层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法

摘要

一种层叠电容，具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、形成于层叠体的多个端子电极。多个内部电极包含交互配置的多个第一、第二内部电极。多个端子电极至少包含3个端子电极。经通孔导体彼此电连接的多个第一内部电极中的至少2个第一内部电极经引出导体，电连接于至少3个端子电极中2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下的互不相同的端子电极。经通孔导体彼此电连接的多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极的端子电极以外的剩余端子电极。通过调整经引出导体连接于端子电极的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望值。

权利要求

1.一种层叠电容，其特征在于，具备：

交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

所述多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，所述多个端子电极至少包含3个端子电极，

所述多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第一内部电极中的至少2个第一内部电极经第一引出导体，电连接于所述至少3个端子电极中的2个以上、比所述多个端子电极总数至少少1个的数量以下的互不相同的端子电极上，所述多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方的内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

2.一种层叠电容，其特征在于，具备：

交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

所述多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，所述多个端子电极至少包含3个端子电极，

所述多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第一内部电极中的至少2个第一内部电极经第一引出导体，电连接于所述至少3个端子电极中的2个以上、比所述多个端子电极总数至少少1个的数量以下的互不相同的端子电极上，所述多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极在所述层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。

3.一种层叠电容，其特征在于，具备：

交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

所述多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，所述多个端子电极至少包含3个端子电极，

所述多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第一内部电极中的至少1个第一内部电极分别经第一引出导体，电连接于所述至少3个端子电极中的2个以上、比所述多个端子电极总数至少少1个的数量以下的端子电极上，所述多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

4.一种层叠电容，其特征在于，具备：

交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，

所述多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，所述多个端子电极至少包含3个端子电极，

所述多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第一内部电极中的至少1个第一内部电极分别经第一引出导体，电连接于所述至少3个端子电极中的2个以上、比所述多个端子电极总数至少少1个的数量以下的端子电极上，所述多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的第二内部电极的至少一方内部电极在所述层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。

5.根据权利要求1～4之一所述的层叠电容，其特征在于：所述多个端子电极包含2个以上的第一端子电极和2个以上的第二端子电极，所述多个第一内部电极通过所述第一引出导体和所述通孔导体，电连接于所述2个以上的第一端子电极上，所述多个第二内部电极通过所述第二引出导体和所述通孔导体，电连接于所述2个以上的第二端子电极上。

6.根据权利要求1～4之一所述的层叠电容，其特征在于：通过分别进一步调整将所述多个第一内部电极彼此电连接的所述通孔导体的数量、和将所述多个第二内部电极彼此电连接的所述通孔导体的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

7.根据权利要求1～4之一所述的层叠电容，其特征在于：所述多个第一内部电极彼此并联连接，

所述多个第二内部电极彼此并联连接。

8.一种层叠电容，其特征在于，具备：

交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为所述多个内部电极，所述第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比所述第一数量少1的数量以下的第一内部电极经第一引出导体，电连接于所述多个端子电极中互不相同的端子电极上，所述第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比所述第二数量少1的数量以下之第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极中互不相同的端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

9.一种层叠电容，其特征在于，具备：

交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为所述多个内部电极，所述第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比所述第一数量少1的数量以下的第一内部电极经第一引出导体，电连接于所述多个端子电极中互不相同的端子电极上，所述第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比所述第二数量少1的数量以下的第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极中互不相同的端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极在所述层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。

10.一种层叠电容，其特征在于，具备：

交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为所述多个内部电极，所述第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比所述第一数量少1的数量以下的第一内部电极分别经第一引出导体，电连接于所述多个端子电极中的至少1个端子电极上，所述第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比所述第二数量少1的数量以下的第二内部电极分别经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极中的至少1个端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

11.一种层叠电容，其特征在于，具备：

交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为所述多个内部电极，所述第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比所述第一数量少1的数量以下的第一内部电极分别经第一引出导体，电连接于所述多个端子电极中的至少1个端子电极上，所述第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比所述第二数量少1的数量以下的第二内部电极分别经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极中的至少1个端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极在所述层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。

12.根据权利要求8-11之一所述的层叠电容，其特征在于：通过分别进一步调整将所述多个第一内部电极彼此电连接的所述通孔导体的数量、和将所述多个第二内部电极彼此电连接的所述通孔导体的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

13.根据权利要求8-11之一所述的层叠电容，其特征在于：所述多个第一内部电极彼此并联连接，

所述多个第二内部电极彼此并联连接。

14.一种层叠电容的等效串联电阻调整方法，其特征在于，该层叠电容具备：交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

所述多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，所述多个端子电极至少包含3个端子电极，

所述多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第一内部电极中的至少2个第一内部电极经第一引出导体，电连接于所述至少3个端子电极中的2个以上、比所述多个端子电极总数至少少1个的数量以下的互不相同的端子电极上，所述多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

15.一种层叠电容的等效串联电阻调整方法，其特征在于，该层叠电容具备：交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

所述多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，所述多个端子电极至少包含3个端子电极，

所述多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第一内部电极中的至少2个第一内部电极经第一引出导体，电连接于所述至少3个端子电极中的2个以上、比所述多个端子电极总数至少少1个的数量以下的互不相同的端子电极上，所述多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极在所述层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。

16.一种层叠电容的等效串联电阻调整方法，其特征在于，该层叠电容具备：交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

所述多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，所述多个端子电极至少包含3个端子电极，

所述多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第一内部电极中的至少1个第一内部电极分别经第一引出导体，电连接于所述至少3个端子电极中的2个以上、比所述多个端子电极总数至少少1个的数量以下的端子电极上，所述多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

17.一种层叠电容的等效串联电阻调整方法，其特征在于，该层叠电容具备：交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

所述多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，所述多个端子电极至少包含3个端子电极，

所述多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，

所述多个第一内部电极中的至少1个第一内部电极分别经第一引出导体，电连接于所述至少3个端子电极中的2个以上、比所述多个端子电极总数至少少1个的数量以下的端子电极上，所述多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的第二内部电极的至少一方内部电极在所述层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。

18.一种层叠电容的等效串联电阻调整方法，其特征在于，该层叠电容具备：交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为所述多个内部电极，所述第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比所述第一数量少1的数量以下的第一内部电极经第一引出导体，电连接于所述多个端子电极中互不相同的端子电极上，所述第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比所述第二数量少1的数量以下的第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极中互不相同的端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

19.一种层叠电容的等效串联电阻调整方法，其特征在于，该层叠电容具备：交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为所述多个内部电极，所述第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比所述第一数量少1的数量以下的第一内部电极经第一引出导体，电连接于所述多个端子电极中互不相同的端子电极上，所述第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比所述第二数量少1的数量以下的第二内部电极经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极中互不相同的端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极在所述层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。

20.一种层叠电容的等效串联电阻调整方法，其特征在于，该层叠电容具备：交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为所述多个内部电极，所述第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比所述第一数量少1的数量以下的第一内部电极分别经第一引出导体，电连接于所述多个端子电极中的至少1个端子电极上，所述第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比所述第二数量少1的数量以下的第二内部电极分别经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极中的至少1个端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。

21.一种层叠电容的等效串联电阻调整方法，其特征在于，该层叠电容具备：交互层叠有多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，

具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为所述多个内部电极，所述第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，所述第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比所述第一数量少1的数量以下的第一内部电极分别经第一引出导体，电连接于所述多个端子电极中的至少1个端子电极上，所述第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比所述第二数量少1的数量以下的第二内部电极分别经第二引出导体，电连接于经所述第一引出导体电连接于所述第一内部电极上的所述端子电极以外的剩余端子电极中的至少1个端子电极上，通过调整经所述第一引出导体电连接于所述端子电极上的所述第一内部电极和经所述第二引出导体电连接于所述端子电极上的所述第二内部电极的至少一方内部电极在所述层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。

说明书

技术领域

本发明涉及一种层叠电容、和层叠电容的等效串联电阻调整方法。

背景技术

作为这种层叠电容，已知具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极的层叠电容(例如参照特开2001-185441号公报和特开2004-47983号公报)。
就用于提供给装载于数字电子设备上的中央处理装置(CPU)的电源而言，推进低电压化，另一方面，负荷电流增大。因此，由于相对负荷电流的急剧变化，很难将电源电压的变动抑制在允许值内，所以如特开2001-185441号公报中记载的那样，将称为去耦合电容的层叠电容连接于电源上。另外，在负荷电流的过渡变动时，从该层叠电容向CPU提供电流，抑制电源电压的变动。
近年来，随着CPU的动作频率的进一步高频化，负荷电流高速变大。因此，要求用于去耦合电容的层叠电容在大容量化的同时，增大等效串联电阻(ESR)。在特开2004-47983号公报记载的层叠电容中，通过将端子电极形成包含内部电阻层的多层构造，增大ESR。
但是，在特开2004-47983号公报记载的层叠电容中，当将等效串联电阻控制成期望值时，存在如下的问题。即，在特开2004-47983号公报记载的层叠电容中，为了将等效串联电阻控制成期望值，必需调整包含于端子电极中的内部电阻层的厚度或该内部电阻层的材料组成，很难控制等效串联电阻。

发明内容

本发明的目的在于提供一种可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制的层叠电容、和层叠电容的等效串联电阻调整方法。
但是，在一般的层叠电容中，全部的内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上。因此，仅存在内部电极数量的引出导体，等效串联电阻变小。若为了实现层叠电容的大容量化而增多电介质层和内部电极的叠层数，则引出导体的数量也变多。由于引出导体的电阻成分相对端子电极并联连接，所以随着引出导体的数量变多，层叠电容的等效串联电阻会进一步变小。这样，层叠电容的大容量化、与增大等效串联电阻为相反的要求。
因此，本发明人等对满足大容量化与增大等效串联电阻的要求之层叠电容进行深刻研究。结果，本发明人等发现如下新的事实，即便电介质层和内部电极的叠层数相同，若能由通孔导体连接内部电极且改变引出导体的数量，则可将等效串联电阻调节成期望值。另外，本发明人等发现如下新的事实，即若能由通孔导体连接内部电极且改变层叠体的层叠方向下的引出导体的位置，则可将等效串联电阻调节成期望值。尤其是若使引出导体的数量比内部电极的数量少，则可在增大等效串联电阻的方向上进行调整。
根据这种研究结果，本发明的层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，多个端子电极至少包含3个端子电极，多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第一内部电极中的至少2个第一内部电极经引出导体，电连接于至少3个端子电极中的2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下之互不相同的端子电极上，多个第二内部电极中的至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。
另一方面，本发明的层叠电容的等效串联电阻调整方法中，该层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体的多个端子电极，其中，多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，多个端子电极至少包含3个端子电极，多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第一内部电极中至少2个第一内部电极经引出导体，电连接于至少3个端子电极中2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下之互不相同的端子电极上，多个第二内部电极中至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。
根据这些本发明的层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
本发明的层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，多个端子电极至少包含3个端子电极，多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第一内部电极中至少2个第一内部电极经引出导体，电连接于至少3个端子电极中2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下之互不相同的端子电极上，多个第二内部电极中至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。
另一方面，本发明的层叠电容的等效串联电阻调整方法中，该层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，多个端子电极至少包含3个端子电极，多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第一内部电极中至少2个第一内部电极经引出导体，电连接于至少3个端子电极中2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下之互不相同的端子电极上，多个第二内部电极中至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。
根据这些本发明的层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
本发明的层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，多个端子电极至少包含3个端子电极，多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第一内部电极中至少1个第一内部电极分别经引出导体，电连接于至少3个端子电极中2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下之端子电极上，多个第二内部电极中至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。
另一方面，本发明的层叠电容的等效串联电阻调整方法中，该层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，多个端子电极至少包含3个端子电极，多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第一内部电极中至少1个第一内部电极分别经引出导体，电连接于至少3个端子电极中2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下之端子电极上，多个第二内部电极中至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。
根据这些本发明的层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
本发明的层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，多个端子电极至少包含3个端子电极，多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第一内部电极中至少1个第一内部电极分别经引出导体，电连接于至少3个端子电极中2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下之端子电极上，多个第二内部电极中至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。
另一方面，本发明的层叠电容的等效串联电阻调整方法中，该层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，多个内部电极包含彼此交互配置的多个第一内部电极与多个第二内部电极，多个端子电极至少包含3个端子电极，多个第一内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第二内部电极经通孔导体彼此电连接，多个第一内部电极中至少1个第一内部电极分别经引出导体，电连接于至少3个端子电极中2个以上、比该端子电极总数至少少1个的数量以下之端子电极上，多个第二内部电极中至少1个第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。
根据这些本发明的层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
优选是，多个端子电极包含2个以上的第一端子电极和2个以上的第二端子电极，多个第一内部电极通过引出导体和通孔导体，电连接于2个以上的第一端子电极上，多个第二内部电极通过引出导体和通孔导体，电连接于2个以上的第二端子电极上。
优选是，通过分别进一步调整电连接多个第一内部电极彼此的通孔导体的数量、和电连接多个第二内部电极彼此的通孔导体的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。此时，可进一步高精度地执行等效串联电阻的控制。
优选是，并联连接多个第一内部电极彼此，并联连接多个第二内部电极彼此。此时，即便在各第一内部电极或各第二内部电极的电阻值中产生差异，层叠电容整体对等效串联电阻的影响变小，可抑制等效串联电阻的控制精度下降。
本发明的层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为多个内部电极，第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比第一数量少1的数量以下之第一内部电极经引出导体，电连接于多个端子电极中互不相同的端子电极上，第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比第二数量少1的数量以下之第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极中互不相同的端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。
另一方面，本发明的层叠电容的等效串联电阻调整方法中，该层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为多个内部电极，第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比第一数量少1的数量以下之第一内部电极经引出导体，电连接于多个端子电极中互不相同的端子电极上，第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比第二数量少1的数量以下之第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极中互不相同的端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。
根据这些本发明的层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
本发明的层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为多个内部电极，第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比第一数量少1的数量以下之第一内部电极经引出导体，电连接于多个端子电极中互不相同的端子电极上，第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比第二数量少1的数量以下之第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极中互不相同的端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。
另一方面，本发明的层叠电容的等效串联电阻调整方法中，该层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为多个内部电极，第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比第一数量少1的数量以下之第一内部电极经引出导体，电连接于多个端子电极中互不相同的端子电极上，第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比第二数量少1的数量以下之第二内部电极经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极中互不相同的端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。
根据这些本发明的层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
本发明的层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为多个内部电极，第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比第一数量少1的数量以下之第一内部电极分别经引出导体，电连接于多个端子电极中至少1个的端子电极上，第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比第二数量少1的数量以下之第二内部电极分别经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极中至少1个的端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。
另一方面，本发明的层叠电容的等效串联电阻调整方法中，该层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为多个内部电极，第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比第一数量少1的数量以下之第一内部电极分别经引出导体，电连接于多个端子电极中至少1个的端子电极上，第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比第二数量少1的数量以下之第二内部电极分别经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极中至少1个的端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。
根据这些本发明的层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
本发明的层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为多个内部电极，第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比第一数量少1的数量以下之第一内部电极分别经引出导体，电连接于多个端子电极中至少1个的端子电极上，第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比第二数量少1的数量以下之第二内部电极分别经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极中至少1个的端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。
另一方面，本发明的层叠电容的等效串联电阻调整方法中，该层叠电容具备交互层叠多层电介质层与多个内部电极的层叠体、和形成于该层叠体中的多个端子电极，其中，具有电容部，该电容部包含交互配置的第一数量的第一内部电极与第二数量的第二内部电极，作为多个内部电极，第一数量的第一内部电极经通孔导体彼此电连接，第二数量的第二内部电极经通孔导体彼此电连接，第一数量的第一内部电极中、1个以上数量比第一数量少1的数量以下之第一内部电极分别经引出导体，电连接于多个端子电极中至少1个的端子电极上，第二数量的第二内部电极中、1个以上数量比第二数量少1的数量以下之第二内部电极分别经引出导体，电连接于经引出导体电连接于第一内部电极上的端子电极以外的剩余端子电极中至少1个的端子电极上，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。
根据这些本发明的层叠电容和层叠电容的等效串联电阻调整方法，通过调整经引出导体电连接于端子电极上的第一内部电极和第二内部电极的至少一方内部电极在层叠体的层叠方向上的位置，将等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
优选是通过分别进一步调整电连接多个第一内部电极彼此的通孔导体的数量、和电连接多个第二内部电极彼此的通孔导体的数量，将等效串联电阻设定成期望的值。此时，可进一步高精度地执行等效串联电阻的控制。
优选是，并联连接多个第一内部电极彼此，并联连接多个第二内部电极彼此。此时，即便在各第一内部电极或各第二内部电极的电阻值中产生差异，层叠电容整体对等效串联电阻的影响变小，可抑制等效串联电阻的控制精度下降。
根据本发明，可提供一种可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制之层叠电容、和层叠电容的等效串联电阻调整方法。
根据下面给出的详细描述和仅用于说明的附图，将进一步全面理解本发明，并因此认为本发明不限于此。
根据下面给出的详细描述，本发明更宽范围的适用性将变得显而易见。但是，应该理解，说明本发明最佳实施方式的详细描述和特定实施例仅用于说明，对本领域的普通技术人员而言，在本发明的精神和范围下，根据该详细描述，不同的改变和变更将变得显而易见。

附图说明

图1是表示第一实施方式的层叠电容的立体图。
图2是包含于第一实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图3是包含于第二实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图4是包含于第三实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图5是包含于第四实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图6是包含于第五实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图7是包含于第六实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图8是包含于第七实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图9是包含于第八实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图10是包含于第九实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图11是表示第十实施方式的层叠电容的立体图。
图12是包含于第十实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图13是表示第十一实施方式的层叠电容的立体图。
图14是包含于第十一实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图15是表示第十二实施方式的层叠电容的立体图。
图16是包含于第十二实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图17是包含于第十三实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图18是包含于第十四实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图19是包含于第十五实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图20是包含于第十六实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图21是包含于第十七实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图22是包含于第十八实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图23是包含于第十九实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图24是包含于第二十实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图25是包含于第二十一实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图26是包含于第二十二实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图27是包含于第二十三实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图28是包含于第二十四实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图29是包含于第二十五实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图30是包含于第二十六实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图31是包含于第二十七实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
图32是包含于第二实施方式的层叠电容中的层叠体变形例的分解立体图。

具体实施方式

下面，参照附图来详细说明本发明的最佳实施方式。另外，说明中，对相同要素或具有相同功能的要素使用相同符号，省略重复说明。另外，说明中使用‘上’和‘下’等术语，这对应于各图的上下方向。本实施方式的层叠电容包含本发明的层叠电容之等效串联电阻调整方法来记载。
(第一实施方式)
参照图1和图2，说明第一实施方式的层叠电容C1的构成。图1是表示第一实施方式的层叠电容的立体图。图2是包含于第一实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
层叠电容C1如图1所示，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的多个(在本实施方式中为4个)第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的多个(在本实施方式中为4个)第二端子电极5a～5d。
各第一端子电极3a、3b与各第二端子电极5a、5b位于层叠体1的侧面1a侧。各第一端子电极3c、3d与各第二端子电极5c、5d位于层叠体1的侧面1b侧。第一端子电极3a～3d与第二端子电极5a～5d彼此电绝缘。
层叠体1还如图2所示，通过交互层叠多层(在本实施方式中为25层)电介质层11～35、和多层(在本实施方式中为各12层)第一和第二内部电极51～62、71～82来构成。在实际的层叠电容C1中，一体化至不能识别电介质层11～35之间的边界的程度。
各第一内部电极51～62呈矩形形状。第一内部电极51～62分别形成于距层叠体1中平行于电介质层11～35的层叠方向(下面简称为‘层叠方向’)的侧面具有规定间隔的位置。在各第一内部电极51～62中，形成有开口51a～62a，以使电介质层11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33露出。脊状(1and)的内部导体91～102位于各电介质层11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33上、与形成于第一内部电极51～62中的开口51a～62a所对应的区域中。
各第二内部电极71～82呈矩形形状。第二内部电极71～82分别形成于距层叠体1中平行于层叠方向的侧面具有规定间隔的位置。在各第二内部电极71～82中，形成有开口71a～82a，以使电介质层12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34露出。脊状的内部导体111～122位于各电介质层12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34上、与形成于第二内部电极71～82中的开口71a～82a所对应的区域中。
在电介质层11中与内部导体111和内部导体91所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层11的通孔导体131a、131b。通孔导体131a电连接于第一内部电极51上。通孔导体131b电连接于内部导体91上。通孔导体131a在层叠电介质层11、12的状态下，与内部导体111电连接。通孔导体131b在层叠电介质层11、12的状态下，与第二内部电极71电连接。
在电介质层12中与内部导体111和内部导体92所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层12的通孔导体132a、132b。通孔导体132a电连接于内部导体111上。通孔导体132b电连接于第二内部电极71上。通孔导体132a在层叠电介质层12、13的状态下，与第一内部电极52电连接。通孔导体132b在层叠电介质层12、13的状态下，和内部导体92电连接。
在电介质层13中与内部导体112和内部导体92所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层13的通孔导体133a、133b。通孔导体133a电连接于第一内部电极52上。通孔导体133b电连接于内部导体92上。通孔导体133a在层叠电介质层13、14的状态下，与内部导体112电连接。通孔导体133b在层叠电介质层13、14的状态下，与第二内部电极72电连接。
在电介质层14中与内部导体112和内部导体93所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层14的通孔导体134a、134b。通孔导体134a电连接于内部导体112上。通孔导体134b电连接于第二内部电极72上。通孔导体134a在层叠电介质层14、15的状态下，与第一内部电极53电连接。通孔导体134b在层叠电介质层14、15的状态下，和内部导体93电连接。
在电介质层15中与内部导体113和内部导体93所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层15的通孔导体135a、135b。通孔导体135a电连接于第一内部电极53上。通孔导体135b电连接于内部导体93上。通孔导体135a在层叠电介质层15、16的状态下，与内部导体113电连接。通孔导体135b在层叠电介质层15、16的状态下，与第二内部电极73电连接。
在电介质层16中与内部导体113和内部导体94所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层16的通孔导体136a、136b。通孔导体136a电连接于内部导体113上。通孔导体136b电连接于第二内部电极73上。通孔导体136a在层叠电介质层16、17的状态下，与第一内部电极54电连接。通孔导体136b在层叠电介质层16、17的状态下，和内部导体94电连接。
在电介质层17中与内部导体114和内部导体94所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层17的通孔导体137a、137b。通孔导体137a电连接于第一内部电极54上。通孔导体137b电连接于内部导体94上。通孔导体137a在层叠电介质层17、18的状态下，与内部导体114电连接。通孔导体137b在层叠电介质层17、18的状态下，与第二内部电极74电连接。
在电介质层18中与内部导体114和内部导体95所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层18的通孔导体138a、138b。通孔导体138a电连接于内部导体114上。通孔导体138b电连接于第二内部电极74上。通孔导体138a在层叠电介质层18、19的状态下，与第一内部电极55电连接。通孔导体138b在层叠电介质层18、19的状态下，和内部导体95电连接。
在电介质层19中与内部导体115和内部导体95所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层19的通孔导体139a、139b。通孔导体139a电连接于第一内部电极55上。通孔导体139b电连接于内部导体95上。通孔导体139a在层叠电介质层19、20的状态下，与内部导体115电连接。通孔导体139b在层叠电介质层19、20的状态下，与第二内部电极75电连接。
在电介质层20中与内部导体115和内部导体96所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层20的通孔导体140a、140b。通孔导体140a电连接于内部导体115上。通孔导体140b电连接于第二内部电极75上。通孔导体140a在层叠电介质层20、21的状态下，与第一内部电极56电连接。通孔导体140b在层叠电介质层20、21的状态下，和内部导体96电连接。
在电介质层21中与内部导体116和内部导体96所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层21的通孔导体141a、141b。通孔导体141a电连接于第一内部电极56上。通孔导体141b电连接于内部导体96上。通孔导体141a在层叠电介质层21、22的状态下，与内部导体116电连接。通孔导体141b在层叠电介质层21、22的状态下，与第二内部电极76电连接。
在电介质层22中与内部导体116和内部导体97所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层22的通孔导体142a、142b。通孔导体142a电连接于内部导体116上。通孔导体142b电连接于第二内部电极76上。通孔导体142a在层叠电介质层22、23的状态下，与第一内部电极57电连接。通孔导体142b在层叠电介质层22、23的状态下，和内部导体97电连接。
在电介质层23中与内部导体117和内部导体97所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层23的通孔导体143a、143b。通孔导体143a电连接于第一内部电极57上。通孔导体143b电连接于内部导体97上。通孔导体143a在层叠电介质层23、24的状态下，与内部导体117电连接。通孔导体143b在层叠电介质层23、24的状态下，与第二内部电极77电连接。
在电介质层24中与内部导体117和内部导体98所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层24的通孔导体144a、144b。通孔导体144a电连接于内部导体117上。通孔导体144b电连接于第二内部电极77上。通孔导体144a在层叠电介质层24、25的状态下，与第一内部电极58电连接。通孔导体144b在层叠电介质层24、25的状态下，和内部导体98电连接。
在电介质层25中与内部导体118和内部导体98所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层25的通孔导体145a、145b。通孔导体145a电连接于第一内部电极58上。通孔导体145b电连接于内部导体98上。通孔导体145a在层叠电介质层25、26的状态下，与内部导体118电连接。通孔导体145b在层叠电介质层25、26的状态下，与第二内部电极78电连接。
在电介质层26中与内部导体118和内部导体99所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层26的通孔导体146a、146b。通孔导体146a电连接于内部导体118上。通孔导体146b电连接于第二内部电极78上。通孔导体146a在层叠电介质层26、27的状态下，与第一内部电极59电连接。通孔导体146b在层叠电介质层26、27的状态下，和内部导体99电连接。
在电介质层27中与内部导体119和内部导体99所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层27的通孔导体147a、147b。通孔导体147a电连接于第一内部电极59上。通孔导体147b电连接于内部导体99上。通孔导体147a在层叠电介质层27、28的状态下，与内部导体119电连接。通孔导体147b在层叠电介质层27、28的状态下，与第二内部电极79电连接。
在电介质层28中与内部导体119和内部导体100所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层28的通孔导体148a、148b。通孔导体148a电连接于内部导体118上。通孔导体148b电连接于第二内部电极79上。通孔导体148a在层叠电介质层28、29的状态下，与第一内部电极60电连接。通孔导体148b在层叠电介质层28、29的状态下，与内部导体100电连接。
在电介质层29中与内部导体120和内部导体100所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层29的通孔导体149a、149b。通孔导体149a电连接于第一内部电极60上。通孔导体149b电连接于内部导体100上。通孔导体149a在层叠电介质层29、30的状态下，与内部导体120电连接。通孔导体149b在层叠电介质层29、30的状态下，与第二内部电极80电连接。
在电介质层30中与内部导体120和内部导体101所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层30的通孔导体150a、150b。通孔导体150a电连接于内部导体119上。通孔导体150b电连接于第二内部电极80上。通孔导体150a在层叠电介质层30、31的状态下，与第一内部电极61电连接。通孔导体150b在层叠电介质层30、31的状态下，与内部导体101电连接。
在电介质层31中与内部导体121和内部导体101所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层31的通孔导体151a、151b。通孔导体151a电连接于第一内部电极61上。通孔导体151b电连接于内部导体101上。通孔导体151a在层叠电介质层31、32的状态下，与内部导体121电连接。通孔导体151b在层叠电介质层31、32的状态下，与第二内部电极81电连接。
在电介质层32中与内部导体121和内部导体102所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层32的通孔导体152a、152b。通孔导体152a电连接于内部导体120上。通孔导体152b电连接于第二内部电极81上。通孔导体152a在层叠电介质层32、33的状态下，与第一内部电极62电连接。通孔导体152b在层叠电介质层32、33的状态下，与内部导体102电连接。
在电介质层33中与内部导体122和内部导体102所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层33的通孔导体153a、153b。通孔导体153a电连接于第一内部电极62上。通孔导体153b电连接于内部导体102上。通孔导体153a在层叠电介质层33、34的状态下，与内部导体122电连接。通孔导体153b在层叠电介质层33、34的状态下，与第二内部电极82电连接。
通孔导体131a～153a通过层叠电介质层11～33，沿层叠方向附设成大致直线状，相互电连接，从而构成通电通路。第一内部电极51～62经通孔导体131a～153a和内部导体111～122彼此电连接。
第一内部电极51经引出导体171电连接于第一端子电极3a上。第一内部电极52经引出导体172电连接于第一端子电极3b上。第一内部电极53经引出导体173电连接于第一端子电极3c上。第一内部电极54经引出导体174电连接于第一端子电极3d上。由此，第一内部电极55～62也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～62。
各引出导体171、172与对应的第一内部电极51、52一体形成，从各第一内部电极51、52延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体173、174与对应的第一内部电极53、54一体形成，从各第一内部电极53、54延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
通孔导体131b～153b也与通孔导体131a～153a一样，通过层叠电介质层11～33，沿层叠方向附设成大致直线状，相互电连接，从而构成通电通路。第二内部电极71～82经通孔导体131b～153b和内部导体91～102彼此电连接。
第二内部电极71经引出导体181电连接于第二端子电极5a上。第二内部电极72经引出导体182电连接于第二端子电极5b上。第二内部电极73经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。第二内部电极74经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。由此，第二内部电极75～82也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～82。
各引出导体181、182与对应的第二内部电极71、72一体形成，从各第二内部电极71、72延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184与对应的第二内部电极73、74一体形成，从各第二内部电极73、74延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在层叠电容C1中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51～54的数量为4，比第一内部电极51～62的总数(在本实施方式中为12)少。在层叠电容C1中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71～74的数量为4，比第二内部电极71～82的总数(在本实施方式中为12)少。
若着眼于第一端子电极3a，则通孔导体131a～153a的合成电阻分量相对第一端子电极3a串联连接。
若着眼于第一端子电极3b，则通孔导体131a～153a的电阻分量以第一内部电极52为界，分为比该第一内部电极52更位于层叠方向一侧的通孔导体131a、132a之合成电阻分量、和比该第一内部电极52更位于层叠方向另一侧的通孔导体133a～153a之合成电阻分量。通孔导体131a、132a之合成电阻分量、和通孔导体133a～153a之合成电阻分量相对第一端子电极3b并联连接。
若着眼于第一端子电极3c，则通孔导体131a～153a的电阻分量以第一内部电极53为界，分为比该第一内部电极53更位于层叠方向一侧的通孔导体131a～134a之合成电阻分量、和比该第一内部电极53更位于层叠方向另一侧的通孔导体135a～153a之合成电阻分量。通孔导体131a～134a之合成电阻分量、和通孔导体135a～153a之合成电阻分量相对第一端子电极3c并联连接。
若着眼于第一端子电极3d，则通孔导体131a～153a的合成电阻分量以第一内部电极54为界，分为比该第一内部电极54更位于层叠方向一侧的通孔导体131a～136a之合成电阻分量、和比该第一内部电极54更位于层叠方向另一侧的通孔导体137a～153a之合成电阻分量。通孔导体131a～136a之合成电阻分量、和通孔导体137a～153a之合成电阻分量相对第一端子电极3d并联连接。
另一方面，若着眼于第二端子电极5a，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极71为界，分为比该第二内部电极71更位于层叠方向一侧的通孔导体131b之电阻分量、和比第二内部电极71更位于层叠方向另一侧的通孔导体132b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b之电阻分量、和通孔导体132b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5a并联连接。
若着眼于第二端子电极5b，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极72为界，分为比该第二内部电极71更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～133b之合成电阻分量、和比第二内部电极72更位于层叠方向另一侧的通孔导体134b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～133b之合成电阻分量、和通孔导体134b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5b并联连接。
若着眼于第二端子电极5c，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极73为界，分为比该第二内部电极73更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～135b之合成电阻分量、和比第二内部电极73更位于层叠方向另一侧的通孔导体136b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～135b之合成电阻分量、和通孔导体136b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5c并联连接。
若着眼于第二端子电极5d，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极74为界，分为比该第二内部电极74更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～137b之合成电阻分量、和比第二内部电极74更位于层叠方向另一侧的通孔导体138b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～137b之合成电阻分量、和通孔导体138b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5d并联连接。
由此，层叠电容C1与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51～54的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71～74的数量，将层叠电容C1的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
另外，在本实施方式中，第一内部电极51～62彼此并联连接，第二内部电极71～82彼此并联连接。由此，即便在各第一内部电极51～62或各第二内部电极71～82的电阻值中产生差异，层叠电容C1整体对等效串联电阻的影响变小，可抑制等效串联电阻的控制精度下降。
(第二实施方式)
参照图3，说明第二实施方式的层叠电容的构成。第二实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图3是包含于第二实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第二实施方式的层叠电容中，如图3所示，第一内部电极61经引出导体173电连接于第一端子电极3c上。第一内部电极62经引出导体174电连接于第一端子电极3d上。由此，第一内部电极53～60也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～62。各引出导体173、174与对应的第一内部电极61、62一体形成，从各第一内部电极61、62延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极81经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。第二内部电极82经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。由此，第二内部电极73～80也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～82。各引出导体183、184与对应的第二内部电极81、82一体形成，从各第二内部电极81、82延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第二实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、52、61、62的数量为4，比第一内部电极51～62的总数(在本实施方式中为12)少。在第二实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、72、81、82的数量为4，比第二内部电极71～82的总数(在本实施方式中为12)少。由此，第二实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
因此，若着眼于第一端子电极3a，则通孔导体131a～153a的合成电阻分量相对第一端子电极3a串联连接。
若着眼于第一端子电极3b，则通孔导体131a～153a的电阻分量以第一内部电极52为界，分为比该第一内部电极52更位于层叠方向一侧的通孔导体131a、132a之合成电阻分量、和比该第一内部电极52更位于层叠方向另一侧的通孔导体133a～153a之合成电阻分量。通孔导体131a、132a之电阻分量、和通孔导体133a～153a之合成电阻分量相对第一端子电极3b并联连接。
若着眼于第一端子电极3c，则通孔导体131a～153a的电阻分量以第一内部电极61为界，分为比该第一内部电极61更位于层叠方向一侧的通孔导体131a～150a之合成电阻分量、和比该第一内部电极61更位于层叠方向另一侧的通孔导体151a～153a之合成电阻分量。通孔导体131a～150a之合成电阻分量、和通孔导体151a～153a之合成电阻分量相对第一端子电极3c并联连接。
若着眼于第一端子电极3d，则通孔导体131a～153a的合成电阻分量以第一内部电极62为界，分为比该第一内部电极62更位于层叠方向一侧的通孔导体131a～152a之合成电阻分量、和比该第一内部电极62更位于层叠方向另一侧的通孔导体153a之电阻分量。通孔导体131a～152a之合成电阻分量、和通孔导体153a之电阻分量相对第一端子电极3d并联连接。
另一方面，若着眼于第二端子电极5a，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极71为界，分为比该第二内部电极71更位于层叠方向一侧的通孔导体131b之电阻分量、和比第二内部电极71更位于层叠方向另一侧的通孔导体132b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b之电阻分量、和通孔导体132b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5a并联连接。
若着眼于第二端子电极5b，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极72为界，分为比该第二内部电极72更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～133b之合成电阻分量、和比第二内部电极72更位于层叠方向另一侧的通孔导体134b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～133b之合成电阻分量、和通孔导体132b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5b并联连接。
若着眼于第二端子电极5c，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极81为界，分为比该第二内部电极81更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～151b之合成电阻分量、和比第二内部电极81更位于层叠方向另一侧的通孔导体152b、153b之合成电阻分量。通孔导体131b～151b之合成电阻分量、和通孔导体152b、153b之合成电阻分量相对第二端子电极5c并联连接。
若着眼于第二端子电极5d，则通孔导体131b～153b的合成电阻分量相对第二端子电极5d串联连接。
由于上述通孔导体131a～153a、131b～153b的电阻分量的差异，第二实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、52、61、62在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、72、81、82在层叠方向上的位置，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第三实施方式)
参照图4，说明第三实施方式的层叠电容的构成。第三实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图4是包含于第三实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第三实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第三实施方式的层叠电容中，如图4所示，第一内部电极54经引出导体172电连接于第一端子电极3b上。第一内部电极57经引出导体173电连接于第一端子电极3c上。第一内部电极60经引出导体174电连接于第一端子电极3d上。由此，第一内部电极52、53、55、56、58、59、61、62也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～62。引出导体172与第一内部电极54一体形成，从第一内部电极54延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体173、174与对应的第一内部电极57、60一体形成，从各第一内部电极57、60延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极74经引出导体182电连接于第二端子电极5b上。第二内部电极77经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。第二内部电极80经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。由此，第二内部电极72、73、75、76、78、79、81、82也电连接于第二端子电极5a～5d上，变成并联连接第二内部电极71～82。引出导体182与第二内部电极74一体形成，从第二内部电极74延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184与对应的第二内部电极77、80一体形成，从各第二内部电极77、80延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第三实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、54、57、60的数量为4，比第一内部电极51～62的总数(在本实施方式中为12)少。在第三实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、74、77、80的数量为4，比第二内部电极71～82的总数(在本实施方式中为12)少。由此，第三实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
因此，若着眼于第一端子电极3b，则通孔导体131a～153a的电阻分量以第一内部电极54为界，分为比该第一内部电极54更位于层叠方向一侧的通孔导体131a～136a之合成电阻分量、和比该第一内部电极54更位于层叠方向另一侧的通孔导体137a～153a之合成电阻分量。通孔导体131a～136a之电阻分量、和通孔导体137a～153a之合成电阻分量相对第一端子电极3b并联连接。
若着眼于第一端子电极3c，则通孔导体131a～153a的电阻分量以第一内部电极57为界，分为比该第一内部电极57更位于层叠方向一侧的通孔导体131a～142a之合成电阻分量、和比该第一内部电极57更位于层叠方向另一侧的通孔导体143a～153a之合成电阻分量。通孔导体131a～142a之合成电阻分量、和通孔导体143a～153a之合成电阻分量相对第一端子电极3c并联连接。
若着眼于第一端子电极3d，则通孔导体131a～153a的电阻分量以第一内部电极60为界，分为比该第一内部电极60更位于层叠方向一侧的通孔导体131a～148a之合成电阻分量、和比该第一内部电极60更位于层叠方向另一侧的通孔导体149a～153a之合成电阻分量。通孔导体131a～148a之合成电阻分量、和通孔导体149a～153a之合成电阻分量相对第一端子电极3d并联连接。
另一方面，若着眼于第二端子电极5b，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极74为界，分为比该第二内部电极74更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～137b之合成电阻分量、和比第二内部电极74更位于层叠方向另一侧的通孔导体138b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～137b之合成电阻分量、和通孔导体138b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5b并联连接。
若着眼于第二端子电极5c，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极77为界，分为比该第二内部电极77更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～143b之合成电阻分量、和比第二内部电极77更位于层叠方向另一侧的通孔导体144b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～143b之合成电阻分量、和通孔导体144b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5c并联连接。
若着眼于第二端子电极5d，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极80为界，分为比该第二内部电极80更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～149b之合成电阻分量、和比第二内部电极80更位于层叠方向另一侧的通孔导体150b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～149b之合成电阻分量、和通孔导体150b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5d并联连接。
由于上述通孔导体131a～153a、131b～153b的电阻分量的差异，第三实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1相比，等效串联电阻变小。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、54、57、60在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、74、77、80在层叠方向上的位置，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第四实施方式)
参照图5，说明第四实施方式的层叠电容的构成。第四实施方式的层叠电容与第三实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图5是包含于第四实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第四实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第四实施方式的层叠电容中，如图5所示，第二内部电极72经引出导体181电连接于第二端子电极5a上。第二内部电极75经引出导体182电连接于第二端子电极5b上。第二内部电极78经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。第二内部电极81经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。由此，第二内部电极71、73、74、76、77、79、80、82也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～82。各引出导体181、182与对应的第二内部电极72、74一体形成，从各第二内部电极72、74延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184与对应的第二内部电极77、80一体形成，从各第二内部电极77、80延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第四实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、54、57、60的数量为4，比第一内部电极51～62的总数(在本实施方式中为12)少。在第四实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极72、75、78、81的数量为4，比第二内部电极71～82的总数(在本实施方式中为12)少。由此，第四实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
因此，若着眼于第二端子电极5a，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极72为界，分为比该第二内部电极72更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～133b之合成电阻分量、和比第二内部电极72更位于层叠方向另一侧的通孔导体134b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～133b之合成电阻分量、和通孔导体134b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5a并联连接。
若着眼于第二端子电极5b，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极75为界，分为比该第二内部电极75更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～139b之合成电阻分量、和比第二内部电极75更位于层叠方向另一侧的通孔导体140b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～139b之合成电阻分量、和通孔导体140b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5b并联连接。
若着眼于第二端子电极5c，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极78为界，分为比该第二内部电极78更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～145b之合成电阻分量、和比第二内部电极78更位于层叠方向另一侧的通孔导体146b～153b之合成电阻分量。通孔导体131b～145b之合成电阻分量、和通孔导体146b～153b之合成电阻分量相对第二端子电极5c并联连接。
若着眼于第二端子电极5d，则通孔导体131b～153b的电阻分量以第二内部电极81为界，分为比该第二内部电极81更位于层叠方向一侧的通孔导体131b～151b之合成电阻分量、和比第二内部电极81更位于层叠方向另一侧的通孔导体152b、153b之合成电阻分量。通孔导体131b～151b之合成电阻分量、和通孔导体152b、153b之合成电阻分量相对第二端子电极5d并联连接。
由于上述通孔导体131a～153a、131b～153b的电阻分量的差异，第四实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1相比，等效串联电阻变小。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、54、57、60在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极72、75、78、81在层叠方向上的位置，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第五实施方式)
参照图6，说明第五实施方式的层叠电容的构成。第五实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极的数量。图6是包含于第五实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第五实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第五实施方式的层叠电容中，如图6所示，第一内部电极59经引出导体171电连接于第一端子电极3a上。第一内部电极60经引出导体172电连接于第一端子电极3b上。第一内部电极61经引出导体173电连接于第一端子电极3c上。第一内部电极62经引出导体174电连接于第一端子电极3d上。由此，第一内部电极55-58也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～62。各引出导体171、172与对应的第一内部电极59、60一体形成，从各第一内部电极59、60延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体173、174与对应的第一内部电极61、62一体形成，从各第一内部电极61、62延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极79经引出导体181电连接于第二端子电极5a上。第二内部电极80经引出导体182电连接于第二端子电极5b上。第二内部电极81经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。第二内部电极82经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。由此，第二内部电极75～78也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～82。各引出导体181、182与对应的第二内部电极79、80一体形成，从各第二内部电极79、80延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184与对应的第二内部电极81、82一体形成，从各第二内部电极81、82延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第五实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51～54、59～62的数量为8，比第一内部电极51～62的总数少。在第五实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71～74、79～82的数量为8，比第二内部电极71～82的总数少。由此，第五实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
第五实施方式的层叠电容与层叠电容C1相比，经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d的第一内部电极51～54、59～62的数量多，这些引出导体171～174相对对应的第一端子电极3a～3d并联连接。另外，经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d的第二内部电极71～74、79～82的数量多，这些引出导体181～184相对对应的第二端子电极5a～5d并联连接。因此，第五实施方式的层叠电容之等效串联电阻比层叠电容C1的等效串联电阻小。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51～54、59～62的数量、和经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71～74、79～82的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第六实施方式)
参照图7，说明第六实施方式的层叠电容的构成。第六实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极的数量。另外，第六实施方式的层叠电容与第五实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图7是包含于第六实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第六实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第五实施方式的层叠电容中，如图7所示，各第一内部电极53、57经引出导体171电连接于第一端子电极3a上。各第一内部电极54、58经引出导体172电连接于第一端子电极3b上。各第一内部电极55、59经引出导体173电连接于第一端子电极3c上。各第一内部电极56、60经引出导体174电连接于第一端子电极3d上。由此，第一内部电极51、52、61、62也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～62。各引出导体171、172与对应的第一内部电极53、54、57、58一体形成，从各第一内部电极53、54、57、58延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体173、174与对应的第一内部电极55、56、59、60一体形成，从各第一内部电极55、56、59、60延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
各第二内部电极73、77经引出导体181电连接于第二端子电极5a上。各第二内部电极74、78经引出导体182电连接于第二端子电极5b上。各第二内部电极75、79经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。各第二内部电极76、80经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。由此，第二内部电极71、72、81、82也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～82。各引出导体181、182与对应的第二内部电极73、74、77、78一体形成，从各第二内部电极73、74、77、78延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184与对应的第二内部电极75、76、79、80一体形成，从各第二内部电极75、76、79、80延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第六实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极53～60的数量为8，比第一内部电极51～62的总数少。在第六实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极73～80的数量为8，比第二内部电极71～82的总数少。由此，第六实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
第六实施方式的层叠电容与层叠电容C1相比，经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d的第一内部电极53～60的数量多，这些引出导体171～174相对对应的第一端子电极3a～3d并联连接。另外，经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d的第二内部电极73～80的数量多，这些引出导体181～184相对对应的第二端子电极5a～5d并联连接。因此，第六实施方式的层叠电容之等效串联电阻比层叠电容C1的等效串联电阻小。
另外，第六实施方式的层叠电容与第二～第四实施方式一样，由于通孔导体131a～153a、131b～153b的电阻分量的差异，与第五实施方式的层叠电容相比，等效串联电阻变小。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极53～60的数量和在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极73～80的数量和在层叠方向上的位置，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第七实施方式)
参照图8，说明第七实施方式的层叠电容的构成。第七实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极的数量。另外，第七实施方式的层叠电容与第五实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图8是包含于第七实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第七实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第七实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51～54、57～60的数量为8，比第一内部电极51～62的总数少。在第七实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71～74、77～80的数量为8，比第二内部电极71～82的总数少。由此，第七实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
第七实施方式的层叠电容与层叠电容C1相比，经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d的第一内部电极51～54、57～60的数量多，这些引出导体171～174相对对应的第一端子电极3a～3d并联连接。另外，经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d的第二内部电极71～74、77～80的数量多，这些引出导体181～184相对对应的第二端子电极5a～5d并联连接。因此，第七实施方式的层叠电容之等效串联电阻比层叠电容C1的等效串联电阻小。
另外，第七实施方式的层叠电容与第二～第四实施方式一样，由于通孔导体131a～153a、131b～153b的电阻分量的差异，与第五实施方式的层叠电容相比，等效串联电阻变小。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51～54、57～60的数量和在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71～74、77～80的数量和在层叠方向上的位置，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第八实施方式)
参照图9，说明第八实施方式的层叠电容的构成。第八实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极的数量。另外，第八实施方式的层叠电容与第五实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图9是包含于第八实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第八实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第八实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、52、54、55、57、58、60、61的数量为8，比第一内部电极51～62的总数少。在第八实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、72、74、75、77、78、80、81的数量为8，比第二内部电极71～82的总数少。由此，第八实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
第八实施方式的层叠电容与层叠电容C1相比，经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d的第一内部电极51、52、54、55、57、58、60、61的数量多，这些引出导体171～174相对对应的第一端子电极3a～3d并联连接。另外，经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d的第二内部电极71、72、74、75、77、78、80、81的数量多，这些引出导体181～184相对对应的第二端子电极5a～5d并联连接。因此，第八实施方式的层叠电容之等效串联电阻比层叠电容C1的等效串联电阻小。
另外，第八实施方式的层叠电容与第二～第四实施方式一样，由于通孔导体131a～153a、131b～153b的电阻分量的差异，与第五实施方式的层叠电容相比，等效串联电阻变小。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、52、54、55、57、58、60、61的数量和在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、72、74、75、77、78、80、81的数量和在层叠方向上的位置，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第九实施方式)
参照图10，说明第九实施方式的层叠电容的构成。图10是包含于第九实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第九实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
层叠体1还如图10所示，通过交互层叠多层(在本实施方式中为39层)电介质层11～49、多层(在本实施方式中为各19层)第一和第二内部电极51～69、71～89来构成。在实际的层叠电容中，一体化至不能识别电介质层11～49之间的边界的程度。
各第一内部电极51～69呈矩形形状。第一内部电极51～69分别形成于距层叠体1中平行于电介质层11～49的层叠方向(下面简称为‘层叠方向’)的侧面规定间隔的位置。在各第一内部电极51～69中，形成有开口，以使电介质层11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47露出。脊状的内部导体91～109位于各电介质层11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47上、与形成于第一内部电极51～69中的开口所对应的区域中。
各第二内部电极71～89呈矩形形状。第二内部电极71～89分别形成于距层叠体1中平行于层叠方向的侧面规定间隔的位置。在各第二内部电极71～89中，形成有开口，以使电介质层12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46、48露出。脊状的内部导体111～129位于各电介质层12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46、48上、与形成于第二内部电极71～89中的开口所对应的区域中。
在电介质层11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47中与内部导体111～129所对应的位置上，形成沿厚度方向贯穿电介质层11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47的通孔导体131a、133a、135a、137a、139a、141a、143a、145a、147a、149a、151a、153a、155a、157a、159a、161a、163a、165a、167a。在电介质层11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47中与内部导体91～109所对应的位置上，形成沿厚度方向贯穿电介质层11、13、15、17、19、21、23、25、27、29、31、33、35、37、39、41、43、45、47的通孔导体131b、133b、135b、137b、139b、141b、143b、145b、147b、149b、151b、153b、155b、157b、159b、161b、163b、165b、167b。通孔导体131a、133a、135a、137a、139a、141a、143a、145a、147a、149a、151a、153a、155a、157a、159a、161a、163a、165a、167a电连接于对应的第一内部电极51～69上。通孔导体131b、133b、135b、137b、139b、141b、143b、145b、147b、149b、151b、153b、155b、157b、159b、161b、163b、165b、167b电连接于对应的内部导体91～109上。通孔导体131a、133a、135a、137a、139a、141a、143a、145a、147a、149a、151a、153a、155a、157a、159a、161a、163a、165a、167a在层叠电介质层11～48的状态下，与对应的内部导体111～129电连接。通孔导体131b、133b、135b、137b、139b、141b、143b、145b、147b、149b、151b、153b、155b、157b、159b、161b、163b、165b、167b在层叠电介质层11～48的状态下，与对应的第二内部电极71～89电连接。
在电介质层12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46中与内部导体111～129所对应的位置上，分别形成沿厚度方向贯穿电介质层12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46的通孔导体132a、134a、136a、138a、140a、142a、144a、146a、148a、150a、152a、154a、156a、158a、160a、162a、164a、166a。在电介质层12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46中与内部导体91～109所对应的位置上，形成沿厚度方向贯穿电介质层12、14、16、18、20、22、24、26、28、30、32、34、36、38、40、42、44、46的通孔导体132b、134b、136b、138b、140b、142b、144b、146b、148b、150b、152b、154b、156b、158b、160b、162b、164b、166b。通孔导体132a、134a、136a、138a、140a、142a、144a、146a、148a、150a、152a、154a、156a、158a、160a、162a、164a、166a电连接于对应的内部导体111～129上。通孔导体132b、134b、136b、138b、140b、142b、144b、146b、148b、150b、152b、154b、156b、158b、160b、162b、164b、166b电连接于对应的第二内部电极71～88上。通孔导体132a、134a、136a、138a、140a、142a、144a、146a、148a、150a、152a、154a、156a、158a、160a、162a、164a、166a在层叠电介质层11～48的状态下，与第一内部电极51～69电连接。通孔导体132b、134b、136b、138b、140b、142b、144b、146b、148b、150b、152b、154b、156b、158b、160b、162b、164b、166b在层叠电介质层11～48的状态下，与内部导体92-109电连接。
通孔导体131a～167a通过层叠电介质层11～48，沿层叠方向附设成大致直线状，相互电连接，从而构成通电通路。第一内部电极51～69经通孔导体131a～167a和内部导体111～129彼此电连接。
第一内部电极51、55、65经引出导体171电连接于第一端子电极3a上。第一内部电极52、56、66经引出导体172电连接于第一端子电极3b上。第一内部电极53、59、67经引出导体173电连接于第一端子电极3c上。第一内部电极54、61经引出导体174电连接于第一端子电极3d上。由此，第一内部电极57、58、60、62～64、68、69也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～69。
各引出导体171、172与对应的第一内部电极51、55、65、52、56、66一体形成，从各第一内部电极51、55、65、52、56、66延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体173、174与对应的第一内部电极53、59、67、54、61一体形成，从各第一内部电极53、59、67、54、61延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
通孔导体131b～167b也与通孔导体131a～167a一样，通过层叠电介质层11～48，沿层叠方向附设成大致直线状，相互电连接，从而构成通电通路。第二内部电极71～89经通孔导体131b～167b和内部导体91～109彼此电连接。
第二内部电极71、75、85经引出导体181电连接于第二端子电极5a上。第二内部电极72、76、86经引出导体182电连接于第二端子电极5b上。第二内部电极73、79、87经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。第二内部电极74、81经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。由此，第二内部电极77、78、80、82～84、88、89也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～89。
各引出导体181、182与对应的第二内部电极71、75、85、72、76、86一体形成，从各第二内部电极71、75、85、72、76、86延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184与对应的第二内部电极73、79、87、74、81一体形成，从各第二内部电极73、79、87、74、81延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第九实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51～56、59、61、65～67的数量为11，比第一内部电极51～69的总数(在本实施方式中为19)少。在第九实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71～76、79、81、85～87的数量为11，比第二内部电极71～89的总数(在本实施方式中为19)少。由此，第九实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
第九实施方式的层叠电容与第二～第四实施方式一样，由于通孔导体131a～167a、131b～167b的电阻分量的差异，与沿层叠方向相邻地配置经引出导体171～174、181～184直接连接于端子电极3a～3d、5a～5d上的内部电极51～56、59、61、65～67、71～76、79、81、85～87之层叠电容相比，等效串联电阻变小。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51～56、59、61、65～67的数量和在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71～76、79、81、85～87的数量和在层叠方向上的位置，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第十实施方式)
参照图11和图12，说明第十实施方式的层叠电容C2的构成。图11是表示第十实施方式的层叠电容的立体图。图12是包含于第十实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。第十实施方式的层叠电容C2与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于第一和第二端子电极的数量。
层叠电容C2如图11所示，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的多个(在本实施方式中为5个)第一端子电极3a～3e、和形成于同一层叠体1中的多个(在本实施方式中为5个)第二端子电极5a～5e。
第一端子电极3a位于层叠体1的侧面1c侧。各第一端子电极3b、3c与各第二端子电极5a、5b位于层叠体1的侧面1a侧。第二端子电极5c位于层叠体1的侧面1d侧。各第一端子电极3d、3e与各第二端子电极5d、5e位于层叠体1的侧面1b侧。第一端子电极3a、3e与第二端子电极5a～5e彼此电绝缘。
在层叠电容C2中，如图12所示，各第一内部电极51、58经引出导体171电连接于第一端子电极3a上。各第一内部电极52、59经引出导体172电连接于第一端子电极3b上。各第一内部电极53、60经引出导体173电连接于第一端子电极3c上。各第一内部电极54、61经引出导体174电连接于第一端子电极3d上。各第一内部电极55、62经引出导体175电连接于第一端子电极3e上。由此，第一内部电极56、57也电连接于第一端子电极3a～3e上，并联连接第一内部电极51～62。
引出导体171与第一内部电极51、58一体形成，从第一内部电极51、58延伸，以临近层叠体1的侧面1c。各引出导体172、173与对应的第一内部电极52、53、59、60一体形成，从各第一内部电极52、53、59、60延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体174、175与对应的第一内部电极54、55、61、62一体形成，从各第一内部电极54、55、61、62延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
各第二内部电极71、78经引出导体181电连接于第二端子电极5a上。各第二内部电极72、79经引出导体182电连接于第二端子电极5b上。各第二内部电极73、80经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。各第二内部电极74、81经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。各第二内部电极75、82经引出导体185电连接于第二端子电极5e上。由此，第二内部电极75、76也电连接于第二端子电极5a～5e上，并联连接第二内部电极71～82。
各引出导体181、182与对应的第二内部电极71、72、78、79一体形成，从各第二内部电极71、72、78、79延伸，以临近层叠体1的侧面1a。引出导体183与第二内部电极73、80一体形成，从第二内部电极73、80延伸，以临近层叠体1的侧面1d。各引出导体184、185与对应的第二内部电极74、75、81、82一体形成，从各第二内部电极74、75、81、82延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第十实施方式的层叠电容C2中，设经引出导体171～175直接连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极51～55、58～62的数量为10，比第一内部电极51～62的总数(在本实施方式中为12)少。在层叠电容C2中，设经引出导体181～185直接连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极71～75、78～82的数量为10，比第二内部电极71～82的总数(在本实施方式中为12)少。由此，层叠电容C2与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～175直接连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极51～55、58～62的数量、和经引出导体181～185直接连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极71～75、78～82的数量，将层叠电容C2的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第十一实施方式)
参照图13和图14，说明第十一实施方式的层叠电容C3的构成。图13是表示第十一实施方式的层叠电容的立体图。图14是包含于第十一实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。第十一实施方式的层叠电容C3与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于第一和第二端子电极的数量。
层叠电容C3如图13所示，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的多个(在本实施方式中为6个)第一端子电极3a～3f、和形成于同一层叠体1中的多个(在本实施方式中为6个)第二端子电极5a～5f。
第一端子电极3a和第二端子电极5a位于层叠体1的侧面1c侧。各第一端子电极3b、3c与各第二端子电极5b、5c位于层叠体1的侧面1a侧。第一端子电极3d和第二端子电极5d位于层叠体1的侧面1d侧。各第一端子电极3e、3f与各第二端子电极5e、5f位于层叠体1的侧面1b侧。第一端子电极3a～3f与第二端子电极5a～5f彼此电绝缘。
在层叠电容C3中，如图14所示，各第一内部电极51经引出导体171电连接于第一端子电极3a上。第一内部电极52经引出导体172电连接于第一端子电极3b上。第一内部电极53经引出导体173电连接于第一端子电极3c上。第一内部电极60经引出导体174电连接于第一端子电极3d上。第一内部电极61经引出导体175电连接于第一端子电极3e上。第一内部电极62经引出导体176电连接于第一端子电极3f上。由此，第一内部电极54～59也电连接于第一端子电极3a～3f上，并联连接第一内部电极51～62。
引出导体171与第一内部电极51一体形成，从第一内部电极51延伸，以临近层叠体1的侧面1c。各引出导体172、173与对应的第一内部电极52、53一体形成，从各第一内部电极52、53延伸，以临近层叠体1的侧面1a。引出导体174与第一内部电极60一体形成，从第一内部电极60延伸，以临近层叠体1的侧面1d。各引出导体175、176与对应的第一内部电极61、62一体形成，从各第一内部电极61、62延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极71经引出导体181电连接于第二端子电极5a上。第二内部电极72经引出导体182电连接于第二端子电极5b上。第二内部电极73经引出导体183电连接于第二端子电极5c上。第二内部电极80经引出导体184电连接于第二端子电极5d上。第二内部电极81经引出导体185电连接于第二端子电极5e上。第二内部电极82经引出导体186电连接于第二端子电极5f上。由此，第二内部电极74～79也电连接于第二端子电极5a～5f上，并联连接第二内部电极71～82。
引出导体181与第二内部电极71一体形成，从第二内部电极71延伸，以临近层叠体1的侧面1c。各引出导体182、183与对应的第二内部电极72、73一体形成，从各第二内部电极72、73延伸，以临近层叠体1的侧面1a。引出导体184与第二内部电极80一体形成，从第二内部电极80延伸，以临近层叠体1的侧面1d。各引出导体185、186与对应的第二内部电极81、82一体形成，从各第二内部电极81、82延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第十一实施方式的层叠电容C3中，设经引出导体171～176直接连接于第一端子电极3a～3f上的第一内部电极51～53、60～62的数量为6，比第一内部电极51～62的总数(在本实施方式中为12)少。在层叠电容C3中，设经引出导体181～186直接连接于第二端子电极5a～5f上的第二内部电极71～73、80～82的数量为6，比第二内部电极71～82的总数(在本实施方式中为12)少。由此，层叠电容C3与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～176直接连接于第一端子电极3a～3f上的第一内部电极51～53、60～62的数量、和经引出导体181～186直接连接于第二端子电极5a～5f上的第二内部电极71～73、80～82的数量，将层叠电容C3的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第十二实施方式)
参照图15和图16，说明第十二实施方式的层叠电容C4的构成。图15是表示第十二实施方式的层叠电容的立体图。图16是包含于第十二实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第十二实施方式的层叠电容C4如图15所示，具备层叠体201、形成于该层叠体201中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体201中的第二端子电极5a～5d。各第一端子电极3a、3b和各第二端子电极5a、5b位于层叠体201的侧面201a侧。各第一端子电极3c、3d与各第二端子电极5c、5d位于层叠体201的侧面201b侧。
层叠体201如图16所示，包含第一～第三电容部211、221、231。第一电容部211位于第二电容部221与第三电容部231之间。
首先，说明第一电容部211的构成。第一电容部211除电介质层35外，具有与第一实施方式的层叠电容C1的层叠体1相同的构成。即，第一电容部221通过交互层叠多层(在本实施方式中为25层)电介质层11～35、多层(在本实施方式中为各12层)第一和第二内部电极51～62、71～82来构成。在第一电容部211中，12个第一内部电极51～62中的4个第一内部电极51～54经引出导体171～174电连接于对应的第一端子电极3a～3d上。另外，12个第二内部电极71～82中的4个第二内部电极71～74经引出导体181～184电连接于对应的第二端子电极5a～5d上。
下面，说明第二电容部221的构成。第二电容部221通过交互层叠多层(在本实施方式中为5层)电介质层223、多层(在本实施方式中为各2层)第一和第二内部电极225、227来构成。各第一内部电极225经引出导体226电连接于第一端子电极3a、3b上。引出导体226与各第一内部电极225一体形成，分别从第一内部电极225延伸，以临近层叠体201的侧面201a。各第二内部电极227经引出导体228电连接于第二端子电极5a、5b上。引出导体228与各第二内部电极227一体形成，分别从第二内部电极227延伸，以临近层叠体201的侧面201a。
下面，说明第三电容部231的构成。第三电容部231通过交互层叠多层(在本实施方式中为4层)电介质层233、多层(在本实施方式中为各2层)第一和第二内部电极235、237来构成。各第一内部电极235经引出导体236电连接于第一端子电极3c、3d上。引出导体236与各第一内部电极235一体形成，分别从第一内部电极235延伸，以临近层叠体201的侧面201b。各第二内部电极237经引出导体238电连接于第二端子电极5c、5d上。引出导体238与各第二内部电极237一体形成，分别从第二内部电极237延伸，以临近层叠体201的侧面201b。
在实际的层叠电容C4中，一体化至不能识别电介质层11～35、223、233之间的边界的程度。第一电容部211的内部电极51通过端子电极3a与第二电容部221的第一内部电极225电连接。第一电容部211的第一内部电极52通过端子电极3b与第二电容部221的第一内部电极225电连接。第一电容部211的第一内部电极53通过端子电极3c与第三电容部231的第一内部电极235电连接。第一电容部211的第一内部电极54通过端子电极3d与第三电容部231的第一内部电极235电连接。第一电容部211的第二内部电极71通过端子电极5a与第二电容部221的第二内部电极227电连接。第～电容部211的第二内部电极72通过端子电极5b与第二电容部221的第二内部电极227电连接。第一电容部211的第二内部电极73通过端子电极5c与第三电容部231的第二内部电极237电连接。第一电容部211的第二内部电极74通过端子电极5d与第三电容部231的第二内部电极237电连接。
如上所述，在本实施方式中，通过具有第一电容部211，可如第一实施方式中记载的那样，将层叠电容C4的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第十三实施方式)
参照图17，说明第十三实施方式的层叠电容的构成。第十三实施方式的层叠电容与第十二实施方式的层叠电容C4的不同之处在于第一电容部211的构成。图17是包含于第十三实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第十三实施方式的层叠电容省略图示，与第十二实施方式的层叠电容C4一样，具备层叠体201、形成于该层叠体201中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体201中的第二端子电极5a～5d。
第一电容部211除电介质层35外，具有与第二实施方式的层叠电容的层叠体1相同的构成。即，第一电容部211通过交互层叠多层(在本实施方式中为25层)电介质层11～35、多层(在本实施方式中为各12层)第一和第二内部电极51～62、71～82来构成。在第一电容部211中，12个第一内部电极51～62中的4个第一内部电极51、52、61、62经引出导体171～174电连接于对应的第一端子电极3a～3d上。另外，12个第二内部电极71～82中的4个第二内部电极71、72、81、82经引出导体181～184电连接于对应的第二端子电极5a～5d上。
如上所述，在本实施方式中，通过具有第一电容部211，可如第二实施方式中记载的那样，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第十四实施方式)
参照图18，说明第十四实施方式的层叠电容的构成。第十四实施方式的层叠电容与第十二实施方式的层叠电容C4的不同之处在于第一电容部211的构成。图18是包含于第十四实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第十四实施方式的层叠电容省略图示，与第十二实施方式的层叠电容C4一样，具备层叠体201、形成于该层叠体201中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体201中的第二端子电极5a～5d。
第一电容部211除电介质层35外，具有与第五实施方式的层叠电容的层叠体1相同的构成。即，第一电容部211通过交互层叠多层(在本实施方式中为25层)电介质层11～35、多层(在本实施方式中为各12层)第一和第二内部电极51～62、71～82来构成。在第一电容部211中，12个第一内部电极51～62中的8个第一内部电极51～54、59～62经引出导体171～174电连接于对应的第一端子电极3a～3d上。另外，12个第二内部电极71～82中的8个第二内部电极71～74、79～82经引出导体181～184电连接于对应的第二端子电极5a～5d上。
如上所述，在本实施方式中，通过具有第一电容部211，可如第五实施方式中记载的那样，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第十五实施方式)
参照图19，说明第十五实施方式的层叠电容的构成。第十五实施方式的层叠电容与第十二实施方式的层叠电容C4的不同之处在于第一电容部211的构成。图19是包含于第十五实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第十五实施方式的层叠电容省略图示，与第十二实施方式的层叠电容C4一样，具备层叠体201、形成于该层叠体201中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体201中的第二端子电极5a～5d。
第一电容部211除电介质层35外，具有与第六实施方式的层叠电容的层叠体1相同的构成。即，第一电容部211通过交互层叠多层(在本实施方式中为25层)电介质层11～35、多层(在本实施方式中为各12层)第一和第二内部电极51～62、71～82来构成。在第一电容部211中，12个第一内部电极51～62中的8个第一内部电极53～60经引出导体171～174电连接于对应的第一端子电极3a～3d上。另外，12个第二内部电极71～82中的8个第二内部电极73～80经引出导体181～184电连接于对应的第二端子电极5a～5d上。
如上所述，在本实施方式中，通过具有第一电容部211，可如第六实施方式中记载的那样，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
作为第一电容部211的构成，也可采用与第三、第四和第七～第十一实施方式的层叠电容之层叠体1相同的构成(但是除去电介质层35、49)。
(第十六实施方式)
参照图20，说明第十六实施方式的层叠电容的构成。第十六实施方式的层叠电容与第一实施方式的层叠电容C1的不同之处在于层叠体1的构成。图20是包含于第十六实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第十六实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
层叠体1还如图20所示，通过交互层叠多层(在本实施方式中为11层)电介质层11～20、35、多层(在本实施方式中为各5层)第一和第二内部电极51～55、71～75来构成。在实际的层叠电容中，一体化至不能识别电介质层11～20、35之间的边界。
第一内部电极51、55经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上。由此，第一内部电极52～54也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～55。各引出导体171、172与第一内部电极51、55一体形成，从各第一内部电极51、55延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体173、174与第一内部电极51、55一体形成，从各第一内部电极51、55延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极71、75经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上。由此，第二内部电极72～74也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～75。各引出导体181、182与第二内部电极71、75一体形成，从各第二内部电极71、75延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184与第二内部电极71、75一体形成，从各第二内部电极71、75延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第十六实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、55的数量为2，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第十六实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、75的数量为2个，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第十六实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、55的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、75的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
另外，在本实施方式中，第一内部电极51～55彼此并联连接，第二内部电极71～75彼此并联连接。由此，即便在各第一内部电极51～55或各第二内部电极71～75的电阻值中产生差异，层叠电容整体对等效串联电阻的影响变小，可抑制等效串联电阻的控制精度下降。
(第十七实施方式)
参照图21，说明第十七实施方式的层叠电容的构成。第十七实施方式的层叠电容与第十六实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图21是包含于第十七实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第十七实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
第一内部电极52经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上。由此，第一内部电极53～55也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～55。各引出导体171、172与第一内部电极52一体形成，从第一内部电极52延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体173、174也与第一内部电极52一体形成，从第一内部电极52延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极72经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上。由此，第二内部电极73～75也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～75。各引出导体181、182与第二内部电极72一体形成，从第二内部电极72延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184与第二内部电极72一体形成，从第二内部电极72延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第十七实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、52的数量为2，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第十七实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、72的数量为2个，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第十七实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、52的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极71、72的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第十八实施方式)
参照图22，说明第十八实施方式的层叠电容的构成。第十八实施方式的层叠电容与第十六实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图22是包含于第十八实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第十八实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
第一内部电极53、54经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上。由此，第一内部电极51、52、55也电连接于第一端子电极3a～3d上，并联连接第一内部电极51～55。各引出导体171、172与第一内部电极53、54一体形成，从各第一内部电极53、54延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体173、174也与第～内部电极53、54一体形成，从第一内部电极53、54延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极73、74经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上。由此，第二内部电极71、72、75也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～75。各引出导体181、182与第二内部电极73、74一体形成，从各第二内部电极73、74延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184也与第二内部电极73、74一体形成，从各第二内部电极73、74延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第十八实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极53、54的数量为2，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第十八实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极73、74的数量为2个，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第十八实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极53、54的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极73、74的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第十九实施方式)
参照图23，说明第十九实施方式的层叠电容的构成。第十九实施方式的层叠电容与第十六实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图23是包含于第十九实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第十九实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
第二内部电极72经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上。由此，第二内部电极71、73、74也电连接于第二端子电极5a～5d上，并联连接第二内部电极71～75。各引出导体181、182与第二内部电极72一体形成，从第二内部电极72延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体183、184也与第二内部电极72一体形成，从第二内部电极72延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第十九实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、55的数量为2，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第十九实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极72、75的数量为2个，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第十九实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51、55的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极72、75的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第二十实施方式)
参照图24，说明第二十实施方式的层叠电容的构成。第二十实施方式的层叠电容与第十六实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极的数量。图24是包含于第二十实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二十实施方式的层叠电容省略图示，与第一实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第二十实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51的数量为1，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第二十实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极75的数量为1，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第二十实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极51的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极75的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第二十一实施方式)
参照图25，说明第二十一实施方式的层叠电容的构成。第二十一实施方式的层叠电容与第十六实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极的数量和在层叠方向上的位置、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极的数量和在层叠方向上的位置。图25是包含于第二十一实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二十一实施方式的层叠电容省略图示，与第～实施方式的层叠电容C1一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5d。
在第二十一实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～174直接连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极54的数量为1，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第二十一实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～184直接连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极72的数量为1，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第二十一实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～174电连接于第一端子电极3a～3d上的第一内部电极54的数量、和经引出导体181～184电连接于第二端子电极5a～5d上的第二内部电极72的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第二十二实施方式)
参照图26，说明第二十二实施方式的层叠电容的构成。第二十二实施方式的层叠电容与第十实施方式的层叠电容C2的不同之处在于层叠体1的构成。图26是包含于第二十二实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二十二实施方式的层叠电容省略图示，与第十实施方式的层叠电容C2一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3e、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5e。
层叠体1还如图26所示，通过交互层叠多层(在本实施方式中为11层)电介质层11～20、35、多层(在本实施方式中为各5层)第一和第二内部电极51～55、71～75来构成。在实际的层叠电容中，一体化至不能识别电介质层11～20、35之间的边界。
第一内部电极51、55经引出导体171～175电连接于第一端子电极3a～3e上。由此，第一内部电极52～54也电连接于第一端子电极3a～3e上，并联连接第一内部电极51～55。引出导体171与第一内部电极51、55一体形成，从各第一内部电极51、55延伸，以临近层叠体1的侧面1c。各引出导体172、173与第一内部电极51、55一体形成，从各第一内部电极51、55延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体174、175也与第一内部电极51、55一体形成，从各第一内部电极51、55延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极71、75经引出导体181～185电连接于第二端子电极5a～5e上。由此，第二内部电极72～74也电连接于第二端子电极5a～5e上，并联连接第二内部电极71～75。各引出导体181、182与第二内部电极71、75一体形成，从各第二内部电极71、75延伸，以临近层叠体1的侧面1a。引出导体183也与第二内部电极71、75一体形成，从各第二内部电极71、75延伸，以临近层叠体1的侧面1d。各引出导体184、185与第二内部电极71、75一体形成，从各第二内部电极71、75延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第二十二实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～175直接连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极51、55的数量为2，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第二十二实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～185直接连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极71、75的数量为2，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第二十二实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～175电连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极51、55的数量、和经引出导体181～185电连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极71、75的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第二十三实施方式)
参照图27，说明第二十三实施方式的层叠电容的构成。第二十三实施方式的层叠电容与第二十二实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～175电连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极在层叠方向上的位置、和经引出导体181～185电连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极在层叠方向上的位置。图27是包含于第二十三实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二十三实施方式的层叠电容省略图示，与第十实施方式的层叠电容C2一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3e、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5e。
第一内部电极52经引出导体171～175电连接于第一端子电极3a～3e上。由此，第一内部电极53～55也电连接于第一端子电极3a～3e上，并联连接第一内部电极51～55。引出导体171与第一内部电极52一体形成，从第一内部电极52延伸，以临近层叠体1的侧面1c。各引出导体172、173也与第一内部电极52一体形成，从第一内部电极52延伸，以临近层叠体1的侧面1a。各引出导体174、175也与第一内部电极52一体形成，从第一内部电极52延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
第二内部电极72经引出导体181～185电连接于第二端子电极5a～5e上。由此，第二内部电极73～75也电连接于第二端子电极5a～5e上，并联连接第二内部电极71～75。各引出导体181、182与第二内部电极72一体形成，从第二内部电极72延伸，以临近层叠体1的侧面1a。引出导体183也与第二内部电极72一体形成，从第二内部电极72延伸，以临近层叠体1的侧面1d。各引出导体184、185与第二内部电极72一体形成，从第二内部电极72延伸，以临近层叠体1的侧面1b。
在第二十三实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～175直接连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极51、52的数量为2，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第二十三实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～185直接连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极71、72的数量为2个，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第二十三实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～175电连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极51、52的数量、和经引出导体181～185电连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极71、72的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第二十四实施方式)
参照图28，说明第二十四实施方式的层叠电容的构成。第二十四实施方式的层叠电容与第二十二实施方式的层叠电容的不同之处在于，经引出导体171～175电连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极的数量和在层叠方向上的位置、和经引出导体181～185电连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极的数量和在层叠方向上的位置。图28是包含于第二十四实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二十四实施方式的层叠电容省略图示，与第十实施方式的层叠电容C2一样，具备层叠体1、形成于该层叠体1中的第一端子电极3a～3e、和形成于同一层叠体1中的第二端子电极5a～5e。
在第二十四实施方式的层叠电容中，设经引出导体171～175直接连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极54的数量为1，比第一内部电极51～55的总数(在本实施方式中为5个)少。在第二十四实施方式的层叠电容中，设经引出导体181～185直接连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极72的数量为1个，比第二内部电极71～75的总数(在本实施方式中为5个)少。由此，第二十四实施方式的层叠电容与全部内部电极经引出导体连接于对应的端子电极上的现有层叠电容相比，等效串联电阻变大。
如上所述，根据本实施方式，通过分别调整经引出导体171～175电连接于第一端子电极3a～3e上的第一内部电极54的数量、和经引出导体181～185电连接于第二端子电极5a～5e上的第二内部电极72的数量，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第二十五实施方式)
参照图29，说明第二十五实施方式的层叠电容的构成。第二十五实施方式的层叠电容与第十二实施方式的层叠电容C4的不同之处在于层叠体201的构成。图29是包含于第二十五实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二十五实施方式的层叠电容省略图示，与第十二实施方式的层叠电容C4一样，具备包含第一～第三电容部211、221、231的层叠体201、形成于该层叠体201中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体201中的第二端子电极5a～5d。
首先，说明第一电容部211的构成。第一电容部211除电介质层35外，具有与第十六实施方式的层叠电容的层叠体1相同的构成。即，第一电容部221通过交互层叠多层(在本实施方式中为11层)电介质层11～20、35和多层(在本实施方式中为各5层)第一和第二内部电极51～55、71～75来构成。在第一电容部211中，5个第一内部电极51～55中的2个第一内部电极51、55经引出导体171～174电连接于对应的第一端子电极3a～3d上。另外，5个第二内部电极71～75中的2个第二内部电极71、75经引出导体181～184电连接于对应的第二端子电极5a～5d上。
下面，说明第二电容部221的构成。第二电容部221通过交互层叠多层(在本实施方式中为5层)电介质层223、多层(在本实施方式中为各2层)第一和第二内部电极225、227来构成。各第一内部电极225经引出导体226电连接于第一端子电极3a～3d上。引出导体226与各第一内部电极225一体形成，分别从第一内部电极225延伸，以临近层叠体201的侧面201a、201b。各第二内部电极227经引出导体228电连接于第二端子电极5a～5d上。引出导体228与各第二内部电极227一体形成，分别从第二内部电极227延伸，以临近层叠体201的侧面201a、201b。
下面，说明第三电容部231的构成。第三电容部231通过交互层叠多层(在本实施方式中为4层)电介质层233、多层(在本实施方式中为各2层)第一和第二内部电极235、237来构成。各第一内部电极235经引出导体236电连接于第一端子电极3a～3d上。引出导体236与各第一内部电极235一体形成，分别从第一内部电极235延伸，以临近层叠体201的侧面201a、201b。各第二内部电极237经引出导体238电连接于第二端子电极5a～5d上。引出导体238与各第二内部电极237一体形成，分别从第二内部电极237延伸，以临近层叠体201的侧面201a、201b。
第一电容部211的内部电极51、55通过端子电极3a～3d，与第二电容部221的第一内部电极225和第三电容部231的第一内部电极235电连接。第一电容部211的第二内部电极71通过端子电极5a～5d，与第二电容部221的第二内部电极227和第三电容部231的第二内部电极237电连接。
如上所述，在本实施方式中，通过具有第一电容部211，可如第十六实施方式中记载的那样，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第二十六实施方式)
参照图30，说明第二十六实施方式的层叠电容的构成。第二十六实施方式的层叠电容与第二十五实施方式的层叠电容的不同之处在于第一电容部211的构成。图30是包含于第二十六实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二十六实施方式的层叠电容省略图示，与第十二实施方式的层叠电容C4一样，具备层叠体201、形成于该层叠体201中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体201中的第二端子电极5a～5d。
第一电容部211除电介质层35外，具有与第十七实施方式的层叠电容的层叠体1相同的构成。即，第一电容部221通过交互层叠多层(在本实施方式中为11层)电介质层11～20、35和多层(在本实施方式中为各5层)第一和第二内部电极51～55、71～75来构成。在第一电容部211中，5个第一内部电极51～55中的2个第一内部电极51、52经引出导体171～174电连接于对应的第一端子电极3a～3d上。另外，5个第二内部电极71～75中的2个第二内部电极71、72经引出导体181～184电连接于对应的第二端子电极5a～5d上。
如上所述，在本实施方式中，通过具有第一电容部211，可如第十七实施方式中记载的那样，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值，所以可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
(第二十七实施方式)
参照图31，说明第二十七实施方式的层叠电容的构成。第二十七实施方式的层叠电容与第二十五实施方式的层叠电容的不同之处在于第一电容部211的构成。图31是包含于第二十七实施方式的层叠电容中的层叠体的分解立体图。
第二十七实施方式的层叠电容省略图示，与第十二实施方式的层叠电容C4一样，具备层叠体201、形成于该层叠体201中的第一端子电极3a～3d、和形成于同一层叠体201中的第二端子电极5a～5d。
第一电容部211除电介质层35外，具有与第二十实施方式的层叠电容的层叠体1相同的构成。即，第一电容部211通过交互层叠多层(在本实施方式中为11层)电介质层11～20、35和多层(在本实施方式中为各5层)第一和第二内部电极51～55、71～75来构成。在第一电容部211中，5个第一内部电极51～55中的1个第一内部电极51经引出导体171～174电连接于对应的第一端子电极3a～3d上。另外，5个第二内部电极71～75中的1个第二内部电极75经引出导体181～184电连接于对应的第二端子电极5a～5d上。
如上所述，在本实施方式中，通过具有第一电容部211，可如第二十实施方式中记载的那样，将层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
作为第一电容部211的构成，也可采用与第十八、第十九和第二十一实施方式的层叠电容之层叠体1相同的构成(但是除去电介质层35)。另外，增加端子电极的数量，作为第一电容部211的构成，也可采用与第二十二～第二十四实施方式的层叠电容之层叠体1相同的构成(但是除去电介质层35)。
在第一～第二十七实施方式中，通过调整经引出导体171～176、181～186直接连接于端子电极3a～3f、5a～5f上的内部电极的数量和在层叠方向上的位置至少一方，将各层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。结果，可容易且高精度地执行等效串联电阻的控制。
上述第一内部电极51～69的数量调整可在1个以上、数量比第一内部电极51～69的总数少1的数量以下的范围内进行。上述第二内部电极71～89的数量调整可在1个以上、数量比第二内部电极71～89的总数少1的数量以下的范围内进行。经引出导体171～176直接连接于端子电极3a～3f上的第一内部电极的数量、和经引出导体181～186直接连接于端子电极5a～5f上的第二内部电极的数量也可不同。
另外，也可调整通孔导体131a～167a、131b～167b的数量，将各层叠电容的等效串联电阻设定成期望的值。此时，可更高精度地执行各层叠电容的等效串联电阻的控制。
图32示出调整通孔导体的数量的一例。在图32所示的层叠电容的层叠体中，通过将第二实施方式的层叠电容中的通孔导体131a～153a、131b～153b的数量分别设定成2，将等效串联电阻设定成期望的值。因此，第一内部电极51～62彼此通过2个通电通路电连接，第二内部电极71～82彼此也通过2个通电通路电连接。也可将第二实施方式的层叠电容以外的第一和第三～第二十七实施方式的层叠电容中的通孔导体131a～167a、131b～167b分别设定成多个。
以上，详细说明了本发明的优选实施方式，但本发明不限于上述实施方式及变形例。例如，电介质层11～49、223、233的叠层数量和第一及第二内部电极51～69、225、235、71～89、227、237的叠层数不限于上述实施方式中记载的数量。端子电极3a～3f、5a～5f的数量也不限于上述实施方式中记载的数量。经引出导体171～176、181～186直接连接于端子电极3a～3f、5a～5f上的内部电极的数量和在层叠方向上的位置不限于上述实施方式中记载的数量和位置。另外，第一电容部211的数量和在层叠方向上的位置不限于上述实施方式中记载的数量和位置。
根据本发明的描述，显然可对本发明进行各种变更。不认为这种变更脱离了本发明的精神和范围，并认为对本领域的技术人员而言是显而易见的所有这种变更包含于下面的权利要求的范围内。