一种微波等离子制粉装置及制粉方法转让专利

申请号 : CN202311272401.8

文献号 : CN117001004B

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发明人 : 杨星波向长淑任建强孙念光巴运炜赵辉杨信文

申请人 : 西安赛隆增材技术股份有限公司

摘要 :

本发明涉及一种微波等离子制粉装置及制粉方法。装置包括微波发生器和设置下方的离心雾化盘和/或一个或更多个超声波发生器,微波发生器包括:至少两个原始粉末接收口,至少两个原始粉末接收口从上往下依次设置在微波发生器的侧壁上,不同的原始粉末接收口被配置成接收不同粒径范围的原始粉末,并且下方的原始粉末接收口所接收的粉末粒径小于上方的原始粉末接收口所接收的粉末粒径;等离子体热源,用于将供给到微波发生器中的原始粉末熔融。本发明通过按粉末粒度大小设置多路送粉机构,提高了微波等离子体的利用率,提高粉末单位时间处理量。在微波等离子体下方加装超声波、旋转盘离心装置,实现粗粒径粉末的二次破碎,提高细粒径粉末收得率。

权利要求 :

1.一种微波等离子制粉装置,其特征在于,所述微波等离子制粉装置包括微波发生器和设置在所述微波发生器下方且与所述微波发生器间隔开的离心雾化盘和/或一个或更多个超声波发生器,所述微波发生器包括:至少两个原始粉末接收口,所述至少两个原始粉末接收口从上往下依次设置在所述微波发生器的侧壁上,不同的原始粉末接收口被配置成接收不同粒径范围的原始粉末,并且下方的原始粉末接收口所接收的粉末粒径小于上方的原始粉末接收口所接收的粉末粒径;

等离子体热源,所述等离子体热源设置在所述微波发生器中,用于将供给到所述微波发生器中的原始粉末熔融;以及出口部,所述出口部设置在所述微波发生器的底部上,

其中,供给到所述微波发生器中的原始粉末在被熔融后能够经由所述出口部掉落到所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器上,并且通过所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器形成成品粉末。

2.根据权利要求1所述的微波等离子制粉装置,其特征在于,所述离心雾化盘为可旋转盘,所述可旋转盘在使用前被预热。

3.根据权利要求1所述的微波等离子制粉装置,其特征在于,所述微波发生器的等离子体功率能够在25~200kW之间调节。

4.根据权利要求2所述的微波等离子制粉装置,其特征在于,所述可旋转盘的直径介于

10~100mm之间,所述可旋转盘的转速介于10000~50000rpm之间,所述可旋转盘的预热温度介于100~500摄氏度之间;以及/或者所述超声波发生器的超声波输出频率介于20kHz~100kHz之间。

5.根据权利要求1所述的微波等离子制粉装置,其特征在于,所述等离子体热源为微波等离子体火焰,所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器与所述微波等离子体火焰的最下端间隔开10~60cm的距离。

6.根据权利要求1所述的微波等离子制粉装置,其特征在于,所述微波发生器包括三个原始粉末接收口,所述三个原始粉末接收口从上至下包括第一原始粉末接收口、第二原始粉末接收口和第三原始粉末接收口,其中,所述第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于53~100微米之间的粉末,所述第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~53微米之间的粉末,所述第三原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之前的粉末;或者所述微波发生器包括两个原始粉末接收口,所述两个原始粉末接收口从上至下包括第一原始粉末接收口和第二原始粉末接收口,其中,所述第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于250~500微米之间的粉末,所述第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于150~250微米之间的粉末。

7.根据权利要求1所述的微波等离子制粉装置,其特征在于,所述微波发生器包括三个原始粉末接收口,所述三个原始粉末接收口从上至下包括第一原始粉末接收口、第二原始粉末接收口和第三原始粉末接收口,其中,所述第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于53~150微米之间的粉末,所述第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~53微米之间的粉末,所述第三原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之前的粉末;或者所述微波发生器包括两个原始粉末接收口,所述两个原始粉末接收口从上至下包括第一原始粉末接收口和第二原始粉末接收口,其中,所述第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~75微米之间的粉末,所述第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之间的粉末。

8.一种制粉方法,其特征在于,所述制粉方法根据权利要求1至7中的任一项所述的微波等离子制粉装置来制备粉末,所述制粉方法包括:根据设定的所述粒径范围,将来自粉末源的原始粉末分成至少两组;

将每组原始粉末经由所述至少两个原始粉末接收口中的对应的一个原始粉末接收口供应至所述微波发生器;

通过所述等离子体热源使所述原始粉末熔融;

所述原始粉末在被熔融之后,经由所述出口部掉落到所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器上;以及通过所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器形成所述成品粉末。

9.根据权利要求8所述的制粉方法,其特征在于,所述方法还包括:在进行制粉之前,对所述离心雾化盘进行预热。

10.根据权利要求9所述的制粉方法,其特征在于,所述方法还包括:在所述原始粉末被供给到所述微波发生器前,通过旋风分离器对所述原始粉末进行分组。

说明书 :

一种微波等离子制粉装置及制粉方法

技术领域

[0001] 本发明实施例涉及等离子制粉技术领域,尤其涉及一种微波等离子制粉装置及制粉方法。

背景技术

[0002] 金属注射成形(Metal Injection Molding,MIM)是传统粉末冶金与塑料注射成形技术相结合而形成的近净成形工艺,可实现中小形状复杂结构件的大批量生产,尤其是针对一些形状复杂且利用机械加工等工艺方法难以加工的高性能小型零件,是一种适用于钛、铁等复杂合金结构件成形的工艺。
[0003] 金属粉末是金属注射成形技术的主要原料,目前国内年粉末需求量很大。根据其工艺特性和实际市场需求,要求原材料粉末粒度控制在0~25微米区间、球形度高、产量高、价格便宜。
[0004] 目前注射成形用粉末的主要制备方法有:氢化脱氢、熔盐电解、金属热还原、雾化法及射频等离子球化等。
[0005] 氢化脱氢法利用金属的氢脆特征将氢化合金机械破碎成非球形粉末,然后进行真空脱氢处理制备出氢化脱氢粉末。
[0006] 熔盐电解法利用金属卤化物的电化学性能提纯纯金属,在电极阴极析出目标纯金属粉末。
[0007] 金属热还原法使用金属钠、钙、铝、镁等作为还原剂还原金属氧化物或卤化物制备纯金属粉末。
[0008] 雾化法主要包括水雾化法、惰性气体雾化法和等离子旋转电极雾化法,分别利用高压水流、高压气流和超高旋转离心力将液柱或液膜破碎形成球形粉末。
[0009] 射频等离子球化法使用非球形粉末作为原料,利用射频等离子体将粉末重熔,重熔粉末利用液滴自身表面张力凝固成球形粉末。
[0010] 相关技术中,氢化脱氢、熔盐电解、金属热还原法制备技术所制备的粉末为非球形粉末,在注射成形使用过程中容易产生大量缺陷,零件性能较差。且熔盐电解法与金属热还原法只能制备纯金属粉末,无法制备合金粉末。射频等离子球化技术产生的等离子体温度分布不均匀、分布梯度大,容易导致粉末在球化过程中存在部分粉末过熔、部分粉末未熔化的情况。同时还存在一次粉末球化率不高,需要多次球化,过熔粉末元素挥发,粉末合金成分变化较大、粉末产量低等缺点。雾化法所制备的粉末0~25微米区间的粉末的收得率较低,成本较高。其中水雾化法所制备的粉末氧等间隙元素含量较高,使用该类型粉末所制备的零件性能较差。
[0011] 关于上述技术方案,至少存在如下一些技术问题:
[0012] 细粒径粉末(0~25微米区间)收得率较低,无法充分利用微波等离子体的熔化效率。
[0013] 因此,有必要改善上述相关技术方案中存在的一个或者多个问题。
[0014] 需要注意的是,本部分旨在为本发明的技术方案提供背景或上下文。此处的描述不因为包括在本部分中就承认是现有技术。

发明内容

[0015] 本发明的目的在于提供一种微波等离子制粉装置及制粉方法,进而至少在一定程度上解决上述的由于相关技术的限制和缺陷而导致的一个或者多个问题。
[0016] 第一方面,本发明提供了一种微波等离子制粉装置,所述微波等离子制粉装置包括微波发生器和设置在所述微波发生器下方且与所述微波发生器间隔开的离心雾化盘和/或一个或更多个超声波发生器,所述微波发生器包括:
[0017] 至少两个原始粉末接收口,所述至少两个原始粉末接收口从上往下依次设置在所述微波发生器的侧壁上,不同的原始粉末接收口被配置成接收不同粒径范围的原始粉末,并且下方的原始粉末接收口所接收的粉末粒径小于上方的原始粉末接收口所接收的粉末粒径;
[0018] 等离子体热源,所述等离子体热源设置在所述微波发生器中,用于将供给到所述微波发生器中的原始粉末熔融;以及
[0019] 出口部,所述出口部设置在所述微波发生器的底部上,
[0020] 其中,供给到所述微波发生器中的原始粉末在被熔融后能够经由所述出口部掉落到所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器上,并且通过所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器形成成品粉末。
[0021] 可选的,所述离心雾化盘为可旋转盘,所述可旋转盘在使用前被预热。
[0022] 可选的,所述微波发生器的等离子体功率能够在25~200kW之间调节。
[0023] 可选的,所述可旋转盘的直径介于10~100mm之间,所述可旋转盘的转速介于10000~50000rpm之间,所述可旋转盘的预热温度介于100~500摄氏度之间;以及/或者[0024] 所述超声波发生器的超声波输出频率介于20kHz~100kHz之间。
[0025] 可选的,所述等离子体热源为微波等离子体火焰,所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器与所述微波等离子体火焰的最下端间隔开10~60cm的距离。
[0026] 可选的,所述微波发生器包括三个原始粉末接收口,所述三个原始粉末接收口从上至下包括第一原始粉末接收口、第二原始粉末接收口和第三原始粉末接收口,其中,所述第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于53~100微米之间的粉末,所述第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~53微米之间的粉末,所述第三原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之前的粉末;或者
[0027] 所述微波发生器包括两个原始粉末接收口,所述两个原始粉末接收口从上至下包括第一原始粉末接收口和第二原始粉末接收口,其中,所述第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于250~500微米之间的粉末,所述第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于150~250微米之间的粉末。
[0028] 可选的,所述微波发生器包括三个原始粉末接收口,所述三个原始粉末接收口从上至下包括第一原始粉末接收口、第二原始粉末接收口和第三原始粉末接收口,其中,所述第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于53~150微米之间的粉末,所述第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~53微米之间的粉末,所述第三原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之前的粉末;或者
[0029] 所述微波发生器包括两个原始粉末接收口,所述两个原始粉末接收口从上至下包括第一原始粉末接收口和第二原始粉末接收口,其中,所述第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~75微米之间的粉末,所述第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之间的粉末。
[0030] 第二方面,本发明还提供了一种制粉方法,制粉方法根据上述任一项所述的微波等离子制粉装置来制备粉末,所述制粉方法包括:
[0031] 根据设定的所述粒径范围,将来自粉末源的原始粉末分成至少两组;
[0032] 将每组原始粉末经由所述至少两个原始粉末接收口中的对应的一个原始粉末接收口供应至所述微波发生器;
[0033] 通过所述等离子体热源使所述原始粉末熔融;
[0034] 所述原始粉末在被熔融之后,经由所述出口部掉落到所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器上;以及
[0035] 通过所述离心雾化盘和/或所述超声波发生器形成所述成品粉末。
[0036] 可选的,所述方法还包括:在进行制粉之前,对所述离心雾化盘进行预热。
[0037] 可选的,所述方法还包括:在所述原始粉末被供给到所述微波发生器前,通过旋风分离器对所述原始粉末进行分组。
[0038] 本发明提供的技术方案可以包括以下有益效果:
[0039] 本发明中,通过按粉末粒度大小不同设置多路送粉机构,提高了微波等离子体的利用率,提高粉末单位时间处理量。在微波等离子体下方加装超声波、旋转盘离心装置,实现粗粒径粉末的二次破碎,提高目标区间(如0~25微米)细粒径粉末收得率。

附图说明

[0040] 此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分,示出了符合本发明的实施例,并与说明书一起用于解释本发明的原理。显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041] 图1示出本发明示例性实施例中微波等离子制粉装置的结构示意图;
[0042] 图2示出本发明示例性实施例中制粉方法的流程示意图。
[0043] 附图标记:100、微波发生器;110、原始粉末接收口;120、等离子体热源;130、出口部;200、离心雾化盘;300、超声波发生器。

具体实施方式

[0044] 现在将参考附图更全面地描述示例实施例。然而,示例实施例能够以多种形式实施,且不应被理解为限于在此阐述的范例;相反,提供这些实施例使得本发明将更加全面和完整,并将示例实施例的构思全面地传达给本领域的技术人员。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
[0045] 此外,附图仅为本发明实施例的示意性图解,并非一定是按比例绘制。图中相同的附图标记表示相同或类似的部分,因而将省略对它们的重复描述。附图中所示的一些方框图是功能实体,不一定必须与物理或逻辑上独立的实体相对应。
[0046] 本发明提供了一种微波等离子制粉装置,参考图1中所示,微波等离子制粉装置包括:微波发生器100和设置在微波发生器100下方且与微波发生器100间隔开的离心雾化盘200和/或一个或更多个超声波发生器300。
[0047] 其中,微波发生器100包括:至少两个原始粉末接收口110、等离子体热源120以及出口部130。
[0048] 具体的,至少两个原始粉末接收口110从上往下依次设置在微波发生器100的侧壁上,不同的原始粉末接收口110被配置成接收不同粒径范围的原始粉末,并且下方的原始粉末接收口110所接收的粉末粒径小于上方的原始粉末接收口110所接收的粉末粒径。等离子体热源120设置在微波发生器100中,用于将供给到微波发生器100中的原始粉末熔融。出口部130设置在微波发生器100的底部上。
[0049] 其中,供给到微波发生器100中的原始粉末在被熔融后能够经由出口部130掉落到离心雾化盘200和/或超声波发生器300上,并且通过离心雾化盘200和/或超声波发生器300形成成品粉末。
[0050] 需要理解的是,通过引入多路送粉机构解决了传统球化制粉设备单路送粉、产量低、粗细粉末熔化情况不统一等问题。多路送粉机构可前置旋风分离器或其他机器将原材料粉末按照粗细不同进行分级,不同粒径粉末送入不同送粉口(即原始粉末接收口110)。同一等离子体热源120作用下,粉末粒径越粗,重熔所需要吸收的热量越多,需要等离子火焰作用时间也越长。细粒径粉末在等离子火焰内所需作用时间短,送往下送粉口,在下送粉口能确保在不过烧的情况下充分熔化、球化。粗粒径粉末送往上送粉口,能够保证粉末受热充分确保熔化。多路送粉另一个明显的优点是能够充分应用微波等离子体弧柱较长且温度均匀的特性,提高单位时间粉末的处理量,且不需要二次球化操作。
[0051] 还需要理解的是,微波等离子体具体可称为长弧柱高均匀性微波等离子体。等离子体热源120也可称为微波等离子体火焰。微波等离子体功率25~200kW可调。多路送粉不限制数量,可以3路,也可以2路或4路。粉末原料可以是氢化脱氢、熔盐电解等技术制备的非球形粉末,也可以是雾化法所制备的粗粒径粉末。
[0052] 还需要理解的是,在微波发生器100下方设置离心雾化盘200或超声波发生器300。粉末在微波等离子体火焰内重熔后受气流及重力作用向下运动。细粒径粉末冷却速度较快,在接触到离心雾化盘200前已经完全凝固,此时离心雾化盘200与超声波发生器300对此类细粒径粉末起分散作用,防止其与粗粒径粉末或液滴粘连。粗粒径粉末冷却速度较慢,在接触到离心雾化盘200前还处于液体状态,此时离心雾化盘200与超声波发生器300作用于液滴,依靠高速旋转的离心力与超声波能量将液滴破碎生成细粒径粉末。
[0053] 通过上述的微波等离子制粉装置,通过按粉末粒度大小不同设置多路送粉机构,提高了微波等离子体的利用率,提高粉末单位时间处理量。在微波等离子体下方加装超声波、旋转盘离心装置,实现粗粒径粉末的二次破碎,提高目标区间(如0~25微米)细粒径粉末收得率。
[0054] 下面,将参考图1本示例实施例中的上述微波等离子制粉装置的各个部分进行更详细的说明。
[0055] 在一些实施例中,参考图1中所示,离心雾化盘200为可旋转盘,可旋转盘在使用前被预热。需要理解的是,对可旋转盘进行预热(预热温度100~500摄氏度),可以确保粉末不在可旋转盘上粘结。
[0056] 在一些实施例中,参考图1中所示,微波发生器100的等离子体功率能够在25~200kW之间调节。需要理解的是,根据工况不同可设置一个或多个微波等离子体的长弧柱,从而生成高均匀性的等离子体热源120。
[0057] 在一些实施例中,参考图1中所示,可旋转盘的直径介于10~100mm之间,可旋转盘的转速介于10000~50000rpm之间,可旋转盘的预热温度介于100~500摄氏度之间;以及/或者,超声波发生器300的超声波输出频率介于20kHz~100kHz之间。需要理解的是,离心雾化盘200和超声波发生器300可共同作用也可单独作用。
[0058] 在一些实施例中,参考图1中所示,等离子体热源120为微波等离子体火焰,离心雾化盘200和/或超声波发生器300与微波等离子体火焰的最下端间隔开10~60cm的距离。需要理解的是,所设置的隔开10~60cm的距离是为使细粒径粉末在接触到离心雾化盘200前能够完全凝固。因此只要达到该目的即可,可根据实际情况进行调节。
[0059] 在一些实施例中,参考图1中所示,微波发生器100包括三个原始粉末接收口110,三个原始粉末接收口110从上至下包括第一原始粉末接收口、第二原始粉末接收口和第三原始粉末接收口,其中,第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于53~100微米之间的粉末,第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~53微米之间的粉末,第三原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之前的粉末。
[0060] 在一些实施例中,微波发生器100包括两个原始粉末接收口110,两个原始粉末接收口110从上至下包括第一原始粉末接收口和第二原始粉末接收口,其中,第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于250~500微米之间的粉末,第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于150~250微米之间的粉末。需要理解的是,原始粉末接收口110可以设置两路,也可以设置三路。只要能够按粉末粒度以大到小分别送至从上至下的原始粉末接收口110即可。
[0061] 在一些实施例中,参考图1中所示,微波发生器100包括三个原始粉末接收口110,三个原始粉末接收口110从上至下包括第一原始粉末接收口、第二原始粉末接收口和第三原始粉末接收口,其中,第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于53~150微米之间的粉末,第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~53微米之间的粉末,第三原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之前的粉末。
[0062] 在一些实施例中,微波发生器100包括两个原始粉末接收口110,两个原始粉末接收口110从上至下包括第一原始粉末接收口和第二原始粉末接收口,其中,第一原始粉末接收口被构造成接收粒径介于25~75微米之间的粉末,第二原始粉末接收口被构造成接收粒径介于0~25微米之间的粉末。需要理解的是,微波发生器100在原始粉末接收口110之前加装旋风分离器或其他粉末分级系统,按粉末粒度大小不同设置多路送粉机构,并分别送至对应的原始粉末接收口110。
[0063] 本发明还提供一种制粉方法,制粉方法采用上述实施例中任一项的微波等离子制粉装置来制备粉末。参考图2中所示,包括以下步骤:
[0064] 步骤S101:根据设定的粒径范围,将来自粉末源的原始粉末分成至少两组。
[0065] 步骤S102:将每组原始粉末经由至少两个原始粉末接收口110中的对应的一个原始粉末接收口110供应至微波发生器100。
[0066] 步骤S103:通过等离子体热源120使原始粉末熔融。
[0067] 步骤S104:原始粉末在被熔融之后,经由出口部130掉落到离心雾化盘200和/或超声波发生器300上。
[0068] 步骤S105:通过离心雾化盘200和/或超声波发生器300形成成品粉末。
[0069] 需要理解的是,等离子球化技术单位时间粉末处理量提高。可以同时处理不同粒径粉末,保证各粒径粉末熔化良好,不出现过熔或未熔化等情况。
[0070] 在一些实施例中,制粉方法还包括:在进行制粉之前,对离心雾化盘200进行预热。需要理解的是,通过对可旋转盘预热(预热温度100~500摄氏度)确保粉末不在离心盘上粘结。
[0071] 在一些实施例中,制粉方法还包括:在原始粉末被供给到微波发生器100前,通过旋风分离器对原始粉末进行分组。需要理解的是,微波发生器100在原始粉末接收口110之前加装旋风分离器或其他粉末分级系统,按粉末粒度大小不同设置多路送粉机构,并分别送至对应的原始粉末接收口110。
[0072] 下面,根据上述的微波等离子制粉装置和上述的制粉方法,提供针对不同材料的原始粉末进行具体的实施例说明:
[0073] 实施例1:
[0074] 1、原材料使用氢化脱氢纯钛粉末,原始粉末D50=75微米,0~25微米粉末占比20%。
[0075] 2、使用三路送粉目标,各粉末区间:0~25微米、25~53微米、53~100微米。
[0076] 3、微波等离子体功率设置45kW。
[0077] 4、可旋转盘距离微波等离子体火焰最下端15cm。
[0078] 5、可旋转盘直径80mm,转速45000rpm,预热温度200摄氏度。超声波输出频率40kHz。
[0079] 6、粉末处理后球形度94%,D50=55微米,0~25微米粉末占比提升至40%。
[0080] 实施例2:
[0081] 1、原材料使用氢化脱氢纯钛粉末,原始粉末D50=100微米,0~25微米粉末占比5%。
[0082] 2、使用三路送粉目标,各粉末区间:0~25微米、25~53微米、53~150微米。
[0083] 3、微波等离子体功率设置75kW。
[0084] 4、可旋转盘距离微波等离子体火焰最下端20cm。
[0085] 5、可旋转盘直径80mm,转速45000rpm,预热温度200摄氏度。超声波输出频率60kHz。
[0086] 6、粉末处理后球形度94%,D50=75微米,0~25微米粉末占比提升至25%。
[0087] 实施例3:
[0088] 1、原材料使用氢化脱氢纯钛粉末,原始粉末D50=45微米,0~25微米粉末占比45%。
[0089] 2、使用两路送粉目标,各粉末区间:0~25微米、25~75微米。
[0090] 3、微波等离子体功率设置30kW。
[0091] 4、可旋转盘距离微波等离子体火焰最下端10cm。
[0092] 5、可旋转盘直径80mm,转速45000rpm,预热温度100摄氏度。超声波输出频率30kHz。
[0093] 6、粉末处理后球形度93%,D50=35微米,0~25微米粉末占比提升至75%。
[0094] 实施例4:
[0095] 1、原材料使用氢化脱氢TC4粉末,原始粉末D50=45微米,0~25微米粉末占比45%。
[0096] 2、使用两路送粉目标,各粉末区间:0~25微米、25~75微米。
[0097] 3、微波等离子体功率设置30kW。
[0098] 4、可旋转盘距离微波等离子体火焰最下端10cm。
[0099] 5、可旋转盘直径80mm,转速45000rpm,预热温度100摄氏度。超声波输出频率30kHz。
[0100] 6、粉末处理后球形度93%,D50=35微米,0~25微米粉末占比提升至75%。
[0101] 7、粉末化学成分合格,波动小于1%。
[0102] 实施例5:
[0103] 1、原材料使用氢化脱氢TC4粉末,原始粉末D50=100微米,0~25微米粉末占比5%。
[0104] 2、使用三路送粉目标,各粉末区间:0~25微米、25~53微米、53~150微米。
[0105] 3、微波等离子体功率设置75kW。
[0106] 4、可旋转盘距离微波等离子体火焰最下端20cm。
[0107] 5、可旋转盘直径80mm,转速45000rpm,预热温度200摄氏度。超声波输出频率60kHz。
[0108] 6、粉末处理后球形度94%,D50=75微米,0~25微米粉末占比提升至25%。
[0109] 7、粉末化学成分合格,元素波动小于1.5%。
[0110] 实施例6:
[0111] 1、原材料使用PREP TC4粗粉,原始粉末D50=200微米,0~25微米粉末占比0%。
[0112] 2、使用两路送粉目标,各粉末区间:150~250微米、250~500微米
[0113] 3、微波等离子体功率设置150kW。
[0114] 4、可旋转盘距离微波等离子体火焰最下端10cm。
[0115] 5、可旋转盘直径100mm,转速50000rpm,预热温度300摄氏度。超声波输出频率80kHz。
[0116] 6、粉末处理后球形度94%,D50=75微米,0~25微米粉末占比提升至20%。
[0117] 7、粉末化学成分合格,元素波动小于1.5%。
[0118] 实施例7:
[0119] 1、原材料使用氢化脱氢TC4粉末,原始粉末D50=100微米,0~25微米粉末占比5%。
[0120] 2、使用三路送粉目标,各粉末区间:0~25微米、25~53微米、53~150微米。
[0121] 3、微波等离子体功率设置75kW。
[0122] 4、可旋转盘距离微波等离子体火焰最下端20cm。
[0123] 5、可旋转盘直径80mm,转速45000rpm,预热温度200摄氏度。
[0124] 6、粉末处理后球形度94%,D50=80微米,0~25微米粉末占比提升至20%。
[0125] 7、粉末化学成分合格,元素波动小于1.5%。
[0126] 实施例8:
[0127] 1、原材料使用氢化脱氢TC4粉末,原始粉末D50=45微米,0~25微米粉末占比45%。
[0128] 2、使用两路送粉目标,各粉末区间:0~25微米、25~75微米。
[0129] 3、微波等离子体功率设置30kW。
[0130] 4、超声波发生器300距离微波等离子体火焰最下端10cm。超声波输出频率30kHz。
[0131] 5、粉末处理后球形度93%,D50=38微米,0~25微米粉末占比提升至65%。
[0132] 6、粉末化学成分合格,波动小于1%。
[0133] 另外,需要理解的是,上述描述中的术语“上”、“下”、“前”、“后”、“底”、“内”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明实施例和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明实施例的限制。
[0134] 此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明实施例的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
[0135] 在本发明实施例中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
[0136] 在本说明书的描述中,参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外,本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例进行接合和组合。
[0137] 本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的发明后,将容易想到本发明的其它实施方案。本发明旨在涵盖本发明的任何变型、用途或者适应性变化,这些变型、用途或者适应性变化遵循本发明的一般性原理并包括本发明未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。