本发明涉及半导体晶圆检测技术领域，尤其涉及一种用于晶圆划痕的检测系统及该系统的检测方法，旨在解决晶圆在大批量检测时，效率慢的问题。包括：置物台；检测底座，检测底座的顶部开设有容纳槽；检测片，检测片上设置有若干区域；晶圆片可拆卸连接在容纳槽内且抛光面远离容纳槽的底面，晶圆片与容纳槽同轴心设置，检测设备包括连接在检测底座上的支撑架和摄像设备，支撑架连接有第一支架；检测片用于放置在晶圆片上，摄像设备通过检测片对晶圆片进行分析，检测底座的顶面设置有若干定位条码，摄像设备检测出划痕区域时，会以划痕区域为中心优先检测周围相邻的区域。通过检测片，摄像设备可快速记录晶圆缺陷区域及周围的缺陷区域，提高检测效率。
1.一种用于晶圆划痕的检测系统，其特征在于，包括：
检测底座（1），所述检测底座（1）转动连接在所述置物台上，所述检测底座（1）的顶部开设有容纳槽（11）；
检测片（3），所述检测片（3）上设置有若干大小相等的区域；
晶圆片（2），所述晶圆片（2）至少有一个抛光面，所述晶圆片（2）可拆卸连接在所述容纳槽（11）内且所述抛光面远离所述容纳槽（11）的底面，所述晶圆片（2）与所述容纳槽（11）同轴心设置；
检测设备，所述检测设备包括连接在所述检测底座（1）上的支撑架（4）和摄像设备（42），所述支撑架（4）的顶端转动连接有第一支架（41），所述摄像设备（42）设置在所述第一支架（41）的一端；
其中，所述检测片（3）用于放置在所述晶圆片（2）上，所述摄像设备（42）可通过检测片（3）对所述晶圆片（2）进行扫描分析，所述检测底座（1）的顶面与所述检测片（3）棱边之间设置有若干定位条码，所述容纳槽（11）的内周壁上开设有环形槽，所述环形槽内设置有若干压力瓦片（14），若干压力瓦片（14）与所述环形槽同轴心设置，所述检测底座（1）内设置有腔体，所述腔体与所述环形槽连通，所述腔体内设置有壳体，所述壳体内设置有与所述压力瓦片（14）连接的伸缩杆（13），所述伸缩杆（13）相对所述压力瓦片（14）的一端设置在壳体内且连接有支撑杆（12），所述支撑杆（12）与所述伸缩杆（13）电连接，所述支撑杆（12）用于控制所述伸缩杆（13）伸缩，所述压力瓦片（14）上设置有压力传感器，所述摄像设备（42）检测出划痕区域时，会以划痕区域为中心优先检测周围相邻的区域。
2.根据权利要求1所述的一种用于晶圆划痕的检测系统，其特征在于：所述检测片（3）为正方形，所述检测片（3）以相邻直角边等距直线阵列有若干栅格，相邻垂直所述栅格之间形成通孔，所述通孔即为所述区域。
3.根据权利要求2所述的一种用于晶圆划痕的检测系统，其特征在于：所述检测片（3）的边长大于所述晶圆片（2）的直径，位于所述检测片（3）顶面互相平行的两边上镜像设置有若干测量字母，位于所述检测片（3）顶面互相平行的另两边镜像设置有若干测量数字。
4.根据权利要求3所述的一种用于晶圆划痕的检测系统，其特征在于：所述壳体的顶端设置有入射设备（15），所述容纳槽（11）的底面为透明材质，所述入射设备（15）可发射穿设所述容纳槽（11）和所述晶圆片（2）的激光，所述支撑架（4）的顶端还连接有第二支架（43），所述第二支架（43）与所述第一支架（41）平行，所述第二支架（43）远离所述支撑架（4）的一端连接有光源设备（44），所述光源设备（44）的直径与所述检测底座（1）相等，所述光源设备（44）用于接收所述入射设备（15）的激光并分析。
5.根据权利要求4所述的一种用于晶圆划痕的检测系统，其特征在于：所述入射设备（15）的发射端设置有若干与所述通孔大小、位置相等的发射窗口，任意一个所述发射窗口均可通过发射端发射激光，所述光源设备（44）的接收端也设置有若干与所述通孔大小、位置相等的接收窗口。
6.根据权利要求1所述的一种用于晶圆划痕的检测系统，其特征在于：所述检测底座（1）的外周壁上设置有第一定位块（16），所述检测片（3）的外壁上设置有第二定位块（31）。
7.一种晶圆划痕的检测方法，其特征在于：基于权利要求5所述的检测系统执行，包括如下步骤：S1、开始检测，将晶圆片（2）安装在容纳槽（11）内进行定位，抛光面朝向正上方；
S2、将检测片（3）安装在检测底座（1）的顶面并定位；
S3、转动第一支架（41）令摄像设备（42）与检测底座（1）同轴心；
S4、摄像设备（42）透过检测片（3）对晶圆片（2）进行扫描并记录划痕所在的区域位置；
S6、转动第二支架（43）令光源设备（44）与检测底座（1）同轴心，同时第一支架（41）远离检测底座（1）；
S7、根据摄像设备（42）记录的划痕位置，启动入射设备（15）通过相应的发射窗口照射划痕区域，激光穿设晶圆片（2）进入光源设备（44）内；
S8、光源设备（44）根据照射激光的强弱分析当前区域划痕的深浅。
8.根据权利要求7所述的一种晶圆划痕的检测方法，其特征在于：所述S1包括：S11、伸缩杆（13）通过支撑杆（12）控制压力瓦片（14）朝向晶圆片（2）挤压；
S12、压力瓦片（14）上的压力传感器对晶圆片（2）周侧壁的划痕进行检测；
S13、判断是否存在划痕，检测到存在划痕，执行步骤S131，检测到不存在划痕，执行步骤S132，直至所有区域完成检测；
S132、根据步骤S13检测不存在划痕，继续检测其他区域；
S14、转动晶圆片（2），令晶圆片（2）外周壁均接受检测，若存在划痕则回入步骤S13进行判断记录，直至晶圆外周壁完成检测。
9.根据权利要求7所述的一种晶圆划痕的检测方法，其特征在于：所述S4包括：S41、对若干区域按顺序进行检测，并根据摄像设备（42）内部标准区域进行比对；
S42、判断当前检测区域是否为划痕区域，非划痕区域则继续执行步骤S41；
S43、判定为划痕区域时，以当前划痕区域为中心优先检测此区域周围8格区域内的晶圆片（2）；
S44、判断所有区域是否都已检测，存在未检测区域继续执行步骤S41；
S45、所有区域检测完成后，令检测底座（1）沿自身中心旋转；
S46、摄像设备（42）再次对所有区域进行检测，优先检测划痕所在区域，摄像设备（42）会根据定位条码确认所有区域转动后的位置；
S47、判断所有区域是否均已检测，存在未检测则继续执行步骤S46。
一种用于晶圆划痕的检测系统及该系统的检测方法
技术领域
[0001] 本发明涉及半导体晶圆检测技术领域，尤其涉及一种用于晶圆划痕的检测系统及该系统的检测方法。
背景技术
[0002] 晶圆，即硅晶片，也称为半导体晶圆。硅晶片是制造集成电路和其他半导体器件的基础材料之一。它具有半导体特性，可以通过控制电流的流动来实现电子器件的功能，是制造各种电子器件的关键原材料之一。
[0003] 晶圆可以分为无图案晶圆和图案晶圆两种类型，无图案晶圆是指表面没有预先制作好的电路结构和图案的晶圆，它们通常用于制作通用的电路设计和芯片，这种晶圆的表面通常是光滑的，无图案晶圆和图案晶圆在表面有划痕时都不容易辨认，因为晶圆的表面通常非常平滑，即使有微小的划痕也不容易被肉眼观察到，如果需要检测表面缺陷，通常需要使用显微镜等高精度的工具进行观察和分析。
[0004] 在晶圆加工过程中，可能会出现一些问题，例如晶圆表面出现划痕、晶圆断裂、切割不平整等，晶圆为一种非透明的半导体材料，且其表面具有金属光泽，由于金属表面反射光线的特性，可能会导致表面划痕的检测困难，甚至无法检测到一些较浅的划痕，在生产制造中，晶圆需要多批量的进行检测，因此需要准确找到晶圆的缺陷，以提高检测效率。
发明内容
[0005] 本发明所要解决的技术问题是现有的晶圆在检测划痕时，效率低，且由于晶圆表面的金属光泽导致划痕难以检测，提供一种用于晶圆划痕的检测系统及该系统的检测方法，以解决上述问题。
[0006] 本发明通过下述技术方案实现：
[0007] 一种用于晶圆划痕的检测系统，包括：
[0008] 置物台；
[0009] 检测底座，所述检测底座转动连接在所述置物台上，所述检测底座的顶部开设有容纳槽；
[0010] 检测片，所述检测片上设置有若干大小相等的区域；
[0011] 晶圆片，所述晶圆片至少有一个抛光面，所述晶圆片可拆卸连接在所述容纳槽内且所述抛光面远离所述容纳槽的底面，所述晶圆片与所述容纳槽同轴心设置；
[0012] 检测设备，所述检测设备包括连接在所述检测底座上的支撑架和摄像设备，所述支撑架的顶端转动连接有第一支架，所述摄像设备设置在所述第一支架的一端；
[0013] 其中，所述检测片用于放置在所述晶圆片上，所述摄像设备可通过检测片对所述晶圆片进行扫描分析，所述检测底座的顶面与所述检测片棱边之间设置有若干定位条码，当所述摄像设备检测出划痕区域时，会以划痕区域为中心优先检测周围相邻的区域。
[0014] 上述技术方案中，将待检测的晶圆片放置在容纳槽内，并将检测片放置在检测底座上，摄像设备通过检测片对晶圆片的抛光面进行拍照，晶圆片上的划痕会显示在检测片的区域内，摄像设备可优先针对划痕区域周围的区域进行检测，加快检测效率。
[0015] 在一些可选的技术方案中，所述检测片为正方形，所述检测片以相邻直角边等距直线阵列有若干栅格，相邻垂直所述栅格之间形成通孔，所述通孔即为所述区域。
[0016] 上述技术方案中，检测片为正方形，若干栅格等距分布，能够将晶圆片划分为若干相同大小的区域。
[0017] 在一些可选的技术方案中，所述检测片的边长大于所述晶圆片的直径，位于所述检测片顶面互相平行的两边上镜像设置有若干测量字母，位于所述检测片顶面互相平行的另两边镜像设置有若干测量数字。
[0018] 上述技术方案中，测量字母和测量数字便于对当前区域的状态进行分析记录。
[0019] 在一些可选的技术方案中，所述容纳槽的内周壁上开设有环形槽，所述环形槽内设置有若干压力瓦片，若干压力瓦片与所述环形槽同轴心设置，所述检测底座内设置有腔体，所述腔体与所述环形槽连通，所述腔体内设置有壳体，所述壳体内设置有与所述压力瓦片连接的伸缩杆，所述伸缩杆相对所述压力瓦片的一端设置在壳体内且连接有支撑杆，所述支撑杆与所述伸缩杆电连接，所述支撑杆用于控制所述伸缩杆伸缩，所述压力瓦片上设置有压力传感器。
[0020] 上述技术方案中，控制器能够控制夹板的上下两端开启或关闭，夹板的顶端开启或关闭时，能够控制压力瓦片朝向晶圆片施加压力，从而使压力瓦片上的压力传感器能够检测出晶圆片的周侧壁上是否存在有划痕。
[0021] 在一些可选的技术方案中，所述壳体的顶端设置有入射设备，所述容纳槽的底面为透明材质，所述入射设备可发射穿设所述容纳槽和所述晶圆片的激光，所述支撑架的顶端还连接有第二支架，所述第二支架与所述第一支架平行，所述第二支架远离所述支撑架的一端连接有光源设备，所述光源设备的直径与所述检测底座相等，所述光源设备用于接收所述入射设备的激光并分析。
[0022] 上述技术方案中，完成对划痕的检测后，根据摄像设备对划痕所在区域的记录，可启动相应区域的入射设备，令激光穿过晶圆片划痕所在的区域，光源设备根据所接收的激光的强弱，由系统进行判断当前区域划痕的深度。
[0023] 在一些可选的技术方案中，所述入射设备的发射端设置有若干与所述通孔大小、位置相等的发射窗口，任意一个所述发射窗口均可通过发射端发射激光，所述光源设备的接收端也设置有若干与所述通孔大小、位置相等的接收窗口。
[0024] 上述技术方案中，根据划痕区域，可通过相应的发射窗口发射激光，通过激光的折射判断当前划痕的深度。
[0025] 在一些可选的技术方案中，所述检测底座的外周壁上设置有第一定位块，所述检测片的外壁上设置有第二定位块。
[0026] 上述技术方案中，检测片安装时，可通过第一定位块与第二定位块确定准心，避免安装角度存在偏差。
[0027] 一种晶圆划痕的检测方法，基于以上任意一项所述的检测系统执行，包括如下步骤：
[0028] S1、开始检测，将晶圆片安装在容纳槽内进行定位，抛光面朝向正上方；
[0029] S2、将检测片安装在检测底座的顶面并定位；
[0030] S3、转动第一支架令摄像设备与检测底座同轴心；
[0031] S4、摄像设备透过检测片对晶圆片进行扫描并记录划痕所在的区域位置；
[0032] S5、判断所有区域是否均已记录；
[0033] S6、转动第二支架令光源设备与检测底座同轴心，同时第一支架远离检测底座；
[0034] S7、根据摄像设备记录的划痕位置，启动入射设备通过相应的发射窗口照射划痕区域，激光穿设晶圆片进入光源设备内；
[0035] S8、光源设备根据照射激光的强弱分析当前区域划痕的深浅。
[0036] 在一些可选的技术方案中，所述S1步骤包括：
[0037] S11、伸缩杆通过支撑杆控制压力瓦片朝向晶圆片挤压；
[0038] S12、压力瓦片上的压力传感器对晶圆片周侧壁的划痕进行检测；
[0039] S13、判断是否存在划痕，检测到存在划痕，执行步骤S131，检测到不存在划痕，执行步骤S132，直至所有区域完成检测；
[0040] S131、根据步骤S13检测存在划痕，记录数据；
[0041] S132、根据步骤S13检测不存在划痕，继续检测其他区域；
[0042] S14、转动晶圆片，令晶圆片外周壁均接受检测，若存在划痕则回入步骤S13进行判断记录，直至晶圆外周壁完成检测。
[0043] 在一些可选的技术方案中，所述步骤S4包括以下步骤：
[0044] S41、对若干区域按顺序进行检测，并根据摄像设备内部标准区域进行比对；
[0045] S42、判断当前检测区域是否为划痕区域，非划痕区域则继续执行步骤S41；
[0046] S43、判定为划痕区域时，以当前划痕区域为中心优先检测此区域周围8格区域内的晶圆片；
[0047] S44、判断所有区域是否都已检测，存在未检测区域继续执行步骤S41；
[0048] S45、所有区域检测完成后，令检测底座沿自身中心旋转；
[0049] S46、摄像设备再次对所有区域进行检测，优先检测划痕所在区域，摄像设备会根据定位条码确认所有区域转动后的位置；
[0050] S47、判断所有区域是否均已检测，存在未检测则继续执行步骤S46。
[0051] 本发明与现有技术相比，具有如下的优点和有益效果：
[0052] 1、本发明中，可将待检测的晶圆片放置在容纳槽内，通过检测片将晶圆片划分为若干个区域，摄像设备通过检测片对晶圆片的每一个区域进行检测，且摄像设备在检测出划痕区域时，能够优先对划痕区域相邻的区域进行检测，提高效率；
[0053] 2、本发明中，晶圆片在放入容纳槽后，可通过伸缩杆控制压力瓦片朝向晶圆片挤压，根据压力瓦片上的压力传感器，测定晶圆片的外周壁上是否存在有划痕；
[0054] 3、本发明中，在晶圆片所有区域完成检测后，可通过检测底座内的入射设备通过透明的容纳槽发射激光照射晶圆片，检测底座上方的光源设备根据激光的折射率，判断当前区域划痕的深浅。
附图说明
[0055] 此处所说明的附图用来提供对本发明实施例的进一步理解，构成本申请的一部分，并不构成对本发明实施例的限定。在附图中：
[0056] 图1为本发明的结构示意图；
[0057] 图2为本发明中检测底座、检测片的结构示意图；
[0058] 图3为本发明中检测底座、检测片和晶圆片的爆炸图；
[0059] 图4为本发明中检测底座的剖视图；
[0060] 图5为图4中P处的局部放大图；
[0061] 图6为本发明中检测片的结构示意图；
[0062] 图7为本发明中检测片的仰视图；
[0063] 图8为本发明中检测片未放在晶圆片上的俯视图；
[0064] 图9为本发明中检测片底部放置有带划痕的晶圆片的俯视图；
[0065] 图10为本发明的检测系统的工作流程图一；
[0066] 图11为本发明的检测系统的工作流程图二；
[0067] 图12为本发明的检测系统的工作流程图三。
[0068] 附图标记所代表的为：
[0069] 1、检测底座；11、容纳槽；12、支撑杆；13、伸缩杆；14、压力瓦片；15、入射设备；16、第一定位块；2、晶圆片；3、检测片；31、第二定位块；32、卡接环；4、支撑架；41、第一支架；42、摄像设备；43、第二支架；44、光源设备。
具体实施方式
[0070] 为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，下面结合实施例和附图，对本发明作进一步的详细说明，本发明的示意性实施方式及其说明仅用于解释本发明，并不作为对本发明的限定。需要说明的是，本发明已经处于实际研发使用阶段。
[0071] 实施例1
[0072] 如图1至图3所示，一种用于晶圆划痕的检测系统，包括：
[0073] 置物台；
[0074] 检测底座1，检测底座1转动连接在置物台上，检测底座1的顶部开设有容纳槽11；
[0075] 检测片3，检测片3上设置有若干大小相等的区域；
[0076] 晶圆片2，晶圆片2至少有一个抛光面，晶圆片2可拆卸连接在容纳槽11内且抛光面远离容纳槽11的底面，晶圆片2与容纳槽11同轴心设置；
[0077] 检测设备，检测设备包括连接在检测底座1上的支撑架4和摄像设备42，支撑架4的顶端转动连接有第一支架41，摄像设备42设置在第一支架41的一端；
[0078] 其中，检测片3用于放置在晶圆片2上，摄像设备42可通过检测片3对晶圆片2进行扫描分析，检测底座1的顶面与检测片3棱边之间设置有若干定位条码，当摄像设备42检测出划痕区域时，会以划痕区域为中心优先检测周围相邻的区域。
[0079] 如图6至图8所示，检测片3为正方形，检测片3以相邻直角边等距直线阵列有若干栅格，相邻垂直栅格之间形成通孔，通孔即为区域。
[0080] 如图2所示，检测底座1的外周壁上设置有第一定位块16，检测片3的外壁上设置有第二定位块31。
[0081] 如图3和图9所示，检测片3的边长大于晶圆片2的直径，位于检测片3顶面互相平行的两边上镜像设置有若干测量字母，位于检测片3顶面互相平行的另两边镜像设置有若干测量数字。
[0082] 如图4和图5所示，容纳槽11的内周壁上开设有环形槽，环形槽内设置有若干压力瓦片14，若干压力瓦片14与环形槽同轴心设置，检测底座1内设置有腔体，腔体与环形槽连通，腔体内设置有壳体，壳体内设置有与压力瓦片14连接的伸缩杆13，伸缩杆13相对压力瓦片14的一端设置在壳体内且连接有支撑杆12，支撑杆12与伸缩杆13电连接，支撑杆12用于控制伸缩杆13伸缩，压力瓦片14上设置有压力传感器。
[0083] 具体的，晶圆片2在加工之后，将原本的基片面加工处理为抛光面，以提高晶圆的表面质量和光学性能，在安装晶圆片2检测时，先将晶圆片2的抛光面向上放置在容纳槽11内，紧接着安装检测片3，检测片3为正方形结构，晶圆片2与检测底座1均为柱体结构，如图7所示，优选的，检测片3的底面可连接有卡接环32，相应的检测底座1的顶面开设有与卡接环32卡接且转动连接凹槽，通过卡接安装检测片3后，可通过转动第二定位块31令检测片3在检测底座1的顶面旋转至第一定位块16与第二定位块31对齐。
[0084] 值得说明的是，检测片3的边长大于晶圆片2的直径，检测片3的边长等于检测底座1顶面的直径，不论晶圆片2的规格多少，当晶圆片2安装在容纳槽11后，可通过压力瓦片14进行固定，且正方形的检测片3能够通过纵横交错的栅格将晶圆片2划分为若干个相等的区域，检测片3顶面边长的一侧分别设置有测量数字和测量字母，以检测片3左下角通孔为坐标，横向坐标的测量字母从左往右分别为A、B、C、D等，纵向坐标的测量数字从下往上分别为
1、2、3、4等，如左下角第一个区域的标记即为A1，A1区域右侧一格的区域为B1，A1上方一格的区域为A2，检测片3安装完成后，可通过移动第一支架41使摄像设备42转至检测片3上方，并通过检测片3对晶圆片2上的划痕进行检测。
[0085] 如图9所示，摄像设备42单独对每一个区域进行单独分析对比，从A1处遵从从左到右，从上往下的检测方法，本实施例中，划痕有两处，分别为Q1和Q2，依照摄像设备42的图像处理算法，从左到右、从下往上，会优先检测出Q1处的划痕，此处的划痕为直线型且连续，由于此处I1区域的划痕被检测片3的栅格遮挡，因此会率先检测出J2区域的划痕，需要说明的是，检测片3上的测量数字和测量字母镜像设置在两侧，便于在转动角度后快速确认划痕的位置，此处的J2区域也可以是镜像的C11区域，J2和镜像的C11区域为同一个区域，为然后以J2区域为中心，摄像设备42优先分析J2周围相邻的区域，即I1、J1、K1、K2、K3、J3、I3、I2这8个区域，这8个区域中，仅I3存在划痕，因此再以I3区域为中心进行分析检测，检测出划痕的区域为H4，再以H4为中心分析，没有获得新的划痕区域，因此根据数据分析，此处的划痕区域分别为J2、I3、H4，结束此区域的检测后，在后续的划痕修复时，应以此划痕所在的区域以及划痕周围的栅格进行修复，防止存在类似I2类的划痕区域被遮挡而遗漏。
[0086] Q2处的划痕，此处的为直线型但不连续，优先检测出D8区域的划痕，然后以D8区域为中心对周围的区域进行检测，检测原理和Q1处的划痕相同，此处不再赘述，需要说明的是，晶圆片2因其表面具有金属光泽，会存在划痕无法检测的情况，如此处的E8区域，不与划痕连续，可能会因为金属光泽而导致摄像设备42无法捕捉，待所有区域检测完成后，可通过旋转检测底座1，检测片3与晶圆片2跟随旋转，使晶圆片2旋转一定角度，E8区域的金属光泽则会射向别的方向，从而能够令摄像设备42进行拍照分析，检测底座1转动一定角度后，摄像设备42可根据检测底座1顶面的三个定位条码进行定位，同样的，还能够根据检测片3上斜对角处的坐标及测量数字进行定位。
[0087] 如图1和图4所示，壳体的顶端设置有入射设备15，容纳槽11的底面为透明材质，入射设备15可发射穿设容纳槽11和晶圆片2的激光，支撑架4的顶端还连接有第二支架43，第二支架43与第一支架41平行，第二支架43远离支撑架4的一端连接有光源设备44，光源设备44的直径与检测底座1相等，光源设备44用于接收入射设备15的激光并分析。
[0088] 如图1和图4所示，入射设备15的发射端设置有若干与通孔大小、位置相等的发射窗口，任意一个发射窗口均可通过发射端发射激光，光源设备44的接收端也设置有若干与通孔大小、位置相等的接收窗口。
[0089] 具体的，检测底座1的壳体内设置有隔板，入射设备15设置在隔板上，隔板底部设置有动力组件提供动力，容纳槽11为透明材质，便于激光的穿设，入射设备15设置在壳体内，且入射设备15的顶面设置有若干发射窗口，入射设备15与容纳槽11直径相等，若干发射窗口与若干落在容纳槽11内的区域大小相等，位置对应，在进行激光检测划痕深浅时，如Q1处的划痕，摄像设备42记录后，入射设备15朝向J2、I3、H4区域发射激光，同时，事先通过转动第二支架43令光源设备44与检测底座1同轴心，第一支架41与第二支架43均与支撑架4转动连接，入射设备15发射的激光会进入光源设备44相应的区域中，光源设备44的底面也设置有与入射窗口相对应的接收窗口，激光照射进入接收窗口后，光源设备44会根据当前接收窗口接收的激光的折射率来判断当前区域内划痕的深浅，从而方便后续的晶圆修复处理，值得说明的是，栅格的厚度较小，不会遮挡大部分的划痕，且在修复时，会根据所要修复的区域，以及待修复区域周围的栅格区域进行修复，不会产生遗漏，且由于栅格遮挡的划痕较少，因此不会在修复时对晶圆片2造成二次伤害。
[0090] 实施例2
[0091] 如图10所示，一种晶圆划痕的检测方法，基于实施例1的检测系统执行，包括如下步骤：
[0092] S1、开始检测，将晶圆片2安装在容纳槽11内进行定位，抛光面朝向正上方；
[0093] S2、将检测片3安装在检测底座1的顶面并定位；
[0094] S3、转动第一支架41令摄像设备42与检测底座1同轴心；
[0095] S4、摄像设备42透过检测片3对晶圆片2进行扫描并记录划痕所在的区域位置；
[0096] S5、判断所有区域是否均已记录；
[0097] S6、转动第二支架43令光源设备44与检测底座1同轴心，同时第一支架41远离检测底座1；
[0098] S7、根据摄像设备42记录的划痕位置，启动入射设备15通过相应的发射窗口照射划痕区域，激光穿设晶圆片2进入光源设备44内；
[0099] S8、光源设备44根据照射激光的强弱分析当前区域划痕的深浅。
[0100] 如图11所示，优选的，S1步骤包括：
[0101] S11、伸缩杆13通过支撑杆12控制压力瓦片14朝向晶圆片2挤压；
[0102] S12、压力瓦片14上的压力传感器对晶圆片2周侧壁的划痕进行检测；
[0103] S13、判断是否存在划痕，检测到存在划痕，执行步骤S131，检测到不存在划痕，执行步骤S132，直至所有区域完成检测；
[0104] S131、根据步骤S13检测存在划痕，记录数据；
[0105] S132、根据步骤S13检测不存在划痕，继续检测其他区域；
[0106] S14、转动晶圆片2，令晶圆片2外周壁均接受检测，若存在划痕则回入步骤S13进行判断记录，直至晶圆外周壁完成检测。
[0107] 如图12所示，优选的，步骤S4包括以下步骤：
[0108] S41、对若干区域按顺序进行检测，并根据摄像设备42内部标准区域进行比对；
[0109] S42、判断当前检测区域是否为划痕区域，非划痕区域则继续执行步骤S41；
[0110] S43、判定为划痕区域时，以当前划痕区域为中心优先检测此区域周围8格区域内的晶圆片2；
[0111] S44、判断所有区域是否都已检测，存在未检测区域继续执行步骤S41；
[0112] S45、所有区域检测完成后，令检测底座1沿自身中心旋转；
[0113] S46、摄像设备42再次对所有区域进行检测，优先检测划痕所在区域，摄像设备42会根据定位条码确认所有区域转动后的位置；
[0114] S47、判断所有区域是否均已检测，存在未检测则继续执行步骤S46。
[0115] 以上所述的具体实施方式，对本发明的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施方式而已，并不用于限定本发明的保护范围，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
