半导体装置

摘要

本发明的目的是减小在半导体基板侧面露出pn结的半导体装置的泄漏电流，提高耐压。本发明的半导体装置，装备具有结晶面是(111)面的两个主表面和多个侧面的半导体基板，侧面具有与面方位(1，-2，1)面等价的6面，具有从一方的主表面高杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域向低杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域内部延伸形成的、从另一方的主表面高杂质浓度的第一导电型的第三半导体区域向所述第一半导体区域内部延伸形成的、在一方的主表面上欧姆连接的第一电极、和在另一方的主表面上欧姆连接的第二电极，第二半导体区域和第一半导体区域的结合部在所述侧面上露出。

权利要求

1.一种半导体装置，其特征在于，

该半导体装置，装备了具有一方的主表面、另一方的主表面和侧面的半导体基板，所述一方的主表面和另一方的主表面，结晶面是(111)面，所述侧面，在具有与面方位(1，-2，1)面等价的6面的半导体基板上连接电极的状态下，在使用各向异性的NaOH或KOH的碱溶液中腐蚀后，在侧面的不平度仍保持很低的状态下去掉由两个边形成的角部，由此成为所述侧面具有与面方位(1，-2，1)面等价的6面和与面方位(1，-1，0)面等价的6面的半导体基板。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

具有：

高杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域从所述一方的主表面向低杂质浓度的第一导电型的第一半导体区域内部延伸，并且具有与所述一方的主表面的第二半导体区域欧姆连接的第一电极；和高杂质浓度的第一导电型的第三半导体区域从所述另一方的主表面向所述第一半导体区域内部延伸，并且具有与所述另一方的主表面的第三半导体区域欧姆连接的第二电极；

所述第二导电型的第二半导体区域和第一导电型的第一半导体区域的结合部在所述侧面上露出。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

在所述第一电极以及第二电极上，通过焊锡分别连接阳电极以及阴电极。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一电极以及第二电极，通过焊锡连接到阳电极或者阴电极，所述阳电极或者阴电极，是收容所述半导体基板的容器状的形状。

5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，

所述半导体基板的侧面用硅橡胶覆盖。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

作为在所述一方的主表面上呈现的与所述面方位(1，-2，1)面等价的6面的边的第一边缘的长度，和作为在所述一方的主表面上呈现的与所述面方位(1，-1，0)面等价的6面的边的第二边缘的长度不同。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

作为在所述一方的主表面上呈现的与所述面方位(1，-2，1)面等价的6面的边的第一边缘的长度，比作为在所述一方的主表面上呈现的与所述面方位(1，-1，0)面等价的6面的边的第二边缘的长度长。

说明书

半导体装置

技术领域

[0001] 本发明涉及半导体装置，特别涉及耐压高、泄漏电流小的半导体装置。

背景技术

[0002] 为实现二极管的高性能性、高可靠性，利用防止由于集肤效应电流集中到半导体元件边缘部分的技术。例如在专利文献1中，采用六边形或者八边形的刻模图案，使在刚刻模后的元件截面的角部的角度接近圆形，来使之难于引起在成为电流通路的表面上的电流集中。

[0003] 【专利文献1】特开平5-275530号公报(从(0008)段到(0015)段的记述。)发明内容

[0004] 在上述现有技术中，在侧面具有pn结并具有多角形的形状的半导体装置中，存由在侧面的不平度或在角部的电场集中引起的泄漏电流增大和耐压降低的问题。本发明的目的是提供一种解决现有二极管的问题的、耐压高且泄漏电流小的二极管。

[0005] 在以下的说明中，在表现结晶面的面指数(1mn)中包含负的数值的情况下，由于受说明书的表示的限制不能给数值附加上横线，所以置换为用逗号分隔的负的数值来进行表述。

[0006] 本发明的半导体装置，把单晶硅的(111)面作为主表面，从把与该面垂直的至少(1，-2，1)面作为切断面的一方的主表面看去形成多边形。

[0007] 在本发明的半导体装置中，在给在侧面露出的pn结上施加了逆偏压的情况下，发生的泄漏电流降低，耐压也高。

附图说明

[0008] 图1是第一实施例的半导体装置的平面图；

[0009] 图2是从半导体晶园切割第一实施例的半导体装置的方法的说明图；

[0010] 图3是第二实施例的半导体装置的平面图；

[0011] 图4是从半导体晶园切割第二实施例的半导体装置的方法的说明图；

[0012] 图5是第三实施例的半导体装置的平面图；

[0013] 图6是第四实施例的半导体装置的平面图；

[0014] 图7是第五实施例的半导体装置的平面图；

[0015] 图8是第六实施例的半导体装置的平面图；

[0016] 图9是第七实施例的半导体装置的平面图；

[0017] 图10是第八实施例的半导体装置的平面图；

[0018] 图11是第九实施例的半导体装置的平面图；

[0019] 图12是第十实施例的半导体装置的平面图；

[0020] 图13是第十一实施例的半导体装置的平面图；

[0021] 图14是第十二实施例的半导体装置的平面图；

[0022] 图15是第十三实施例的半导体装置的平面图；

[0023] 图16是第十四实施例的半导体装置的制造方法的说明图；

[0024] 图17是第十四实施例的半导体装置的制造方法的说明图；

[0025] 图18是第十四实施例的半导体装置的制造方法的说明图；

[0026] 图19是第十五实施例的半导体装置的制造方法的说明图；

[0027] 图20是第十六实施例的半导体装置的制造方法的说明图。

[0028] 符号说明

[0029] 1、2半导体晶园，1s、2s、3s、4s、5s、6s边，3、4旗帜(oriflamme)面，3a、4a和旗帜(oriflamme)面平行的线，5n型半导体区域，6p型半导体区域，7n+型半导体区域，8p+型半导体区域，9阳电极，10阴电极，11、11a焊锡，12、12a、12b阳极引线电极，13阴极引线电极，14内涂层材料，15外涂层材料，16钝化材料，17a、17b金属保护膜，21、22、23、31、32、33、41、
42、43、51、52、53、61、62、63、71、72、73、81、82…切割线，100、101、102、103半导体基板。

具体实施方式

[0030] 本发明的二极管，是从结晶面是(111)面的硅半导体晶园(以下简称半导体晶园)的表面垂直切割、至少该切割面的面方位由与(1，-2，1)面等价的6面组成，或者在结晶面是(111)面的半导体晶园的表面上具有垂直的侧面、至少该侧面的面方位由与(1，-2，1)面等价的6个面和与(1，-1，0)等价的6个面交互形成的12面组成。另外，与结晶面是(111)面的半导体晶园的平面垂直交叉的面方位具有包含与(1，-2，1)面等价的面的一部分的6面，或者由与结晶面是(111)面的半导体晶园的平面垂直交叉的面方位，包含与(1，-2，1)面等价的面的一部分的6面，和与半导体晶园的平面垂直交叉的面方位包含与(1，-1，0)面等价的面的一部分的6面交互形成的12面组成。

[0031] 再有，在本发明的二极管中，半导体基板是第一导电型的第一半导体区域，该半导体基板具有一对(111)结晶面的主表面，由一个主表面形成为高杂质浓度的第二导电型的第二半导体区域向第一半导体区域内部延伸，在该主表面的第二半导体区域内被欧姆连接的第一电极上通过锡焊形成阳电极，由另一个主表面形成为高杂质浓度的第一导电型的第三半导体区域向第一半导体区域内部延伸，在该另一主表面的第三半导体区域内被欧姆连接的第二电极上通过锡焊形成阴电极，使这样的半导体装置的侧面成为具有上述6面或者12面的侧面。

[0032] 另外，在本发明的二极管中，在露出端面的侧面上，用橡胶或者玻璃等钝化膜覆盖，或者用聚酰压胺硅系树脂或者玻璃等覆盖，再有用环氧树脂模压钝化膜。

[0033] 在本发明的二极管中，为防止由于受水分、离子等半导体外部大气的影响引起的在pn结端面的电场集中，通过取形成多边形的半导体装置的相互邻接的两边形成的角度为150°来实现。以下使用附图详细说明本发明。

[0034] 【第一实施例】

[0035] 图1是本实施例的半导体装置的平面图。下面举例说明用单晶硅基板作为半导体基板、功率半导体元件是二极管的情况。在图1中，符号100是半导体基板，在表面和背面形成电极，不过图1中省略了。半导体基板100表面的结晶面方位是(111)，从表面看成六边形。这里，该半导体基板100的侧面，由与对(111)垂直的(1，-2，1)面等价的一边长度为a的6面形成。另外，这样的六边形的半导体装置的各边形成的角度，例如边1s和边2s形成的角度是120°。

[0036] 把在这样的半导体基板100上连接电极的状态的半导体装置，在使用HNO3或HF的酸溶液中腐蚀后，就成为在六边形的角部具有圆形的形状。另外如果在使用各向异性的NaOH或KOH的碱溶液中腐蚀的话，在侧面的不平度(表面粗糙度)仍保持很低的状态下，则被腐蚀成例如去掉由边1s和边2s形成的角部。因此，在半导体基板的侧面pn结合部露出的二极管上施加逆向电压的场合，可以缓和在半导体基板的角部的电场集中，可以实现耐压高、泄漏电流小的二极管。

[0037] 图2是表示为得到本实施例的半导体装置的半导体晶园的切割方法的图。在图2中，符号1是在结晶面是(111)的半导体晶园的表面和背面形成电极的半导体晶园。为得到图1所示的半导体基板，把旗帜(oriflamme)面(オリフラ)3作为(1，-2，1)面。首先，沿与旗帜(oriflamme)面3平行的线3a平行等间隔配置的切割线21、22、23顺序切割，接着沿和与旗帜(oriflamme)面3平行的线3a成60°的角度、等间隔配置的切割线31、32、33顺序切割，最后沿和与旗帜(oriflamme)面3平行的线3a成图1所示60°的角度、等间隔配置的切割线41、42、43顺序切割，由此，就能够从一块晶园取出多个图1所示的半导体基板100。

[0038] 这样得到的半导体基板100表面的结晶面方位是[111]，由于侧面具有和(1，-2，1)面等价的六边形的形状，如在使用各向异性的NaOH或KOH的碱溶液中进行腐蚀，在侧面的粗糙度维持很低的状态下，被腐蚀为去掉角部。

[0039] 【第二实施例】

[0040] 图3是根据本实施例的半导体装置的平面图。在图3中符号101是半导体基板，和图1同样，在表面和背面上形成电极，不过在图3中也省去了图示。半导体基板101表面的结晶面方位是[111]，从表面看去成为六边形的形状，基本结构和图1相同。这里，该半导体基板101的侧面，由与对(111)垂直的(1，-2，1)面等价的一边长度为a的6面形成。另外，这样的六边形的半导体装置的各边形成的角度，例如边3s和边4s形成的角度是120°。通过使用这样的半导体基板101，把连接电极的半导体装置在使用HNO3或HF的酸溶液中腐蚀后，就成为在六边形的角部具有圆形的形状。进而，如果在使用各向异性的NaOH或KOH的碱溶液中腐蚀的话，在侧面的粗糙度维持很低的状态下，例如被腐蚀为去掉边3s和边4s形成的角部。因此，在半导体基板的侧面pn结合部露出的二极管上施加逆向电压的情况下，可以缓和在半导体基板的角部的电场集中，可以实现耐压高、泄漏电流小的二极管。

[0041] 图4是表示为得到本实施例的半导体装置的晶园的切割方法的图。在图4中，符号2是在结晶面是(111)的半导体晶园的表面和背面形成电极的半导体晶园。为得到图3所示的半导体基板101，把旗帜(oriflamme)面4作为(1，-1，0)面。首先，沿以和与旗帜(oriflamme)面4平行的线4a成如图4所示30°的角度、等间隔配置的切割线51、52、53顺序切割，接着沿以和与旗帜(oriflamme)面4平行的线4 a成如图4所示30°的角度、等间隔配置的切割线61、62、63顺序切割，最后沿以和与旗帜(oriflamme)面4平行的线4a垂直、等间隔配置的切割线71、72、73顺序切割，这样就能够从一块晶园取出多个图3所示的半导体基板101。

[0042] 这样得到的半导体基板101表面的结晶面方位是[111]，侧面具有和(1，-2，1)面等价的六边形的形状，这样，在使用各向异性的NaOH或KOH的碱溶液中腐蚀后，在侧面的粗糙度维持很低的状态下，被腐蚀为去掉角部。

[0043] 【第三实施例】

[0044] 图5表示根据本实施例的半导体装置，表示把第一实施例以及第二实施例的半导体基板100或者半导体基板101在使用NaOH或KOH的碱溶液中进行腐蚀得到的半导体基板102的细节。在进行腐蚀前，侧面形成了和(1，-2，1)面等价的六边形的形状，但是发明人们用实验判明：在腐蚀后，在延长两个相邻的(1，-2，1)面的面交叉的位置发生和别的(1，-1，
0)面等价的面。其理由是，腐蚀速度在结晶面上不同，这是由于(1，-1，0)面的腐蚀速度比(1，-2，1)面的腐蚀速度快引起的。因此，当把具有与(1，-2，1)面等价的六面的六边切片进行碱腐蚀时，如果经过规定的腐蚀时间，就成为十二边形，在该十二边形中，相邻的边形成的角成为150°，成为比在六边形中看到的120°大的角度。因此，本申请的发明人们用实验确认的事实，亦即在半导体基板的侧面上pn结露出的二极管上施加了逆向电压时，能够得到具有高耐压、低泄漏电流特征的二极管，其理由可以认为是：六边形的半导体基板通过碱腐蚀成为十二边形，成为更接近圆的多边形，因此，能够缓和在半导体基板角部的电场集中的缘故。另外，虽然未图示，如果在使用HNO3或HF的酸溶液中进行腐蚀，则角部会成为圆角。

[0045] 【第四实施例】

[0046] 图6表示根据本实施例的半导体装置，表示把第一实施例以及第二实施例的半导体基板100或者半导体基板101在使用NaOH或KOH的碱溶液中进行腐蚀得到的半导体基板103。在本实施例中比第三实施例缩短了在碱溶液的腐蚀时间，这点不同。在本实施例中也得到十二边形，这点与图5所示的情况相同，但是与图5相比，与侧面的(1，-1，0)面等价的面的边长和与(1，-2，1)面等价的面的边长不同，如图6所示变短。基本效果和在第三实施例的图5中说明的相同，若碱腐蚀具有与(1，-2，1)面等价的六面的六边形切片的话，如经过规定的腐蚀时间，则成为十二边形，该十二边形的相邻的边形成的角为150°。不管怎样，通过碱腐蚀六边形变成十二边形，成为接近圆的多边形，因此，可以缓和在半导体基板的角部的电场集中。另外，虽然图6未示，不过如果在使用HNO3或HF的酸溶液中进行腐蚀，则角部成为圆角。

[0047] 【第五实施例】

[0048] 图7是根据本实施例的半导体装置的说明图，是使用第一实施例、第二实施例的半导体基板100、101的二极管。在本实施例中，半导体基板100、101上靠近n型半导体区域5形成高杂质浓度的p+型半导体区域8和n+型半导体区域7，在侧面上pn结露出，在各个高杂质浓度上欧姆连接阳电极9和阴电极10。

[0049] 若从配置电极的表面侧看在图7的侧面上露出的面，就形成六边形的一边，侧面的面方位是具有与(1，-2，1)面等价的六面的六边形切片。另外，在该图7中，虽然未图示，不过如果在使用HNO3或HF的酸溶液中进行腐蚀，则角部成为圆角。

[0050] 【第六实施例】

[0051] 图8是根据本实施例的半导体装置的说明图，是使用第一实施例、第二实施例的半导体基板100、101的二极管。在本实施例中，半导体基板100、101上靠近p型半导体区域6形成高杂质浓度的p+型半导体区域8和n+型半导体区域7，在各个高杂质浓度上欧姆连接阳电极9和阴电极10。

[0052] 若从配置电极的表面侧看在图8的侧面上露出的面，就形成六边形的一边，，侧面的面方位是具有与(1，-2，1)面等价的六面的六边形切片。另外，在该图8中，虽然未图示，不过如果在使用HNO3或HF的酸溶液中进行腐蚀，则角部成为圆角。

[0053] 【第七实施例】

[0054] 图9是根据本实施例的半导体装置的说明图，是使用第三实施例、第四实施例的半导体基板102、103的二极管。在本实施例中，半导体基板102、103靠近n型半导体区域5形成高杂质浓度的p+型半导体区域8和n+型半导体区域7，在各个高杂质浓度上欧姆连接阳电极9和阴电极10。另外，在图9中，虽然未图示，不过如果在使用HNO3或HF的酸溶液中进行腐蚀，则角部成为圆角。

[0055] 在图9的侧面上露出的面从表面看形成十二边形的一边，侧面的面方位交互排列有与(1，-2，1)面等价的六面和与(1，-1，0)面等价的6面。通过对第五实施例(图7)以及第六实施例(图8)的半导体装置实施使用KOH或NaOH的水溶液的碱腐蚀，可以得到图9所示的十二边形的半导体装置。

[0056] 【第八实施例】

[0057] 图10是根据本实施例的半导体装置的说明图，是使用第三实施例、第四实施例的半导体基板102、103的二极管。在本实施例中，半导体基板102、103靠近p型半导体区域6形成高杂质浓度的p+型半导体区域8和n+型半导体区域7，在各个高杂质浓度上欧姆连接阳电极9和阴电极10。

[0058] 在图9以及图10的侧面上露出的面从表面看形成十二边形的一边，侧面的面方位交互排列有与(1，-2，1)面等价的六面和与(1，-1，0)面等价的6面。通过对第五实施例(图7)以及第六实施例(图8)的半导体装置实施使用KOH或NaOH的水溶液的碱腐蚀，可以得到图10所示的十二边形的半导体装置。另外在图10中，虽然未表示，不过如果在使用HNO3或HF的酸溶液中进行腐蚀，则角部就成为圆角。

[0059] 【第九实施例】

[0060] 图11是本实施例的二极管的说明图，在第七实施例(图9)以及第八实施例(图10)的半导体装置上通过焊锡11连接阳电极12和阴电极13。这里，焊锡11使用所谓的无铅焊锡。虽然该图11未表示，不过如果在使用HNO3或HF的酸溶液中进行腐蚀，则角部成为圆角。

[0061] 【第十实施例】

[0062] 图12是本实施例的二极管的说明图，表示图11所示的第九实施例的半导体装置上使用表面保护膜。图12中符号14是内涂层材料、且在表面处理过的半导体表面上直接形成的钝化膜，使用聚酰亚胺硅系树脂。图12的符号15是也兼作半导体装置的封装的外涂层材料，起对内涂层材料14的保护作用，在本实施例中使用环氧系树脂。此外，也可以在内涂层材料14中使用玻璃。

[0063] 在这样构成的本实施例的二极管中，在半导体表面上没有重金属或有机物故不仅能够得到的干净的面，而且从表面看半导体基板的话，成为12边形，这样多边形相邻的两边所成的角度成为150°，所以如进而附加酸腐蚀的话，则形状接近圆形，因此，在pn结上施加了逆偏压时能缓和在侧面角部的电场集中，所以，可知在逆偏压时的泄漏电流会极低，耐压也表示出高的值。

[0064] 【第十一实施例】

[0065] 图13是根据本实施例的压入型二极管的说明图。在本实施例中，变更了图12所示的第十实施例的半导体装置的电极的结构。在图13中，符号16是钝化材料，在表面处理的半导体表面上直接形成，使用硅橡胶。在第九实施例或第十实施例中，阳极引线电极12或者阴极引线电极13是棒状导体，而在本实施例中如图13所示，阴极引线电极13是容器状(杯子状)形状。根据半导体装置的用途电极形状或钝化膜的材料或结构不同。在图13所示的容器状的阴极引线电极13的情况下，在连接二极管的对象物中安上该容器使用十分便利。在图13中，作为钝化材料16，表示出使用硅橡胶的例子，但是也可以使用在图12中使用的内涂层材料14或者外涂层材料15，或者这两种。

[0066] 此外，在本实施例中，对于阴极引线电极13是容器状(杯子状)的形状的情况进行了说明，但是不言而喻，也可以是阳极引线电极12是容器状(杯子状)的形状而阴极引线电极13是棒状的形状。在这种情况下，将图13所示的半导体基板102、103的上下颠倒配置即可。

[0067] 【第十二实施例】

[0068] 图14是本实施例的面安装型二极管的说明图。在本实施例的面安装型二极管中，改变第十一实施例的二极管的阳极引线电极12的形状，使容器状的阴极引线电极13和阳极引线电极12b能在同一平面上锡焊连接在电路图案等上。阳极引线电极12b，用焊锡11连接阳电极9和阳极引线电极12a，进而用焊锡11a连接阳极引线电极12a和阳极引线电极12b。

[0069] 此外，在本实施例中也和第十一实施例同样，也可以阳极引线电极12是容器状(杯子状)的形状，阴极引线电极13是板状的形状。在这种情况下，将图14中记载的半导体基板102、103的上下颠倒配置即可。

[0070] 【第十三实施例】

[0071] 图15是本实施例的面安装型二极管的说明图。在本实施例的面安装型二极管中，与第十二实施例不同的是，代替第十二实施例的容器状的阴极引线电极13，具有图15所示的折弯的板状阴极引线电极13b和折弯的板状阳极引线电极12b。在本实施例的半导体装置中，为做成面安装型，使阳极引线电极12b变形后，弯曲板状的电极端，使能够和阴极引线电极13b在同一平面上用焊锡连接到电路图案等上。

[0072] 【第十四实施例】

[0073] 图16到图18表示图12所示第十实施例的半导体装置的制造方法的一例。图16(a)是在根据本发明的制造方法(第十实施例)中使用的半导体板，是图7或者图8所示的pn结二极管。图16(b)，表示在形成该二极管的半导体板基板100或者半导体板基板
101的正面和背面形成的阳电极9上通过焊锡11连接阳极引线电极12、而在阴电极10上通过焊锡11连接阴极引线电极13的方法。图17(a)表示用图16(b)的方法装配的子组件状态下的二极管的外观。

[0074] 在图17(a)的子组件状态下进行规定的表面处理。所谓表面处理是除去在半导体板表面上附着的异物，例如重金属或有机物，露出正常的半导体的工序，大体分为使用HF、HNO3等的酸腐蚀，和使用KOH或者NaOH的水溶液的碱腐蚀。

[0075] 酸腐蚀的基本的机制，是氧化对象物质，除去其氧化膜。如图17(a)所示，在金属和半导体板混存的子组件状态下进行酸腐蚀的话，金属也被溶解，附着在半导体板表面的可能性极高。因此，如把酸腐蚀作为最终的表面处理的话，则不仅会溶解电极，而且电极的金属也会污染半导体板表面，有不能获得良好的二极管特性的危险。

[0076] 在碱腐蚀中，基本上是半导体板表面与氢氧基反应来形成水溶性的氢氧化物的的机制，虽然也溶解金属，但是因为与酸腐蚀相比其量极少，所以在如图17(a)所示的子组件的状态下的最终的表面处理，碱腐蚀是适宜的。碱腐蚀通过上述机制腐蚀半导体板表面，但是其腐蚀速度对结晶面有依赖性。例如，若在单晶硅的情况下，腐蚀速度按照(110)、(100)、(111)的顺序升高，在(110)面中比(111)面的腐蚀速度约高1个数量级。另外，如果在结晶中包含的硼(B)或磷(P)等杂质浓度高的话，则腐蚀速度降低。

[0077] 因此，图7或图8的第五实施例或第六实施例中所示的半导体基板如图16(a)所示在通过焊锡11连接阳极引线电极12或阴极引线电极13的状态下，使用NaOH或者KOH的浓度取5wt％到65wt％、温度为25℃到115℃的碱水溶液进行碱腐蚀后，半导体基板的中央部的低杂质浓度区域的区域、亦即图7的n型半导体区域5或图8的n型半导体区域6变得最容易被腐蚀，得到中央洼陷的形状，成为图17(b)所示的形状。

[0078] 另外，图17(a)的端面从板的上面看是具有与(1，-2，1)面等价的6面的六边形板，但是通过施行碱腐蚀，如图17(b)所示，从板的上面看，就成为交互形成与(1，-2，1)面等价的面和与(1，-1，0)面等价的面的12边形。

[0079] 其后，如图18(a)所示，至少在端面上露出的半导体表面上涂敷作为内涂层的材料14的聚酰亚胺硅，作为氛围气体使用氩气、氮气、氧气或者空气等，在150℃到270℃的温度范围下硬化。最后，如图18(b)所示，通过传递模塑法形成作为环氧系树脂的外涂层材料15，使其至少覆盖内涂层材料14，完成半导体装置。

[0080] 【第十五实施例】

[0081] 图19(a)以及图19(b)，表示从半导体晶园切割出图2以及图4所示的六边形的半导体基板100以及半导体基板101的另一实施例。本实施例，除从半导体晶园切割出六边形的半导体基板100以及半导体基板101这点不同外，和第一实施例或第二实施例相同。

[0082] 在图19(a)以及图19(b)中，符号81以及符号82表示使用激光的切割线。在本实施例中，为得到六边形的板，通过规定的程序从一个主表面使用激光光线切断晶园。根据本实施例，能够丢弃无用的板，能够从一块晶园得到多个六边形的半导体板装置。此外，切割出来的六边形的各边对于半导体晶园的旗帜(oriflamme)面的方向，不用说和图2、图4相同。

[0083] 【第十六实施例】

[0084] 图20(a)以及图20(b)，表示从半导体晶园切割出图2以及图4所示的六边形的半导体基板100以及半导体基板101的另一实施例。本实施例，除从半导体晶园切割出六边形的半导体基板100以及半导体基板101这点不同外，和第一实施例或第二实施例相同。

[0085] 在图20(a)以及图20(b)中，符号17a以及符号17b，例如是做成六边形的金属保护膜，它通过腊粘贴在半导体晶园上。从该金属保护膜17a以及金属保护膜17b上通过喷沙处理，用高速喷沙，这样，就可以得到具有和金属保护膜17a以及17b相同形状的半导体装置。通过本实施例，能够丢弃无用的板，能够从一块晶园得到多个六边形的半导体板装置。此外，切割出来的六边形的各边对于半导体晶园的旗帜(oriflamme)面的方向，不用说和图2、图4相同。

[0086] 此外，在本实施例以及第十四实施例、第十五实施例中，主要说明了利用碱腐蚀的各向异性的制造方法，但是在本发明的半导体装置的制造方法中，通过在碱腐蚀的工序之前或之后附加由HF、HNO3等进行的酸腐蚀，由此，使半导体板的角部带圆角，更能防止电场在角部集中，在pn结上施加逆偏压的情况下，能够降低泄漏电流或提高耐压。

[0087] 另外，在本实施例以及从第一实施例到第十五实施例中，作为半导体装置以二极管为例进行了说明，为容易理解特别指定了阳极引线电极和阴极引线电极，但是在本发明中也可以是把阳极引线电极换成阴极引线电极、把阴极引线电极换成阳极引线电极的电极+结构，当然，不用说在阳极引线电极上通过焊锡连接和P 型半导体区域连接的阳电极，在阴+
极引线电极上通过焊锡连接和n 型半导体区域连接的阴电极。

[0088] 再有，在本实施例以及从第一实施例到第十五实施例中，因为把半导体基板的侧面的面方位做成至少包含(1，-2，1)面的多边形和通过各向异性腐蚀使多边形的相邻的两边形成的角度大于等于150°，所以既可以用于多叠层的半导体装置，同样也可以用于在半导体基板侧面pn结合部露出的电力半导体装置。