用于在半导体器件中形成隔离区的方法

摘要

本发明公开了一种用于在例如光电二极管的半导体器件中形成隔离区的方法，在光电二极管的N型区与注入P型杂质离子的离子注入层之间，以及在光电二极管的N型区与P型半导体的衬底之间的边界处形成耗尽层，以使漏电流最小化，并消除接触面缺陷。采用低温处理以防止衬底中的杂质离子不合需要地扩散，以使半导体器件的针扎效应最大化。该方法包括以下步骤：在衬底中形成沟道区；通过向沟道区的内侧壁注入杂质离子形成离子注入层，其中相对于沟道区的内侧壁的表面倾斜地注入该杂质离子；以及通过用插入离子注入层的不掺杂硅酸盐玻璃膜填充沟道区，来形成半导体器件的隔离区。