近场光发生器件的制造方法转让专利
申请号 : CN200610079984.2
文献号 : CN1854794B
文献日 : 2010-06-16
发明人 : 平田雅一 , 大海学 , 柴田浩一
申请人 : 精工电子有限公司
摘要 :
提供一种通过较低水平的光刻制造蝶形领结天线的方法，通过在基体上形成蚀刻掩模，形成截头四方形棱锥，掩模的形状类似截头四方形棱锥的顶表面，通过掩模材料制造的蚀刻掩模对基体进行各向同性的蚀刻。其后，通过从各表面的前方沿平行基体的方向注射真空沉积物，在截头四方形棱锥的两个相对的侧表面形成金属薄膜。
权利要求 :
1.一种制造近场光发生器件的方法，光发生器件具有设置在截头棱锥两个相对侧表面的金属膜，所述棱锥包括顶表面和四个侧表面，所述方法包括步骤：a.在基体上形成形状同样于所述顶表面的蚀刻掩模；
b.用掩模材料制成的蚀刻掩模对基体进行各向同性蚀刻得到截头棱锥；
c.在所述截头棱锥的两个相对的侧表面形成金属膜，而在所述截头棱锥的另外两个相对的侧表面没有形成金属膜。
2.根据权利要求1所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述步骤c包括步骤：在所述截头棱锥的三个任意侧表面上形成牺牲层；
其后在所述截头棱锥的一个剩余侧表面上形成金属膜；
清除牺牲层的同时清除粘接在所述牺牲层的金属膜。
3.根据权利要求2所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，通过沿正交一个预定侧表面的方向朝预定侧表面注射牺牲层材料，在所述截头棱锥的所述三个任意侧表面上形成牺牲层，所述三个任意侧表面由所述预定侧表面和两个相邻侧表面构成，两个相邻侧表面的边与所述预定侧表面相接触。
4.根据权利要求2所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，通过沿正交一个预定侧表面的方向使用真空沉积装置朝预定侧表面沉积牺牲层材料，在所述截头棱锥的所述三个任意侧表面上形成牺牲层，所述三个任意侧表面由所述预定侧表面和两个相邻侧表面构成，两个相邻侧表面的边与所述预定侧表面相接触。
5.根据权利要求2所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，可使用超声波清除牺牲层，同时清除粘接到所述牺牲层的金属膜。
6.根据权利要求1所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述方法还包括使金属膜塑性变形的步骤。
7.根据权利要求1所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述步骤c包括步骤：用金属膜涂敷截头棱锥的所述四个侧表面和顶表面；
在截头棱锥的三个任意侧表面的金属膜上形成蚀刻掩模；和
通过用掩模材料制成的蚀刻掩模蚀刻金属膜，留下截头棱锥的一个剩余侧表面上的金属膜。
8.根据权利要求7所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，通过沿正交于一个预定侧表面的方向朝预定的侧表面注射蚀刻掩模材料，在截头棱锥的所述三个任意侧表面的金属膜上形成蚀刻掩模，所述三个任意侧表面由所述预定侧表面和两个相邻侧表面组成，两个相邻侧表面的边与预定侧表面相接触。
9.根据权利要求7所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，通过沿正交于一个预定侧表面的方向使用真空沉积装置朝预定的侧表面沉积蚀刻掩模材料，在截头棱锥的所述三个任意侧表面的金属膜上形成蚀刻掩模，所述三个任意侧表面由所述预定侧表面和两个相邻侧表面组成，两个相邻侧表面的边与预定侧表面相接触。
10.根据权利要求1所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述方法还包括用遮挡膜涂敷截头棱锥的所述四个侧表面的除顶表面附近外的区域的步骤。
11.根据权利要求10所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，用遮挡膜涂敷截头棱锥的所述四个侧表面的除顶表面附近外的区域的步骤包括用遮挡膜涂敷整个棱锥，和使遮挡膜塑性变形而暴露出顶表面和各侧表面位于顶表面附近的区域的步骤。
12.根据权利要求10所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，使用包括Al的成膜源形成遮挡膜。
13.根据权利要求1所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，使用包括Au或Ag的成膜源形成金属膜。
14.根据权利要求1所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，使用真空沉积装置形成金属膜。
15.根据权利要求2所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述方法还包括使金属膜塑性变形的步骤。
16.根据权利要求3所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述方法还包括使金属膜塑性变形的步骤。
17.根据权利要求2所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述方法还包括用遮挡膜涂敷截头棱锥的所述四个侧表面的除顶表面附近外的区域的步骤。
18.根据权利要求7所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述方法还包括用遮挡膜涂敷截头棱锥的所述四个侧表面的除顶表面附近外的区域的步骤。
19.根据权利要求8所述的制造近场光发生器件的方法，其特征在于，所述方法还包括用遮挡膜涂敷截头棱锥的所述四个侧表面的除顶表面附近外的区域的步骤。
说明书 :
技术领域
本发明涉及一种制造近场光发生器件的方法，所述近场光发生器件可产生近场光。
背景技术
近场光发生器件用于进行高密度信息记录/再生的光学储存器的光度头，进行高分辨率下观察的近场光显微镜的光学探头，和类似装置。由于近场光技术可处理微小区域的光学信息，超越了光的衍射极限。希望能够得到高记录密度和高分辨能力，但目前尚不能通过传统的光学技术得到。
对于近场光发生器件，其主要的问题是得到的近场光点很小和很强。对于这个问题，已经提出了多种改进形式。在专利文件1，通过将近场光发生器件顶部的光孔形状设置为三角形和使得入射光的极化方向和三角形的一侧正交，产生了位于所述一侧(三角形孔系统)的强近场光。在非专利文献1和专利文献2，在四边形棱锥的四个侧表面中的两个相对表面上形成金属膜，这两个表面间具有间隙，间隙等于或小于光的波长。在四边形棱锥的顶点的附近，两个表面上的各金属膜在其间隙部分分别具有顶点，其曲率半径为数十纳米或少于数十纳米，在间隙部分产生很强的近场光(蝶形领结天线系统)。
专利文献1是JP-A-2001-118543
专利文献2是JP-A-2002-221478
非专利文献1是2000年8月27到31日在荷兰举行的“近场光和相关技术”的第6届国际会议的技术文摘，见100页。
在上面提到的现有技术中，对于专利文献1的三角形孔系统的近场光发生器件，已经公开了制造方法，比较容易制造。但是，对于非专利文献1和专利文献2的蝶形领结天线系统的近场光发生器件，因为要求对金属膜顶点和间隙部分的形状进行数纳米到数十纳米的加工，一般要求应用非常先进的微制造技术，如电子束光刻装置，或聚焦离子束装置。于是，要求能够有简单和适合大量生产的制造方法。
对于近场光发生器件，其主要的问题是得到的近场光点很小和很强。对于这个问题，已经提出了多种改进形式。在专利文件1，通过将近场光发生器件顶部的光孔形状设置为三角形和使得入射光的极化方向和三角形的一侧正交，产生了位于所述一侧(三角形孔系统)的强近场光。在非专利文献1和专利文献2，在四边形棱锥的四个侧表面中的两个相对表面上形成金属膜，这两个表面间具有间隙，间隙等于或小于光的波长。在四边形棱锥的顶点的附近，两个表面上的各金属膜在其间隙部分分别具有顶点，其曲率半径为数十纳米或少于数十纳米，在间隙部分产生很强的近场光(蝶形领结天线系统)。
专利文献1是JP-A-2001-118543
专利文献2是JP-A-2002-221478
非专利文献1是2000年8月27到31日在荷兰举行的“近场光和相关技术”的第6届国际会议的技术文摘，见100页。
在上面提到的现有技术中，对于专利文献1的三角形孔系统的近场光发生器件，已经公开了制造方法，比较容易制造。但是，对于非专利文献1和专利文献2的蝶形领结天线系统的近场光发生器件，因为要求对金属膜顶点和间隙部分的形状进行数纳米到数十纳米的加工，一般要求应用非常先进的微制造技术，如电子束光刻装置，或聚焦离子束装置。于是，要求能够有简单和适合大量生产的制造方法。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提出一种近场光发生器件，其具有设置在截头棱锥两个相对侧表面上的金属膜，棱锥包括顶表面和4个侧表面，制造发生器件通过在基体上形成形状类似于顶表面的蚀刻掩模；通过掩模材料制成的蚀刻掩模对基体进行各向同性蚀刻得到截头棱锥；在截头棱锥的两个相对侧表面形成金属膜。
另外，在本发明中，可通过在截头棱锥的三个任意侧表面上形成牺牲层，在截头棱锥的剩余一个侧表面上形成金属膜，在清除牺牲层的同时清除已粘接到牺牲层的金属薄膜，从而只在一个侧表面上形成金属膜。通过重复这个步骤，可以在两个表面上形成金属膜。
另外，在本发明中，可通过沿某个侧表面的垂直方向各向同性地注射牺牲层材料，在所述截头棱锥侧表面上形成牺牲层，和在边与该侧表面接触的两个侧表面上形成牺牲层。剩余的一个侧表面，由于牺牲层材料的方向性，其被遮挡，该侧表面未形成牺牲层。
另外，在本发明中，可使用超声波进行清除牺牲层。
另外，在本发明中，通过机械冲击使金属层塑性变形。
另外，在本发明中，通过用金属膜涂敷截头棱锥的侧表面和顶表面；在截头棱锥的三个任意侧表面的金属膜形成蚀刻掩模；和在掩模材料制成的蚀刻掩模蚀刻金属膜，留下截头棱锥剩余的一个侧表面上的金属膜。此外，通过重复上述步骤，可以在两个表面形成金属膜。
另外，在本发明中，通过沿某个侧表面的垂直方向朝侧表面各向同性地注射蚀刻掩模材料，在该侧表面和两个边与该侧表面接触的相邻侧表面形成蚀刻掩模，在截头棱锥的三个任意侧表面的金属膜形成蚀刻掩模。剩余的一个侧表面，因为蚀刻掩模材料的方向性，受到遮挡，该侧表面未形成蚀刻掩模。
另外，在本发明中，还包括用遮挡膜涂敷截头棱锥的侧表面，留出顶表面附近的步骤。该步骤包括用遮挡膜涂敷整个棱锥，和通过机械冲击使遮挡膜塑性变形。
根据本发明，通过调整蚀刻掩模的高宽比，可以容易地控制顶表面附近两个表面的金属膜的锐度和顶表面附近两个表面的金属膜之间间隙，锐度和间隙是蝴蝶领结天线系统的近场光发生器件的最重要参数。其结果是，无需非常先进的微加工技术，如电子束光刻装置或聚焦离子束装置，即使采用较低水平的光刻法都可使上述锐度和上述间隙处于数纳米到数十纳米的数量级。
另外，根据本发明，由于不必通过平行于基体注射来形成金属膜，即使在基体上形成多个截头棱锥，也不会在金属膜形成过程中互相遮挡，所以适合大量制造近场光发生器件。
此外，根据本发明，通过弹性变形遮挡膜，可控制两个表面金属膜接触截头棱锥的区域，使得可以自由选择蝶形领结天线的形状。
另外，在本发明中，可通过在截头棱锥的三个任意侧表面上形成牺牲层，在截头棱锥的剩余一个侧表面上形成金属膜，在清除牺牲层的同时清除已粘接到牺牲层的金属薄膜，从而只在一个侧表面上形成金属膜。通过重复这个步骤，可以在两个表面上形成金属膜。
另外，在本发明中，可通过沿某个侧表面的垂直方向各向同性地注射牺牲层材料，在所述截头棱锥侧表面上形成牺牲层，和在边与该侧表面接触的两个侧表面上形成牺牲层。剩余的一个侧表面，由于牺牲层材料的方向性，其被遮挡，该侧表面未形成牺牲层。
另外，在本发明中，可使用超声波进行清除牺牲层。
另外，在本发明中，通过机械冲击使金属层塑性变形。
另外，在本发明中，通过用金属膜涂敷截头棱锥的侧表面和顶表面；在截头棱锥的三个任意侧表面的金属膜形成蚀刻掩模；和在掩模材料制成的蚀刻掩模蚀刻金属膜，留下截头棱锥剩余的一个侧表面上的金属膜。此外，通过重复上述步骤，可以在两个表面形成金属膜。
另外，在本发明中，通过沿某个侧表面的垂直方向朝侧表面各向同性地注射蚀刻掩模材料，在该侧表面和两个边与该侧表面接触的相邻侧表面形成蚀刻掩模，在截头棱锥的三个任意侧表面的金属膜形成蚀刻掩模。剩余的一个侧表面，因为蚀刻掩模材料的方向性，受到遮挡，该侧表面未形成蚀刻掩模。
另外，在本发明中，还包括用遮挡膜涂敷截头棱锥的侧表面，留出顶表面附近的步骤。该步骤包括用遮挡膜涂敷整个棱锥，和通过机械冲击使遮挡膜塑性变形。
根据本发明，通过调整蚀刻掩模的高宽比，可以容易地控制顶表面附近两个表面的金属膜的锐度和顶表面附近两个表面的金属膜之间间隙，锐度和间隙是蝴蝶领结天线系统的近场光发生器件的最重要参数。其结果是，无需非常先进的微加工技术，如电子束光刻装置或聚焦离子束装置，即使采用较低水平的光刻法都可使上述锐度和上述间隙处于数纳米到数十纳米的数量级。
另外，根据本发明，由于不必通过平行于基体注射来形成金属膜，即使在基体上形成多个截头棱锥，也不会在金属膜形成过程中互相遮挡，所以适合大量制造近场光发生器件。
此外，根据本发明，通过弹性变形遮挡膜，可控制两个表面金属膜接触截头棱锥的区域，使得可以自由选择蝶形领结天线的形状。
附图说明
图1A，1B是根据本发明的实施例1的近场光发生器件的示意图；
图2是显示本发明的实施例1的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图3是显示本发明的实施例2的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图4是显示本发明的实施例4的近场光发生器件的顶视图；
图5是显示本发明的实施例4的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图6是本发明的实施例6的近场光发生器件的顶视图；
图7是显示本发明的实施例6的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图8是本发明的实施例7的近场光发生器件的顶视图；
图9是显示本发明的实施例3的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图10是显示本发明的实施例5的近场光发生器件的制造方法的截面图。
图2是显示本发明的实施例1的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图3是显示本发明的实施例2的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图4是显示本发明的实施例4的近场光发生器件的顶视图；
图5是显示本发明的实施例4的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图6是本发明的实施例6的近场光发生器件的顶视图；
图7是显示本发明的实施例6的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图8是本发明的实施例7的近场光发生器件的顶视图；
图9是显示本发明的实施例3的近场光发生器件的制造方法的截面图；
图10是显示本发明的实施例5的近场光发生器件的制造方法的截面图。
具体实施方式
下面将参考附图，对实现本发明的优选模式进行说明。
实施例1
图1A和图1B显示了根据本发明实施例1的近场光发生器件的示意图。图1A是透视图，图1B是顶视图。截头四边形棱锥102设置在光学透明的基体101，截头四边形棱锥102具有侧表面102a(在图1A和图1B其被金属膜103遮挡而不可见)，102b(在图1A和图1B其被金属膜104遮挡而不可见)，102c，102d，和顶表面102e。对于基体101，其采用了石英玻璃或类似材料。侧表面102a和侧表面102b相对设置，侧表面102c和侧表面102d也相对设置。金属膜103在侧表面102a形成，金属膜104在侧表面102b上形成。金属膜103和金属膜104采用了Au膜，膜厚度在数纳米到数十纳米的数量级。金属膜103和金属膜104形成所谓的蝶形领结天线。顶表面102e是矩形，与侧表面102a和102b接触的边的长度是d1，与侧表面102c和102d接触的边的长度是g1。侧表面102a，102b上的金属膜103，104在顶表面102e的附近有尖锐的形状，其锐度用d1表示。此外，金属膜103，104在顶表面102e附近形成间隙，其尺寸用g1表示。d1，g1的值在数纳米到数十纳米的量级。
图2是显示制造本发明的实施例1的近场光发生器件的方法的截面图。横向于侧表面102a，102b和顶表面102e并正交于基体101的剖面用截面A表示。横向于侧表面102c，102d和顶表面102e并正交于基体101的剖面用截面B表示。截面A的截面图位于图2的左边，截面B位于图2的右边。
首先，如步骤S201所示，蚀刻掩模201在基体101的上表面形成。蚀刻掩模201是光阻材料薄膜，通过光刻制成。蚀刻掩模201是矩形，两个侧边平行截面A，长度是g2。其余的两个侧边平行于截面B，长度是d2。
然后，如步骤S202所示，进行蚀刻基体101。尽管蚀刻可采用湿法蚀刻或干法蚀刻，但必须进行各向同性的蚀刻。例如，如果基体101是石英玻璃的，最好使用湿法蚀刻，使用氢氟酸溶液。通过蚀刻基体101，截头四边形棱锥102在蚀刻掩模201下面形成。
接下来，如步骤S203所示，取下蚀刻掩模201。为了取下蚀刻掩模201，使用了有机溶液，如丙酮，烟化硝酸或类似溶液。如果蚀刻掩模201取下，截头四边形棱锥102的顶表面102e暴露。如上面已经提到的，顶表面102e是矩形。一边的长度是长度d1，另一个正交的边的长度是g1。重要的一点是d1和g1的比等于蚀刻掩模201边的长度d2和g2的比。通过调节蚀刻掩模201的长宽比和基体101的蚀刻量，可以控制d1和g1的尺寸。
接下来，如步骤S204所示，金属膜103在侧表面102a上形成。为形成金属膜103，使用了真空沉积法。在这种情况下，如果真空沉积源从侧表面102a前面沿平行基体101的方向W201注入，金属膜不在侧表面102b，102c，102d和顶表面102e上形成。
接下来，如步骤S205所示，金属膜104在侧表面102b上形成。为形成金属膜104，使用了真空沉积法。在这种情况下，如果真空沉积源从侧表面102b前面沿平行基体101的方向W202注入，金属膜不在侧表面102a，102c，102d和顶表面102e上形成。最后，金属膜103和金属膜104在侧表面102a，102b上形成。
在本实施例中，通过调节蚀刻掩模201的长宽比，可以容易地控制各金属膜103和104在顶表面102e附近的锐度和金属膜103，104之间在顶表面102e的间隙，这是蝶形领结天线系统的近场光发生器件的最重要的参数。从而，无须使用非常先进的微制造技术，如电子束光刻装置或聚焦离子束装置，即使采用较低水平的光刻法，也可以得到上面提到的数纳米到数十纳米量级的锐度和间隙。
实施例2
图3是显示制造本发明的实施例2的近场光发生器件的方法的截面图。进行制造的近场光发生器件的形状类似于图1A和图1B所显示的器件。截面A的截面图位于图3的左边，截面B位于图3的右边。首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行的加工类似。
然后，如步骤S301所示，使用具有方向性的树脂成膜法，如喷涂法，沿正交于侧表面102b的方向W301，在侧表面102b上形成牺牲层301。这时，牺牲层301不仅在侧表面102b上形成，还在与侧表面102b相连的侧表面102c，102d和顶表面102e上形成。牺牲层301不在与侧表面102b相对的侧表面102a上形成，因为成膜法的方向性使其受遮挡。牺牲层301包括树脂膜，如光阻材料，膜的厚度为数十纳米到数微米。
接下来，如步骤S302所示，使用具有方向性的金属成膜法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102a的方向W302，在侧表面102a上形成金属膜302。这时，金属膜302不仅在侧表面102a上形成，还在一部分牺牲层301上形成。
接下来，如步骤S303所示，使用有机溶液，如丙酮，使牺牲层301脱落。在这种情况下，通过施加超声波可以容易地使牺牲层301脱落。这时，固定到牺牲层301的金属膜302也脱落，只有固定到侧表面102a的金属膜302保持。金属膜302的顶表面102e侧保留毛边303。
接下来，如步骤S304所示，通过具有方向性的光阻材料形成法，如喷涂法，沿正交于侧表面102a的方向W303，在侧表面102a上形成牺牲层304。这时，牺牲层304不仅在侧表面102a上形成，也在与侧表面102a相连的侧表面102c，102d和顶表面102e上形成。牺牲层304未在与侧表面102a相对的侧表面102b上形成，因为成膜法的方向性使其受到遮挡。牺牲层304包括光阻材料，其膜厚度从数十纳米到数微米。
接下来，如步骤S305所示，通过具有方向性的金属膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102b的方向W304，在侧表面102b上形成金属膜305。这时，金属膜305不仅在侧表面102b上形成，也在一部分牺牲层304上形成。
接下来，如步骤S306所示，使用有机溶液，如丙酮，使牺牲层304脱落。此外，在这种情况下，通过施加超声波可以容易地使牺牲层304脱落。这时，固定到牺牲层304的金属膜305也脱落，只有固定到侧表面102a的金属膜305保持。金属膜305的顶表面102e侧保留毛边306。
最后，如步骤S307所示，毛边303和306通过从截头四边形棱锥102的上面和侧面施加机械外力进行塑性变形进行清除。此外，还可通过施加超声波清理或二氧化碳喷射清理来清除毛边303，306。这里，金属膜302加工成为金属膜103，金属膜305加工成为金属膜104。
在本实施例中，与实施例1不同，由于金属膜302，305不是通过平行于基体注射形成，即使在基体101上形成多个截头四边形棱锥102，在金属膜形成时不会互相遮挡，除了具有实施例1的优点，还适合大量生产近场光发生器件。
实施例3
图9是显示制造本发明的实施例3的近场光发生器件的方法的截面图。该实施例类似于实施例2，但不同点在于，对于牺牲层，采用了金属膜来代替树脂膜。下面进行详细说明。
制造的近场光发生器件的形状类似于图1A和图1B所显示的器件形状。截面A的截面图位于图9的左边，截面B位于图9的右边。首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行类似的加工。
然后，如步骤S901所示，使用具有方向性的膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102b的方向W901，在侧表面102b上形成牺牲层901。这时，牺牲层901不仅在侧表面102b上形成，还在与侧表面102b相连的侧表面102c，102d和顶表面102e上形成。牺牲层901不在与侧表面102b相对的侧表面102a上形成，因为膜形成法的方向性使其受到遮挡。牺牲层901包括Al膜，膜的厚度为数十纳米到数百纳米。
接下来，如步骤S902所示，使用具有方向性的金属成膜法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102a的方向W902，在侧表面102a上形成金属膜902。这时，金属膜902不仅在侧表面102a上形成，还在一部分牺牲层901上形成。
接下来，如步骤S903所示，牺牲层901脱落。这时，固定到牺牲层901的金属膜902也脱落，只有固定到侧表面102a的金属膜902保持。此外，金属膜902的顶表面102e侧保留毛边903。为了使牺牲层901脱落，使用了主要成分为磷酸的水溶液。
接下来，如步骤S904所示，通过具有方向性的膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102a的方向W903，在侧表面102a上形成牺牲层904。这时，牺牲层904不仅在侧表面102a上形成，也在与侧表面102a相连的侧表面102c，102d和顶表面102e上形成。牺牲层904未在与侧表面102a相对的侧表面102b上形成，因为膜形成法的方向性使其被遮挡。牺牲层904包括Al膜，其膜厚度从数十纳米到数百纳米。
接下来，如步骤S905所示，通过具有方向性的金属膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102b的方向W904，在侧表面102b上形成金属膜905。这时，金属膜905不仅在侧表面102b上形成，也在一部分牺牲层904上形成。
接下来，如步骤S906所示，牺牲层904脱落。这时，固定到牺牲层904的金属膜905也脱落，只有固定到侧表面102a的金属膜905保持。此外，金属膜905的顶表面102e侧保留毛边906。为了使牺牲层904脱落，使用了主要成分为磷酸的水溶液。
最后，如步骤S907所示，毛边903和906通过从截头四边形棱锥102的上面和侧面施加机械外力进行塑性变形清除毛边903，906。此外，还可通过施加超声波清理或二氧化碳喷射清理来清除毛边903，906。这里，金属膜902加工成为金属膜103，金属膜905加工成为金属膜104。
在本实施例中，由于牺牲层通过金属膜形成法，如真空沉积法，形成，除了具有实施例2的优点，还可以精确地对金属膜加工。
实施例4
图4显示了本发明的实施例4的近场光发生器件的顶视图。尽管基本结构与图1A和图1B没有不同，金属膜在截头四边形棱锥102上的沉积不同。金属层401不仅在截头四边形棱锥102的侧表面102a和102b的相对上表面上形成，还在顶表面102e(在图4中，其受到金属膜401的遮挡不能看到)上形成。该金属膜401形成蝶形领结天线。
图5是显示制造本发明的实施例4的近场光发生器件的方法的截面图。截面A的截面图位于图5的左边，截面B位于图5的右边。截面A和截面B类似于图2。首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行类似的加工。
然后，如步骤S501所示，形成金属膜501，以便覆盖截头四边形棱锥102。可通过溅射方法形成。
接下来，如步骤S502所示，使用具有方向性的树脂膜形成法，如喷涂法，沿正交于侧表面102b的方向W501，形成蚀刻掩模502。这时，蚀刻掩模502不在侧表面102a的金属膜501上形成，因为膜形成法的方向性使其受遮挡。
蚀刻掩模502包括树脂膜，如光阻材料，其膜厚度在数十纳米到数微米。
接下来，如步骤S503所示，对金属膜501进行蚀刻。由于金属膜501的材料是Au，使用碘-碘化钾水溶液进行蚀刻。这时，只是清除侧表面102a上的金属膜501，其未被蚀刻掩模502覆盖。
接下来，如步骤S504所示，通过具有方向性的树脂膜形成法，如喷涂法，沿正交于侧表面102a的方向W502，形成蚀刻掩模503。这时，蚀刻掩模503未在侧表面102b的金属膜501上形成，因为膜形成法的方向性使其被遮挡。蚀刻掩模503包括树脂膜，如光阻材料，其膜厚度从数十纳米到数微米。
接下来，如步骤S505所示，使用碘-碘化钾水溶液对金属膜501进行蚀刻。这时，只是清除侧表面102b上的金属膜501，其未被蚀刻掩模502覆盖。接下来，如步骤S506所示，金属膜501加工成金属膜401。
在本实施例中，与实施例1不同，由于金属膜501不是通过平行基体注射形成，即使多个截头四边形棱锥102在基体101形成，形成金属膜时不会互相遮挡，使其除了具有实施例1的优点，还适合大量生产近场光发生器件。
此外，不同于实施例2和实施例3，由于没有产生毛边，不需要进行清除毛边的步骤，因此可以减少制造成本。
实施例5
图10是显示制造本发明的实施例5的近场光发生器件的方法的截面图。截面A的截面图位于图10的左边，截面B位于图10的右边。截面A和截面B类似于图2。该实施例类似于实施例4，不同之处在，对于蚀刻掩模，使用了金属膜来代替树脂膜。下面是详细的介绍。
首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行类似的加工。
然后，如步骤S1001所示，形成金属膜1001，覆盖截头四边形棱锥102。可通过溅射方法形成。
接下来，如步骤S1002所示，使用具有方向性的膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102b的方向W1001，形成蚀刻掩模1002。这时，蚀刻掩模1002不在侧表面102a的金属膜1001上形成，因为膜形成法的方向性使其受遮挡。蚀刻掩模1002包括Cr膜，膜厚度在数十纳米到数百纳米。
接下来，如步骤S1003所示，对金属膜1001进行蚀刻。由于金属膜1001的材料是Au，使用碘-碘化钾水溶液进行蚀刻。这时，由于蚀刻掩模1002由Cr膜形成，其不能被碘-碘化钾水溶液腐蚀，只有侧表面102a上的金属膜1001被清除，其未被蚀刻掩模1002覆盖。
接下来，如步骤S1004所示，通过具有方向性的膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102a的方向W1002，形成蚀刻掩模1003。这时，蚀刻掩模1003未在侧表面102b的金属膜1001上形成，因为膜形成法的方向性使其被遮挡。蚀刻掩模1003包括Cr膜，膜厚度从数十纳米到数百纳米。
接下来，如步骤S1005所示，使用碘-碘化钾水溶液对金属膜1001进行蚀刻。这时，由于蚀刻掩模1003由Cr膜形成，不能被碘-碘化钾水溶液腐蚀，只是侧表面102b上的金属膜1001被清除，其未被蚀刻掩模1003覆盖。接下来，如步骤S1006所示，金属膜1001加工成金属膜401。
在本实施例中，由于蚀刻掩模通过金属膜形成法，如真空沉积法，形成，除了具有实施例4的优点，还可精确地对金属膜进行加工。
实施例6
图6显示了本发明的实施例6的近场光发生器件的顶视图。其基本结构与图1A和图1B所显示的没有不同。对于截头四边形棱锥102，其形成了遮挡膜601。遮挡膜601覆盖了截头四边形棱锥102的侧表面102a，102b(在图6其受到金属膜603的遮挡不能看到)，102c，102d的除顶表面102e附近外的区域。遮挡膜601是Al膜，膜厚度为数百纳米。侧表面102a的上表面和侧表面102a上遮挡膜601的上表面形成了金属膜602。以及，为了对遮挡膜601进行说明，图6只显示了金属膜602的一部分。
此外，金属膜603在侧表面102b和侧表面102a的遮挡膜601的上表面形成。金属膜602和金属膜603是Au膜，膜厚度在数纳米到数十纳米。金属膜602和603形成所谓的蝶形领结天线。由于除了顶表面102e附近，遮挡膜601不发光，背景光减少，使得可增加S/N。
图7是显示制造本发明的实施例6的近场光发生器件的方法的截面图。截面A的截面图位于图7的左边，截面B位于图7的右边。截面A和截面B类似于图2的。首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行类似的加工。
然后，如步骤S701所示，形成遮挡膜基体材料701，覆盖截头四边形棱锥102。遮挡膜601的材料使用了Al，其膜厚度为300纳米的量级。可通过溅射的方法形成。
接下来，如步骤S702所示，通过使遮挡膜基体材料701塑性变形，暴露出顶表面102e和各侧表面102a，102b，102c，102d位于顶表面102e附近的一部分，因此形成了遮挡膜601。该方法在日本专利JP-A-2002-71545给出了详细介绍。暴露区域值在数百纳米。
接下来，如步骤S703所示，金属膜602在侧表面102a的部分表面上形成，该表面部分已经从遮挡膜601暴露。金属膜602的材料采用了Au。为形成金属膜602，使用了真空沉积法。在这种情况下，如果气体沉积源从侧表面102a的前面沿平行于基体101的方向W701注入，金属膜不在侧表面102b，102c，102d，和顶表面102e上形成。
接下来，如步骤S704所示，金属膜603在侧表面102b的部分表面上形成，该表面部分已经从遮挡膜601暴露。金属膜603的材料采用了Au。为形成金属膜603，使用了真空沉积法。在这种情况下，如果气体沉积源从侧表面102b的前面沿平行于基体101的方向W702注入，金属膜不在侧表面102a，102c，102d，和顶表面102e上形成。最后，金属膜602和金属膜603在各侧表面102a，102b的顶表面102e附近形成。
在本实施例中，通过对遮挡膜701进行塑性变形，可以控制金属膜602，603接触截头四边形棱锥102的区域，使其除了具有实施例1的优点，还可自由选择蝶形领结天线的形状。
实施例7
图8显示了本发明的实施例7的近场光发生器件的顶视图。其基本结构与图1A和图1B所示的没有不同，不同之处在于截头四边形棱锥801的顶表面801e是手鼓状，而不是矩形。金属膜802和803分别在截头棱锥801的侧表面中的两个相对侧表面形成。这样的形状也可使用如实施例1，2，3所显示的制造方法来制造。
实施例1
图1A和图1B显示了根据本发明实施例1的近场光发生器件的示意图。图1A是透视图，图1B是顶视图。截头四边形棱锥102设置在光学透明的基体101，截头四边形棱锥102具有侧表面102a(在图1A和图1B其被金属膜103遮挡而不可见)，102b(在图1A和图1B其被金属膜104遮挡而不可见)，102c，102d，和顶表面102e。对于基体101，其采用了石英玻璃或类似材料。侧表面102a和侧表面102b相对设置，侧表面102c和侧表面102d也相对设置。金属膜103在侧表面102a形成，金属膜104在侧表面102b上形成。金属膜103和金属膜104采用了Au膜，膜厚度在数纳米到数十纳米的数量级。金属膜103和金属膜104形成所谓的蝶形领结天线。顶表面102e是矩形，与侧表面102a和102b接触的边的长度是d1，与侧表面102c和102d接触的边的长度是g1。侧表面102a，102b上的金属膜103，104在顶表面102e的附近有尖锐的形状，其锐度用d1表示。此外，金属膜103，104在顶表面102e附近形成间隙，其尺寸用g1表示。d1，g1的值在数纳米到数十纳米的量级。
图2是显示制造本发明的实施例1的近场光发生器件的方法的截面图。横向于侧表面102a，102b和顶表面102e并正交于基体101的剖面用截面A表示。横向于侧表面102c，102d和顶表面102e并正交于基体101的剖面用截面B表示。截面A的截面图位于图2的左边，截面B位于图2的右边。
首先，如步骤S201所示，蚀刻掩模201在基体101的上表面形成。蚀刻掩模201是光阻材料薄膜，通过光刻制成。蚀刻掩模201是矩形，两个侧边平行截面A，长度是g2。其余的两个侧边平行于截面B，长度是d2。
然后，如步骤S202所示，进行蚀刻基体101。尽管蚀刻可采用湿法蚀刻或干法蚀刻，但必须进行各向同性的蚀刻。例如，如果基体101是石英玻璃的，最好使用湿法蚀刻，使用氢氟酸溶液。通过蚀刻基体101，截头四边形棱锥102在蚀刻掩模201下面形成。
接下来，如步骤S203所示，取下蚀刻掩模201。为了取下蚀刻掩模201，使用了有机溶液，如丙酮，烟化硝酸或类似溶液。如果蚀刻掩模201取下，截头四边形棱锥102的顶表面102e暴露。如上面已经提到的，顶表面102e是矩形。一边的长度是长度d1，另一个正交的边的长度是g1。重要的一点是d1和g1的比等于蚀刻掩模201边的长度d2和g2的比。通过调节蚀刻掩模201的长宽比和基体101的蚀刻量，可以控制d1和g1的尺寸。
接下来，如步骤S204所示，金属膜103在侧表面102a上形成。为形成金属膜103，使用了真空沉积法。在这种情况下，如果真空沉积源从侧表面102a前面沿平行基体101的方向W201注入，金属膜不在侧表面102b，102c，102d和顶表面102e上形成。
接下来，如步骤S205所示，金属膜104在侧表面102b上形成。为形成金属膜104，使用了真空沉积法。在这种情况下，如果真空沉积源从侧表面102b前面沿平行基体101的方向W202注入，金属膜不在侧表面102a，102c，102d和顶表面102e上形成。最后，金属膜103和金属膜104在侧表面102a，102b上形成。
在本实施例中，通过调节蚀刻掩模201的长宽比，可以容易地控制各金属膜103和104在顶表面102e附近的锐度和金属膜103，104之间在顶表面102e的间隙，这是蝶形领结天线系统的近场光发生器件的最重要的参数。从而，无须使用非常先进的微制造技术，如电子束光刻装置或聚焦离子束装置，即使采用较低水平的光刻法，也可以得到上面提到的数纳米到数十纳米量级的锐度和间隙。
实施例2
图3是显示制造本发明的实施例2的近场光发生器件的方法的截面图。进行制造的近场光发生器件的形状类似于图1A和图1B所显示的器件。截面A的截面图位于图3的左边，截面B位于图3的右边。首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行的加工类似。
然后，如步骤S301所示，使用具有方向性的树脂成膜法，如喷涂法，沿正交于侧表面102b的方向W301，在侧表面102b上形成牺牲层301。这时，牺牲层301不仅在侧表面102b上形成，还在与侧表面102b相连的侧表面102c，102d和顶表面102e上形成。牺牲层301不在与侧表面102b相对的侧表面102a上形成，因为成膜法的方向性使其受遮挡。牺牲层301包括树脂膜，如光阻材料，膜的厚度为数十纳米到数微米。
接下来，如步骤S302所示，使用具有方向性的金属成膜法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102a的方向W302，在侧表面102a上形成金属膜302。这时，金属膜302不仅在侧表面102a上形成，还在一部分牺牲层301上形成。
接下来，如步骤S303所示，使用有机溶液，如丙酮，使牺牲层301脱落。在这种情况下，通过施加超声波可以容易地使牺牲层301脱落。这时，固定到牺牲层301的金属膜302也脱落，只有固定到侧表面102a的金属膜302保持。金属膜302的顶表面102e侧保留毛边303。
接下来，如步骤S304所示，通过具有方向性的光阻材料形成法，如喷涂法，沿正交于侧表面102a的方向W303，在侧表面102a上形成牺牲层304。这时，牺牲层304不仅在侧表面102a上形成，也在与侧表面102a相连的侧表面102c，102d和顶表面102e上形成。牺牲层304未在与侧表面102a相对的侧表面102b上形成，因为成膜法的方向性使其受到遮挡。牺牲层304包括光阻材料，其膜厚度从数十纳米到数微米。
接下来，如步骤S305所示，通过具有方向性的金属膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102b的方向W304，在侧表面102b上形成金属膜305。这时，金属膜305不仅在侧表面102b上形成，也在一部分牺牲层304上形成。
接下来，如步骤S306所示，使用有机溶液，如丙酮，使牺牲层304脱落。此外，在这种情况下，通过施加超声波可以容易地使牺牲层304脱落。这时，固定到牺牲层304的金属膜305也脱落，只有固定到侧表面102a的金属膜305保持。金属膜305的顶表面102e侧保留毛边306。
最后，如步骤S307所示，毛边303和306通过从截头四边形棱锥102的上面和侧面施加机械外力进行塑性变形进行清除。此外，还可通过施加超声波清理或二氧化碳喷射清理来清除毛边303，306。这里，金属膜302加工成为金属膜103，金属膜305加工成为金属膜104。
在本实施例中，与实施例1不同，由于金属膜302，305不是通过平行于基体注射形成，即使在基体101上形成多个截头四边形棱锥102，在金属膜形成时不会互相遮挡，除了具有实施例1的优点，还适合大量生产近场光发生器件。
实施例3
图9是显示制造本发明的实施例3的近场光发生器件的方法的截面图。该实施例类似于实施例2，但不同点在于，对于牺牲层，采用了金属膜来代替树脂膜。下面进行详细说明。
制造的近场光发生器件的形状类似于图1A和图1B所显示的器件形状。截面A的截面图位于图9的左边，截面B位于图9的右边。首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行类似的加工。
然后，如步骤S901所示，使用具有方向性的膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102b的方向W901，在侧表面102b上形成牺牲层901。这时，牺牲层901不仅在侧表面102b上形成，还在与侧表面102b相连的侧表面102c，102d和顶表面102e上形成。牺牲层901不在与侧表面102b相对的侧表面102a上形成，因为膜形成法的方向性使其受到遮挡。牺牲层901包括Al膜，膜的厚度为数十纳米到数百纳米。
接下来，如步骤S902所示，使用具有方向性的金属成膜法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102a的方向W902，在侧表面102a上形成金属膜902。这时，金属膜902不仅在侧表面102a上形成，还在一部分牺牲层901上形成。
接下来，如步骤S903所示，牺牲层901脱落。这时，固定到牺牲层901的金属膜902也脱落，只有固定到侧表面102a的金属膜902保持。此外，金属膜902的顶表面102e侧保留毛边903。为了使牺牲层901脱落，使用了主要成分为磷酸的水溶液。
接下来，如步骤S904所示，通过具有方向性的膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102a的方向W903，在侧表面102a上形成牺牲层904。这时，牺牲层904不仅在侧表面102a上形成，也在与侧表面102a相连的侧表面102c，102d和顶表面102e上形成。牺牲层904未在与侧表面102a相对的侧表面102b上形成，因为膜形成法的方向性使其被遮挡。牺牲层904包括Al膜，其膜厚度从数十纳米到数百纳米。
接下来，如步骤S905所示，通过具有方向性的金属膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102b的方向W904，在侧表面102b上形成金属膜905。这时，金属膜905不仅在侧表面102b上形成，也在一部分牺牲层904上形成。
接下来，如步骤S906所示，牺牲层904脱落。这时，固定到牺牲层904的金属膜905也脱落，只有固定到侧表面102a的金属膜905保持。此外，金属膜905的顶表面102e侧保留毛边906。为了使牺牲层904脱落，使用了主要成分为磷酸的水溶液。
最后，如步骤S907所示，毛边903和906通过从截头四边形棱锥102的上面和侧面施加机械外力进行塑性变形清除毛边903，906。此外，还可通过施加超声波清理或二氧化碳喷射清理来清除毛边903，906。这里，金属膜902加工成为金属膜103，金属膜905加工成为金属膜104。
在本实施例中，由于牺牲层通过金属膜形成法，如真空沉积法，形成，除了具有实施例2的优点，还可以精确地对金属膜加工。
实施例4
图4显示了本发明的实施例4的近场光发生器件的顶视图。尽管基本结构与图1A和图1B没有不同，金属膜在截头四边形棱锥102上的沉积不同。金属层401不仅在截头四边形棱锥102的侧表面102a和102b的相对上表面上形成，还在顶表面102e(在图4中，其受到金属膜401的遮挡不能看到)上形成。该金属膜401形成蝶形领结天线。
图5是显示制造本发明的实施例4的近场光发生器件的方法的截面图。截面A的截面图位于图5的左边，截面B位于图5的右边。截面A和截面B类似于图2。首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行类似的加工。
然后，如步骤S501所示，形成金属膜501，以便覆盖截头四边形棱锥102。可通过溅射方法形成。
接下来，如步骤S502所示，使用具有方向性的树脂膜形成法，如喷涂法，沿正交于侧表面102b的方向W501，形成蚀刻掩模502。这时，蚀刻掩模502不在侧表面102a的金属膜501上形成，因为膜形成法的方向性使其受遮挡。
蚀刻掩模502包括树脂膜，如光阻材料，其膜厚度在数十纳米到数微米。
接下来，如步骤S503所示，对金属膜501进行蚀刻。由于金属膜501的材料是Au，使用碘-碘化钾水溶液进行蚀刻。这时，只是清除侧表面102a上的金属膜501，其未被蚀刻掩模502覆盖。
接下来，如步骤S504所示，通过具有方向性的树脂膜形成法，如喷涂法，沿正交于侧表面102a的方向W502，形成蚀刻掩模503。这时，蚀刻掩模503未在侧表面102b的金属膜501上形成，因为膜形成法的方向性使其被遮挡。蚀刻掩模503包括树脂膜，如光阻材料，其膜厚度从数十纳米到数微米。
接下来，如步骤S505所示，使用碘-碘化钾水溶液对金属膜501进行蚀刻。这时，只是清除侧表面102b上的金属膜501，其未被蚀刻掩模502覆盖。接下来，如步骤S506所示，金属膜501加工成金属膜401。
在本实施例中，与实施例1不同，由于金属膜501不是通过平行基体注射形成，即使多个截头四边形棱锥102在基体101形成，形成金属膜时不会互相遮挡，使其除了具有实施例1的优点，还适合大量生产近场光发生器件。
此外，不同于实施例2和实施例3，由于没有产生毛边，不需要进行清除毛边的步骤，因此可以减少制造成本。
实施例5
图10是显示制造本发明的实施例5的近场光发生器件的方法的截面图。截面A的截面图位于图10的左边，截面B位于图10的右边。截面A和截面B类似于图2。该实施例类似于实施例4，不同之处在，对于蚀刻掩模，使用了金属膜来代替树脂膜。下面是详细的介绍。
首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行类似的加工。
然后，如步骤S1001所示，形成金属膜1001，覆盖截头四边形棱锥102。可通过溅射方法形成。
接下来，如步骤S1002所示，使用具有方向性的膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102b的方向W1001，形成蚀刻掩模1002。这时，蚀刻掩模1002不在侧表面102a的金属膜1001上形成，因为膜形成法的方向性使其受遮挡。蚀刻掩模1002包括Cr膜，膜厚度在数十纳米到数百纳米。
接下来，如步骤S1003所示，对金属膜1001进行蚀刻。由于金属膜1001的材料是Au，使用碘-碘化钾水溶液进行蚀刻。这时，由于蚀刻掩模1002由Cr膜形成，其不能被碘-碘化钾水溶液腐蚀，只有侧表面102a上的金属膜1001被清除，其未被蚀刻掩模1002覆盖。
接下来，如步骤S1004所示，通过具有方向性的膜形成法，如真空沉积法，沿正交于侧表面102a的方向W1002，形成蚀刻掩模1003。这时，蚀刻掩模1003未在侧表面102b的金属膜1001上形成，因为膜形成法的方向性使其被遮挡。蚀刻掩模1003包括Cr膜，膜厚度从数十纳米到数百纳米。
接下来，如步骤S1005所示，使用碘-碘化钾水溶液对金属膜1001进行蚀刻。这时，由于蚀刻掩模1003由Cr膜形成，不能被碘-碘化钾水溶液腐蚀，只是侧表面102b上的金属膜1001被清除，其未被蚀刻掩模1003覆盖。接下来，如步骤S1006所示，金属膜1001加工成金属膜401。
在本实施例中，由于蚀刻掩模通过金属膜形成法，如真空沉积法，形成，除了具有实施例4的优点，还可精确地对金属膜进行加工。
实施例6
图6显示了本发明的实施例6的近场光发生器件的顶视图。其基本结构与图1A和图1B所显示的没有不同。对于截头四边形棱锥102，其形成了遮挡膜601。遮挡膜601覆盖了截头四边形棱锥102的侧表面102a，102b(在图6其受到金属膜603的遮挡不能看到)，102c，102d的除顶表面102e附近外的区域。遮挡膜601是Al膜，膜厚度为数百纳米。侧表面102a的上表面和侧表面102a上遮挡膜601的上表面形成了金属膜602。以及，为了对遮挡膜601进行说明，图6只显示了金属膜602的一部分。
此外，金属膜603在侧表面102b和侧表面102a的遮挡膜601的上表面形成。金属膜602和金属膜603是Au膜，膜厚度在数纳米到数十纳米。金属膜602和603形成所谓的蝶形领结天线。由于除了顶表面102e附近，遮挡膜601不发光，背景光减少，使得可增加S/N。
图7是显示制造本发明的实施例6的近场光发生器件的方法的截面图。截面A的截面图位于图7的左边，截面B位于图7的右边。截面A和截面B类似于图2的。首先，类似于实施例1，截头四边形棱锥102在基体101形成。换句话，直到图2的步骤S203，进行类似的加工。
然后，如步骤S701所示，形成遮挡膜基体材料701，覆盖截头四边形棱锥102。遮挡膜601的材料使用了Al，其膜厚度为300纳米的量级。可通过溅射的方法形成。
接下来，如步骤S702所示，通过使遮挡膜基体材料701塑性变形，暴露出顶表面102e和各侧表面102a，102b，102c，102d位于顶表面102e附近的一部分，因此形成了遮挡膜601。该方法在日本专利JP-A-2002-71545给出了详细介绍。暴露区域值在数百纳米。
接下来，如步骤S703所示，金属膜602在侧表面102a的部分表面上形成，该表面部分已经从遮挡膜601暴露。金属膜602的材料采用了Au。为形成金属膜602，使用了真空沉积法。在这种情况下，如果气体沉积源从侧表面102a的前面沿平行于基体101的方向W701注入，金属膜不在侧表面102b，102c，102d，和顶表面102e上形成。
接下来，如步骤S704所示，金属膜603在侧表面102b的部分表面上形成，该表面部分已经从遮挡膜601暴露。金属膜603的材料采用了Au。为形成金属膜603，使用了真空沉积法。在这种情况下，如果气体沉积源从侧表面102b的前面沿平行于基体101的方向W702注入，金属膜不在侧表面102a，102c，102d，和顶表面102e上形成。最后，金属膜602和金属膜603在各侧表面102a，102b的顶表面102e附近形成。
在本实施例中，通过对遮挡膜701进行塑性变形，可以控制金属膜602，603接触截头四边形棱锥102的区域，使其除了具有实施例1的优点，还可自由选择蝶形领结天线的形状。
实施例7
图8显示了本发明的实施例7的近场光发生器件的顶视图。其基本结构与图1A和图1B所示的没有不同，不同之处在于截头四边形棱锥801的顶表面801e是手鼓状，而不是矩形。金属膜802和803分别在截头棱锥801的侧表面中的两个相对侧表面形成。这样的形状也可使用如实施例1，2，3所显示的制造方法来制造。