用于搜索可写区的设备和方法，用于更新记录管理信息的设备和方法，集成电路转让专利
申请号 : CN200480024203.9
文献号 : CN1839443B
文献日 : 2010-09-29
发明人 : 加藤寿惠 , 山本义一 , 植田宏 , 伊藤基志
申请人 : 松下电器产业株式会社
摘要 :
提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备，包括搜索部分和控制部分。搜索部分使用指定地址作为参考，搜索未记录区。控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址。当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
权利要求 :
1.一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备，其中，所述一次写入信息记录介质包括：
用于记录用户数据的数据区；
记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息，所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址，所述设备包括：
头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质和从一次写入信息记录介质再现信息；
搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作，所述搜索部分使用指定地址作为参考，搜索未记录区，所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址，当判断结果为存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用该候选地址后面的地址作为参考，执行对另一个未记录区的第二次搜索，并且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选地址，并执行判断过程，当判断结果为不存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选地址所表示的区域确定为可写区。
2.一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备，其中，所述一次写入信息记录介质包括：
用于记录用户数据的数据区；
记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息，所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址，所述设备包括：
头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；
搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作，当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，并且所述控制部分检测的缺陷区地址表示位于指定记录范围的该至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址，控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选地址，并且搜索部分使用候选地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
3.一种用于更新记录管理信息的设备，所述记录管理信息表示一次写入信息记录介质用于记录用户数据的数据区的记录状态，其中，所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区，记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，所述设备包括：
头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；
搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作，控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区，当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区的最后地址或者缺陷区地址之后的地址。
4.根据权利要求3所述的设备，其中，所述的一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时所述缺陷管理区用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息，并且当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
5.一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路，其中，所述一次写入信息记录介质包括：
用于记录用户数据的数据区；
记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息，所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时用于表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址，所述集成电路包括：
搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；和用于控制搜索部分的操作的控制部分，
所述搜索部分使用指定地址作为参考，搜索未记录区，所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址，当判断结果为存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用候选地址后面的地址作为参考，执行对另一未记录区的第二次搜索，且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选地址，并执行判断过程，以及当判断结果为不存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选地址所表示的区域确定为可写区。
6.一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路，其中，所述一次写入信息记录介质包括：
用于记录用户数据的数据区；
记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息，所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示该至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址，所述集成电路包括：
用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区的搜索部分；和用于控制搜索部分的操作的控制部分，
当数据区的指定记录范围内存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，并且所述控制部分检测的缺陷区地址表示位于指定记录范围的该至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址，控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选地址，并且搜索部分使用候选地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
7.一种用于更新记录管理信息的集成电路，所述记录管理信息表示一次写入信息记录介质用于记录用户数据的数据区的记录状态，其中，所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区，所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，所述集成电路包括：
搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及控制部分，用于控制所述搜索部分的操作，控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区，当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区的最后地址或者缺陷区地址之后的地址。
8.根据权利要求7所述的集成电路，其中，所述一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息，并且当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
9.一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法，其中，所述一次写入信息记录介质包括：
用于记录用户数据的数据区；
记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息，记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址，所述方法包括以下步骤：
使用指定地址作为参考，搜索未记录区；
根据搜索结果提供表示候选可写区的候选地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址；
当判断结果为存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，使用候选地址后面的地址作为参考对另一未记录区执行第二次搜索，并根据第二次搜索的结果重新设定候选地址，执行判断过程；
当判断结果为不存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，将候选地址所表示的区域确定为可写区。
10.一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法，其中，所述一次写入信息记录介质包括：
用于记录用户数据的数据区；
记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息，记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址，所述方法包括以下步骤：
当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，检测缺陷区地址，被检测的所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的该至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址；
将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选地址；以及使用候选地址作为参考，搜索未记录区，且将所检测出的未记录区确定为可写区。
11.一种用于更新记录管理信息的方法，所述记录管理信息表示一次写入信息记录介质用于记录用户数据的数据区的记录状态，其中，所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区，记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址，所述方法包括以下步骤：
判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区；并且当指定记录范围内存在缺陷区时，更新记录管理信息，使表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区的最后地址或者缺陷区地址之后的地址。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时所述缺陷管理区用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息，并且所述方法还包括以下步骤：
当指定记录范围内存在缺陷区时，更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
说明书 :
技术领域
本发明涉及用于搜索可写区的设备和方法，用于更新记录管理信息的设备和方法，集成电路，以及一次写入信息记录介质。
背景技术
根据记录特性，将作为信息记录介质的光盘分成多种。
仅能将信息记录到相同记录区中一次的一次写入信息记录介质的一个例子，是一次写入光盘。通常，一次写入光盘与仅再现光盘高度兼容，并且相对而言比较廉价，从而，最近得以广泛普及。一次写入光盘的代表性例子包括DVD-R，CD-R等(“80mm(每面1.23吉字节)和120mm(每面3.95吉字节)DVD-可记录盘(DVD-R)”，标准ECMA-279，1998年12月)。下面将描述DVD-R，作为一次写入光盘的一个例子。
图1表示DVD-R光盘100。DVD-R光盘100包括R信息区101和信息区102。
R信息区101包括PCA(功率校准区)103和记录管理区(RMA：Recording Management Area)104。PCA 103是执行OPC(最佳功率控制)的区域。RMA 104是记录有用于管理数据区106记录状态的信息的区域。
信息区102包括导入区105，数据区106和导出区107。导入区105和导出区107是控制信息记录区，其中记录有访问数据区106所需的参数。在数据区106中，记录用户数据。将数据区106分成称作RZone的记录段。将表示每个RZone 161至163的记录状态的信息记录到RMA 104中。
在附图中，符号#n(n为整数)表示区或信息的序号。信息的序号为，例如更新计数器数值。在图1中，符号#n表示区域的序号。
图2表示RMA 104。RMA 104存储至少一段表示RZone的记录状态的记录管理信息(RMD：Recording Mana gement Data)(例如，RMD 191，192，200)。
例如，当产生一个新的RZone时或者当从记录/再现设备退出光盘时，更新RMD。从RMA 104的开始处记录RMD。从而，在RMA 104的记录区的终结端(紧靠未记录区域190前面)记录最新的RMD 200。
在最新的RMD 200中，有RZone的起始地址211至213，和表示RZone的记录区的最后位置的最后记录地址(LRA：Last RecordedAddress)221至223。当不存在RZone或者RZone中没有记录信息时，相应的LRA表示为0。
每次更新LRA时，并未将最新的RMD记录到RMA 104中。从而，例如，当记录/再现设备意外断电时，读取LRA的位置可能与真正的最后记录位置不同。为了避免这一问题，通过搜索记录区与未记录区之间的边界，检测出真正的最后记录位置。
图3所示的流程图表示，从将DVD-R光盘100装入记录/再现设备中开始直至将信息记录到其上为止，记录/再现设备所执行的过程。
在步骤301中，从RMA 104读出最新的RMD 200。
在步骤302中，参考步骤301中读出的RMD 200，并寻找与可写RZone相应的可写地址(NWA：下一可写地址)。
图4所示的流程图表示图3步骤301中过程的细节。
在步骤401中，指定RMA 104的起始地址为搜索起始地址，用于搜索记录区与未记录区之间的边界。
在步骤402中，记录/再现设备根据来自光盘的再现信号等，判断是否已经顺次地将信息记录到激光所照射的位置，从而搜索从搜索开始地址开始的记录区与未记录区之间的边界。
判断紧靠步骤42中检测到的记录区与未记录区之间边界后面的未记录区的地址，是否与RMA 104的起始地址相匹配(步骤403)。当不匹配时，确定已经记录了RMD，流程转到步骤404。当匹配时，确定没有记录RMD，流程转到步骤405。
紧靠未记录区前面的RMD为最新的RMD。从而，读出紧靠步骤402中所检测到的边界前面的RMD，并将其存储到记录/再现设备中(步骤404)。
当紧靠所检测出的记录区与未记录区之间的边界之后的未记录区的地址与RMA 104的起始地址相匹配时，则RMD还没有被记录到RMA 104中。在此情形中，例如，确定该光盘是全新的，并将表示这种状态的标记存储到记录/再现设备中(步骤405)。
图5所示的流程图表示图3步骤302的过程的细节。
在步骤501中，将步骤301中读出的最新的RMD中所包含的可写RZone的LRA的下一个地址，指定为搜索起始地址。
在步骤502中，从搜索起始地址开始寻找记录区与未记录区之间的边界。
在步骤503中，确定紧靠步骤502中检测出的边界后面的未记录区的地址为NWA。
根据上述过程，确定出作为真正可写地址的NWA。对来自更高级别控制装置，如个人计算机等的记录指令作出响应，以NWA作为起始位置记录数据。
图6所示的流程图表示在步骤402和502的过程中所使用的用于区别记录区与未记录区的示例方法。
在步骤601中，检测从光盘读出的再现信号的振幅。
判断步骤601中所检测出的振幅是否超过指定数值(步骤602)。当超过指定数值时，流程转到步骤603，确定激光所照射的区域为记录区。当再现信号的振幅等于或小于指定数值时，流程转到步骤604，确定激光所照射的区域为未记录区。
根据上述过程，搜索到记录区与未记录区之间的边界。
与一次写入光盘不同，在可重写光盘中可将信息覆盖到相同区域中。可重写光盘的一个例子为DVD-RAM(参见标准ECMA-330“120mm(每面4.7吉字节)和80mm(每面1.46吉字节)DVD可重写光盘(DVD-RAM)”，2001年12月)。
图7表示DVD-RAM光盘(4.7吉字节)700。DVD-RAM光盘700包括导入区701，两个备用区702和704，数据区703，以及导出区705。
在DVD-RAM的情形中，在光盘制造过程中或者由于划伤或污染光盘表面等，有可能会产生不能记录/再现的区域(即，缺陷区)。为了防止由于缺陷区的存在导致系统可靠性下降，执行缺陷管理。在缺陷管理过程中，当在数据区703中检测到缺陷区时，则将假定要记录到缺陷区中的信息记录到备用区702或704中。将检测到缺陷区时用于管理缺陷区的缺陷管理信息(DMS：Defect ManagementStructure)记录到导入区701和导出区705所拥有的缺陷管理区(DMA：Defect Management Area)706至709中。
图8表示DMA 706。DMA 706包括DDS(盘定义结构)801和DFL(缺陷列表)802，作为缺陷管理信息。DFL 802包括表示所检测出的缺陷区的地址的缺陷区地址821和822，以及备用区中的取代目的地址823和824。
将与DMA 706中相同的信息记录到DMA 707至709的每一个之中。
目前，对于一次写入光盘，如DVD-R等，不执行缺陷管理。由于开发出可输出更短波长光的半导体激光器，光盘的记录密度变得更高。从而，与光盘上所形成的沟槽或标记相比，光盘上的划痕或污染相对较大，有可能导致不能记录/再现的缺陷区增大。
如上所述，在对一次写入光盘进行记录之前检测NWA。在此情形中，根据再现信号的幅值区分记录区与未记录区。缺陷区的再现信号质量较低，即再现信号具有小振幅。很容易将这种缺陷区确定为可写入的未记录区。
仅能将信息记录到相同记录区中一次的一次写入信息记录介质的一个例子，是一次写入光盘。通常，一次写入光盘与仅再现光盘高度兼容，并且相对而言比较廉价，从而，最近得以广泛普及。一次写入光盘的代表性例子包括DVD-R，CD-R等(“80mm(每面1.23吉字节)和120mm(每面3.95吉字节)DVD-可记录盘(DVD-R)”，标准ECMA-279，1998年12月)。下面将描述DVD-R，作为一次写入光盘的一个例子。
图1表示DVD-R光盘100。DVD-R光盘100包括R信息区101和信息区102。
R信息区101包括PCA(功率校准区)103和记录管理区(RMA：Recording Management Area)104。PCA 103是执行OPC(最佳功率控制)的区域。RMA 104是记录有用于管理数据区106记录状态的信息的区域。
信息区102包括导入区105，数据区106和导出区107。导入区105和导出区107是控制信息记录区，其中记录有访问数据区106所需的参数。在数据区106中，记录用户数据。将数据区106分成称作RZone的记录段。将表示每个RZone 161至163的记录状态的信息记录到RMA 104中。
在附图中，符号#n(n为整数)表示区或信息的序号。信息的序号为，例如更新计数器数值。在图1中，符号#n表示区域的序号。
图2表示RMA 104。RMA 104存储至少一段表示RZone的记录状态的记录管理信息(RMD：Recording Mana gement Data)(例如，RMD 191，192，200)。
例如，当产生一个新的RZone时或者当从记录/再现设备退出光盘时，更新RMD。从RMA 104的开始处记录RMD。从而，在RMA 104的记录区的终结端(紧靠未记录区域190前面)记录最新的RMD 200。
在最新的RMD 200中，有RZone的起始地址211至213，和表示RZone的记录区的最后位置的最后记录地址(LRA：Last RecordedAddress)221至223。当不存在RZone或者RZone中没有记录信息时，相应的LRA表示为0。
每次更新LRA时，并未将最新的RMD记录到RMA 104中。从而，例如，当记录/再现设备意外断电时，读取LRA的位置可能与真正的最后记录位置不同。为了避免这一问题，通过搜索记录区与未记录区之间的边界，检测出真正的最后记录位置。
图3所示的流程图表示，从将DVD-R光盘100装入记录/再现设备中开始直至将信息记录到其上为止，记录/再现设备所执行的过程。
在步骤301中，从RMA 104读出最新的RMD 200。
在步骤302中，参考步骤301中读出的RMD 200，并寻找与可写RZone相应的可写地址(NWA：下一可写地址)。
图4所示的流程图表示图3步骤301中过程的细节。
在步骤401中，指定RMA 104的起始地址为搜索起始地址，用于搜索记录区与未记录区之间的边界。
在步骤402中，记录/再现设备根据来自光盘的再现信号等，判断是否已经顺次地将信息记录到激光所照射的位置，从而搜索从搜索开始地址开始的记录区与未记录区之间的边界。
判断紧靠步骤42中检测到的记录区与未记录区之间边界后面的未记录区的地址，是否与RMA 104的起始地址相匹配(步骤403)。当不匹配时，确定已经记录了RMD，流程转到步骤404。当匹配时，确定没有记录RMD，流程转到步骤405。
紧靠未记录区前面的RMD为最新的RMD。从而，读出紧靠步骤402中所检测到的边界前面的RMD，并将其存储到记录/再现设备中(步骤404)。
当紧靠所检测出的记录区与未记录区之间的边界之后的未记录区的地址与RMA 104的起始地址相匹配时，则RMD还没有被记录到RMA 104中。在此情形中，例如，确定该光盘是全新的，并将表示这种状态的标记存储到记录/再现设备中(步骤405)。
图5所示的流程图表示图3步骤302的过程的细节。
在步骤501中，将步骤301中读出的最新的RMD中所包含的可写RZone的LRA的下一个地址，指定为搜索起始地址。
在步骤502中，从搜索起始地址开始寻找记录区与未记录区之间的边界。
在步骤503中，确定紧靠步骤502中检测出的边界后面的未记录区的地址为NWA。
根据上述过程，确定出作为真正可写地址的NWA。对来自更高级别控制装置，如个人计算机等的记录指令作出响应，以NWA作为起始位置记录数据。
图6所示的流程图表示在步骤402和502的过程中所使用的用于区别记录区与未记录区的示例方法。
在步骤601中，检测从光盘读出的再现信号的振幅。
判断步骤601中所检测出的振幅是否超过指定数值(步骤602)。当超过指定数值时，流程转到步骤603，确定激光所照射的区域为记录区。当再现信号的振幅等于或小于指定数值时，流程转到步骤604，确定激光所照射的区域为未记录区。
根据上述过程，搜索到记录区与未记录区之间的边界。
与一次写入光盘不同，在可重写光盘中可将信息覆盖到相同区域中。可重写光盘的一个例子为DVD-RAM(参见标准ECMA-330“120mm(每面4.7吉字节)和80mm(每面1.46吉字节)DVD可重写光盘(DVD-RAM)”，2001年12月)。
图7表示DVD-RAM光盘(4.7吉字节)700。DVD-RAM光盘700包括导入区701，两个备用区702和704，数据区703，以及导出区705。
在DVD-RAM的情形中，在光盘制造过程中或者由于划伤或污染光盘表面等，有可能会产生不能记录/再现的区域(即，缺陷区)。为了防止由于缺陷区的存在导致系统可靠性下降，执行缺陷管理。在缺陷管理过程中，当在数据区703中检测到缺陷区时，则将假定要记录到缺陷区中的信息记录到备用区702或704中。将检测到缺陷区时用于管理缺陷区的缺陷管理信息(DMS：Defect ManagementStructure)记录到导入区701和导出区705所拥有的缺陷管理区(DMA：Defect Management Area)706至709中。
图8表示DMA 706。DMA 706包括DDS(盘定义结构)801和DFL(缺陷列表)802，作为缺陷管理信息。DFL 802包括表示所检测出的缺陷区的地址的缺陷区地址821和822，以及备用区中的取代目的地址823和824。
将与DMA 706中相同的信息记录到DMA 707至709的每一个之中。
目前，对于一次写入光盘，如DVD-R等，不执行缺陷管理。由于开发出可输出更短波长光的半导体激光器，光盘的记录密度变得更高。从而，与光盘上所形成的沟槽或标记相比，光盘上的划痕或污染相对较大，有可能导致不能记录/再现的缺陷区增大。
如上所述，在对一次写入光盘进行记录之前检测NWA。在此情形中，根据再现信号的幅值区分记录区与未记录区。缺陷区的再现信号质量较低，即再现信号具有小振幅。很容易将这种缺陷区确定为可写入的未记录区。
发明内容
根据本发明一个方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。所述搜索部分使用指定地址作为参考，搜索未记录区。所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址。当判断结果为存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用该候选区地址后面的地址作为参考，执行对另一个未记录区的第二次搜索，并且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选区地址，并执行判断过程。当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明的另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，该缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址。控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址。搜索部分使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的设备，所述记录管理信息表示一次写入信息记录介质用于记录用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录区中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时用于表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述集成电路包括：搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；和，用于控制搜索部分的操作的控制部分。所述搜索部分使用指定地址作为参考搜索未记录区。所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址。当判断结果为存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用候选区地址后面的地址作为参考，执行对另一未记录区的第二次搜索，且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选区地址，并执行判断过程。当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述集成电路包括：用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区的搜索部分；和，用于控制搜索部分的操作的控制部分。当数据区的指定记录范围内存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址。控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址。搜索部分使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的集成电路，所述记录管理信息表示用于记录一次写入信息记录介质的用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述集成电路包括：搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述搜索部分的操作。控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录区中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。当指定记录范围中存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述方法包括以下步骤：使用指定地址作为参考搜索未记录区；根据搜索结果提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址；当判断结果为存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，使用候选区地址后面的地址作为参考对另一未记录区执行第二次搜索，并根据第二次搜索的结果重新设定候选区地址，执行判断过程；当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述方法包括以下步骤：当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，检测缺陷区地址，所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址；将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址；以及，使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的方法，所述记录管理信息表示用于记录一次写入信息记录介质的用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述方法包括以下步骤：判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区；并且，当指定记录范围内存在缺陷区时，更新记录管理信息，使表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。该方法还包括以下步骤：当指定记录范围中存在缺陷区时，更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种一次写入信息记录介质，包括：用于记录用户数据的数据区；和，记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。当数据区的指定记录范围内存在缺陷区时，表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址，表示缺陷区之上或之后的地址。
在本发明一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时，缺陷管理区用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。
根据本发明，判断所检测出的未记录区是否与缺陷区相匹配，从而防止将缺陷区判断为可写区。因而，能够将信息始终如一地记录到正常的记录区中。
根据本发明，实现一种一次写入信息记录介质，从而在指定记录区中最后记录地址之后的记录区中不存在检测到的缺陷区。根据本发明，最新的最后记录地址总为表示缺陷区之上或之后记录区的地址。从而，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，减少了确定可写区时花费的时间。
根据本发明，一次写入信息记录介质中包含有表示缺陷列表或记录状态的信息的起始位置的指针。从而，RMD或DMS可具有可变的长度。因此，可更有效地使用区域。
根据本发明，将RMD和DMS记录到一起。从而，当读出最新的RMD和DMS时，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，使处理时间缩短。
从而，此处所述的本发明具有以下优点：提供在一次写入信息记录介质上搜索可写区的设备、集成电路以及方法；用于更新记录管理信息的设备、集成电路和方法；以及使用本发明的设备、集成电路或方法记录有信息的一次写入信息记录介质。
本领域技术人员在参照附图阅读和理解下面的详细描述时，显然可以想到本发明的这些和其他优点。
根据本发明的另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，该缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址。控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址。搜索部分使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的设备，所述记录管理信息表示一次写入信息记录介质用于记录用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录区中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时用于表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述集成电路包括：搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；和，用于控制搜索部分的操作的控制部分。所述搜索部分使用指定地址作为参考搜索未记录区。所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址。当判断结果为存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用候选区地址后面的地址作为参考，执行对另一未记录区的第二次搜索，且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选区地址，并执行判断过程。当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述集成电路包括：用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区的搜索部分；和，用于控制搜索部分的操作的控制部分。当数据区的指定记录范围内存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址。控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址。搜索部分使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的集成电路，所述记录管理信息表示用于记录一次写入信息记录介质的用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述集成电路包括：搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述搜索部分的操作。控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录区中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。当指定记录范围中存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述方法包括以下步骤：使用指定地址作为参考搜索未记录区；根据搜索结果提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址；当判断结果为存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，使用候选区地址后面的地址作为参考对另一未记录区执行第二次搜索，并根据第二次搜索的结果重新设定候选区地址，执行判断过程；当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述方法包括以下步骤：当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，检测缺陷区地址，所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址；将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址；以及，使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的方法，所述记录管理信息表示用于记录一次写入信息记录介质的用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述方法包括以下步骤：判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区；并且，当指定记录范围内存在缺陷区时，更新记录管理信息，使表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。该方法还包括以下步骤：当指定记录范围中存在缺陷区时，更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种一次写入信息记录介质，包括：用于记录用户数据的数据区；和，记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。当数据区的指定记录范围内存在缺陷区时，表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址，表示缺陷区之上或之后的地址。
在本发明一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时，缺陷管理区用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。
根据本发明，判断所检测出的未记录区是否与缺陷区相匹配，从而防止将缺陷区判断为可写区。因而，能够将信息始终如一地记录到正常的记录区中。
根据本发明，实现一种一次写入信息记录介质，从而在指定记录区中最后记录地址之后的记录区中不存在检测到的缺陷区。根据本发明，最新的最后记录地址总为表示缺陷区之上或之后记录区的地址。从而，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，减少了确定可写区时花费的时间。
根据本发明，一次写入信息记录介质中包含有表示缺陷列表或记录状态的信息的起始位置的指针。从而，RMD或DMS可具有可变的长度。因此，可更有效地使用区域。
根据本发明，将RMD和DMS记录到一起。从而，当读出最新的RMD和DMS时，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，使处理时间缩短。
从而，此处所述的本发明具有以下优点：提供在一次写入信息记录介质上搜索可写区的设备、集成电路以及方法；用于更新记录管理信息的设备、集成电路和方法；以及使用本发明的设备、集成电路或方法记录有信息的一次写入信息记录介质。
本领域技术人员在参照附图阅读和理解下面的详细描述时，显然可以想到本发明的这些和其他优点。
附图说明
图1表示DVD-R光盘的数据结构。
图2表示DVD-R光盘的RMA和RMD的数据结构。
图3所示的流程图表示从DVD-R光盘装入记录/再现设备中开始直至在其上记录信息为止，记录/再现设备所执行的过程。
图4所示的流程图表示用于读取最新的RMD的过程。
图5所示的流程图表示用于搜索DVD-R光盘的NMA的过程。
图6所示的流程图表示用于从未记录区区分记录区的一种示例方法。
图7表示DVD-RAM光盘(4.7吉字节)的数据结构。
图8表示DVD-RAM光盘(4.7吉字节)的DMA和DMS的数据结构。
图9表示根据本发明的一次写入信息记录介质。
图10表示根据本发明的一次写入信息记录介质的RMA和RMD的数据结构。
图11表示根据本发明的一次写入信息记录介质的DMA和DMS的数据结构。
图12所示的流程图表示从装入本发明的一次写入信息记录介质直到开始记录操作为止，记录/再现设备所执行的示例过程。
图13所示的流程图表示根据本发明用于读取最新DMS的示例过程。
图14所示的流程图表示根据本发明用于搜索NWA的示例过程。
图15表示根据本发明一次写入信息记录介质的RMA和RMD的数据结构。
图16所示的流程图表示根据本发明用于搜索NWA的示例过程。
图17所示的流程图表示根据本发明用于搜索NWA的示例过程。
图18表示根据本发明的一次写入信息记录介质的特征。
图19所示的流程图表示根据本发明用于更新记录管理区的示例过程。
图20表示根据本发明的一次写入信息记录介质的数据结构。
图21表示根据本发明一次写入信息记录介质的RMA+DMA和RMD+DMS的数据结构。
图22所示的流程图表示从装入一次写入信息记录介质开始直至开始记录操作为止，本发明的记录/再现设备所执行的示例过程。
图23所示的流程图表示根据本发明用于读取最新RMD+DMS的示例过程。
图24所示的流程图表示根据本发明用于更新RMA+DMA的示例过程。
图25表示根据本发明的示例性记录/再现设备。
图2表示DVD-R光盘的RMA和RMD的数据结构。
图3所示的流程图表示从DVD-R光盘装入记录/再现设备中开始直至在其上记录信息为止，记录/再现设备所执行的过程。
图4所示的流程图表示用于读取最新的RMD的过程。
图5所示的流程图表示用于搜索DVD-R光盘的NMA的过程。
图6所示的流程图表示用于从未记录区区分记录区的一种示例方法。
图7表示DVD-RAM光盘(4.7吉字节)的数据结构。
图8表示DVD-RAM光盘(4.7吉字节)的DMA和DMS的数据结构。
图9表示根据本发明的一次写入信息记录介质。
图10表示根据本发明的一次写入信息记录介质的RMA和RMD的数据结构。
图11表示根据本发明的一次写入信息记录介质的DMA和DMS的数据结构。
图12所示的流程图表示从装入本发明的一次写入信息记录介质直到开始记录操作为止，记录/再现设备所执行的示例过程。
图13所示的流程图表示根据本发明用于读取最新DMS的示例过程。
图14所示的流程图表示根据本发明用于搜索NWA的示例过程。
图15表示根据本发明一次写入信息记录介质的RMA和RMD的数据结构。
图16所示的流程图表示根据本发明用于搜索NWA的示例过程。
图17所示的流程图表示根据本发明用于搜索NWA的示例过程。
图18表示根据本发明的一次写入信息记录介质的特征。
图19所示的流程图表示根据本发明用于更新记录管理区的示例过程。
图20表示根据本发明的一次写入信息记录介质的数据结构。
图21表示根据本发明一次写入信息记录介质的RMA+DMA和RMD+DMS的数据结构。
图22所示的流程图表示从装入一次写入信息记录介质开始直至开始记录操作为止，本发明的记录/再现设备所执行的示例过程。
图23所示的流程图表示根据本发明用于读取最新RMD+DMS的示例过程。
图24所示的流程图表示根据本发明用于更新RMA+DMA的示例过程。
图25表示根据本发明的示例性记录/再现设备。
具体实施方式
下面，将参照附图，通过说明性示例描述本发明。在附图1至25中，相同附图标记表示相同部件或步骤，并且为了简洁而省略更多描述。
(实施方式1)
图9表示根据本发明实施方式1的一次写入信息记录介质900。一次写入信息记录介质还可以称作一写多读信息记录介质。
一次写入信息记录介质900包括用于记录用户数据的数据区903，用于记录表示数据区903记录状态的记录管理信息(RMD)的记录管理区(RMA)901，以及缺陷管理区(DMA)902和904，如果在数据区903中检测到至少一个缺陷区，则缺陷管理区用于记录管理至少一个缺陷区的缺陷管理信息(DMS)。RMD包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址(LRA)。如果检测到缺陷区，则缺陷管理信息包含表示至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。
如同数据区106那样(参照图1)，将数据区903分成多个RZone910，911，912和913。RMD表示每个RZone的记录状态。
图10表示RMA 901。RMA 901存储多个RMD 991，992和1000。最新的RMD 1000记录在紧靠未记录区990的前面。最新的RMD 1000包含LRA 1001，1002，1003和1004，每个LRA表示相应RZone中最后的记录区的位置。
图11表示DMA 902的数据结构。DMA 902存储多个DMS 981，982和1100。从DMA 902的开始处连续地记录DMS。从而，紧靠未记录区980前面记录最新的DMS 1100。最新的DMS 1100包含DFL 1110和DDS 1120。DDS 1120包含指针1121，表示DFL 1110的开始位置。DFL 1110包含表示缺陷区的缺陷区地址1111和1112。DMA 904存储与DMA 902中相同的信息。
图25所示的方框图表示根据本发明实施方式1的记录/再现设备2500。
记录/再现设备2500包括光学头部分2502，记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，CPU(中央处理器)2505，缓冲器2506以及内部总线2507。将一次写入信息记录介质900(图9)装入记录/再现设备2500中。记录/再现设备2500在一次写入信息记录介质900中所包含的数据区903中搜索可写区。
CPU 2505根据CPU 2505中包含的控制程序，控制记录/再现设备2500所有部件(例如光学头部分2502，记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，缓冲器2506等)的操作。注意，CPU 2505和记录/再现控制部分2503可以集成到单个控制部分中。可将记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，CPU 2505，缓冲器2506以及内部总线2507例如包含在集成电路LSI 2600中。LSI 2600设置在记录/再现设备2500中。
光学头部分2502通过用激光照射一次写入信息记录介质900，执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质900上和从一次写入信息记录介质900再现信息。搜索部分2504在一次写入信息记录介质900中搜索未记录区。
记录/再现控制部分2503使用光学头部分2502，读出记录在一次写入信息记录介质900上的、地址由CPU 2505所指定的区域中的信息，并将信息存储到缓冲器2506中。记录/再现控制部分2503还使用光学头部分2502，将缓冲器2506中所存储的数据写入具有由CPU 2505所指定地址的区域中。此外，当检测到缺陷区时，记录/再现控制部分2503将表示缺陷区的地址(缺陷区地址)输出给CPU2505。
搜索部分2504搜索记录区与未记录区之间的边界。搜索部分2504执行例如参照图6所述的判断方法。搜索部分2504检测光学头部分2502输出的再现信号的幅值，并判断该幅值是否超过指定数值。通过该判断步骤，搜索部分2504检测出记录区与未记录区之间的边界，并获得表示紧靠该边界前面的位置的记录区地址(LRA)。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505。
缓冲器2506存储从一次写入信息记录介质900读出的信息。缓冲器2506还存储将要写到一次写入信息记录介质900上的信息。
内部总线2507将记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，CPU2505和缓冲器2506相互连接。
图12所示的流程图表示从一次写入信息记录介质900装入记录/再现设备2500中直至开始记录操作为止，记录/再现设备2500所执行的示例过程。
在将一次写入信息记录介质900装入记录/再现设备2500中之后，记录/再现设备2500读出最新的RMD。在步骤301中，从RMA 901读出最新的RMD 1000(图10)。将参照图4描述这一操作。
在将一次写入信息记录介质900装入记录/再现设备2500之后，CPU 2505将RMA 901的起始地址指定为搜索起始地址，由该地址开始，搜索部分2504开始搜索记录区与未记录区之间的边界。CPU 2505命令搜索部分2504从RMA 901的起始地址开始搜索(步骤401)。
搜索部分2504从RMA 901的起始地址开始搜索未记录区，检测记录区与未记录区之间的边界，并获得表示紧靠边界前面的位置的记录区地址。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505(步骤402)。
CPU 2505根据所获得的记录区地址，检测紧靠边界后面的未记录区的地址(未记录区地址)，并判断未记录区地址是否与RMA 901的起始地址相匹配(步骤403)。
在步骤403中，当这两个地址彼此不匹配时，CPU 2505指定紧靠所检测出的边界前面RMD记录位置的地址，并命令记录/再现控制部分2503再现出该位置处所记录的RMD。记录/再现控制部分2503使用光学头部分2502读出所指定的RMD(此处，为最新的RMD 1000)，并将数据存储到缓冲器2506中(步骤404)。
在步骤403中，当这两个地址彼此匹配时，CPU 2505判断所装入的一次写入信息记录介质是全新的，并将表示全新状态的标记存储到缓冲器2506中(步骤405)。
在读出最新的RMD 1000之后，记录/再现设备2500从DMA 902和904读出最新的DMS(步骤1201)。将参照图13描述这一操作。图13表示步骤1201(图12)的示意过程的流程图。
CPU 2505将DMA 902的起始地址指定为搜索起始地址，搜索部分2504从该地址开始搜索记录区与未记录区之间的边界。CPU 2505命令搜索部分2504，从DMA 902的起始地址开始搜索边界(步骤1300)。
搜索部分2504从DMA 902的起始地址开始搜索未记录区，检测记录区与未记录区之间的边界，并将表示紧靠边界前面的位置的记录区地址输出给CPU 2505(步骤1301)。
CPU 2505根据所获得的记录区地址检测紧靠边界后面的未记录区的地址(未记录区地址)，并判断未记录区地址是否与DMA 902的起始地址相匹配(步骤1302)。
在步骤1302中当这两个地址彼此不匹配时(已经记录了DMS)，CPU 2505指定紧靠所检测出的边界前面的DMS记录位置的地址，并命令记录/再现控制部分2503再现出该位置处所记录的DMS。记录/再现控制部分2503使用光学头部分2502读出所指定的DMS(此处为最新的DMS 1100)，并将数据存储到缓冲区2506中(步骤1303)。
当这两个地址彼此匹配时(还没有记录DMS)，CPU 2505将处于初始状态的、缺陷区地址为0的DMS，存储到缓冲器2506中(步骤1304)。
CPU 2505判断是否已经从所有DMA读出DMS。当还没有从任何DMA读出DMS时，CPU 2505命令搜索部分2504在其余DMA中搜索边界(步骤1305)，且流程转到步骤1300。
当已经从所有DMA读出DMS时，CPU 2505从缓冲器2506中存储的多个DMS中选择最新的DMS。例如，当DMS包含表示更新次数的更新计数器数值时，CPU 2505互相比较从每个DMA读出的更新计数器数值。在此情形中，CPU 2505确定具有最大更新计数器数值的DMS为最新的DMS，并将最新的DMS保留在缓冲器2506中。
在本实施方式中，假设具有最大更新计数器数值的DMS为最新的DMS。或者，可利用只要能判断出DMS是否是最新的DMS的任何操作。例如，可确定存储有在DMS中所存储的缺陷区地址中最大缺陷区地址的DMS为最新的DMS。或者，例如，检测DFL记录区的尺寸，并可确定具有最大尺寸的DMS为最新的DMS。
在读出最新的DMS之后，记录/再现设备2500搜索可写地址(NWA)。在步骤1202中(图12)，参照从步骤301和步骤1201读出的RMD和DMS，在可写RZone中检测NWA。将参照图14描述这一操作。图14所示的流程图表示图12中步骤1202的一种示例过程。
CPU 2505从缓冲器2506所存储的RMD读出LRA，并确定LRA后面的地址(例如LRA下面的地址)。此处，CPU 2505命令搜索部分2504，LRA下面的地址作为搜索起始地址进行搜索(步骤501)。
搜索部分2504使用LRA后面的地址作为参考，搜索未记录区。此处，搜索部分2504从LRA下面的地址开始，朝向该地址后面的地址，搜索未记录区，检测记录区与未记录区之间的边界，并获得表示紧靠边界前面的位置的记录区地址。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505(步骤502)。
CPU 2505从所获得的记录区地址开始，检测紧靠边界后面的未记录区的地址(未记录区地址)，并将未记录区地址设定为表示候选可写区的候选区地址(步骤1401)。CPU 2505判断缓冲器2506所存储的DMS中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址(步骤1402)。
在步骤1402中，当判断结果为不存在这种缺陷区地址时，CPU2505确定候选区地址为NWA，并确定NWA所表示的区域为可写区(步骤1404)。
在步骤1402中，当判断结果为存在这种缺陷区地址时，CPU 2505命令搜索部分2504，使用缺陷区地址后面的地址(＝当前候选区地址)作为搜索开始地址进行搜索(步骤1403)。
回到步骤502，搜索部分2504使用缺陷区地址后面的地址(＝当前候选区地址)作为参考，搜索另一未记录区。此处，搜索部分2504从缺陷区地址下面的地址开始，朝向该地址后面的地址，搜索未记录区。搜索部分2504检测记录区与未记录区之间的边界，获得表示紧靠边界前面的位置的记录区地址。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505。
CPU 2505和搜索部分2504反复地执行步骤501至步骤1403中所述的操作，直到检测到与缺陷区地址不匹配的候选区地址为止。
如上所述，根据本发明该实施方式，通过判断所检测出的未记录区是否与缺陷区相匹配，防止将缺陷区错误地确定为可写区。从而，总能将信息恒定地写到正常的记录区中。
虽然在本实施方式中搜索部分2504获得了紧靠记录区与未记录区之间边界前面的记录区地址，不过也可以得到紧靠边界后面的未记录区地址。
通过使用表示DFL的起始位置的指针，DFL的长度是可变的，从而可减小DMS的尺寸。
尽管在实施方式1中以图9的一次写入信息记录介质为例进行了描述，不过每个区域可以位于介质上任意位置处。此外，不特别限制每种区域的数量，只要每种区域至少有一个就足够了。
尽管在实施方式1中，在读出RMD之后读出DMS，不过只要是在搜索NWA之前，DMS或RMD可以更早地被读出。
(实施方式2)
图15表示作为RMA 901一种变型的RMA 901a。图9和11中所述的数据结构对于RMA 901a和RMA 901而言是共同的。
RMA 901a存储多个RMD 991a，992a和1000a。紧靠未记录区990a前面记录最新的RMD 1000a。最新的RMD 1000a包含表示在各个RZone中最后记录区位置的LRA 1001，1002至1004和表示各个Rzone的Rzone范围信息1011，1012和1014。
从装入一次写入信息记录介质开始直至开始记录操作为止，在记录/再现设备所执行的过程中，对于实施方式1和2，从图12的步骤301到步骤1201是相同的。
图16所示的流程图表示图12的步骤1202的一种变型。
在步骤1601中，CPU 2505指定RZone(在其中从现在开始记录信息)的范围作为搜索范围，并在其中搜索NWA。根据RMD 901a中所包含的RZone范围信息，得出RZone的范围。例如，当RZone范围信息表示RZone的起始地址时，RZone范围从RZone(在其中搜索NWA)的起始地址开始，到紧靠下一个RZone的起始地址之前的地址为止。当RZone范围信息表示RZone的最后地址时，RZone范围从紧靠RZone(在其中搜索NWA)前面的RZone的最后地址下面的地址开始，到该RZone(在其中搜索NWA)的最后地址为止。当RZone范围信息同时表示出RZone的起始地址和最后地址时，RZone范围从RZone(在其中搜索NWA)的起始地址开始到最后地址为止。
在步骤1602中，CPU 2505判断在数据区106的指定记录范围(此处，为在其中搜索NWA的RZone的范围)内是否存在至少一个缺陷区。特别是，CPU 2505判断DMS中的缺陷区地址中，是否存在表示在要搜索的NWA的RZone范围内的地址的缺陷区地址。
当存在表示RZone范围(在其中搜索NWA)内地址的缺陷区地址时，流程转到步骤1603。当不存在缺陷区地址时，流程转到步骤501。
在步骤1603中，CPU 2505检测表示位于指定记录范围中至少一个缺陷区的最后地址处的缺陷区的缺陷区地址(最大缺陷区地址)。
在步骤1604中，CPU 2505将与RZone(在其中搜索NWA)相应的LRA与所检测到的最大缺陷区地址进行比较。当最大缺陷区地址大于LRA时，流程转到步骤1605。当LRA小于最大缺陷区地址时，流程转到步骤501。当LRA等于最大缺陷区地址时，流程转到步骤1605或步骤501。
在步骤1605中，CPU 2505将最大缺陷区地址下面的地址指定为搜索起始地址。
在步骤501中，CPU 2505将LRA下面的地址指定为搜索起始地址。
CPU 2505通过步骤1605或步骤501，将位于最大缺陷区地址和LRA后面的地址设定为候选区地址。
在步骤502中，搜索部分2504使用候选区地址(搜索起始地址)作为参考，搜索未记录区。此处，搜索部分2504从候选区地址开始，朝向候选区地址后面的地址搜索未记录区，检测记录区与未记录区之间的边界，并获得表示紧靠边界前面的位置的记录区地址。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505。
在步骤503中，CPU 2505根据步骤502中的检测结果，检测紧靠边界后面的未记录区的地址，并将该地址确定为NWA，将NWA所表示的区域确定为可写区。
图17所示的流程图表示图12的步骤1202的示例过程。除用步骤1701取代步骤1601并省略步骤1604外，图17的流程图与图16的相同。
在步骤1701中，CPU 2505指定从与RZone(从此时开始向其中记录信息)相应的LRA到该Rzone终结端的范围，作为搜索NWA的搜索范围。根据RMD 901a中包含的RZone范围信息获得RZone的范围。当RZone范围信息表示RZone的起始地址时，搜索范围从LRA开始直到紧靠该RZone下面的RZone的起始地址之前的地址，在其中搜索NWA。当RZone范围信息表示RZone的最后地址时，搜索范围从LRA开始直至该RZone的最后地址，在其中搜索NWA。
在步骤1602中，CPU 2505判断在数据区106中指定记录范围(此处，从与此时在其中记录信息的RZone相应的LRA，直至该Rzone终结端的范围)内是否存在至少一个缺陷区。具体而言，CPU 2505判断在DMS所包含的缺陷区地址中，是否存在表示指定记录范围内地址的缺陷区地址。
在步骤1603中，CPU 2505检测缺陷区地址(最大缺陷区地址)，该缺陷区地址表示位于指定记录范围内存在的至少一个缺陷区的最后地址处的缺陷区的地址。
在图17的过程中，将搜索范围的起点设定为LRA。从而，当具有最大缺陷区地址时，最大缺陷区地址总是大于或等于LRA。因而，省略步骤1604的过程(图16)。
随后的步骤与图16中的步骤相同，并省略这些步骤的描述。
根据本发明的实施方式2，在搜索起始地址与NWA之间并非总能检测到缺陷区。从而，仅需要一次对于记录区与未记录区之间边界的搜索操作。可在半导体存储器中执行判断所检测出的未记录区地址是否为缺陷区的过程。在光盘上执行用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程。从而，当重复地执行判断过程和搜索过程时，耗费较长时间才能确定NWA。在本实施方式中，不必重复地执行判断过程和搜索过程，从而可更迅速地确定NWA。
(实施方式3)
图18表示作为数据区903一部分的RZone 910，911和912。RZone910包含记录区1805和未记录区1801。RZone 911包含记录区1807和未记录区1802。RZone 912包含记录区1809和未记录区1803。
最新的RMD 1000存储RZone 910的LRA 1001，RZone 911的LRA1002和RZone 912的LRA 1003。LRA 1001表示缺陷区1804的最后地址。LRA 1002位于缺陷区1806后面，表示的地址并非记录区1807的最后地址。LRA 1003表示紧靠未记录区1803前面的位置，即记录区1809的最后地址。
如图18中所示，在每个RZone的LRA后面的记录区中，没有检测到缺陷区。换言之，RZone的LRA表示缺陷区地址之上或之后的地址，缺陷区地址表示RZone中存在的缺陷区。
图19所示的流程图表示由记录/再现设备2500执行的、用于更新记录管理信息的一种示例过程。
CPU 2505将RZone中(记录/再现控制部分2503受到指示在其中记录信息)的最大地址设定为LRA，并覆盖在缓冲器2506中所存储的RMD内的LRA(步骤1901)。
记录/再现控制部分2503判断在用户数据记录过程中是否检测到缺陷(步骤1902)。当没有发现缺陷时，流程转到步骤1907。当发现缺陷时，记录/再现控制部分2503将表示所检测到的缺陷的地址(缺陷区地址)输出给CPU 2505。CPU 2505将所检测到的缺陷区地址添加到缓冲器2506所存储的DFL中(步骤1903)。
CPU 2505命令记录/再现控制部分2503，将通过向DFL添加缺陷区地址而得到更新的最新的DMS，记录到DMA中。记录/再现控制部分2503将更新的最新的DMS记录到DMA 902和904中(步骤1904)。
CPU 2505判断RZone的LRA是否表示缺陷区地址之上或之后的地址，其中缺陷区地址表示RZone中存在的缺陷区(步骤1905)。当LRA表示缺陷区地址之上或之后的地址时，流程转到步骤1907。当LRA不表示缺陷区地址之上或之后的地址时，更新LRA，使更新的LRA表示缺陷区地址之上或之后的地址(步骤1906)。
CPU 2505命令记录/再现控制部分2503，将通过覆盖LRA而得到更新的最新的RMD记录到RMA 901中。记录/再现控制部分2503将更新的最新的RMD记录到RMA 901中(步骤1907)。
根据本实施方式，实现这样一种一次写入信息记录介质，从而在最新的RMD所包含的LRA之后的记录区中没有检测到的缺陷区。
如上所述，假设在步骤1901中尝试进行记录的RZone中的最大地址为LRA。可替换地，如图18中所示，LRA可以为这样一个地址，在RZone中的LRA后面的记录区中没有检测到的缺陷区的地址。
根据本发明的实施方式3，在最新的RMD所包含的LRA后面的记录区中没有检测到的缺陷区。从而，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，从而可减小寻找NWA所花费的时间。此外，通过这种更新方法，实现了具有图18中所示数据结构的一次写入信息记录介质。
在实施方式3中，在检测到缺陷之后，将缺陷区地址添加到DFL，并将最新的DMS记录到DMA中。可替换地，通过在检测到缺陷之后轻松地更新LRA，最新的RMD显然包含这样的LRA，在该LRA后面为没有检测到缺陷区的记录区。
最好将更新的最新的RMD和DMS记录下来，直至从记录/再现设备取下介质为止。特别是，将更新数值保存到设备中，并记录到RMA或DMA中，直至介质被取下为止。
(实施方式4)
图20表示根据本发明实施方式4的一次写入信息记录介质2000。一次写入信息记录介质2000包括数据区903，用于记录记录管理信息和缺陷管理信息的RMA+DMA 2001，和作为缺陷区的替代目的区的备用区2003。将用于表示数据区903中所包含的多个RZone的记录状态的信息记录到RMA+DMA 2001中。注意，一次写入信息记录介质900中也包含备用区2003。
图21表示RMA+DMA 2001的数据结构。RMA+DMA 2001存储多个RMD+DMS 2011，2012和2100，是RMD和DMS组合的信息。在RMA+DMA2001中，从其开始位置记录RMD+DMS。从而，在紧靠未记录区2014前面记录最新的RMD+DMS 2100。最新的RMD+DMS 2100包含DDS 2130，DFL 2110和RMD 2120。DDS 2130包含分别表示RMD 2120和DFL2110的起始位置的指针2131和2132。DFL 2110包含检测出的缺陷区的缺陷区地址1111和1112，和表示备用区中位置的地址的取代目的地址2111和2112，数据被记录到备用区中，取代缺陷区。RMD 2120包含LRA 1001，1002和1004。
图22所示的流程图表示从一次写入信息记录介质2000装入记录/再现设备2500中开始，直至开始记录操作为止，记录/再现设备2500所执行的一种示例过程。
在步骤2201中，从RMA+DMA 2001读出最新的RMD+DMS。
在步骤1202中，参照步骤2201中读出的RMD+DMS，在可写RZone中搜索NWA。通过例如实施方式1的图14或实施方式2的图16所示的过程确定NWA。
图23所示的流程图表示图22中步骤2201的一种示例过程。
在步骤2300中，CPU 2505将RMA+DMA 2001的起始地址指定为搜索起始地址，从该地址开始搜索记录区与未记录区之间的边界。
在步骤2301中，搜索部分2504从搜索起始位置开始搜索记录区与未记录区之间的边界。
在步骤2302中，CPU 2505判断紧靠检测出的边界后面的未记录区的地址是否与RMA+DMA 2001的起始地址相匹配。当这两个地址彼此不匹配时，确定已经记录了RMD+DMS，流程转到步骤2303。当这两个地址彼此匹配时，确定还没有记录RMD+DMS，流程转到步骤2304。
记录在紧靠未记录区前面区域中的RMD+DMS为最新的RMD+DMS2100。在步骤2303中，记录/再现控制部分2503读出记录在紧靠检测出的边界前面区域中的RMD+DMS 2100，且CPU 2505将最新的DFL2110和最新的RMD 2120存储到缓冲器2506中。
在步骤2304中(还没有记录RMD+DMS)，例如，CPU 2505确定该一次写入信息记录介质2000是全新光盘，产生表示全新状态的标记和在初始状态下表示缺陷区地址为0的DMS，并将标记和DMS存储到缓冲器2506中。
图24所示的流程图表示用于将更新的RMD+DMS记录到RMA+DMA中的一种示例方法。
在步骤1901中，CPU 2505将已尝试进行记录的Rzone中的最大地址设定为LRA。
在步骤1902中，记录/再现控制部分2503判断在用户数据记录过程中是否发现缺陷。当没有发现缺陷时，流程转到步骤2403。
当在步骤1902中发现了缺陷时，CPU 2505命令记录/再现控制部分2503执行取代过程，在取代过程中，将否则要记录到检测出的缺陷区中的数据，记录到备用区(取代目的地)中。记录/再现控制部分2503执行取代过程(步骤2401)。
在步骤2402中，CPU 2505将检测出的缺陷区的地址设定为缺陷区地址，将在该区域中存储数据的备用区的地址设定为取代目的地址，并将这些地址添加到DFL 2110中，即，更新DFL 2110。
在步骤2403中，记录/再现控制部分2503将包含更新的DFL和更新的LRA的最新的RMD+DMS，记录到RMA+DMA 2001中。
在图24的过程中，可执行图19的步骤1905和1906。在此情形中，在LRA后面的记录区中，在RMA+DMA的最新的RMD中包含没有检测到缺陷区的LRA。
在最新的RMD所包含的LRA后面的记录区中，没有检测到缺陷区。从而，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程。因而，可缩短检测NWA所需的时间。通过这种更新方法，实现一种一次写入信息记录介质，使得在最新的RMD所包含的LRA后面的记录区中，没有检测到的缺陷区。
在实施方式4中，将DFL和RMD一起记录到RMA+DMA中。从而，与分别记录DFL和RMD相比，可有效地利用区域。此外，当读取最新的DMS和最新的RMD时，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，从而可缩短处理时间。
在实施方式4中，在检测到缺陷之后，将缺陷区中的数据记录到备用区中，并将取代目的地址添加到DFL中。显然，仅通过在检测到缺陷之后轻松地更新LRA，在LRA后面的记录区中的最新的RMD中，包含没有检测到的缺陷区的LRA。
如实施方式1到4中所描述的，记录/再现设备2500执行用于搜索可写区的方法，和用于更新记录管理信息的方法。
注意，通常，在作为集成电路的LSI中实现记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，CPU 2505，缓冲器2506和内部总线2507。这些部件可以在各个单个芯片上分别提供。可替换地，可将这些部件中的一部分或全部集成到一个芯片中。
正如此处所使用的，将集成电路称作LSI。根据集成规模，集成电路可以为所谓的IC，系统LSI，高LSI或超LSI。
本发明的集成电路不限于LSI，可通过专用电路或通用处理器来实现。可使用可在LSI制造完成之后进行编程的FPGA(现场可编程门阵列)，或者使用能够重新配置电路单元的接线或设置的可重新配置处理器。
此外，如果由于半导体技术或者另一种派生技术的进步导致出现集成电路技术，并取代当前的LSI技术，可使用这种新技术将功能块集成。可使用生物工艺学中的适应性。
所提供的本发明的上述实施方式仅是出于说明的目的。可使用任何数据结构和算法，只要它们不偏离本发明的主旨即可。
例如，DFL或RMD可具有固定长度或可变长度。
例如，DDS可以不记录在记录区的终结端。
例如，RMD可以比DFL更早地记录，或反之亦然。
例如，可发现最新的RMD要迟于最新的DMS。
例如，可记录具有相同内容的多个RMA和DMA以便进行多重复用。
例如，可提供多个RMA和DMA，并轮换着使用。
例如，当检测到缺陷时，可将缺陷区中的数据记录或不记录到备用区中。
例如，可在添加到DFL之前执行备用区的取代，或反之亦然。
例如，在不取代为备用区时，可以不存在备用区。
例如，当将RMD或DFL的起始位置记录到从记录结束位置开始的指定位置处时，可以不记录表示所述起始位置的指针。
例如，DFL中包含的缺陷区地址或取代目的地址，以及RMD中包含的LRA或范围信息，可按照指定的数据格式设置，并且不限于图15和21中所示的数据格式。
用于从未记录区区分记录区的方法不限于图6的区分方法。例如，对再现数据进行差错校正，并且可判断差错是否超出校正范围。例如，可判断是否正常地获得了数据中所包含的地址信息。例如，可使用表示再现信号质量的抖动值，MLSE(最大似然序列差错)等。
根据本发明一个方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。所述搜索部分使用指定地址作为参考，搜索未记录区。所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址。当判断结果为存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用该候选区地址后面的地址作为参考，执行对另一个未记录区的第二次搜索，并且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选区地址，并执行判断过程。当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明的另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，该缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址。控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址。搜索部分使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的设备，所述记录管理信息表示一次写入信息记录介质用于记录用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录区中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时用于表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述集成电路包括：搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；和，用于控制搜索部分的操作的控制部分。所述搜索部分使用指定地址作为参考搜索未记录区。所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址。当判断结果为存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用候选区地址后面的地址作为参考，执行对另一未记录区的第二次搜索，且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选区地址，并执行判断过程。当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述集成电路包括：用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区的搜索部分；和，用于控制搜索部分的操作的控制部分。当数据区的指定记录范围内存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址。控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址。搜索部分使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的集成电路，所述记录管理信息表示用于记录一次写入信息记录介质的用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述集成电路包括：搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述搜索部分的操作。控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录区中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。当指定记录范围中存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述方法包括以下步骤：使用指定地址作为参考搜索未记录区；根据搜索结果提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址；当判断结果为存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，使用候选区地址后面的地址作为参考对另一未记录区执行第二次搜索，并根据第二次搜索的结果重新设定候选区地址，执行判断过程；当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述方法包括以下步骤：当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，检测缺陷区地址，所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址；将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址；以及，使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的方法，所述记录管理信息表示用于记录一次写入信息记录介质的用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述方法包括以下步骤：判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区；并且，当指定记录范围内存在缺陷区时，更新记录管理信息，使表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。该方法还包括以下步骤：当指定记录范围中存在缺陷区时，更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种一次写入信息记录介质，包括：用于记录用户数据的数据区；和，记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。当数据区的指定记录范围内存在缺陷区时，表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址，表示缺陷区之上或之后的地址。
在本发明一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时，缺陷管理区用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。
工业上的应用
根据本发明，判断所检测出的未记录区是否与缺陷区相匹配，从而防止将缺陷区判断为可写区。因而，能够将信息始终如一地记录到正常的记录区中。
根据本发明，实现一种一次写入信息记录介质，从而在指定记录区中最后记录地址之后的记录区中不存在检测到的缺陷区。根据本发明，最新的最后记录地址总为表示缺陷区之上或之后记录区的地址。从而，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，减少了确定可写区时花费的时间。
根据本发明，一次写入信息记录介质中包含有表示缺陷列表或记录状态的信息的起始位置的指针。从而，RMD或DMS可具有可变的长度。因此，可更有效地使用区域。
根据本发明，将RMD和DMS记录到一起。从而，当读出最新的RMD和DMS时，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，使处理时间缩短。
从而，本发明可用于将信息记录到一次写入信息记录介质上，并从一次写入信息记录介质再现信息的技术领域中。
本领域技术人员在不偏离本发明范围和精神的前提下，易于想到多种其他变型。因而，所附权利要求的范围不限于所给出的描述，而是更广泛地构建权利。
相关申请的交叉参考
基于35 U.S.C.§119(a)，本非临时申请要求2003年6月23日在日本提交的专利申请No.2003-178165的优先权，从而该专利申请的全部内容在此引作参考。
(实施方式1)
图9表示根据本发明实施方式1的一次写入信息记录介质900。一次写入信息记录介质还可以称作一写多读信息记录介质。
一次写入信息记录介质900包括用于记录用户数据的数据区903，用于记录表示数据区903记录状态的记录管理信息(RMD)的记录管理区(RMA)901，以及缺陷管理区(DMA)902和904，如果在数据区903中检测到至少一个缺陷区，则缺陷管理区用于记录管理至少一个缺陷区的缺陷管理信息(DMS)。RMD包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址(LRA)。如果检测到缺陷区，则缺陷管理信息包含表示至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。
如同数据区106那样(参照图1)，将数据区903分成多个RZone910，911，912和913。RMD表示每个RZone的记录状态。
图10表示RMA 901。RMA 901存储多个RMD 991，992和1000。最新的RMD 1000记录在紧靠未记录区990的前面。最新的RMD 1000包含LRA 1001，1002，1003和1004，每个LRA表示相应RZone中最后的记录区的位置。
图11表示DMA 902的数据结构。DMA 902存储多个DMS 981，982和1100。从DMA 902的开始处连续地记录DMS。从而，紧靠未记录区980前面记录最新的DMS 1100。最新的DMS 1100包含DFL 1110和DDS 1120。DDS 1120包含指针1121，表示DFL 1110的开始位置。DFL 1110包含表示缺陷区的缺陷区地址1111和1112。DMA 904存储与DMA 902中相同的信息。
图25所示的方框图表示根据本发明实施方式1的记录/再现设备2500。
记录/再现设备2500包括光学头部分2502，记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，CPU(中央处理器)2505，缓冲器2506以及内部总线2507。将一次写入信息记录介质900(图9)装入记录/再现设备2500中。记录/再现设备2500在一次写入信息记录介质900中所包含的数据区903中搜索可写区。
CPU 2505根据CPU 2505中包含的控制程序，控制记录/再现设备2500所有部件(例如光学头部分2502，记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，缓冲器2506等)的操作。注意，CPU 2505和记录/再现控制部分2503可以集成到单个控制部分中。可将记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，CPU 2505，缓冲器2506以及内部总线2507例如包含在集成电路LSI 2600中。LSI 2600设置在记录/再现设备2500中。
光学头部分2502通过用激光照射一次写入信息记录介质900，执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质900上和从一次写入信息记录介质900再现信息。搜索部分2504在一次写入信息记录介质900中搜索未记录区。
记录/再现控制部分2503使用光学头部分2502，读出记录在一次写入信息记录介质900上的、地址由CPU 2505所指定的区域中的信息，并将信息存储到缓冲器2506中。记录/再现控制部分2503还使用光学头部分2502，将缓冲器2506中所存储的数据写入具有由CPU 2505所指定地址的区域中。此外，当检测到缺陷区时，记录/再现控制部分2503将表示缺陷区的地址(缺陷区地址)输出给CPU2505。
搜索部分2504搜索记录区与未记录区之间的边界。搜索部分2504执行例如参照图6所述的判断方法。搜索部分2504检测光学头部分2502输出的再现信号的幅值，并判断该幅值是否超过指定数值。通过该判断步骤，搜索部分2504检测出记录区与未记录区之间的边界，并获得表示紧靠该边界前面的位置的记录区地址(LRA)。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505。
缓冲器2506存储从一次写入信息记录介质900读出的信息。缓冲器2506还存储将要写到一次写入信息记录介质900上的信息。
内部总线2507将记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，CPU2505和缓冲器2506相互连接。
图12所示的流程图表示从一次写入信息记录介质900装入记录/再现设备2500中直至开始记录操作为止，记录/再现设备2500所执行的示例过程。
在将一次写入信息记录介质900装入记录/再现设备2500中之后，记录/再现设备2500读出最新的RMD。在步骤301中，从RMA 901读出最新的RMD 1000(图10)。将参照图4描述这一操作。
在将一次写入信息记录介质900装入记录/再现设备2500之后，CPU 2505将RMA 901的起始地址指定为搜索起始地址，由该地址开始，搜索部分2504开始搜索记录区与未记录区之间的边界。CPU 2505命令搜索部分2504从RMA 901的起始地址开始搜索(步骤401)。
搜索部分2504从RMA 901的起始地址开始搜索未记录区，检测记录区与未记录区之间的边界，并获得表示紧靠边界前面的位置的记录区地址。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505(步骤402)。
CPU 2505根据所获得的记录区地址，检测紧靠边界后面的未记录区的地址(未记录区地址)，并判断未记录区地址是否与RMA 901的起始地址相匹配(步骤403)。
在步骤403中，当这两个地址彼此不匹配时，CPU 2505指定紧靠所检测出的边界前面RMD记录位置的地址，并命令记录/再现控制部分2503再现出该位置处所记录的RMD。记录/再现控制部分2503使用光学头部分2502读出所指定的RMD(此处，为最新的RMD 1000)，并将数据存储到缓冲器2506中(步骤404)。
在步骤403中，当这两个地址彼此匹配时，CPU 2505判断所装入的一次写入信息记录介质是全新的，并将表示全新状态的标记存储到缓冲器2506中(步骤405)。
在读出最新的RMD 1000之后，记录/再现设备2500从DMA 902和904读出最新的DMS(步骤1201)。将参照图13描述这一操作。图13表示步骤1201(图12)的示意过程的流程图。
CPU 2505将DMA 902的起始地址指定为搜索起始地址，搜索部分2504从该地址开始搜索记录区与未记录区之间的边界。CPU 2505命令搜索部分2504，从DMA 902的起始地址开始搜索边界(步骤1300)。
搜索部分2504从DMA 902的起始地址开始搜索未记录区，检测记录区与未记录区之间的边界，并将表示紧靠边界前面的位置的记录区地址输出给CPU 2505(步骤1301)。
CPU 2505根据所获得的记录区地址检测紧靠边界后面的未记录区的地址(未记录区地址)，并判断未记录区地址是否与DMA 902的起始地址相匹配(步骤1302)。
在步骤1302中当这两个地址彼此不匹配时(已经记录了DMS)，CPU 2505指定紧靠所检测出的边界前面的DMS记录位置的地址，并命令记录/再现控制部分2503再现出该位置处所记录的DMS。记录/再现控制部分2503使用光学头部分2502读出所指定的DMS(此处为最新的DMS 1100)，并将数据存储到缓冲区2506中(步骤1303)。
当这两个地址彼此匹配时(还没有记录DMS)，CPU 2505将处于初始状态的、缺陷区地址为0的DMS，存储到缓冲器2506中(步骤1304)。
CPU 2505判断是否已经从所有DMA读出DMS。当还没有从任何DMA读出DMS时，CPU 2505命令搜索部分2504在其余DMA中搜索边界(步骤1305)，且流程转到步骤1300。
当已经从所有DMA读出DMS时，CPU 2505从缓冲器2506中存储的多个DMS中选择最新的DMS。例如，当DMS包含表示更新次数的更新计数器数值时，CPU 2505互相比较从每个DMA读出的更新计数器数值。在此情形中，CPU 2505确定具有最大更新计数器数值的DMS为最新的DMS，并将最新的DMS保留在缓冲器2506中。
在本实施方式中，假设具有最大更新计数器数值的DMS为最新的DMS。或者，可利用只要能判断出DMS是否是最新的DMS的任何操作。例如，可确定存储有在DMS中所存储的缺陷区地址中最大缺陷区地址的DMS为最新的DMS。或者，例如，检测DFL记录区的尺寸，并可确定具有最大尺寸的DMS为最新的DMS。
在读出最新的DMS之后，记录/再现设备2500搜索可写地址(NWA)。在步骤1202中(图12)，参照从步骤301和步骤1201读出的RMD和DMS，在可写RZone中检测NWA。将参照图14描述这一操作。图14所示的流程图表示图12中步骤1202的一种示例过程。
CPU 2505从缓冲器2506所存储的RMD读出LRA，并确定LRA后面的地址(例如LRA下面的地址)。此处，CPU 2505命令搜索部分2504，LRA下面的地址作为搜索起始地址进行搜索(步骤501)。
搜索部分2504使用LRA后面的地址作为参考，搜索未记录区。此处，搜索部分2504从LRA下面的地址开始，朝向该地址后面的地址，搜索未记录区，检测记录区与未记录区之间的边界，并获得表示紧靠边界前面的位置的记录区地址。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505(步骤502)。
CPU 2505从所获得的记录区地址开始，检测紧靠边界后面的未记录区的地址(未记录区地址)，并将未记录区地址设定为表示候选可写区的候选区地址(步骤1401)。CPU 2505判断缓冲器2506所存储的DMS中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址(步骤1402)。
在步骤1402中，当判断结果为不存在这种缺陷区地址时，CPU2505确定候选区地址为NWA，并确定NWA所表示的区域为可写区(步骤1404)。
在步骤1402中，当判断结果为存在这种缺陷区地址时，CPU 2505命令搜索部分2504，使用缺陷区地址后面的地址(＝当前候选区地址)作为搜索开始地址进行搜索(步骤1403)。
回到步骤502，搜索部分2504使用缺陷区地址后面的地址(＝当前候选区地址)作为参考，搜索另一未记录区。此处，搜索部分2504从缺陷区地址下面的地址开始，朝向该地址后面的地址，搜索未记录区。搜索部分2504检测记录区与未记录区之间的边界，获得表示紧靠边界前面的位置的记录区地址。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505。
CPU 2505和搜索部分2504反复地执行步骤501至步骤1403中所述的操作，直到检测到与缺陷区地址不匹配的候选区地址为止。
如上所述，根据本发明该实施方式，通过判断所检测出的未记录区是否与缺陷区相匹配，防止将缺陷区错误地确定为可写区。从而，总能将信息恒定地写到正常的记录区中。
虽然在本实施方式中搜索部分2504获得了紧靠记录区与未记录区之间边界前面的记录区地址，不过也可以得到紧靠边界后面的未记录区地址。
通过使用表示DFL的起始位置的指针，DFL的长度是可变的，从而可减小DMS的尺寸。
尽管在实施方式1中以图9的一次写入信息记录介质为例进行了描述，不过每个区域可以位于介质上任意位置处。此外，不特别限制每种区域的数量，只要每种区域至少有一个就足够了。
尽管在实施方式1中，在读出RMD之后读出DMS，不过只要是在搜索NWA之前，DMS或RMD可以更早地被读出。
(实施方式2)
图15表示作为RMA 901一种变型的RMA 901a。图9和11中所述的数据结构对于RMA 901a和RMA 901而言是共同的。
RMA 901a存储多个RMD 991a，992a和1000a。紧靠未记录区990a前面记录最新的RMD 1000a。最新的RMD 1000a包含表示在各个RZone中最后记录区位置的LRA 1001，1002至1004和表示各个Rzone的Rzone范围信息1011，1012和1014。
从装入一次写入信息记录介质开始直至开始记录操作为止，在记录/再现设备所执行的过程中，对于实施方式1和2，从图12的步骤301到步骤1201是相同的。
图16所示的流程图表示图12的步骤1202的一种变型。
在步骤1601中，CPU 2505指定RZone(在其中从现在开始记录信息)的范围作为搜索范围，并在其中搜索NWA。根据RMD 901a中所包含的RZone范围信息，得出RZone的范围。例如，当RZone范围信息表示RZone的起始地址时，RZone范围从RZone(在其中搜索NWA)的起始地址开始，到紧靠下一个RZone的起始地址之前的地址为止。当RZone范围信息表示RZone的最后地址时，RZone范围从紧靠RZone(在其中搜索NWA)前面的RZone的最后地址下面的地址开始，到该RZone(在其中搜索NWA)的最后地址为止。当RZone范围信息同时表示出RZone的起始地址和最后地址时，RZone范围从RZone(在其中搜索NWA)的起始地址开始到最后地址为止。
在步骤1602中，CPU 2505判断在数据区106的指定记录范围(此处，为在其中搜索NWA的RZone的范围)内是否存在至少一个缺陷区。特别是，CPU 2505判断DMS中的缺陷区地址中，是否存在表示在要搜索的NWA的RZone范围内的地址的缺陷区地址。
当存在表示RZone范围(在其中搜索NWA)内地址的缺陷区地址时，流程转到步骤1603。当不存在缺陷区地址时，流程转到步骤501。
在步骤1603中，CPU 2505检测表示位于指定记录范围中至少一个缺陷区的最后地址处的缺陷区的缺陷区地址(最大缺陷区地址)。
在步骤1604中，CPU 2505将与RZone(在其中搜索NWA)相应的LRA与所检测到的最大缺陷区地址进行比较。当最大缺陷区地址大于LRA时，流程转到步骤1605。当LRA小于最大缺陷区地址时，流程转到步骤501。当LRA等于最大缺陷区地址时，流程转到步骤1605或步骤501。
在步骤1605中，CPU 2505将最大缺陷区地址下面的地址指定为搜索起始地址。
在步骤501中，CPU 2505将LRA下面的地址指定为搜索起始地址。
CPU 2505通过步骤1605或步骤501，将位于最大缺陷区地址和LRA后面的地址设定为候选区地址。
在步骤502中，搜索部分2504使用候选区地址(搜索起始地址)作为参考，搜索未记录区。此处，搜索部分2504从候选区地址开始，朝向候选区地址后面的地址搜索未记录区，检测记录区与未记录区之间的边界，并获得表示紧靠边界前面的位置的记录区地址。搜索部分2504将所获得的记录区地址输出给CPU 2505。
在步骤503中，CPU 2505根据步骤502中的检测结果，检测紧靠边界后面的未记录区的地址，并将该地址确定为NWA，将NWA所表示的区域确定为可写区。
图17所示的流程图表示图12的步骤1202的示例过程。除用步骤1701取代步骤1601并省略步骤1604外，图17的流程图与图16的相同。
在步骤1701中，CPU 2505指定从与RZone(从此时开始向其中记录信息)相应的LRA到该Rzone终结端的范围，作为搜索NWA的搜索范围。根据RMD 901a中包含的RZone范围信息获得RZone的范围。当RZone范围信息表示RZone的起始地址时，搜索范围从LRA开始直到紧靠该RZone下面的RZone的起始地址之前的地址，在其中搜索NWA。当RZone范围信息表示RZone的最后地址时，搜索范围从LRA开始直至该RZone的最后地址，在其中搜索NWA。
在步骤1602中，CPU 2505判断在数据区106中指定记录范围(此处，从与此时在其中记录信息的RZone相应的LRA，直至该Rzone终结端的范围)内是否存在至少一个缺陷区。具体而言，CPU 2505判断在DMS所包含的缺陷区地址中，是否存在表示指定记录范围内地址的缺陷区地址。
在步骤1603中，CPU 2505检测缺陷区地址(最大缺陷区地址)，该缺陷区地址表示位于指定记录范围内存在的至少一个缺陷区的最后地址处的缺陷区的地址。
在图17的过程中，将搜索范围的起点设定为LRA。从而，当具有最大缺陷区地址时，最大缺陷区地址总是大于或等于LRA。因而，省略步骤1604的过程(图16)。
随后的步骤与图16中的步骤相同，并省略这些步骤的描述。
根据本发明的实施方式2，在搜索起始地址与NWA之间并非总能检测到缺陷区。从而，仅需要一次对于记录区与未记录区之间边界的搜索操作。可在半导体存储器中执行判断所检测出的未记录区地址是否为缺陷区的过程。在光盘上执行用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程。从而，当重复地执行判断过程和搜索过程时，耗费较长时间才能确定NWA。在本实施方式中，不必重复地执行判断过程和搜索过程，从而可更迅速地确定NWA。
(实施方式3)
图18表示作为数据区903一部分的RZone 910，911和912。RZone910包含记录区1805和未记录区1801。RZone 911包含记录区1807和未记录区1802。RZone 912包含记录区1809和未记录区1803。
最新的RMD 1000存储RZone 910的LRA 1001，RZone 911的LRA1002和RZone 912的LRA 1003。LRA 1001表示缺陷区1804的最后地址。LRA 1002位于缺陷区1806后面，表示的地址并非记录区1807的最后地址。LRA 1003表示紧靠未记录区1803前面的位置，即记录区1809的最后地址。
如图18中所示，在每个RZone的LRA后面的记录区中，没有检测到缺陷区。换言之，RZone的LRA表示缺陷区地址之上或之后的地址，缺陷区地址表示RZone中存在的缺陷区。
图19所示的流程图表示由记录/再现设备2500执行的、用于更新记录管理信息的一种示例过程。
CPU 2505将RZone中(记录/再现控制部分2503受到指示在其中记录信息)的最大地址设定为LRA，并覆盖在缓冲器2506中所存储的RMD内的LRA(步骤1901)。
记录/再现控制部分2503判断在用户数据记录过程中是否检测到缺陷(步骤1902)。当没有发现缺陷时，流程转到步骤1907。当发现缺陷时，记录/再现控制部分2503将表示所检测到的缺陷的地址(缺陷区地址)输出给CPU 2505。CPU 2505将所检测到的缺陷区地址添加到缓冲器2506所存储的DFL中(步骤1903)。
CPU 2505命令记录/再现控制部分2503，将通过向DFL添加缺陷区地址而得到更新的最新的DMS，记录到DMA中。记录/再现控制部分2503将更新的最新的DMS记录到DMA 902和904中(步骤1904)。
CPU 2505判断RZone的LRA是否表示缺陷区地址之上或之后的地址，其中缺陷区地址表示RZone中存在的缺陷区(步骤1905)。当LRA表示缺陷区地址之上或之后的地址时，流程转到步骤1907。当LRA不表示缺陷区地址之上或之后的地址时，更新LRA，使更新的LRA表示缺陷区地址之上或之后的地址(步骤1906)。
CPU 2505命令记录/再现控制部分2503，将通过覆盖LRA而得到更新的最新的RMD记录到RMA 901中。记录/再现控制部分2503将更新的最新的RMD记录到RMA 901中(步骤1907)。
根据本实施方式，实现这样一种一次写入信息记录介质，从而在最新的RMD所包含的LRA之后的记录区中没有检测到的缺陷区。
如上所述，假设在步骤1901中尝试进行记录的RZone中的最大地址为LRA。可替换地，如图18中所示，LRA可以为这样一个地址，在RZone中的LRA后面的记录区中没有检测到的缺陷区的地址。
根据本发明的实施方式3，在最新的RMD所包含的LRA后面的记录区中没有检测到的缺陷区。从而，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，从而可减小寻找NWA所花费的时间。此外，通过这种更新方法，实现了具有图18中所示数据结构的一次写入信息记录介质。
在实施方式3中，在检测到缺陷之后，将缺陷区地址添加到DFL，并将最新的DMS记录到DMA中。可替换地，通过在检测到缺陷之后轻松地更新LRA，最新的RMD显然包含这样的LRA，在该LRA后面为没有检测到缺陷区的记录区。
最好将更新的最新的RMD和DMS记录下来，直至从记录/再现设备取下介质为止。特别是，将更新数值保存到设备中，并记录到RMA或DMA中，直至介质被取下为止。
(实施方式4)
图20表示根据本发明实施方式4的一次写入信息记录介质2000。一次写入信息记录介质2000包括数据区903，用于记录记录管理信息和缺陷管理信息的RMA+DMA 2001，和作为缺陷区的替代目的区的备用区2003。将用于表示数据区903中所包含的多个RZone的记录状态的信息记录到RMA+DMA 2001中。注意，一次写入信息记录介质900中也包含备用区2003。
图21表示RMA+DMA 2001的数据结构。RMA+DMA 2001存储多个RMD+DMS 2011，2012和2100，是RMD和DMS组合的信息。在RMA+DMA2001中，从其开始位置记录RMD+DMS。从而，在紧靠未记录区2014前面记录最新的RMD+DMS 2100。最新的RMD+DMS 2100包含DDS 2130，DFL 2110和RMD 2120。DDS 2130包含分别表示RMD 2120和DFL2110的起始位置的指针2131和2132。DFL 2110包含检测出的缺陷区的缺陷区地址1111和1112，和表示备用区中位置的地址的取代目的地址2111和2112，数据被记录到备用区中，取代缺陷区。RMD 2120包含LRA 1001，1002和1004。
图22所示的流程图表示从一次写入信息记录介质2000装入记录/再现设备2500中开始，直至开始记录操作为止，记录/再现设备2500所执行的一种示例过程。
在步骤2201中，从RMA+DMA 2001读出最新的RMD+DMS。
在步骤1202中，参照步骤2201中读出的RMD+DMS，在可写RZone中搜索NWA。通过例如实施方式1的图14或实施方式2的图16所示的过程确定NWA。
图23所示的流程图表示图22中步骤2201的一种示例过程。
在步骤2300中，CPU 2505将RMA+DMA 2001的起始地址指定为搜索起始地址，从该地址开始搜索记录区与未记录区之间的边界。
在步骤2301中，搜索部分2504从搜索起始位置开始搜索记录区与未记录区之间的边界。
在步骤2302中，CPU 2505判断紧靠检测出的边界后面的未记录区的地址是否与RMA+DMA 2001的起始地址相匹配。当这两个地址彼此不匹配时，确定已经记录了RMD+DMS，流程转到步骤2303。当这两个地址彼此匹配时，确定还没有记录RMD+DMS，流程转到步骤2304。
记录在紧靠未记录区前面区域中的RMD+DMS为最新的RMD+DMS2100。在步骤2303中，记录/再现控制部分2503读出记录在紧靠检测出的边界前面区域中的RMD+DMS 2100，且CPU 2505将最新的DFL2110和最新的RMD 2120存储到缓冲器2506中。
在步骤2304中(还没有记录RMD+DMS)，例如，CPU 2505确定该一次写入信息记录介质2000是全新光盘，产生表示全新状态的标记和在初始状态下表示缺陷区地址为0的DMS，并将标记和DMS存储到缓冲器2506中。
图24所示的流程图表示用于将更新的RMD+DMS记录到RMA+DMA中的一种示例方法。
在步骤1901中，CPU 2505将已尝试进行记录的Rzone中的最大地址设定为LRA。
在步骤1902中，记录/再现控制部分2503判断在用户数据记录过程中是否发现缺陷。当没有发现缺陷时，流程转到步骤2403。
当在步骤1902中发现了缺陷时，CPU 2505命令记录/再现控制部分2503执行取代过程，在取代过程中，将否则要记录到检测出的缺陷区中的数据，记录到备用区(取代目的地)中。记录/再现控制部分2503执行取代过程(步骤2401)。
在步骤2402中，CPU 2505将检测出的缺陷区的地址设定为缺陷区地址，将在该区域中存储数据的备用区的地址设定为取代目的地址，并将这些地址添加到DFL 2110中，即，更新DFL 2110。
在步骤2403中，记录/再现控制部分2503将包含更新的DFL和更新的LRA的最新的RMD+DMS，记录到RMA+DMA 2001中。
在图24的过程中，可执行图19的步骤1905和1906。在此情形中，在LRA后面的记录区中，在RMA+DMA的最新的RMD中包含没有检测到缺陷区的LRA。
在最新的RMD所包含的LRA后面的记录区中，没有检测到缺陷区。从而，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程。因而，可缩短检测NWA所需的时间。通过这种更新方法，实现一种一次写入信息记录介质，使得在最新的RMD所包含的LRA后面的记录区中，没有检测到的缺陷区。
在实施方式4中，将DFL和RMD一起记录到RMA+DMA中。从而，与分别记录DFL和RMD相比，可有效地利用区域。此外，当读取最新的DMS和最新的RMD时，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，从而可缩短处理时间。
在实施方式4中，在检测到缺陷之后，将缺陷区中的数据记录到备用区中，并将取代目的地址添加到DFL中。显然，仅通过在检测到缺陷之后轻松地更新LRA，在LRA后面的记录区中的最新的RMD中，包含没有检测到的缺陷区的LRA。
如实施方式1到4中所描述的，记录/再现设备2500执行用于搜索可写区的方法，和用于更新记录管理信息的方法。
注意，通常，在作为集成电路的LSI中实现记录/再现控制部分2503，搜索部分2504，CPU 2505，缓冲器2506和内部总线2507。这些部件可以在各个单个芯片上分别提供。可替换地，可将这些部件中的一部分或全部集成到一个芯片中。
正如此处所使用的，将集成电路称作LSI。根据集成规模，集成电路可以为所谓的IC，系统LSI，高LSI或超LSI。
本发明的集成电路不限于LSI，可通过专用电路或通用处理器来实现。可使用可在LSI制造完成之后进行编程的FPGA(现场可编程门阵列)，或者使用能够重新配置电路单元的接线或设置的可重新配置处理器。
此外，如果由于半导体技术或者另一种派生技术的进步导致出现集成电路技术，并取代当前的LSI技术，可使用这种新技术将功能块集成。可使用生物工艺学中的适应性。
所提供的本发明的上述实施方式仅是出于说明的目的。可使用任何数据结构和算法，只要它们不偏离本发明的主旨即可。
例如，DFL或RMD可具有固定长度或可变长度。
例如，DDS可以不记录在记录区的终结端。
例如，RMD可以比DFL更早地记录，或反之亦然。
例如，可发现最新的RMD要迟于最新的DMS。
例如，可记录具有相同内容的多个RMA和DMA以便进行多重复用。
例如，可提供多个RMA和DMA，并轮换着使用。
例如，当检测到缺陷时，可将缺陷区中的数据记录或不记录到备用区中。
例如，可在添加到DFL之前执行备用区的取代，或反之亦然。
例如，在不取代为备用区时，可以不存在备用区。
例如，当将RMD或DFL的起始位置记录到从记录结束位置开始的指定位置处时，可以不记录表示所述起始位置的指针。
例如，DFL中包含的缺陷区地址或取代目的地址，以及RMD中包含的LRA或范围信息，可按照指定的数据格式设置，并且不限于图15和21中所示的数据格式。
用于从未记录区区分记录区的方法不限于图6的区分方法。例如，对再现数据进行差错校正，并且可判断差错是否超出校正范围。例如，可判断是否正常地获得了数据中所包含的地址信息。例如，可使用表示再现信号质量的抖动值，MLSE(最大似然序列差错)等。
根据本发明一个方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。所述搜索部分使用指定地址作为参考，搜索未记录区。所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址。当判断结果为存在表示与候选地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用该候选区地址后面的地址作为参考，执行对另一个未记录区的第二次搜索，并且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选区地址，并执行判断过程。当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明的另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的设备。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含，当检测到至少一个缺陷区时，表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，该缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址。控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址。搜索部分使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的设备，所述记录管理信息表示一次写入信息记录介质用于记录用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述设备包括：头部分，用于执行以下至少之一：将信息记录到一次写入信息记录介质上和从一次写入信息记录介质再现信息；搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述头部分和搜索部分的操作。控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录区中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时用于表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述集成电路包括：搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；和，用于控制搜索部分的操作的控制部分。所述搜索部分使用指定地址作为参考搜索未记录区。所述控制部分根据搜索结果，提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址。当判断结果为存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，搜索部分使用候选区地址后面的地址作为参考，执行对另一未记录区的第二次搜索，且控制部分根据第二次搜索的结果重新设置候选区地址，并执行判断过程。当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，控制部分将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的集成电路。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述集成电路包括：用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区的搜索部分；和，用于控制搜索部分的操作的控制部分。当数据区的指定记录范围内存在至少一个缺陷区时，控制部分检测缺陷区地址，所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址。控制部分将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址。搜索部分使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且控制部分将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的集成电路，所述记录管理信息表示用于记录一次写入信息记录介质的用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。所述记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述集成电路包括：搜索部分，用于搜索一次写入信息记录介质的未记录区；以及，控制部分，用于控制所述搜索部分的操作。控制部分判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区。当指定记录范围内存在缺陷区时，控制部分更新记录管理信息，使表示指定记录区中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。当指定记录范围中存在缺陷区时，控制部分更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述方法包括以下步骤：使用指定地址作为参考搜索未记录区；根据搜索结果提供表示候选可写区的候选区地址，并执行判断过程，判断缺陷管理信息中是否存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址；当判断结果为存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，使用候选区地址后面的地址作为参考对另一未记录区执行第二次搜索，并根据第二次搜索的结果重新设定候选区地址，执行判断过程；当判断结果为不存在表示与候选区地址相匹配的地址的缺陷区地址时，将候选区地址所表示的区域确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于搜索一次写入信息记录介质的可写区的方法。所述一次写入信息记录介质包括：用于记录用户数据的数据区；记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息；以及，缺陷管理区，当在数据区中检测到至少一个缺陷区时，用于记录对所述至少一个缺陷区进行管理的缺陷管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。缺陷管理信息包含当检测到至少一个缺陷区时表示所述至少一个缺陷区的至少一个缺陷区地址。所述方法包括以下步骤：当数据区的指定记录范围中存在至少一个缺陷区时，检测缺陷区地址，所述缺陷区地址表示位于指定记录范围的至少一个缺陷区中最后地址处的缺陷区的地址；将位于所检测出的缺陷区地址和表示指定记录范围的记录区的记录区地址两者之后的地址，设定为表示候选可写区的候选区地址；以及，使用候选区地址作为参考，搜索未记录区，且将所检测出的未记录区确定为可写区。
根据本发明另一方面，提供一种用于更新记录管理信息的方法，所述记录管理信息表示用于记录一次写入信息记录介质的用户数据的数据区的记录状态。所述一次写入信息记录介质还包括用于记录记录管理信息的记录管理区。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。所述方法包括以下步骤：判断数据区的指定记录范围内是否存在缺陷区；并且，当指定记录范围内存在缺陷区时，更新记录管理信息，使表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址表示缺陷区地址之上或之后的地址。
在本发明的一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。该方法还包括以下步骤：当指定记录范围中存在缺陷区时，更新缺陷管理信息，使缺陷管理信息包含表示缺陷区的缺陷区地址。
根据本发明另一方面，提供一种一次写入信息记录介质，包括：用于记录用户数据的数据区；和，记录管理区，用于记录表示数据区记录状态的记录管理信息。记录管理信息包含表示至少一个记录区的至少一个记录区地址。当数据区的指定记录范围内存在缺陷区时，表示指定记录范围中记录区终结端的记录区地址，表示缺陷区之上或之后的地址。
在本发明一个实施方式中，一次写入信息记录介质还包括缺陷管理区，当存在缺陷区时，缺陷管理区用于记录管理缺陷区的缺陷管理信息。
工业上的应用
根据本发明，判断所检测出的未记录区是否与缺陷区相匹配，从而防止将缺陷区判断为可写区。因而，能够将信息始终如一地记录到正常的记录区中。
根据本发明，实现一种一次写入信息记录介质，从而在指定记录区中最后记录地址之后的记录区中不存在检测到的缺陷区。根据本发明，最新的最后记录地址总为表示缺陷区之上或之后记录区的地址。从而，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，减少了确定可写区时花费的时间。
根据本发明，一次写入信息记录介质中包含有表示缺陷列表或记录状态的信息的起始位置的指针。从而，RMD或DMS可具有可变的长度。因此，可更有效地使用区域。
根据本发明，将RMD和DMS记录到一起。从而，当读出最新的RMD和DMS时，仅需要一次用于搜索记录区与未记录区之间边界的过程，使处理时间缩短。
从而，本发明可用于将信息记录到一次写入信息记录介质上，并从一次写入信息记录介质再现信息的技术领域中。
本领域技术人员在不偏离本发明范围和精神的前提下，易于想到多种其他变型。因而，所附权利要求的范围不限于所给出的描述，而是更广泛地构建权利。
相关申请的交叉参考
基于35 U.S.C.§119(a)，本非临时申请要求2003年6月23日在日本提交的专利申请No.2003-178165的优先权，从而该专利申请的全部内容在此引作参考。