显示板

摘要

一种用于有机发光显示器的显示板，包括多个阳极电极和一阴极电极，给所述阴极电极提供预定电压，所述阴极电极包括面向所述阳极电极的第一部分和接收所述预定电压的第二部分，所述第二部分具有与所述第一部分不同的横截面。多个发光元件排列在所述阳极电极和所述阴极电极之间，且导线传输所述预定电压并接触所述阴极电极第二部分。

权利要求

1.一种用于有机发光显示器的显示板，所述显示板包括：多个阳极电极；

一阴极电极，所述阴极电极被供给预定电压，所述阴极电极包括第一部分和第二部分，所述第一部分面向所述阳极电极，所述第二部分接收所述预定电压；

布置在所述阳极电极和所述阴极电极之间的多个发光元件；以及传输所述预定电压并接触所述阴极电极第二部分的导线，其中，所述第一部分包括第一层和第二层，所述第一层布置在所述阳极电极和所述第二层之间，以及所述第二部分包括所述第二层但不包括所述第一层。

2.如权利要求1所述的显示板，其中所述第一层接触所述发光元件。

3.如权利要求1所述的显示板，其中所述第一层与所述导线隔开。

4.如权利要求1所述的显示板，其中所述第一层具有比所述第二层更低的功函数。

5.如权利要求4所述的显示板，其中所述第一层包括碱金属或碱土金属。

6.如权利要求5所述的显示板，其中所述第一层包括钡、钙或锂。

7.如权利要求1所述的显示板，其中所述第一层包括LiF。

8.如权利要求1所述的显示板，其中所述第二层具有比所述第一层更低的电阻率。

9.如权利要求1所述的显示板，其中所述第一层比所述第二层更可氧化。

10.如权利要求1所述的显示板，其中所述导线具有多层结构。

11.一种用于有机发光显示器的显示板，所述显示板包括：多个阳极电极；

分别布置在所述阳极电极上的多个发光元件；

金属层，所述金属层包括排布在所述发光元件上的第一部分和与所述发光元件隔开的第二部分；

连接到所述金属层第二部分的导线；以及排布在所述导线之上和所述发光元件之下的绝缘层，其中所述绝缘层具有至少部分暴露所述导线的接触孔。

12.如权利要求11所述的显示板，其中所述绝缘层排布在所述阳极电极之下。

13.如权利要求12所述的显示板，还包括排布在所述导线和所述金属层之间的接触辅助。

14.如权利要求13所述的显示板，其中所述阳极电极包括透明材料。

15.如权利要求14所述的显示板，其中所述接触辅助排布在与所述阳极电极相同的层上。

16.如权利要求11所述的显示板，还包括：扫描线；

数据线；

连接到所述扫描线和所述数据线的开关晶体管；

连接到所述开关晶体管和阳极电极的驱动晶体管；以及连接在所述驱动晶体管端子之间的电容器。

17.如权利要求16所述的显示板，其中所述导线包括与所述扫描线和所述数据线之一相同的层。

说明书

显示板

技术领域

[0001] 本发明涉及一种显示板，尤其涉及一种用于有机发光二极管显示器的显示板。

背景技术

[0002] 通常，有机发光二极管(OLED)显示器是自发光显示设备，通过激发有机发光材料发光来显示图像。OLED显示器的发光元件包括阳极(空穴注入电极)、阴极(电子注入电极)和插入它们之间的有机发光层。当空穴和电子注入发光层时，它们当从激发态跃迁到基态时复合并发光。为了增强发光，有机发光层还可以包括电子传输层(ETL)和空穴传输层(HTL)以及电子注入层(EIL)和空穴注入层(HIL)中的一个或多个。

[0003] OLED显示器包括多个像素，且每个像素包括阳极、阴极和发光层。像素可以排列成矩阵，并且可以按照无源矩阵(或简单矩阵)寻址或有源矩阵寻址方式来驱动它们。

[0004] 无源矩阵OLED显示器包括多根阳极线、与阳极线交叉的多根阴极线、以及多个像素，每个像素包括发光层。选择阳极线和阴极线来使位于所选信号线交叉点上的像素发光。

[0005] 有源矩阵(AM)OLED显示器包括多个像素，每个像素可以包括开关晶体管、驱动晶体管和存储电容器以及阳极、阴极和发光层。AM OLED显示器还包括多根传输栅极信号的栅极线和多根传输数据电压的数据线。开关晶体管连接到栅极线和数据线，它响应于来自栅极线的栅极信号来传输来自数据线的数据电压。驱动晶体管从开关晶体管接收数据电压，并且驱动具有与数据电压相应大小的电流。来自驱动晶体管的电流进入发光层引起发光，发光强度取决于电流。存储电容器连接在数据电压和电源电压之间以保持它们的电压差。通过控制数据电压来调节由驱动晶体管驱动的电流，实现AMOLED显示器的灰度定标。OLED显示器通过提供红、绿和蓝色发光层来显示色彩。

[0006] 另外，根据发光方向，OLED显示器可以是顶部发射和底部发射显示器。顶部发射OLED显示器包括透明阴极和不透明阳极，透明阴极通常用铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成。相反，底部发射OLED显示器包括不透明阴极和透明阳极。阳极和阴极的相对位置可以按照需要进行改变。

[0007] 通过另一导体给阴极提供公共电压，且阴极和导体之间的接触电阻可能很高。

发明内容

[0008] 本发明提供一种OLED装置，其中在公共电极和公共电压线之间可以具有减小的接触电阻。

[0009] 将在下面的描述中阐述本发明的附加特征，根据描述一部分将是显而易见的，或者可以通过实践本发明来获悉。

[0010] 本发明公开了一种用于有机发光显示器的显示板，包括多个阳极电极和一阴极电极，给所述阴极电极提供预定电压，所述阴极电极包括面向所述阳极电极的第一部分和接收所述预定电压的第二部分，所述第二部分具有与所述第一部分不同的横截面。多个发光元件排列在所述阳极电极和所述阴极电极之间，而且导线传输所述预定电压并接触所述阴极电极第二部分。

[0011] 本发明还公开了一种用于有机发光显示器的显示板，包括：多个阳极电极，分别排列在所述阳极电极上的多个发光元件，金属层，所述金属层包括排列在所述发光元件上的第一部分和与所述发光元件隔开的第二部分，以及连接到所述金属层第二部分的导线。所述导线布置在位于排列所述发光元件的层之下的层上。

[0012] 应该理解，前面的概述和下面的详述都是示例性和解释性的，并且旨在为要求保护的本发明提供进一步解释。

附图说明

[0013] 包括附图来提供对本发明的进一步理解，附图合并在本说明书中并构成本说明书一部分，附图图解了本发明的实施例并且连同本说明书一起用来解释本发明的原理。

[0014] 图1是依据本发明实施例的OLED显示器的方框图。

[0015] 图2是依据本发明实施例的OLED显示器的像素的等效电路图。

[0016] 图3是依据本发明实施例的OLED显示器的显示板的示意平面图。

[0017] 图4是显示板沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0018] 图5是图3显示板上的像素和信号线的布局图。

[0019] 图6和图7是像素和信号线分别沿着图5的线VI-VI’和VII-VII’的剖面图。

[0020] 图8是依据本发明实施例的有机发光元件的示意图。

[0021] 图9，11，13，15，17，19，21，23和25是在依据本发明实施例的显示板制造方法的中间步骤中，图3，4，5，6和7中所示显示板的布局图。

[0022] 图10A和图10B是显示板分别沿着图9的线XA-XA’和XB-XB’的剖面图，而图10C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0023] 图12A和图12B是显示板分别沿着图11的线XIIA-XIIA’和XIIB-XIIB’的剖面图，而图12C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0024] 图14A和图14B是显示板分别沿着图13的线XIVA-XIVA’和XIVB-XIVB’的剖面图，而图14C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0025] 图16A和图16B是显示板分别沿着图15的线XVIA-XVIA’和XVIB-XVIB’的剖面图，而图16C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0026] 图18A和图18B是显示板分别沿着图17的线XVIIIA-XVIIIA’和XVIIIB-XVIIIB’的剖面图，而图18C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0027] 图20A和图20B是显示板分别沿着图19的线XXA-XXA’和XXB-XXB’的剖面图，而图20C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0028] 图22A和图22B是显示板分别沿着图21的线XXIIA-XXIIA’和XXIIB-XXIIB’的剖面图，而图22C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0029] 图24A和图24B是显示板分别沿着图23的线XXIVA-XXIVA’和XXIVB-XXIVB’的剖面图，而图24C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0030] 图26A和图26B是显示板分别沿着图25的线XXVIA-XXVIA’和XXVIB-XXVIB’的剖面图，而图26C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0031] 图27A和图27B是显示板分别沿着图25的线XXVIA-XXVIA’和XXVIB-XXVIB’的剖面图，并且图解了图26A和图26B中所示步骤之后的步骤，而图27C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

具体实施方式

[0032] 现在将在下文中参考附图更充分地描述本发明，附图中示出了本发明的典型实施例。然而，本发明可以实施成许多不同形式，并且不应该解释为限定于本文中所述的实施例。

[0033] 在这些图中，为了清楚而放大层、膜、板、区等的厚度。相同数字始终指的是相同元件。应该理解，当元件例如层、膜、区或衬底称为“在”另一元件“上”时，它可以直接在另一元件上或者也可以存在中间元件。相反，当元件称为“直接在”另一元件“上”时，就不存在中间元件。

[0034] 现在，将参考附图描述依据本发明实施例用于OLED显示器的显示板及其制造方法。

[0035] 图1是依据本发明实施例的OLED显示器的方框图，且图2是依据本发明实施例的OLED显示器的像素的等效电路图。

[0036] 参考图1，依据本发明实施例的OLED显示器包括显示板300和连接到显示板300的两个驱动器，这两个驱动器包括扫描驱动器400和数据驱动器500。

[0037] 显示板300包括多根信号线，多个像素PX连接到多根信号线并且基本上排列成矩阵。

[0038] 信号线包括用于传输扫描信号的多根扫描线G1-Gn和用于传输数据信号的多根数据线D1-Dm。扫描线G1-Gn基本上行向延伸并且彼此基本上平行，而数据线D1-Dm基本上列向延伸并且彼此基本上平行。

[0039] 参考图2，例如，每个像素PX可以连接到扫描线Gi和数据线Dj，并且可以包括有机发光元件LD、驱动晶体管Qd、电容器Cst和开关晶体管Qs。

[0040] 驱动晶体管Qd具有连接到开关晶体管Qs的控制端、连接到驱动电压Vp的输入端、以及连接到发光元件LD的输出端。

[0041] 发光元件LD具有连接到驱动晶体管Qd输出端的阳极和连接到公共电压Vcom的阴极。公共电压Vcom可以小于驱动电压Vp，例如，它可以是接地电压。发光元件LD以取决于驱动晶体管Qd的输出电流的强度发光，且驱动晶体管Qd的输出电流取决于驱动晶体管Qd的控制端和输入端之间的电压。

[0042] 开关晶体管Qs具有连接到扫描线Gi的控制端、连接到数据线Dj的输入端、以及连接到驱动晶体管Qd控制端的输出端。开关晶体管Qs响应于来自扫描线Gi的扫描信号将数据信号从数据线Dj传输到驱动晶体管Qd。

[0043] 如图2中所示，开关晶体管Qs是N沟道场效应晶体管(FET)，而驱动晶体管Qd是P沟道FET。然而，它们的类型可以交换或者都可以是N沟道FET或P沟道FET。在这种情况下，可以更改晶体管Qs和Qd以及发光元件LD之间的连接。

[0044] 晶体管Qs和Qd可以包括多晶硅(polysilicon)或非晶硅(a-Si)。

[0045] 电容器Cst连接在驱动晶体管Qd的控制端和输入端之间。电容器Cst充电并且维持电压，所述电压相应于施加到驱动晶体管Qd控制端的数据信号。

[0046] 再参考图1，扫描驱动器400连接到显示板300的扫描线G1-Gn，并且合成用于接通开关晶体管Qs的接通电压Von和用于切断开关晶体管Qs的切断电压Voff以便生成扫描信号来施加到扫描线G1-Gn。

[0047] 数据驱动器500连接到显示板300的数据线D1-Dm，并且将数据信号施加到数据线D1-Dm。

[0048] 扫描驱动器400和数据驱动器500可以实施成安装在显示板300上或带状载体封装(TCP)内的挠性印刷电路(FPC)上的集成电路(IC)芯片，所述带状载体封装附配在显示板300上。作为选择，扫描驱动器和数据驱动器可以集成在显示板300内。

[0049] 现在，将参考图3-8以及图1和图2来详细描述依据本发明实施例用于OLED显示器的显示板结构。

[0050] 图3是依据本发明实施例的用于OLED显示器的显示板的示意平面图，图4是显示板沿着图3的线IV-IV’的剖面图，图5是图3中所示显示板上的像素和信号线的布局图，图6和图7是像素和信号线分别沿着图5的线VI-VI’和VII-VII’的剖面图，而图8是依据本发明实施例的有机发光元件的示意图。

[0051] 参考图3，依据本发明实施例的显示板300包括显示区DA(用虚线矩形封闭)和排列在显示区DA外部的外围区PA。显示区DA包括多个像素PX。

[0052] 用作有机发光元件LD阴极的公共电极270也提供在显示板300上。公共电极270覆盖显示区DA，并且包括排列在外围区PA内用于接收公共电压Vcom的接触部分B，。公共电极270的接触部分B连接到公共电压线278，公共电压线278包括用于从外部器件接收公共电压Vcom的公共电压焊点279。

[0053] 包括扫描线G1-Gn和数据线D1-Dm的多根信号线也提供在显示板300上。信号线包括排列在显示区DA内的部分以及排列在外围区内的端部，以接收包括扫描信号和数据信号的信号。

[0054] 扫描驱动器400和数据驱动器500可以排列在显示板300的外部、排列在外围区PA上、或者连同像素和信号线一起集成在显示板300的外围区PA内。

[0055] 接着，参考图3、图4、图5、图6和图7，将描述显示板的详细层状结构。

[0056] 可以由氧化硅或氮化硅制成的阻挡层111形成在绝缘衬底110上，绝缘衬底110可以由透明玻璃制成。阻挡层111可以具有双层结构。

[0057] 可以由多晶硅或a-Si制成的多个半导体岛151a和151b形成在阻挡膜111上。每个半导体岛151a和151b可以包括多个非本征区和至少一个本征区，该非本征区包含N型或P型导电杂质，而该本征区几乎不包含导电杂质。

[0058] 关于开关薄膜晶体管(TFT)Qs的半导体岛151a，非本征区包括第一源区153a、中间区1535和第一漏区155a，它们掺杂N型杂质并且彼此分开，而且本征区包括一对(第一)沟道区154a1和154a2，它们布置在非本征区153a、1535和155a之间。

[0059] 关于用于驱动TFT Qd的半导体岛151b，非本征区包括第二源区153b和第二漏区155b，它们掺杂P型杂质并且彼此分开，而本征区包括布置在第二源区153b和第二漏区155b之间的沟道区154b。第二源区153b延伸来形成存储电极区157。

[0060] 非本征区还可以包括布置在沟道区154a1、154a2和154b以及源区153a、153b和漏区155a、155b之间的轻度掺杂区(未图示)。轻度掺杂区可以用基本上不包含杂质的偏移区来取代。

[0061] 作为选择，根据驱动条件，第一半导体岛151a的非本征区153a和155a可以掺杂P型杂质，而第二半导体岛151b的非本征区153b和155b可以掺杂N型杂质。导电杂质可以包括P型杂质例如硼(B)和镓(Ga)以及N型杂质例如磷(P)和砷(As)。

[0062] 半导体岛151a和151b可以由a-Si制成。在这种情况下，没有杂质区，并且欧姆接触可以形成在半导体岛151a和151b上来提高半导体岛151a、151b和其他金属层之间的接触特性。

[0063] 可以由氧化硅或氮化硅制成的栅极绝缘层140形成在半导体岛151a和151b以及阻挡膜111上。

[0064] 包括多根栅极线121以及多个第二栅极124b的多个栅极导体形成在栅极绝缘层140上，该栅极线121包括多对第一栅极124a。

[0065] 传输栅极信号的栅极线121基本上横向延伸。每对第一栅极124a从栅极线121向上伸出，并且它们与第一半导体岛151a交叉以便它们与一对第一沟道区154a1和154a2相重叠。每根栅极线121可以包括具有大面积的扩展端部，用于与另一层或外部驱动电路连接。栅极线121可以直接连接到栅极驱动电路来产生栅极信号，该栅极驱动电路可以集成在衬底110上。

[0066] 第二栅极124b与栅极线121分开，并且它们与第二半导体岛151b交叉以便它们与第二沟道区154b相重叠。第二栅极124b延伸来形成与第二半导体岛151b的存储电极区157重叠的存储电极127，从而形成存储电容器Cst。

[0067] 栅极导体121和124b可以由低电阻率材料制成，例如，包括含铝金属如铝和铝合金(例如铝-钕)、含银金属如银和银合金、以及含铜金属如铜和铜合金。栅极导体121和124b可以具有包括具有不同物理特性的两层膜的多层结构。在这种情况下，两层膜之一可以由低电阻率金属制成，包括含铝金属、含银金属和含铜金属，用于减少栅极导体121和
124b内的信号延迟或电压降。另一层膜可以由材料例如铬、钼及钼合金、钽或钛制成，它们具有良好的物理、化学以及与其他材料例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的电接触特性。层状结构的实例包括下铬膜和上铝-钕合金膜以及下铝膜和上钼膜。

[0068] 另外，栅极导体121和124b的侧面可以相对衬底110表面倾斜成约30-80度角。

[0069] 层间绝缘层160形成在栅极导体121和124b上。层间绝缘层160可以用具有良好平面特性的光敏有机材料、低介电绝缘材料例如由等离子体增强型化学气相沉积(PECVD)形成的a-Si∶C∶O和a-Si∶O∶F、或者无机材料例如氮化硅和氧化硅制成。

[0070] 层间绝缘层160具有暴露第二栅极124b的多个接触孔164。另外，层间绝缘层160和栅极绝缘层140具有多个接触孔163a，163b，165a和165b，分别暴露源区153a和153b以及漏区155a和155b。

[0071] 包括多根数据线171、多根驱动电压线172、多个第一漏极175a和第二漏极175b、以及公共电压线278的多个数据导体形成在层间绝缘膜160上。

[0072] 传输数据信号的数据线171基本上纵向延伸并且与栅极线121交叉。每根数据线171包括多个第一源极173a，它们通过接触孔163a连接到第一源区153a。每根数据线171可以包括具有大面积的扩展端部，用于与另一层或外部驱动电路连接。数据线171可以直接连接到数据驱动电路来产生数据信号，数据驱动电路可以集成在衬底110上。

[0073] 为驱动TFT Qd传输驱动电压的驱动电压线172基本上纵向延伸并且与栅极线121交叉。每根驱动电压线172包括多个第二源极173b，它们通过接触孔163b连接到第二源区153b。驱动电压线172可以彼此连接。

[0074] 第一漏极175a与数据线171和驱动电压线172分开，并且通过接触孔165a连接到第一漏区155a以及通过接触孔164连接到第二栅极124b。

[0075] 第二漏极175b与数据线171和驱动电压线172分开，并且通过接触孔165b连接到第二漏区155b。

[0076] 如图3中所示，公共电压线278包括布置在衬底110上缘附近的公共电压焊点279。公共电压线278可以由与栅极线121相同的层形成。

[0077] 数据导体171，172，175a，175b和278可以由难熔金属制成，包括铬、钼、钛、钽或其合金。它们可以具有包括低电阻率膜和良好接触膜的多层结构。多层结构的实例包括：下铬膜和上铝(合金)膜的双层结构、下钼(合金)膜和上铝(合金)膜的双层结构、以及下钼膜、中铝膜和上钼膜的三层结构。

[0078] 类似于栅极导体121和124b，数据导体171，172，175a，175b和278相对衬底具有约30-80度角的倾斜边外形。

[0079] 钝化层180形成在数据导体171，172，175a，175b和278上。钝化层180可以用具有良好平面特性的光敏有机材料、低介电绝缘材料例如由PECVD形成的a-Si∶C∶O和a-Si∶O∶F、或者无机材料例如氮化硅和氧化硅制成。

[0080] 钝化层180具有分别暴露第二漏极175b和公共电压线278的多个接触孔185和188。钝化层180还可以包括暴露数据线171端部的多个接触孔(未图示)，并且钝化层180和层间绝缘层160可以具有暴露栅极线121端部的多个接触孔(未图示)。当公共电压线
278排列在层间绝缘层160之下时，接触孔188可以穿透层间绝缘层160。

[0081] 多个像素电极190和接触辅助88可以形成在钝化层180上。

[0082] 像素电极190可以用作如图2中所示的发光元件LD的阳极，并且它们可以通过接触孔185连接到第二漏极175b。像素电极190和接触辅助88可以由透明导体制成，例如ITO或IZO。然而，像素电极190可以由不透明反射导体制成，例如铝、银、钙、钡和镁。

[0083] 接触辅助88通过接触孔188连接到公共电压线278来覆盖公共电压线278的暴露部分。可以省略接触辅助88，或者可以形成一个以上接触辅助。

[0084] 多个接触辅助或连接件(未图示)也可以形成在钝化层180上，以便它们连接到栅极线121、数据线171或公共电压焊点279的暴露端部。

[0085] 分离OLED显示器像素的隔板360形成在钝化层180和像素电极190上。隔板360围绕像素电极190来限定要填充有机发光材料的开口365。隔板360具有暴露接触辅助88的多个接触孔368，并且它可以由有机或无机绝缘材料制成。

[0086] 多个发光元件370形成在像素电极190上，并且布置在由隔板360限定的开口365内。发光元件370可以由发射基色光例如红、绿和蓝光的有机材料制成。周期性地排列红、绿和蓝发光元件370。

[0087] 包括下电极271和上电极272的公共电极270形成在发光元件370和隔板360上。为公共电极270提供公共电压Vcom。

[0088] 下电极271可以由绝缘体例如LiF或者碱或碱土金属例如钡、钙或锂制成，而上电极272可以由低电阻率金属例如铝、银或它们的合金制成。可以接触发光元件370的下电极271可以具有低选出功，使得下电极271有利于电子注入发光元件370。上电极272可以由耐氧化的低电阻率材料制成，使得上电极272保护下电极271和减少公共电压Vcom的畸变。

[0089] 如图3和图4所示，上电极272包括通过接触孔368接触接触辅助88的接触部分B，而下电极271不接触接触辅助88。这个结构减少了公共电极270和接触辅助88或公共电压线278之间的接触电阻。详细地，通过少量的热量，例如接触部分B上产生的热量，可以容易地熔化具有低逸出功的金属，例如钡或钙，从而增加接触电阻。另外，绝缘体例如LiF也增加接触电阻。由于上述结构，上电极272接触接触辅助88，但下电极271不接触。因此，可以降低公共电极270和公共电压线278之间的接触电阻。

[0090] 在上述OLED显示器中，开关TFT Qs包括第一半导体岛151a、连接到栅极线121的第一栅极124a、连接到数据线171的第一源极173a、以及第一漏极175a。另外，驱动TFT包括第二半导体岛151b、连接到第一漏极175a的第二栅极124b、连接到驱动电压线172的第二源极173b、以及连接到像素电极190的第二漏极175b。而且，连接到第二源区153b的存储电极区157和连接到第二栅极124b的存储电极127形成存储电容器Cst。图5-7中所示的示范性TFT Qs和Qd称为“顶部栅极TFT”，因为栅极124a和124b布置在半导体151a和151b上。

[0091] 有机发光元件370可以具有如图8中所示的多层结构。有机发光元件370至少包括发射层EML，并且它还可以包括辅助层来提高发射层EML的发光效率。辅助层可以包括用于提高电子和空穴平衡的电子传输层ETL和空穴传输层HTL，以及用于提高电子和空穴注入的电子注入层EIL和空穴注入层HIL。公共电极270的下电极271可以用作电子注入层EIL。

[0092] 现在，将在下文中参考图9-27C以及图3-8来描述图3-8中所示显示板的制造方法。

[0093] 图9，图11，图13，图15，图17，图19，图21，图23和图25是在依据本发明实施例的显示板制造方法的中间步骤中，图3-8的显示板的布局图。图10A和图10B是显示板分别沿着图9的线XA-XA’和XB-XB’的剖面图，而图10C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。图12A和图12B是显示板分别沿着图11的线XIIA-XIIA’和XIIB-XIIB’的剖面图，而图12C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。图14A和图14B是显示板分别沿着图13的线XIVA-XIVA’和XIVB-XIVB’的剖面图，而图14C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。图16A和图16B是显示板分别沿着图15的线XVIA-XVIA’和XVIB-XVIB’的剖面图，而图16C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。图18A和图18B是显示板分别沿着图17的线XVIIIA-XVIIIA’和XVIIIB-XVIIIB’的剖面图，而图18C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。图20A和图20B是显示板分别沿着图19的线XXA-XXA’和XXB-XXB’的剖面图，而图20C是显示板在本步骤中沿着图
3的线IV-IV’的剖面图。图22A和图22B是显示板分别沿着图21的线XXIIA-XXIIA’和XXIIB-XXIIB’的剖面图，而图22C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。图
24A和图24B是显示板分别沿着图23的线XXIVA-XXIVA’和XXIVB-XXIVB’的剖面图，而图
24C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。图26A和图26B是显示板分别沿着图25的线XXVIA-XXVIA’和XXVIB-XXVIB’的剖面图，而图26C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。图27A和图27B是显示板分别沿着图25的线XXVIA-XXVIA’和XXVIB-XXVIB’的剖面图，并且图解了图26A和图26B中所示步骤之后的步骤，而图27C是显示板在本步骤中沿着图3的线IV-IV’的剖面图。

[0094] 参考图9-10C，阻挡层111形成在绝缘衬底110上，由a-Si制成的半导体层可以通过LPCVD(低压化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强型化学气相沉积)或溅射沉积在阻挡层111上。

[0095] 接着，半导体层可以结晶成多晶硅，并且进行光刻来形成多对第一半导体岛151a和第二半导体岛151b。作为选择，可以留下半导体层作为a-Si层。

[0096] 参考图11-12C，按照顺序将栅极绝缘层140和栅极金属层沉积在包括第一半导体岛151a和第二半导体岛151b的衬底上，并且第一光致抗蚀剂PR1形成在其上。通过使用第一光致抗蚀剂PR1作为蚀刻掩模来蚀刻栅极金属层，以形成包括存储电极127的多个栅极124b以及多个栅极金属件120a。将P型杂质引入第二半导体岛151b未被栅极124b和栅极金属件120a以及第一光致抗蚀剂PR1覆盖的部分，以形成多个P型非本征区153b和155b。此时，用第一光致抗蚀剂PR1和栅极金属件120a覆盖第一半导体岛151a，并且保护其免遭杂质注入。

[0097] 参考图13-14C，除去第一光致抗蚀剂PR1，并且形成第二光致抗蚀剂PR2。使用第二光致抗蚀剂PR2作为蚀刻掩模来蚀刻栅极金属件120a，以形成包括栅极124a的多根栅极线121。将N型杂质注入第一半导体岛151a未被栅极线121和栅极124b以及第二光致抗蚀剂PR2覆盖的部分，以形成多个N型非本征区153a和155a。此时，用第二光致抗蚀剂PR2覆盖第二半导体岛151b，并且保护其免遭杂质注入。

[0098] 参考图15-16C，沉积层间绝缘膜160，并且光刻层间绝缘膜160和栅极绝缘层140，来形成分别暴露非本征区153a，153b，155a和155b的多个接触孔163a，163b，165a和165b，以及暴露栅极124b的多个接触孔164。

[0099] 参考图17-18C，在层间绝缘层160上形成多个数据导体，所述多个数据导体包括包含第一源极173a的多根数据线171、包含第二源极173b的多根驱动电压线172、多个第一漏极175a和第二漏极175b、以及公共电压线278。

[0100] 参考图19-20C，沉积钝化层180并且对其进行光刻，来形成分别暴露第二漏极175b和公共电压线278的多个接触孔185和188。

[0101] 参考图21-22C，在钝化层180上形成多个像素电极190和一个接触辅助88。当像素电极190由反射不透明材料制成时，它们可以与数据线171一起由数据金属层制成。

[0102] 参考图23-24C，沉积绝缘层并且对其进行构图来形成隔板360，所述隔板360在像素电极190上具有多个开口365并且在接触辅助88上具有至少一个接触孔368。

[0103] 参考图25-26C，通过掩蔽之后的沉积或喷墨印刷来在开口365内形成多个有机发光元件370，所述有机发光元件370至少包括发光层，并且还可以包括多层。

[0104] 参考图27A-27C，通过使用荫罩等来形成下电极271，以便使下电极271不排列在接触孔368上。

[0105] 如图3、图4、图6和图7中所示，在下电极271上形成上电极272，上电极272具有排列在接触孔368上的接触部分B。尽管未图示，然后，例如通过密封膜或金属盖可以密封OLED设备。

[0106] 对于本领域技术人员来说显而易见，可以在本发明中进行各种修改和变化而不脱离本发明的本质或范围。因此，本发明旨在覆盖本发明的修改和变化，只要它们在所附权利要求及其等同物的范围内。