有机电致发光显示器件及其制作方法转让专利
申请号 : CN200410100984.7
文献号 : CN1638545B
文献日 : 2010-04-14
发明人 : 裵晟埈 , 金珍郁
申请人 : 乐金显示有限公司
摘要 :
一种有机电致发光显示器件包括基板，它包括像素区和像素区边界上的非像素区；位于基板上像素区中的第一电极；位于第一电极上面的间隔物，间隔物位于非像素区内，间隔物包括具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第一部分与第一电极的边沿重叠，而第二部分在非像素区内；在间隔物上面被间隔物包围的像素区中的有机电致发光层；以及在有机电致发光层和间隔物的整个表面上的第二电极。
权利要求 :
1.一种有机电致发光显示器件的制作方法，包括：
在基板的像素区内形成第一电极，基板的像素区边界上包括非像素区；
在所述第一电极上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；
模压所述树脂溶剂层，模具具有交替的凹槽部和突出部，所述凹槽部和突出部的高度相同，所述凹槽部和突出部面对所述树脂溶剂层，所述凹槽部靠近所述树脂溶剂层的第一宽度要大于所述凹槽部远离树脂溶剂层的第二宽度；
通过加热使所述树脂溶剂层固化；
从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在所述基板的非像素区内形成一个间隔物，所述间隔物具有第一宽度的第一部分和第二宽度的第二部分，所述第一部分与第一电极的边沿重叠，而所述第二部分在非像素区内；
在所述第一电极上被间隔物包围的像素区内形成有机电致发光层；以及在所述有机电致发光层和间隔物上形成第二电极。
2.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述树脂溶剂层是将所述基板浸入树脂溶剂或是在所述基板上滴落树脂溶剂而形成的。
3.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述模具被轻压在所述树脂溶剂层上，避免接触到树脂溶剂层的底部。
4.按照权利要求1的方法，其特征在于，按照高于所述树脂溶剂的沸点和转化温度的一个温度执行加热。
5.按照权利要求1的方法，其特征在于，所述模具是通过模压一种弹性材料形成的。
6.按照权利要求1的方法，其特征在于，还包括在所述基板和连接到薄膜晶体管的第一电极之间形成具有薄膜晶体管的阵列元件层。
7.一种有机电致发光显示器件的制作方法，包括：
在基板的像素区内形成第一电极，基板的像素区边界上包括非像素区；
在所述第一电极上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；
模压所述树脂溶剂层，模具具有交替的凹槽部和突出部，所述凹槽部和突出部的高度相同，所述凹槽部和突出部面对所述树脂溶剂层，所述凹槽部和突出部各自具有正方形形状；
通过按两种不同温度顺序加热使所述树脂溶剂层固化，第一温度小于或等于所述树脂溶剂的沸点，而第二温度高于所述第一温度；
从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在所述基板的非像素区内形成间隔物，所述间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，所述第一部分与所述第一电极的边沿重叠，而所述第二部分在非像素区内；
在被所述间隔物包围的像素区内形成有机电致发光层；以及在所述有机电致发光层和间隔物上形成第二电极。
8.按照权利要求7的方法，其特征在于，所述第一宽度和第二宽度之间的侧间隙处在2到10微米，而所述间隔物第一部分的厚度小于300毫微米。
9.按照权利要求7的方法，其特征在于，所述树脂溶剂层是将所述基板浸入树脂溶剂或是在所述基板上滴落树脂溶剂而形成的。
10.按照权利要求7的方法，其特征在于，所述模具被轻压在所述树脂溶剂层上，避免接触到所述树脂溶剂层的底部。
11.按照权利要求7的方法，其特征在于，所述模具是通过模压弹性材料形成的。
12.按照权利要求7的方法，其特征在于，还包括在所述基板和连接到薄膜晶体管的所述第一电极之间形成具有薄膜晶体管的阵列元件层。
13.一种有机电致发光器件的制作方法，包括：
在包括像素区和处在像素区边界上的非像素区的第一基板的整个表面上形成第一电极；
在所述第一电极的整个表面上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；
在预定压力下模压所述树脂溶剂层，模具包括交替的凹槽部和突出部，所述凹槽部和突出部的高度相同，所述模具的凹槽部和突出部面对所述树脂溶剂层，所述凹槽部的宽度朝基板逐渐缩小，而所述突出部的宽度朝基板逐渐增大；
通过加热使所述树脂溶剂层固化；
从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在基板的非像素区内形成一个间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第一部分比第二部分更靠近基板，第二部分的截面从它的两侧到它的中部逐渐缩小；并且在第一电极上形成有机电致发光层和第二电极，有机电致发光层和第二电极被间隔物划分成对应着像素区的区域。
14.按照权利要求13的方法，其特征在于，所述树脂溶剂层是将所述基板浸入树脂溶剂或是在所述基板上滴落树脂溶剂而形成的。
15.按照权利要求13的方法，其特征在于，所述模具被轻压在所述树脂溶剂层上，避免接触到所述树脂溶剂层的底部。
16.按照权利要求13的方法，其特征在于，按照高于所述树脂溶剂的沸点和转化温度的一个温度执行加热。
17.按照权利要求13的方法，其特征在于，所述模具是通过模压弹性材料形成的。
18.按照权利要求13的方法，其特征在于，预定压力处在1N/cm2到100N/cm2之间。
19.一种有机电致发光显示器件，包括：
基板，其包括像素区和像素区边界上的非像素区；
所述基板上像素区内的第一电极；
所述第一电极上面的间隔物，所述间隔物位于所述非像素区内，所述间隔物包括具有第一宽度的第一部分和具有小于所述第一宽度的第二宽度的第二部分，所述第一部分与所述第一电极的边沿重叠，而所述第二部分在非像素区内，其中所述第一宽度和第二宽度之间具有一侧间隙；
在所述间隔物上面被间隔物包围的像素区内的有机电致发光层；以及在所述有机电致发光层和间隔物的整个表面上的第二电极。
20.按照权利要求19的器件，其特征在于，所述第一宽度和第二宽度之间的侧间隙处在2微米到10微米之间。
21.按照权利要求19的器件，其特征在于，所述间隔物第一部分的厚度小于300毫微米。
22.按照权利要求19的器件，其特征在于，所述第二部分的侧面垂直于基板表面。
23.一种有机电致发光显示器件，包括：
第一基板，其包括像素区和像素区边界上的非像素区；
所述第一基板整个表面上的第一电极；
所述第一电极上面在像素区内的间隔物，所述间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于所述第一宽度的第二宽度的第二部分，所述第二部分的截面从其两端朝其中间部分逐渐缩小；
所述间隔物上面的有机电致发光层，所述有机电致发光层处在所述像素区内；以及所述有机电致发光层上的第二电极，所述第二电极对应着所述有机电致发光层。
24.按照权利要求23的器件，其特征在于，所述第二部分顶侧与所述第一部分底侧的侧间隙为2微米。
25.按照权利要求23的器件，其特征在于，所述有机电致发光层和第二电极构成有机电致发光二极管。
26.按照权利要求25的器件，其特征在于，在面对所述第一基板并与其分开的第二基板上包括阵列元件层，其包括开关薄膜晶体管和连接到所述开关薄膜晶体管的驱动薄膜晶体管，以及在所述阵列元件层和所述有机电致发光二极管之间连接阵列元件层和有机电致发光二极管的连接电极。
27.按照权利要求26的器件，其特征在于，所述阵列元件层还包括栅线、与所述栅线交叉的数据线以及所述数据线和栅线中的一个相交叉的电源线，所述栅线和数据线连接到开关薄膜晶体管，而所述电源线连接到驱动薄膜晶体管。
28.按照权利要求23的器件，其特征在于，所述第一电极被作为阳极。
29.按照权利要求28的器件，其特征在于，所述第一电极包括氧化铟锡。
30.按照权利要求28的器件，其特征在于，所述有机电致发光层包括所述第一电极上的空穴输送层。
31.按照权利要求23的器件，其特征在于，所述第二电极被作为阴极。
32.按照权利要求31的器件，其特征在于，所述第二电极包括钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)之一。
33.按照权利要求31的器件，其特征在于，所述有机电致发光层包括所述第二电极上的电子输送层。
说明书 :
技术领域
本发明涉及到显示器件，具体涉及到一种有机电致发光显示器件及其制作方法。
背景技术
有机电致发光显示(OELD)器件的发光机理都是从阴极向发光层注入电子，并从阳极注入空穴，电子和空穴复合产生激子，并使激子从激发态跃迁到基态。与液晶显示(LCD)器件不同，由于OELD器件是通过激子的状态跃迁来发光的，因此不需要额外的光源。因此，与液晶显示(LCD)器件相比，OELD器件尺寸小而且重量轻。OELD器件还具有低功耗，高亮度和响应时间快等其它理想特性。由于这些优异的特性，OELD器件有望作为各种新一代消费类电子产品的候选器件，例如有蜂窝电话，汽车导航系统(CNS)，个人数字助理(PDA)，摄录像机和掌上电脑。另外，OELD器件的制作工艺比LCD器件简单并且制作工序较少，使得OELD器件比LCD器件成本大大降低。OELD器件分为两种类型：无源矩阵型和有源矩阵型。
图1是按照现有技术的一种有机电致发光器件的截面图。参照图1，OELD器件10包括彼此面对并且彼此分离的第一基板12和第二基板28。在第一基板12的内表面上形成包括薄膜晶体管(TFT)T的阵列元件层14。在阵列元件层14上面依次形成第一电极46、有机电致发光(EL)层50和第二电极52。有机EL层50能够分别为各个像素区P显示红、绿、蓝色。
第一基板12和第二基板28用密封剂26粘接在一起。将第一基板12与第二基板28粘接在一起完成OELD器件10的封装。在第二基板28上设置有湿气吸收干燥剂22。用湿气吸收干燥剂22消除可能渗入到封装后的有机EL层50的湿气和氧。具体地说，要蚀刻第二基板28的一个部位，并在蚀刻部位设置湿气吸收干燥剂22并且用保持元件25固定。尽管图中没有表示，但是可以用一个间隔物将有机EL层划分成多个像素区。
图2是按照现有技术的有机电致发光器件中间隔物的平面图。参见图2，在像素区P中形成第一电极46和有机EL层50(参见图1)。在第一基板12的整个表面上形成第二电极52(参见图1)。例如，如果用第一电极46作为阳极，通过真空装置例如是溅射室沉积具有高功函的导电材料例如是氧化铟锡(ITO)并且构图形成第一电极。另外，如果有机EL层50是用聚合物材料制成的，就采用印刷工艺例如喷墨印刷来形成。另一方面，如果有机EL层50是用单体材料制成的，就采用沉积工艺形成。
在采用聚合物有机EL材料的独立发光型OELD器件中，需要用间隔物SP将有机EL层50划分成许多像素区P。间隔物SP能防止有机EL层50的不同色之间发生混淆。尽管图中没有表示，缓冲层48和间隔物SP对应着栅极、数据线和电源线的部位。
有机EL层50包括在像素区P的边界上形成间隔物SP并在间隔物SP上形成缓冲层48之后在像素区P内按重复顺序形成的红、绿、蓝EL层(未表示)。缓冲层48位于包括与第一电极46的边沿重叠的一部分的像素区P的边界上，防止第一电极46和第二电极52(参见图1)之间在间隔物SP的角上发生电路接触。因而，缓冲层48要大于间隔物SP。
图3是按照现有技术用于一个像素区的有机电致发光器件的一个阵列基板的平面图。OELD器件10的阵列元件层14(参见图1)包括一个开关薄膜晶体管TS，一个驱动薄膜晶体管TD和一个存储电容CST。第一电极是用透明绝缘材料例如是玻璃和塑料制成的。在第一基板12上形成彼此交叉的栅线GL和数据线DL。栅线GL和数据线DL限定一个像素区。在栅线GL和数据线DL之间有一个绝缘层(未表示)。电源线PL与栅线GL交叉并与数据线DL平行且分离。
开关薄膜晶体管TS包括开关栅极26、开关有源层16、开关源极34和开关漏极36。同样，驱动薄膜晶体管TD包括驱动栅极28、驱动有源层18、驱动源极38和驱动漏极40。开关栅极26被连接到栅线GL，而开关源极34被连接到数据线DL。开关漏极36通过暴露出一部分驱动栅极28的第一接触孔69连接到驱动栅极28。驱动源极38通过暴露出一部分电源线PL的第二接触孔57连接到电源线PL。此外，第一电极46通过第三接触孔59连接到驱动漏极40。电源线PL与第一电容电极20重叠，和二者之间的中间层共同构成存储电容CST。
尽管图中没有表示，在对应着数据线DL和电源线PL的部位形成的间隔物SP(参见图2)可以将发射特定光的有机EL层划分成多个像素区。进而在第一电极46和间隔物SP之间形成缓冲层48(参见图2)，并且位于包括第一电极46的重叠边沿部位的像素区P的边界上的非像素区内。
图4A，4B和5分别是沿着图3中IVA-IVA，IVB-IVB和V-V线的截面图。参见图4A，4B和5，开关薄膜晶体管Ts和驱动薄膜晶体管TD分别被形成在一个像素区P内包括开关区S和驱动区D的第一基板12上。开关薄膜晶体管Ts包括开关有源层16，开关栅极26，开关源极34和开关漏极36。同样，驱动薄膜晶体管TD包括驱动有源层18，驱动栅极28，驱动源极38和驱动漏极40。
具体来说，尽管图中没有表示，开关栅极26被连接到栅线GL，而开关源极34被连接到数据线DL。开关漏极36被连接到驱动栅极28。驱动源极38被连接到电源线PL，而驱动漏极40被连接到像素区P内的第一电极46。如图5所示，缓冲层48被形成在对应着数据线DL和电源线PL的像素区P的边界上的第一电极46上。缓冲层48与第一电极的边沿重叠。间隔物SP被形成在像素区P边界内的缓冲层48上。有机EL层50被形成在第一电极46上被间隔物SP包围的像素区P内。第二电极52被形成在有机EL层50和间隔物SP的整个表面上。然而，为OELD器件形成缓冲层48和间隔物SP至少需要用两个掩模步骤。
图6A到6E是按照现有技术的有机电致发光器件中有机电致发光二极管基板制作方法的截面图。参见图6A，第一电极46被形成在包括像素区P的第一基板12上。第一电极46位于像素区P内。在第一电极46和第一基板12的整个表面上通过沉积无机材料例如氮化硅(SiNx)形成无机材料层47。在无机材料层47上涂覆光刻胶形成光刻胶层80。
参见图6B，对包括第一电极46的一部分重叠边沿的像素区P的边界上的无机材料层47上的光刻胶层80构图形成光刻胶图形82。参见图6C，蚀刻掉没有被光刻胶图形82(参见图6B)覆盖的一部分无机材料层47(参见图6B)形成缓冲层48。然后用第一掩模步骤形成缓冲层48，该步骤包括曝光、显影和蚀刻。在缓冲层48和第一电极46的整个表面上涂覆有机绝缘材料形成有机层90。
参见图6D通过类似于第一掩模步骤的第二掩模步骤利用构图有机材料层90(参见图6C)形成一个间隔物SP。间隔物SP位于像素区P的边界内，但是缓冲层48要与相邻像素区P的边沿重叠，以防止第一电极46和此后要形成的第二电极彼此间发生电路接触。尽管图中没有表示，缓冲层48的宽度要大于间隔物SP的宽度。若是通过涂覆聚合物材料来形成有机EL层，间隔物SP的高度应该大于1微米。这样，靠近间隔物SP的一部分有机EL层就会变厚。因此，间隔物SP朝第一电极46的方向应该与缓冲层48具有预定的侧间隙K。
参见图6E，在第一电极46上被间隔物SP包围的像素区P内形成一个有机EL层50。在有机EL层50和间隔物SP的整个表面上形成第二电极52。作为阴极的第二电极52包括具有低功函的金属材料，例如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)。另外，若是通过涂覆形成有机EL层50，不需要用掩模步骤来形成有机EL层50。
为了形成缓冲层48和间隔物SP至少需要两轮掩模工序。因此，整个制作工序需要若干掩模工序。缺陷比例会随着掩模工序的数量上升。另外，由于加工延长会导致生产成品率下降而生产成本上升，由此会影响EL器件的产品竞争力。
图1是按照现有技术的一种有机电致发光器件的截面图。参照图1，OELD器件10包括彼此面对并且彼此分离的第一基板12和第二基板28。在第一基板12的内表面上形成包括薄膜晶体管(TFT)T的阵列元件层14。在阵列元件层14上面依次形成第一电极46、有机电致发光(EL)层50和第二电极52。有机EL层50能够分别为各个像素区P显示红、绿、蓝色。
第一基板12和第二基板28用密封剂26粘接在一起。将第一基板12与第二基板28粘接在一起完成OELD器件10的封装。在第二基板28上设置有湿气吸收干燥剂22。用湿气吸收干燥剂22消除可能渗入到封装后的有机EL层50的湿气和氧。具体地说，要蚀刻第二基板28的一个部位，并在蚀刻部位设置湿气吸收干燥剂22并且用保持元件25固定。尽管图中没有表示，但是可以用一个间隔物将有机EL层划分成多个像素区。
图2是按照现有技术的有机电致发光器件中间隔物的平面图。参见图2，在像素区P中形成第一电极46和有机EL层50(参见图1)。在第一基板12的整个表面上形成第二电极52(参见图1)。例如，如果用第一电极46作为阳极，通过真空装置例如是溅射室沉积具有高功函的导电材料例如是氧化铟锡(ITO)并且构图形成第一电极。另外，如果有机EL层50是用聚合物材料制成的，就采用印刷工艺例如喷墨印刷来形成。另一方面，如果有机EL层50是用单体材料制成的，就采用沉积工艺形成。
在采用聚合物有机EL材料的独立发光型OELD器件中，需要用间隔物SP将有机EL层50划分成许多像素区P。间隔物SP能防止有机EL层50的不同色之间发生混淆。尽管图中没有表示，缓冲层48和间隔物SP对应着栅极、数据线和电源线的部位。
有机EL层50包括在像素区P的边界上形成间隔物SP并在间隔物SP上形成缓冲层48之后在像素区P内按重复顺序形成的红、绿、蓝EL层(未表示)。缓冲层48位于包括与第一电极46的边沿重叠的一部分的像素区P的边界上，防止第一电极46和第二电极52(参见图1)之间在间隔物SP的角上发生电路接触。因而，缓冲层48要大于间隔物SP。
图3是按照现有技术用于一个像素区的有机电致发光器件的一个阵列基板的平面图。OELD器件10的阵列元件层14(参见图1)包括一个开关薄膜晶体管TS，一个驱动薄膜晶体管TD和一个存储电容CST。第一电极是用透明绝缘材料例如是玻璃和塑料制成的。在第一基板12上形成彼此交叉的栅线GL和数据线DL。栅线GL和数据线DL限定一个像素区。在栅线GL和数据线DL之间有一个绝缘层(未表示)。电源线PL与栅线GL交叉并与数据线DL平行且分离。
开关薄膜晶体管TS包括开关栅极26、开关有源层16、开关源极34和开关漏极36。同样，驱动薄膜晶体管TD包括驱动栅极28、驱动有源层18、驱动源极38和驱动漏极40。开关栅极26被连接到栅线GL，而开关源极34被连接到数据线DL。开关漏极36通过暴露出一部分驱动栅极28的第一接触孔69连接到驱动栅极28。驱动源极38通过暴露出一部分电源线PL的第二接触孔57连接到电源线PL。此外，第一电极46通过第三接触孔59连接到驱动漏极40。电源线PL与第一电容电极20重叠，和二者之间的中间层共同构成存储电容CST。
尽管图中没有表示，在对应着数据线DL和电源线PL的部位形成的间隔物SP(参见图2)可以将发射特定光的有机EL层划分成多个像素区。进而在第一电极46和间隔物SP之间形成缓冲层48(参见图2)，并且位于包括第一电极46的重叠边沿部位的像素区P的边界上的非像素区内。
图4A，4B和5分别是沿着图3中IVA-IVA，IVB-IVB和V-V线的截面图。参见图4A，4B和5，开关薄膜晶体管Ts和驱动薄膜晶体管TD分别被形成在一个像素区P内包括开关区S和驱动区D的第一基板12上。开关薄膜晶体管Ts包括开关有源层16，开关栅极26，开关源极34和开关漏极36。同样，驱动薄膜晶体管TD包括驱动有源层18，驱动栅极28，驱动源极38和驱动漏极40。
具体来说，尽管图中没有表示，开关栅极26被连接到栅线GL，而开关源极34被连接到数据线DL。开关漏极36被连接到驱动栅极28。驱动源极38被连接到电源线PL，而驱动漏极40被连接到像素区P内的第一电极46。如图5所示，缓冲层48被形成在对应着数据线DL和电源线PL的像素区P的边界上的第一电极46上。缓冲层48与第一电极的边沿重叠。间隔物SP被形成在像素区P边界内的缓冲层48上。有机EL层50被形成在第一电极46上被间隔物SP包围的像素区P内。第二电极52被形成在有机EL层50和间隔物SP的整个表面上。然而，为OELD器件形成缓冲层48和间隔物SP至少需要用两个掩模步骤。
图6A到6E是按照现有技术的有机电致发光器件中有机电致发光二极管基板制作方法的截面图。参见图6A，第一电极46被形成在包括像素区P的第一基板12上。第一电极46位于像素区P内。在第一电极46和第一基板12的整个表面上通过沉积无机材料例如氮化硅(SiNx)形成无机材料层47。在无机材料层47上涂覆光刻胶形成光刻胶层80。
参见图6B，对包括第一电极46的一部分重叠边沿的像素区P的边界上的无机材料层47上的光刻胶层80构图形成光刻胶图形82。参见图6C，蚀刻掉没有被光刻胶图形82(参见图6B)覆盖的一部分无机材料层47(参见图6B)形成缓冲层48。然后用第一掩模步骤形成缓冲层48，该步骤包括曝光、显影和蚀刻。在缓冲层48和第一电极46的整个表面上涂覆有机绝缘材料形成有机层90。
参见图6D通过类似于第一掩模步骤的第二掩模步骤利用构图有机材料层90(参见图6C)形成一个间隔物SP。间隔物SP位于像素区P的边界内，但是缓冲层48要与相邻像素区P的边沿重叠，以防止第一电极46和此后要形成的第二电极彼此间发生电路接触。尽管图中没有表示，缓冲层48的宽度要大于间隔物SP的宽度。若是通过涂覆聚合物材料来形成有机EL层，间隔物SP的高度应该大于1微米。这样，靠近间隔物SP的一部分有机EL层就会变厚。因此，间隔物SP朝第一电极46的方向应该与缓冲层48具有预定的侧间隙K。
参见图6E，在第一电极46上被间隔物SP包围的像素区P内形成一个有机EL层50。在有机EL层50和间隔物SP的整个表面上形成第二电极52。作为阴极的第二电极52包括具有低功函的金属材料，例如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)。另外，若是通过涂覆形成有机EL层50，不需要用掩模步骤来形成有机EL层50。
为了形成缓冲层48和间隔物SP至少需要两轮掩模工序。因此，整个制作工序需要若干掩模工序。缺陷比例会随着掩模工序的数量上升。另外，由于加工延长会导致生产成品率下降而生产成本上升，由此会影响EL器件的产品竞争力。
发明内容
为此，本发明提出了一种OELD器件及其制作方法，能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的一个目的是提供一种能缩短制作加工时间并降低成本的OELD器件。
本发明的再一目的是提供一种制作OELD器件的方法，能够缩短制作加工时间并降低成本。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有些内容可以从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和广泛地说明，有机电致发光显示器件的一种制作方法包括：在一基板的像素区内形成第一电极，基板的像素区边界上包括一非像素区；在第一电极上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；模压树脂溶剂层，模具具有交替的凹槽部和突出部，凹槽部和突出部的高度相同，凹槽部和突出部面对树脂溶剂层，凹槽部靠近树脂溶剂层的第一宽度要大于凹槽部远离树脂溶剂层的第二宽度；通过加热使树脂溶剂层固化；从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在基板的非像素区内形成间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和第二宽度的第二部分，第一部分与第一电极的边沿重叠，而第二部分在非像素区内；在第一电极上被间隔物包围的像素区内形成有机电致发光层；并且在有机电致发光层和间隔物上形成第二电极。
按照另一方面，有机电致发光显示器件的一种制作方法包括：在一基板的像素区内形成第一电极，基板的像素区边界上包括一非像素区；在第一电极上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；模压树脂溶剂层，模具具有交替的凹槽部和突出部，凹槽部和突出部的高度相同，凹槽部和突出部面对树脂溶剂层，凹槽部和突出部各自具有正方形形状；通过按两种不同温度顺序加热使树脂溶剂层固化，第一温度小于或等于树脂溶剂的沸点，而第二温度高于第一温度；从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在基板的非像素区内形成间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第一部分与第一电极的边沿重叠，而第二部分在非像素区内；在被间隔物包围的像素区内形成有机电致发光层；并且在有机电致发光层和间隔物上形成第二电极。
按照再一方面，有机电致发光器件的一种制作方法包括：在包括像素区和处在像素区边界上的非像素区的第一基板的整个表面上形成第一电极；在第一电极的整个表面上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；在预定压力下模压树脂溶剂层，模具包括交替的凹槽部和突出部，凹槽部和突出部的高度相同，模具的凹槽部和突出部面对树脂溶剂层，凹槽部的宽度朝基板逐渐缩小，而突出部的宽度朝基板逐渐减小；通过加热使树脂溶剂层固化；从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在基板的非像素区内形成间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第一部分比第二部分更靠近基板，第二部分的截面从它的两侧到它的中部逐渐缩小；并且在第一电极上形成有机电致发光层和第二电极，有机电致发光层和第二电极被间隔物划分成对应着像素区的区域。
按照又一方面，一种有机电致发光显示器件包括：基板，它包括像素区和位于像素区边界上的非像素区；位于基板上像素区内的第一电极；第一电极上面的间隔物，间隔物位于非像素区内，间隔物包括具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第一部分与第一电极的边沿重叠，而第二部分在非像素区内，其中所述第一宽度和第二宽度之间具有一侧间隙；在间隔物上面被间隔物包围的像素区内的有机电致发光层；以及在有机电致发光层和间隔物的整个表面上的第二电极。
按照再一方面，一种有机电致发光显示器件包括：第一基板，它包括像素区和像素区边界上的非像素区；第一基板整个表面上的第一电极；第一电极上面在非像素区内的间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第二部分的截面从其两端朝其中间部分逐渐缩小；间隔物上面的有机电致发光层，有机电致发光层处在像素区内；以及有机电致发光层上的第二电极，第二电极对应着有机电致发光层。
应该意识到以上对本发明的概述和下文的详细说明都是解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的发明。
本发明的一个目的是提供一种能缩短制作加工时间并降低成本的OELD器件。
本发明的再一目的是提供一种制作OELD器件的方法，能够缩短制作加工时间并降低成本。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有些内容可以从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和广泛地说明，有机电致发光显示器件的一种制作方法包括：在一基板的像素区内形成第一电极，基板的像素区边界上包括一非像素区；在第一电极上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；模压树脂溶剂层，模具具有交替的凹槽部和突出部，凹槽部和突出部的高度相同，凹槽部和突出部面对树脂溶剂层，凹槽部靠近树脂溶剂层的第一宽度要大于凹槽部远离树脂溶剂层的第二宽度；通过加热使树脂溶剂层固化；从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在基板的非像素区内形成间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和第二宽度的第二部分，第一部分与第一电极的边沿重叠，而第二部分在非像素区内；在第一电极上被间隔物包围的像素区内形成有机电致发光层；并且在有机电致发光层和间隔物上形成第二电极。
按照另一方面，有机电致发光显示器件的一种制作方法包括：在一基板的像素区内形成第一电极，基板的像素区边界上包括一非像素区；在第一电极上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；模压树脂溶剂层，模具具有交替的凹槽部和突出部，凹槽部和突出部的高度相同，凹槽部和突出部面对树脂溶剂层，凹槽部和突出部各自具有正方形形状；通过按两种不同温度顺序加热使树脂溶剂层固化，第一温度小于或等于树脂溶剂的沸点，而第二温度高于第一温度；从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在基板的非像素区内形成间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第一部分与第一电极的边沿重叠，而第二部分在非像素区内；在被间隔物包围的像素区内形成有机电致发光层；并且在有机电致发光层和间隔物上形成第二电极。
按照再一方面，有机电致发光器件的一种制作方法包括：在包括像素区和处在像素区边界上的非像素区的第一基板的整个表面上形成第一电极；在第一电极的整个表面上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层；在预定压力下模压树脂溶剂层，模具包括交替的凹槽部和突出部，凹槽部和突出部的高度相同，模具的凹槽部和突出部面对树脂溶剂层，凹槽部的宽度朝基板逐渐缩小，而突出部的宽度朝基板逐渐减小；通过加热使树脂溶剂层固化；从固化的树脂溶剂层上去掉模具，在基板的非像素区内形成间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第一部分比第二部分更靠近基板，第二部分的截面从它的两侧到它的中部逐渐缩小；并且在第一电极上形成有机电致发光层和第二电极，有机电致发光层和第二电极被间隔物划分成对应着像素区的区域。
按照又一方面，一种有机电致发光显示器件包括：基板，它包括像素区和位于像素区边界上的非像素区；位于基板上像素区内的第一电极；第一电极上面的间隔物，间隔物位于非像素区内，间隔物包括具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第一部分与第一电极的边沿重叠，而第二部分在非像素区内，其中所述第一宽度和第二宽度之间具有一侧间隙；在间隔物上面被间隔物包围的像素区内的有机电致发光层；以及在有机电致发光层和间隔物的整个表面上的第二电极。
按照再一方面，一种有机电致发光显示器件包括：第一基板，它包括像素区和像素区边界上的非像素区；第一基板整个表面上的第一电极；第一电极上面在非像素区内的间隔物，间隔物具有第一宽度的第一部分和具有小于第一宽度的第二宽度的第二部分，第二部分的截面从其两端朝其中间部分逐渐缩小；间隔物上面的有机电致发光层，有机电致发光层处在像素区内；以及有机电致发光层上的第二电极，第二电极对应着有机电致发光层。
应该意识到以上对本发明的概述和下文的详细说明都是解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的发明。
附图说明
所包括的用来便于理解本发明并且作为本申请一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，连同说明书一起可用来解释本发明的原理。
图1是按照现有技术的一种有机电致发光器件的截面图；
图2是按照现有技术的有机电致发光器件中一个间隔物的平面图；
图3是按照现有技术用于一个像素区的有机电致发光器件的一个阵列基板的平面图；
图4A，4B和5分别是沿着图3中IVA-IVA，IVB-IVB和V-V线的截面图；
图6A到6D是按照现有技术的有机电致发光器件中有机电致发光二极管基板制作方法的截面图；
图7A是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的像素电极的截面图；
图7B是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上模压树脂层的截面图；
图7C是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的间隔物的截面图；
图7D是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的有机电致发光层的截面图；
图8A是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的像素电极的截面图；
图8B是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上模压树脂层的截面图；
图8C是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的间隔物的截面图；
图8D是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的有机电致发光层的截面图；
图9是按照本发明第三实施例的双面板型有机电致发光器件的截面图；
图10A是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在基板上形成的全色元件层的截面图；
图10B是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上模压树脂层的截面图；
图10C是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上形成的间隔物的截面图；
图10D是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上形成的有机电致发光层的截面图；
图11是按照本发明第三实施例制作的一例阵列基板的扫描电子显微镜图像；以及
图12A和12B是按照本发明的一个实施例用于双面板型有机电致发光器件的一种阵列基板的截面图。
图1是按照现有技术的一种有机电致发光器件的截面图；
图2是按照现有技术的有机电致发光器件中一个间隔物的平面图；
图3是按照现有技术用于一个像素区的有机电致发光器件的一个阵列基板的平面图；
图4A，4B和5分别是沿着图3中IVA-IVA，IVB-IVB和V-V线的截面图；
图6A到6D是按照现有技术的有机电致发光器件中有机电致发光二极管基板制作方法的截面图；
图7A是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的像素电极的截面图；
图7B是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上模压树脂层的截面图；
图7C是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的间隔物的截面图；
图7D是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的有机电致发光层的截面图；
图8A是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的像素电极的截面图；
图8B是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上模压树脂层的截面图；
图8C是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的间隔物的截面图；
图8D是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的有机电致发光层的截面图；
图9是按照本发明第三实施例的双面板型有机电致发光器件的截面图；
图10A是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在基板上形成的全色元件层的截面图；
图10B是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上模压树脂层的截面图；
图10C是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上形成的间隔物的截面图；
图10D是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上形成的有机电致发光层的截面图；
图11是按照本发明第三实施例制作的一例阵列基板的扫描电子显微镜图像；以及
图12A和12B是按照本发明的一个实施例用于双面板型有机电致发光器件的一种阵列基板的截面图。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例，在附图中表示了这些例子。
图7A是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的像素电极的截面图。参见图7A，基板100包括像素区P，和像素区P的边界上的非像素区NP。第一电极102被形成在基板100上。第一电极102位于像素区P内。例如，若是用第一电极作为阳极，就要用具有高功函的导电材料例如氧化铟锡(ITO)制作。然后通过用树脂溶剂涂覆基板100和第一电极102的整个表面，在包括第一电极102的基板100的整个表面上形成树脂溶剂层104。可以将基板浸入树脂溶剂执行涂覆工序。或是在基板上滴树脂溶剂来执行涂覆工序。树脂溶剂可以包括丙稀酸树脂等透明有机材料。
图7B是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上模压树脂层的截面图。参见图7B，制备一模具M1。模具M1具有交替的凹槽部RP和突出部PP。凹槽部RP和突出部PP具有相同的高度H1。用模具M1轻压在树脂溶剂层104上，使模具M1的凹槽部RP和突出部PP面对树脂溶剂层104。凹槽部RP具有第一宽度W1的第一部分和第二宽度W2的第二部分。第一部分比第二部分更靠近树脂溶剂层104。第二宽度W2小于第一宽度W1。树脂溶剂层104对应着模具M1的凹槽部RP的那一部分在制作过程的后续阶段变成间隔物。
按照本发明的一个实施例，可以用软模压方法形成模具M1的凹槽和突出图形。在这种情况下，在预定的模具框内填充弹性材料形成模具M1。这种弹性材料例如是包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)，聚亚安酯和聚酰亚胺。
当模具M1轻压在树脂溶剂层104上时，树脂溶剂层104上接触到模具M1的突出部PP的那一部分因模具M1与树脂溶剂层104之间的推斥(repulsion)朝凹槽部RP移动。这样，树脂溶剂层104上接触到模具M1的突出部PP的那一部分就会填充模具M1的凹槽部RP的内部。然后加热树脂溶剂层104使其固化。加热可以按高于树脂溶剂沸点和转化温度(transition temperature)的温度来执行。
图7C是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的间隔物的截面图。参见图7C，去掉(图7B中所示的)模具M1，在基板100上留下固化的模压树脂溶剂层。固化的模压树脂溶剂层在基板100上形成一个间隔物106。间隔物106具有第一宽度W1的第一部分BB和第二宽度W2的第二部分SS。间隔物106的第一部分BB与第一电极102的边沿重叠。间隔物106的第二部分SS位于非像素区NP内。第一部分BB作为缓冲层，而第二部分SS作为实际的间隔物装置。
第一部分BB的第一宽度W1大于第二部分SS的第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2之间的侧间隙K处在2微米到10微米之间，间隔物106的第一部分BB的厚度KK小于300豪微米。第二部分SS的侧面垂直于基板100的表面。
图7D是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的有机电致发光层的截面图。参见图7D，在第一电极102上被间隔物106包围的像素区P内形成至少一个有机电致发光(EL)层108。形成有机EL层包括按重复次序在像素区P内形成红、绿、蓝EL层(未表示)。至少一个有机EL层108可以是单层或是包括多层。如果至少一个有机EL层108包括多层并且用第一电极102作为阳极，该至少一个有机EL层108就包括第一电极102上的空穴输送层108a、发光层108b以及此后形成的第二电极上的电子输送层108c。
在有机EL层108和间隔物106的整个表面上形成第二电极110。若是用第二电极110作为阴极，就包括诸如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)等金属材料。第一电极102、有机EL层108和第二电极110构成一个有机EL二极管DEL。
图8A是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的像素电极的截面图。参见图8A，基板200包括像素区P和像素区P边界上的非像素区NP。第一电极202被形成在基板200上。第一电极202位于像素区P内。然后在包括第一电极202的基板200的整个表面上涂覆树脂溶剂以形成树脂溶剂层204。树脂溶剂可以包括诸如丙烯酸树脂等透明有机材料。
图8B是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上模压树脂层的截面图。参见图8B制备模具M2。模具M2具有交替的凹槽部RP和突出部PP。凹槽部RP和突出部PP具有相同的高度H2。凹槽部RP和突出部PP各自具有正方形形状。用模具M2轻压在树脂溶剂层204上。
当模具M2轻压在树脂溶剂层204上时，树脂溶剂层204上接触到模具M2的突出部PP的那一部分因模具M2与树脂溶剂层204之间的推斥朝凹槽部RP移动。这样，树脂溶剂层204中接触到模具M2的突出部PP的那一部分就会填充模具M1的凹槽部RP的内部。然后加热树脂溶剂层204使其固化。加热可以按两种不同温度执行，包括低于或等于树脂溶剂沸点的第一温度和高于第一温度的第二温度。
图8C是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的间隔物的截面图。参见图8C，去掉(图8B中所示的)模具M2，在基板200上留下固化的模压树脂溶剂层。固化的模压树脂溶剂层在基板200上形成一个间隔物206。间隔物206具有第一宽度W1的第一部分BB和第二宽度W2的第二部分SS。间隔物206的第一部分BB与第一电极202的边沿重叠。间隔物206的第二部分SS位于非像素区NP内。
第一部分BB作为缓冲层，而第二部分SS作为实际的间隔物装置。第一部分BB的第一宽度W1大于第二部分SS的第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2之间的侧间隙K处在2微米到10微米之间，间隔物206的第一部分BB的厚度KK小于300豪微米。
图8D是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的有机电致发光层的截面图。参照图8D，在第一电极202上被间隔物206包围的像素区P内形成至少一个有机电致发光(EL)层208。形成有机EL层208包括按重复次序在像素区P内形成红、绿、蓝EL层(未表示)。至少一个有机EL层208可以是单层或是包括多层。如果至少一个有机EL层208包括多层并且用第一电极202作为阳极，该至少一个有机EL层208就包括第一电极202上的空穴输送层208a、发光层208b以及此后形成的第二电极上的电子输送层208c。
在有机EL层208和间隔物206的整个表面上形成第二电极210。若是用第二电极210作为阴极，就包括诸如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)等金属材料。第一电极202、有机EL层208和第二电极210构成一个有机EL二极管DEL。尽管图中没有表示，可以在基板200和有机EL二极管DEL之间形成包括栅线、数据线、电源线和薄膜晶体管的一个阵列元件层。
以下要描述一种双面板型OELD器件，其中在各自的基板上形成阵列元件层和有机EL二极管。还要描述一种有机EL二极管的制作方法，通过提供一个作为缓冲器的间隔物能够降低加工时间并降低成本。
图9是按照本发明第三实施例的一例双面板型有机电致发光器件的截面图。参见图9，包括多个像素区的第一和第二基板300和400彼此面对并且彼此分开。一个全色元件层FE被形成在第二基板400上。具体地说，全色元件层FE包括第二基板400上像素区P内的滤色片层404，滤色片层404上的变色介质405，第二基板400上位于滤色片层404的边界以及变色介质405边界上的黑矩阵402，以及覆盖黑矩阵402、变色介质405和滤色片层404整个表面的涂覆层406。滤色片层404包括分别对应着红、绿、蓝子滤色片的红、绿、蓝变色介质(未表示)。涂覆层406包括诸如苯并环丁烯(BCB)，聚丙烯酸酯(polyacrylate)，聚酰亚胺和聚酰胺等有机绝缘材料。
第一电极408被形成在涂覆层406上。在像素区P边界上的第一电极408上面形成一个间隔物410。在被间隔物410包围的像素区P内的第一电极408上形成有机EL层412和第二电极414。若是用第一电极408作为阳极而第二电极414作为阴极，第一电极408就可以包括诸如氧化铟锡(ITO)等导电材料，而第二电极414可以包括诸如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)等金属材料。第一电极408、有机EL层412和第二电极414构成有机EL二极管DEL。
图10A是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在基板上形成的一个全色元件层的截面图。参见图10A，第二基板400包括像素区P，和像素区P边界上的非像素区NP。一个全色元件层FE被形成在第二基板400上。全色元件层FE包括黑矩阵402、滤色片层404和变色介质405。黑矩阵402位于非像素区NP内，并且包括一种黑色树脂和铬基材料(chrome based material)。在全色元件层FE的整个表面上形成一个涂覆层406。
图10B是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上模压树脂层的截面图。参见图10B，第一电极408被形成在涂覆层406的整个表面上。若是用第一电极408作为阳极，它就包括一种具有高功函的导电材料，例如氧化铟锡(ITO)。
在第一电极408的整个表面上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层409。树脂溶剂层409可以包括透明有机绝缘材料例如丙烯酸树脂。然后按预定压力将模具M3压在树脂溶剂层409上。模具M3包括交替的凹槽部RP和突出部PP。凹槽部RP和突出部PP具有相同的高度H3。如图10B所示，当模具M3的凹槽部RP和突出部PP面对树脂溶剂层409时，凹槽部RP的宽度朝第二基板400逐渐缩小，而突出部PP的宽度朝第二基板400逐渐增大。
在预定压力下加热树脂溶剂层409使其固化。加热过程可以按高于树脂溶剂层409的沸点和转化温度的一定温度执行。例如，预定压力可以在1N/cm2到100N/cm2之内。加压过程与参照图7B所述的过程类似。
图10C是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上形成的间隔物的截面图。参见图10C，从第二基板400上去掉(图10B中所示的)模具M3，在第一电极408上留下固化的树脂溶剂层。固化的树脂溶剂层在第一电极408上的非像素区NP内形成间隔物410。
间隔物410具有第一部分BB和第二部分SS。第一部分BB比第二部分SS更靠近第二基板400。第一部分BB的第一宽度W1大于第二部分SS的第二宽度W2。第二部分SS的截面从两端侧朝截面的中间部分逐渐缩小。第二部分SS顶部一侧与第一部分BB底部一侧的侧间隙K大约是2微米。
图10D是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上形成的有机电致发光层的截面图。参见图10D，在第一电极408上被间隔物410包围的像素区P内依次形成至少一个有机EL层412和第二电极414。有机EL层412包括在像素区P内按重复次序的红、绿、蓝EL层(未表示)。
至少一个有机EL层412可以包括单层或多层。如果至少一个有机EL层412包括多层并且用第一电极414作为阳极，这至少一个有机EL层412就包括第一电极414上的空穴输送层412a、发光层412b以及电子输送层412c。若是用第二电极414作为阴极，它就包括诸如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)等金属材料。
图11是按照本发明第三实施例制作的一例阵列基板的扫描电子显微镜图像。参见图11，间隔物包括按15％重量浓度溶解在乙醇(ethanol)中的酚醛清漆(novolac)溶液。在大约10N/cm2的压力下对树脂溶剂层施压，并在用模具对树脂溶剂层施压的同时按照约130摄氏度执行加热。另外，第一部分的第一宽度大约是5微米。
图12A和12B是按照本发明的一个实施例用于双面板型有机电致发光器件的一种阵列基板的截面图。以下要参照图12A和12B来描述制作双面板型OELD器件的一种方法。参见图12A和12B，第一基板300上的像素区P包括开关区S和驱动区D。开关薄膜晶体管Ts和驱动薄膜晶体管TD被分别形成在包括开关区S和驱动区D的第一基板300上。开关薄膜晶体管Ts包括开关栅极302、开关有源层310、开关源极318和开关漏极320。同样，驱动薄膜晶体管TD包括驱动栅极304、驱动有源层314、驱动源极322和驱动漏极324。
开关栅极302被连接到栅线(未表示)。开关源极318被连接到数据线(未表示)。开关漏极320被连接到驱动栅极304。驱动源极322被连接到电源线326。栅绝缘层306被形成在栅极302和304与有源层310和314之间。
第一钝化层325被形成在开关薄膜晶体管Ts与电源线326之间。通过第一钝化层325设置第一接触孔327。第一接触孔327暴露出一部分驱动源极322。电源线326通过第一接触孔327连接到驱动源极322。
第二钝化层328被形成在电源线326和开关薄膜晶体管Ts的整个表面上。通过第一钝化层325和第二钝化层328设置第二接触孔329。第二接触孔329暴露出一部分驱动漏极324。
在第二钝化层328上形成一个连接电极350。连接电极350通过第二接触孔329连接到驱动漏极324。连接电极350包括具有预定高度的有机图形350a和覆盖有机图形350a的金属材料层350b。尽管图中没有表示，通过粘接第一和第二基板300和400使连接电极350电连接到有机EL二极管和阵列元件层。例如用连接电极350连接第二电极400和驱动薄膜晶体管TD。
按照本发明的实施例，因为OELD器件是顶部发光型的，OELD器件具有高孔径比。由于阵列元件层是单独形成在各自的基板上的，能够防止有机EL二极管制作工艺的不利影响。因此能提高生产成品率。由于OELD器件包括间隔物，其第二部分可作为缓冲层，不需要单独的隔离缓冲层。执行间隔物模压不需要任何掩模步骤，这样能缩短加工时间并降低成本。
显然，本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的有机电致发光显示器件及其制作方法作出各种各样的变形和改进。因此，本发明的意图是要覆盖权利要求书及其等效物范围内的变形和改进。
本申请要求享有2003年12月30日在韩国递交的韩国专利申请2003-0100668号的权益，该申请可供参考。
图7A是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的像素电极的截面图。参见图7A，基板100包括像素区P，和像素区P的边界上的非像素区NP。第一电极102被形成在基板100上。第一电极102位于像素区P内。例如，若是用第一电极作为阳极，就要用具有高功函的导电材料例如氧化铟锡(ITO)制作。然后通过用树脂溶剂涂覆基板100和第一电极102的整个表面，在包括第一电极102的基板100的整个表面上形成树脂溶剂层104。可以将基板浸入树脂溶剂执行涂覆工序。或是在基板上滴树脂溶剂来执行涂覆工序。树脂溶剂可以包括丙稀酸树脂等透明有机材料。
图7B是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上模压树脂层的截面图。参见图7B，制备一模具M1。模具M1具有交替的凹槽部RP和突出部PP。凹槽部RP和突出部PP具有相同的高度H1。用模具M1轻压在树脂溶剂层104上，使模具M1的凹槽部RP和突出部PP面对树脂溶剂层104。凹槽部RP具有第一宽度W1的第一部分和第二宽度W2的第二部分。第一部分比第二部分更靠近树脂溶剂层104。第二宽度W2小于第一宽度W1。树脂溶剂层104对应着模具M1的凹槽部RP的那一部分在制作过程的后续阶段变成间隔物。
按照本发明的一个实施例，可以用软模压方法形成模具M1的凹槽和突出图形。在这种情况下，在预定的模具框内填充弹性材料形成模具M1。这种弹性材料例如是包括聚二甲基硅氧烷(PDMS)，聚亚安酯和聚酰亚胺。
当模具M1轻压在树脂溶剂层104上时，树脂溶剂层104上接触到模具M1的突出部PP的那一部分因模具M1与树脂溶剂层104之间的推斥(repulsion)朝凹槽部RP移动。这样，树脂溶剂层104上接触到模具M1的突出部PP的那一部分就会填充模具M1的凹槽部RP的内部。然后加热树脂溶剂层104使其固化。加热可以按高于树脂溶剂沸点和转化温度(transition temperature)的温度来执行。
图7C是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的间隔物的截面图。参见图7C，去掉(图7B中所示的)模具M1，在基板100上留下固化的模压树脂溶剂层。固化的模压树脂溶剂层在基板100上形成一个间隔物106。间隔物106具有第一宽度W1的第一部分BB和第二宽度W2的第二部分SS。间隔物106的第一部分BB与第一电极102的边沿重叠。间隔物106的第二部分SS位于非像素区NP内。第一部分BB作为缓冲层，而第二部分SS作为实际的间隔物装置。
第一部分BB的第一宽度W1大于第二部分SS的第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2之间的侧间隙K处在2微米到10微米之间，间隔物106的第一部分BB的厚度KK小于300豪微米。第二部分SS的侧面垂直于基板100的表面。
图7D是按照本发明第一实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的有机电致发光层的截面图。参见图7D，在第一电极102上被间隔物106包围的像素区P内形成至少一个有机电致发光(EL)层108。形成有机EL层包括按重复次序在像素区P内形成红、绿、蓝EL层(未表示)。至少一个有机EL层108可以是单层或是包括多层。如果至少一个有机EL层108包括多层并且用第一电极102作为阳极，该至少一个有机EL层108就包括第一电极102上的空穴输送层108a、发光层108b以及此后形成的第二电极上的电子输送层108c。
在有机EL层108和间隔物106的整个表面上形成第二电极110。若是用第二电极110作为阴极，就包括诸如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)等金属材料。第一电极102、有机EL层108和第二电极110构成一个有机EL二极管DEL。
图8A是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的像素电极的截面图。参见图8A，基板200包括像素区P和像素区P边界上的非像素区NP。第一电极202被形成在基板200上。第一电极202位于像素区P内。然后在包括第一电极202的基板200的整个表面上涂覆树脂溶剂以形成树脂溶剂层204。树脂溶剂可以包括诸如丙烯酸树脂等透明有机材料。
图8B是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上模压树脂层的截面图。参见图8B制备模具M2。模具M2具有交替的凹槽部RP和突出部PP。凹槽部RP和突出部PP具有相同的高度H2。凹槽部RP和突出部PP各自具有正方形形状。用模具M2轻压在树脂溶剂层204上。
当模具M2轻压在树脂溶剂层204上时，树脂溶剂层204上接触到模具M2的突出部PP的那一部分因模具M2与树脂溶剂层204之间的推斥朝凹槽部RP移动。这样，树脂溶剂层204中接触到模具M2的突出部PP的那一部分就会填充模具M1的凹槽部RP的内部。然后加热树脂溶剂层204使其固化。加热可以按两种不同温度执行，包括低于或等于树脂溶剂沸点的第一温度和高于第一温度的第二温度。
图8C是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的间隔物的截面图。参见图8C，去掉(图8B中所示的)模具M2，在基板200上留下固化的模压树脂溶剂层。固化的模压树脂溶剂层在基板200上形成一个间隔物206。间隔物206具有第一宽度W1的第一部分BB和第二宽度W2的第二部分SS。间隔物206的第一部分BB与第一电极202的边沿重叠。间隔物206的第二部分SS位于非像素区NP内。
第一部分BB作为缓冲层，而第二部分SS作为实际的间隔物装置。第一部分BB的第一宽度W1大于第二部分SS的第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2之间的侧间隙K处在2微米到10微米之间，间隔物206的第一部分BB的厚度KK小于300豪微米。
图8D是按照本发明第二实施例在制作有机电致发光器件的过程中在基板上形成的有机电致发光层的截面图。参照图8D，在第一电极202上被间隔物206包围的像素区P内形成至少一个有机电致发光(EL)层208。形成有机EL层208包括按重复次序在像素区P内形成红、绿、蓝EL层(未表示)。至少一个有机EL层208可以是单层或是包括多层。如果至少一个有机EL层208包括多层并且用第一电极202作为阳极，该至少一个有机EL层208就包括第一电极202上的空穴输送层208a、发光层208b以及此后形成的第二电极上的电子输送层208c。
在有机EL层208和间隔物206的整个表面上形成第二电极210。若是用第二电极210作为阴极，就包括诸如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)等金属材料。第一电极202、有机EL层208和第二电极210构成一个有机EL二极管DEL。尽管图中没有表示，可以在基板200和有机EL二极管DEL之间形成包括栅线、数据线、电源线和薄膜晶体管的一个阵列元件层。
以下要描述一种双面板型OELD器件，其中在各自的基板上形成阵列元件层和有机EL二极管。还要描述一种有机EL二极管的制作方法，通过提供一个作为缓冲器的间隔物能够降低加工时间并降低成本。
图9是按照本发明第三实施例的一例双面板型有机电致发光器件的截面图。参见图9，包括多个像素区的第一和第二基板300和400彼此面对并且彼此分开。一个全色元件层FE被形成在第二基板400上。具体地说，全色元件层FE包括第二基板400上像素区P内的滤色片层404，滤色片层404上的变色介质405，第二基板400上位于滤色片层404的边界以及变色介质405边界上的黑矩阵402，以及覆盖黑矩阵402、变色介质405和滤色片层404整个表面的涂覆层406。滤色片层404包括分别对应着红、绿、蓝子滤色片的红、绿、蓝变色介质(未表示)。涂覆层406包括诸如苯并环丁烯(BCB)，聚丙烯酸酯(polyacrylate)，聚酰亚胺和聚酰胺等有机绝缘材料。
第一电极408被形成在涂覆层406上。在像素区P边界上的第一电极408上面形成一个间隔物410。在被间隔物410包围的像素区P内的第一电极408上形成有机EL层412和第二电极414。若是用第一电极408作为阳极而第二电极414作为阴极，第一电极408就可以包括诸如氧化铟锡(ITO)等导电材料，而第二电极414可以包括诸如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)等金属材料。第一电极408、有机EL层412和第二电极414构成有机EL二极管DEL。
图10A是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在基板上形成的一个全色元件层的截面图。参见图10A，第二基板400包括像素区P，和像素区P边界上的非像素区NP。一个全色元件层FE被形成在第二基板400上。全色元件层FE包括黑矩阵402、滤色片层404和变色介质405。黑矩阵402位于非像素区NP内，并且包括一种黑色树脂和铬基材料(chrome based material)。在全色元件层FE的整个表面上形成一个涂覆层406。
图10B是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上模压树脂层的截面图。参见图10B，第一电极408被形成在涂覆层406的整个表面上。若是用第一电极408作为阳极，它就包括一种具有高功函的导电材料，例如氧化铟锡(ITO)。
在第一电极408的整个表面上涂覆树脂溶剂形成树脂溶剂层409。树脂溶剂层409可以包括透明有机绝缘材料例如丙烯酸树脂。然后按预定压力将模具M3压在树脂溶剂层409上。模具M3包括交替的凹槽部RP和突出部PP。凹槽部RP和突出部PP具有相同的高度H3。如图10B所示，当模具M3的凹槽部RP和突出部PP面对树脂溶剂层409时，凹槽部RP的宽度朝第二基板400逐渐缩小，而突出部PP的宽度朝第二基板400逐渐增大。
在预定压力下加热树脂溶剂层409使其固化。加热过程可以按高于树脂溶剂层409的沸点和转化温度的一定温度执行。例如，预定压力可以在1N/cm2到100N/cm2之内。加压过程与参照图7B所述的过程类似。
图10C是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上形成的间隔物的截面图。参见图10C，从第二基板400上去掉(图10B中所示的)模具M3，在第一电极408上留下固化的树脂溶剂层。固化的树脂溶剂层在第一电极408上的非像素区NP内形成间隔物410。
间隔物410具有第一部分BB和第二部分SS。第一部分BB比第二部分SS更靠近第二基板400。第一部分BB的第一宽度W1大于第二部分SS的第二宽度W2。第二部分SS的截面从两端侧朝截面的中间部分逐渐缩小。第二部分SS顶部一侧与第一部分BB底部一侧的侧间隙K大约是2微米。
图10D是按照本发明第三实施例在制作用于双面板型有机电致发光器件的有机电致发光二极管的过程中在电极上形成的有机电致发光层的截面图。参见图10D，在第一电极408上被间隔物410包围的像素区P内依次形成至少一个有机EL层412和第二电极414。有机EL层412包括在像素区P内按重复次序的红、绿、蓝EL层(未表示)。
至少一个有机EL层412可以包括单层或多层。如果至少一个有机EL层412包括多层并且用第一电极414作为阳极，这至少一个有机EL层412就包括第一电极414上的空穴输送层412a、发光层412b以及电子输送层412c。若是用第二电极414作为阴极，它就包括诸如钙(Ca)、铝(Al)、镁(Mg)和氟化锂/铝(LiF/Al)等金属材料。
图11是按照本发明第三实施例制作的一例阵列基板的扫描电子显微镜图像。参见图11，间隔物包括按15％重量浓度溶解在乙醇(ethanol)中的酚醛清漆(novolac)溶液。在大约10N/cm2的压力下对树脂溶剂层施压，并在用模具对树脂溶剂层施压的同时按照约130摄氏度执行加热。另外，第一部分的第一宽度大约是5微米。
图12A和12B是按照本发明的一个实施例用于双面板型有机电致发光器件的一种阵列基板的截面图。以下要参照图12A和12B来描述制作双面板型OELD器件的一种方法。参见图12A和12B，第一基板300上的像素区P包括开关区S和驱动区D。开关薄膜晶体管Ts和驱动薄膜晶体管TD被分别形成在包括开关区S和驱动区D的第一基板300上。开关薄膜晶体管Ts包括开关栅极302、开关有源层310、开关源极318和开关漏极320。同样，驱动薄膜晶体管TD包括驱动栅极304、驱动有源层314、驱动源极322和驱动漏极324。
开关栅极302被连接到栅线(未表示)。开关源极318被连接到数据线(未表示)。开关漏极320被连接到驱动栅极304。驱动源极322被连接到电源线326。栅绝缘层306被形成在栅极302和304与有源层310和314之间。
第一钝化层325被形成在开关薄膜晶体管Ts与电源线326之间。通过第一钝化层325设置第一接触孔327。第一接触孔327暴露出一部分驱动源极322。电源线326通过第一接触孔327连接到驱动源极322。
第二钝化层328被形成在电源线326和开关薄膜晶体管Ts的整个表面上。通过第一钝化层325和第二钝化层328设置第二接触孔329。第二接触孔329暴露出一部分驱动漏极324。
在第二钝化层328上形成一个连接电极350。连接电极350通过第二接触孔329连接到驱动漏极324。连接电极350包括具有预定高度的有机图形350a和覆盖有机图形350a的金属材料层350b。尽管图中没有表示，通过粘接第一和第二基板300和400使连接电极350电连接到有机EL二极管和阵列元件层。例如用连接电极350连接第二电极400和驱动薄膜晶体管TD。
按照本发明的实施例，因为OELD器件是顶部发光型的，OELD器件具有高孔径比。由于阵列元件层是单独形成在各自的基板上的，能够防止有机EL二极管制作工艺的不利影响。因此能提高生产成品率。由于OELD器件包括间隔物，其第二部分可作为缓冲层，不需要单独的隔离缓冲层。执行间隔物模压不需要任何掩模步骤，这样能缩短加工时间并降低成本。
显然，本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的有机电致发光显示器件及其制作方法作出各种各样的变形和改进。因此，本发明的意图是要覆盖权利要求书及其等效物范围内的变形和改进。
本申请要求享有2003年12月30日在韩国递交的韩国专利申请2003-0100668号的权益，该申请可供参考。