在相对较高的温度下实现超导。上述超导薄膜的材料可以为任意合适且临界温度较高的超导性材料，如铜氧化物、镧钡铜氧化物等。可选地，上述超导薄膜的材料包括以下至少之一：钡铜氧、铋锶钙铜氧。更为具体地，上述超导薄膜可以由氧化铜构成。

[0095] 步骤S108，如图1和图8所示，在上述支撑结构12上形成多模态的声波器件13。

[0096] 具体地，上述声波器件为声波产生器件，多模态的声波器件可以实现不同基本频率的声波的激发，这些基本频率不同的声波相互叠加，可以形成两个超模态，通过这两个超模态实现声波对光子的抽运，来形成微波激光。

[0097] 通过上述步骤，形成了包括超导腔、超导薄膜、位于两者之间的支撑结构以及位于支撑结构上的多模态声波器件的微波源，超导腔和声波器件相互耦合，通过声波器件激发出声波在上述支撑结构上传播，上述支撑结构根据声波形变，来带动上述超导腔和/或上述超导薄膜移动，从而改变上述超导腔和上述超导薄膜之间的距离，两者距离的改变使得上述超导腔的电容变化，进而使得超导腔的频率变化，形成了声波对光学的调制，实现了驱动声波器件产生微波激光的效果。相比于现有技术中集成到芯片上的微波信号源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间消耗较大的问题，由于本申请的微波源中声波器件不需要超导，因此上述微波源可以放到稀释制冷机中较高温度的温区，从而减少了对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗。

[0098] 步骤S106和步骤S108的执行顺序是可以互换的，即可以先执行步骤S106，然后再执行S108。

[0099] 本申请的一种可选方案中，在上述支撑结构上形成多模态的声波器件，包括：在上述支撑结构上形成多模态的声表面波器件。采用声表面波器件通过逆压电效应将输入电信号转换为声表面波，使得声表面波沿支撑结构的表面传播，并且通过调整输入电信号的大小，可以得到不同模式的声波信号，进而调制出不同的微波激光。另外，由于产生微波激光需要比较强的驱动，而声表面波器件利用压电驱动，激发声表面波的效率较高，可以满足微波激光的产生驱动要求；此外，声表面波器件激发的声表面波的辐射噪声也比较小，可以减少声表面波器件对芯片产生噪声或者串扰；并且，声表面波不能在真空中传播，容易通过物理隔离开，将声表面波器件和超导腔耦合形成光机械系统，做成片上集成微波源放到稀释制冷机的较高温度温区时对超导量子芯片的影响也比较小。

[0100] 除了一个多模态的声表面波器件外，本申请的又一种可选实施例中，在上述支撑结构上形成多模态的声波器件，包括：在上述支撑结构上形成至少两个单模态的子声波器件，至少两个上述子声波器件的基本频率不同。本实施例中通过设置至少两个基本频率不同的单模态的子声波器件，也可以实现不同基本频率的声波的激发，从而形成两个超模态，进一步地通过两个超模态实现声波对光子的抽运来形成微波激光。

[0101] 在另一个示例性实施例中，在上述超导腔的部分表面上形成支撑结构，包括：如图4所示，在上述超导腔10的表面上形成至少两个弹性支柱120，至少两个上述弹性支柱120间隔设置。具体地，至少两个上述弹性支柱120的第一端与上述超导腔10的表面接触，如图8所示，至少两个上述弹性支柱120的第二端的部分表面与上述声波器件13接触，至少两个上述弹性支柱120的第二端的部分表面与上述超导薄膜11接触。通过至少两个弹性支柱，来实现对超导薄膜的平稳支撑，使得上述超导腔与上述超导薄膜之间各位置的距离基本一致。

[0102] 在一个示例性实施例中，在上述支撑结构上形成多模态的声波器件，包括：在各上述弹性支柱远离上述超导腔的部分表面上形成子声波器件，至少两个上述子声波器件的基本频率不同。

[0103] 可选地，上述弹性支柱有两个，分别与上述超导腔的两个端部的上表面接触，在上述支撑结构上形成多模态的声波器件，包括：在上述弹性支柱远离上述超导腔的表面上一一对应地形成单模态的声表面波器件。当然，除了示例出的两个弹性支柱外，还可以设置三个，四个，甚至更多的弹性支柱。

[0104] 本申请的上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质可以为空气，在上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质为空气的情况下，上述弹性支柱的可形变范围较大，调制范围也比较大。当然，上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质也可以为其他介质材料，本领域技术人员可以根据实际需要灵活设计。为了进一步保证微波源的器件性能，具体地，在上述支撑结构的远离上述超导腔的部分表面上形成超导薄膜，包括：

[0105] 如图4和图5所示，在上述超导腔10的裸露表面上形成介质层14，上述介质层14远离上述超导腔10的表面与上述支撑结构12远离上述超导腔10的表面在同一平面上；

[0106] 在上述介质层14远离上述超导腔10的表面与上述支撑结构12远离上述超导腔10的表面上形成上述超导薄膜11，得到如图6所示的结构；

[0107] 去除上述介质层14，得到如图7所示的结构。

[0108] 上述实施例中，先在支撑结构与超导腔之间填充介质层，再在支撑结构上和介质层上形成超导薄膜，保证了可以较为简单地生成上述超导薄膜，最后再将起到支撑作用的介质层去掉，来保证支撑结构的可形变范围较大，调制范围也比较大，从而进一步地保证微波源的器件性能。

[0109] 当然，为了进一步地简化上述微波源的制作工艺，上述的介质层也可以保留在微波源上。本领域技术人员可以选择合适的材料作为上述的介质层，如可变形材料，或者其他介质材料等。

[0110] 为了较为容易地去除上述介质层，在一些其他实施例中，去除上述介质层，包括：将形成有上述超导薄膜的器件置于反应室内；向上述反应室内通入包括刻蚀气体，以刻蚀去除上述介质层。

[0111] 更为具体地，上述介质层的材料包括二氧化硅，上述刻蚀气体包括氟化氢气体。通过氟化氢气体来选择性去除二氧化硅，可以进一步地简化介质层的去除工艺，同时进一步地保证介质层的去除效果较好。

[0112] 通过以上的实施方式的描述，本领域的技术人员可以清楚地了解到根据上述实施例的方法可借助软件加必需的通用硬件平台的方式来实现，当然也可以通过硬件，但很多情况下前者是更佳的实施方式。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质（如ROM/RAM、磁碟、光盘）中，包括若干指令用以使得一台终端设备（可以是手机，计算机，服务器，或者网络设备等）执行本申请各个实施例上述的方法。

[0113] 根据本申请的又一方面，还提供了一种上述的微波源的微波激光产生方法，图9是根据本申请实施例的微波源的微波激光产生方法的流程图，如图9所示，该流程包括如下步骤：

[0114] 步骤S202，给多模态的声波器件提供驱动电压，使得多模态的上述声波器件激发出至少两个基频的声波，至少两个基频的上述声波互相叠加形成如图10所示的第一超模态和第二超模态，上述第一超模态的能级小于上述第二超模态的能级；

[0115] 步骤S204，上述声波器件激发出的声子在上述第一超模态和上述第二超模态之间跃迁，以产生微波激光。

[0116] 上述实施例中，通过多模态的声波器件实现不同基本频率的声波的激发，这些基本频率不同的声波相互叠加，形成第一超模态和第二超模态，通过这两个超模态实现声波对光子的抽运，来形成微波激光，达到了驱动声波器件产生微波激光的效果。相比于现有技术中集成到芯片上的微波信号源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间消耗较大的问题，由于本申请的微波源中声波器件不需要超导，因此上述微波源可以放到稀释制冷机中较高温度的温区，从而减少了对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗。

[0117] 另一个示例性实施例中，步骤S204：上述声波器件激发出的声子在上述第一超模态和上述第二超模态之间跃迁，以产生微波激光的具体实现方式可以为：

[0118] 步骤S2041：上述声子从上述第二超模态跃迁到上述第一超模态，以释放光子至上述超导腔中；

[0119] 具体地，上述第一超模态和上述第二超模态的能级差与超导腔中的光子的能级接近共振，上述声子从高能级的第二超模态跃迁到低能级的第一超模态的情况下，释放一定量的光子。

[0120] 步骤S2042：上述声子从上述第一超模态跃迁到上述第二超模态，以从上述超导腔中吸收上述光子；

[0121] 具体地，上述声子从低能级的第一超模态跃迁到高能级的第二超模态的情况下，吸收一定量的光子；

[0122] 步骤S2043：在释放的上述光子的数量大于吸收的上述光子的数量的情况下，产生微波激光。

[0123] 具体地，当声波驱动较强时，高能级的上述第二超模态占据声子量高于低能级的上述第一超模态占据声子量，使得声子跃迁时光子的发射多于光子的吸收，光学模式出现正增益，从而使得光子数增加形成微波激光。

[0124] 在实际的应用过程中，本领域技术人员可以选择任意合适类型的声波器件，如声表面波器件以及体声波器件等，本申请的一种可选方案中，多模态的上述声波器件包括多模态的声表面波器件，即一个多模态的声表面波器件激发出多模态的声表面波，多模态的声表面波相互叠加，形成上述第一超模态和上述第二超模态。采用声表面波器件通过逆压电效应将输入电信号转换为声表面波，使得声表面波沿支撑结构的表面传播，并且通过调整输入电信号的大小，可以得到不同模式的声波信号，进而调制出不同的微波激光。另外，由于产生微波激光需要比较强的驱动，而声表面波器件利用压电驱动，激发声表面波的效率较高，可以满足微波激光的产生驱动要求；此外，声表面波器件激发的声表面波的辐射噪声也比较小，可以减少声表面波器件对芯片产生噪声或者串扰；并且，声表面波不能在真空中传播，容易通过物理隔离开，将声表面波器件和超导腔耦合形成光机械系统，做成片上集成微波源放到稀释制冷机的较高温度温区时对超导量子芯片的影响也比较小。

[0125] 更为具体地，多模态的上述声波器件为双模态的声表面波器件。通过一个双模态的声表面波器件即可形成两个声波超模态，既进一步地实现了声波对光学的调制效果，又简化了微波源的器件结构，降低微波源的器件成本。

[0126] 除了一个多模态的声表面波器件外，本申请的又一种可选实施例中，上述声波器件还可以包括：至少两个单模态的子声波器件，至少两个上述子声波器件的基本频率不同，即通过至少两个单模态的子声波器件，激发形成两个模态的声波，两个模态的声波相互叠加，形成上述第一超模态和上述第二超模态两个声波超模。本实施例中通过设置至少两个基本频率不同的单模态的子声波器件，也可以实现不同基本频率的声波的激发，从而形成两个超模态，进一步地通过两个超模态实现声波对光子的抽运来形成微波激光。

[0127] 一种具体实施例中，上述声波器件由两个基本频率不同的单模态的子声波器件构成，上述子声波器件为声表面波器件。

[0128] 一些其他实施例中，上述多模态的声波器件为一个双模态的声表面波器件，或者为两个单模态的声表面波器件，步骤S202：给多模态的声波器件提供驱动电压，使得多模态的上述声波器件激发出至少两个基频的声波，包括：给一个上述双模态的声表面波器件或者给两个上述单模态的声表面波器件提供驱动电压，使得上述双模态的声表面波器件或者上述单模态的声表面波器件激发出两个基频的声波。

[0129] 可选地，如图1所示，上述支撑结构12包括：至少两个弹性支柱120，至少两个上述弹性支柱120间隔设置，至少两个上述弹性支柱120的第一端与上述超导腔10的表面接触，至少两个上述弹性支柱120的第二端的部分表面与上述声波器件13接触，至少两个上述弹性支柱120的第二端的部分表面与上述超导薄膜11接触。通过至少两个弹性支柱，来实现对超导薄膜的平稳支撑，使得上述超导腔与上述超导薄膜之间各位置的距离基本一致。

[0130] 一个示例性的实施例中，如图1所示，上述弹性支柱有两个，分别与上述超导腔的两个端部的上表面接触，单模态的上述子声波器件一一对应地位于上述弹性支柱上。在此基础上，步骤S202：给多模态的声波器件提供驱动电压，使得多模态的上述声波器件激发出至少两个基频的声波，包括：给两个上述单模态的声表面波器件提供驱动电压，上述单模态的声表面波器件激发出两个基频的声波；两个基频的声波在对应的弹性支柱上传播，使得两个上述弹性支柱形变，从而实现对超导腔的频率调制。

[0131] 上述实施例中，采用声表面波器件通过逆压电效应将输入电信号转换为声表面波，使得声表面波沿对应弹性支柱的表面传播，并且通过调整输入电信号的大小，可以得到不同模式的声波信号，进而产生不同频率的光子，进而调制出不同频率的微波激光。

[0132] 本申请的上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质可以为空气，在上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质为空气的情况下，上述弹性支柱的可形变范围较大，调制范围也比较大。当然，上述超导腔与上述超导薄膜之间的介质也可以为其他介质材料，本领域技术人员可以根据实际需要灵活设计。

[0133] 为了进一步地减少微波源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗，根据再一种示例性实施例，构成上述超导腔和上述超导薄膜的超导材料的临界温度大于4K。由于声波器件由压电材料制成，无需超导，而超导腔又采用临界温度比较高的超导材料制备，这样可以使得制成的微波源可以放到稀释制冷机的较高温度的温区，如4K温区，相比于现有技术中的片上集成微波源需要放到稀释制冷机的10mK温区，造成制冷功率与制冷空间的消耗较大的问题，本申请可以进一步地减小微波源对稀释制冷机极低温区域的依赖，进一步地减小对微波源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗。

[0134] 具体地，上述超导腔的材料可以包括铌等临界温度大于4K的超导材料。

[0135] 考虑到本申请的微波源中，包括两个声波模式叠加形成的两个声波超模以及超导腔内的一个光学模式，整个三维光机械系统的哈密顿量为：

[0136] ，

[0137] 其中，H为所述哈密顿量，为约化普朗克常数， 为所述第二超模态对应的频率，为所述第二超模态的所述声子的产生算符， 为所述第二超模态的所述声子的湮灭算符， 为所述第一超模态对应的频率， 为所述第一超模态的所述声子的产生算符，为所述第一超模态的所述声子的湮灭算符， 为所述光子的频率， 为所述光子的产生算符， 为所述光子的湮灭算符， 为所述超导腔与所述声波器件的耦合强度。

[0138] 具体地， 具体为频率为 的一个光子产生， 为具体为频率为 的一个光子湮灭。 表示一个声子吸收一个光子，从第一超模态跃迁到第二超模态，而则表示一个声子释放一个光子，从第二超模态跃迁到第一超模态。

[0139] 定义两个声波超模算符 ，因此，上述微波源的声子运动方程和光子运动方程分别为：

[0140] ，

[0141] ，

[0142] ，2

[0143] 其中， 为 的导数，i为虚数，i =‑1， 为所述第一超模态和所述第二超模态的衰减率， 为光学的拉格朗日算符，p为第一超模态的声子湮灭的同时第二超模态的声子产生， 为p的导数， 为所述超导腔内光学模态的衰减率， 为声学拉格朗日算符。

[0144] 具体地， 为两个声波超模，即第一超模态与第二超模态的能极差， 则表示两个声波超模的声子占据数之差。

[0145] 在声波表面器件的驱动下，声波超模对光学模式进行抽运。当声表面波驱动足够强时，第二超模态上的声子占据数大于第一超模态上的声子占据数，即 ，此时释放的上述光子的数量大于吸收的上述光子的数量，因此光学模式可以获得正增益，其产生的上述微波激光的增益为：

[0146] 。

[0147] 类似于普通的激光，随着声波超模跃迁过程中释放的光子数量增加，形成微波激光。

[0148] 根据本申请的另一个实施例，还提供了一种超导量子芯片，包括：微波源，上述微波源为任一种上述的微波源，或者为采用任一种上述的方法制作得到的微波源，上述微波源采用任一种上述的方法产生微波激光。

[0149] 上述的超导量子芯片中，微波源包括超导腔、超导薄膜、位于两者之间的支撑结构以及位于支撑结构上的多模态声波器件，其中，超导腔和声波器件相互耦合，通过声波器件激发出声波在上述支撑结构上传播，上述支撑结构根据声波形变，来带动上述超导腔和/或上述超导薄膜移动，从而改变上述超导腔和上述超导薄膜之间的距离，两者距离的改变使得上述超导腔的电容变化，进而使得超导腔的频率变化，形成了声波对光学的调制，实现了驱动声波器件产生微波激光的效果。相比于现有技术中集成到芯片上的微波信号源对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间消耗较大的问题，由于本申请的微波源中声波器件不需要超导，因此上述微波源可以放到稀释制冷机中较高温度的温区，从而减少了对稀释制冷机极低温区域的制冷功率和空间的消耗。

[0150] 另外，本申请的上述超导量子芯片中，微波源集成在基片上，可以放在稀释制冷机的较高温区，如4K温区甚至更高，这可以让超导量子计算机的测控系统的体积变小，并且降低其巨额投入。

[0151] 具体地，上述超导腔为采用超导材料制成的一个封闭的空腔。上述超导腔为形状和尺寸可以根据实际需要灵活设计，可以包括但不限于超导谐振腔、超导回旋腔以及超导微带腔等。

[0152] 上述超导薄膜是一层具有超导性能的薄膜，由于超导薄膜具有较高的临界温度，使其可以在相对较高的温度下实现超导。上述超导薄膜的材料可以为任意合适且临界温度较高的超导性材料，如铜氧化物、镧钡铜氧化物等。可选地，上述超导薄膜的材料包括以下至少之一：钡铜氧、铋锶钙铜氧。更为具体地，上述超导薄膜可以由氧化铜构成。

[0153] 上述支撑结构的材料包括可变形材料，从而保证支撑结构在声波作用下可以产生形变。具体地，上述支撑结构由可变形材料构成。

[0154] 上述声波器件为声波产生器件，多模态的声波器件可以实现不同基本频率的声波的激发，这些基本频率不同的声波相互叠加，可以形成两个超模态，通过这两个超模态实现声波对光子的抽运，来形成微波激光。

[0155] 在实际的应用过程中，本领域技术人员可以选择任意合适类型的声波器件，如声表面波器件以及体声波器件等，本申请的一种可选方案中，多模态的上述声波器件包括多模态的声表面波器件。采用声表面波器件通过逆压电效应将输入电信号转换为声表面波，使得声表面波沿支撑结构的表面传播，并且通过调整输入电信号的大小，可以得到不同模式的声波信号，进而调制出不同的微波激光。另外，由于产生微波激光需要比较强的驱动，而声表面波器件利用压电驱动，激发声表面波的效率较高，可以满足微波激光的产生驱动要求；此外，声表面波器件激发的声表面波的辐射噪声也比较小，可以减少声表面波器件对芯片产生噪声或者串扰；并且，声表面波不能在真空中传播，容易通过物理隔离开，将声表面波器件和超导腔耦合形成光机械系统，做成片上集成微波源放到稀释制冷机的较高温度温区时对超导量子芯片的影响也比较小。

[0156] 更为具体地，多模态的上述声波器件为双模态的声表面波器件。通过一个双模态的声表面波器件即可形成两个声波超模态，既进一步地实现了声波对光学的调制效果，又简化了微波源的器件结构，降低微波源的器件成本。

[0157] 除了一个多模态的声表面波器件外，本申请的又一种可选实施例中，上述声波器件还可以包括：至少两个单模态的子声波器件，至少两个上述子声波器件的基本频率不同。本实施例中通过设置至少两个基本频率不同的单模态的子声波器件，也可以实现不同基本频率的声波的激发，从而形成两个超模态，进一步地通过两个超模态实现声波对光子的抽运来形成微波激光。

[0158] 一种具体实施例中，上述声波器件由两个基本频率不同的单模态的子声波器件构成，上述子声波器件为声表面波器件。

[0159] 需要说明的是，上述各个模块是可以通过软件或硬件来实现的，对于后者，可以通过以下方式实现，但不限于此：上述模块均位于同一处理器中；或者，上述各个模块以任意组合的形式分别位于不同的处理器中。

[0160] 本申请的实施例还提供了一种计算机可读存储介质，该计算机可读存储介质中存储有计算机程序，其中，该计算机程序被设置为运行时执行上述任一种方法实施例中的步骤。

[0161] 在一个示例性实施例中，上述计算机可读存储介质可以包括但不限于：U盘、只读存储器（Read‑Only Memory，简称为ROM）、随机存取存储器（Random Access Memory，简称为RAM）、移动硬盘、磁碟或者光盘等各种可以存储计算机程序的介质。

[0162] 本申请的实施例还提供了一种电子设备，包括存储器和处理器，该存储器中存储有计算机程序，该处理器被设置为运行计算机程序以执行上述任一种方法实施例中的步骤。

[0163] 在一个示例性实施例中，上述电子设备还可以包括传输设备以及输入输出设备，其中，该传输设备和上述处理器连接，该输入输出设备和上述处理器连接。

[0164] 本实施例中的具体示例可以参考上述实施例及示例性实施方式中所描述的示例，本实施例在此不再赘述。

[0165] 显然，本领域的技术人员应该明白，上述的本申请的各模块或各步骤可以用通用的计算装置来实现，它们可以集中在单个的计算装置上，或者分布在多个计算装置所组成的网络上，它们可以用计算装置可执行的程序代码来实现，从而，可以将它们存储在存储装置中由计算装置来执行，并且在某些情况下，可以以不同于此处的顺序执行所示出或描述的步骤，或者将它们分别制作成各个集成电路模块，或者将它们中的多个模块或步骤制作成单个集成电路模块来实现。这样，本申请不限制于任何特定的硬件和软件结合。

[0166] 以上所述仅为本申请的优选实施例而已，并不用于限制本申请，对于本领域的技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的保护范围之内。