中继环碳化钽镀膜装置和方法转让专利

申请号 : CN202310994198.9

文献号 : CN116695089B

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发明人 : 袁刚俊苏兆鸣

申请人 : 通威微电子有限公司

摘要 :

本发明的实施例提供了一种中继环碳化钽镀膜装置和方法,涉及长晶设备制造技术领域。装置包括真空腔体、真空抽气系统、石墨加热器和石墨桶;真空抽气系统连通到真空腔体上,真空抽气系统用于控制真空腔体内的真空度,石墨加热器安装在真空腔体的内部,石墨桶设置在石墨加热器的内部,石墨桶内的底部用于盛装钽颗粒,石墨桶内的顶部用于放置中继环;石墨加热器用于对石墨桶加热,使钽颗粒蒸发成气体、并附着到中继环的表面、与中继环上的碳发生反应形成碳化钽薄膜。装置和方法能够提高镀膜效率,而且形成的碳化钽薄膜致密、均匀。