表面声波芯片、表面声波器件及表面声波器件的制造方法

摘要

本发明的课题是提供一种具有适合于小型化的结构的表面声波芯片和表面声波器件、以及效率良好的包括保护膜形成单元的表面声波器件的制造方法。作为其解决手段，表面声波芯片(31)在压电基板的一面形成叉指状电极(33)，所述叉指状电极延伸到所述压电基板(32)的外周，包括具有由该延伸的电极图形的至少一部分构成的保护膜形成用图形(71)的示例在内，在所述压电基板的外周设置用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部(35)，并使其达到所述压电基板的外周。

权利要求

1.一种表面声波器件，利用盖体密封在压电基板的一面形成有叉指状电极的表面声波芯片的所述一面，其特征在于，所述叉指状电极延伸到所述压电基板的外周，

把用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部设置成到达所述压电基板的外周，并且，在所述压电基板的所述一面上沿着所述盖体的密封面的外周缘设置有阳极接合用的密封区域，

在所述盖体的外周缘、与所述压电基板上的所述分离部对应的部位形成有密封用凹部，

在将所述盖体粘贴在所述压电基板上的状态下，在所述凹部露出所述压电基板的所述电极图形的一部分。

2.根据权利要求1所述的表面声波器件，其特征在于，在所述盖体的所述密封区域中形成有阳极接合用的玻璃。

3.根据权利要求1所述的表面声波器件，其特征在于，在所述盖体的密封面侧，在与设置有所述压电基板的所述叉指状电极的区域对应的部位除外的整个面上形成有阳极接合用的玻璃。

4.根据权利要求1、2、3中任一项所述的表面声波器件，其特征在于，在所述盖体上不形成所述凹部，在该盖体的与所述压电基板的所述分离部对应的部位形成有贯通孔，从而形成与形成于所述盖体的表面侧的外部电极进行电连接的导电通孔。

5.一种表面声波器件的制造方法，其特征在于，

包括：分别准备具有叉指状电极的压电基板和对该压电基板进行密封的盖体的前期工序；以及把所述盖体粘贴在所述压电基板上进行密封的密封工序，在所述前期工序中，在所述压电基板的一面设置叉指状电极并使其延伸到该压电基板的外周，而且形成用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部并使其达到压电基板的外周，并且在所述压电基板的所述一面上沿着所述盖体的密封面的外周缘设置阳极接合用的密封区域，在该盖体的与所述压电基板的所述分离部对应的部位形成密封用的凹部，在所述密封工序中，通过阳极接合把所述盖体接合在所述压电基板的所述一面上，然后在所述盖体的表面侧形成外部电极，执行与所述压电基板侧的电极图形连接的连接工序，再利用绝缘性密封材料对所述凹部进行孔密封，在把所述盖体粘贴在所述压电基板上后，在所述凹部露出所述压电基板的所述电极图形的一部分，在所述连接工序中，将所述外部电极的电极图形引到所述凹部中，从而与所述压电基板的所述电极图形电连接。

6.根据权利要求5所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，在所述盖体上不形成所述凹部，在该盖体的与所述压电基板的所述分离部对应的部位预先形成贯通孔，把该贯通孔作为导电通孔，在所述连接工序中，进行所述外部电极与所述压电基板侧的所述电极图形的电连接。

7.一种表面声波器件，利用盖体密封在压电基板的一面形成有叉指状电极的表面声波芯片的所述一面，其特征在于，所述叉指状电极延伸到所述压电基板的外周，具有由该延伸的电极图形的至少一部分形成的保护膜形成用图形，把用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部设置成到达所述压电基板的外周，并且，在所述压电基板的所述一面上沿着所述盖体的密封面的外周缘设置有阳极接合用的密封区域，并且不将所述叉指状电极的电极图形分离，而将其一部分用作所述密封区域，在构成所述叉指状电极的电极图形的所述密封区域部位，所述电极图形形成为一体，该区域被用作所述保护膜形成用图形，在所述盖体的外周缘、与所述压电基板上的所述分离部对应的部位形成有密封用的凹部，

在将所述盖体粘贴在所述压电基板上的状态下，在所述凹部露出所述压电基板的所述电极图形的一部分。

8.根据权利要求7所述的表面声波器件，其特征在于，采用如下的结构：以从形成于所述叉指状电极的电极图形上的所述保护膜上弄破该保护膜的状态形成金属凸块，且所述金属凸块形成在如下部位：构成所述叉指状电极的电极图形中的靠近所述压电基板的外周缘的部分、且成为使所述压电基板的所述电极图形的一部分在所述凹部露出的露出部的部位，通过该金属凸块与形成于器件外部的外部电极连接。

9.根据权利要求8所述的表面声波器件，其特征在于，代替所述密封用凹部，在从预先形成于所述盖体上的贯通孔露出的所述电极图形的所述保护膜上，弄破该保护膜而形成所述金属凸块。

10.根据权利要求7所述的表面声波器件，其特征在于，采用如下的结构：在所述延伸的电极图形的一部分不形成所述保护膜而设置露出部，该露出部形成为从所述盖体的所述凹部露出，并连接该露出部和形成于器件外部的外部电极。

11.一种表面声波器件的制造方法，其特征在于，

包括：分别准备具有叉指状电极的压电基板和对该压电基板进行密封的盖体的基板侧前期工序和盖体侧前期工序；以及把所述盖体粘贴在所述压电基板上进行密封的密封工序，

在所述基板侧前期工序中，在所述压电基板的一面设置叉指状电极并使其延伸到该压电基板的外周，形成由该延伸的电极图形的至少一部分构成的保护膜形成用图形，而且形成用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部并使其达到压电基板的外周，使用所述保护膜形成用图形，对形成所述叉指状电极的电极图形形成由阳极氧化膜构成的保护膜，在所述盖体侧前期工序中，在所述压电基板的所述一面上沿着所述盖体的密封面的外周缘设置阳极接合用的密封区域，并且不将所述叉指状电极的电极图形分离，而将其一部分用作所述密封区域，在构成所述叉指状电极的电极图形的所述密封区域部位，将所述电极图形形成为一体，将该区域用作所述保护膜形成用图形，在该盖体的与所述压电基板的所述分离部对应的部位形成密封用的凹部，在所述密封工序中，通过阳极接合把所述盖体接合在所述压电基板的所述一面上，在将所述盖体粘贴在所述压电基板上之后，在所述凹部露出所述压电基板的所述电极图形的一部分，然后在所述盖体的表面侧形成外部电极，执行与所述压电基板侧的电极图形连接的连接工序，再利用绝缘性密封材料对所述凹部进行孔密封。

12.根据权利要求11所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，在所述保护膜上弄破该保护膜而形成金属凸块，且所述金属凸块形成在如下部位：构成所述叉指状电极的电极图形中的靠近所述压电基板的外周缘的部分、且成为使所述压电基板的所述电极图形的一部分在所述凹部露出的露出部的部位，通过该金属凸块连接形成于器件外部的外部电极。

13.根据权利要求12所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，在所述盖体上不形成所述凹部，在该盖体的与所述压电基板上的所述分离部对应的部位预先形成贯通孔，在从该贯通孔露出的所述电极图形的所述保护膜上形成所述金属凸块，把所述贯通孔作为导电通孔，通过所述金属凸块，进行所述外部电极与所述压电基板侧的所述电极图形的电连接。

14.根据权利要求11所述的表面声波器件的制造方法，其特征在于，在形成保护膜时，在所述延伸的电极图形的一部分上配置掩模，不形成所述保护膜而设置露出部，该露出部形成为从所述盖体的所述凹部露出，并连接该露出部和形成于器件外部的外部电极。

说明书

表面声波芯片、表面声波器件及表面声波器件的制造方法

技术领域

[0001] 本发明涉及具有进行电信号和表面声波之间的转换的叉指状电极的表面声波芯片、表面声波器件及表面声波器件的制造方法。

背景技术

[0002] 在便携电话和电视接收机等的电子部件和通信部件中，使用表面声波器件(以下称为SAW(Surface Acoustic Wave)器件)作为谐振器和频带滤波器等。在这种SAW器件中，通过引线接合或凸块对收容在封装中的表面声波芯片和电路基板等之间进行连接。

[0003] 图27是表示以往的SAW器件的一例(参照专利文献1)的图，图27(a)是其厚度方向的剖面图，图27(b)是沿图27(a)的A-A线的剖面图。

[0004] 在图中，SAW器件1具有如下结构：在石英等压电基板2的一面形成成对的叉指状电极或梳状电极(IDT(Inter Digital Transducer))，隔着空腔4利用由玻璃基板形成的盖体9进行密封。

[0005] 如图27(b)所示，IDT 3在压电基板2上具有端子5，按图27(a)所示使用导电通孔7与外部电极8连接。

[0006] 另外，为了将盖体9接合在压电基板2上，在沿着压电基板2的外周的缘部形成接合用的电极图形6。

[0007] 由此，玻璃制盖体9通过进行阳极接合被固定密封在压电基板2的外周缘部上。

[0008] 以往的另一SAW器件(例如利用专利文献2的图2的制造工序制造的器件)，将其简化进行图示，按照图28所示进行制造。

[0009] 即，在图28中，符号1表示利用石英等压电材料形成的晶片，如图所示，由一个晶片1同时形成多个用于形成表面声波器件的表面声波芯片2、2…。

[0010] 表面声波芯片2在由晶片1构成的基板的一面上，形成由铝图形等构成的叉指状电极或梳状电极(IDT(Inter Digital Transducer)电极)3a、3b，表面声波器件具有利用由玻璃基板构成的盖体(未图示)密封该表面声波芯片2的结构。

[0011] 表面声波芯片2在图28中，在晶片1的一面的整个面上形成铝等金属膜5，例如利用光刻等方法以对置的形式形成各个表面声波芯片2的IDT 3a、3b，并使其电极指相互交替地插入。

[0012] 图29表示以往的再一SAW器件(例如专利文献3的图4示出的器件)，(a)是长度方向的剖面图，(b)是(a)图的主要部分放大图。具有在压电基板32上形成由铝构成的引出电极80，在压电基板32的表面上形成叉指状电极(IDT)和反射器等(未图示)的结构。在开口部81处配置导电嵌入部件82，通过在真空状态下加热实现引出电极80和外部电极83的连接，由此抑制因在引出电极80表面产生的氧化铝造成的连接电阻的影响。因此，不像本发明这样以叉指状电极的结构等为特征。

[0013] [专利文献1]日本特开2003-110391

[0014] [专利文献2]日本特开平8-213874

[0015] [专利文献3]日本特开2001-94388

[0016] 可是，在图27所示的以往的结构中，IDT 3的端子5设在压电基板2上，另外为了与该端子5实现电绝缘，在平面上分开的部位设置接合用的电极图形6。

[0017] 作为第1课题，相比IDT 3的大小，需要面积较大的压电基板2，空间效率恶化，成为SAW器件1小型化的障碍。

[0018] 在图28所示的以往的制造方法中，在其电极形成的工序中，为了使成对结构的IDT的一部分即IDT电极3a、3b相互分离，需要在它们周围形成没有电极膜的部分4。

[0019] 另一方面，这些IDT电极3a、3b主要需要防止电极间短路，所以优选在表面上形成作为保护膜的氧化膜。并且，在IDT电极3a、3b是铝电极时，从生产效率方面考虑，优选利用阳极氧化方法，在晶片1的状态下在所有IDT电极的表面成膜保护膜。

[0020] 作为第2课题，如图28所示，各个IDT电极3a、3b在晶片1上相互分离，所以很难在所有IDT电极的表面上一次性地形成保护膜。

发明内容

[0021] 本发明的目的在于，解决上述第1课题，提供具有适合于小型化的结构的表面声波芯片、表面声波器件和表面声波器件的制造方法。

[0022] 本发明的另一目的在于，解决上述第2课题，提供在制造工序中能够高效率地形成保护膜的结构的表面声波器件和表面声波器件的制造方法。

[0023] 并且，上述目的是通过第1发明实现的，一种表面声波器件，利用盖体密封在压电基板的一面形成有叉指状电极的表面声波芯片的所述一面，所述叉指状电极延伸到所述压电基板的外周，把用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部设置成到达所述压电基板的外周，并且在所述压电基板的所述一面上沿着所述盖体的密封面的外周缘设置有阳极接合用的密封区域，在所述盖体的外周缘、与所述压电基板上的所述分离部对应的部位形成有密封用的凹部，在将所述盖体粘贴在所述压电基板上的状态下，在所述凹部露出所述压电基板的所述电极图形的一部分。

[0024] 根据第1发明的结构，由于叉指状电极即IDT延伸到压电基板的外周，所以能够有效地把压电基板的所述一面的整个面用来形成IDT。即，相对于应该形成的IDT，能够使用面积小于以往的压电基板，从这一点讲能够形成小型的表面声波芯片。因此，在压电基板的外周形成用于把延伸到该外周的IDT分离为成对的电极的分离部。该分离部例如可以引出到外部，与以往的IDT的端子同样地进行使用。而且能够使表面声波芯片小型化。而且，对应这种结构的表面声波芯片，用于对其进行密封的盖体和压电基板的各自外周缘部通过阳极接合而粘贴。此处，在该盖体的密封区域中，在与要接合的压电基板的所述分离部对应的部位形成凹部，由此在实现内部的电极图形和外部电极的导通后，能够填充密封材料进行密封。从所述凹部露出的所述电极图形可以用作与外部电极等连接用的端子。

[0025] 这样，根据本发明，通过有效利用压电基板的面积，可以实现小型的SAW器件。

[0026] 第2发明的特征在于，在第1发明的结构中，在所述盖体的所述密封区域中形成有阳极接合用的玻璃。

[0027] 根据第2发明的结构，通过在所述盖体的所述密封区域预成形阳极接合用的玻璃，可以实现基于阳极接合的粘贴，能够容易实现可靠的密封结构。

[0028] 第3发明的特征在于，在第1发明的结构中，在所述盖体的密封面侧，在与设置有所述压电基板的所述叉指状电极等电极的区域对应的部位除外的整个面上形成有阳极接合用的玻璃。

[0029] 根据第3发明的结构，可以增大粘贴面积，实现可靠的粘贴结构。

[0030] 第4发明的特征在于，在第1、2、3任一发明的结构中，在所述盖体上不形成所述凹部，在该盖体的与所述压电基板的所述分离部对应的部位形成有贯通孔，从而形成与形成于所述盖体的表面侧的外部电极进行电连接的导电通孔。

[0031] 根据第4发明的结构，例如在盖体侧的表面连接外部电极时，由于在所述通孔的开口周围形成有外部电极，所以容易实现进行电连接用的结构。

[0032] 另外，上述目的是通过第5发明实现的，一种表面声波器件的制造方法，包括：分别准备具有叉指状电极的压电基板和对该压电基板进行密封的盖体的前期工序；以及把所述盖体粘贴在所述压电基板上进行密封的密封工序，在所述前期工序中，在所述压电基板的一面设置叉指状电极并使其延伸到该压电基板的外周，而且形成用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部并使其达到压电基板的外周，并且在所述压电基板的所述一面上沿着所述盖体的密封面的外周缘设置阳极接合用的密封区域，在该盖体的与所述压电基板的所述分离部对应的部位形成密封用的凹部，在所述密封工序中，通过阳极接合把所述盖体接合在所述压电基板的所述一面上，然后在所述盖体的表面侧形成外部电极，执行与所述压电基板侧的电极图形连接的连接工序，再利用绝缘性密封材料对所述凹部进行孔密封，在把所述盖体粘贴在所述压电基板上后，在所述凹部露出所述压电基板的所述电极图形的一部分，在所述连接工序中，将所述外部电极的电极图形引到所述凹部中，从而与所述压电基板的所述电极图形电连接。

[0033] 根据第5发明的结构，在前期工序中进行的处理使设置电极的范围与以往的范围不同，另外，在盖体上通过进行所述加工即可实现。并且，如果进行所述前期工序，则在所述密封工序中，通过阳极接合即可比较容易地粘贴盖体和压电基板。该情况下，在前期工序中，在所述盖体上形成所述凹部，所以不必担心电极之间短路，通过在压电基板的一面的整个面上形成IDT，可以容易地制造小型的SAW器件。把从所述凹部露出的所述电极图形用作与外部电极等连接用的端子，能够容易地实现必要的电连接。

[0034] 第6发明的特征在于，在第5发明的结构中，在所述盖体上不形成所述凹部，在该盖体的与所述压电基板的所述分离部对应的部位预先形成贯通孔，把该贯通孔作为导电通孔，在所述连接工序中，进行所述外部电极与所述压电基板侧的所述电极图形的电连接。

[0035] 根据第6发明的结构，例如在盖体侧的表面连接外部电极时，如果在所述通孔的开口周围形成外部电极，则能够容易地连接该外部电极和IDT。

[0036] 上述的解决第2课题的目的是通过第7发明实现的，一种表面声波器件，利用盖体密封在压电基板的一面形成有叉指状电极的表面声波芯片的所述一面，所述叉指状电极延伸到所述压电基板的外周，具有由该延伸的电极图形的至少一部分形成的保护膜形成用图形，把用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部设置成到达所述压电基板的外周，并且在所述压电基板的所述一面上沿着所述盖体的密封面的外周缘设置有阳极接合用的密封区域，并且不将所述叉指状电极的电极图形分离，而将其一部分用作所述密封区域，在构成所述叉指状电极的电极图形的所述密封区域部位，所述电极图形形成为一体，该区域被用作所述保护膜形成用图形，在所述盖体的外周缘、与所述压电基板上的所述分离部对应的部位形成有密封用的凹部，在将所述盖体粘贴在所述压电基板上的状态下，在所述凹部露出所述压电基板的所述电极图形的一部分。

[0037] 根据第7发明的结构，由于叉指状电极即IDT延伸到压电基板的外周，所以能够有效地把压电基板的所述一面的整个面用来形成IDT。即，相对于应该形成的IDT，能够使用面积小于以往的压电基板，从这一点讲能够形成小型的表面声波芯片。因此，在压电基板的外周形成用于把延伸到该外周的IDT分离为成对的电极的分离部。该分离部例如可以引出到外部，与以往的IDT的端子同样地进行使用。

[0038] 并且，IDT把延伸到压电基板的外周的电极图形的至少一部分作为保护膜形成用图形，通过向该保护膜形成用图形通电，可以在IDT上形成由阳极氧化膜构成的保护膜。而且，该保护膜形成用图形利用延伸到压电基板的外周的电极图形，所以在由相同的基板材料(例如“石英晶片”)形成多个表面声波芯片的工序中，通过连接设在该基板材料上的金属膜和每个保护膜形成用图形，能够容易地同时对由该基板材料形成的多个所有表面声波芯片的IDT形成所述阳极氧化膜。

[0039] 第8发明的特征在于，在第7发明的结构中，采用如下的结构：以从形成于所述叉指状电极的电极图形上的所述保护膜上弄破该保护膜的状态形成金属凸块，且所述金属凸块形成在如下部位：构成所述叉指状电极的电极图形中的靠近所述压电基板的外周缘的部分、且成为使所述压电基板的所述电极图形的一部分在所述凹部露出的露出部的部位，通过该金属凸块与形成于器件外部的外部电极连接。

[0040] 根据第8发明的结构，在IDT的保护膜切断电导通或成为较大的电阻的情况下，利用以弄破该保护膜的状态设置的金属凸块实现与外部电极的导通，由此实现可靠的连接。

[0041] 第9发明的特征在于，在第8发明的结构中，代替所述密封用凹部，在从预先形成于所述盖体上的贯通孔露出的所述电极图形的所述保护膜上，形成弄破该保护膜的所述金属凸块。

[0042] 根据第9发明的结构，例如在连接盖体侧表面的外部电极时，可以把所述贯通孔作为导电通孔，由于在其开口周围形成有外部电极，所以能够容易地实现进行电连接用的结构。该情况下，利用以弄破该保护膜的状态设置的金属凸块实现与外部电极的导通，从而能够实现更加可靠的连接。

[0043] 第10发明的特征在于，在第7发明的结构中，采用如下的结构：在所述延伸的电极图形的一部分不形成所述保护膜而设置露出部，该露出部形成为从所述盖体的所述凹部露出，并连接该露出部和形成于器件外部的外部电极。

[0044] 根据第10发明的结构，由于设置有不形成保护膜的露出部，所以在保护膜对电导通有不良影响的情况下，能够避免这种不良影响。

[0045] 并且，上述目的是通过第11发明实现的，一种表面声波器件的制造方法，包括：分别准备具有叉指状电极的压电基板和对该压电基板进行密封的盖体的基板侧前期工序和盖体侧前期工序；以及把所述盖体粘贴在所述压电基板上进行密封的密封工序，在所述基板侧前期工序中，在所述压电基板的一面设置叉指状电极并使其延伸到该压电基板的外周，形成由该延伸的电极图形的至少一部分构成的保护膜形成用图形，而且形成用于分离电极图形以使所述叉指状电极成对的分离部并使其达到压电基板的外周，使用所述保护膜形成用图形，对形成所述叉指状电极的电极图形形成由阳极氧化膜构成的保护膜，在所述盖体侧前期工序中，在所述压电基板的所述一面上沿着所述盖体的密封面的外周缘设置阳极接合用的密封区域，并且不将所述叉指状电极的电极图形分离，而将其一部分用作所述密封区域，在构成所述叉指状电极的电极图形的所述密封区域部位，将所述电极图形形成为一体，将该区域用作所述保护膜形成用图形，在该盖体的与所述压电基板的所述分离部对应的部位形成密封用的凹部，在所述密封工序中，通过阳极接合把所述盖体接合在所述压电基板的所述一面上，在将所述盖体粘贴在所述压电基板上之后，在所述凹部露出所述压电基板的所述电极图形的一部分，然后在所述盖体的表面侧形成外部电极，执行与所述压电基板侧的电极图形连接的连接工序，再利用绝缘性密封材料对所述凹部进行孔密封。

[0046] 根据第11发明的结构，在前期工序中进行的处理使设置电极的范围与以往的范围不同，另外，在盖体上通过进行所述加工即可实现。并且，如果进行所述前期工序，则在所述密封工序中，通过阳极接合即可比较容易地粘贴盖体和压电基板。该情况下，在前期工序中，由于在所述盖体上形成所述凹部，所以不必担心电极之间短路，通过在压电基板的一面的整个面上形成IDT，可以容易地制造小型的SAW器件。

[0047] 并且，在基板侧前期工序中，IDT把延伸到压电基板的外周的电极图形的至少一部分用作保护膜形成用图形，所以通过向该保护膜形成用图形通电，可以在IDT上形成由阳极氧化膜构成的保护膜。而且，该保护膜形成用图形利用延伸到压电基板的外周的电极图形，所以如果选择由相同的基板材料(例如“石英晶片”)形成多个表面声波芯片的工序，则通过连接设在该基板材料上的金属膜和每个保护膜形成用图形，能够容易地同时对由该基板材料形成的多个所有表面声波芯片的IDT形成所述阳极氧化膜。

[0048] 第12发明的特征在于，在第11发明的结构中，以从所述保护膜上弄破该保护膜的状态形成金属凸块，且所述金属凸块形成在如下部位：构成所述叉指状电极的电极图形中的靠近所述压电基板的外周缘的部分、且成为使所述压电基板的所述电极图形的一部分在所述凹部露出的露出部的部位，通过该金属凸块连接形成于器件外部的外部电极。

[0049] 根据第12发明的结构，在IDT的保护膜切断电导通或成为较大的电阻的情况下，如果弄破该保护膜设置金属凸块，则能够可靠地实现与外部电极的导通。

[0050] 第13发明的特征在于，在第12发明的结构中，在所述盖体上不形成所述凹部，在该盖体的与所述压电基板上的所述分离部对应的部位预先形成贯通孔，在从该贯通孔露出的所述电极图形的所述保护膜上形成所述金属凸块，把所述贯通孔作为导电通孔，通过所述金属凸块，进行所述外部电极与所述压电基板侧的所述电极图形的电连接。

[0051] 根据第13发明的结构，例如在连接盖体侧的表面的外部电极时，如果使所述贯通孔形成为导电通孔，则可以在其开口周围形成外部电极，因此能够容易地实现进行电连接用的结构。该情况下，利用以弄破该保护膜的状态设置的金属凸块实现与外部电极的导通，所以能够实现更加可靠的连接。

[0052] 第14发明的特征在于，在第11发明的结构中，在形成保护膜时，在所述延伸的电极图形的一部分上配置掩模，不形成所述保护膜而设置露出部，该露出部形成为从所述盖体的所述凹部露出，并连接该露出部和形成于器件外部的外部电极。

[0053] 根据第14发明的结构，由于设置不形成保护膜的露出部，所以在保护膜对电导通有不良影响的情况下，能够避免这种不良影响。

附图说明

[0054] 图1是表示本发明的SAW器件的第1实施方式的概略分解立体图。

[0055] 图2是表示图1的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0056] 图3是表示图1的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0057] 图4是表示图1的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0058] 图5是沿图4的B-B线的概略剖面图。

[0059] 图6是表示图1的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0060] 图7是沿图6的C-C线的概略剖面图。

[0061] 图8是表示图1的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0062] 图9是沿图8的D-D线的概略剖面图。

[0063] 图10是表示图1的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0064] 图11是表示本发明的SAW器件的第2实施方式的概略俯视图。

[0065] 图12是沿图11的E-E线的概略剖面图。

[0066] 图13是表示本发明的SAW器件的第3实施方式的概略分解立体图。

[0067] 图14是表示图13的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0068] 图15是表示图13的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0069] 图16是表示在图13的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分中形成的金属凸块的局部剖面图。

[0070] 图17是表示图13的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0071] 图18是表示图13的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0072] 图19是沿图18的F-F线的概略剖面图。

[0073] 图20是表示图13的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0074] 图21是沿图20的G-G线的概略剖面图。

[0075] 图22是表示图13的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0076] 图23是沿图22的H-H线的概略剖面图。

[0077] 图24是表示图13的SAW器件的制造方法的实施方式的制造工序的一部分的图。

[0078] 图25是表示本发明的SAW器件的第3实施方式的概略俯视图。

[0079] 图26是沿图25的I-I线的概略剖面图。

[0080] 图27是表示以往的SAW器件的一例的图。

[0081] 图28是表示以往的SAW器件的一例的图。

[0082] 图29是表示以往的SAW器件的另一例的图。

具体实施方式

[0083] 图1是表示本发明的SAW器件的第1实施方式的概略分解立体图。

[0084] 在图中，SAW器件30具有SAW芯片(表面声波芯片)31、和通过接合在该SAW芯片31上而密封SAW芯片31的盖体41。SAW芯片31如图1所示，具有压电基板32、叉指状电极即IDT(梳状电极)33和反射器34、34。

[0085] 压电基板32例如可以使用石英、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等单结晶基板或者在Si基板上成膜ZnO而得到的基板等的多层膜基板等作为压电材料。在该实施方式中，例如使用石英基板。

[0086] IDT 33和反射器34在压电基板32的一面即能动面上，通过蒸镀或溅射等形成薄膜状的铝或钛等导体金属，然后如后面所述，例如使用光刻方法使其形成为叉指状。即，在图1的压电基板32的上表面利用平行斜线表示的区域是形成有电极图形的区域。

[0087] 具体来讲，IDT 33(33a和33b)形成为分别以预定的间距并列设置多个电极指，并使长度方向的各个基端部短路。即，形成为两个梳状的电极图形33a、33b的各个梳齿部分对置，并隔开预定距离相互交替地插入，如图所示形成成对的结构。

[0088] 此处，在该实施方式中，特别是IDT 33形成在压电基板32的一面(在图中为上表面)的整个面上，IDT 33的电极图形延伸到压电基板32的外周缘，不像以往那样形成端子。并且，构成IDT 33的电极图形中延伸到压电基板32的外周缘的缘部的由虚线图示的区域形成为用于接合盖体41的密封区域36。不将IDT 33的电极图形分离，而将其一部分用作密封区域36，这一点是本实施方式的一个特征。

[0089] 并且，电极图形33a和33b形成为在延伸到压电基板32的外周缘部的分离部35、35处被分离，从而不会短路。此处，分离部35、35在把对置的电极图形分离成带状的区域中，在该分离部的压电基板32的外周缘部，形成切开一个电极图形的切口部37、37。由此，如后面所述，可靠地防止电极之间的短路。

[0090] 并且，IDT 33按后面所述与形成于盖体41侧的外部电极43、43电连接，具有通过该外部电极43、43进行电信号和表面声波(SAW)之间的转换的功能。

[0091] 在IDT 33的两侧设有反射器34、34。反射器34的多个导体带与IDT33同样形成为以预定间距并列设置，并且长度方向的各两端部被短路。

[0092] 并且，例如相同结构的两个反射器34、34形成为，其导体带与IDT33的电极指平行，而且使IDT 33在与表面声波的传播方向、即作为箭头T方向所表示的方向的IDT 33的电极指的长度方向正交的方向上，隔开预定距离而夹入。该反射器34、34具有反射从IDT33传播来的表面声波，将表面声波的能量封闭在内部的功能。

[0093] 在这种结构中，电信号在通过上述外部端子输入到IDT 33上时，通过压电效应转换为表面声波。该表面声波在箭头T方向上、即与IDT 33的电极指的长度方向正交的方向上传播，从IDT 33的两侧向反射器34、34放射。此时，最强烈地激励具有由压电基板32的材质、电极厚度或电极宽度等决定的传播速度、和与IDT 33的电极指的电极周期do相等的波长的表面声波。该表面声波通过反射器34、34多级反射后返回IDT 33，并转换为谐振频率附近的频率(工作频率)的电信号，从IDT 33通过外部电极43、43输出。

[0094] 盖体41是由绝缘性材料形成的板体，该情况下，由具有和压电基板32的外形相同的外形的玻璃制板体形成。

[0095] 盖体41以图示关系重叠在压电基板32上，通过阳极接合进行粘贴接合。因此，盖体41的未图示的背面如后面所述，在与压电基板32的密封区域36对应的部位形成可以阳极接合的接合膜。并且，盖体41的未图示的背面中与IDT 33和反射器34对置的区域形成为凹状的空腔。

[0096] 另外，在盖体41的侧缘部形成有凹部42、42。凹部42、42形成在位于压电基板32的分离部35、35上的部位。具体来讲，形成于在把盖体41粘贴在压电基板32上的状态下，使压电基板32的IDT 33a、33b的各电极图形的一部分在凹部42、42内露出的部位。由此，如在后述的制造工序中说明的那样，能够进行IDT 33和盖体41的外部电极43的电连接。

[0097] 本实施方式的SAW器件30如上所述构成，不像在图27中说明的以往的SAW器件那样在压电基板上以与阳极接合用的电极图形分离开的方式形成IDT的端子。

[0098] 换言之，由于在压电基板32的整个面积上形成IDT，所以能够有效利用其空间，相应地可以使SAW器件30整体小型化。

[0099] (SAW器件的制造方法)

[0100] (前处理工序)

[0101] 下面，参照图2～图10说明SAW器件30的制造方法的实施方式。在前处理工序中，分别形成SAW芯片和盖体。

[0102] 在图2中，首先，准备例如石英晶片作为形成压电基板32的材料。在该阶段，如后面所述，作为尚未切出每个产品的大小之前的状态，准备能够切取对应多个产品的压电基板的大小的石英晶片，但在后面的图中，为了便于理解，仅图示说明产品单位的大小的部分。

[0103] 在成为压电基板32的石英晶片的一面形成IDT 33、33、反射器34、34。在该实施方式中，首先通过溅射或蒸镀，在压电基板32的整个面上成膜铝(Al)或铝合金。

[0104] 然后，在形成IDT 33、33、反射器34、34的区域形成对应的抗蚀剂图形，通过曝光/显影，并且采用光刻方法通过蚀刻工艺去除未被掩盖的部位，形成作为IDT 33、33、反射器34、34的铝图形(电极图形)。

[0105] 此处，在图1中已经对形成IDT 33、33、反射器34、34的区域和分离部35、切口部37进行了说明，所以省略重复说明。

[0106] 图3表示盖体41。在该实施方式中，在外形与压电基板相同的矩形的玻璃制板体的外周缘部形成有两个凹部42、42。并且，在沿着外周缘部的密封区域45的内侧形成凹部或空腔44。这可以通过玻璃的成形来实现，也可以通过切削矩形的板玻璃来形成。另外，在密封区域45中，在其密封面即与压电基板接合的面上，形成能够与构成压电基板上形成的电极图形的金属进行阳极接合的接合膜。此处，通过烧结等形成能够与铝或铝合金接合的类型的玻璃被膜，作为接合膜。即，在密封区域45中形成例如Pyrex(注册商标)玻璃的被膜，作为含有可动离子的玻璃。

[0107] (密封工序)

[0108] 然后，如图4和图5所示，把盖体41叠放在压电基板32上。此处，图5是沿图4的B-B线的概略剖面图。在该状态下，例如在氮气氛围下加热到Pyrex(注册商标)玻璃的软化点以下、铝的熔点以下的温度，再按图4所示施加直流电压。即，通过阳极接合把盖体41粘贴在压电基板32上。在该状态下，在盖体41的凹部42中，延伸到压电基板32的外周的IDT 33的外端部作为露出部38而露出。并且，与该露出部38邻接的部位作为切口部37，没有形成电极。

[0109] 然后，如图6和图7所示，在盖体41的两端部形成外部电极51、51。此处，图7是沿图6的C-C线的概略剖面图。对盖体41进行必要的掩盖，例如通过溅射或蒸镀铝而形成外部电极51、51。

[0110] 在形成该外部电极51、51时，露出部38从盖体41的凹部42露出，所以如图7所示，形成外部电极51a的金属膜成膜为蔓延到露出部38上。

[0111] 即，作为IDT 33的延伸到压电基板32外周的部分的露出部38被直接用作与外部电极51a的连接端子。并且，与露出部38连接的外部电极51的金属膜即使稍微从露出部38突出，由于在邻接的切口部37上不存在电极图形，所以也不会使电极图形之间短路。

[0112] 此处，IDT 33的露出部38是铝电极，被用作连接端子，所以在形成电极后，在与外部电极51a连接之前的期间，形成自然氧化膜，而且有时还有可能妨碍导通性能。在这种可能的情况下，针对露出部38，弄破该自然氧化膜，例如形成金凸块等的金属凸块，通过该金属凸块实现与外部电极51a的导通。

[0113] 然后，如图8和图9所示，对盖体41的凹部42进行孔密封。此处，图9是沿图8的D-D线的概略剖面图。

[0114] 在凹部42、42中，作为绝缘材料，例如填充熔融的低熔点玻璃等的填充剂52、52，从而不会产生电极图形的短路，并实现气密地孔密封。

[0115] 图10表示多个SAW器件30纵横形成为一体的状态，构成压电基板的石英晶片如上面所述，在对应于多个或多种产品的大小的晶片纵横形成为一体的状态下进行上述工序。

[0116] 最后，沿着图10中的C1、C2所示的切断线，通过切片进行切断，切取并完成SAW器件30。

[0117] 另外，孔密封中的在图8和图9中说明的填充剂52是从凹部42的上方填充的。

[0118] 图11和图12表示SAW器件的第2实施方式，图11是SAW器件30的概略俯视图，图12是沿图11的E-E线的概略剖面图。

[0119] 在这些图中，对与第1实施方式相同结构赋予相同的符号，并省略重复说明，以下说明不同点。

[0120] 在盖体41上没有像第1实施方式那样形成凹部。但是，在盖体41上，在分别与构成压电基板32的IDT 33的成对电极、具有电极指的电极图形33a、33b相对应的部位，在与各个外部电极(外部电极形成于和第1实施方式的外部电极51a、51b相同的位置处，但省略图示)对应的部位形成贯通孔61、62。在各个贯通孔61、62的内周成膜形成外部电极时的金属膜，从而形成导电通孔。

[0121] 由此，外部电极和IDT 33通过贯通孔61、62电连接。

[0122] 该实施方式与第1实施方式同样可以形成为小型结构，此外具有如下的优点：只要是能够避开分离部35、且与各电极图形33a、33b对应的位置，就能够在任意部位形成贯通孔61、62。并且，还具有可以不进行孔密封的优点。

[0123] 本发明不限于上述实施方式。各实施方式的各种结构可以适当省略一部分，也可以与未图示的其他结构组合。

[0124] 并且，在上述实施方式中形成为伴随有反射器的结构，但也可以没有反射器。压电基板和盖体也可以不是矩形，而为任意形状。盖体不一定采用玻璃，只要是具有绝缘性、能够与IDT电极的金属进行阳极接合的材料，可以采用任何种类。

[0125] 图13是表示本发明的SAW器件的第2实施方式的概略分解立体图。对和图1相同的部件利用相同符号表示。在图中，SAW器件30具有SAW芯片(表面声波芯片)31、和通过接合在该SAW芯片31上而密封SAW芯片31的盖体41。SAW芯片31如图13所示，具有压电基板32、叉指状电极即IDT(梳状电极)33和反射器34、34。

[0126] 压电基板32例如可以使用石英、钽酸锂(LiTaO3)、铌酸锂(LiNbO3)等单结晶基板或在Si基板上成膜ZnO而得到的基板等的多层膜基板等作为压电材料。在该实施方式中，例如使用石英基板。

[0127] IDT 33和反射器34在压电基板32的一面即能动面上，通过蒸镀或溅射等形成薄膜状的铝或钛等导体金属，然后如后面所述，例如使用光刻方法使其形成为叉指状。即，在图13的压电基板32的上表面利用平行斜线表示的区域是形成有电极图形的区域。

[0128] 具体来讲，IDT 33(33a和33b)形成为分别以预定的间距并列设置多个电极指，并使长度方向的各个基端部短路。即，形成为两个梳状的IDT 33a、33b的各个梳齿部分对置，并隔开预定距离相互交替地插入，如图所示形成成对的结构。

[0129] 此处，在该实施方式中，特别是IDT 33形成于压电基板32的一面(在图中为上表面)的整个面上，IDT 33的电极图形延伸到压电基板32的外周缘，不像以往那样形成端子。并且，构成IDT 33的电极图形中延伸到压电基板32的外周缘的缘部的由虚线图示的区域形成为用于接合盖体41的密封区域36。不将IDT 33的电极图形分离，而将其一部分用作密封区域36。

[0130] 另外，靠近压电基板32的外周缘的电极图形的一部分，即在该实施方式中的密封区域36的整体或任一部位，在后述的制造工序中被用作保护膜形成用的图形71。

[0131] 并且，IDT 33a和IDT 33b形成为在延伸到压电基板32的外周缘部的分离部35、35处被分离，从而不会短路。此处，分离部35、35在把对置的电极图形分离成带状的区域中，在该分离部的压电基板32的外周缘部，形成切开一个电极图形的切口部37、37。由此，如后面所述，可靠地防止电极之间的短路。

[0132] 并且，IDT 33按后面所述与形成于盖体41侧的外部电极51、51电连接，具有通过该外部电极51、51进行电信号和表面声波(SAW)之间的转换的功能。

[0133] 在IDT 33的两侧设有反射器34、34。反射器34的多个导体带与IDT33同样形成为以预定间距并列设置，长度方向的各两端部被短路。

[0134] 并且，例如相同结构的两个反射器34、34形成为，其导体带与IDT33的电极指平行，而且使IDT 33在与表面声波的传播方向、即作为箭头T方向所表示的方向的IDT 33的电极指的长度方向正交的方向上，隔开预定距离而夹入。该反射器34、34具有反射从IDT33传播来的表面声波，将表面声波的能量封闭在内部的功能。

[0135] 这种IDT 33和反射器34、34根据电极图形形成为一体，在其表面上按后面所述形成利用保护膜形成用图形71设置的保护膜用的氧化膜，在该实施方式中，例如形成阳极氧化膜(未图示)。

[0136] 在这种结构中，当电信号通过上述外部端子输入给IDT 33时，通过压电效应转换为表面声波。该表面声波在箭头T方向上、即与IDT 33的电极指的长度方向正交的方向上传播，从IDT 33的两侧向反射器34、34放射。此时，最强烈地激励具有由压电基板32的材质、电极厚度或电极宽度等决定的传播速度、和与IDT 33的电极指的电极周期do相等的波长的表面声波。该表面声波通过反射器34、34多级反射后返回IDT 33，并转换为谐振频率附近的频率(工作频率)的电信号，通过外部电极51、51从IDT 33输出。

[0137] 盖体41是由绝缘性材料形成的板体，该情况下，由具有和压电基板32的外形相同的外形的玻璃制板体形成。

[0138] 盖体41以图示关系重叠在压电基板32上，通过阳极接合进行粘贴接合。因此，盖体41的未图示的背面如后面所述，在与压电基板32的密封区域36对应的部位形成可以阳极接合的接合膜。并且，盖体41的未图示的背面中与IDT 33和反射器34对置的区域形成为凹状的空腔。

[0139] 另外，在盖体41的侧缘部形成有凹部42、42。凹部42、42形成在位于压电基板32的分离部35、35上的部位。具体来讲，形成于在把盖体41粘贴在压电基板32上的状态下，在凹部42、42内构成压电基板32的IDT的33a、33b的各电极图形的一部分露出的部位。由此，如在后面的制造工序中说明的那样，能够进行IDT 33和盖体41的外部电极51的电连接。

[0140] 本实施方式的SAW器件30如上所述构成，不像在图28中说明的以往的SAW器件那样在压电基板上与阳极接合用的电极图形分离开地形成IDT的端子。

[0141] 换言之，由于在压电基板32的整个面积上形成IDT，所以能够有效利用其空间，相应地可以使SAW器件30整体小型化。

[0142] 并且，形成IDT 33的电极图形延伸到压电基板32的外周缘，靠近该外周缘的电极图形被用作保护膜形成用图形71，从而在后述的制造工序中容易形成由阳极氧化膜构成的保护膜。

[0143] (SAW器件的制造方法)

[0144] (前处理工序)

[0145] 下面，参照图14～图22说明SAW器件30的制造方法的实施方式。在前处理工序中，分别形成SAW芯片和盖体(基板侧前期工序)。

[0146] 在图14中，首先，准备例如石英晶片70作为用于形成压电基板32的材料。在该阶段，如后面所述，作为尚未切出每个产品的大小之前的状态，准备能够切取对应多个产品的压电基板32的大小的石英晶片，但在图15以后的图中，为了便于理解，仅图示说明产品单位的大小的部分。

[0147] 在成为压电基板32的石英晶片70的一面形成IDT 33、33、反射器34、34。在该实施方式中，首先通过溅射或蒸镀，在压电基板32的整个面上成膜铝(Al)或铝合金。

[0148] 然后，在形成IDT 33、33、反射器34、34的区域形成对应的抗蚀剂图形，通过曝光/显影，并且采用光刻方法通过蚀刻工艺去除未被掩盖的部位，形成作为IDT 33、33、反射器34、34的铝图形(电极图形)。

[0149] 此处，IDT 33、33、反射器34、34由一体的电极图形形成，如图所示，在石英晶片70的产品形成面的整个面上形成一体的电极图形，从而在以每个压电基板32为单位观察时，形成为分别延伸到该基板32的外周缘。关于分离部35、切口部37，在图13中已经说明，所以省略重复说明。

[0150] 特别重要的是在构成IDT 33的电极图形的密封区域36的部位，同一石英晶片上的各电极图形形成为一体，该区域也被用作保护膜形成用图形71。

[0151] 即，把保护膜形成用图形71作为阳极，利用其他导体形成作为另一极的阴极72，按照电解的要领，把图14所示的结构整体浸渍于水中。

[0152] 在水中进行水的电解，从作为阳极即铝电极的IDT 33的电极图形产生氧气，从阴极72产生氢气。

[0153] 在IDT 33中，铝和氧气反应并进行氧化，在电极图形的表面，作为保护层的氧化被膜形成于整个图形表面上。即，在石英晶片70的状态下，在晶片上的所有压电基板32的IDT表面上能够容易地一次性地形成保护膜。

[0154] 另外，在通过阳极氧化形成的氧化被膜的基底部形成有介电性的活性层，在该活性层的上层具有连接外活性层的纵向的多个小孔的多孔层。

[0155] 为了提高氧化膜的保护性，使高温水蒸气接触阳极氧化膜。由此，构成多孔层的分子通过含有水分而膨胀，从而填充孔，所以耐蚀性提高。

[0156] 然后，根据需要在构成IDT 33的电极图形中靠近压电基板32的外周缘的部分、而且成为后述的露出部的部位，分别形成金属凸块73、74。金属凸块73、74优选金(Au)凸块。该金属凸块73、74如图16的局部剖面图所示，形成为弄破作为上述保护膜33d的阳极氧化膜。这样设置的金属凸块73、74在使阳极氧化膜不仅发挥耐蚀性，而且发挥必要程度以上的电绝缘性作用时，用来良好地进行电极图形33a、33b和后述的外部电极的电连接。

[0157] (盖体侧前期工序)

[0158] 图17表示盖体41。在该实施方式中，在外形与压电基板相同的矩形的玻璃制板体的外周缘部形成两个凹部42、42。并且，在沿着外周缘部的密封区域45的内侧形成凹部或空腔44。这可以通过玻璃的成形来实现，也可以通过切削矩形的板玻璃来形成。另外，在密封区域45中，在其密封面即与压电基板接合的面上，形成能够与构成压电基板上形成的电极图形的金属进行阳极接合的接合膜。此处，作为接合膜，通过烧结等形成能够与铝或铝合金接合的类型的玻璃被膜。即，在密封区域45中形成例如Pyrex(注册商标)玻璃的被膜，作为含有可动离子的玻璃。

[0159] (密封工序)

[0160] 然后，如图18和图19所示，把盖体41叠放在压电基板32上。此处，图19是沿图18的F-F线的概略剖面图。在该状态下，例如在氮气氛围下加热到Pyrex(注册商标)玻璃的软化点以下、铝的熔点以下的温度，再按图18所示施加直流电压。即，通过阳极接合把盖体41粘贴在压电基板32上。在该状态下，在盖体41的凹部42中，延伸到压电基板32的外周的IDT 33的外端部，作为在上表面预先形成金属凸块73、74的露出部38而露出。并且，与该露出部38邻接的部位作为切口部37，没有形成电极。

[0161] 然后，如图20和图21所示，在盖体41的两端部形成外部电极51、51。此处，图21是沿图20的G-G线的概略剖面图。对盖体41进行必要的掩盖，例如通过溅射或蒸镀铝而形成外部电极51、51。

[0162] 在形成该外部电极51、51时，露出部38从盖体41的凹部42露出，所以如图20所示，形成外部电极51a的金属膜成膜为蔓延到露出部38上。另外，如图21所示，在露出部38上预先形成有金属凸块74，金属膜以覆盖该金属凸块74的状态进行附着。

[0163] 即，作为IDT 33的延伸到压电基板32外周的部分的露出部38，被直接用作与外部电极51a的连接端子。

[0164] 该情况下，在露出部38的表面形成有上述的保护膜，即使在该保护膜破坏了露出部38的导通性时，也能够通过弄破保护膜形成的金属凸块74，可靠地进行外部电极51和IDT 33侧的电连接。

[0165] 并且，与露出部38连接的外部电极51的金属膜即使稍微从露出部38突出，由于在邻接的切口部37不存在电极图形，所以也不会使电极图形之间短路。

[0166] 然后，如图22和图23所示，对盖体41的凹部42进行孔密封。此处，图23是沿图22的H-H线的概略剖面图。

[0167] 在凹部42、42中，作为绝缘材料，例如填充熔融的低熔点玻璃等的填充剂52、52，从而不会产生电极图形的短路，并实现气密地孔密封。

[0168] 图24表示多个SAW器件30纵横地形成为一体的状态，构成压电基板的石英晶片如上面所述，对应于多个或多种产品的大小的晶片以纵横形成为一体的状态进行上述工序。

[0169] 最后，沿着图24中的C1、C2所示的切断线，通过切片进行切断，切取并完成SAW器件30。

[0170] 另外，孔密封中的在图22和图23中说明的填充剂52是从凹部42的上方填充的。

[0171] 图25和图26表示SAW器件的第3实施方式，图25是SAW器件30的概略俯视图，图26是沿图25的I-I线的概略剖面图。

[0172] 在这些图中，对和第2实施方式相同的结构赋予相同的符号，并省略重复的说明，以下说明不同点。

[0173] 在盖体41上没有像第2实施方式那样形成凹部。但是，在盖体41上，在分别与构成压电基板32的IDT 33的成对电极、具有电极指的电极图形33a、33b对应的部位，在与各外部电极(外部电极形成于和第2实施方式的外部电极51a、51b相同的位置处，但省略图示)对应的部位形成贯通孔61、62。在各贯通孔61、62的内周成膜形成外部电极时的金属膜，从而形成导电通孔。在各贯通孔61、62的孔底露出IDT 33的电极图形，形成为电极的露出部。

[0174] 由此，外部电极和IDT 33通过贯通孔61、62电连接。

[0175] 该实施方式与第2实施方式同样可以形成为小型结构，此外具有如下的优点：只要是能够避开分离部35、与各个电极图形33a、33b对应的位置，就能够在任意部位形成贯通孔61、62。并且，具有可以不进行孔密封的优点。

[0176] 本发明不限于上述实施方式。各实施方式的各种结构可以适当省略一部分，也可以与未图示的其他结构组合。

[0177] 并且，在上述实施方式中形成为伴随有反射器的结构，但也可以没有反射器。压电基板和盖体也可以不是矩形，而为任意形状。盖体不一定采用玻璃，只要是具有绝缘性、能够与IDT电极的金属进行阳极接合的材料，可以采用任何种类。