有机电致发光显示器件及其制造方法

摘要

有机电致发光显示器件包括薄膜晶体管、第一电极层、第二电极层和有机层。薄膜晶体管包括半导体层、放置在半导体层之上的栅电极、和与栅电极绝缘的源电极和漏电极。第一电极层耦合到源电极或漏电极，第一电极层和栅电极放置在同一层上。第二电极层放置在第一电极层上方，并且至少包含发光层的有机层放置在第一电极层与第二电极层之间。

权利要求

1.一种有机电致发光显示器件，包括：

薄膜晶体管，包括：

放置在衬底之上的半导体层；

放置在半导体层上的栅电极；以及

耦合到半导体层的源区的源电极和耦合到半导体层的漏区的漏电极；

第一电极层，耦合到源电极或漏电极，并放置在与栅电极相同的层上，第一电极的所有部分具有与栅电极相同的层结构；

第二电极层，放置在第一电极层上；以及

有机层，放置在第一电极层与第二电极层之间并至少包括发光层，其中有机层的上表面比源电极或漏电极的上表面低，还包括：

耦合到源电极的第一信号线；和

耦合到漏电极的第二信号线，

其中有机层的上表面比第一信号线或第二信号线的上表面低；

放置在栅电极与源电极和漏电极之间的第二绝缘体，在第二绝缘体中形成有用于将源电极和漏电极分别耦合到半导体层的源区和漏区的接触孔，其中第一电极层被放置在第二绝缘体的开口区域中，并且被完全暴露。

2.权利要求1的有机电致发光显示器件，还包括放置在半导体层与栅电极层之间的第一绝缘体，其中第一电极层和栅电极放置在第一绝缘体上。

3.权利要求1的有机电致发光显示器件，其中第一电极层包含金属材料。

4.权利要求3的有机电致发光显示器件，其中第一电极层包括选自包含Mo、MoW、Cr、Ni、Al、Al合金、Ag、ITO和IZO的组中的至少一种。

5.权利要求4的有机电致发光显示器件，其中：第一电极层包括第一层和第二层；

第一层包括选自包含Mo、MoW、Cr、Ni、Al、Al合金和Ag的组中的至少一种；以及第二层包括选自包含ITO和IZO的组中的至少一种。

6.权利要求3的有机电致发光显示器件，其中栅电极由与第一电极层相同的材料形成。

7.权利要求4的有机电致发光显示器件，其中栅电极由与第一电极层相同的材料形成。

8.权利要求1的有机电致发光显示器件，还包括：像素限定层，覆盖薄膜晶体管并暴露第一电极层的一部分，其中有机层放置在暴露的第一电极层的一部分上。

9.一种制造有机电致发光显示器件的方法，包括：形成半导体层；

形成覆盖半导体层的第一绝缘体；

在第一绝缘体上同时形成栅电极和第一电极层，第一电极的所有部分具有与栅电极相同的层结构；

形成第二绝缘体，该第二绝缘体覆盖第一绝缘体和栅电极并具有延伸到半导体层的两个接触孔，其中第一电极层被放置在第二绝缘体的开口区域中，并且被完全暴露；以及在第二绝缘体上形成分别通过接触孔接触半导体层的源电极和漏电极，使得源电极和漏电极中的一个连接第一电极层，其中当形成源电极和漏电极时，形成耦合到源电极的第一信号线和耦合到漏电极的第二信号线，并将有机层的上表面形成得比源电极、漏电极、第一信号线和第二信号线的上表面低。

10.权利要求9的方法，其中第一电极层包含金属材料。

11.权利要求10的方法，其中栅电极和第一电极层包括选自包含Mo、MoW、Cr、Ni、Al、Al合金、Ag、ITO和IZO的组中的至少一种。

12.权利要求11的方法，其中栅电极和第一电极层包括第一层和第二层；

其中第一层包括选自包含Mo、MoW、Cr、Ni、Al、Al合金和Ag的组中的至少一种；以及其中第二层包括选自包含ITO和IZO的组中的至少一种。

13.权利要求9的方法，还包括：

形成覆盖第二绝缘体、源电极、漏电极和第一电极层的像素限定层；以及图形化像素限定层以暴露第一电极层的至少一部分。

14.权利要求13的方法，还包括：

在第一电极层的暴露部分上形成有机层，其中该有机层至少具有发光层；以及在该有机层上形成第二电极层。

15.一种制造有机电致发光显示器件的方法，该显示器件包括放置在图像区中的多个成像晶体管和放置在围绕图像区的非图像区中的多个控制晶体管，该方法包括：使用第一图形掩模形成第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和第四半导体层；

在第一、第二、第三和第四半导体层上形成第一绝缘体之后，使用第一离子和第二图形掩模对第一、第二、第三和第四半导体层中至少一个的两端进行第一离子掺杂；

使用第三图形掩模在第一绝缘体上形成与第一、第二、第三和第四半导体层中的每一个对应的栅电极，并且在要放置发光层的区域中形成第一电极层，第一电极的所有部分具有与栅电极相同的层结构；

使用第四图形掩模对第一、第二、第三和第四半导体层中至少一个的两端进行第二离子掺杂；

在第一绝缘体和第一电极层上形成第二绝缘体；

使用第五图形掩模在第二绝缘体中形成延伸到离子掺杂区的接触孔，并除去第二绝缘体的放置在第一电极层上的部分，以使所述第一电极层完全暴露；

使用第六图形掩模在第二绝缘体上形成延伸通过接触孔的源电极和漏电极，使得源电极或漏电极接触第一电极层；以及在源电极和漏电极上形成整平层之后使用第七图形掩模图形化像素限定区，其中当形成源电极和漏电极时，形成耦合到源电极的第一信号线和耦合到漏电极的第二信号线，并将有机层的上表面形成得比源电极、漏电极、第一信号线和第二信号线的上表面低。

说明书

有机电致发光显示器件及其制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及有机电致发光显示器件和制造有机电致发光显示器件的方法，具体涉及一种有机电致发光显示器件，其中同时图形化驱动晶体管的栅电极和有机电致发光器件的电极，由此减少了制造过程中使用的掩模的数量。

背景技术

[0002] 本申请要求2004年2月26日申请的韩国专利申请No.10-2004-0013005的优先权和利益，为了参考的目的，在此以引用的形式并入。

[0003] 通常，电致发光显示器件是其中荧光有机化合物受电激励而发光的自发射显示器。这些显示器件在低电压下工作，由薄膜形成，并具有广阔视角和快速响应。因此，被视为取代液晶显示器件的下一代显示器。

[0004] 根据发光层是包含无机还是有机材料，可将电致发光显示器件分为无机或有机器件。

[0005] 有机电致发光显示器件包括有机膜，其按预定的图形形成在透明绝缘衬底(例如玻璃)上的电极层之间。

[0006] 在有机电致发光显示器件中，将电压施加到阳极引起空穴经空穴输运层从阳极迁移到发光层，将电压施加到阴极引起电子经电子输运层从阴极迁移到发光层。电子和空穴在发光层中复合产生激子，当激子从激发态跃迁到基态时，发光层的荧光分子发光，由此形成图像。

[0007] 有源矩阵(AM)有机电致发光显示器件包括每个像素至少两个薄膜晶体管(TFT)。一个TFT用作控制像素工作的开关器件，另一个用作驱动像素的驱动器件。

[0008] TFT包括：具有掺杂有高浓度杂质的漏和源区和具有形成在漏和源区之间的沟道区的半导体层；形成在半导体层上的栅绝缘体；形成在沟道区上方的栅绝缘体上的栅电极；和分别经接触孔连接到漏区和源区的漏电极和源电极。层间绝缘体插入在漏电极和源电极与栅电极之间。

[0009] 图1显示有机电致发光显示器件100的有效显示区110和非有效显示区120。图2是形成在有效显示区110中的图像显示晶体管单元300和形成在非有效显示区120中的驱动信号控制晶体管单元200的电路图。

[0010] 驱动信号控制晶体管单元200可以包括各种晶体管逻辑电路的组合，它通过扫描线传输驱动信号以触发图像显示晶体管单元300的开关晶体管TFTsw310。

[0011] 图像显示晶体管单元300包括至少一个开关晶体管TFTsw310、至少一个驱动晶体管TFTdr320、和可再充电的电容器Cst。通过扫描信号Scan驱动开关晶体管TFTsw310，该晶体管HFTsw310传输施加到数据线的数据信号Data。驱动晶体管TFTdr根据通过开关晶体管TFTsw传输的数据信号，即，根据栅极与源极之间的电压差(Vgs)确定经驱动线Vdd流入有机电致发光器件OLED的电流量。可再充电电容器 Cst存储在一帧中通过开关晶体管TFTsw传输的数据信号。

[0012] 制造上述有机电致发光显示器件的常规方法需要10个掩模。使用如此多的掩模延长了制造过程并使制造过程复杂化，由此导致较高的制造成本。

发明内容

[0013] 本发明提供了一种利用较少图形掩模的有机电致发光器件的制造方法，目的是经济、快速地制造这种器件。

[0014] 本发明也提供了一种具有改善的发光效率的有机电致发光器件。

[0015] 在下面的描述中将阐述本发明的另外特征，这些特征中的部分可从描述中明显获知，或通过本发明的实施来得知。

[0016] 本发明公开了一种包括薄膜晶体管的有机电致发光显示器件，所述薄膜晶体管包括放置在衬底上方的半导体层、放置在半导体层上方的栅电极、分别与半导体层的源和漏区耦合的源电极和漏电极。第一电极层耦合到源电极和漏电极的中一个，并放置在与栅电极相同的层上。第二电极层放置在第一电极层上，有机层放置在第一电极层与第二电极层之间，并且至少包括发光层。

[0017] 本发明还公开了一种制造有机电致发光显示器件的方法，包括通过形成放置在衬底上的半导体层、放置在半导体层上的栅电极、以及耦合到半导体层的源区的源电极和耦合到半导体层漏区的漏电极而形成薄膜晶体管。第一电极层形成在与栅电极相同的层上并耦合到源电极或漏电极。有机层形成在第一电极层与第二电极层之间，并且有机层至少具有发光层。

[0018] 本发明还公开了一种制造有机电致发光显示器件的方法，该有机电致发光显示器件包含放置在由显示衬底限定的成像区中的多个成像晶体管以及放置在围绕成像区的非成像区中的控制晶体管。该方法包括：通过使用第一图形掩模图形化形成在显示衬底上的半导体薄膜，形成第一半导体层、第二半导体层、第三半导体层和第四半导体层；在第一、第二、第三、和第四半导体层上形成第一绝缘体之后，使用第一离子和第二图形掩模对第一、第二、第三、和第四半导体层的至少之一的两端进行第一离子掺杂；使用第三图形掩模，在第一绝缘体上形成对应于第一、第二、第三、和第四半导体层的栅电极，并且在要放置发光层的预定部分中形成第一电极层；使用第四图形掩模对第一、第二、第三、和第四半导体层的至少之一的两端进行第二离子掺杂；使用第五图形掩模在形成在第一绝缘体上的第二绝缘体中形成延伸到离子掺杂区的接触孔，并且移除放置在第一电极层上的第二绝缘体的一部分；使用第六图形掩模在第二绝缘体上形成延伸通过接触孔的源电极和漏电极，使得源电极和漏电极中的一个耦合到第一电极层；以及在源电极和漏电极上形成整平层(planarizing layer)之后，使用第七图形掩模图形化像素限定区。

[0019] 应当理解上面主要描述和下面详细说明是示例性和解释性的，并且旨在对权利要求所限定的本发明进行进一步说明。

附图说明

[0020] 包含以提供对本发明的进一步理解并并入和构成说明书一部分的附图展示了本发明的实施例，并同说明书一起用于解释本发明的原理。

[0021] 图1是显示有机电致发光显示器件的有效显示区和非有效显示区的示意图。

[0022] 图2是显示在图1的有机电致发光显示器件中形成在有效显示区中的图像显示晶体管单元和形成在非有效显示区中的驱动信号控制晶体管单元的简化电路图。

[0023] 图3是常规有机电致发光显示器件的截面图。

[0024] 图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11是显示制造常规有机电致发光显示器件的方法的截面图。

[0025] 图12是根据本发明的示范性实施例的有机电致发光显示器件的截面图。210、220、310、和320的区域中分别地形成具有预定区域的多个半导体层242、243、311、和321。

[0026] 形成在非有效显示区域120中的TFT210和220分别包括N型半导体层242和P型半导体层243。形成在有效显示区域110中的薄膜晶体管310和320分别包括第一半导体层311和第二半导体层321。参照图5，在使用第一图形掩模形成半导体层311和321之后，在缓冲层410和半导体层242、243、311、和321上形成预定厚度的第一绝缘体420。

[0027] 在第一绝缘体420的上表面上形成使用第二图形掩模图形化的多个离子阻挡层244、245、312、和322。使用离子注入设备和N型掺杂剂对没有被离子阻挡层244、245、312、和322遮蔽的半导体层242、243、311、和321的部分进行离子掺杂，由此形成离子掺杂区
246、313、和324。

[0028] 参照图6，在完成离子掺杂之后除去离子阻挡层244、245、312、322。在第一绝缘体420上沉积预定厚度的导电栅材料以形成栅薄膜，并使用第三图形掩模图形化该导电栅材料，由此形成栅电极247、248、314、和325。另外，使用栅薄膜的一部分形成可再充电电容器Cst的第一电极331。

[0029] 参照图7，使用第四图形掩模，在栅电极247、314和325、第一电极331和第一绝缘体420上形成光致抗蚀剂图形250。在与栅电极248邻近的区域上不形成光致抗蚀剂图形。然后，用P型掺杂剂对半导体层243进行离子掺杂，由此在P型半导体层243中形成离子掺杂区域251。

[0030] 参照图8，在除去光致抗蚀剂图形250之后，在第一绝缘体420、第一电极331和栅电极247、248、314和325上形成预定厚度的第二绝缘体430。使用第五图形掩模图形化第二绝缘体430以在分别与N型半导体层242的离子掺杂区246、P型半导体层243的离子掺杂区251、第一半导体层311的离子掺杂区313和第二半导体层321的离子掺杂区324的上表面相对应的第一和第二绝缘体420和430的部分中形成接触孔431、432、433、434、435、436、437和438。

[0031] 参照图9，当填充接触孔431、432、433、434、435、436、437和438时，在第二绝缘体430上形成预定厚度的源/漏金属层440。使用第六图形掩模图形化源/漏金属层440。

[0032] 形成在第一电极331上的漏电极445的一部分充当可再充电电容器Cst的[0033] 图13、图14、图15、图16、图17是显示根据本发明的示范性实施例的制造有机电致发光显示器件的方法的截面图。

具体实施方式

[0034] 图3是显示包括驱动晶体管TFTdr的常规有机电致发光显示器件的一部分的截面图。参照图3，在玻璃衬底400上顺序形成缓冲层410、TFT、和OLED。

[0035] 可以采用下面的方式制造图3的有机电致发光显示器件。

[0036] 首先，在衬底400上形成缓冲层410。在缓冲层410上以预定的图形形成半导体层51。在半导体层51上形成由诸如SiO2的材料形成的栅绝缘体420，并在栅绝缘体420的上表面的预定部分上形成栅电极53，栅电极53可以由如MoW或Al/Cu的材料形成。栅电极
53耦合到向TFT提供开/关信号的栅线(未显示)。在栅电极53上形成中间绝缘体430。
源电极和漏电极440分别通过接触孔接触半导体层51的源区和漏区52。在源电极和漏电极440上形成钝化层460，在钝化层460上形成整平层461。钝化层460包括SiO2或SiNx，整平层461包括有机材料，例如丙烯、聚酰亚胺、或BCB。

[0037] 可以使用光刻或打孔在钝化层460和整平层461中形成延伸到源电极和漏电极440的通孔44a和45a。第一电极层61(作为阳极电极)形成在整平层461上并耦合到源电极和漏电极440。形成有机像素限定层46以覆盖第一电极层61。在像素限定层46中形成预定开口46a，在由开口46a限定的区域中形成包括发光层的有机层62。形成第二电极层63(作为阴极电极)以覆盖有机层62。空穴和电子注入到放置在第一电极层61与第二电极层63之间的有机层62的一部分以发光。

[0038] 在非有效显示区120中形成用作驱动集成电路(IC)的驱动信号控制晶体管单元200，并可以同时形成图像显示晶体管单元300。

[0039] 图4、图5、图6、图7、图8、图9、图10和图11显示了制造过程，其中在非有效显示区域120中形成控制晶体管TFTctl210和220，并在有效显示区域110中形成开关晶体管TFTsw3 10、驱动晶体管TFTdr320、和可再充电电容其Cst。

[0040] 参照图4，在显示衬底400的整个上表面上形成缓冲层410，在缓冲层410上形成预定厚度的多晶硅薄膜层。

[0041] 在多晶硅薄膜层上形成光致抗蚀剂薄膜。在对应于多个随后形成的TFT第二电极，夹在漏电极445与第一电极331之间的第二绝缘体430充当电介质。如图2中所示，可再充电电容器Cst的第二电极的一部分耦合到第二晶体管320的栅电极，第二晶体管320的源电极耦合到驱动线Vdd。

[0042] 参照图10，在源/漏金属层440和第二绝缘体430上形成钝化层460，然后使用第七图形掩模对其构图以形成第一通孔44a。在钝化层460上形成整平层461并使用第八图形掩模对其构图，以形成连接到第一通孔44a的第二通孔45a。

[0043] 参照图11，使用第九图形掩模在整平层461上形成阳极层61，以便第一电极层61经第一通孔44a和第二通孔45a耦合到源电极或漏电极440。接着使用第十掩模在第一电极层61上形成由诸如丙烯、BDB或聚酰胺的材料形成的像素限定层(PDL)46。在形成PDL46之后，干法涂敷有机层62和阴极层63以完成有机电致发光显示器件。

[0044] 在下文中，参照附图说明本发明的示范性实施例。

[0045] 图12是根据本发明的示范性实施例的有机电致发光显示器件的截面图。具体地，图12显示包括驱动晶体管TFTdr和与其连接的像素限定区域的有机电致发光显示器件的一部分。

[0046] 参照图12，缓冲层410形成在显示衬底400上，半导体层51、栅电极53以及源和漏电极456和457放置在缓冲层410的上表面上。

[0047] 第一绝缘体420放置在半导体层51与栅电极53之间。第二绝缘体430放置在栅电极53与源电极456和漏电极457之间。源电极456和漏电极457分别通过接触孔耦合到半导体层51的源区和漏区52。

[0048] 有机电致发光器件OLED的第一电极层61可作为阳极形成在第一绝缘体420上。第一电极层61接触源电极456或者漏电极457。因此，与传统电致发光显示器件不同，根据本发明的示范性实施例的电致发光显示器件不具有耦合OLED和驱动晶体管TFTdr的通孔。
由于第一电极层61和栅电极53可包括相同的材料，它们可以同时形成，由此缩短了制造过程。如上所述，驱动TFT的源电极或漏电极可以耦合到OLED。在图12中所示的实施例中，漏电极457耦合到OLED。

[0049] 在第一电极层61上顺序地沉积有机层62和第二电极层63以完成OLED，当第一电极层61用作阳极时，第二电极层63充当阴极。

[0050] 放置在栅电极53与源电极和漏电极456和457之间的第二绝缘体430可以分成被第一电极层61分开的两个区域。因此，形成在第二绝缘体430上的源电极456和漏电极457可以放置在第一电极层61上。如果有机层62的一部分不在源电极和漏电极456和457的高度h上方延伸，则从有机层62侧向发射的光会从源电极或漏电极456和457一侧反射，或从耦合到源电极或漏电极456和457的信号线的侧部反射，这增强了发光效率。例如，有机层62邻近源电极或漏电极456和457、图2的数据线Data、或图2的驱动线Vdd放置，它们全部放置在第二绝缘体430上。

[0051] 因此，邻近的数据线Data和邻近的驱动线Vdd或源电极或漏电极456或457反射从有机层62发出的光，这可以提高有机电致发光显示器件的亮度。

[0052] 第一电极层61和/或栅电极53可以是将向衬底400发射的光反射到有机层62的含有金属的反射电极。第一电极层61和/或栅电极53可以包括具有高功函数的Mo、MoW、Cr、Ni、Al、Al合金、Ag、ITO和IZO中的至少一种。第一电极层61和/或栅电极53可包括两层或三层，这两层或三层中含有：包括至少一种低电阻金属的一层，所述低电阻金属是例如Mo、MoW、Cr、Ni、Al、Al合金、或Ag；和包括至少ITO和IZO中的一种的另一层。

[0053] 包括发光层的有机层62放置在第一电极层61与第二电极层63之间。有机层62可以是低分子有机层或聚合物有机层。如果有机层为低分子有机层，那么它可以包括空穴注入层(HIL)、空穴输运层(HTL)、有机发射层(EML)、电子输运层(ETL)、电子注入层(EIL)或者它们的的复合结构。在这种情况下，有机层62可包括酞菁铜(CuPc)、N，N’-二(萘-1-基)N，N′-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)或其它类似物质。
使用干法沉积方法形成低分子有机层。

[0054] 聚合物有机层包括HTL和EML。HTL可以包括亚乙基硫代噻吩(PEDOT)，EML可以包括聚亚苯基亚乙烯(PPV)、聚芴、或其它类似物质。可以使用丝网印刷、喷墨印刷、或其它类似方法形成聚合物有机层。

[0055] 由于有机层可以有许多形式，所以有机层不局限于上面的描述。

[0056] 可以使用比常规少的掩模制造根据本发明的示范性实施例的有机电致发光显示器件，并可增强其发光效率。现在描述根据本发明的示范性实施例的制造有机电致发光显示器件的方法。

[0057] 将有效显示区110和非有效显示区120可以如图1中所示分开，图像显示晶体管单元300和驱动信号控制晶体管单元200可以具有与图2的电路图中相同的连接。

[0058] 图像显示晶体管单元300可以包括每象素至少一个开关晶体管WFWsw，驱动晶体管WFTdr、和可再充电电容器Cst中至少一个。每个象素可以耦合到扫描线Scan、数据线Data、和驱动线Vdd。图像显示晶体管单元300可具有另外的TFT和电容器。

[0059] 在图13、14、15、16和17中，当在有效显示区域110中形成开关晶体管TFT。3lO、驱动晶体管TFTcb320和可再充电电容器Cst时，可以在非有效显示区120中形成控制晶体管210和220。

[0060] 参照图13，可以在具有预定区域的显示衬底400的整个表面上形成缓冲层410。

[0061] 如果显示衬底400具有碱性，那么缓冲层410阻止不纯离子从显示衬底400扩散到形成在其上的TFT。另一方面，如果显示衬底400不含碱，那么就可以省去缓冲层410。可以使用各种方法(例如等离子体增强化学气相淀积(PECVD)、大气压化学气相淀积(APCVD)、低压化学气相淀积(LPCVD)、和电子回旋共振(ECl{))沉积约 厚的包括siO2=或其它类似物质的缓冲层410。

[0062] 可以使用各种方法在缓冲层410或显示衬底400上形成约 厚的多晶硅薄膜层。例如，通过剃晶(razor crystal)工艺将形成在显示衬底400或缓冲层410上的非晶硅转变为多晶硅。或者，可直接在显示衬底400或缓冲层410上形成多晶硅。

[0063] 在多晶硅薄膜层上形成光致抗蚀剂薄膜。然后，使用第一图形掩模，在对应于TFT210、220、310和320的区域中形成具有预定区域的半导体层242、243、311和321。

[0064] 待形成在非有效显示区120中的两个TFT是N型晶体管210和P型晶体管220。待形成在有效显示区110中的两个TFT分别是开关晶体管TFTsw31O和驱动晶体管TFTdr320。
N型晶体管210包括N型半导体层242，P型晶体管220包括P型半导体层243，开关晶体管TFTJlO包括第一半导体层311，以及驱动晶体管TFTdr320包括第二半导体层321。在形成半导体层242、243、311和321之后，使用图5中所示的工艺在缓冲层410和半导体层242、
243、311和321上形成预定厚度的第一绝缘体420。

[0065] 作为栅绝缘体的第一绝缘体420使半导体层242、243、311和321与形成在第一绝缘体420上表面上的栅电极247、2483 14和325绝缘。

[0066] 与图5中所示的工艺相似，可以在第一绝缘体420的上表面上形成用第二图形掩模进行图形化的离子阻挡层244、245、312和322。然后，使用离子注入设备和N型掺杂剂进行高密度离子掺杂，以对没有被离子阻挡层244、245、312和322遮蔽的半导体层242、243、311和321的部分进行离子掺杂，从而形成离子掺杂区246、313和324。

[0067] 在除去离子阻挡层244、245、312和322之后，可以在第一绝缘体420上沉积预定厚度的导电金属材料以形成栅薄膜和第一电极层。然后使用第三图形掩模图形化栅薄膜和第一电极层，由此形成栅电极247、248、314和325、可再充电电容器Cst的第一电极331、和OLED的第一电极层61。

[0068] 如果需要，可以与栅电极247、248、314和325和第一电极层61同时形成可再充电电容器Cst的第一电极331。

[0069] 栅电极247、248、314和325和第一电极层61可以包括具有高功函数的金属性材料。如果栅电极247、248、3 14和325和第一电极层61由单层膜形成，那么该单层膜可以包括Mo、MoW、Cr、Ni、Al、Al合金、Ag、ITO和IZO中至少一种。栅电极247、248、314和325和第一电极层61也可以形成为两层或三层，其中一层包括至少一种低电阻金属，例如Mo、MoW、Cr、Ni、Al、Al合金或Ag，且另外一层包括至少一种高功函数金属，例如ITO或IZO。

[0070] 参照图14，在图形化栅电极247、248、314和325和第一电极层61之后，利用光致抗蚀剂图形250并利用P型掺杂剂对P型半导体层243进行离子掺杂，所述光致抗蚀剂图形250使用第四图形掩模形成。结果，P型半导体层243被离子掺杂以形成离子掺杂区251。

[0071] 参照图15，除去光致抗蚀剂图形250，在第一绝缘体420、栅电极247、248、314和325、第一电极层61、和第一电极331上形成预定厚度的第二绝缘体430。使用第五图形掩模图形化第二绝缘体430，以形成延伸到N型半导体层242的离子掺杂区246、P型半导体层的离子掺杂区251、第一和第二半导体层311和321的离子掺杂区313和324的接触孔
431、432、433、434、435、436、437和438。形成第五图形掩模，以便为了形成发光区从第一电极层61上方除去第二绝缘体430。

[0072] 参照图16，可以在第二绝缘体430上和在接触孔431、432、433、434、435、436、437和438中沉积预定厚度的导电源/漏金属，以形成源/漏金属层440。使用第六图形掩模图形化源/漏金属层440以形成开关晶体管TFTsw310的源电极444和漏电极445，和驱动晶体管TFTdr320的源电极456和漏电极457。形成第六图形掩模，以便从第一电极层61除去源/漏金属层440的一部分，由此允许第一电极层61接触源电极456或漏电极457。图16显示其中第一电极层61接触漏电极457的实施例。

[0073] 放置在可再充电电容器Cst330的第一电极311上方的漏电极445的一部分可以充当可再充电电容器Cst的第二电极，夹在漏电极445与第一电极311之间的第二绝缘体430的一部分作为电介质。根据电路设计，可再充电电容器Cst的第二电极的一部分可以耦合到驱动TFTdr320的栅电极325，并且驱动TFTdr320的源电极456可以耦合到驱动线Vdd(图2)。

[0074] 参照图17，在第二绝缘体430、第一电极层61和源/漏材料层440上形成整平层46之后，使用第七图形掩模除去整平层46的一部分以暴露第一电极层61，由此形成OLED的开口区。换句话说，图形化发光层以暴露第一电极61，由此形成具有整平层46的像素限定区。

[0075] 形成包括发光层的有机层62以覆盖暴露的第一电极层61的部分表面或整个表面。第二电极层63覆盖有机层62以完成OLED。

[0076] 根据电流发射红、绿、或蓝光的0LED包括第一电极层61、第二电极层63、和放置在其间的有机层62。第二电极层63可以覆盖整个像素。

[0077] 第一电极层61为阳极电极，且第二电极层63为阴极电极。另一方面，第一电极层61为阴极电极，且第二电极层63为阳极电极。

[0078] 根据本发明的示范性实施例的有机电致发光显示器件的制造方法与传统技术相比使用了较少的掩模。因此，本发明的制造方法更快速且更便宜。

[0079] 在根据本发明的示范性实施例的有机电致发光显示器件中，源/漏电极或连接源/漏电极的信号线将从有机层侧向发出的光反射到形成图像的区域。结果，增强了发光效率，这使得功耗减少。功耗的减少阻止了有机层的恶化，由此增强了器件的使用寿命。

[0080] 不脱离本发明的精神或范围进行各种修改和变化对于本领域的技术人员来说是显而易见的。因而，本发明覆盖落入在所附权利要求和其等效物范围内的对本发明的修改和改变。例如，在上述实施例中，有效显示区110的像素包括两个TFT，而本发明不局限于此。也就是说，像素可包括多个TFT。换句话说，即使在附图中仅有两个TFT放置在像素中，但根据电路设计可以有更多的TFT放置在实际平面结构中。