制备有机发光显示器的方法转让专利
申请号 : CN200410099756.2
文献号 : CN1658718B
文献日 : 2010-05-05
发明人 : 金茂显 , 陈炳斗 , 李城宅
申请人 : 三星移动显示器株式会社
摘要 :
本发明提供一种制备有机发光显示器的方法，能够通过用热转印方法构图发光层和电荷输运层的多个有机层来优化相应于R、G和B像素的有机层的厚度，从而改进装置的特性。该方法包括：在基板上形成R、G和B像素的下电极；形成有机层；及形成上电极。形成有机层包括在基板整个表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入层和输运层的一部分，有机层包括第一和第二部分，并具有与空穴注入层和输运层的厚度之和相等的厚度。有机层的形成还包括构图有机层的第二部分和构图R、G和B像素的发光层。用具有有机层的第二部分和R、G和B像素的发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法来同时形成该有机层的第二部分和R、G和B像素的发光层。
权利要求 :
1.一种制备有机电致发光显示器的方法，包括如下步骤：
在基板上形成R、G和B像素的下电极；
在所述基板的上方形成有机层；以及
在所述有机层上形成上电极；
其中形成该有机层的步骤包括在所述基板整个表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层厚度之和的第一部分，所述形成该有机层的步骤还包括构图空穴注入层和空穴输运层厚度之和的其余部分，其中对应于R、G和B像素构图空穴注入层的一部分并且对空穴输运层整体构图，或者对应于R、G和B像素只对空穴输运层的一部分构图，所述的形成该有机层的步骤还包括构图R、G和B像素的发光层，其中用具有所述其余部分和R、G和B像素的发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法来同时形成所述其余部分和R、G和B像素的发光层，且其中作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和为350R、G和B发光层的厚度分别为300～400250～350和100～200R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和为300所述上电极是厚度为125的ITO透明电极；并且每一个厚度具有50～200的公差。
2.一种制备有机电致发光显示器的方法，包括如下步骤：
在基板上形成R、G和B像素的下电极；
在所述基板的上方形成有机层；以及
在所述有机层上形成上电极；
其中形成该有机层的步骤包括在所述基板整个表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层厚度之和的第一部分，所述形成该有机层的步骤还包括构图空穴注入层和空穴输运层厚度之和的其余部分，其中对应于R、G和B像素构图空穴注入层的一部分并且对空穴输运层整体构图，或者对应于R、G和B像素只对空穴输运层的一部分构图，所述的形成该有机层的步骤还包括构图R、G和B像素的发光层，其中用具有所述其余部分和R、G和B像素的发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法来同时形成所述其余部分和R、G和B像素的发光层，且其中作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和分别为23501700和1350R、G和B发光层的厚度分别为300～400250～350和100～200R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和为350所述上电极是厚度为125的ITO透明电极；并且每一个厚度具有50～200的公差。
3.一种制备有机电致发光显示器的方法，包括如下步骤：
在基板上形成R、G和B像素的下电极；
在所述基板的上方形成有机层；以及
在所述有机层上形成上电极；
其中所述形成有机层的步骤包括在所述基板整个表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入层，在所述基板整个表面的上方形成R、G和B像素空穴输运层中具有最小厚度的空穴输运层作为公共层，构图其余像素的空穴输运层以及构图R、G和B像素的发光层；
其中具有最小厚度的R、G和B像素的空穴输运层的像素只允许发光层用具有发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法构图，其余像素允许空穴输运层和发光层用具有空穴输运层和发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法分别同时形成，其中包括具有R、G和B像素空穴输运层中最小厚度的空穴输运层的像素是B像素；作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和分别为23501700和1350R、G和B像素的发光层的厚度分别为300～400250～350和100～200R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和为350所述上电极是厚度为125的ITO透明电极；并且每一个厚度具有50～200的公差。
说明书 :
技术领域
本发明涉及一种平板显示器，尤其涉及一种制备有机发光显示器的方法，该方法能够通过用热转印方法构图多个有机层以优化与R、G和B像素相应的有机层的厚度来改进装置的特性。
背景技术
通常，有机发光显示器(OLED)包括在绝缘基板上形成的下和上电极以及在下和上电极之间形成的多个有机层。根据各层的功能该有机层选自于空穴注入层、空穴输运层、发光层、空穴阻挡层、电子输运层、和电子注入层。显示器具有由透明电极或不透明电极形成的上和下电极，从而使显示器具有这种结构，即光从有机层朝着绝缘基板发射或沿着与绝缘基板相反的方向发射，或者既朝着绝缘基板还沿着与绝缘基板相反的方向发射。
当用现有技术生产全色OLED时，R、G和B像素的光学厚度不同，导致色坐标和效率特性恶化。
当用现有技术生产全色OLED时，R、G和B像素的光学厚度不同，导致色坐标和效率特性恶化。
发明内容
本发明通过提供一种制备顶端发射OLED的生产方法解决了前面提及的问题，该方法能够通过用热转印方法形成多个有机层来改进色坐标和效率特性。
在本发明的代表性实施例中，制备OLED的方法包括：在基板上形成R、G和B像素的下电极；在该基板上形成有机层；以及在该有机层上形成上电极。有机层的形成包括在基板整个表面上形成R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层厚度之和的一部分、构图空穴注入层和空穴输运层厚度之和的其余部分以及构图R、G和B像素的发光层。使用具有R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的其余部分以及发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法同时形成R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的其余部分以及发光层。
有机层可以是有机薄层。作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和大约为R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为和R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为最后，每一个厚度具有大约的公差。
有机层可以是有机层。作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和分别大约为和R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为和R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为最后，每一个厚度具有大约的公差。
在根据本发明的另一代表性实施例中，制备OLED的方法包括：在基板上形成R、G和B像素的下电极；在该基板上形成有机层；以及在该有机层上形成上电极。有机层的形成包括在基板整个表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入层、在基板整个表面的上方形成具有R、G和B像素空穴输运层的最小厚度的空穴输运层作为公共层、构图其余像素的空穴输运层以及构图R、G和B像素的发光层。具有最小厚度的R、G和B像素空穴输运层的像素只允许发光层用具有发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法构图，同时其余像素允许空穴输运层和发光层分别用具有空穴输运层和发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法同时形成。
R、G和B像素中包括具有最小厚度的空穴输运层的像素是B像素；作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和分别大约为和R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为和R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为最后，每一个厚度具有大约的公差。
在本发明的代表性实施例中，制备OLED的方法包括：在基板上形成R、G和B像素的下电极；在该基板上形成有机层；以及在该有机层上形成上电极。有机层的形成包括在基板整个表面上形成R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层厚度之和的一部分、构图空穴注入层和空穴输运层厚度之和的其余部分以及构图R、G和B像素的发光层。使用具有R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的其余部分以及发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法同时形成R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的其余部分以及发光层。
有机层可以是有机薄层。作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和大约为R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为和R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为最后，每一个厚度具有大约的公差。
有机层可以是有机层。作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和分别大约为和R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为和R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为最后，每一个厚度具有大约的公差。
在根据本发明的另一代表性实施例中，制备OLED的方法包括：在基板上形成R、G和B像素的下电极；在该基板上形成有机层；以及在该有机层上形成上电极。有机层的形成包括在基板整个表面的上方形成R、G和B像素的空穴注入层、在基板整个表面的上方形成具有R、G和B像素空穴输运层的最小厚度的空穴输运层作为公共层、构图其余像素的空穴输运层以及构图R、G和B像素的发光层。具有最小厚度的R、G和B像素空穴输运层的像素只允许发光层用具有发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法构图，同时其余像素允许空穴输运层和发光层分别用具有空穴输运层和发光层作为转印层的热转印装置通过热转印方法同时形成。
R、G和B像素中包括具有最小厚度的空穴输运层的像素是B像素；作为电荷输运层的R、G和B像素的空穴注入层和空穴输运层的厚度之和分别大约为和R、G和B像素的发光层的厚度分别大约为和R、G和B像素的空穴阻挡层和电子输运层的厚度之和大约为最后，每一个厚度具有大约的公差。
附图说明
通过参考下面的详细描述，同时结合附图进行考虑时，对本发明更加全面的评价和其随之产生的许多优势变得更好理解和显而易见，在附图中相同的附图标记表示相同或相似的元件，其中：
图1是顶端发射OLED的横截面图；
图2是依照本发明第一实施例的OLED的横截面图；
图3A和3B是说明依照本发明第一实施例用热转印方法制备OLED的方法的工序的横截面图；
图4是依照本发明第二实施例的OLED的横截面图；
图5是依照本发明第三实施例的OLED的横截面图；
图6A到6C是说明依照本发明第三实施例用热转印方法制备OLED的方法的工序的横截面图；
图1是顶端发射OLED的横截面图；
图2是依照本发明第一实施例的OLED的横截面图；
图3A和3B是说明依照本发明第一实施例用热转印方法制备OLED的方法的工序的横截面图；
图4是依照本发明第二实施例的OLED的横截面图；
图5是依照本发明第三实施例的OLED的横截面图；
图6A到6C是说明依照本发明第三实施例用热转印方法制备OLED的方法的工序的横截面图；
具体实施方式
下文将参考附图描述本发明的实施例。
图1是顶端发射OLED的横截面图。
参考图1，在绝缘基板100上分离地形成R、G和B像素的阳极电极111、113和115，在该绝缘基板100的上方形成一个有机层或多个有机层，在该一个有机层(或多个有机层)的上方形成阴极电极170。
在具有R、G和B像素的阳极电极111、113和115形成在其上的绝缘基板100整个表面的上方依次形成有机层，例如空穴注入层120和空穴输运层130。分别对应于R、G和B像素的阳极电极111、113和115形成R、G和B像素的发光层141、143和145，在空穴输运层130整个表面的上方依次形成空穴阻挡层150和电子输运层160以覆盖R、G和B像素的发光层141、143和145。
R、G和B像素的发光层(EML)141、143和145具有与每一个R、G和B颜色相称的厚度，并分别形成在R、G和B像素的阳极电极111、113和115的上方.在基板100整个表面的上方形成例如空穴注入层(HIL)120和空穴输运层(HTL)130的电荷输运层，以及例如空穴阻挡层(HBL)150和电子输运层(ETL)160的公共层.
用淀积法在基板100整个表面的上方形成电荷输运层，例如空穴注入层120和空穴输运层130，用使用荫罩的淀积法形成R、G和B像素的发光层141、143和145，用淀积法在基板100整个表面的上方形成公共层，例如空穴阻挡层150和电子输运层160。
图2是依照本发明第一实施例的OLED的横截面图。该OLED包括有机薄层。
参考图2，在基板200上分离地形成R、G和B像素的阳极电极211、213和215作为下电极，在该基板200的上方形成有机层(下面描述)，在该有机层上形成阴极电极270作为上电极。阴极电极270由透明电极或半透明电极构成，从有机层中发出的光沿远离基板200的方向发射。该有机层包括分别对应于R、G和B像素的阳极电极211、213和215构图的R、G和B像素的发光层241、243和245以及在该发光层241、243和245的上面和下面形成的电荷输运层(下面描述)。
电荷输运层包括在R、G和B像素的阳极电极211、213和215与R、G和B像素的发光层241、243和245之间形成的空穴注入层220和空穴输运层230(231，233，235)。此外，电荷输运层还包括在R、G和B发光层241、243和245与阴极电极270之间形成的空穴阻挡层250和电子输运层260。
在R、G和B像素的阳极电极211、213和215与R、G和B像素的发光层241、243和245之间形成的电荷输运层的一部分对应于R、G和B像素的发光层241、243和245构图。
依据本发明的第一实施例，在空穴输运层230和空穴注入层220中，只对空穴输运层230构图。空穴输运层230分别包括R、G和B空穴输运层231、233和235，该R、G和B空穴输运层231、233和235分别包括在基板200整个表面的上方形成的公共层230a以及相应于R和G发光层241和243形成的构图层231b和233b。在基板200整个表面的上方形成公共层230a，R、G和B像素的空穴输运层231、233和235中的一个具有最小的厚度。例如，用淀积法形成公共层230a，从而使B像素的空穴输运层235具有分别相对于R和G像素的空穴输运层231和233最小的厚度。
之后，通过用热转印方法同时对空穴输运层230的构图层231b、233b和发光层241、243、245构图，相应于R、G和B像素的阳极电极211、213和215形成空穴输运层231、233和235的构图层231b、233b以及发光层241、243、245。下面将参考图3A和3B以及表1来描述用热转印法同时对空穴输运层230和发光层241、243、245构图的方法。
<表1>
表1代表当阴极电极270采用具有大约的厚度的铟锡氧化物(ITO)并且用厚层的形式来形成该有机层时，相应于R、G和B像素的光学上最佳化的厚度.在这种情况下，每一层的厚度具有大约的公差。
首先，参考图3A，在基板200整个表面的上方用淀积法形成空穴注入层220，其中该基板220的上面形成R、G和B像素的阳极电极211、213和215，用与形成空穴注入层220所用的淀积法类似的淀积法在空穴注入层220的整个表面上形成空穴输运层230的一部分(即空穴输运层230的公共层230a)。根据具有R、G和B像素空穴输运层230和空穴注入层220的最小厚度之和的像素确定空穴输运层230的公共层230a的淀积厚度和空穴注入层220的淀积厚度。因此，将空穴输运层230的公共层230a和空穴注入层220淀积到大约的厚度，该厚度等于B像素的空穴输运层231与空穴注入层220的厚度之和，如表1中所示。
接下来，准备用来对R空穴输运层231的构图层231b和R发光层241构图的热转印装置310。该热转印装置310包括底部基体311、形成在底部基体311上的光热转换层321、作为转印层的用于形成R空穴输运层231的有机层331以及用于形成R发光层241的有机层341。
参考图3A，将激光400辐射到热转印装置310上，同时对有机层331和341构图以形成构图层231b和发光层241。结果，在R阳极电极211上方的R空穴输运层231的公共层230a上形成了R空穴输运层231的构图层231b和R发光层241。
参考图3B，在本发明的第一实施例中，空穴输运层230包括在基板200整个表面的上方形成的公共层230a以及分别相应于R和G像素的发光层241和243形成的构图层231b和233b。R像素包括具有公共层230a和构图层231b的R空穴输运层231，G像素包括具有公共层230a和构图层233b的G空穴输运层233，B像素包括只具有公共层230a的B空穴输运层235。在这一点上，由于对应于R、G和B像素的空穴输运层230和空穴注入层220的厚度之和如表1中所示彼此不同，因此R和G像素各自的空穴输运层231和233的构图层231b和233b的厚度也彼此不同。
接下来，准备用于对G空穴输运层233的构图层233b和G发光层243构图的热转印装置330。该热转印装置330包括底部基体313、形成在底部基体313上的光热转换层323、作为转印层的用于形成G空穴输运层233的有机层333以及用于形成G发光层243的有机层343。
将激光400辐射到该热转印装置330上，同时对有机层333和343构图以形成构图层和发光层，即以在G阳极电极213上方的空穴输运层230的公共层230a上形成G空穴输运层233的构图层233b和G发光层243。最后，将激光辐射到用于形成B发光层245(图2)的热转印装置(未示出)上，同时对该热转印装置构图。因此，在B像素的阳极电极215上方的公共层230a上形成了该B发光层245。在这一点上，在B像素的情况下，由于B空穴输运层235作为公共层230a已经形成了，所以除用于B空穴输运层235的有机层外，用于B像素的热转印装置只包括用于B发光层245的有机层。
图4是依照本发明第二实施例的OLED的横截面图。
参考图4，在基板400上分离地形成R、G和B像素的阳极电极411、413和415作为下电极，在该基板400的上方形成有机层(下面描述)，在该有机层上形成阴极电极470作为上电极.该阴极电极470由透明电极或半透明电极构成，从有机层中发出的光沿远离该基板400的方向发射.该有机层包括对应于R、G和B像素的阳极电极411、413和415构图的R、G和B像素的发光层441、443和445以及在发光层441、443和445的上面和下面形成的电荷输运层.
该电荷输运层包括在R、G和B像素的阳极电极411、413和415与R、G和B像素的发光层441、443和445之间形成的空穴注入层420和空穴输运层430。此外，该电荷输运层还包括在R、G和B发光层441、443和445与该阴极电极470之间形成的空穴阻挡层450和电子输运层460。
对应于R、G和B像素的发光层441、443和445对形成在R、G和B像素的阳极电极411、413和415(即R、G和B像素的下电极)与发光层441、443和445之间的电荷输运层的一部分构图。
在本发明的第二实施例中，空穴注入层420和空穴输运层430之中，只将空穴输运层430对应于R、G和B像素构图到预定厚度。可以对应于R、G和B像素对空穴输运层430整体构图，或者可以对应于R、G和B像素整体构图空穴注入层420和空穴输运层430，或者可以对应于R、G和B像素构图空穴注入层420的一部分并且可以对应于R、G和B像素对空穴输运层430整体构图。图4说明了对应于R、G和B像素只对空穴输运层430的一部分构图的方法。
空穴输运层430包括在基板400整个表面的上方形成的公共层430a以及分别对应于R、G和B发光层441、443和445形成的构图层431b、433b和435b。R像素包括具有公共层430a和构图层431b的R空穴输运层431，G像素包括具有公共层430a和构图层433b的G空穴输运层433，B像素包括具有公共层430a和构图层435b的B空穴输运层435。
R、G和B像素的空穴输运层430和空穴注入层420的厚度之和成为空穴注入层420与空穴输运层430的公共层430a和R、G和B构图层431b、433b和435b的厚度之和。此外，R、G和B像素构图层431b、433b和435b具有彼此不同的值。在这一点上，当R、G和B像素的空穴注入层420和空穴输运层430的厚度之和分别为yr、yg和yb以及当空穴输运层430的公共层430a与空穴注入层420的厚度之和为x时，则R、G和B像素空穴输运层430的构图层431b、433b和435b的厚度xr、xg和xb分别为yr-x、yg-x和yb-x。例如，当x为时，由于表1中yr、yg和yb分别为和因此xr、xg和xb分别成为和
因此，在本发明的第二实施例中，由R、G和B像素中空穴注入层420与空穴输运层430的最小的厚度之和确定空穴注入层420的构图部分和空穴输运层430的厚度，并且由B像素的空穴注入层420与空穴输运层433的厚度之和确定空穴注入层420的构图部分和空穴输运层430的厚度。也就是说，空穴注入层420的构图部分和空穴输运层430的厚度大于零，且等于或小于空穴注入层420和空穴输运层430的厚度。在这一点上，构图部分的厚度大于零意味着至少对空穴输运层430和空穴注入层420的一部分构图，构图部分的厚度等于空穴注入层420和空穴输运层430的厚度意味着对空穴注入层420和空穴输运层430的整体构图。
用与图3A和3B中示出的第一实施例中相同的方法进行形成有机层的工序，只是用于对B像素的空穴输运层435和发光层445构图的热转印装置还包括用于对空穴输运层435和发光层445构图的两个有机层。
图5是根据本发明第三实施例的OLED的横截面图，该OLED包括有机薄层。
参考图5，在基板500上分离地形成R、G和B像素的阳极电极511、513和515作为下电极，在该基板500的上方形成有机层，在该有机层上形成阴极电极570作为上电极。作为上电极的该阴极电极570由透明电极或半透明电极构成，从该有机层中发出的光沿着远离该基板500的方向发射。该有机层包括对应于R、G和B像素的阳极电极511、513和515构图的R、G和B像素的发光层541、543和545以及在该发光层541、543和545的上面和下面形成的电荷输运层。
该电荷输运层包括在R、G和B像素的阳极电极511、513和515与R、G和B像素的发光层541、543和545之间形成的空穴注入层520和空穴输运层530。此外，该电荷输运层还包括在R、G和B发光层541、543和545与阴极电极570之间形成的空穴阻挡层550和电子输运层560。
在阳极电极511、513和515(即R、G和B像素的下电极)与R、G和B像素的发光层541、543和545之间形成的该电荷输运层的一部分对应于R、G和B像素的发光层541、543和545构图。
在本发明的第三实施例中，空穴注入层520和空穴输运层530之中，只将空穴输运层530对应于R、G和B像素构图到均匀的厚度。可以对应于R、G和B像素对空穴输运层530整体构图，或者可以对应于R、G和B像素对空穴注入层520和空穴输运层530整体构图，或者可以对应于R、G和B像素对空穴注入层520的一部分构图并且对应于R、G和B像素对空穴输运层530整体构图。图5说明了对应于R、G和B像素只对空穴输运层530的一部分构图的方法。
空穴输运层530包括在基板500整个表面的上方形成的公共层530a和分别对应于R、G和B发光层541、543和545形成的构图层531b、533b和535b。R像素包括具有公共层530a和构图层531b的R空穴输运层531，G像素包括具有公共层530a和构图层533b的G空穴输运层533，B像素包括具有公共层530a和构图层535b的B空穴输运层535。
因此，R、G和B像素的空穴输运层530和空穴注入层520的厚度之和成为空穴注入层520以及空穴输运层530的公共层530a和R、G和B构图层531b、533b和535b的厚度之和。在使用有机薄层的第三实施例中，与第二实施例相比，由于R、G和B像素的空穴输运层530和空穴注入层520的厚度如表2中所示是相同的，所以构图层531b、533b和535b的厚度具有相同的值。在这一点上，当R、G和B像素的空穴注入层520和空穴输运层530的厚度之和为y，并且当空穴输运层530的公共层530a和空穴注入层520的厚度之和为x时，R、G和B像素的空穴输运层530的构图层531b、533b和535b的厚度xr、xg和xb均为y-x。例如，当x为时，由于表2中y为所以xr、xg和xb均为
因此，在本发明的第三实施例中，由于由空穴注入层520和空穴输运层530的厚度之和确定空穴注入层520和空穴输运层530构图部分的厚度，所以空穴注入层520和空穴输运层530构图部分的厚度大于零，并等于或小于空穴注入层520和空穴输运层530的厚度。
在这一点中，构图部分的厚度大于零意味着至少对空穴输运层530和空穴注入层520的一部分构图，构图部分的厚度等于空穴注入层520和空穴输运层530的厚度意味着对空穴注入层520和空穴输运层530整体构图。
将参考图6A到6C和表2描述通过用热转印方法同时对空穴输运层530和发光层541、543、545构图的方法来形成有机层的工艺。
<表2>
表2代表当阴极电极570包括具有大约的厚度的ITO并且由薄层来形成该有机层时，对应于R、G和B像素的光学上最佳化的厚度。在这一点上，每一层的厚度具有大约的公差。
首先，参考图6A，在基板500的整个表面上用淀积法形成空穴注入层520，其中该基板520上形成了R、G和B像素的阳极电极511、513和515，用与形成空穴注入层520所用的淀积方法类似的淀积方法在空穴注入层520的整个表面上形成空穴输运层530的一部分(即空穴输运层530的公共层530a)。
接下来，准备用来对R空穴输运层531的构图层531b和R发光层541构图的热转印装置610。该热转印装置610包括底部基体611、在底部基体611上形成的光热转换层621、作为转印层的用于形成R空穴输运层531的有机层631以及用于形成R发光层的有机层641。
将激光700辐射到该热转印装置610上，同时对有机层631和641构图以形成构图层531b和发光层541。结果，在R阳极电极511上方的空穴输运层530的公共层530a上形成了R空穴输运层531的构图层531b和R发光层541。
接下来，如图6B中所示，准备用于对G空穴输运层533的构图层533b和G发光层543构图的热转印装置630。该热转印装置630包括底部基体613、形成在底部基体613上的光热转换层623、作为转印层的用于形成G空穴输运层533的有机层633以及用于形成G发光层543的有机层643。
将激光700辐射到热转印装置630上，同时对有机层633和643构图以形成构图层533b和发光层543。结果，在G阳极电极513上方的空穴输运层530的公共层530a上形成了G空穴输运层533的构图层533b和G发光层543。
最后，如图6C中所示，准备用于对B空穴输运层535的构图层535b和B发光层545构图的热转印装置650。该热转印装置650包括底部基体615、形成在底部基体615上的光热转换层625、作为转印层的用于形成B空穴输运层535的有机层635以及用于形成B发光层545的有机层645。
将激光700辐射到热转印装置650上，同时对有机层635和645构图以形成构图层535b和发光层545。因此，在B阳极电极515上方的公共层530a上形成了B空穴输运层535的构图层535b和发光层545。
虽然本发明的实施例将热转印装置描述为具有这样一种结构，即光热转换层和转印层淀积在底部基体上，但是可以在其间设置用于改进热转印特性的层(例如，中间层等).此外，可以根据工艺条件和装置特性的变化改变表1和2中所述的厚度.
正如从前面的描述中可以看出的，由于用热转印方法同时对电荷输运层和发光层构图，因此本发明的方法能够通过优化依据R、G和B像素的光学厚度而改进色坐标和效率特性，因此改进了显示质量并适用于高分辨率OLED。
虽然参考其特定的实施例对本发明进行了描述，但本领域技术人员将认识到，在不偏离附加的权利要求和其等效物所限定的本发明精神和范围的条件下，可以对本发明进行各种修改和变化。
优先权请求
本申请参考早期于2004年2月19在韩国知识产权局提交的、并且因此正式获得序列号No.2004-11155的“制备有机发光显示器的方法”的申请、在此引入其全部内容作为参考。
图1是顶端发射OLED的横截面图。
参考图1，在绝缘基板100上分离地形成R、G和B像素的阳极电极111、113和115，在该绝缘基板100的上方形成一个有机层或多个有机层，在该一个有机层(或多个有机层)的上方形成阴极电极170。
在具有R、G和B像素的阳极电极111、113和115形成在其上的绝缘基板100整个表面的上方依次形成有机层，例如空穴注入层120和空穴输运层130。分别对应于R、G和B像素的阳极电极111、113和115形成R、G和B像素的发光层141、143和145，在空穴输运层130整个表面的上方依次形成空穴阻挡层150和电子输运层160以覆盖R、G和B像素的发光层141、143和145。
R、G和B像素的发光层(EML)141、143和145具有与每一个R、G和B颜色相称的厚度，并分别形成在R、G和B像素的阳极电极111、113和115的上方.在基板100整个表面的上方形成例如空穴注入层(HIL)120和空穴输运层(HTL)130的电荷输运层，以及例如空穴阻挡层(HBL)150和电子输运层(ETL)160的公共层.
用淀积法在基板100整个表面的上方形成电荷输运层，例如空穴注入层120和空穴输运层130，用使用荫罩的淀积法形成R、G和B像素的发光层141、143和145，用淀积法在基板100整个表面的上方形成公共层，例如空穴阻挡层150和电子输运层160。
图2是依照本发明第一实施例的OLED的横截面图。该OLED包括有机薄层。
参考图2，在基板200上分离地形成R、G和B像素的阳极电极211、213和215作为下电极，在该基板200的上方形成有机层(下面描述)，在该有机层上形成阴极电极270作为上电极。阴极电极270由透明电极或半透明电极构成，从有机层中发出的光沿远离基板200的方向发射。该有机层包括分别对应于R、G和B像素的阳极电极211、213和215构图的R、G和B像素的发光层241、243和245以及在该发光层241、243和245的上面和下面形成的电荷输运层(下面描述)。
电荷输运层包括在R、G和B像素的阳极电极211、213和215与R、G和B像素的发光层241、243和245之间形成的空穴注入层220和空穴输运层230(231，233，235)。此外，电荷输运层还包括在R、G和B发光层241、243和245与阴极电极270之间形成的空穴阻挡层250和电子输运层260。
在R、G和B像素的阳极电极211、213和215与R、G和B像素的发光层241、243和245之间形成的电荷输运层的一部分对应于R、G和B像素的发光层241、243和245构图。
依据本发明的第一实施例，在空穴输运层230和空穴注入层220中，只对空穴输运层230构图。空穴输运层230分别包括R、G和B空穴输运层231、233和235，该R、G和B空穴输运层231、233和235分别包括在基板200整个表面的上方形成的公共层230a以及相应于R和G发光层241和243形成的构图层231b和233b。在基板200整个表面的上方形成公共层230a，R、G和B像素的空穴输运层231、233和235中的一个具有最小的厚度。例如，用淀积法形成公共层230a，从而使B像素的空穴输运层235具有分别相对于R和G像素的空穴输运层231和233最小的厚度。
之后，通过用热转印方法同时对空穴输运层230的构图层231b、233b和发光层241、243、245构图，相应于R、G和B像素的阳极电极211、213和215形成空穴输运层231、233和235的构图层231b、233b以及发光层241、243、245。下面将参考图3A和3B以及表1来描述用热转印法同时对空穴输运层230和发光层241、243、245构图的方法。
<表1>
表1代表当阴极电极270采用具有大约的厚度的铟锡氧化物(ITO)并且用厚层的形式来形成该有机层时，相应于R、G和B像素的光学上最佳化的厚度.在这种情况下，每一层的厚度具有大约的公差。
首先，参考图3A，在基板200整个表面的上方用淀积法形成空穴注入层220，其中该基板220的上面形成R、G和B像素的阳极电极211、213和215，用与形成空穴注入层220所用的淀积法类似的淀积法在空穴注入层220的整个表面上形成空穴输运层230的一部分(即空穴输运层230的公共层230a)。根据具有R、G和B像素空穴输运层230和空穴注入层220的最小厚度之和的像素确定空穴输运层230的公共层230a的淀积厚度和空穴注入层220的淀积厚度。因此，将空穴输运层230的公共层230a和空穴注入层220淀积到大约的厚度，该厚度等于B像素的空穴输运层231与空穴注入层220的厚度之和，如表1中所示。
接下来，准备用来对R空穴输运层231的构图层231b和R发光层241构图的热转印装置310。该热转印装置310包括底部基体311、形成在底部基体311上的光热转换层321、作为转印层的用于形成R空穴输运层231的有机层331以及用于形成R发光层241的有机层341。
参考图3A，将激光400辐射到热转印装置310上，同时对有机层331和341构图以形成构图层231b和发光层241。结果，在R阳极电极211上方的R空穴输运层231的公共层230a上形成了R空穴输运层231的构图层231b和R发光层241。
参考图3B，在本发明的第一实施例中，空穴输运层230包括在基板200整个表面的上方形成的公共层230a以及分别相应于R和G像素的发光层241和243形成的构图层231b和233b。R像素包括具有公共层230a和构图层231b的R空穴输运层231，G像素包括具有公共层230a和构图层233b的G空穴输运层233，B像素包括只具有公共层230a的B空穴输运层235。在这一点上，由于对应于R、G和B像素的空穴输运层230和空穴注入层220的厚度之和如表1中所示彼此不同，因此R和G像素各自的空穴输运层231和233的构图层231b和233b的厚度也彼此不同。
接下来，准备用于对G空穴输运层233的构图层233b和G发光层243构图的热转印装置330。该热转印装置330包括底部基体313、形成在底部基体313上的光热转换层323、作为转印层的用于形成G空穴输运层233的有机层333以及用于形成G发光层243的有机层343。
将激光400辐射到该热转印装置330上，同时对有机层333和343构图以形成构图层和发光层，即以在G阳极电极213上方的空穴输运层230的公共层230a上形成G空穴输运层233的构图层233b和G发光层243。最后，将激光辐射到用于形成B发光层245(图2)的热转印装置(未示出)上，同时对该热转印装置构图。因此，在B像素的阳极电极215上方的公共层230a上形成了该B发光层245。在这一点上，在B像素的情况下，由于B空穴输运层235作为公共层230a已经形成了，所以除用于B空穴输运层235的有机层外，用于B像素的热转印装置只包括用于B发光层245的有机层。
图4是依照本发明第二实施例的OLED的横截面图。
参考图4，在基板400上分离地形成R、G和B像素的阳极电极411、413和415作为下电极，在该基板400的上方形成有机层(下面描述)，在该有机层上形成阴极电极470作为上电极.该阴极电极470由透明电极或半透明电极构成，从有机层中发出的光沿远离该基板400的方向发射.该有机层包括对应于R、G和B像素的阳极电极411、413和415构图的R、G和B像素的发光层441、443和445以及在发光层441、443和445的上面和下面形成的电荷输运层.
该电荷输运层包括在R、G和B像素的阳极电极411、413和415与R、G和B像素的发光层441、443和445之间形成的空穴注入层420和空穴输运层430。此外，该电荷输运层还包括在R、G和B发光层441、443和445与该阴极电极470之间形成的空穴阻挡层450和电子输运层460。
对应于R、G和B像素的发光层441、443和445对形成在R、G和B像素的阳极电极411、413和415(即R、G和B像素的下电极)与发光层441、443和445之间的电荷输运层的一部分构图。
在本发明的第二实施例中，空穴注入层420和空穴输运层430之中，只将空穴输运层430对应于R、G和B像素构图到预定厚度。可以对应于R、G和B像素对空穴输运层430整体构图，或者可以对应于R、G和B像素整体构图空穴注入层420和空穴输运层430，或者可以对应于R、G和B像素构图空穴注入层420的一部分并且可以对应于R、G和B像素对空穴输运层430整体构图。图4说明了对应于R、G和B像素只对空穴输运层430的一部分构图的方法。
空穴输运层430包括在基板400整个表面的上方形成的公共层430a以及分别对应于R、G和B发光层441、443和445形成的构图层431b、433b和435b。R像素包括具有公共层430a和构图层431b的R空穴输运层431，G像素包括具有公共层430a和构图层433b的G空穴输运层433，B像素包括具有公共层430a和构图层435b的B空穴输运层435。
R、G和B像素的空穴输运层430和空穴注入层420的厚度之和成为空穴注入层420与空穴输运层430的公共层430a和R、G和B构图层431b、433b和435b的厚度之和。此外，R、G和B像素构图层431b、433b和435b具有彼此不同的值。在这一点上，当R、G和B像素的空穴注入层420和空穴输运层430的厚度之和分别为yr、yg和yb以及当空穴输运层430的公共层430a与空穴注入层420的厚度之和为x时，则R、G和B像素空穴输运层430的构图层431b、433b和435b的厚度xr、xg和xb分别为yr-x、yg-x和yb-x。例如，当x为时，由于表1中yr、yg和yb分别为和因此xr、xg和xb分别成为和
因此，在本发明的第二实施例中，由R、G和B像素中空穴注入层420与空穴输运层430的最小的厚度之和确定空穴注入层420的构图部分和空穴输运层430的厚度，并且由B像素的空穴注入层420与空穴输运层433的厚度之和确定空穴注入层420的构图部分和空穴输运层430的厚度。也就是说，空穴注入层420的构图部分和空穴输运层430的厚度大于零，且等于或小于空穴注入层420和空穴输运层430的厚度。在这一点上，构图部分的厚度大于零意味着至少对空穴输运层430和空穴注入层420的一部分构图，构图部分的厚度等于空穴注入层420和空穴输运层430的厚度意味着对空穴注入层420和空穴输运层430的整体构图。
用与图3A和3B中示出的第一实施例中相同的方法进行形成有机层的工序，只是用于对B像素的空穴输运层435和发光层445构图的热转印装置还包括用于对空穴输运层435和发光层445构图的两个有机层。
图5是根据本发明第三实施例的OLED的横截面图，该OLED包括有机薄层。
参考图5，在基板500上分离地形成R、G和B像素的阳极电极511、513和515作为下电极，在该基板500的上方形成有机层，在该有机层上形成阴极电极570作为上电极。作为上电极的该阴极电极570由透明电极或半透明电极构成，从该有机层中发出的光沿着远离该基板500的方向发射。该有机层包括对应于R、G和B像素的阳极电极511、513和515构图的R、G和B像素的发光层541、543和545以及在该发光层541、543和545的上面和下面形成的电荷输运层。
该电荷输运层包括在R、G和B像素的阳极电极511、513和515与R、G和B像素的发光层541、543和545之间形成的空穴注入层520和空穴输运层530。此外，该电荷输运层还包括在R、G和B发光层541、543和545与阴极电极570之间形成的空穴阻挡层550和电子输运层560。
在阳极电极511、513和515(即R、G和B像素的下电极)与R、G和B像素的发光层541、543和545之间形成的该电荷输运层的一部分对应于R、G和B像素的发光层541、543和545构图。
在本发明的第三实施例中，空穴注入层520和空穴输运层530之中，只将空穴输运层530对应于R、G和B像素构图到均匀的厚度。可以对应于R、G和B像素对空穴输运层530整体构图，或者可以对应于R、G和B像素对空穴注入层520和空穴输运层530整体构图，或者可以对应于R、G和B像素对空穴注入层520的一部分构图并且对应于R、G和B像素对空穴输运层530整体构图。图5说明了对应于R、G和B像素只对空穴输运层530的一部分构图的方法。
空穴输运层530包括在基板500整个表面的上方形成的公共层530a和分别对应于R、G和B发光层541、543和545形成的构图层531b、533b和535b。R像素包括具有公共层530a和构图层531b的R空穴输运层531，G像素包括具有公共层530a和构图层533b的G空穴输运层533，B像素包括具有公共层530a和构图层535b的B空穴输运层535。
因此，R、G和B像素的空穴输运层530和空穴注入层520的厚度之和成为空穴注入层520以及空穴输运层530的公共层530a和R、G和B构图层531b、533b和535b的厚度之和。在使用有机薄层的第三实施例中，与第二实施例相比，由于R、G和B像素的空穴输运层530和空穴注入层520的厚度如表2中所示是相同的，所以构图层531b、533b和535b的厚度具有相同的值。在这一点上，当R、G和B像素的空穴注入层520和空穴输运层530的厚度之和为y，并且当空穴输运层530的公共层530a和空穴注入层520的厚度之和为x时，R、G和B像素的空穴输运层530的构图层531b、533b和535b的厚度xr、xg和xb均为y-x。例如，当x为时，由于表2中y为所以xr、xg和xb均为
因此，在本发明的第三实施例中，由于由空穴注入层520和空穴输运层530的厚度之和确定空穴注入层520和空穴输运层530构图部分的厚度，所以空穴注入层520和空穴输运层530构图部分的厚度大于零，并等于或小于空穴注入层520和空穴输运层530的厚度。
在这一点中，构图部分的厚度大于零意味着至少对空穴输运层530和空穴注入层520的一部分构图，构图部分的厚度等于空穴注入层520和空穴输运层530的厚度意味着对空穴注入层520和空穴输运层530整体构图。
将参考图6A到6C和表2描述通过用热转印方法同时对空穴输运层530和发光层541、543、545构图的方法来形成有机层的工艺。
<表2>
表2代表当阴极电极570包括具有大约的厚度的ITO并且由薄层来形成该有机层时，对应于R、G和B像素的光学上最佳化的厚度。在这一点上，每一层的厚度具有大约的公差。
首先，参考图6A，在基板500的整个表面上用淀积法形成空穴注入层520，其中该基板520上形成了R、G和B像素的阳极电极511、513和515，用与形成空穴注入层520所用的淀积方法类似的淀积方法在空穴注入层520的整个表面上形成空穴输运层530的一部分(即空穴输运层530的公共层530a)。
接下来，准备用来对R空穴输运层531的构图层531b和R发光层541构图的热转印装置610。该热转印装置610包括底部基体611、在底部基体611上形成的光热转换层621、作为转印层的用于形成R空穴输运层531的有机层631以及用于形成R发光层的有机层641。
将激光700辐射到该热转印装置610上，同时对有机层631和641构图以形成构图层531b和发光层541。结果，在R阳极电极511上方的空穴输运层530的公共层530a上形成了R空穴输运层531的构图层531b和R发光层541。
接下来，如图6B中所示，准备用于对G空穴输运层533的构图层533b和G发光层543构图的热转印装置630。该热转印装置630包括底部基体613、形成在底部基体613上的光热转换层623、作为转印层的用于形成G空穴输运层533的有机层633以及用于形成G发光层543的有机层643。
将激光700辐射到热转印装置630上，同时对有机层633和643构图以形成构图层533b和发光层543。结果，在G阳极电极513上方的空穴输运层530的公共层530a上形成了G空穴输运层533的构图层533b和G发光层543。
最后，如图6C中所示，准备用于对B空穴输运层535的构图层535b和B发光层545构图的热转印装置650。该热转印装置650包括底部基体615、形成在底部基体615上的光热转换层625、作为转印层的用于形成B空穴输运层535的有机层635以及用于形成B发光层545的有机层645。
将激光700辐射到热转印装置650上，同时对有机层635和645构图以形成构图层535b和发光层545。因此，在B阳极电极515上方的公共层530a上形成了B空穴输运层535的构图层535b和发光层545。
虽然本发明的实施例将热转印装置描述为具有这样一种结构，即光热转换层和转印层淀积在底部基体上，但是可以在其间设置用于改进热转印特性的层(例如，中间层等).此外，可以根据工艺条件和装置特性的变化改变表1和2中所述的厚度.
正如从前面的描述中可以看出的，由于用热转印方法同时对电荷输运层和发光层构图，因此本发明的方法能够通过优化依据R、G和B像素的光学厚度而改进色坐标和效率特性，因此改进了显示质量并适用于高分辨率OLED。
虽然参考其特定的实施例对本发明进行了描述，但本领域技术人员将认识到，在不偏离附加的权利要求和其等效物所限定的本发明精神和范围的条件下，可以对本发明进行各种修改和变化。
优先权请求
本申请参考早期于2004年2月19在韩国知识产权局提交的、并且因此正式获得序列号No.2004-11155的“制备有机发光显示器的方法”的申请、在此引入其全部内容作为参考。