一种Pt配合物及其在有机发光装置的应用

摘要

本发明涉及有机光电材料制备技术领域，具体涉及一种Pt配合物及其在有机发光装置的应用。本发明所提供的Pt配合物具有很低的效率滚降，通过引入三苯基硅大位阻基团，有效降低平面型Pt配合物分子之间的紧密堆积，抑制发光分子间的相互作用引起的发光淬灭效应，有效提升主体材料与客体材料之间的能量传输，进而提高器件效率。使得Pt配合物具有很低的效率滚降。具体表现为使用本发明的Pt配合物作为功能层，尤其作为发光层制作成有机电致发光器件，其电流效率提升，起亮电压降低，同时使得器件的寿命具有较大提升，说明大部分电子和空穴复合后，能量都有效地传递给所述的Pt配合物用于发光，而非发热。

权利要求

1.一种Pt配合物，其特征在于，所述Pt配合物具有下述式I所示结构：

式I中，环A选自苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯环、芴基、N杂芴基、螺芴基；所述R1、R2、R3、R4各自独立地为单取代基到可能最大数目的取代基或无取代基，所述R1选自氢、氘、C1‑C10的烷基、C3‑C10的环烷基；R2、R3各自独立地选自氢、氘、C1‑C10的烷基、C1‑C10的氘代烷基、C3‑C10的环烷基、C6‑C18的芳基；所述R4选自氢、氘、C1‑C10的烷基、C1‑C10的氘代烷基、C3‑C10的环烷基、C6‑C18的芳基、C6‑C18的氮杂芳基、C18‑C30的芳基硅烷。

2.根据权利要求1所述的Pt配合物，其特征在于，式I中的R1选自氢、氘、叔丁基或金刚烷基；R2选自氢、氘、叔丁基、金刚烷基、苯基、联苯基；R3选自氢、氘、叔丁基、苯基、联苯基。

3.根据权利要求1所述的Pt配合物，其特征在于，R4选自氢、氘、甲基、乙基、丙基、丁基、叔丁基、戊基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷基、苯基、联苯基、芴基、N杂芴基、吡啶基。

4.一种Pt配合物，其特征在于，所述Pt配合物选自如下所示化学结构中的任意一种，其中“D”表示氘：

5.根据权利要求1‑4任一项所述的Pt配合物在制备电子器件中的应用。

6.一种有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的至少一个有机功能层；所述有机功能层中包含如权利要求1‑4任一项所述的Pt配合物。

7.一种有机光电器件，其特征在于，所述的有机光电器件包括：基板层、第一电极；面对第一电极的第二电极；以及设置在第一电极和第二电极之间的发光材料层；其中，发光材料层包含有权利要求1‑4任一项所述的Pt配合物。

8.一种组合物，其特征在于，所述组合物包含有如权利要求1‑4任一项所述的Pt配合物。

9.一种制剂，其特征在于，所述制剂包含有如权利要求1‑4任一项所述的Pt配合物和至少一种溶剂。

10.一种显示或照明装置，其特征在于，所述装置包含有权利要求6所述有机电致发光器件中的一种或多种。

说明书

一种Pt配合物及其在有机发光装置的应用

技术领域

[0001] 本发明涉及有机光电材料制备技术领域，具体涉及一种Pt配合物及其在有机发光装置的应用。

背景技术

[0002] 随着多媒体技术的发展及信息化要求的提高，对面板显示器性能的要求越来越高。其中， OLED具有自主发光、低电压直流驱动、全固化、视角宽、颜色丰富等一系列的优点，在新一代显示器和照明技术中的潜在应用而引起广泛注意，应用前景十分广阔。有机电致发光器件是自发的发光器件，OLED发光的机理是在外加电场作用下，电子和空穴分别从正负两极注入后在有机材料中迁移、复合并衰减而产生发光。OLED的典型结构包括阴极层、阳极层、电子注入层、电子传输层、空穴阻挡层、空穴传输层、空穴注入层和发光层中的一种或几种功能层。尽管有机电致发光的研究进展非常迅速，但仍有很多亟待解决的问题，高效长寿命的绿光Pt配合物一直是本领域技术人员亟待解决的问题。

发明内容

[0003] 本发明的目的是针对现有技术不足，提供一种Pt配合物及其在有机发光装置的应用。通过引入三苯基硅大位阻基团，有效降低平面型Pt配合物分子之间的紧密堆积，抑制发光分子间的相互作用引起的发光淬灭效应，有效提升主体材料与客体材料之间的能量传输，降低高能激子在发光层中浓度，从而实现高效长寿命的绿光材料。因此这类Pt配合物在有机发光装置中具有重要应用。

[0004] 为了实现本发明的目的，本发明的技术方案如下：

[0005] 根据一个或多个实施方案，本发明提供一种Pt配合物，所述Pt配合物具有下述式I所示结构：

[0006]

[0007] 式I中，环A选自五元环、五元杂环、六元环或稠环，其中杂原子为氮原子、氧原子或硫原子；

[0008] 所述的R1、R2、R3、R4各自独立地为单取代基到可能最大数目的取代基或无取代基，任何相邻取代基任选地接合或稠合成环；R1、R2、R3、R4各自独立地选自氢（H）、氘(D)、C1‑C24的烷基、C1‑C24的氘代烷基、取代或未取代的C3‑C24的环烷基、取代或未取代的C6‑C30的芳基、C6‑C30的氮杂芳基、C6‑C30的芳基硅烷，及所组成的组；R4可与其所在环A以共有环边形成稠环。

[0009] 在所述化合物的一些实施例中，式I中，所述的R1选自C1‑C10的烷基、C3‑C10的环烷基，R2、R3、R4各自独立地选自氢、氘、C1‑C10的烷基、C1‑C10的氘代烷基、C3‑C10的环烷基、C6‑C18的芳基，及所组成的组。

[0010] R4选自氢、氘、C1‑C10的烷基、C1‑C10的氘代烷基、C3‑C10的环烷基、C6‑C18的芳基、C6‑C18的氮杂芳基、C18‑C30的芳基硅烷，及所组成的组。

[0011] 在所述化合物的一些实施例中，式I中的环A选自呋喃基、噻吩基、苯并呋喃基、苯并噻吩基、苯环、芴基、N杂芴基、螺芴基。

[0012] 在所述化合物的一些实施例中，式I中的R1选自氢、氘、叔丁基或金刚烷胺。

[0013] R2选自氢、氘、叔丁基、金刚烷胺、苯基、联苯基，及其组合。

[0014] R3选自氢、氘、叔丁基、苯基、联苯基，及其组合。

[0015] R4选自氢、氘、甲基、乙基、丙基、丁基、叔丁基、戊基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、金刚烷胺基、苯基、联苯基、芴基、N杂芴基、吡啶基、三芳基硅烷，及组成的组。

[0016] 作为一种优选的，式I中R1‑R4基团中的氢原子可以部分氘代或全部氘代，式I中R1‑R4任意相邻的两个取代基不连接或相互连接形成环结构。

[0017] 根据一个或多个实施方案，所述Pt配合物选自如下所示化学结构中的任意一种，其中“D”表示氘：

[0018]

[0019] 在另一方面，本发明还提供了如上式I所示通式结构的Pt配合物在制备电子器件中的应用。

[0020] 进一步地，所述的电子器件包括有机光伏器件、有机电致发光器件（OLED）、有机集成电路（O‑IC）、有机场效应晶体管（O‑FET）、有机发光晶体管（O‑LET）、有机太阳能电池（O‑SC）、有机光学检测器、有机光感受器、有机场猝熄器件（O‑FQD）、发光电化学电池（LEC）及有机激光二极管（O‑laser）。

[0021] 可选的，如上式I所示通式结构的Pt配合物作为发光层材料用于电子器件。

[0022] 在另一方面，本发明还提供了一种有机电致发光器件，所述有机电致发光器件包括阴极、阳极和介于两者之间的至少一个有机功能层；所述有机功能层中包含如上式I所示通式结构的Pt配合物。

[0023] 进一步地，所述有机功能层包含发光层，发光层中包含有如上式I所示通式结构的Pt配合物。所述Pt配合物的质量百分数在0 .1％‑50％。

[0024] 在另一方面，本发明还提供了一种有机光电器件，基板层、第一电极；面对第一电极的第二电极；以及设置在第一电极和第二电极之间的发光材料层；其中，发光材料层包含有如上式I所示通式结构的Pt配合物。例如，Pt配合物可以作为掺杂剂包含在发光材料层中。

[0025] 本发明还提供了一种组合物，所述组合物包含有如上式I所示通式结构的Pt配合物。

[0026] 本发明还提供了一种制剂，所述制剂包含有如上式I所示通式结构的Pt配合物或如上所述的组合物和至少一种溶剂。所述的溶剂没有特别限制，可以使用本领域技术人员熟知的例如甲苯、二甲苯、均三甲苯、四氢化萘、十氢萘、双环己烷、正丁基苯、仲丁基苯、叔丁基苯等不饱和烃溶剂、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、氯丁烷、溴丁烷、氯戊烷、溴戊烷、氯己烷、溴己烷、氯环己烷、溴环己烷等卤化饱和烃溶剂，氯苯、二氯苯、三氯苯等卤化不饱和烃溶剂，四氢呋喃、四氢吡喃等醚溶剂，苯甲酸烷基酯等酯类溶剂。

[0027] 本发明还提供了一种显示或照明装置，所述装置包含有如上所述有机电致发光器件中的一种或多种。

[0028] 与现有技术相比，本发明的有益效果是：

[0029] 本发明所提供的Pt配合物具有很低的效率滚降，通过引入三苯基硅大位阻基团，有效降低平面型Pt配合物分子之间的紧密堆积，抑制发光分子间的相互作用引起的发光淬灭效应，有效提升主体材料与客体材料之间的能量传输，进而提高器件效率。使得Pt配合物具有很低的效率滚降。具体表现为使用本发明的Pt配合物作为功能层，尤其作为发光层制作成有机电致发光器件，其电流效率提升，起亮电压降低，同时使得器件的寿命具有较大提升，说明大部分电子和空穴复合后，能量都有效地传递给所述的Pt配合物用于发光，而非发热。

具体实施方式

[0030] 以下对本发明的内容进行详细说明。以下所记载的构成要件的说明有时是基于本发明的代表性实施方式或具体例而成，但本发明并不限定于此种实施方式或具体例。通过参考以下具体实施方式和其中包含的实施例，可以更容易地理解本公开。在公开和描述本发明的化合物、器件和/或方法之前，应当明白，除非另有说明，否则他们不限于具体的合成方法或者具体的试剂，因为这是可以变化的。也应当明白本发明中使用的术语仅是用于描述特定方面，并不旨在限制。尽管本发明描述的那些类似或者等价的任何方法和材料都可用于该实践或者试验，但现在描述了示例方法和材料。

[0031] 本发明所述“C1‑C24的烷基”是指有1‑24个碳原子的单价烷基，优选有1‑10个碳原子， 更优选1‑6个碳原子。该术语的实例有：甲基，乙基，正丙基，异丙 基，正丁基，异丁基，正己基等。

[0032] 本发明所述“C3‑C24的环烷基”指有3‑14个碳原子并有一个单环或多环稠合的环形烷基，它可以任意被1‑3个烷基取代。这种环烷基包括，例如，单环结 构的如环丙基，环丁基，环戊基，环辛基，1‑甲基环丙基，和2‑甲基环戊基，2‑甲基环辛基等，或多环结构的如金刚烷基等。

[0033] 本发明所述“C6‑C30的芳基”指有6‑30个碳原子并具有单环(如苯基)或多环稠合(如萘基或蒽基)的未饱和芳香碳环。优选的芳基包括苯基，萘基等。除非对个别取代基另外定义，这种芳基可以任选被1‑3个下列取代基取代：羟基，酰基，酰氧基，烷基，烷氧基，链烯基，炔基，氨 基，氨基酰基，芳基，芳氧基，羧基，羧基酯，氨基羧基酯，氰基， 卤素，硝基，杂芳基，杂环，硫代烷氧基，三卤代甲基等。优选的取代基包括烷基，烷氧基，卤素，氰基，硝基，三卤代甲基和硫代烷氧基。但不限于此。

[0034] 本发明所述“杂环”是指环中的一个或多个碳被杂原子替代得到的基团的总称，所述杂原子包括但不限于氧、硫或氮原子，所述杂环可以为单环杂烃基、单环杂芳基、稠环杂烃基或稠环杂芳基，实例可包括吡啶基、吡咯基、吡啶基、噻吩基、呋喃基、吲哚基、喹啉基、异喹啉基、苯并噻吩基、苯并呋喃基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、咔唑基等，但不限于此。

[0035] 在说明书和所附权利要求中所用的术语单数形式“一种”、“一个”和“所述”包含复数指代，否则上下文中会另有明确指出。因此，例如提及“组分”时包含两种或多种组分的混合物。

[0036] 除非另有说明，以下试验中所涉及到的所有商业试剂购买后直接使用。

[0037] 在本发明的一种优选实施方式中，本发明的OLED器件中含有空穴传输层，空穴传输材料可以优选自已知或未知的材料，特别优选地选自以下结构，但并不代表本发明限于以下结构 （Ph为苯基）：

[0038]

[0039] 在本发明的一种优选实施方式中，本发明的OLED器件中含有的空穴注入层。本发明优选的空穴注入层材料为以下结构，但并不代表本发明限于以下结构：

[0040]

[0041] 本发明的一种优选实施方式中，所述的电子传输层可以选自以下化合物的至少一种，但并不代表本发明限于以下结构：

[0042]

[0043] 本发明的OLED器件中含有主体材料，主体材料可以选自已知或未知的材料，特别优选地选自以下结构，但并不代表本发明限于以下结构：

[0044]

[0045] 结合以下实施例详细地解释所述Pt配合物即客体化合物的制备方法以及器件的发光性能。

[0046] 实施例1:化合物1的合成

[0047]

[0048] 化合物1‑3的合成：化合物1‑1（290 mg, 1 mmoL）和化合物1‑2（178 mg，1 mmoL）溶于50 mL甲苯溶液中。在氮气气氛条件下，加入10 mL 碳酸钠水溶液（2 M）和四（三苯基膦）钯（57 mg，0.05 mmoL）。该反应体系回流48小时后，冷却到室温。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：1，得到产物1‑3（150 mg，收率43%）。质谱m/z，理论值345.11；实测值M+H：346.14。

[0049] 化合物1‑5的合成：化合物1‑3（345 mg, 1 mmoL）和化合物1‑4（205 mg，1 mmoL）溶于50 mL无水甲苯溶液中。在氮气氛条件下，加入叔丁醇钠（192 mg，2 mmoL），醋酸钯（12 mg，0.05 mmoL），三叔丁基膦四氟硼酸盐（145 mg，0.5 mmoL）。该反应体系回流72小时后，冷却到室温。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：1，得到产物1‑5（212 mg，收率45%）。质谱m/z，理论值470.37；实测值M+H：471.39。

[0050] 化合物1‑7的合成：化合物1‑5（470 mg, 1 mmoL）和化合物1‑6（283 mg，1 mmoL）溶于50 mL无水甲苯溶液中。在氮气氛条件下，加入叔丁醇钠（192 mg，2 mmoL），醋酸钯（12 mg，0.05 mmoL），三叔丁基膦四氟硼酸盐（145 mg，0.5 mmoL）。该反应体系回流72小时后，冷却到室温。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=2：1，得到产物1‑7（230 mg，收率37%）。质谱m/z，理论值625.30；实测值M+H：626.32。

[0051] 化合物1‑8的合成：在‑78℃条件下， BuLi（0.5 mL，1 mmoL，2M in hexane）缓慢加入到化合物1‑7（625 mg，1 mmoL）的四氢呋喃（50 mL）溶液中。反应3小时后，缓慢加入三甲基氯化锡（1 mL，1 mmoL，1 M in Hexane）。缓慢升到室温后，反应过夜，然后升温到80℃反应6小时。冷却到室温后，加入冰水1 mL。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品直接用于下一步反应。

[0052] 化合物1‑10的合成：化合物1‑8（711 mg, 1 mmoL）和化合物1‑9（282 mg，1 mmoL）溶于50 mL甲苯溶液中。在氮气气氛条件下，加入四（三苯基膦）钯（57 mg，0.05 mmoL）。该反应体系回流48小时后，冷却到室温。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：1，得到产物1‑10（450 mg，收率64%）。质谱m/z，理论值701.33；实测值M+H：702.35。

[0053] 化合物1‑11的合成：在‑78℃条件下， BuLi（0.5 mL，1 mmoL，2M in hexane）缓慢加入到化合物1‑10（701 mg，1 mmoL）的四氢呋喃（50 mL）溶液中。反应3小时后，缓慢加入三苯基氯硅烷（294 mg，1 mmoL）。缓慢升到室温后，反应过夜，然后升温到80℃反应6小时。冷却到室温后，加入冰水1 mL。通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：2，得到产物1‑11（467 mg，收率53%）。质谱m/z，理论值881.51；实测值M+H：882.53。

[0054] 化合物1的合成：化合物1‑11（882 mg, 1 mmoL）和化合物二氯双(苯腈)铂(II)（472 mg，1 mmoL）溶于50 mL苯腈溶液中。在氮气气氛条件下，升温到180℃反应48小时。冷却到室温后，通过旋转蒸发除去溶剂，残留物用二氯甲烷（3×100 mL）萃取。有机相经过水洗后用硫酸钠干燥。减压蒸馏除去溶剂，所得粗品用硅胶层析柱分离提纯，淋洗剂：二氯甲烷：石油醚=1：2，得到产物1（230 mg，收率21%）。质谱m/z，理论值1074.46；实测值M+H：1075.48。

[0055] 实施例2：化合物6的合成

[0056]

[0057] 参考化合物1的合成路线，合成化合物6。终产物的产率为26％。质谱m/z ,理论值1286.62；实测值M+H：1287.64。

[0058] 实施例3：化合物9的合成

[0059]

[0060] 参考化合物1的合成路线，合成化合物9。终产物的产率为23％。质谱m/z ,理论值1246.49；实测值M+H：1247.51。

[0061] 实施例4：化合物12的合成

[0062]

[0063] 参考化合物1的合成路线，合成化合物12。终产物的产率为22％。质谱m/z ，理论值1202.43；实测值M+H：1203.45。

[0064] 实施例5：化合物15的合成

[0065]

[0066] 参考化合物1的合成路线，合成化合物15。终产物的产率为27％。质谱m/z  ,理论值1104.41；实测值M+H：1105.43。

[0067] 实施例6：化合物21的合成

[0068]

[0069] 参考化合物1的合成路线，合成化合物21。终产物的产率为24％。质谱m/z  ,理论值1194.46；实测值M+H：1195.48。

[0070] 实施例7：化合物22的合成

[0071]

[0072] 参考化合物1的合成路线，合成化合物22。终产物的产率为21％。质谱m/z  ,理论值1236.51；实测值M+H：1237.53。

[0073] 实施例8：化合物24的合成

[0074]

[0075] 参考化合物1的合成路线，合成化合物24。终产物的产率为31％。质谱m/z  ,理论值1210.49；实测值M+H：1211.52。

[0076] 实施例9：化合物36的合成

[0077]

[0078] 参考化合物1的合成路线，合成化合物36。终产物的产率为27％。质谱m/z  ,理论值1239.43；实测值M+H：1240.45。

[0079] 实施例10：化合物44的合成

[0080]

[0081] 参考化合物1的合成路线，合成化合物44。终产物的产率为25％。质谱m/z  ,理论值1206.55；实测值M+H：1207.57。

[0082] 实施例11：化合物45的合成

[0083]

[0084] 参考化合物1的合成路线，合成化合物45。终产物的产率为24％。质谱m/z  ,理论值1246.49；实测值M+H：1247.52。

[0085] 实施例12：化合物48的合成

[0086]

[0087] 参考化合物1的合成路线，合成化合物48。终产物的产率为26％。质谱m/z  ,理论值1202.43；实测值M+H：1203.45。

[0088] 实施例13：化合物53的合成

[0089]

[0090] 参考化合物1的合成路线，合成化合物53。终产物的产率为29％。质谱m/z  ,理论值1210.49；实测值M+H：1211.52。

[0091] 实施例14：化合物61的合成

[0092]

[0093] 参考化合物1的合成路线，合成化合物61。终产物的产率为23％。质谱m/z  ,理论值1166.43；实测值M+H：1167.45。

[0094] 实施例15：化合物65的合成

[0095]

[0096] 参考化合物1的合成路线，合成化合物65。终产物的产率为22％。质谱m/z  ,理论值1200.41；实测值M+H：1201.43。

[0097] 实施例16：化合物74的合成

[0098]

[0099] 参考化合物1的合成路线，合成化合物74。终产物的产率为26％。质谱m/z  ,理论值1230.46；实测值M+H：1231.48。

[0100] 实施例17：化合物78的合成

[0101]

[0102] 参考化合物1的合成路线，合成化合物78。终产物的产率为35％。质谱m/z  ,理论值1230.46；实测值M+H：1231.48。

[0103] 实施例18：化合物79的合成

[0104]

[0105] 参考化合物1的合成路线，合成化合物79。终产物的产率为32％。质谱m/z  ,理论值1256.48；实测值M+H：1257.51。

[0106] 实施例19：化合物81的合成

[0107]

[0108] 参考化合物1的合成路线，合成化合物81。终产物的产率为25％。质谱m/z  ,理论值1160.48；实测值M+H：1161.51。

[0109] 实施例20：化合物84的合成

[0110]

[0111] 参考化合物1的合成路线，合成化合物84。终产物的产率为21％。质谱m/z  ,理论值1160.48；实测值M+H：1161.50。

[0112] 实施例21：化合物85的合成

[0113]

[0114] 参考化合物1的合成路线，合成化合物85。终产物的产率为30％。质谱m/z  ,理论值1226.43；实测值M+H：1227.45。

[0115] 实施例22：化合物89的合成

[0116]

[0117] 参考化合物1的合成路线，合成化合物89。终产物的产率为31％。质谱m/z  ,理论值1210.45；实测值M+H：1211.47。

[0118] 实施例23：化合物92的合成

[0119]

[0120] 参考化合物1的合成路线，合成化合物92。终产物的产率为27％。质谱m/z  ,理论值1206.37；实测值M+H：1207.39。

[0121] 实施例24：化合物96的合成

[0122]

[0123] 参考化合物1的合成路线，合成化合物96。终产物的产率为23％。质谱m/z  ,理论值1190.39；实测值M+H：1191.41。

[0124] 实施例25：化合物97的合成

[0125]

[0126] 参考化合物1的合成路线，合成化合物97。终产物的产率为28％。质谱m/z  ,理论值1188.50；实测值M+H：1189.52。

[0127] 实施例26：化合物99的合成

[0128]

[0129] 参考化合物1的合成路线，合成化合物99。终产物的产率为23％。质谱m/z  ,理论值1246.49；实测值M+H：1247.51。

[0130] 实施例27：化合物105的合成

[0131]

[0132] 参考化合物1的合成路线，合成化合物105。终产物的产率为22％。质谱m/z  ,理论值1208.46；实测值M+H：1209.48。

[0133] 实施例28：化合物110的合成

[0134]

[0135] 参考化合物1的合成路线，合成化合物110。终产物的产率为28％。质谱m/z  ,理论值1218.40；实测值M+H：1219.42。

[0136] 实施例29：化合物114的合成

[0137]

[0138] 参考化合物1的合成路线，合成化合物114。终产物的产率为24％。质谱m/z  ,理论值1211.49；实测值M+H：1212.51。

[0139] 实施例30：化合物118的合成

[0140]

[0141] 参考化合物1的合成路线，合成化合物118。终产物的产率为24％。质谱m/z  ,理论值1257.47；实测值M+H：1258.49。

[0142] 实施例31：化合物133的合成

[0143]

[0144] 参考化合物1的合成路线，合成化合物133。终产物的产率为29％。质谱m/z  ,理论值1122.44；实测值M+H：1123.46。

[0145] 实施例32：化合物137的合成

[0146]

[0147] 参考化合物1的合成路线，合成化合物137。终产物的产率为26％。质谱m/z  ,理论值1208.47；实测值M+H：1209.49。

[0148] OLED器件的制造：

[0149] 作为一种器件实施例的参考制备方式，本发明在发光面积2 mm×2 mm大小的ITO玻璃的表面或阳极上蒸镀p掺杂材料或者将此p掺杂材料以1％～50％浓度与空穴传输材料共蒸形成5‑100 nm的空穴注入层(HIL)，在空穴注入层形成5‑200 nm的空穴传输层(HTL)，接着在空穴传输层上用主体材料与本发明制备的Pt配合物（客体材料）以体积比97:3共蒸形成10‑100nm的发光层(EML)，最后共蒸形成35 nm的电子传输层(ETL)，然后蒸镀阴极Al 70 nm，从而制造有机电致发光二极管。

[0150] 在一种优选具体实施例中，本发明所提供的底发射OLED器件的结构为：含有ITO的玻璃为阳极，依次蒸镀HIL为HT‑1:P‑3(95:5, v/v％)，厚度为10纳米；HTL为HT‑1，厚度为90纳米；EBL为HT‑8，厚度为10纳米，EML为主体材料（H‑9）: 本发明所提供的化合物1 (97:3, v/v％)，厚度为35纳米，ETL为ET‑3：LiQ(50:50, v/v％)，厚度为35纳米，然后蒸镀阴极Al为70纳米，制备有机电致发光二极管，记为应用例1。

[0151] 参照应用例1所提供的方法，分别选用制备的化合物6、化合物9、化合物12、化合物15、化合物21、化合物22、化合物24、化合物36、化合物44、化合物45、化合物48、化合物53、化合物61、化合物65、化合物74、化合物78、化合物79、化合物81、化合物84、化合物85、化合物
89、化合物92、化合物96、化合物97、化合物99、化合物105、化合物110、化合物114、化合物
118、化合物133、化合物137为实施对象替代化合物1，将其与主体材料化合物以3:97的体积比共蒸形成发光层，制备有机电致发光二极管，记为应用例2 应用例32。
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[0152] 对比例1的制造

[0153] 参照上述应用例1所提供的方法制备对比例1，区别仅在于对比例1中采用Pt‑1作为发光层的客体材料替代本发明的Pt配合物。对比例中化合物Pt‑1的化学结构如下：

[0154]

[0155] 通过标准方法测试上述制备的器件实施例和对比例电流效率、电压和寿命等特性，器件发光特性数据显示在表1中。

[0156] 表1.器件发光特性数据表

[0157]

[0158] 由表1可以看出，与对比例1相比，应用例1至应用例32在电流效率和寿命上均展示了良好的器件性能，各器件应用例性能上的提升是基于本发明的Pt配合物材料具有更好的抑制发光分子间相互作用的能力，进一步地，将其作为发光层主体材料制备成电子器件，在降低驱动电压的同时具有更高的电流效率和寿命。表明本发明提供的Pt配合物具有一定的商业应用价值。

[0159] 以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本发明的保护范围之内。