掺杂的有机半导体材料以及其制备方法转让专利
申请号 : CN03800995.1
文献号 : CN1698137B
文献日 : 2012-09-05
发明人 : 安斯加尔·维尔纳 , 梅尔廷·普法伊费尔 , 托尔斯滕·弗里茨 , 卡尔·利奥
申请人 : 诺瓦莱德公开股份有限公司
摘要 :
权利要求 :
1.具有增大的载流子密度和有效的载流子迁移率的掺杂有机半导体材料,其是通过采用由一个或多个有机分子基团A和至少一个其他的结合配对物B组成的化合物对有机半导体材料进行掺杂而获得的,其中在通过至少一个有机分子基团A或者通过至少一个分子基团A和另一原子或分子的反应产物从所述化合物失去至少一个有机分子基团A之后得到所期望的掺杂效果,所述有机分子基团A作为阳离子或阴离子存在于所述掺杂的半导体材料中。
2.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述至少一个其他的结合配对物B是与A相同的分子基团。
3.按照权利要求1或2的掺杂有机半导体材料,其中所述另外的结合配对物B是分子基团,原子或离子。
4.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中在所述化合物中的分子基团A是单一或多个带电荷的阳离子或阴离子。
5.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于一个或多个吡啶鎓单元。
6.按照权利要求5的掺杂有机半导体材料,其中所述一个或多个吡啶嗡单元是一个或多个多核的杂环的一部分。
7.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A来自于以下结构其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基,磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
8.按照权利要求7的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
9.按照权利要求7的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
10.按照权利要求7的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个甲基或乙基。
11.按照权利要求7的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个甲氧基。
12.按照权利要求7的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
13.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于一个或多个以下单元:吡咯鎓-,吡喃鎓-,噻唑鎓-,二嗪鎓-,thininium-,二唑鎓-,噻二唑鎓-,四唑鎓-或二硫代鎓单元。
14.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述一个或多个吡咯鎓-,吡喃鎓-,二嗪鎓-,thininium-,二唑鎓-,噻唑鎓-,噻二唑鎓-,四唑鎓-或二硫代鎓单元作为一个或多个多核杂环的部分。
15.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于一个或多个硼杂苯单元。
16.按照权利要求15的掺杂有机半导体材料,其中所述一个或多个硼杂苯单元是一或多个多核杂环的部分。
17.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A是阳离子染料,阴离子染料或一些其它有机盐。
18.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A1或相应的无色母体A2其中,
X是CR4,SiR4,GeR4,SnR4,PbR4,N或P,R1,R2,R3和R4各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基,磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
19.按照权利要求18的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
20.按照权利要求18的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
21.按照权利要求18的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个甲基或乙基。
22.按照权利要求18的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个甲氧基。
23.按照权利要求18的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
24.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A3或相应的无色母体A4其中,
8 8 8 8 8
X是CR,SiR,GeR,SnR,PbR,N或P,8
R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 各自是一个或多个:氢;氧;卤素;羟基;胺基;具有1至
20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
8
25.按照权利要求24的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
8
26.按照权利要求24的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
8
27.按照权利要求24的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 各自为一个或多个甲基或乙基。
8
28.按照权利要求24的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 各自为一个或多个甲氧基。
8
29.按照权利要求24的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
30.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A5或相应的无色母体A6其中,
4 4 4 4 4
X是CR,SiR,GeR,SnR,PbR,N,P或S,4
R1,R2,R3和R 各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
4
31.按照权利要求30的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R 各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
4
32.按照权利要求30的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R 各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
4
33.按照权利要求30的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R 各自为一个或多个甲基或乙基。
4
34.按照权利要求30的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R 各自为一个或多个甲氧基。
4
35.按照权利要求30的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R 各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
36.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A7或相应的无色母体A8其中,
X是C,Si,Ge,Sn,Pb或S,
R1,R2,R3和R4各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
37.按照权利要求36的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
38.按照权利要求36的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
39.按照权利要求36的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个甲基或乙基。
40.按照权利要求36的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个甲氧基。
41.按照权利要求36的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
42.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A9或相应的无色母体A10其中,
X是C,Si,Ge,Sn或Pb,
R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7和R8各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至
20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
43.按照权利要求42的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7和R8各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
44.按照权利要求42的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7和R8各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
45.按照权利要求42的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7和R8各自为一个或多个甲基或乙基。
46.按照权利要求42的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7和R8各自为一个或多个甲氧基。
47.按照权利要求42的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7和R8各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
48.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A11或相应的无色母体A12其中,
X是C,Si,Ge,Sn或Pb,
R1,R2,R3和R4各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
49.按照权利要求48的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
50.按照权利要求48的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
51.按照权利要求48的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个甲基或乙基。
52.按照权利要求48的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个甲氧基。
53.按照权利要求48的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3和R4各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
54.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是C.I.碱性黄37,C.I.41001,或其它的带有已知相反阴离子的二苯基甲烷染料。
55.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是C.I.碱性品绿4,C.I.42000,或其它的带有已知相反阴离子的三苯基甲烷染料的二胺衍生物。
56.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是C.I.碱性红9,C.I.42500,或其它的带有已知相反阴离子的三苯基甲烷染料的三胺衍生物。
57.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是亚苯基兰,C.I.49400,或其它的带有已知相反阴离子的吲达胺染料。
58.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A13或相应的无色母体A14其中,
4 5
X和Z各是CR,O,S,N,NR,或是在所述化合物两个苯环间的直键而不含其他原子,
4 5
R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
4 5
59.按照权利要求58的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
4 5
60.按照权利要求58的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
4 5
61.按照权利要求58的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个甲基或乙基。
4 5
62.按照权利要求58的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个甲氧基。
4 5
63.按照权利要求58的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
64.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A15或相应的无色母体A16其中,
8 9
X和Z各是CR,O,S,N,NR 或是在所述化合物两个苯环间的直键而不含其他原子,
8 9
R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 和R 各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
8 9
65.按照权利要求64的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 和R各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
4 5
66.按照权利要求64的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
8 9
67.按照权利要求64的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 和R各自为一个或多个甲基或乙基。
8 9
68.按照权利要求64的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 和R各自为一个或多个甲氧基。
8 9
69.按照权利要求64的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6,R7,R 和R各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
70.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A包括结构A17或相应的无色母体A18其中,
4 5
X和Z各是CR,O,S,N,NR 或是在所述化合物两个苯环间的直键而不含其他原子,
4 5
R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
4 5
71.按照权利要求70的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
4 5
72.按照权利要求70的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
4 5
73.按照权利要求70的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个甲基或乙基。
4 5
74.按照权利要求70的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个甲氧基。
4 5
75.按照权利要求70的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R 和R 各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
76.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A19或相应的无色母体A20其中,
X和Z各是CR6,O,S,N,NR7,
R1,R2,R3,R4,R5,R6和R7各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
77.按照权利要求76的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6和R7各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
78.按照权利要求76的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6和R7各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
79.按照权利要求76的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6和R7各自为一个或多个甲基或乙基。
80.按照权利要求76的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6和R7各自为一个或多个甲氧基。
81.按照权利要求76的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R4,R5,R6和R7各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
82.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中X是其中R为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
83.按照权利要求82掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个氟,氯,溴或碘。
84.按照权利要求82的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
85.按照权利要求82的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个甲基或乙基。
86.按照权利要求82的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个甲氧基。
87.按照权利要求82的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
88.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是焦宁B,C.I.45010;
C.I.碱性红11,C.I.45050;Saccharein,C.I.45070;Rosamine,C.I.45090;若丹明B,C.I.45175;或其它的带有已知相反阴离子的呫吨染料的二胺衍生物。
89.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是Coerulein B,C.I.45500,或其它的带有已知相反离子的呫吨染料的二羟基衍生物。
90.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是吖啶黄素,C.I.46000,或其它的带有已知相反离子的吖啶的二胺衍生物。
91.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中该化合物是酚藏花红,C.I.50200,或其它的带有已知相反离子的吖嗪染料。
92.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中该化合物是C.I.碱性蓝3,C.I.51004,或其它的带有已知相反离子的 嗪染料。
93.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中该化合物是劳氏紫,C.I.52000,或其它的带有已知相反离子的噻嗪染料。
94.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于以下结构其中,n是一自然数,
1 2
X和Z各是NR,S或BR 作为在单核或多核杂环中的杂原子,3
Xn为N或CR,
1 2 3
其中R,R,R,Rn各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
1 2 3
95.按照权利要求94的掺杂有机半导体材料,其中R,R,R,Rn各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
1 2 3
96.按照权利要求94的掺杂有机半导体材料,其中R,R,R,Rn各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
1 2 3
97.按照权利要求94的掺杂有机半导体材料,其中R,R,R,Rn各自为一个或多个甲基或乙基。
1 2 3
98.按照权利要求94的掺杂有机半导体材料,其中R,R,R,Rn各自为一个或多个甲氧基。
1 2 3
99.按照权利要求94的掺杂有机半导体材料,其中R,R,R,Rn各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
100.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中X和Z各自基于下面的基团其中,
4 5 6
X1是CRR,NR,O或S,
4 5 6
R1,R2,R3,R,R,R 各自为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
4 5 6
101.按照权利要求100的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R,R,R 各自为一个或多个氟,氯,溴或碘。
4 5 6
102.按照权利要求100的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R,R,R 各自为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
4 5 6
103.按照权利要求100的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R,R,R 各自为一个或多个甲基或乙基。
4 5 6
104.按照权利要求100的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R,R,R 各自为一个或多个甲氧基。
4 5 6
105.按照权利要求100的掺杂有机半导体材料,其中R1,R2,R3,R,R,R 各自为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
106.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是N,N’-二烷基菁或N,N’-二烷基硫代碳菁或其它的带有已知相反离子的次甲基-或聚甲炔染料。
107.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于以下结构其中,n是一自然数,
X和Z各是O,C(CN)2,N-CN,
Rn为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
108.按照权利要求107的掺杂有机半导体材料,其中Rn为一个或多个氟,氯,溴或碘。
109.按照权利要求107的掺杂有机半导体材料,其中Rn为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
110.按照权利要求107的掺杂有机半导体材料,其中Rn为一个或多个甲基或乙基。
111.按照权利要求107的掺杂有机半导体材料,其中Rn为一个或多个甲氧基。
112.按照权利要求107的掺杂有机半导体材料,其中Rn为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
113.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于以下结构其中,X,X1,Z和Z1各为S或Se,
R为一个或多个:氢,氧,卤素;羟基;胺基;具有1至20个碳原子的脂肪烃基;烷氧基;
氰基;硝基;磺酸和其盐;具有3至25个碳原子的芳基或形成缩合环的那些原子。
114.按照权利要求113的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个氟,氯,溴或碘。
115.按照权利要求113的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个二苯基胺基或二乙基胺基。
116.按照权利要求113的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个甲基或乙基。
117.按照权利要求113的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个甲氧基。
118.按照权利要求113的掺杂有机半导体材料,其中R为一个或多个苯基,吡啶基或萘基。
119.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于以下结构这里,X是C,N,Si或P,和对于X=C或Si,n等于3,
以及对于X=N或P,n等于2。
120.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述分子基团A基于结构A21或A22
121.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物含有形式上带正电荷的氮(氮阳离子,铵),氧(氧阳离子(oxonia),氧鎓),磷(磷阳离子,磷鎓),硫(硫阳离子,硫鎓)和/或形式上带负电荷的硼(boranuida,硼酸盐)。
122.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述化合物是金属配位化合物。
123.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述一个或多个分子基团A是与一个或多个重氮基相连的。
124.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述一个或多个分子基团A含有一-个或多个--SO3 基团。
125.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中所述一个或多个分子基团A含有一个或多个铵,亚胺鎓,锍,肼鎓或硫脲鎓基团。
126.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中由有机分子A和分子B组成的配合物具有这样的性质,即对于所希望的多数载流子,B不会在待掺杂的基质M中形成“阱”。
127.按照权利要求1的掺杂有机半导体材料,其中用于掺杂的半导体材料本身就是材料的混合物。
128.一种具有增大的载流子密度和更有效的载流子迁移率的掺杂有机半导体材料的制备方法,其特征在于,或者通过与所述有机半导体材料同时蒸发或者通过连续蒸发和随后向内扩散掺杂剂,通过在真空下或在惰性气氛内蒸发,将一种或多种有机分子基团A和至少一种其它结合配对物B的化合物分离,其中通过所述至少一个分子基团A或者通过作为结合配对物A与另一原子或分子的反应产物从所述化合物中裂解出至少一个有机分子基团A,从而产生所需的掺杂效果,其中所述有机分子基团A作为阳离子或阴离子存在于所述掺杂的半导体材料中。
129.按照权利要求128的方法,其特征是,仅在引入待掺杂的半导体材料之后,发生化合物裂解为成分A和B的裂解。
130.按照权利要求128或129的方法,其特征是,在制得的层中发生化合物的裂解和/或从制得的层中除去成分B。
131.按照权利要求128的方法,其特征是,由供给的热量引发所述化合物的裂解和/或成分B的去除。
132.按照权利要求128的方法,其特征是,通过在层的吸收范围内的光激发引发所述化合物的裂解和/或成分B的去除。
133.按照权利要求128的方法,其特征是,通过将所述的层暴露于分子或原子氧或氧离子或分子或原子氢或氢离子下而引发所述化合物的裂解和/或成分B的去除。
134.按照权利要求128的方法,其特征是,借助引入另一在所述层中与成分B反应的反应物以这样的方式,即反应产物更具挥发性,从而引发该化合物的裂解和/或成分B的去除。
135.按照权利要求128的方法,其特征是,在所述层中的成分B与第三种物质或基质的分子以如下方式反应,即对于所希望的多数载流子,反应产物形成“反阱”或该产物容易从所述层中除去。
136.按照权利要求128的方法,其特征是,借助在蒸发过程中在气相中处理所述化合物,引发该化合物的裂解和/或成分B的去除。
137.按照权利要求128或136的方法,其特征是,通过光激发实现所述化合物的裂解和/或成分B的去除。
138.按照权利要求128或136的方法,其特征是,借助带电荷成分B的偏移或通过电或磁场使带电荷成分B偏移来实现该化合物的裂解和/或成分B的去除。
139.按照权利要求128或136的方法,其特征是,借助在蒸发过程中通过强电场实现该化合物的裂解和/或成分B的去除。
140.按照权利要求128的方法,其特征是,在气相沉积源的固相中发生该化学化合物的裂解和/或成分B的去除。
141.按照权利要求128,136或140的方法,其特征是,借助在气相沉积过程中供给的热量实现该化合物的裂解和/或成分B的去除,其中所供给的热在化合物的固态或液态中和/或在气相中。
142.按照权利要求128或140的方法,其特征是,借助光激发实现该化合物的裂解和/或成分B的去除。
143.按照权利要求128,136或140的方法,其特征是,借助蒸汽在反应表面上的吸附和随后的重新解吸引发该化合物的裂解和/或成分B的去除。
144.按照权利要求128,136或140的方法,其特征是,借助蒸汽在催化剂表面上的吸附和随后的重新解吸引发该化合物的裂解和/或成分B的去除。
145.按照权利要求128或140的方法,其特征是,借助采用强激光对该化合物的辐照实现该化合物的裂解和/或成分B的去除。
146.按照权利要求128,136或140的方法,其特征是,借助在气相沉积过程中等离子体的作用实现该化合物的裂解和/或成分B的去除。
147.按照权利要求128或140的方法,其特征是,所述化合物在气化源与第三种物质反应,并且生成一种或多种用于掺杂的反应产物。
148.按照权利要求128或140的方法,其特征是,在气化源中使所述化合物与催化剂相互作用。
149.按照权利要求128或140的方法,其特征是,借助电化学方法在适当的电极上在气化源中实现化合物的裂解。
150.一种具有增大的载流子密度和更有效的载流子迁移率的掺杂有机半导体材料的应用,该材料是通过采用由一个或多个有机分子基团A和至少一个其他的结合配对物B组成的化合物对有机半导体材料进行掺杂而获得的,通过分子基团A或通过结合配对物A和另一原子或分子的反应产物从该化合物离解至少一个有机分子基团A,从而得到所期望的掺杂效果,其特征在于,该有机半导体材料在有机太阳能电池,在有机发光二极管,在有机场效应晶体管,在有机集成电路和在有机激光器中用作功能层。
说明书 :
掺杂的有机半导体材料以及其制备方法
技术领域
背景技术
发明内容
17 -3
为10 cm 。同样该系统的塞贝克测量遵循n-传导,其中塞贝克系数为-1,1mV/K,从而使载流子浓度大于迄今为止掺杂NTCDA可达到的浓度(A.Nollau等,J.Appl.Phys.,87(9),
4340(2000))。