本发明涉及半导体技术领域，具体是涉及一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，包括工作台、安装筒、调节机构和上料机构；安装筒设置在工作台中心处；调节机构设置在安装筒底部内壁，调节机构包括能够朝向安装筒中心处移动的第一柔性板和第二柔性板，第一柔性板上设置有供第二柔性板插入的插槽，第一柔性板和第二柔性板交错设置，上料机构设置在工作台下方，上料机构包括有能沿水平方向和竖直方向往返移动的封堵盘，封堵盘上设置有进气管，进气管上设置有多个进气孔；封堵盘上转动设置有多个环形滑块，每个环形滑块上插设有多个放置杆，放置杆上设置有放置架，通过调节机构对沉积腔容积进行调节，通过环形滑块和进气管从而提高沉淀均匀性。
1.一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，其特征在于，包括工作台（1）、安装筒（2）、调节机构（3）和上料机构（4）；
工作台（1）的中心处设置有第一穿孔（11），安装筒（2）呈竖直状态设置在第一穿孔（11）内，安装筒（2）的开口朝着工作台（1）底部；
安装筒（2）顶部边缘处设置有第二穿孔（21），第二穿孔（21）内设置有抽气管（22），安装筒（2）顶部还设置有真空泵（23），抽气管（22）远离第二穿孔（21）的一端与真空泵（23）的输入端连接；
调节机构（3）设置在安装筒（2）底部内壁，调节机构（3）包括有第一柔性板（31）和第二柔性板（32）；
第一柔性板（31）有两个，第一柔性板（31）呈弧形形状，两个第一柔性板（31）呈竖直状态设置在安装筒（2）底部，两个第一柔性板（31）相对于安装筒（2）中心处呈镜像设置，每个第一柔性板（31）沿长度方向的两端设置有供第二柔性板（32）插入的插槽（311），第一柔性板（31）能够朝着安装筒（2）中心处往返移动；
第二柔性板（32）有两个，第二柔性板（32）呈弧形形状，第二柔性板（32）的两端分别能够滑动的设置在对应第一柔性板（31）相互靠近的插槽（311）内，第二柔性板（32）呈竖直状态设置在两个第一柔性板（31）之间，第二柔性板（32）能够朝着安装筒（2）中心处往返移动；
上料机构（4）设置在工作台（1）台面下方，上料机构（4）包括有能沿水平方向和竖直方向往返移动的封堵盘（41），封堵盘（41）呈水平状态设置，封堵盘（41）的直径与安装筒（2）的直径相同，封堵盘（41）用于对安装筒（2）进行密封，封堵盘（41）与第一穿孔（11）同轴设置；
封堵盘（41）密封安装筒（2）后，封堵盘（41）、第一柔性板（31）和第二柔性板（32）之间形成沉淀腔；
封堵盘（41）中心处设置有进气管（42），进气管（42）呈竖直状态设置，进气管（42）顶部呈封堵状态，进气管（42）底部向下延伸穿过封堵盘（41），进气管（42）外壁沿竖直方向和圆周方向等距设置有多个进气孔（421）；
封堵盘（41）顶部设置有多个环形滑槽（411），环形滑槽（411）沿封堵盘（41）直径方向等距设置，每个环形滑槽（411）内均滑动设置有环形滑块（412），每个环形滑块（412）顶部沿圆周方向设置有多个安装孔（4121），每个安装孔（4121）内均设置有放置杆（43），放置杆（43）呈竖直状态设置，放置杆（43）沿长度方向设置有多个用于放置半导体的放置架（431）；
封堵盘（41）的底部还设置有用于驱动环形滑块（412）进行转动的驱动机构（5）；
驱动机构（5）包括第三伺服电机（51），第一齿轮（52）和第二齿轮（53）；
封堵盘（41）的顶部边缘处设置有条形凹槽（415），条形凹槽（415）连通多个环形滑槽（411），条形凹槽（415）的长度方向与封堵盘（41）的直径方向相同；
第三伺服电机（51）呈竖直状态设置在封堵盘（41）底部，第三伺服电机（51）的输出轴穿过封堵盘（41）与第一齿轮（52）的中心处连接；
第一齿轮（52）设置在条形凹槽（415）远离封堵盘（41）中心处的一端；
每个环形滑块（412）的外壁和内壁均设置有齿槽（4122），第一齿轮（52）与位于最外圈的环形滑块（412）的齿槽（4122）啮合；
第二齿轮（53）有多个，第二齿轮（53）能够转动的设置在条形凹槽（415）内，第二齿轮（53）沿条形凹槽（415）长度方向等距设置，第二齿轮（53）设置在环形滑块（412）之间，第二齿轮（53）分别与对应环形滑块（412）的齿槽（4122）啮合；
条形凹槽（415）内还设置有封堵板（54），封堵板（54）有多个，封堵板（54）用于对环形滑块（412）和条形凹槽（415）之间所形成的空间进行封堵。
2.根据权利要求1所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，其特征在于，调节机构（3）还包括第一伺服电机（33）、第一丝杆（34）、第一锥齿轮（35）、第二锥齿轮（36）和第一滑块（37）；
安装筒（2）底部内壁中心处设置有第一圆孔（24），第一伺服电机（33）呈竖直状态设置在安装筒（2）顶部中心处，第一伺服电机（33）的输出轴穿过安装筒（2）设置在第一锥齿轮（35）中心处，第一锥齿轮（35）设置在第一圆孔（24）内并且第一锥齿轮（35）与第一圆孔（24）同轴设置；
安装筒（2）内壁底部沿圆周方向设置有四个第一滑槽（25），第一滑槽（25）沿安装筒（2）圆周方向等距设置，第一滑槽（25）的长度方向与安装筒（2）直径方向相同；
第一丝杆（34）有四个，第一丝杆（34）能够转动的设置在对应的第一滑槽（25）内，第一丝杆（34）的长度方向与第一滑槽（25）的长度方向相同，每个第一丝杆（34）靠近安装筒（2）底部内壁中心处的一端穿过对应的第一滑槽（25）设置在第一圆孔（24）内；
第二锥齿轮（36）有四个，第一丝杆（34）靠近第一圆孔（24）的一端设在对应第二锥齿轮（36）中心处，每个第二锥齿轮（36）均与第一锥齿轮（35）啮合；
第一滑块（37）有四个，第一滑块（37）能够滑动的设在对应的第一滑槽（25）内，第一滑块（37）沿第一滑槽（25）长度方向的一端中心处设置有第一螺纹孔（371），第一螺纹孔（371）与对应的第一丝杆（34）螺纹连接；
第一柔性板（31）和第二柔性板（32）顶部中心处分别与对应的第一滑块（37）连接。
3.根据权利要求1所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，其特征在于，第一柔性板（31）顶部和底部均设置有第一安装槽（312），第二柔性板（32）顶部和底部均设置有第二安装槽（321），第一安装槽（312）内设置有第一密封条（313），第二安装槽（321）内设置有第二密封条（322）。
4.根据权利要求3所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，其特征在于，插槽（311）的宽度大于第二柔性板（32）的厚度，每个插槽（311）靠近第二柔性板（32）的两侧内壁均设置有第三密封条（3111），第二柔性板（32）设置在两个第二密封条（322）之间，两个第二密封条（322）接触第二柔性板（32）表面。
5.根据权利要求1所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，其特征在于，第一柔性板（31）、第二柔性板（32）和安装筒（2）内壁之间还设置有螺旋加热管（26）。
6.根据权利要求5所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，其特征在于，螺旋加热管（26）与第一柔性板（31）和第二柔性板（32）之间设置有环形拦截板（27），环形拦截板（27）上设置有多个过气孔（28）。
7.根据权利要求6所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，其特征在于，封堵盘（41）顶部边缘处还设置有环形凹槽（413），环形凹槽（413）内设置有环形密封圈（414）。
8.根据权利要求7所述的一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，其特征在于，上料机构（4）包括滑轨（44）、第二丝杆（45）、第二滑块（46）、第二伺服电机（47）、U形放置板（48）和直线驱动器（49）；
滑轨（44）有两个，两个滑轨（44）呈水平状态设置在工作台（1）底部，两个滑轨（44）相对于第一穿孔（11）轴线呈镜像设置，滑轨（44）的开口方向朝向远离工作台（1）的方向，滑轨（44）向外延伸超出工作台（1）；
第二丝杆（45）有两个，第二丝杆（45）能够转动的设置在对应的滑轨（44）内；
第二伺服电机（47）有两个，第二伺服电机（47）设置在对应滑轨（44）的一端，第二伺服电机（47）的输出轴穿过对应的滑轨（44）与对应第二丝杆（45）的一端连接，用于驱动第二丝杆（45）进行转动；
第二滑块（46）有两个，第二滑块（46）能够滑动的设置在对应的滑轨（44）上，每个第二滑块（46）沿滑轨（44）长度方向的一端设置有第二螺纹孔（461），第二螺纹孔（461）与对应的第二丝杆（45）螺纹连接；
U形放置板（48）设置在工作台（1）下方，U形放置板（48）的两端分别与第二滑块（46）连接；
封堵盘（41）设置在U形放置板（48）和工作台（1）之间；
直线驱动器（49）有两个，两个直线驱动器（49）呈竖直状态设置在U形放置板（48）靠近工作台（1）的一侧，两个直线驱动器（49）相对于第一穿孔（11）轴线呈镜像设置；
两个直线驱动器（49）的执行部与封堵盘（41）底部连接。
一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构
技术领域
[0001] 本发明涉及半导体技术领域，具体是涉及一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构。
背景技术
[0002] 原子层沉积是一种可以将物质以单原子膜形式一层一层的镀在基底表面的方法。
[0003] 在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联的，这种方式使每次反应只沉积一层原子，由原子层沉积工艺制作成的膜层具有高纯度和良好均匀性的优点，因此原子层沉积工艺被广泛地应用于半导体制造中，以满足半导体的小尺寸和大高宽比的工艺要求；原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法，当前驱体达到沉积基体表面，它们会在其表面化学吸附并发生表面反应，在前驱体脉冲之间需要用惰性气体对原子层沉积反应器进行清洗。
[0004] 现有技术中，原子层沉积腔室的沉积腔体积是固定的，在对数量较少的半导体进行镀膜时，气体冲入到沉积腔内的时间较长，并且大多数的气体处于无法进行反应的区域，这样会造成气体的浪费，并且在反应的过程中，半单导体处于固定状态，与气体的接触面积较少，会导致反应不均匀。
发明内容
[0005] 针对现技术所存在的问题，提供一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，通过第一柔性板、第二柔性板和封堵盘的配合，从而可以对沉积腔的容积进行调节，通过进气管，进气管与环形滑块的配合，从而使半导体能够更均匀的接触气体，提高了沉积均匀性。
[0006] 为解决现有技术问题，本发明采用的技术方案为：
[0007] 一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，包括工作台、安装筒、调节机构和上料机构；
[0008] 工作台的中心处设置有第一穿孔，安装筒呈竖直状态设置在第一穿孔内，安装筒的开口朝着工作台底部；
[0009] 安装筒顶部边缘处设置有第二穿孔，第二穿孔内设置有抽气管，安装筒顶部还设置有真空泵，抽气管远离第二穿孔的一端与真空泵的输入端连接；
[0010] 调节机构设置在安装筒底部内壁，调节机构包括有第一柔性板和第二柔性板；
[0011] 第一柔性板有两个，第一柔性板呈弧形形状，两个第一柔性板呈竖直状态设置在安装筒底部，两个第一柔性板相对于安装筒中心处呈镜像设置，每个第一柔性板沿长度方向的两端设置有供第二柔性板插入的插槽，第一柔性板能够朝着安装筒中心处往返移动；
[0012] 第二柔性板有两个，第二柔性板呈弧形形状，第二柔性板的两端分别能够滑动的设置在对应第一柔性板相互靠近的插槽内，第二柔性板呈竖直状态设置在两个第一柔性板之间，第二柔性板能够朝着安装筒中心处往返移动；
[0013] 上料机构设置在工作台台面下方，上料机构包括有能沿水平方向和竖直方向往返移动的封堵盘，封堵盘呈水平状态设置，封堵盘的直径与安装筒的直径相同，封堵盘用于对安装筒进行密封，封堵盘与第一穿孔同轴设置；
[0014] 封堵盘密封安装筒后，封堵盘、第一柔性板和第二柔性板之间形成沉淀腔；
[0015] 封堵盘中心处设置有进气管，进气管呈竖直状态设置，进气管顶部呈封堵状态，进气管底部向下延伸穿过封堵盘，进气管外壁沿竖直方向和圆周方向等距设置有多个进气孔；
[0016] 封堵盘顶部设置有多个环形滑槽，环形滑槽沿封堵盘直径方向等距设置，每个环形滑槽内均滑动设置有环形滑块，每个环形滑块顶部沿圆周方向设置有多个安装孔，每个安装孔内均设置有放置杆，放置杆呈竖直状态设置，放置杆沿长度方向设置有多个用于放置半导体的放置架。
[0017] 优选的，调节机构还包括第一伺服电机、第一丝杆、第一锥齿轮、第二锥齿轮和第一滑块；
[0018] 安装筒底部内壁中心处设置有第一圆孔，第一伺服电机呈竖直状态设置在安装筒顶部中心处，第一伺服电机的输出轴穿过安装筒设置在第一锥齿轮中心处，第一锥齿轮设置在第一圆孔内并且第一锥齿轮与第一圆孔同轴设置；
[0019] 安装筒内壁底部沿圆周方向设置有四个第一滑槽，第一滑槽沿安装筒圆周方向等距设置，第一滑槽的长度方向与安装筒直径方向相同；
[0020] 第一丝杆有四个，第一丝杆能够转动的设置在对应的第一滑槽内，第一丝杆的长度方向与第一滑槽的长度方向相同，每个第一丝杆靠近安装筒底部内壁中心处的一端穿过对应的第一滑槽设置在第一圆孔内；
[0021] 第二锥齿轮有四个，第一丝杆靠近第一圆孔的一端设在对应第二锥齿轮中心处，每个第二锥齿轮均与第一锥齿轮啮合；
[0022] 第一滑块有四个，第一滑块能够滑动的设在对应的第一滑槽内，第一滑块沿第一滑槽长度方向的一端中心处设置有第一螺纹孔，第一螺纹孔与对应的第一丝杆螺纹连接；
[0023] 第一柔性板和第二柔性板顶部中心处分别与对应的第一滑块连接。
[0024] 优选的，第一柔性板顶部和底部均设置有第一安装槽，第二柔性板顶部和底部均设置有第二安装槽，第一安装槽内设置有第一密封条，第二安装槽内设置有第二密封条。
[0025] 优选的，插槽的宽度大于第二柔性板的厚度，每个插槽靠近第二柔性板的两侧内壁均设置有第三密封条，第二柔性板设置在两个第二密封条之间，两个第二密封条接触第二柔性板表面。
[0026] 优选的，第一柔性板、第二柔性板和安装筒内壁之间还设置有螺旋加热管。
[0027] 优选的，螺旋加热管与第一柔性板和第二柔性板之间设置有环形拦截板，环形拦截板上设置有多个过气孔。
[0028] 优选的，封堵盘顶部边缘处还设置有环形凹槽，环形凹槽内设置有环形密封圈。
[0029] 优选的，上料机构包括滑轨、第二丝杆、第二滑块、第二伺服电机、U形放置板和直线驱动器；
[0030] 滑轨有两个，两个滑轨呈水平状态设置在工作台底部，两个滑轨相对于第一穿孔轴线呈镜像设置，滑轨的开口方向朝向远离工作台的方向，滑轨向外延伸超出工作台；
[0031] 第二丝杆有两个，第二丝杆能够转动的设置在对应的滑轨内；
[0032] 第二伺服电机有两个，第二伺服电机设置在对应滑轨的一端，第二伺服电机的输出轴穿过对应的滑轨与对应第二丝杆的一端连接，用于驱动第二丝杆进行转动；
[0033] 第二滑块有两个，第二滑块能够滑动的设置在对应的滑轨上，每个第二滑块沿滑轨长度方向的一端设置有第二螺纹孔，第二螺纹孔与对应的第二丝杆螺纹连接；
[0034] U形放置板设置在工作台下方，U形放置板的两端分别与第二滑块连接；
[0035] 封堵盘设置在U形放置板和工作台之间；
[0036] 直线驱动器有两个，两个直线驱动器呈竖直状态设置在U形放置板靠近工作台的一侧，两个直线驱动器相对于第一穿孔轴线呈镜像设置；
[0037] 两个直线驱动器的执行部与封堵盘底部连接。
[0038] 优选的，封堵盘的底部还设置有用于驱动环形滑块进行转动的驱动机构；
[0039] 驱动机构包括第三伺服电机，第一齿轮和第二齿轮；
[0040] 封堵盘的顶部边缘处设置有条形凹槽，条形凹槽连通多个环形滑槽，条形凹槽的长度方向与封堵盘的直径方向相同；
[0041] 第三伺服电机呈竖直状态设置在封堵盘底部，第三伺服电机的输出轴穿过封堵盘与第一齿轮的中心处连接；
[0042] 第一齿轮设置在条形凹槽远离封堵盘中心处的一端；
[0043] 每个环形滑块的外壁和内壁均设置有齿槽，第一齿轮与位于最外圈的环形滑块的齿槽啮合；
[0044] 第二齿轮有多个，第二齿轮能够转动的设置在条形凹槽内，第二齿轮沿条形凹槽长度方向等距设置，第二齿轮设置在环形滑块之间，第二齿轮分别与对应环形滑块的齿槽啮合。
[0045] 优选的，条形凹槽内还设置有封堵板，封堵板有多个，封堵板用于对环形滑块和条形凹槽之间所形成的空间进行封堵。
[0046] 本申请相比较于现有技术的有益效果是：
[0047] 1.本申请通过第一柔性板、第二柔性板和封堵盘的配合，从而可以对沉积腔的容积进行调节，从而适应不同数量半导体的沉积，并且通过能够沿竖直方向和水平方向移动的封堵盘，从而便于工作人员进行上料，通过在封堵盘的中心处设置有进气管，进气管外壁设置有多个进气孔，与真空泵的相互配合，从而使气体能够均匀的充满沉积腔，提高沉淀效率，通过环形滑块在环形滑轨上的移动，从而使半导体能够更均匀的接触气体，提高了沉积均匀性。
[0048] 2.本申请通过第一锥齿轮、第二锥齿轮、第一丝杆、第一滑块、第一伺服电机的配合，从而使第一柔性板和第二柔性板可以同步朝向安装筒中心处移动，从而对沉积腔的容积进行调节，并且第一柔性板和第二柔性板均具有柔性，通过插槽和第二柔性板的配合，使第二柔性板能够自适应的调节，使第二柔性板能够更好的沿着插槽移动。
[0049] 3.本申请通过第一密封条和第二密封条的配合，从而提高第一柔性板、第二柔性板、安装筒和封堵盘的密封性，通过第三密封条与第二柔性板的配合，从而提高第二柔性板与第一柔性板的密封性。
[0050] 4.本申请通过螺旋加热管与环形拦截板的配合，使被加热的热气流，能够均匀的对沉积腔内的气体进行加热，提高分子的活动速度，从而提高沉积腔内的沉积速度。
[0051] 5.本申请通过第三伺服电机，第一齿轮和第二齿轮的配合，从而使环形滑块能够进行方向相反的转动，使放置杆之间可以交错绕进气管转动，从而提高半导体之间的的沉淀效果。
附图说明
[0052] 图1是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构的立体图；
[0053] 图2是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构的正视图；
[0054] 图3是图2中A处局部放大图；
[0055] 图4是图2沿B‑B方向的平面剖视图；
[0056] 图5是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构的仰视图；
[0057] 图6是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构中放置筒和调节机构的立体图；
[0058] 图7是图6中C处局部放大图；
[0059] 图8是图6中D处局部放大图；
[0060] 图9是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构中第一丝杆、第一滑块、第一柔性板、第二柔性板、第一锥齿轮和第二锥齿轮的立体图；
[0061] 图10是图9中E处局部放大图；
[0062] 图11是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构中上料机构的立体图；
[0063] 图12是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构中封堵盘和驱动机构的立体图；
[0064] 图13是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构中封堵盘和驱动机构的立体分解图；
[0065] 图14是一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构中放置杆的立体图。
[0066] 图中标号为：
[0067] 1‑工作台；11‑第一穿孔；
[0068] 2‑安装筒；21‑第二穿孔；22‑抽气管；23‑真空泵；24‑第一圆孔；25‑第一滑槽；26‑螺旋加热管；27‑环形拦截板；28‑过气孔；
[0069] 3‑调节机构；31‑第一柔性板；311‑插槽；3111‑第三密封条；312‑第一安装槽；313‑第一密封条；32‑第二柔性板；321‑第二安装槽；322‑第二密封条；33‑第一伺服电机；34‑第一丝杆；35‑第一锥齿轮；36‑第二锥齿轮；37‑第一滑块；371‑第一螺纹孔；
[0070] 4‑上料机构；41‑封堵盘；411‑环形滑槽；412‑环形滑块；4121‑安装孔；4122‑齿槽；413‑环形凹槽；414‑环形密封圈；415‑条形凹槽；42‑进气管；421‑进气孔；43‑放置杆；431‑放置架；44‑滑轨；45‑第二丝杆；46‑第二滑块；461‑第二螺纹孔；47‑第二伺服电机；48‑U形放置板；49‑直线驱动器；
[0071] 5‑驱动机构；51‑第三伺服电机；52‑第一齿轮；53‑第二齿轮；54‑封堵板。
具体实施方式
[0072] 为能进一步了解本发明的特征、技术手段以及所达到的具体目的、功能，下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
[0073] 参见图1至图14所示，一种原子层沉积腔室容积可调的沉积腔结构，包括工作台1、安装筒2、调节机构3和上料机构4；
[0074] 工作台1的中心处设置有第一穿孔11，安装筒2呈竖直状态设置在第一穿孔11内，安装筒2的开口朝着工作台1底部；
[0075] 安装筒2顶部边缘处设置有第二穿孔21，第二穿孔21内设置有抽气管22，安装筒2顶部还设置有真空泵23，抽气管22远离第二穿孔21的一端与真空泵23的输入端连接；
[0076] 调节机构3设置在安装筒2底部内壁，调节机构3包括有第一柔性板31和第二柔性板32；
[0077] 第一柔性板31有两个，第一柔性板31呈弧形形状，两个第一柔性板31呈竖直状态设置在安装筒2底部，两个第一柔性板31相对于安装筒2中心处呈镜像设置，每个第一柔性板31沿长度方向的两端设置有供第二柔性板32插入的插槽311，第一柔性板31能够朝着安装筒2中心处往返移动；
[0078] 第二柔性板32有两个，第二柔性板32呈弧形形状，第二柔性板32的两端分别能够滑动的设置在对应第一柔性板31相互靠近的插槽311内，第二柔性板32呈竖直状态设置在两个第一柔性板31之间，第二柔性板32能够朝着安装筒2中心处往返移动；
[0079] 上料机构4设置在工作台1台面下方，上料机构4包括有能沿水平方向和竖直方向往返移动的封堵盘41，封堵盘41呈水平状态设置，封堵盘41的直径与安装筒2的直径相同，封堵盘41用于对安装筒2进行密封，封堵盘41与第一穿孔11同轴设置；
[0080] 封堵盘41密封安装筒2后，封堵盘41、第一柔性板31和第二柔性板32之间形成沉淀腔；
[0081] 封堵盘41中心处设置有进气管42，进气管42呈竖直状态设置，进气管42顶部呈封堵状态，进气管42底部向下延伸穿过封堵盘41，进气管42外壁沿竖直方向和圆周方向等距设置有多个进气孔421；
[0082] 封堵盘41顶部设置有多个环形滑槽411，环形滑槽411沿封堵盘41直径方向等距设置，每个环形滑槽411内均滑动设置有环形滑块412，每个环形滑块412顶部沿圆周方向设置有多个安装孔4121，每个安装孔4121内均设置有放置杆43，放置杆43呈竖直状态设置，放置杆43沿长度方向设置有多个用于放置半导体的放置架431。
[0083] 工作人员根据所需要的半导体数量，调节第一柔性板31和第二柔性板32，使第一柔性板31和第二柔性板32同时朝向靠近安装筒2中心处的方向进行移动，使第一柔性板31和第二柔性板32之间形成不同体积的沉淀腔，随后工作人员将晶体放置在放置架431上，随后将放置杆43放入到对安装孔4121内，放置杆43沿由封堵盘41中心处朝向封堵盘41边缘处逐步放置，调节封堵盘41沿水平方向进行移动，使封堵盘41可以移动至工作台1外部，从而便于工作人员放置半导体，当半导体放置完成后，工作人员调节封堵盘41向上移动，使封堵盘41对第一柔性板31和第二柔性板32所形成的空间进行封堵，从而形成密封的沉淀腔，随后通过进气管42向沉淀腔内注入气体，真空泵23通过排气管对沉淀腔内进行抽气，排气管内的气体通过多个进气孔421均匀的排入到沉淀腔内，环形滑块412沿着环形滑槽411方向进行移动，从而使放置杆43可以绕着进气管42轴线方向进行转动，半导体同步绕着进气管42轴线进行转动，从而提高半导体与气体的接触面积，从而提高沉淀效果和沉淀均匀性。
[0084] 参见图1、图4、图6、图7和图9所示，调节机构3还包括第一伺服电机33、第一丝杆34、第一锥齿轮35、第二锥齿轮36和第一滑块37；
[0085] 安装筒2底部内壁中心处设置有第一圆孔24，第一伺服电机33呈竖直状态设置在安装筒2顶部中心处，第一伺服电机33的输出轴穿过安装筒2设置在第一锥齿轮35中心处，第一锥齿轮35设置在第一圆孔24内并且第一锥齿轮35与第一圆孔24同轴设置；
[0086] 安装筒2内壁底部沿圆周方向设置有四个第一滑槽25，第一滑槽25沿安装筒2圆周方向等距设置，第一滑槽25的长度方向与安装筒2直径方向相同；
[0087] 第一丝杆34有四个，第一丝杆34能够转动的设置在对应的第一滑槽25内，第一丝杆34的长度方向与第一滑槽25的长度方向相同，每个第一丝杆34靠近安装筒2底部内壁中心处的一端穿过对应的第一滑槽25设置在第一圆孔24内；
[0088] 第二锥齿轮36有四个，第一丝杆34靠近第一圆孔24的一端设在对应第二锥齿轮36中心处，每个第二锥齿轮36均与第一锥齿轮35啮合；
[0089] 第一滑块37有四个，第一滑块37能够滑动的设在对应的第一滑槽25内，第一滑块37沿第一滑槽25长度方向的一端中心处设置有第一螺纹孔371，第一螺纹孔371与对应的第一丝杆34螺纹连接；
[0090] 第一柔性板31和第二柔性板32顶部中心处分别与对应的第一滑块37连接。
[0091] 通过第一伺服电机33带动第一锥齿轮35进行转动，第一锥齿轮35与多个第二锥齿轮36进行转动，随着第二锥齿轮36的转动，带动多个第一丝杆34进行转动，随着第一丝杆34的转动，带动对应的第一滑块37沿着第一滑槽25滑动，随着第一滑块37的带动，与第一滑块37连接的第一柔性板31和第二柔性板32可以同步运动，对第一柔性板31和第二柔性板32之间的容积进行调节。
[0092] 参见图6、图8、图9和图10所示，第一柔性板31顶部和底部均设置有第一安装槽312，第二柔性板32顶部和底部均设置有第二安装槽321，第一安装槽312内设置有第一密封条313，第二安装槽321内设置有第二密封条322。
[0093] 通过第一柔性板31和第二柔性板32顶部分别设置有第一密封条313和第二密封条322，从而使第一柔性板31和第二柔性板32在移动的过程中，使第一柔性板31和第二柔性板
32与安装筒2底部内壁相互密封，通过在第一柔性板31和第二柔性板32底部同样设置有第一密封条313和第二密封条322，在封堵盘41封堵的过程中，可以使封堵盘41与第一柔性板
31和第二柔性板32之间的相互密封。
[0094] 参见图6、图8、图9和图10所示，插槽311的宽度大于第二柔性板32的厚度，每个插槽311靠近第二柔性板32的两侧内壁均设置有第三密封条3111，第二柔性板32设置在两个第二密封条322之间，两个第二密封条322接触第二柔性板32表面。
[0095] 通过插槽311的宽度大于第二柔性板32的厚度，从而便于第二柔性板32能够更顺畅的在插槽311内滑动，并且插槽311的内壁设置有第三密封条3111，从而使第一柔性板31和第二柔性板32之间进行密封，避免气体流失，提高沉积腔的密封性。
[0096] 参见图4、图6和图8所示，第一柔性板31、第二柔性板32和安装筒2内壁之间还设置有螺旋加热管26。
[0097] 通过在第一柔性板31、第二柔性板32和安装筒2之间设置有螺旋加热管26，螺旋加热管26对安装筒2内部进行均匀的加热，从而提高沉淀腔内的沉淀效率。
[0098] 参见图4、图6和图8所示，螺旋加热管26与第一柔性板31和第二柔性板32之间设置有环形拦截板27，环形拦截板27上设置有多个过气孔28。
[0099] 通过在第一柔性板31、第二柔性板32和安装筒2之间设置有拦截板，环形拦截板27可以对螺旋加热管26与第一柔性板31和第二柔性板32之间进行阻挡，环形拦截板27上设置有多个供热气流穿过的过气孔28，从而使热气流可以对第一柔性板31和第二柔性板32进行加热，避免第一柔性板31和第二柔性板32与螺旋加热管26直接接触，导致第一柔性板31和第二柔性板32的损坏。
[0100] 参见图12和图13所示，封堵盘41顶部边缘处还设置有环形凹槽413，环形凹槽413内设置有环形密封圈414。
[0101] 通过环形密封圈414的设置，从而提高安装筒2与密封盘之间的密封性，使被加热的热气流可以保留在第一柔性板31、第二柔性板32和安装筒2内壁之间，避免其热气流从安装筒2内漏出，导致加热效果不好。
[0102] 参见图1、图2、图4、图5和图11所示，上料机构4包括滑轨44、第二丝杆45、第二滑块46、第二伺服电机47、U形放置板48和直线驱动器49；
[0103] 滑轨44有两个，两个滑轨44呈水平状态设置在工作台1底部，两个滑轨44相对于第一穿孔11轴线呈镜像设置，滑轨44的开口方向朝向远离工作台1的方向，滑轨44向外延伸超出工作台1；
[0104] 第二丝杆45有两个，第二丝杆45能够转动的设置在对应的滑轨44内；
[0105] 第二伺服电机47有两个，第二伺服电机47设置在对应滑轨44的一端，第二伺服电机47的输出轴穿过对应的滑轨44与对应第二丝杆45的一端连接，用于驱动第二丝杆45进行转动；
[0106] 第二滑块46有两个，第二滑块46能够滑动的设置在对应的滑轨44上，每个第二滑块46沿滑轨44长度方向的一端设置有第二螺纹孔461，第二螺纹孔461与对应的第二丝杆45螺纹连接；
[0107] U形放置板48设置在工作台1下方，U形放置板48的两端分别与第二滑块46连接；
[0108] 封堵盘41设置在U形放置板48和工作台1之间；
[0109] 直线驱动器49有两个，两个直线驱动器49呈竖直状态设置在U形放置板48靠近工作台1的一侧，两个直线驱动器49相对于第一穿孔11轴线呈镜像设置；
[0110] 两个直线驱动器49的执行部与封堵盘41底部连接。
[0111] 工作人员启动第二伺服电机47，第二伺服电机47带动第二丝杆45进行转动，随着第二丝杆45进行转动带动第二滑块46沿着滑轨44长度方向进行滑动，随着第二滑块46的移动带动U形放置板48进行移动，使U形放置板48移动至工作台1外部，从而便于工作人员放置半导体，随后，U形放置板48移动至第一穿孔11下方，随着直线驱动器49的启动，推动封堵盘41朝着靠近安装筒2的方向进行移动，从而完成上料的工作。
[0112] 参见图2、图11、图12和图13所示，封堵盘41的底部还设置有用于驱动环形滑块412进行转动的驱动机构5；
[0113] 驱动机构5包括第三伺服电机51，第一齿轮52和第二齿轮53；
[0114] 封堵盘41的顶部边缘处设置有条形凹槽415，条形凹槽415连通多个环形滑槽411，条形凹槽415的长度方向与封堵盘41的直径方向相同；
[0115] 第三伺服电机51呈竖直状态设置在封堵盘41底部，第三伺服电机51的输出轴穿过封堵盘41与第一齿轮52的中心处连接；
[0116] 第一齿轮52设置在条形凹槽415远离封堵盘41中心处的一端；
[0117] 每个环形滑块412的外壁和内壁均设置有齿槽4122，第一齿轮52与位于最外圈的环形滑块412的齿槽4122啮合；
[0118] 第二齿轮53有多个，第二齿轮53能够转动的设置在条形凹槽415内，第二齿轮53沿条形凹槽415长度方向等距设置，第二齿轮53设置在环形滑块412之间，第二齿轮53分别与对应环形滑块412的齿槽4122啮合。
[0119] 通过第三伺服电机51带动第一齿轮52进行转动，随着第一齿轮52的转动，带动最外圈的环形滑块412进行转动，最外圈的环形滑块412带动与其啮合的第二齿轮53进行转动，第二齿轮53带动对应的环形滑块412进行转动，并且通过第二齿轮53、环形滑块412和第一齿轮52的传动，从而使环形滑块412能够进行方向相反的转动，从而使放置杆43之间可以交错环绕，从而提高半导体之间的的沉淀效果。
[0120] 参见图12和图13所示，条形凹槽415内还设置有封堵板54，封堵板54有多个，封堵板54用于对环形滑块412和条形凹槽415之间所形成的空间进行封堵。
[0121] 通过设置有封堵板54，可以对第一齿轮52和第二齿轮53进行保护，从而避免气体对第一齿轮52和第二齿轮53产生损坏，并且可以对条形凹槽415进行封堵，提高封堵盘41与第一柔性板31和第二柔性板32之间的密封性，避免气体沿条形凹槽415泄露。
[0122] 以上实施例仅表达了本发明的一种或几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
