液晶显示器转让专利
申请号 : CN200610151503.4
文献号 : CN1900781B
文献日 : 2010-05-19
发明人 : 柳承厚 , 损廷昊 , 都熙旭 , 金贤昱 , 仓学璇 , 严允成
申请人 : 三星电子株式会社
摘要 :
本发明提供了一种液晶显示器，包括：基板；布置在基板上并包括第一子像素电极和第二子像素电极的像素电极；以及面向像素电极的公共电极，其中第一子像素电极具有一对基本上彼此平行的弯曲边缘，第二子像素电极具有一对基本上彼此平行的弯曲边缘，并且，第二子像素电极的高度大于第一子像素电极的高度，第一和第二子像素电极的弯曲边缘的凸性和凹性在高度方向上相对于彼此交替反向。
权利要求 :
1.一种液晶显示器，包括：
第一基板；
第二基板；
形成在第一基板上的多根第一信号线；
形成在第一基板上的多根第二信号线；
形成在第一基板上并具有弯曲边缘的第一子像素电极；
形成在第一基板上的第二子像素电极，所述第二子像素电极具有弯曲边缘，并且布置成沿行方向邻近第一子像素电极；
形成在第一基板上的第三子像素电极，所述第三子像素电极具有弯曲边缘，并且布置成沿列方向邻近第二子像素电极；
形成在第一基板上的第四子像素电极，所述第四子像素电极具有弯曲边缘，并且布置成沿行方向邻近第三子像素电极和沿列方向邻近第一子像素电极；
形成在第二基板上的公共电极，公共电极面向位于第一基板上的第一至第四子像素电极；以及多个开关元件，每个开关元件耦合到第一信号线之一，第二信号线之一，以及第一至第四子像素电极之一，其中，第二子像素电极的弯曲边缘比第一子像素电极的弯曲边缘长，第四子像素电极的弯曲边缘比第三子像素电极的弯曲边缘长，第四子像素电极具有与第二子像素电极边缘相邻的边缘，并且子像素电极的凸性和凹性在行方向是固定的，而子像素电极的凸性和凹性在列方向是交替反向的。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中第一至第四子像素电极的行方向长度基本上彼此相等。
3.如权利要求2所述的液晶显示器，其中每个第二和第四子像素电极的弯曲边缘长度约为每个第一和第三子像素电极的弯曲边缘长度的两倍。
4.如权利要求1所述的液晶显示器，还包括形成于公共电极的倾斜方向确定部件。
5.如权利要求4所述的液晶显示器，其中倾斜方向确定部件包括具有弯曲部分的切口，该弯曲部分穿过第一至第四子像素电极之一，并且基本上平行于第一至第四子像素电极之一的弯曲边缘延伸。
6.如权利要求5所述的液晶显示器，其中切口的弯曲部分和第一至第四子像素电极之一的弯曲边缘之间的距离约等于20-35微米。
7.如权利要求1所述的液晶显示器，其中给第一子像素电极和第二子像素电极提供从单个图像信息中获得的不同电压。
8.如权利要求1所述的液晶显示器，其中给第一子像素电极和第四子像素电极提供从单个图像信息中获得的不同电压。
9.如权利要求1所述的液晶显示器，其中开关元件包括耦合到第一子像素电极的第一薄膜晶体管和耦合到第二或第四子像素电极的第二薄膜晶体管，而且第一和第二薄膜晶体管连接到两根不同的第一信号线和单根第二信号线。
10.如权利要求9所述的液晶显示器，其中响应第一信号线的两个不同信号，导通第一和第二薄膜晶体管以便传送来自单根第二信号线的信号。
11.如权利要求9所述的液晶显示器，其中响应来自单根第二信号线的信号，导通第一和第二薄膜晶体管以便传送来自第一信号线的两个不同信号的信号。
12.一种液晶显示器，包括：
基板；
布置在基板上并包括第一子像素电极和第二子像素电极的像素电极；以及面向像素电极的公共电极，
其中第一子像素电极具有一对基本上彼此平行的弯曲边缘，第二子像素电极具有一对基本上彼此平行的弯曲边缘，并且，第二子像素电极的高度大于第一子像素电极的高度，其中第一和第二子像素电极的弯曲边缘的凸性和凹性在高度方向上相对于彼此交替反向。
13.如权利要求12所述的液晶显示器，其中第一子像素电极和第二子像素电极沿长度方向相邻。
14.如权利要求12所述的液晶显示器，其中第一子像素电极和第二子像素电极沿高度方向相邻。
15.如权利要求12所述的液晶显示器，其中第一子像素电极的长度基本上等于第二子像素电极的长度。
16.如权利要求15所述的液晶显示器，其中第二子像素电极的高度约为第一子像素电极的高度的两倍。
17.如权利要求12所述的液晶显示器，其中第一和第二子像素电极的每个弯曲边缘具有弯曲点，并且每个第一和第二子像素电极分别关于连接弯曲点的直线对称。
18.如权利要求12所述的液晶显示器，其中每对弯曲边缘包括凹边缘和凸边缘，并且第一子像素电极的凸边缘邻近第二子像素电极的凹边缘，或者第一子像素电极的凹边缘邻近第二子像素电极的凸边缘。
19.如权利要求12所述的液晶显示器，其中每对弯曲边缘包括凹边缘和凸边缘，第一子像素电极的凹边缘的末端与第二子像素电极的凸边缘的末端相对，并且第一子像素电极的凸边缘的末端与第二子像素电极的凹边缘的末端相对。
20.如权利要求12所述的液晶显示器，还包括形成在公共电极上的倾斜方向确定部件。
21.如权利要求20所述的液晶显示器，其中倾斜方向确定部件包括具有弯曲部分的切口，该弯曲部分穿过第一或第二子像素电极，并且基本上平行于第一或第二子像素电极的弯曲边缘延伸。
22.如权利要求21所述的液晶显示器，其中切口的弯曲部分和邻近弯曲部分的第一或第二子像素电极的弯曲边缘之一之间的距离约等于20-35微米。
23.如权利要求12所述的液晶显示器，其中第一子像素电极和第二子像素电极具有各自不同的电压。
24.如权利要求23所述的液晶显示器，其中给第一子像素电极和第二子像素电极提供从单个图像信息中获得的各自不同的电压。
25.如权利要求23所述的液晶显示器，还包括：耦合到第一子像素电极的第一薄膜晶体管；
耦合到第二子像素电极的第二薄膜晶体管；
耦合到第一薄膜晶体管的第一信号线；
耦合到第二薄膜晶体管的第二信号线；以及
耦合到第一和第二薄膜晶体管的第三信号线，并且第三信号线与第一和第二信号线相交。
26.如权利要求25所述的液晶显示器，其中响应来自第一信号线的信号，导通第一薄膜晶体管以便传送来自第三信号线的信号，响应来自第二信号线的信号，导通第二薄膜晶体管以便传送来自第三信号线的信号。
27.如权利要求25所述的液晶显示器，其中第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管布置成关于第三信号线彼此相对。
28.如权利要求25所述的液晶显示器，其中响应来自第三信号线的信号，导通第一薄膜晶体管以便传送来自第一信号线的信号，响应来自第三信号线的信号，导通第二薄膜晶体管以便传送来自第二信号线的信号。
29.如权利要求25所述的液晶显示器，还包括第四信号线，第四信号线沿连接第一和第二子像素电极的弯曲边缘的弯曲点的直线延伸。
30.如权利要求29所述的液晶显示器，其中每个第一和第二薄膜晶体管包括交叠第四信号线的漏电极。
31.如权利要求12所述的液晶显示器，其中第一子像素电极和第二子像素电极彼此电容性地耦合。
32.如权利要求31所述的液晶显示器，还包括：耦合到第一子像素电极的薄膜晶体管；
耦合到薄膜晶体管的第一信号线；以及
耦合到薄膜晶体管并且与第一信号线相交的第二信号线。
说明书 :
技术领域
本公开涉及一种液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)是应用最广的平板显示装置之一。LCD包括一对面板和夹置在这对面板之间的液晶(LC)层，这对面板包括场产生电极例如像素电极以及公共电极。LCD通过给电极施加电压在LC层内生成电场，通过控制电场强度来确定LC分子的取向和入射在LC层上的光的偏振，以便改变入射在LC层上的光的透射率，从而获得想要的图像。
LCD还包括连接到像素电极的开关元件以及信号线，例如栅线和数据线，以便给开关元件施加信号，从而给像素电极施加电压。
在这些LCD中，垂直排列(VA)模式LCD受到关注，因为它的高对比率和宽基准视角，VA模式LCD定位LC分子以便在没有电场时LC分子的长轴垂直于面板。基准视角指的是对比率为1∶10或灰度的亮度顺序开始反转时的视角。
通过场产生电极内的切口和场产生电极上或下的突起能实现VA模式LCD的宽视角。由于切口和突起能确定LC分子的倾斜方向，因此通过使用切口和突起能使倾斜方向散布成几个方向，从而加宽基准视角。
然而，突起和切口阻挡入射光的透射，因此，光的透射率随着突起或切口的数量增加而降低。为了增加光的透射率，提出增大像素电极的面积。然而，提出的结构使相邻像素电极靠近，并且使像素电极和与其相邻的数据线靠近，使得在像素电极边缘附近产生强横向电场。横向电场扰乱LC分子的取向，从而在图像内产生可视纹理以及漏光。
另外，与正面可见度相比，VA模式LCD具有弱的侧面可见度。例如，在配备有切口的常规LCD中，图像朝着LCD的侧边变得更亮，在严重的情况下，高灰度之间的亮度差消失，从而使整个图像暗淡。
为了提高侧面可见度，将一个像素分成两个相互电容性耦合的子像素。给两个子像素之一直接提供电压，而通过电容性耦合使另一个遭受电压降，以便使两个子像素具有不同的电压，从而导致不同的光透射率。
LCD还包括连接到像素电极的开关元件以及信号线，例如栅线和数据线，以便给开关元件施加信号，从而给像素电极施加电压。
在这些LCD中，垂直排列(VA)模式LCD受到关注，因为它的高对比率和宽基准视角，VA模式LCD定位LC分子以便在没有电场时LC分子的长轴垂直于面板。基准视角指的是对比率为1∶10或灰度的亮度顺序开始反转时的视角。
通过场产生电极内的切口和场产生电极上或下的突起能实现VA模式LCD的宽视角。由于切口和突起能确定LC分子的倾斜方向，因此通过使用切口和突起能使倾斜方向散布成几个方向，从而加宽基准视角。
然而，突起和切口阻挡入射光的透射，因此，光的透射率随着突起或切口的数量增加而降低。为了增加光的透射率，提出增大像素电极的面积。然而，提出的结构使相邻像素电极靠近，并且使像素电极和与其相邻的数据线靠近，使得在像素电极边缘附近产生强横向电场。横向电场扰乱LC分子的取向，从而在图像内产生可视纹理以及漏光。
另外，与正面可见度相比，VA模式LCD具有弱的侧面可见度。例如，在配备有切口的常规LCD中，图像朝着LCD的侧边变得更亮，在严重的情况下，高灰度之间的亮度差消失，从而使整个图像暗淡。
为了提高侧面可见度，将一个像素分成两个相互电容性耦合的子像素。给两个子像素之一直接提供电压，而通过电容性耦合使另一个遭受电压降，以便使两个子像素具有不同的电压，从而导致不同的光透射率。
发明内容
根据本发明实施例的液晶显示器包括：第一基板；第二基板；形成在第一基板上的多根第一信号线；形成在第一基板上的多根第二信号线；形成在第一基板上并具有弯曲边缘的第一子像素电极；形成在第一基板上的第二子像素电极，第二子像素电极具有弯曲边缘，并且布置成在第一方向邻近第一子像素电极；形成在第一基板上的第三子像素电极，第三子像素电极具有弯曲边缘，并且布置成在第二方向邻近第二子像素电极；形成在第一基板上的第四子像素电极，第四子像素电极具有弯曲边缘，并且布置成在第一方向邻近第三子像素电极并且在第二方向邻近第一子像素电极；形成在第二基板上的公共电极，公共电极面向第一至第四子像素电极；以及多个开关元件，每个开关元件耦合到第一信号线之一，第二信号线之一，以及第一至第四子像素电极之一，其中，第二子像素电极的弯曲边缘比第一子像素电极的弯曲边缘长，第四子像素电极的弯曲边缘比第三子像素电极的弯曲边缘长，并且，第四子像素电极具有与第二子像素电极边缘相邻的边缘。
第一至第四子像素电极的第一方向长度可以基本上彼此相等，而每个第二和第四子像素电极的弯曲边缘长度可以约为每个第一和第三子像素电极的弯曲边缘长度的两倍。
所述液晶显示器还可以包括形成在公共电极上的倾斜方向确定部件。倾斜方向确定部件可以包括具有弯曲部分的切口，该弯曲部分穿过第一至第四子像素电极之一，并且基本上平行于第一至第四子像素电极之一的弯曲边缘延伸。切口的弯曲部分和第一至第四子像素电极之一的弯曲边缘之间的距离可以约等于20-35微米。
可以给第一子象素电极和第二或第四子像素电极提供从单个图像信息中获得的不同电压。
开关元件可以包括耦合到第一子像素电极的第一薄膜晶体管和耦合到第二或第四子像素电极的第二薄膜晶体管，而且第一和第二薄膜晶体管可以连接到两根不同的第一信号线和单根第二信号线。
响应来自两根不同的第一信号线的信号，第一和第二薄膜晶体管可以导通以便传送来自单根第二信号线的信号，或者响应来自单根第二信号线的信号，可以导通以便传送来自两根不同的第一信号线的信号。
根据本发明实施例的液晶显示器包括：基板；布置在基板上并包括第一子像素电极和第二子像素电极的像素电极；以及面向像素电极的公共电极，其中第一子像素电极具有一对基本上彼此平行的弯曲边缘，第二子像素电极具有一对基本上彼此平行的弯曲边缘，并且，第二子像素电极的高度大于第一子像素电极的高度。
第一子像素电极和第二子像素电极可以在长度方向或高度方向相邻。在后者的情况下，第一和第二子像素电极的弯曲边缘的凸性和凹性可以相对于彼此反向。
第一子像素电极的长度可以基本上等于第二子像素电极的长度，而第二子像素电极的高度可以约为第一子像素电极的高度的两倍。
每个弯曲边缘可以具有弯曲点，并且每个第一和第二子像素电极可以关于连接弯曲点的直线对称。
每对弯曲边缘可以包括凹边缘和凸边缘。
第一子像素电极的凸边缘可以邻近第二子像素电极的凹边缘，或者第一子像素电极的凹边缘可以邻近第二子像素电极的凸边缘。另外，第一子像素电极的凹边缘的末端可以与第二子像素电极的凸边缘的末端相对，并且第一子像素电极的凸边缘的末端可以与第二子像素电极的凹边缘的末端相对。
所述液晶显示器还可以包括形成在公共电极上的倾斜方向确定部件。倾斜方向确定部件可以包括具有弯曲部分的切口，该弯曲部分穿过第一或第二子像素电极，并且基本上平行于第一或第二子像素电极的弯曲边缘延伸。切口的弯曲部分和邻近弯曲部分的第一或第二子像素电极的弯曲边缘之一之间的距离可以约等于20-35微米。
第一子像素电极和第二子像素电极可以具有不同的电压，并且可以给第一子像素电极和第二子像素电极提供从单个图像信息中获得的不同电压。
所述液晶显示器还可以包括：耦合到第一子像素电极的第一薄膜晶体管；耦合到第二子像素电极的第二薄膜晶体管；耦合到第一薄膜晶体管的第一信号线；耦合到第二薄膜晶体管的第二信号线；以及耦合到第一和第二薄膜晶体管的第三信号线，并且第三信号线与第一和第二信号线相交。
响应来自第一信号线的信号，第一薄膜晶体管可以导通以便传送来自第三信号线的信号，而且响应来自第二信号线的信号，第二薄膜晶体管可以导通以便传送来自第三信号线的信号。此时，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以布置成关于第三信号线彼此相对。
另外，响应来自第三信号线的信号，第一薄膜晶体管可以导通以便传送来自第一信号线的信号，而且响应来自第三信号线的信号，第二薄膜晶体管可以导通以便传送来自第二信号线的信号。
所述液晶显示器还可以包括第四信号线，第四信号线沿连接第一和第二子像素电极的弯曲边缘的弯曲点的直线延伸。每个第一和第二薄膜晶体管可以包括交叠第四信号线的漏电极。
第一子像素电极和第二子像素电极可以彼此电容性地耦合。所述液晶显示器还可以包括：耦合到第一子像素电极的薄膜晶体管；耦合到薄膜晶体管的第一信号线；耦合到薄膜晶体管并且与第一信号线相交的第二信号线。
第一至第四子像素电极的第一方向长度可以基本上彼此相等，而每个第二和第四子像素电极的弯曲边缘长度可以约为每个第一和第三子像素电极的弯曲边缘长度的两倍。
所述液晶显示器还可以包括形成在公共电极上的倾斜方向确定部件。倾斜方向确定部件可以包括具有弯曲部分的切口，该弯曲部分穿过第一至第四子像素电极之一，并且基本上平行于第一至第四子像素电极之一的弯曲边缘延伸。切口的弯曲部分和第一至第四子像素电极之一的弯曲边缘之间的距离可以约等于20-35微米。
可以给第一子象素电极和第二或第四子像素电极提供从单个图像信息中获得的不同电压。
开关元件可以包括耦合到第一子像素电极的第一薄膜晶体管和耦合到第二或第四子像素电极的第二薄膜晶体管，而且第一和第二薄膜晶体管可以连接到两根不同的第一信号线和单根第二信号线。
响应来自两根不同的第一信号线的信号，第一和第二薄膜晶体管可以导通以便传送来自单根第二信号线的信号，或者响应来自单根第二信号线的信号，可以导通以便传送来自两根不同的第一信号线的信号。
根据本发明实施例的液晶显示器包括：基板；布置在基板上并包括第一子像素电极和第二子像素电极的像素电极；以及面向像素电极的公共电极，其中第一子像素电极具有一对基本上彼此平行的弯曲边缘，第二子像素电极具有一对基本上彼此平行的弯曲边缘，并且，第二子像素电极的高度大于第一子像素电极的高度。
第一子像素电极和第二子像素电极可以在长度方向或高度方向相邻。在后者的情况下，第一和第二子像素电极的弯曲边缘的凸性和凹性可以相对于彼此反向。
第一子像素电极的长度可以基本上等于第二子像素电极的长度，而第二子像素电极的高度可以约为第一子像素电极的高度的两倍。
每个弯曲边缘可以具有弯曲点，并且每个第一和第二子像素电极可以关于连接弯曲点的直线对称。
每对弯曲边缘可以包括凹边缘和凸边缘。
第一子像素电极的凸边缘可以邻近第二子像素电极的凹边缘，或者第一子像素电极的凹边缘可以邻近第二子像素电极的凸边缘。另外，第一子像素电极的凹边缘的末端可以与第二子像素电极的凸边缘的末端相对，并且第一子像素电极的凸边缘的末端可以与第二子像素电极的凹边缘的末端相对。
所述液晶显示器还可以包括形成在公共电极上的倾斜方向确定部件。倾斜方向确定部件可以包括具有弯曲部分的切口，该弯曲部分穿过第一或第二子像素电极，并且基本上平行于第一或第二子像素电极的弯曲边缘延伸。切口的弯曲部分和邻近弯曲部分的第一或第二子像素电极的弯曲边缘之一之间的距离可以约等于20-35微米。
第一子像素电极和第二子像素电极可以具有不同的电压，并且可以给第一子像素电极和第二子像素电极提供从单个图像信息中获得的不同电压。
所述液晶显示器还可以包括：耦合到第一子像素电极的第一薄膜晶体管；耦合到第二子像素电极的第二薄膜晶体管；耦合到第一薄膜晶体管的第一信号线；耦合到第二薄膜晶体管的第二信号线；以及耦合到第一和第二薄膜晶体管的第三信号线，并且第三信号线与第一和第二信号线相交。
响应来自第一信号线的信号，第一薄膜晶体管可以导通以便传送来自第三信号线的信号，而且响应来自第二信号线的信号，第二薄膜晶体管可以导通以便传送来自第三信号线的信号。此时，第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管可以布置成关于第三信号线彼此相对。
另外，响应来自第三信号线的信号，第一薄膜晶体管可以导通以便传送来自第一信号线的信号，而且响应来自第三信号线的信号，第二薄膜晶体管可以导通以便传送来自第二信号线的信号。
所述液晶显示器还可以包括第四信号线，第四信号线沿连接第一和第二子像素电极的弯曲边缘的弯曲点的直线延伸。每个第一和第二薄膜晶体管可以包括交叠第四信号线的漏电极。
第一子像素电极和第二子像素电极可以彼此电容性地耦合。所述液晶显示器还可以包括：耦合到第一子像素电极的薄膜晶体管；耦合到薄膜晶体管的第一信号线；耦合到薄膜晶体管并且与第一信号线相交的第二信号线。
附图说明
根据下面结合附图的描述，能更详细地理解本发明的实施例，其中：
图1是根据本发明一个示范性实施例的LCD的方框图；
图2是根据本发明一个示范性实施例的LCD的像素的等效电路图；
图3-5是根据本发明示范性实施例的LC面板组件内的像素电极，公共电极和滤色器的布局图；
图6是表示图3-5内所示子像素电极的子像素电极的平面图；
图7是根据本发明一个示范性实施例的信号线和像素的等效电路图；
图8是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的下面板的布局图；
图9是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的上面板的布局图；
图10是包括图8内所示下面板和图9内所示上面板的LC面板组件的布局图；
图11是图10内所示LC面板组件沿着线XI-XI的示意性剖视图；
图12是图10内所示LC面板组件沿着线XI-XI的另一示意性剖视图；
图13是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的下面板的布局图；
图14是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的上面板的布局图；
图15是包括图13内所示下面板和图14内所示上面板的LC面板组件的布局图；
图16是图15内所示LC面板组件沿着线XVI-XVI’-XVI”的剖视图；
图17是根据本发明一个示范性实施例的信号线和像素的等效电路图；
图18是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的布局图；
图19是根据本发明一个示范性实施例的信号线和像素的等效电路图；
图20是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的布局图；
图21是图20内所示LC面板组件沿着线XXI-XXI的剖视图；
图22是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的布局图；
图23是图22内所示LC面板组件沿着线XXIII-XXIII的剖视图。
图1是根据本发明一个示范性实施例的LCD的方框图；
图2是根据本发明一个示范性实施例的LCD的像素的等效电路图；
图3-5是根据本发明示范性实施例的LC面板组件内的像素电极，公共电极和滤色器的布局图；
图6是表示图3-5内所示子像素电极的子像素电极的平面图；
图7是根据本发明一个示范性实施例的信号线和像素的等效电路图；
图8是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的下面板的布局图；
图9是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的上面板的布局图；
图10是包括图8内所示下面板和图9内所示上面板的LC面板组件的布局图；
图11是图10内所示LC面板组件沿着线XI-XI的示意性剖视图；
图12是图10内所示LC面板组件沿着线XI-XI的另一示意性剖视图；
图13是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的下面板的布局图；
图14是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的上面板的布局图；
图15是包括图13内所示下面板和图14内所示上面板的LC面板组件的布局图；
图16是图15内所示LC面板组件沿着线XVI-XVI’-XVI”的剖视图；
图17是根据本发明一个示范性实施例的信号线和像素的等效电路图；
图18是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的布局图；
图19是根据本发明一个示范性实施例的信号线和像素的等效电路图；
图20是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的布局图；
图21是图20内所示LC面板组件沿着线XXI-XXI的剖视图；
图22是根据本发明一个示范性实施例的LC面板组件的布局图；
图23是图22内所示LC面板组件沿着线XXIII-XXIII的剖视图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更完整地描述本发明的实施例。然而，可以按照许多不同形式来实施本发明，并且不应该解释为限定成本文中所述的实施例。
将参考图1和2详细地描述根据本发明示范性实施例的LCD。
图1是根据本发明示范性实施例的LCD的方框图，而图2是根据本发明示范性实施例的LCD的等效电路图。
参考图1，根据本发明示范性实施例的LCD包括LC面板组件300，连接到面板组件300的栅极驱动器400和数据驱动器500，连接到数据驱动器500的灰度电压发生器800，以及控制上述元件的信号控制器600。
参考图1，面板组件300包括多根信号线(未图示)以及连接到信号线并基本上排列成矩阵的多个像素PX。在图2内所示的结构图中，面板组件300包括下面板100，上面板200以及夹置在它们之间的LC层3。
提供在下面板100上的信号线包括多根栅线(未图示)和多根数据线(未图示)，栅线传输栅信号，也称为“扫描信号”，数据线传输数据信号。栅线基本上在行方向延伸并且基本上彼此平行，而数据线基本上在列方向延伸并且基本上彼此平行。
参考图2，每个像素PX包括一对子像素，而每个子像素包括液晶(LC)电容器Clc1/Clc2。两个子像素至少之一还包括连接到栅线，数据线和LC电容器Clc1/Clc2的开关元件(未图示)。
LC电容器Clc1/Clc2包括提供在下面板100上的子像素电极PE1/PE2和提供在上面板200上的公共电极CE，作为两个端子。布置在电极PE1/PE2和CE之间的LC层3用作LC电容器Clc1/Clc2的电介质。一对子像素电极PE1和PE2相互分开，并形成像素电极PE。公共电极CE被供应公共电压Vcom，并且覆盖上面板200的整个表面。LC层3具有负介电各向异性，并且可以对LC层3内的LC分子进行定向，以便在没有电场时LC分子的长轴垂直于面板100和200的表面。
对于彩色显示器，每个像素PX唯一地表示一种原色，也就是空间划分，或者每个像素PX依次顺序地表示原色，也就是时间划分，以便将三原色的空间或时间之和看作期望的颜色。一组原色的实例包括红色、绿色和蓝色。图2表示空间划分的实例，其中每个像素PX包括在上面板200面对像素电极PE的区域内表示原色之一的滤色器CF。作为选择，滤色器CF提供在下面板100上的子像素电极PE1或PE2之上或之下。
一对偏光器(未图示)连在面板100和200的外表面上。两个偏光器的偏光轴可以交叉以便交叉的偏光器阻止光入射在LC层3上。可以省略一个偏光器。
将参考图3、4、5和6详细地描述位于LC面板组件内的像素电极，公共电极和滤色器的详细结构。
图3-5是根据本发明示范性实施例的位于LC面板组件内的像素电极，公共电极和滤色器的布局图，而图6是表示图3-5内所示子像素电极的子像素电极的平面图。
参考图3-5，根据本发明示范性实施例的LC面板组件的每个像素电极191包括彼此分开的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b，像素电极图示成用点划线围住。子像素电极191a和191b分别具有切口92a和92b，而公共电极CE(图2中图示)具有分别面向子像素电极191a和191b的多个切口71a和71b。红色滤色器230R，绿色滤色器230G，和蓝色滤色器230B在列方向沿着彼此相邻的像素电极191延伸。
形成像素电极191的第一和第二子像素电极191a和191b两者可以耦合到各个开关元件(未图示)。另一方面，第一子像素电极191a耦合到开关元件(未图示)，而第二子像素电极191b电容性地耦合到第一子像素电极191a。
子像素电极191a和191b基本上具有相同或相似的形状，而公共电极CE的切口71a和71b也基本上具有相同或相似的形状。图6图示了表示图3-5内所示子像素电极191a和191b的子像素电极193以及表示图3-5内所示切口71a和71b的切口70。
如图6中所示，子像素电极193具有一对弯曲边缘193o1和193o2以及一对横向边缘193t，并且具有人字形状。弯曲边缘193o1和193o2包括凸边缘193o1和凹边缘193o2，凸边缘193o1以钝角与横向边缘193t相交，例如约135度，凹边缘193o2以锐角与横向边缘193t相交，例如约45度。弯曲边缘193o1和193o2的弯曲角度约为直角，它们由一对倾斜边缘通过90度相交而形成。每个子像素电极193具有切口90，切口90从凹边缘193o2上的凹顶点CV向凸边缘193o1上的凸顶点VV延伸，并且到达子像素电极193的中心附近。
公共电极中的切口70包括具有弯曲点CP的弯曲部分70o，连接到弯曲部分70o的弯曲点CP的中心横向部分70t1，以及一对连接到弯曲部分70o末端的末端横向部分70t2。切口70的弯曲部分70o包括一对大约以直角相交的倾斜部分，基本上平行于子像素电极193的弯曲边缘193o1和193o2延伸，并且将子像素电极193平分成左右两半。切口70的中心横向部分70t1与弯曲部分70o成钝角，例如约135度，并且向子像素电极193的凸顶点VV延伸。末端横向部分70t2与子像素电极193的横向边缘193t对齐，并且与弯曲部分70o成钝角，例如约135度。
子像素电极193被切口70和90分成四个子区S1，S2，S3和S4。每个子区S1-S4具有两个由切口70的弯曲部分70o和子像素电极193的弯曲边缘193o确定的主边缘。主边缘之间的距离，即每个子区S1-S4的宽度，可以等于约20-35微米。
子像素电极193和切口70关于称为中心横线的虚直线具有反对称性(inversion symmetry)，该虚直线连接子像素电极193的凸顶点VV和凹顶点CV。
参考图6，子像素电极193的横向边缘193t的长度L称为子像素电极193的长度，而子像素电极193的两个横向边缘193t之间的距离H称为子像素电极193的高度。在图3-5中，第一子像素电极191a的长度基本上等于第二子像素电极191b的长度，而第二子像素电极191b的高度约为第一子像素电极191a的高度的两倍。因此，第二子像素电极191b的面积约为第一子像素电极191a的面积的两倍。
如图3-5中所示，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b在行方向和列方向交替排列。然而，子像素电极191a和191b的凸性和凹性在行方向是固定的，而子像素电极191a和191b的凸性和凹性在列方向是交替反向的。例如，图3-5中所示的两行中的上行包括具有左凸边缘和右凹边缘的子像素电极191a和191b，而两行中的下行包括具有左凹边缘和右凸边缘的子像素电极191a和191b。要注意，位于相邻行内的第二子像素电极191b具有接触边缘或部分。
关于子像素电极191a和191b在行方向的排列，第一子像素电极191a的中心横线与第二子像素电极191b的中心横线重合。另外，第一子像素电极191a的凸边缘与第二子像素电极191b的凹边缘相邻，而第一子像素电极191a的凹边缘与第二子像素电极191b的凸边缘相邻。关于在列方向的排列，第一子像素电极191a的凸边缘连接到第二子像素电极191b的凹边缘，而第一子像素电极191a的凹边缘连接到第二子像素电极191b的凸边缘。
图3和4中所示的每个像素电极191的第一和第二子像素电极191a和191b在行方向彼此相邻，而图5中所示的每个像素电极191的第一和第二子像素电极191a和191b在列方向彼此相邻。
参考图3，每个像素电极191内的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的相对位置在相邻两行之间是反向的。例如，图3中所示的两行中的上行内的每个像素电极191的第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的右侧，而图3中所示的两行中的下行内的每个像素电极191的第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的左侧。
相反，图4中所示的每个像素电极191内的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的相对位置在所有行中都是相同的。例如，图4中所示的所有行内的每个像素电极191的第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的右侧。然而，第一子像素电极191a可以布置到第二子像素电极191b的左侧。在这个排列中，在列方向相邻的像素电极191形成比图3中所示的线更直的线。
在图5中所示的排列中，每个像素电极191内的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的相对(列向)位置在相邻两行内是反向的。例如，在图5所示的四列之中的最左列内的像素电极191中，第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的下面，而次左列内的像素电极191的第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的上面。图5中所示的滤色器230R，230G和230B的宽度是图3和4中所示的宽度的一半。
在上述排列中，面积比约为1∶2的第一和第二子像素电极191a和191b得到很好地组织而没有浪费空间。图3和4中所示的排列可以适合于大像素尺寸显示装置，例如，大于约32”的大显示装置，尤其是约40”的电视机。相反，图5中所示的排列可以适合于小像素尺寸显示装置，例如，17”或19”的监视器等。
同时，由于滤色器230R，230G和230B沿列向几乎直着延伸，因此可能容易显示单色线。具体地，图4中所示的每列内的像素电极191形成更直的线以便更有利于显示纵线。
另外，滤色器230R，230G和230B具有相等的面积以便有助于色彩平衡。
而且，每个像素电极191只弯曲一次，与弯曲两次或多次的像素电极相比，提供增大的开口率。
再参考图1，灰度电压发生器800产生多个与像素PX的光透射率相关的灰度电压。然而，灰度电压发生器800可以只产生规定数量的灰度电压，称为基准灰度电压，而不是产生所有的灰度电压。
栅极驱动器400连接到面板组件300的栅线，并且合成来自外部装置的栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff以便产生施加给栅线的栅信号Vg。
数据驱动器500连接到面板组件300的数据线，并且将数据电压Vd施加给数据线，数据电压Vd从由灰度电压发生器800提供的灰度电压中选择。然而，当灰度电压发生器800产生基准灰度电压时，通过分割基准灰度电压和从产生的灰度电压中选择数据电压Vd，数据驱动器500可以为所有灰度电压产生灰度电压。
信号控制器600控制栅极驱动器400和数据驱动器500等。
每个驱动和处理单元400，500，600和800可以包括至少一个集成电路(IC)芯片，IC芯片安装在LC面板组件300上或处于带载封装(TCP)装置内的柔性印刷电路(FPC)膜上，这些驱动和处理单元连接到面板组件300上。作为选择，驱动和处理单元400，500，600和800中至少一个可以与信号线和开关元件一起集成在面板组件300内。作为选择，所有驱动和处理单元400，500，600和800可以集成在单个IC芯片内，但是至少一个驱动和处理单元400，500，600和800或者至少一个驱动和处理单元400，500，600和800内的至少一个电路元件可以布置在单个IC芯片上。
现在，将详细描述上述LCD的操作。
给信号控制器600提供输入图像信号R，G和B以及输入控制信号，以便控制来自外部图形控制器(未图示)的图像显示。输入图像信号R，G和B包含每个像素PX的亮度信息，亮度具有预定数量的灰度，例如1024(＝210)，256(＝28)或64(＝26)。输入控制信号包括垂直同步信号Vsync，水平同步信号Hsync，主时钟MCLK和数据使能信号DE，等。
产生栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2，并根据输入控制信号和输入图像信号R，G和B处理适合于面板组件300和数据驱动器500操作的输入图像信号R，G和B之后，信号控制器600将栅极控制信号CONT1传输给栅极驱动器400，并且将处理的图像信号DAT和数据控制信号CONT2传输给数据驱动器500。输出图像信号DAT是具有预定数量值或灰度的数字信号。
栅极控制信号CONT1包括用于指示扫描开始的扫描开始信号STV和用于控制栅极导通电压Von的输出时间的至少一个时钟信号。栅极控制信号CONT1还可以包括输出使能信号OE，用于确定栅极导通电压Von的持续时间。
数据控制信号CONT2包括用于通知一组子像素的数据传输开始的水平同步启动信号STH，用于指示将数据电压施加到面板组件300的负载信号LOAD，以及数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还可以包括反相信号RVS，用于关于公共电压Vcom反转数据电压的极性。
响应来自信号控制器600的数据控制信号CONT2，数据驱动器500从信号控制器600接收用于这组子像素的图像信号DAT的信息包。数据驱动器500将图像信号DAT转换成从由灰度电压发生器800提供的灰度电压中选择的模拟数据信号，并且将数据信号施加给数据线。
响应来自信号控制器600的栅极控制信号CONT1，栅极驱动器400将栅极导通电压Von施加给栅线，从而导通连接到栅线的开关元件。通过启动的开关元件将施加给数据线的数据电压提供给子像素。
参考图3-5，当形成像素电极191的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b耦合到各个开关元件时，即，当每个子像素包括它自己的开关元件时，在不同时间通过相同数据线或者在相同时间通过不同数据线可以给这两个子像素提供各自的数据电压。然而，当第一子像素电极191a耦合到开关元件(未图示)和第二子像素电极191b电容性地耦合到第一子像素电极191a时，可以通过开关元件直接给包括第一子像素电极191a的一个子像素电极提供数据电压，而包括第二子像素电极191b的另一子像素可以具有根据第一子像素电极191a的电压而变化的电压。此时，相对于公共电压，具有相对小面积的第一子像素电极191a的电压优选地大于具有相对大面积的第二子像素电极191b。
另一方面，在用相同的电压给两个子像素电极191a和191b充电之后，通过使用存储电容器(未图示)等，子像素电极191a和191b的电压可以相互区分开。
当在LC电容器Clc1/Clc2的两端子之间产生电压差时，在LC层3内产生基本上垂直于面板100和200表面的主电场，像素电极191，PE和公共电极CE通常都称为场产生电极。LC电容器Clc1/Clc2内的LC分子倾向于响应于电场而改变它们的定向，从而使它们的长轴可以垂直于电场方向。分子定向确定穿过LC层3的光的偏振。偏光器将光偏振转换成光透射率，以便像素PX显示由图像信号DAT表示的亮度。
LC分子的倾角依赖于电场强度。由于LC电容器Clc1和Clc2的电压彼此不同，子像素内的LC分子的倾角彼此不同，因此两个子像素的亮度不同。从而，两个子像素的电压可以进行调节以便从侧面观察的图像最接近从正面观察的图像，即，侧面伽马曲线最接近正面伽马曲线，从而提高侧面可见度。
另外，相对于公共电压Vcom，电压高于第二子像素电极191b的第一子像素电极191a的面积可以小于第二子像素电极191b的面积，从而使侧面伽马曲线进一步接近正面伽马曲线。具体地，当第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的面积比约等于1∶2时，侧面伽马曲线进一步接近正面伽马曲线以便进一步提高侧面可见度。
首先由水平电场分量来确定LC分子的倾斜方向。水平电场分量由场产生电极191和270CE的切口71a，71b，92a和92b以及子像素电极191a和191b的边缘产生，它们扭曲主电场。水平电场分量基本上垂直于切口71a，71b，92a、92b的边缘以及第一和第二子像素电极191a和191b的边缘。
参考图3-5，由于由一组切口71a，71b，92a，92b分成的每个子区上的LC分子倾斜成垂直于子区的主边缘，倾斜方向的方位分布定位成四个方向，从而增加LCD的基准视角。
如上所述，子区的宽度，即公共电极CE的切口的弯曲部分和子像素电极191a，191b的弯曲边缘之间的距离，优选为等于约20-35微米，以便能适当地使用主电场的水平分量和能减少由切口71a，71b，92a，92b引起的开口率降低。
由相邻子像素电极191a和191b之间的电压差而产生的次电场的方向垂直于子区的主边缘。因此，次电场的电场方向与主电场的水平分量的方向一致。因此，相邻子像素电极191a和191b之间的次电场增强LC分子的倾斜方向的确定。
通过以水平周期为单位重复这个程序，给所有像素PX提供数据电压，单位水平周期用“1H”表示，并且等于水平同步信号Hsync或数据使能信号DE的一个周期。
当一帧完成之后下一帧开始时，施加给数据驱动器500的反相控制信号RVS受到控制，以便反转数据电压的极性，这称为“帧反相”。反相控制信号RVS也可以受到控制，以便数据线内流动的数据信号的极性在一帧期间周期性地反转，例如，行反相和点反相，或者一个信息包内的数据信号的极性反转，例如，列反相和点反相。
LC电容器Clc1或Clc2上的电压迫使LC层3内的LC分子再定向成与电压对应的稳定状态，由于LC分子的响应时间慢，因此LC分子的重定向要花费时间。在LC电容器Clc1或Clc2上的电压施加还保持的情况下，LC分子继续再定向它们自己来改变光透射率或亮度，直到它们达到稳定状态。当LC分子达到稳定状态并停止再定向时，光透射率变成固定的。
当这种稳定状态下的像素电压称为目标像素电压和这种稳定状态下的光透射率称为目标光透射率时，目标像素电压和目标光透射率具有一对一的对应性。
由于导通每个像素PX的开关元件以把数据电压施加给像素的时间受到限制，像素PX内的LC分子在数据电压施加期间难以达到稳定状态。然而，即使开关元件截止，LC电容器Clc1或Clc2上的电压还存在，因此LC分子继续再定向以便LC电容器Clc1或Clc2的电容变化。忽略漏电流，当开关元件截止时，因为LC电容器Clc1或Clc2的一端浮置，存储在LC电容器Clc1或Clc2内的电荷总量保持恒定。因此，LC电容器Clc1或Clc2的电容变化导致LC电容器Clc1或Clc2的电压，即像素电压变化。
因此，当给像素PX提供相当于目标像素电压的数据电压时，在稳定状态下进行确定的目标像素电压在下文中称为“目标数据电压”，像素PX的实际像素电压可能与目标像素电压不同，从而像素PX可能达不到相应的目标光透射率。目标透射率与子像素最初具有的光透射率越不同，实际像素电压就与目标像素电压越不同。
因此，要求施加给像素PX的数据电压高于或低于目标数据电压，例如，这能通过DCC(动态电容补偿)来实现。
可以由信号控制器600或单独图像信号修正器执行的DCC修正子像素的帧的图像信号，下文中称为“当前图像信号”，以便根据子像素紧接的前一帧的图像信号，下文中称为“前一图像信号”，产生修正的当前图像信号，下文中称为“修正(当前)图像信号”。修正图像信号基本上是通过试验获得，而修正的当前图像信号和前一图像信号之差通常大于修正之前的当前图像信号和前一图像信号之差。然而，在当前图像信号和前一图像信号彼此相等或者它们之差小时，修正图像信号可以等于当前图像信号，即，可以不修正当前图像信号。
这样，由数据驱动器500施加给子像素的数据电压高于或低于目标数据电压。
然而，通过上述方法不能获得目标透射率。在这种情况下，将预定电压，在下文中称为预倾斜电压，预先施加给子像素来预倾斜LC分子，然后给子像素施加主电压。
为此，考虑到下一帧图像信号，在下文中称为“下一图像信号”，以及前一图像信号，信号控制器600或图像信号修正器修正当前图像信号。例如，如果下一图像信号与当前图像信号很不同，即使当前图像信号等于前一图像信号，也要修正当前图像信号来准备下一帧。
对于最高灰度或最低灰度而言，可以执行或可以不执行图像信号和数据电压的修正。为了修正最高灰度或最低灰度，与获得目标亮度或目标透射率范围而需要的目标数据电压范围相比，由灰度电压发生器800产生的灰度电压范围可以变宽，目标亮度或目标透射率用图像信号的灰度来表示。
现在，将参考图7、8、9、10、11、12、13、14、15、16和17以及图1-4详细地描述根据本发明示范性实施例的LC面板组件的结构。
图7是根据本发明示范性实施例的信号线和像素的等效电路图。
图7中所示的LC面板组件包括多根信号线和连接到信号线的多个像素PX。信号线包括多对栅线GLa和GLb，多根数据线DL，以及多根存储电极线SL，存储电极线SL基本上平行于栅线GLa和GLb延伸。
每个像素PX包括一对子像素PXa和PXb。每个子像素PXa/PXb包括开关元件Qa/Qb，LC电容器Clca/Clcb，以及存储电容器Csta/Cstb，开关元件Qa/Qb连接到栅线GLa，GLb之一和数据线DL之一，LC电容器Clca/Clcb耦合到开关元件Qa/Qb，存储电容器Csta/Cstb连接在开关元件Qa/Qb和存储电极线SL之间。
开关元件Qa/Qb，例如薄膜晶体管(TFT)，提供在下面板100上并且具有三个端子：连接到栅线GLa/GLb的控制端；连接到数据线DL的输入端；以及连接到LC电容器Clca/Clcb和存储电容器Csta/Cstb的输出端。
存储电容器Csta/Cstb是LC电容器Clca/Clcb的辅助电容器。存储电容器Csta/Cstb包括子像素电极和独立信号线，独立信号线提供在下面板100上，经由绝缘体与子像素电极重叠，并且被供应预定电压，例如公共电压Vcom。作为选择，存储电容器Csta/Cstb包括子像素电极和相邻栅线，相邻栅线称为前一栅线，其经由绝缘体与子像素电极重叠。
由于在上面参考图2描述了LC电容器Clca/Clcb等等，将省略它们的详细描述。
在图7所示的LCD中，信号控制器600接收输入图像信号R、G和B，并且将用于每个像素PX的输入图像信号R、G和B转换成用于两个子像素PXa和PXb的一对输出图像信号DAT，以便提供给数据驱动器500。另外，灰度电压发生器800为各个子像素PXa和PXb产生一对灰度电压组。两组灰度电压由灰度电压发生器800交替地提供给数据驱动器500，或者由数据驱动器500交替地选择，从而给两个子像素PXa和PXb提供不同的电压。
此时，优选地确定转换的输出图像信号值和每组内的灰度电压值，以便从正面看两个子像素PXa和PXb的伽马曲线的合成接近基准伽马曲线。例如，从正面看的合成伽马曲线与从正面看的最适当基准伽马曲线一致，而从侧面看的合成伽马曲线与从正面看的基准伽马曲线最相似。
将参考图8-11详细地描述根据本发明示范性实施例的图8中所示LC面板组件的实例。
图8是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的下面板的布局图，图9是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的上面板的布局图，图10是包括图8内所示下面板和图9内所示上面板的LC面板组件的布局图，而图11是图10内所示LC面板组件沿着线XI-XI的示范性剖视图。
参考图8-11，根据本发明示范性实施例的LC面板组件包括下面板100，面向下面板100的上面板200，以及夹置在面板100和200之间的液晶层3。
首先，将参考图8，10和11描述下面板100。
包括多对第一和第二栅线121a和121b以及多根存储电极线131的多个栅极导体形成在绝缘基板110上，例如透明玻璃或塑料。
栅线121a和121b传输栅极信号，基本上沿横向延伸，并且分别布置在相对上和下位置。
每根第一栅线121a包括多个第一栅电极124a和端部129a，第一栅电极124a向下凸出，端部129a具有大面积以便与另一层接触或与外部驱动电路连接。每根第二栅线121b包括多个向上凸出的第二栅电极124b和端部129b，端部129b具有大面积以便与另一层接触或与外部驱动电路连接。第一和第二栅线121a和121b可以延伸以便连接到栅极驱动器400，栅极驱动器400可以集成在基板110上。
存储电极线131被提供预定电压，例如公共电压Vcom，并且基本上平行于第一和第二栅线121a和121b延伸。每根存储电极线131布置在第一和第二栅线121a和121b之间，它离第一栅线121a和第二栅线121b几乎等距离。存储电极线131可以具有各种形状和排列。例如，每根存储电极线131可以包括多个向上和向下扩展的扩展体。
第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131可以由含铝金属，例如铝和铝合金，含银金属，例如银和银合金，含铜金属，例如铜和铜合金，含钼金属，例如钼和钼合金，铬，钽或钛制成。然而，它们可以具有多层结构，包括具有不同物理特性的两层导电膜(未图示)。两层膜之一可以由低电阻率金属制成，包括含铝金属，含银金属和含铜金属，以便减少信号延迟或电压降落。另一层膜可以由这种材料制成，例如含钼金属，铬，钽或钛，这种材料与其他材料，例如氧化锡铟(ITO)或氧化锌铟(IZO)，具有良好的物理，化学和电接触特性。两层膜组合的实例是下铬膜和上铝(合金)膜以及下铝(合金)膜和上钼(合金)膜。然而，第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131可以由各种金属或导体制成。
第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131的侧面相对于基板表面倾斜，它们的倾角范围约为30-80度。
可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成在第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131上。
可以由氢化非晶硅(缩写成“a-Si”)或多晶硅制成的多个第一和第二半导体岛154a和154b形成在栅极绝缘层140上。第一/第二半导体岛154a/154b布置在第一/第二栅电极124a/124b上。
多对欧姆接触岛163b和165b形成在半导体岛154b上，而多对欧姆接触岛(未图示)形成在半导体岛154a上。欧姆接触岛163b和165b可以由重掺杂n型杂质例如磷的n+氢化a-Si制成，或者它们可以由硅化物制成。
半导体岛154a和154b以及欧姆接触岛163b和165b的侧面相对于基板110的表面倾斜，它们的倾角可以在约30-80度范围内。
包括多根数据线171以及多对第一和第二漏电极175a和175b的多个数据导体形成在欧姆触163b，165b和栅极绝缘层140上。
数据线171传输数据信号，并且基本上沿纵向延伸以与第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131交叉。在与存储电极线131的交叉点附近，每根数据线171包括多个向左或向右凸出的弯曲部分。每个弯曲部分包括一对倾斜部分，这对倾斜部分彼此连接以形成人字形，并且与栅线121成约45度角。
每根数据线171包括多个第一和第二源电极173a和173b以及端部179，第一和第二源电极173a和173b分别向第一和第二栅电极124a和124b凸出，而端部179具有大面积以便与另一层接触或与外部驱动电路连接。数据线171可以延伸以便连接到数据驱动器500，数据驱动器500可以集成在基板110上。
第一和第二漏电极175a和175b彼此分开并且与数据线171分开。第一/第二漏电极175a/175b布置成关于第一/第二栅电极124a/124b与第一/第二源电极173a/173b相对。每个第一/第二漏电极175a/175b包括宽端部177a/177b和窄端部。宽端部177a/177b与存储电极线131交叠，且窄端部由第一/第二源电极173a/173b部分围绕。
第一/第二栅电极124a/124b，第一/第二源电极173a/173b和第一/第二漏电极175a/175b与第一/第二半导体岛154a/154b一起形成第一/第二TFTQa/Qb，第一/第二TFT Qa/Qb具有形成在第一/第二半导体岛154a/154b内的沟道，第一/第二半导体岛154a/154b布置在第一/第二源电极173a/173b和第一/第二漏电极175a/175b之间。
数据导体171，175a和175b可以由难熔金属制成，例如铬，钼，钽，钛及其合金。然而，它们可以具有包括难熔金属膜(未图示)和低电阻率膜(未图示)的多层结构。多层结构的良好实例是包括下铬/钼(合金)膜和上铝(合金)膜的双层结构，以及下钼(合金)膜，中铝(合金)膜和上钼(合金)膜的三层结构。然而，数据导体171、175a和175b可以由各种金属或导体制成。
数据导体171，175a和175b具有倾斜边缘轮廓，它们的倾角范围约为30-80度。
欧姆接触163b和165b只夹置在位于其下的半导体岛154a，154b和位于其上的数据导体171，175a，175b之间，并且减少它们之间的接触电阻。半导体岛154a和154b包括一些暴露部分，这些暴露部分没有被数据导体171，175a和175b覆盖，例如位于源电极173和漏电极175a，175b之间的部分。
钝化层180形成在数据导体171，175a和175b上以及半导体岛154a和154b的暴露部分上。钝化层180可以由无机或有机绝缘体制成，并且它可以具有平顶面。无机绝缘体的实例包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以具有光敏性和小于约4.0的介电常数。钝化层180可以包括无机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜，以便它提供有机绝缘体的优良的绝缘特性，同时防止半导体岛154a和154b的暴露部分受到有机绝缘体的损害。
钝化层180具有分别暴露数据线171的端部179、以及第一漏电极175a和第二漏电极175b的多个接触孔182，185a和185b。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅线121a和121b的端部129a和129b的多个接触孔181a和181b。
多个像素电极191以及多个接触辅助81a、81b和82形成在钝化层180上。它们可以由透明导体例如ITO或IZO或者反射导体例如银，铝，铬或其合金制成。
像素电极191具有图3中所示的结构，每个像素电极191包括一对子像素电极191a和191b。子像素电极191a和191b包括切口92a和92b。
数据线171，具体地，数据线171的弯曲部分沿着像素电极191的某些弯曲边缘延伸。因此，在数据线171和子像素电极191a，191b之间产生的电场具有基本上平行于主电场水平分量的水平分量，以便LC分子的倾斜方向确定得到增强。另外，开口率得到增加。
存储电极线131，漏电极175a和175b的扩展体177a和177b，以及接触孔185a和185b位于连接子像素电极191a和191b的弯曲部分的直线上。连接子像素电极191a和191b的弯曲部分的直线形成上述子区的边界，因此这种构造能覆盖可能由子区边界附近的LC分子的无序产生的纹理，从而提高开口率。
由于上面参考图3描述了像素191的其他特征，将省略它们的详细描述。
第一/第二子像素电极191a/191b通过接触孔185a/185b物理和电连接到第一/第二漏电极175a/175b，以便第一/第二子像素电极191a/191b从第一/第二漏电极175a/175b接收数据电压。第一/第二子像素电极191a/191b和公共电极270形成第一/第二LC电容器Clca/Clcb，LC电容器Clca/Clcb在TFT截止之后存储施加的电压。
通过使连接到第一/第二子像素电极191a/191b的第一/第二漏电极175a/175b的扩展体177a/177b与存储电极线131重叠，形成用于增强电荷存储容量的第一/第二存储电容器Csta/Cstb。
接触辅助81a，81b和82通过接触孔181a，181b和182分别连接到栅线121a和121b的端部129a和129b以及数据线171的端部179。接触辅助81a、81b和82保护端部129a，129b和179，增强端部129a，129b和179与外部设备之间的粘附性。
下面参考图9-11描述上面板200。
称为黑色矩阵的阻光件220形成在例如透明玻璃或塑料的绝缘基板210上。阻光件220包括多个线性部分和多个加宽部分，线性部分面向位于下面板100上的像素电极191的边界，而加宽部分面向位于下面板100上的TFTQa和Qb。阻光件220阻止像素电极191和TFT Qa，Qb附近的光泄漏，并且可以具有各种形状。
多个滤色器230也形成在基板210和阻光件220上。滤色器230基本上布置在由阻光件220围绕的区域内，并且滤色器230可以大致沿着像素电极191纵向延伸。每个滤色器230R表示三原色之一，例如红色，绿色和蓝色。
覆盖层250形成在滤色器230和阻光件220上。覆盖层250可以由(有机)绝缘体制成，它防止滤色器230暴露并且提供平坦表面。覆盖层250可以省略。
公共电极270形成在覆盖层250上。公共电极270可以由透明导电材料制成，例如ITO或者IZO，并且具有上面参考图3所述的多组切口71a和71b。
切口71a和71b的数量可以根据设计因素而变化，阻光件220也可以重叠切口71a和71b来阻止光穿过切口71a和71b而泄漏。
将可以为同型的对准层11和21涂覆在面板100和200的内表面上。
偏光器12和22提供在面板100和200的外表面上，以便它们的偏光轴可以交叉，偏光轴可以与子像素电极191a和191b的弯曲边缘成约45度角，用于增加光效率。当LCD是反射型LCD时，可以省略偏光器12和22之一。
LCD还可以包括至少一层延迟膜(未图示)，用于补偿LC层3的延迟。LCD还可以包括背光单元(未图示)，通过偏光器12和22，延迟膜，以及面板100和200给LC层3提供光。
优选地，LC层3具有负介电各向异性，并且被进行垂直排列。
可以修改切口71a，71b，92a和92b的形状和排列。
至少切口71a，71b，92a和92b之一能用凸出(未图示)或凹进(未图示)来代替。凸出可以由有机或无机材料制成，并且布置在场产生电极191或270之上或之下。
将参考图12详细地描述图10内所示的LC面板组件的另一实例。
图12是图10内所示LC面板组件沿着线XI-XI的另一示范性剖视图。
参考图12，根据本实施例的LC面板组件包括下面板100，面向下面板100的上面板200，LC层3，以及一对偏光器12和22。
根据本实施例的LC面板组件的层状结构类似于图11中所示的结构。
关于下面板100，包括多根第一和第二栅线121a和121b以及多根存储电极线131的栅极导体形成在基板110上。第一和第二栅线121a和121b分别包括第一和第二栅电极124a和124b以及端部129a和129b。栅极绝缘层140，多个半导体岛154a和154b，以及多个欧姆接触163b和165b按顺序形成在第一和第二栅线121a，121b以及存储电极线131上。包括多根数据线171以及多个第一和第二漏电极175a和175b的数据导体形成在欧姆接触163b，165b和栅极绝缘层140上。数据线171包括第一和第二源极电极173a和173b以及端部179，而漏电极175a和175b包括宽端部177a和177b。钝化层180形成在数据导体171、175a和175b，栅极绝缘层140，以及半导体岛154a和154b的暴露部分上。将多个接触孔181a，181b，182，185a和185b提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。包括子像素电极191a和191b并具有切口92a和92b的多个像素电极191以及多个接触辅助81a，81b和82形成在钝化层180上，并且将对准层11涂覆在其上。
关于上面板200，阻光件220，覆盖层250，具有多个切口71a和71b的公共电极270，以及对准层21形成在绝缘基板210上。
与图11中所示的LC面板组件不同，图12中所示的下面板100包括多个布置在钝化层180之下的滤色器230，而上面板200没有滤色器。
滤色器230沿纵向延伸，同时周期性地弯曲，并且不提供在外围区域内，其中第一和第二栅线121a和121b的端部129a和129b以及数据线171的端部179布置在外围区域内。滤色器230具有比接触孔185a更大的通孔235，以便接触孔185a可以穿过通孔235。
相邻滤色器230可以在像素电极191的边界附近相互重叠以阻止它们之间的任何光泄漏，这样所起的作用和阻光件220一样。在这种情况下，可以省略布置在上面板200上的阻光件220以简化制造工艺。
另一钝化层(未图示)可以形成在滤色器230之下。
可以省略上面板200上的覆盖层250。
图11中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图12中所示的LC面板组件。
将参考图13，14，15和16详细地描述图7内所示的LC面板组件的另一实例。
图13是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的下面板的布局图，图14是根据本发明另一实施例的LC面板组件的上面板的布局图，图15是包括图13内所示下面板和图14内所示上面板的LC面板组件的布局图，而图16是图15内所示LC面板组件沿着线XVI-XVI’-XVI”的剖视图。
参考图13-16，根据本示范性实施例的LC面板组件包括下面板100，面向下面板100的上面板200，LC层3，以及一对偏光器12和22。
根据本实施例的LC面板组件的层状结构类似于图8-11中所示的结构。
关于下面板100，包括多根第一和第二栅线121a和121b以及多根存储电极线131的栅极导体形成在基板110上。第一和第二栅线121a和121b分别包括第一和第二栅电极124a和124b以及端部129a和129b。栅极绝缘层140，多个半导体元件154a和154b，以及多个欧姆接触163b和165b按顺序形成在第一和第二栅线121a，121b以及存储电极线131上。包括多根数据线171以及多个第一和第二漏电极175a和175b的数据导体形成在欧姆接触163b和165b上。数据线171包括第一和第二源极电极173a和173b以及端部179，而漏电极175a和175b包括宽端部177a和177b。钝化层180形成在数据导体171、175a和175b，栅极绝缘层140，以及半导体元件154a和154b的暴露部分上。将多个接触孔181a，181b，182，185a和185b提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。包括子像素电极191a和191b并具有切口92a和92b的多个像素电极191以及多个接触辅助81a，81b和82形成在钝化层180上，并且对准层11形成在其上。
关于上面板200，阻光件220、多个滤色器230、覆盖层250、具有多个切口71a和71b的公共电极270、以及对准层21形成在绝缘基板210上。
与图8-11中所示的LC面板组件不同，像素电极191和子像素电极191a和191b的排列与图4中所示的排列基本上相同。如上所述，图3中所示沿列向相邻的像素电极191形成比图3中所示的线更直的线，因此，与图8-11中所示的构造相比，图13-16中所示的构造更有利于显示纵长的线。
数据线大约穿过第一或第二子像素电极191a或191b的中心。具体地，数据线171的弯曲部分交叠公共电极270的切口71a和71b，而不是沿像素电极191的边界延伸，与数据线171沿像素电极191的边界延伸的情况相比，这种构造也给出基本上相同的优点。
第一/第二TFT Qa/Qb布置在数据线171的右侧/左侧。与图8-12中所示的构造相比，这种构造缩短了第二漏电极175b的长度，以便进一步增加开口率。
另外，半导体元件154a和154b沿着数据线171和漏极175a，175b延伸以形成半导体条151，而欧姆接触163b沿着数据线171延伸以形成欧姆接触条161。半导体条151具有几乎与数据导体171，175a和175b以及下面的欧姆接触161和165b相同的平面形状。
根据本发明示范性实施例的下面板的制造方法使用一个光刻工艺同时形成数据导体171、175a和175b、半导体元件151、以及欧姆接触161a和165b。
用于光刻工艺的光致抗蚀剂图案具有随位置变化的厚度，具体地，它具有厚度减少的第一和第二部分。第一部分位于将由数据导体171，175a和175b占据的布线区上，而第二部分位于TFT Qa/Qb的沟道区上。
通过几种技术，例如，通过在曝光掩模上提供半透明区域以及透光透明区域和阻光不透明区域，获得光致抗蚀剂随位置变化的厚度。半透明区域可以具有缝隙图案，网格图案或者带有中等透射率或中等厚度的薄膜。当使用缝隙图案时，优选地，缝隙宽度或缝隙间距小于光刻中使用的曝光器的分辨率。另一实例是使用可回流光致抗蚀剂。详细地，一旦通过使用带有透明区域和不透明区域的普通曝光掩模形成由可回流材料制成的光致抗蚀剂图案，它被进行回流处理以在无光致抗蚀剂的区域上流动，从而形成薄的部分。
结果，通过省略光刻步骤简化了制造工艺。
图8-11中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图13-16中所示的LC面板组件。
将参考图17和18以及图1，2和4详细地描述依据本发明示范性实施例的LC面板组件的结构。
图17是根据本发明示范性实施例的信号线和像素的等效电路图。
图17中所示的LC面板组件包括多根信号线和连接到信号线的多个像素PX。信号线包括多根栅线GL、多对数据线DLa和DLb、以及多根存储电极线SL。
每个像素PX包括一对子像素PXc和PXd。每个子像素PXc/PXd包括开关元件Qc/Qd，LC电容器Clcc/Clcd和存储电容器Cstc/Cstd，开关元件Qc/Qd连接到栅线GL之一以及数据线DLa和DLb之一，LC电容器Clcc/Clcd耦合到开关元件Qc/Qd，存储电容器Cstc/Cstd连接在开关元件Qc/Qd和存储电极线SL之间。
开关元件Qc/Qd，例如薄膜晶体管(TFT)，提供在下面板100上并且具有三个端子：连接到栅线GL的控制端；连接到数据线DLa/DLb的输入端；以及连接到LC电容器Clcc/Clcd的输出端。
由于LC电容器Clcc/Clcd、存储电容器Cstc和Cstd、以及包括图17等中所示的面板组件的LCD的操作基本上与上述相同，将省略它们的详细描述。
然而，要注意，与图7中所示的不同，同时给图17中所示形成像素PX的两个子像素PXc和PXd提供数据电压。
将参考图18详细地描述依据本发明示范性实施例的图17中所示LC面板组件的实例。
图18是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的布局图。
参考图18，根据本发明示范性实施例的LC面板组件包括下面板(未图示)，面向下面板的上面板(未图示)，以及LC层(未图示)。
根据本实施例的LC面板组件的层状结构与图13-16中所示的结构几乎相同。
关于下面板，包括多根栅线121和多根存储电极线131的栅极导体形成在基板(未图示)上。每根栅线121包括第一和第二栅电极124c和124d以及端部129。栅极绝缘层(未图示)形成在栅极导体121和存储电极线131上，而多对半导体岛154c和154d形成在栅极绝缘层上。多个欧姆接触(未图示)形成在半导体岛154c和154d上。包括多对第一和第二数据线171a和171b以及多对第一和第二漏电极175c和175d的数据导体形成在欧姆接触和栅极绝缘层上。每根第一/第二数据线171a/171b包括多个第一/第二源电极173c/173d以及端部179a/179b。每个第一/第二漏电极175c/175d包括宽端部177c/177d。钝化层(未图示)形成在数据导体171a、171b、175c和175d、栅极绝缘层、以及半导体岛154c和154d的暴露部分上。将多个接触孔181，182a，182b，185c和185d提供在钝化层和栅极绝缘层上。包括第一和第二子像素电极191c和191d的像素电极191以及多个接触辅助81，82a和82b形成在钝化层上。第一子像素电极191c具有切口92c，而第二子像素电极191d具有切口92d。对准层(未图示)形成在像素电极191和钝化层上。
关于上面板，阻光件(未图示)，滤色器(未图示)、覆盖层(未图示)、具有多个切口71c和71d的公共电极(未图示)、以及对准层(未图示)形成在绝缘基板(未图示)上。
然而，图18中所示的LC面板组件内栅线121的数量是图13-16中所示的LC面板组件内栅线数量的一半，而图18中所示的LC面板组件内数据线171a和171b的数量是图13-16中所示的LC面板组件内数据线数量的两倍。而且，耦合到形成像素电极191的第一和第二子像素电极191c和191d的第一和第二TFT Qc和Qd连接到同一栅线121和不同的数据线171a，171b。
数据线171a和171b的弯曲部分布置在第一子像素电极191c和第二子像素电极191d之间的边界附近。第一和第二TFT Qc和Qd分别布置在第一和第二数据线171a和171b的左侧。
图13-16中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图18中所示的LC面板组件。
将参考图19，20，21，22和23以及图1-3详细地描述根据本发明示范性实施例的LC面板组件的结构。
图19是根据本发明示范性实施例的信号线和像素PX的等效电路图。
图19中所示的LC面板组件包括多根信号线和连接到信号线的多个像素PX。信号线包括多根栅线GL和多根数据线DL。
每个像素PX包括一对第一和第二子像素PXe和PXf以及连接在第一子像素PXe和第二子像素PXf之间的耦合电容器Ccp。
第一子像素PXe包括开关元件Q、第一LC电容器Clce、以及存储电容器Cste，开关元件Q连接到栅线GL之一和数据线DL之一，第一LC电容器Clce耦合到开关元件Q，存储电容器Cste连接到开关元件Q。第二子像素PXf包括耦合到耦合电容器Ccp的第二LC电容器Clcb。
开关元件Q，例如薄膜晶体管(TFT)，提供在下面板100上并且具有三个端子：连接到栅线GL的控制端；连接到数据线DL的输入端；以及连接到LC电容器Clce、存储电容器Cste、以及耦合电容器Ccp的输出端。
响应从栅线GL到第一LC电容器Clce和耦合电容器Ccp的栅极信号，开关元件Q传输来自数据线DL的数据电压，而耦合电容器Ccp转换数据电压的幅度并提供给第二LC电容器Clcf。
假设给存储电容器Cste和电容器Clce，Cste，Clcf或Ccp施加公共电压Vcom，它们的电容用相同数字表示，则存储在第一LC电容器Clce内的电压Ve和存储在第二LC电容器Clcf内的电压Vf满足：
Vf＝Ve×[Ccp/(Ccp+Clcf)]
由于Ccp/(Ccp+Clcf)小于1，存储在第二LC电容器Clcf内的电压Vf小于存储在第一LC电容器Clce内的电压Ve。即使施加给存储电容器Cste的电压不是公共电压Vcom，也满足这个关系式。
通过调节耦合电容器Ccp的电容，能获得电压Ve和Vf的期望比率。
将参考图20和21详细地描述根据本发明示范性实施例的图19中所示LC面板组件实例。
图20是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的布局图，而图21是图20内所示LC面板组件沿着线XXI-XXI的剖视图。
LC面板组件包括下面板100、面向下面板100的上面板200、液晶层3、以及一对偏光器12和22。
根据这些实施例的LC面板组件的层状结构与图8-11中所示的结构几乎相同。
关于下面板100，多根栅线121和多根存储电极线131形成在基板110上。每根栅线121包括多个栅电极124和端部129。栅极绝缘层140、多个半导体岛154、以及多对欧姆接触163和165按顺序形成在栅线121上。包括多根数据线171和多个漏电极175的数据导体形成在欧姆接触163、165和栅极绝缘层140上。每根数据线171包括多个源电极173和端部179，而每个漏电极175包括扩展体177。钝化层180形成在数据导体171和175、栅极绝缘层140、以及半导体岛154的暴露部分上。将多个接触孔181，182和185提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。包括子像素电极191e和191f并具有切口92e和92f的多个像素电极191形成在钝化层180上。对准层11形成在像素电极191和钝化层180上。
关于上面板200，阻光件220、多个滤色器230、覆盖层250、具有多个切口71e和71f的公共电极270、以及对准层21形成在绝缘基板210上。
与图8-11中所示的LC面板组件不同，第二子像素电极191f电浮置，而第一子像素电极191e连接到漏电极175。
作为替代，漏电极175的每个扩展体177在第二子像素电极191f下面沿着存储电极线131延伸以交叠第二子像素电极191f。因此，第一子像素电极191e和第二子像素电极191f彼此电容性地耦合以形成耦合电容器Ccp。
钝化层180包括下膜180p和上膜180q。下膜180p可以由无机绝缘体制成，例如氮化硅或氧化硅，而上膜180q可以由有机绝缘体制成。有机绝缘体可以具有光敏性和小于约4.0的介电常数，并且可以提供平坦表面。钝化层180可以具有单层结构，单层结构可以由无机或有机绝缘体制成。
上膜180q具有暴露下膜180p的多个开口187，多个开口187布置在位于第二子像素电极191f之下的漏电极175的扩展体177上。因此，第二子像素电极191f交叠开口187内的扩展体177，其中只有下膜180p插入，因此，与下膜180p和上膜180q都插入的结构相比，耦合电容器Ccp的电容大，从而增加开口率。
图8-11中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图20和21中所示的LC面板组件。
将参考图22和23详细地描述根据本发明示范性实施例的图19中所示LC面板组件的另一实例。
图22是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的布局图，而图23是图22内所示LC面板组件沿着线XXIII-XXIII的剖视图。
LC面板组件包括下面板100、面向下面板100的上面板200、液晶层3、以及一对偏光器12和22。
根据这些实施例的LC面板组件的层状结构与图20和22中所示的结构几乎相同。
关于下面板100，多根栅线121和多根存储电极线131形成在基板110上。每根栅线121包括多个栅电极124和端部129。栅极绝缘层140、多个半导体岛154、以及多对欧姆接触(未图示)按顺序形成在栅线121上。包括多根数据线171和多个漏电极175的数据导体形成在欧姆接触和栅极绝缘层140上。每根数据线171包括多个源电极173和端部179。包括下膜180p和上膜180q的钝化层180形成在数据导体171和175、栅极绝缘层140、以及半导体岛154的暴露部分上。将多个接触孔181，182，185和186提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。包括具有切口92e和92f的子像素电极191e和191f的多个像素电极191形成在钝化层180上。对准层11形成在像素电极191和钝化层180上。
关于上面板200，阻光件220、多个滤色器230、覆盖层250、具有切口71e和71f的公共电极270、以及对准层21形成在绝缘基板210上。
与图20和21中所示的LC面板组件不同，多对电容电极136形成在基板110上。电容电极136由与栅线121和存储电极线131相同的层构成，并且与栅线121和存储电极线131分开。一对电容电极136关于存储电极线131对称地排列，并且沿着公共电极270的切口71f延伸。电容电极136通过接触孔186连接到第二子像素电极191f。
每个漏电极175包括一个扩展体177和一对从扩展体177分开的分支176。扩展体177沿着存储电极线131延伸到切口71f的弯曲点，而分支从扩展体177末端沿着一对电容电极136延伸以便交叠电容电极136。分支176具有多个大于接触孔186的通孔176H，以便接触孔186可以穿过通孔176H。
分支176和电容电极136形成耦合电容器Ccp，第二子像素电极191f和布置在其下的部分扩展体177也有助于耦合电容。
图20和21中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图22和23中所示的LC面板组件。
如上所述，本发明的上述示范性实施例提供适合于各种LCD像素尺寸的子区宽度。这些示范性实施例给出平衡彩色配置，并且利于纵线和斜线的显示。另外，这些示范性实施例进一步提高了开口率、侧面可见度和基准视角。
虽然已经参考示范性实施例对本发明进行了详细描述，本领域技术人员将能理解，能对本发明进行各种修改和替换而不脱离如附属权利要求书中所定义的本发明的本质和范围。
将参考图1和2详细地描述根据本发明示范性实施例的LCD。
图1是根据本发明示范性实施例的LCD的方框图，而图2是根据本发明示范性实施例的LCD的等效电路图。
参考图1，根据本发明示范性实施例的LCD包括LC面板组件300，连接到面板组件300的栅极驱动器400和数据驱动器500，连接到数据驱动器500的灰度电压发生器800，以及控制上述元件的信号控制器600。
参考图1，面板组件300包括多根信号线(未图示)以及连接到信号线并基本上排列成矩阵的多个像素PX。在图2内所示的结构图中，面板组件300包括下面板100，上面板200以及夹置在它们之间的LC层3。
提供在下面板100上的信号线包括多根栅线(未图示)和多根数据线(未图示)，栅线传输栅信号，也称为“扫描信号”，数据线传输数据信号。栅线基本上在行方向延伸并且基本上彼此平行，而数据线基本上在列方向延伸并且基本上彼此平行。
参考图2，每个像素PX包括一对子像素，而每个子像素包括液晶(LC)电容器Clc1/Clc2。两个子像素至少之一还包括连接到栅线，数据线和LC电容器Clc1/Clc2的开关元件(未图示)。
LC电容器Clc1/Clc2包括提供在下面板100上的子像素电极PE1/PE2和提供在上面板200上的公共电极CE，作为两个端子。布置在电极PE1/PE2和CE之间的LC层3用作LC电容器Clc1/Clc2的电介质。一对子像素电极PE1和PE2相互分开，并形成像素电极PE。公共电极CE被供应公共电压Vcom，并且覆盖上面板200的整个表面。LC层3具有负介电各向异性，并且可以对LC层3内的LC分子进行定向，以便在没有电场时LC分子的长轴垂直于面板100和200的表面。
对于彩色显示器，每个像素PX唯一地表示一种原色，也就是空间划分，或者每个像素PX依次顺序地表示原色，也就是时间划分，以便将三原色的空间或时间之和看作期望的颜色。一组原色的实例包括红色、绿色和蓝色。图2表示空间划分的实例，其中每个像素PX包括在上面板200面对像素电极PE的区域内表示原色之一的滤色器CF。作为选择，滤色器CF提供在下面板100上的子像素电极PE1或PE2之上或之下。
一对偏光器(未图示)连在面板100和200的外表面上。两个偏光器的偏光轴可以交叉以便交叉的偏光器阻止光入射在LC层3上。可以省略一个偏光器。
将参考图3、4、5和6详细地描述位于LC面板组件内的像素电极，公共电极和滤色器的详细结构。
图3-5是根据本发明示范性实施例的位于LC面板组件内的像素电极，公共电极和滤色器的布局图，而图6是表示图3-5内所示子像素电极的子像素电极的平面图。
参考图3-5，根据本发明示范性实施例的LC面板组件的每个像素电极191包括彼此分开的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b，像素电极图示成用点划线围住。子像素电极191a和191b分别具有切口92a和92b，而公共电极CE(图2中图示)具有分别面向子像素电极191a和191b的多个切口71a和71b。红色滤色器230R，绿色滤色器230G，和蓝色滤色器230B在列方向沿着彼此相邻的像素电极191延伸。
形成像素电极191的第一和第二子像素电极191a和191b两者可以耦合到各个开关元件(未图示)。另一方面，第一子像素电极191a耦合到开关元件(未图示)，而第二子像素电极191b电容性地耦合到第一子像素电极191a。
子像素电极191a和191b基本上具有相同或相似的形状，而公共电极CE的切口71a和71b也基本上具有相同或相似的形状。图6图示了表示图3-5内所示子像素电极191a和191b的子像素电极193以及表示图3-5内所示切口71a和71b的切口70。
如图6中所示，子像素电极193具有一对弯曲边缘193o1和193o2以及一对横向边缘193t，并且具有人字形状。弯曲边缘193o1和193o2包括凸边缘193o1和凹边缘193o2，凸边缘193o1以钝角与横向边缘193t相交，例如约135度，凹边缘193o2以锐角与横向边缘193t相交，例如约45度。弯曲边缘193o1和193o2的弯曲角度约为直角，它们由一对倾斜边缘通过90度相交而形成。每个子像素电极193具有切口90，切口90从凹边缘193o2上的凹顶点CV向凸边缘193o1上的凸顶点VV延伸，并且到达子像素电极193的中心附近。
公共电极中的切口70包括具有弯曲点CP的弯曲部分70o，连接到弯曲部分70o的弯曲点CP的中心横向部分70t1，以及一对连接到弯曲部分70o末端的末端横向部分70t2。切口70的弯曲部分70o包括一对大约以直角相交的倾斜部分，基本上平行于子像素电极193的弯曲边缘193o1和193o2延伸，并且将子像素电极193平分成左右两半。切口70的中心横向部分70t1与弯曲部分70o成钝角，例如约135度，并且向子像素电极193的凸顶点VV延伸。末端横向部分70t2与子像素电极193的横向边缘193t对齐，并且与弯曲部分70o成钝角，例如约135度。
子像素电极193被切口70和90分成四个子区S1，S2，S3和S4。每个子区S1-S4具有两个由切口70的弯曲部分70o和子像素电极193的弯曲边缘193o确定的主边缘。主边缘之间的距离，即每个子区S1-S4的宽度，可以等于约20-35微米。
子像素电极193和切口70关于称为中心横线的虚直线具有反对称性(inversion symmetry)，该虚直线连接子像素电极193的凸顶点VV和凹顶点CV。
参考图6，子像素电极193的横向边缘193t的长度L称为子像素电极193的长度，而子像素电极193的两个横向边缘193t之间的距离H称为子像素电极193的高度。在图3-5中，第一子像素电极191a的长度基本上等于第二子像素电极191b的长度，而第二子像素电极191b的高度约为第一子像素电极191a的高度的两倍。因此，第二子像素电极191b的面积约为第一子像素电极191a的面积的两倍。
如图3-5中所示，第一子像素电极191a和第二子像素电极191b在行方向和列方向交替排列。然而，子像素电极191a和191b的凸性和凹性在行方向是固定的，而子像素电极191a和191b的凸性和凹性在列方向是交替反向的。例如，图3-5中所示的两行中的上行包括具有左凸边缘和右凹边缘的子像素电极191a和191b，而两行中的下行包括具有左凹边缘和右凸边缘的子像素电极191a和191b。要注意，位于相邻行内的第二子像素电极191b具有接触边缘或部分。
关于子像素电极191a和191b在行方向的排列，第一子像素电极191a的中心横线与第二子像素电极191b的中心横线重合。另外，第一子像素电极191a的凸边缘与第二子像素电极191b的凹边缘相邻，而第一子像素电极191a的凹边缘与第二子像素电极191b的凸边缘相邻。关于在列方向的排列，第一子像素电极191a的凸边缘连接到第二子像素电极191b的凹边缘，而第一子像素电极191a的凹边缘连接到第二子像素电极191b的凸边缘。
图3和4中所示的每个像素电极191的第一和第二子像素电极191a和191b在行方向彼此相邻，而图5中所示的每个像素电极191的第一和第二子像素电极191a和191b在列方向彼此相邻。
参考图3，每个像素电极191内的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的相对位置在相邻两行之间是反向的。例如，图3中所示的两行中的上行内的每个像素电极191的第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的右侧，而图3中所示的两行中的下行内的每个像素电极191的第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的左侧。
相反，图4中所示的每个像素电极191内的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的相对位置在所有行中都是相同的。例如，图4中所示的所有行内的每个像素电极191的第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的右侧。然而，第一子像素电极191a可以布置到第二子像素电极191b的左侧。在这个排列中，在列方向相邻的像素电极191形成比图3中所示的线更直的线。
在图5中所示的排列中，每个像素电极191内的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的相对(列向)位置在相邻两行内是反向的。例如，在图5所示的四列之中的最左列内的像素电极191中，第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的下面，而次左列内的像素电极191的第一子像素电极191a布置到第二子像素电极191b的上面。图5中所示的滤色器230R，230G和230B的宽度是图3和4中所示的宽度的一半。
在上述排列中，面积比约为1∶2的第一和第二子像素电极191a和191b得到很好地组织而没有浪费空间。图3和4中所示的排列可以适合于大像素尺寸显示装置，例如，大于约32”的大显示装置，尤其是约40”的电视机。相反，图5中所示的排列可以适合于小像素尺寸显示装置，例如，17”或19”的监视器等。
同时，由于滤色器230R，230G和230B沿列向几乎直着延伸，因此可能容易显示单色线。具体地，图4中所示的每列内的像素电极191形成更直的线以便更有利于显示纵线。
另外，滤色器230R，230G和230B具有相等的面积以便有助于色彩平衡。
而且，每个像素电极191只弯曲一次，与弯曲两次或多次的像素电极相比，提供增大的开口率。
再参考图1，灰度电压发生器800产生多个与像素PX的光透射率相关的灰度电压。然而，灰度电压发生器800可以只产生规定数量的灰度电压，称为基准灰度电压，而不是产生所有的灰度电压。
栅极驱动器400连接到面板组件300的栅线，并且合成来自外部装置的栅极导通电压Von和栅极截止电压Voff以便产生施加给栅线的栅信号Vg。
数据驱动器500连接到面板组件300的数据线，并且将数据电压Vd施加给数据线，数据电压Vd从由灰度电压发生器800提供的灰度电压中选择。然而，当灰度电压发生器800产生基准灰度电压时，通过分割基准灰度电压和从产生的灰度电压中选择数据电压Vd，数据驱动器500可以为所有灰度电压产生灰度电压。
信号控制器600控制栅极驱动器400和数据驱动器500等。
每个驱动和处理单元400，500，600和800可以包括至少一个集成电路(IC)芯片，IC芯片安装在LC面板组件300上或处于带载封装(TCP)装置内的柔性印刷电路(FPC)膜上，这些驱动和处理单元连接到面板组件300上。作为选择，驱动和处理单元400，500，600和800中至少一个可以与信号线和开关元件一起集成在面板组件300内。作为选择，所有驱动和处理单元400，500，600和800可以集成在单个IC芯片内，但是至少一个驱动和处理单元400，500，600和800或者至少一个驱动和处理单元400，500，600和800内的至少一个电路元件可以布置在单个IC芯片上。
现在，将详细描述上述LCD的操作。
给信号控制器600提供输入图像信号R，G和B以及输入控制信号，以便控制来自外部图形控制器(未图示)的图像显示。输入图像信号R，G和B包含每个像素PX的亮度信息，亮度具有预定数量的灰度，例如1024(＝210)，256(＝28)或64(＝26)。输入控制信号包括垂直同步信号Vsync，水平同步信号Hsync，主时钟MCLK和数据使能信号DE，等。
产生栅极控制信号CONT1和数据控制信号CONT2，并根据输入控制信号和输入图像信号R，G和B处理适合于面板组件300和数据驱动器500操作的输入图像信号R，G和B之后，信号控制器600将栅极控制信号CONT1传输给栅极驱动器400，并且将处理的图像信号DAT和数据控制信号CONT2传输给数据驱动器500。输出图像信号DAT是具有预定数量值或灰度的数字信号。
栅极控制信号CONT1包括用于指示扫描开始的扫描开始信号STV和用于控制栅极导通电压Von的输出时间的至少一个时钟信号。栅极控制信号CONT1还可以包括输出使能信号OE，用于确定栅极导通电压Von的持续时间。
数据控制信号CONT2包括用于通知一组子像素的数据传输开始的水平同步启动信号STH，用于指示将数据电压施加到面板组件300的负载信号LOAD，以及数据时钟信号HCLK。数据控制信号CONT2还可以包括反相信号RVS，用于关于公共电压Vcom反转数据电压的极性。
响应来自信号控制器600的数据控制信号CONT2，数据驱动器500从信号控制器600接收用于这组子像素的图像信号DAT的信息包。数据驱动器500将图像信号DAT转换成从由灰度电压发生器800提供的灰度电压中选择的模拟数据信号，并且将数据信号施加给数据线。
响应来自信号控制器600的栅极控制信号CONT1，栅极驱动器400将栅极导通电压Von施加给栅线，从而导通连接到栅线的开关元件。通过启动的开关元件将施加给数据线的数据电压提供给子像素。
参考图3-5，当形成像素电极191的第一子像素电极191a和第二子像素电极191b耦合到各个开关元件时，即，当每个子像素包括它自己的开关元件时，在不同时间通过相同数据线或者在相同时间通过不同数据线可以给这两个子像素提供各自的数据电压。然而，当第一子像素电极191a耦合到开关元件(未图示)和第二子像素电极191b电容性地耦合到第一子像素电极191a时，可以通过开关元件直接给包括第一子像素电极191a的一个子像素电极提供数据电压，而包括第二子像素电极191b的另一子像素可以具有根据第一子像素电极191a的电压而变化的电压。此时，相对于公共电压，具有相对小面积的第一子像素电极191a的电压优选地大于具有相对大面积的第二子像素电极191b。
另一方面，在用相同的电压给两个子像素电极191a和191b充电之后，通过使用存储电容器(未图示)等，子像素电极191a和191b的电压可以相互区分开。
当在LC电容器Clc1/Clc2的两端子之间产生电压差时，在LC层3内产生基本上垂直于面板100和200表面的主电场，像素电极191，PE和公共电极CE通常都称为场产生电极。LC电容器Clc1/Clc2内的LC分子倾向于响应于电场而改变它们的定向，从而使它们的长轴可以垂直于电场方向。分子定向确定穿过LC层3的光的偏振。偏光器将光偏振转换成光透射率，以便像素PX显示由图像信号DAT表示的亮度。
LC分子的倾角依赖于电场强度。由于LC电容器Clc1和Clc2的电压彼此不同，子像素内的LC分子的倾角彼此不同，因此两个子像素的亮度不同。从而，两个子像素的电压可以进行调节以便从侧面观察的图像最接近从正面观察的图像，即，侧面伽马曲线最接近正面伽马曲线，从而提高侧面可见度。
另外，相对于公共电压Vcom，电压高于第二子像素电极191b的第一子像素电极191a的面积可以小于第二子像素电极191b的面积，从而使侧面伽马曲线进一步接近正面伽马曲线。具体地，当第一子像素电极191a和第二子像素电极191b的面积比约等于1∶2时，侧面伽马曲线进一步接近正面伽马曲线以便进一步提高侧面可见度。
首先由水平电场分量来确定LC分子的倾斜方向。水平电场分量由场产生电极191和270CE的切口71a，71b，92a和92b以及子像素电极191a和191b的边缘产生，它们扭曲主电场。水平电场分量基本上垂直于切口71a，71b，92a、92b的边缘以及第一和第二子像素电极191a和191b的边缘。
参考图3-5，由于由一组切口71a，71b，92a，92b分成的每个子区上的LC分子倾斜成垂直于子区的主边缘，倾斜方向的方位分布定位成四个方向，从而增加LCD的基准视角。
如上所述，子区的宽度，即公共电极CE的切口的弯曲部分和子像素电极191a，191b的弯曲边缘之间的距离，优选为等于约20-35微米，以便能适当地使用主电场的水平分量和能减少由切口71a，71b，92a，92b引起的开口率降低。
由相邻子像素电极191a和191b之间的电压差而产生的次电场的方向垂直于子区的主边缘。因此，次电场的电场方向与主电场的水平分量的方向一致。因此，相邻子像素电极191a和191b之间的次电场增强LC分子的倾斜方向的确定。
通过以水平周期为单位重复这个程序，给所有像素PX提供数据电压，单位水平周期用“1H”表示，并且等于水平同步信号Hsync或数据使能信号DE的一个周期。
当一帧完成之后下一帧开始时，施加给数据驱动器500的反相控制信号RVS受到控制，以便反转数据电压的极性，这称为“帧反相”。反相控制信号RVS也可以受到控制，以便数据线内流动的数据信号的极性在一帧期间周期性地反转，例如，行反相和点反相，或者一个信息包内的数据信号的极性反转，例如，列反相和点反相。
LC电容器Clc1或Clc2上的电压迫使LC层3内的LC分子再定向成与电压对应的稳定状态，由于LC分子的响应时间慢，因此LC分子的重定向要花费时间。在LC电容器Clc1或Clc2上的电压施加还保持的情况下，LC分子继续再定向它们自己来改变光透射率或亮度，直到它们达到稳定状态。当LC分子达到稳定状态并停止再定向时，光透射率变成固定的。
当这种稳定状态下的像素电压称为目标像素电压和这种稳定状态下的光透射率称为目标光透射率时，目标像素电压和目标光透射率具有一对一的对应性。
由于导通每个像素PX的开关元件以把数据电压施加给像素的时间受到限制，像素PX内的LC分子在数据电压施加期间难以达到稳定状态。然而，即使开关元件截止，LC电容器Clc1或Clc2上的电压还存在，因此LC分子继续再定向以便LC电容器Clc1或Clc2的电容变化。忽略漏电流，当开关元件截止时，因为LC电容器Clc1或Clc2的一端浮置，存储在LC电容器Clc1或Clc2内的电荷总量保持恒定。因此，LC电容器Clc1或Clc2的电容变化导致LC电容器Clc1或Clc2的电压，即像素电压变化。
因此，当给像素PX提供相当于目标像素电压的数据电压时，在稳定状态下进行确定的目标像素电压在下文中称为“目标数据电压”，像素PX的实际像素电压可能与目标像素电压不同，从而像素PX可能达不到相应的目标光透射率。目标透射率与子像素最初具有的光透射率越不同，实际像素电压就与目标像素电压越不同。
因此，要求施加给像素PX的数据电压高于或低于目标数据电压，例如，这能通过DCC(动态电容补偿)来实现。
可以由信号控制器600或单独图像信号修正器执行的DCC修正子像素的帧的图像信号，下文中称为“当前图像信号”，以便根据子像素紧接的前一帧的图像信号，下文中称为“前一图像信号”，产生修正的当前图像信号，下文中称为“修正(当前)图像信号”。修正图像信号基本上是通过试验获得，而修正的当前图像信号和前一图像信号之差通常大于修正之前的当前图像信号和前一图像信号之差。然而，在当前图像信号和前一图像信号彼此相等或者它们之差小时，修正图像信号可以等于当前图像信号，即，可以不修正当前图像信号。
这样，由数据驱动器500施加给子像素的数据电压高于或低于目标数据电压。
然而，通过上述方法不能获得目标透射率。在这种情况下，将预定电压，在下文中称为预倾斜电压，预先施加给子像素来预倾斜LC分子，然后给子像素施加主电压。
为此，考虑到下一帧图像信号，在下文中称为“下一图像信号”，以及前一图像信号，信号控制器600或图像信号修正器修正当前图像信号。例如，如果下一图像信号与当前图像信号很不同，即使当前图像信号等于前一图像信号，也要修正当前图像信号来准备下一帧。
对于最高灰度或最低灰度而言，可以执行或可以不执行图像信号和数据电压的修正。为了修正最高灰度或最低灰度，与获得目标亮度或目标透射率范围而需要的目标数据电压范围相比，由灰度电压发生器800产生的灰度电压范围可以变宽，目标亮度或目标透射率用图像信号的灰度来表示。
现在，将参考图7、8、9、10、11、12、13、14、15、16和17以及图1-4详细地描述根据本发明示范性实施例的LC面板组件的结构。
图7是根据本发明示范性实施例的信号线和像素的等效电路图。
图7中所示的LC面板组件包括多根信号线和连接到信号线的多个像素PX。信号线包括多对栅线GLa和GLb，多根数据线DL，以及多根存储电极线SL，存储电极线SL基本上平行于栅线GLa和GLb延伸。
每个像素PX包括一对子像素PXa和PXb。每个子像素PXa/PXb包括开关元件Qa/Qb，LC电容器Clca/Clcb，以及存储电容器Csta/Cstb，开关元件Qa/Qb连接到栅线GLa，GLb之一和数据线DL之一，LC电容器Clca/Clcb耦合到开关元件Qa/Qb，存储电容器Csta/Cstb连接在开关元件Qa/Qb和存储电极线SL之间。
开关元件Qa/Qb，例如薄膜晶体管(TFT)，提供在下面板100上并且具有三个端子：连接到栅线GLa/GLb的控制端；连接到数据线DL的输入端；以及连接到LC电容器Clca/Clcb和存储电容器Csta/Cstb的输出端。
存储电容器Csta/Cstb是LC电容器Clca/Clcb的辅助电容器。存储电容器Csta/Cstb包括子像素电极和独立信号线，独立信号线提供在下面板100上，经由绝缘体与子像素电极重叠，并且被供应预定电压，例如公共电压Vcom。作为选择，存储电容器Csta/Cstb包括子像素电极和相邻栅线，相邻栅线称为前一栅线，其经由绝缘体与子像素电极重叠。
由于在上面参考图2描述了LC电容器Clca/Clcb等等，将省略它们的详细描述。
在图7所示的LCD中，信号控制器600接收输入图像信号R、G和B，并且将用于每个像素PX的输入图像信号R、G和B转换成用于两个子像素PXa和PXb的一对输出图像信号DAT，以便提供给数据驱动器500。另外，灰度电压发生器800为各个子像素PXa和PXb产生一对灰度电压组。两组灰度电压由灰度电压发生器800交替地提供给数据驱动器500，或者由数据驱动器500交替地选择，从而给两个子像素PXa和PXb提供不同的电压。
此时，优选地确定转换的输出图像信号值和每组内的灰度电压值，以便从正面看两个子像素PXa和PXb的伽马曲线的合成接近基准伽马曲线。例如，从正面看的合成伽马曲线与从正面看的最适当基准伽马曲线一致，而从侧面看的合成伽马曲线与从正面看的基准伽马曲线最相似。
将参考图8-11详细地描述根据本发明示范性实施例的图8中所示LC面板组件的实例。
图8是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的下面板的布局图，图9是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的上面板的布局图，图10是包括图8内所示下面板和图9内所示上面板的LC面板组件的布局图，而图11是图10内所示LC面板组件沿着线XI-XI的示范性剖视图。
参考图8-11，根据本发明示范性实施例的LC面板组件包括下面板100，面向下面板100的上面板200，以及夹置在面板100和200之间的液晶层3。
首先，将参考图8，10和11描述下面板100。
包括多对第一和第二栅线121a和121b以及多根存储电极线131的多个栅极导体形成在绝缘基板110上，例如透明玻璃或塑料。
栅线121a和121b传输栅极信号，基本上沿横向延伸，并且分别布置在相对上和下位置。
每根第一栅线121a包括多个第一栅电极124a和端部129a，第一栅电极124a向下凸出，端部129a具有大面积以便与另一层接触或与外部驱动电路连接。每根第二栅线121b包括多个向上凸出的第二栅电极124b和端部129b，端部129b具有大面积以便与另一层接触或与外部驱动电路连接。第一和第二栅线121a和121b可以延伸以便连接到栅极驱动器400，栅极驱动器400可以集成在基板110上。
存储电极线131被提供预定电压，例如公共电压Vcom，并且基本上平行于第一和第二栅线121a和121b延伸。每根存储电极线131布置在第一和第二栅线121a和121b之间，它离第一栅线121a和第二栅线121b几乎等距离。存储电极线131可以具有各种形状和排列。例如，每根存储电极线131可以包括多个向上和向下扩展的扩展体。
第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131可以由含铝金属，例如铝和铝合金，含银金属，例如银和银合金，含铜金属，例如铜和铜合金，含钼金属，例如钼和钼合金，铬，钽或钛制成。然而，它们可以具有多层结构，包括具有不同物理特性的两层导电膜(未图示)。两层膜之一可以由低电阻率金属制成，包括含铝金属，含银金属和含铜金属，以便减少信号延迟或电压降落。另一层膜可以由这种材料制成，例如含钼金属，铬，钽或钛，这种材料与其他材料，例如氧化锡铟(ITO)或氧化锌铟(IZO)，具有良好的物理，化学和电接触特性。两层膜组合的实例是下铬膜和上铝(合金)膜以及下铝(合金)膜和上钼(合金)膜。然而，第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131可以由各种金属或导体制成。
第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131的侧面相对于基板表面倾斜，它们的倾角范围约为30-80度。
可以由氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成在第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131上。
可以由氢化非晶硅(缩写成“a-Si”)或多晶硅制成的多个第一和第二半导体岛154a和154b形成在栅极绝缘层140上。第一/第二半导体岛154a/154b布置在第一/第二栅电极124a/124b上。
多对欧姆接触岛163b和165b形成在半导体岛154b上，而多对欧姆接触岛(未图示)形成在半导体岛154a上。欧姆接触岛163b和165b可以由重掺杂n型杂质例如磷的n+氢化a-Si制成，或者它们可以由硅化物制成。
半导体岛154a和154b以及欧姆接触岛163b和165b的侧面相对于基板110的表面倾斜，它们的倾角可以在约30-80度范围内。
包括多根数据线171以及多对第一和第二漏电极175a和175b的多个数据导体形成在欧姆触163b，165b和栅极绝缘层140上。
数据线171传输数据信号，并且基本上沿纵向延伸以与第一和第二栅线121a，121b和存储电极线131交叉。在与存储电极线131的交叉点附近，每根数据线171包括多个向左或向右凸出的弯曲部分。每个弯曲部分包括一对倾斜部分，这对倾斜部分彼此连接以形成人字形，并且与栅线121成约45度角。
每根数据线171包括多个第一和第二源电极173a和173b以及端部179，第一和第二源电极173a和173b分别向第一和第二栅电极124a和124b凸出，而端部179具有大面积以便与另一层接触或与外部驱动电路连接。数据线171可以延伸以便连接到数据驱动器500，数据驱动器500可以集成在基板110上。
第一和第二漏电极175a和175b彼此分开并且与数据线171分开。第一/第二漏电极175a/175b布置成关于第一/第二栅电极124a/124b与第一/第二源电极173a/173b相对。每个第一/第二漏电极175a/175b包括宽端部177a/177b和窄端部。宽端部177a/177b与存储电极线131交叠，且窄端部由第一/第二源电极173a/173b部分围绕。
第一/第二栅电极124a/124b，第一/第二源电极173a/173b和第一/第二漏电极175a/175b与第一/第二半导体岛154a/154b一起形成第一/第二TFTQa/Qb，第一/第二TFT Qa/Qb具有形成在第一/第二半导体岛154a/154b内的沟道，第一/第二半导体岛154a/154b布置在第一/第二源电极173a/173b和第一/第二漏电极175a/175b之间。
数据导体171，175a和175b可以由难熔金属制成，例如铬，钼，钽，钛及其合金。然而，它们可以具有包括难熔金属膜(未图示)和低电阻率膜(未图示)的多层结构。多层结构的良好实例是包括下铬/钼(合金)膜和上铝(合金)膜的双层结构，以及下钼(合金)膜，中铝(合金)膜和上钼(合金)膜的三层结构。然而，数据导体171、175a和175b可以由各种金属或导体制成。
数据导体171，175a和175b具有倾斜边缘轮廓，它们的倾角范围约为30-80度。
欧姆接触163b和165b只夹置在位于其下的半导体岛154a，154b和位于其上的数据导体171，175a，175b之间，并且减少它们之间的接触电阻。半导体岛154a和154b包括一些暴露部分，这些暴露部分没有被数据导体171，175a和175b覆盖，例如位于源电极173和漏电极175a，175b之间的部分。
钝化层180形成在数据导体171，175a和175b上以及半导体岛154a和154b的暴露部分上。钝化层180可以由无机或有机绝缘体制成，并且它可以具有平顶面。无机绝缘体的实例包括氮化硅和氧化硅。有机绝缘体可以具有光敏性和小于约4.0的介电常数。钝化层180可以包括无机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜，以便它提供有机绝缘体的优良的绝缘特性，同时防止半导体岛154a和154b的暴露部分受到有机绝缘体的损害。
钝化层180具有分别暴露数据线171的端部179、以及第一漏电极175a和第二漏电极175b的多个接触孔182，185a和185b。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅线121a和121b的端部129a和129b的多个接触孔181a和181b。
多个像素电极191以及多个接触辅助81a、81b和82形成在钝化层180上。它们可以由透明导体例如ITO或IZO或者反射导体例如银，铝，铬或其合金制成。
像素电极191具有图3中所示的结构，每个像素电极191包括一对子像素电极191a和191b。子像素电极191a和191b包括切口92a和92b。
数据线171，具体地，数据线171的弯曲部分沿着像素电极191的某些弯曲边缘延伸。因此，在数据线171和子像素电极191a，191b之间产生的电场具有基本上平行于主电场水平分量的水平分量，以便LC分子的倾斜方向确定得到增强。另外，开口率得到增加。
存储电极线131，漏电极175a和175b的扩展体177a和177b，以及接触孔185a和185b位于连接子像素电极191a和191b的弯曲部分的直线上。连接子像素电极191a和191b的弯曲部分的直线形成上述子区的边界，因此这种构造能覆盖可能由子区边界附近的LC分子的无序产生的纹理，从而提高开口率。
由于上面参考图3描述了像素191的其他特征，将省略它们的详细描述。
第一/第二子像素电极191a/191b通过接触孔185a/185b物理和电连接到第一/第二漏电极175a/175b，以便第一/第二子像素电极191a/191b从第一/第二漏电极175a/175b接收数据电压。第一/第二子像素电极191a/191b和公共电极270形成第一/第二LC电容器Clca/Clcb，LC电容器Clca/Clcb在TFT截止之后存储施加的电压。
通过使连接到第一/第二子像素电极191a/191b的第一/第二漏电极175a/175b的扩展体177a/177b与存储电极线131重叠，形成用于增强电荷存储容量的第一/第二存储电容器Csta/Cstb。
接触辅助81a，81b和82通过接触孔181a，181b和182分别连接到栅线121a和121b的端部129a和129b以及数据线171的端部179。接触辅助81a、81b和82保护端部129a，129b和179，增强端部129a，129b和179与外部设备之间的粘附性。
下面参考图9-11描述上面板200。
称为黑色矩阵的阻光件220形成在例如透明玻璃或塑料的绝缘基板210上。阻光件220包括多个线性部分和多个加宽部分，线性部分面向位于下面板100上的像素电极191的边界，而加宽部分面向位于下面板100上的TFTQa和Qb。阻光件220阻止像素电极191和TFT Qa，Qb附近的光泄漏，并且可以具有各种形状。
多个滤色器230也形成在基板210和阻光件220上。滤色器230基本上布置在由阻光件220围绕的区域内，并且滤色器230可以大致沿着像素电极191纵向延伸。每个滤色器230R表示三原色之一，例如红色，绿色和蓝色。
覆盖层250形成在滤色器230和阻光件220上。覆盖层250可以由(有机)绝缘体制成，它防止滤色器230暴露并且提供平坦表面。覆盖层250可以省略。
公共电极270形成在覆盖层250上。公共电极270可以由透明导电材料制成，例如ITO或者IZO，并且具有上面参考图3所述的多组切口71a和71b。
切口71a和71b的数量可以根据设计因素而变化，阻光件220也可以重叠切口71a和71b来阻止光穿过切口71a和71b而泄漏。
将可以为同型的对准层11和21涂覆在面板100和200的内表面上。
偏光器12和22提供在面板100和200的外表面上，以便它们的偏光轴可以交叉，偏光轴可以与子像素电极191a和191b的弯曲边缘成约45度角，用于增加光效率。当LCD是反射型LCD时，可以省略偏光器12和22之一。
LCD还可以包括至少一层延迟膜(未图示)，用于补偿LC层3的延迟。LCD还可以包括背光单元(未图示)，通过偏光器12和22，延迟膜，以及面板100和200给LC层3提供光。
优选地，LC层3具有负介电各向异性，并且被进行垂直排列。
可以修改切口71a，71b，92a和92b的形状和排列。
至少切口71a，71b，92a和92b之一能用凸出(未图示)或凹进(未图示)来代替。凸出可以由有机或无机材料制成，并且布置在场产生电极191或270之上或之下。
将参考图12详细地描述图10内所示的LC面板组件的另一实例。
图12是图10内所示LC面板组件沿着线XI-XI的另一示范性剖视图。
参考图12，根据本实施例的LC面板组件包括下面板100，面向下面板100的上面板200，LC层3，以及一对偏光器12和22。
根据本实施例的LC面板组件的层状结构类似于图11中所示的结构。
关于下面板100，包括多根第一和第二栅线121a和121b以及多根存储电极线131的栅极导体形成在基板110上。第一和第二栅线121a和121b分别包括第一和第二栅电极124a和124b以及端部129a和129b。栅极绝缘层140，多个半导体岛154a和154b，以及多个欧姆接触163b和165b按顺序形成在第一和第二栅线121a，121b以及存储电极线131上。包括多根数据线171以及多个第一和第二漏电极175a和175b的数据导体形成在欧姆接触163b，165b和栅极绝缘层140上。数据线171包括第一和第二源极电极173a和173b以及端部179，而漏电极175a和175b包括宽端部177a和177b。钝化层180形成在数据导体171、175a和175b，栅极绝缘层140，以及半导体岛154a和154b的暴露部分上。将多个接触孔181a，181b，182，185a和185b提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。包括子像素电极191a和191b并具有切口92a和92b的多个像素电极191以及多个接触辅助81a，81b和82形成在钝化层180上，并且将对准层11涂覆在其上。
关于上面板200，阻光件220，覆盖层250，具有多个切口71a和71b的公共电极270，以及对准层21形成在绝缘基板210上。
与图11中所示的LC面板组件不同，图12中所示的下面板100包括多个布置在钝化层180之下的滤色器230，而上面板200没有滤色器。
滤色器230沿纵向延伸，同时周期性地弯曲，并且不提供在外围区域内，其中第一和第二栅线121a和121b的端部129a和129b以及数据线171的端部179布置在外围区域内。滤色器230具有比接触孔185a更大的通孔235，以便接触孔185a可以穿过通孔235。
相邻滤色器230可以在像素电极191的边界附近相互重叠以阻止它们之间的任何光泄漏，这样所起的作用和阻光件220一样。在这种情况下，可以省略布置在上面板200上的阻光件220以简化制造工艺。
另一钝化层(未图示)可以形成在滤色器230之下。
可以省略上面板200上的覆盖层250。
图11中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图12中所示的LC面板组件。
将参考图13，14，15和16详细地描述图7内所示的LC面板组件的另一实例。
图13是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的下面板的布局图，图14是根据本发明另一实施例的LC面板组件的上面板的布局图，图15是包括图13内所示下面板和图14内所示上面板的LC面板组件的布局图，而图16是图15内所示LC面板组件沿着线XVI-XVI’-XVI”的剖视图。
参考图13-16，根据本示范性实施例的LC面板组件包括下面板100，面向下面板100的上面板200，LC层3，以及一对偏光器12和22。
根据本实施例的LC面板组件的层状结构类似于图8-11中所示的结构。
关于下面板100，包括多根第一和第二栅线121a和121b以及多根存储电极线131的栅极导体形成在基板110上。第一和第二栅线121a和121b分别包括第一和第二栅电极124a和124b以及端部129a和129b。栅极绝缘层140，多个半导体元件154a和154b，以及多个欧姆接触163b和165b按顺序形成在第一和第二栅线121a，121b以及存储电极线131上。包括多根数据线171以及多个第一和第二漏电极175a和175b的数据导体形成在欧姆接触163b和165b上。数据线171包括第一和第二源极电极173a和173b以及端部179，而漏电极175a和175b包括宽端部177a和177b。钝化层180形成在数据导体171、175a和175b，栅极绝缘层140，以及半导体元件154a和154b的暴露部分上。将多个接触孔181a，181b，182，185a和185b提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。包括子像素电极191a和191b并具有切口92a和92b的多个像素电极191以及多个接触辅助81a，81b和82形成在钝化层180上，并且对准层11形成在其上。
关于上面板200，阻光件220、多个滤色器230、覆盖层250、具有多个切口71a和71b的公共电极270、以及对准层21形成在绝缘基板210上。
与图8-11中所示的LC面板组件不同，像素电极191和子像素电极191a和191b的排列与图4中所示的排列基本上相同。如上所述，图3中所示沿列向相邻的像素电极191形成比图3中所示的线更直的线，因此，与图8-11中所示的构造相比，图13-16中所示的构造更有利于显示纵长的线。
数据线大约穿过第一或第二子像素电极191a或191b的中心。具体地，数据线171的弯曲部分交叠公共电极270的切口71a和71b，而不是沿像素电极191的边界延伸，与数据线171沿像素电极191的边界延伸的情况相比，这种构造也给出基本上相同的优点。
第一/第二TFT Qa/Qb布置在数据线171的右侧/左侧。与图8-12中所示的构造相比，这种构造缩短了第二漏电极175b的长度，以便进一步增加开口率。
另外，半导体元件154a和154b沿着数据线171和漏极175a，175b延伸以形成半导体条151，而欧姆接触163b沿着数据线171延伸以形成欧姆接触条161。半导体条151具有几乎与数据导体171，175a和175b以及下面的欧姆接触161和165b相同的平面形状。
根据本发明示范性实施例的下面板的制造方法使用一个光刻工艺同时形成数据导体171、175a和175b、半导体元件151、以及欧姆接触161a和165b。
用于光刻工艺的光致抗蚀剂图案具有随位置变化的厚度，具体地，它具有厚度减少的第一和第二部分。第一部分位于将由数据导体171，175a和175b占据的布线区上，而第二部分位于TFT Qa/Qb的沟道区上。
通过几种技术，例如，通过在曝光掩模上提供半透明区域以及透光透明区域和阻光不透明区域，获得光致抗蚀剂随位置变化的厚度。半透明区域可以具有缝隙图案，网格图案或者带有中等透射率或中等厚度的薄膜。当使用缝隙图案时，优选地，缝隙宽度或缝隙间距小于光刻中使用的曝光器的分辨率。另一实例是使用可回流光致抗蚀剂。详细地，一旦通过使用带有透明区域和不透明区域的普通曝光掩模形成由可回流材料制成的光致抗蚀剂图案，它被进行回流处理以在无光致抗蚀剂的区域上流动，从而形成薄的部分。
结果，通过省略光刻步骤简化了制造工艺。
图8-11中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图13-16中所示的LC面板组件。
将参考图17和18以及图1，2和4详细地描述依据本发明示范性实施例的LC面板组件的结构。
图17是根据本发明示范性实施例的信号线和像素的等效电路图。
图17中所示的LC面板组件包括多根信号线和连接到信号线的多个像素PX。信号线包括多根栅线GL、多对数据线DLa和DLb、以及多根存储电极线SL。
每个像素PX包括一对子像素PXc和PXd。每个子像素PXc/PXd包括开关元件Qc/Qd，LC电容器Clcc/Clcd和存储电容器Cstc/Cstd，开关元件Qc/Qd连接到栅线GL之一以及数据线DLa和DLb之一，LC电容器Clcc/Clcd耦合到开关元件Qc/Qd，存储电容器Cstc/Cstd连接在开关元件Qc/Qd和存储电极线SL之间。
开关元件Qc/Qd，例如薄膜晶体管(TFT)，提供在下面板100上并且具有三个端子：连接到栅线GL的控制端；连接到数据线DLa/DLb的输入端；以及连接到LC电容器Clcc/Clcd的输出端。
由于LC电容器Clcc/Clcd、存储电容器Cstc和Cstd、以及包括图17等中所示的面板组件的LCD的操作基本上与上述相同，将省略它们的详细描述。
然而，要注意，与图7中所示的不同，同时给图17中所示形成像素PX的两个子像素PXc和PXd提供数据电压。
将参考图18详细地描述依据本发明示范性实施例的图17中所示LC面板组件的实例。
图18是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的布局图。
参考图18，根据本发明示范性实施例的LC面板组件包括下面板(未图示)，面向下面板的上面板(未图示)，以及LC层(未图示)。
根据本实施例的LC面板组件的层状结构与图13-16中所示的结构几乎相同。
关于下面板，包括多根栅线121和多根存储电极线131的栅极导体形成在基板(未图示)上。每根栅线121包括第一和第二栅电极124c和124d以及端部129。栅极绝缘层(未图示)形成在栅极导体121和存储电极线131上，而多对半导体岛154c和154d形成在栅极绝缘层上。多个欧姆接触(未图示)形成在半导体岛154c和154d上。包括多对第一和第二数据线171a和171b以及多对第一和第二漏电极175c和175d的数据导体形成在欧姆接触和栅极绝缘层上。每根第一/第二数据线171a/171b包括多个第一/第二源电极173c/173d以及端部179a/179b。每个第一/第二漏电极175c/175d包括宽端部177c/177d。钝化层(未图示)形成在数据导体171a、171b、175c和175d、栅极绝缘层、以及半导体岛154c和154d的暴露部分上。将多个接触孔181，182a，182b，185c和185d提供在钝化层和栅极绝缘层上。包括第一和第二子像素电极191c和191d的像素电极191以及多个接触辅助81，82a和82b形成在钝化层上。第一子像素电极191c具有切口92c，而第二子像素电极191d具有切口92d。对准层(未图示)形成在像素电极191和钝化层上。
关于上面板，阻光件(未图示)，滤色器(未图示)、覆盖层(未图示)、具有多个切口71c和71d的公共电极(未图示)、以及对准层(未图示)形成在绝缘基板(未图示)上。
然而，图18中所示的LC面板组件内栅线121的数量是图13-16中所示的LC面板组件内栅线数量的一半，而图18中所示的LC面板组件内数据线171a和171b的数量是图13-16中所示的LC面板组件内数据线数量的两倍。而且，耦合到形成像素电极191的第一和第二子像素电极191c和191d的第一和第二TFT Qc和Qd连接到同一栅线121和不同的数据线171a，171b。
数据线171a和171b的弯曲部分布置在第一子像素电极191c和第二子像素电极191d之间的边界附近。第一和第二TFT Qc和Qd分别布置在第一和第二数据线171a和171b的左侧。
图13-16中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图18中所示的LC面板组件。
将参考图19，20，21，22和23以及图1-3详细地描述根据本发明示范性实施例的LC面板组件的结构。
图19是根据本发明示范性实施例的信号线和像素PX的等效电路图。
图19中所示的LC面板组件包括多根信号线和连接到信号线的多个像素PX。信号线包括多根栅线GL和多根数据线DL。
每个像素PX包括一对第一和第二子像素PXe和PXf以及连接在第一子像素PXe和第二子像素PXf之间的耦合电容器Ccp。
第一子像素PXe包括开关元件Q、第一LC电容器Clce、以及存储电容器Cste，开关元件Q连接到栅线GL之一和数据线DL之一，第一LC电容器Clce耦合到开关元件Q，存储电容器Cste连接到开关元件Q。第二子像素PXf包括耦合到耦合电容器Ccp的第二LC电容器Clcb。
开关元件Q，例如薄膜晶体管(TFT)，提供在下面板100上并且具有三个端子：连接到栅线GL的控制端；连接到数据线DL的输入端；以及连接到LC电容器Clce、存储电容器Cste、以及耦合电容器Ccp的输出端。
响应从栅线GL到第一LC电容器Clce和耦合电容器Ccp的栅极信号，开关元件Q传输来自数据线DL的数据电压，而耦合电容器Ccp转换数据电压的幅度并提供给第二LC电容器Clcf。
假设给存储电容器Cste和电容器Clce，Cste，Clcf或Ccp施加公共电压Vcom，它们的电容用相同数字表示，则存储在第一LC电容器Clce内的电压Ve和存储在第二LC电容器Clcf内的电压Vf满足：
Vf＝Ve×[Ccp/(Ccp+Clcf)]
由于Ccp/(Ccp+Clcf)小于1，存储在第二LC电容器Clcf内的电压Vf小于存储在第一LC电容器Clce内的电压Ve。即使施加给存储电容器Cste的电压不是公共电压Vcom，也满足这个关系式。
通过调节耦合电容器Ccp的电容，能获得电压Ve和Vf的期望比率。
将参考图20和21详细地描述根据本发明示范性实施例的图19中所示LC面板组件实例。
图20是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的布局图，而图21是图20内所示LC面板组件沿着线XXI-XXI的剖视图。
LC面板组件包括下面板100、面向下面板100的上面板200、液晶层3、以及一对偏光器12和22。
根据这些实施例的LC面板组件的层状结构与图8-11中所示的结构几乎相同。
关于下面板100，多根栅线121和多根存储电极线131形成在基板110上。每根栅线121包括多个栅电极124和端部129。栅极绝缘层140、多个半导体岛154、以及多对欧姆接触163和165按顺序形成在栅线121上。包括多根数据线171和多个漏电极175的数据导体形成在欧姆接触163、165和栅极绝缘层140上。每根数据线171包括多个源电极173和端部179，而每个漏电极175包括扩展体177。钝化层180形成在数据导体171和175、栅极绝缘层140、以及半导体岛154的暴露部分上。将多个接触孔181，182和185提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。包括子像素电极191e和191f并具有切口92e和92f的多个像素电极191形成在钝化层180上。对准层11形成在像素电极191和钝化层180上。
关于上面板200，阻光件220、多个滤色器230、覆盖层250、具有多个切口71e和71f的公共电极270、以及对准层21形成在绝缘基板210上。
与图8-11中所示的LC面板组件不同，第二子像素电极191f电浮置，而第一子像素电极191e连接到漏电极175。
作为替代，漏电极175的每个扩展体177在第二子像素电极191f下面沿着存储电极线131延伸以交叠第二子像素电极191f。因此，第一子像素电极191e和第二子像素电极191f彼此电容性地耦合以形成耦合电容器Ccp。
钝化层180包括下膜180p和上膜180q。下膜180p可以由无机绝缘体制成，例如氮化硅或氧化硅，而上膜180q可以由有机绝缘体制成。有机绝缘体可以具有光敏性和小于约4.0的介电常数，并且可以提供平坦表面。钝化层180可以具有单层结构，单层结构可以由无机或有机绝缘体制成。
上膜180q具有暴露下膜180p的多个开口187，多个开口187布置在位于第二子像素电极191f之下的漏电极175的扩展体177上。因此，第二子像素电极191f交叠开口187内的扩展体177，其中只有下膜180p插入，因此，与下膜180p和上膜180q都插入的结构相比，耦合电容器Ccp的电容大，从而增加开口率。
图8-11中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图20和21中所示的LC面板组件。
将参考图22和23详细地描述根据本发明示范性实施例的图19中所示LC面板组件的另一实例。
图22是根据本发明示范性实施例的LC面板组件的布局图，而图23是图22内所示LC面板组件沿着线XXIII-XXIII的剖视图。
LC面板组件包括下面板100、面向下面板100的上面板200、液晶层3、以及一对偏光器12和22。
根据这些实施例的LC面板组件的层状结构与图20和22中所示的结构几乎相同。
关于下面板100，多根栅线121和多根存储电极线131形成在基板110上。每根栅线121包括多个栅电极124和端部129。栅极绝缘层140、多个半导体岛154、以及多对欧姆接触(未图示)按顺序形成在栅线121上。包括多根数据线171和多个漏电极175的数据导体形成在欧姆接触和栅极绝缘层140上。每根数据线171包括多个源电极173和端部179。包括下膜180p和上膜180q的钝化层180形成在数据导体171和175、栅极绝缘层140、以及半导体岛154的暴露部分上。将多个接触孔181，182，185和186提供在钝化层180和栅极绝缘层140上。包括具有切口92e和92f的子像素电极191e和191f的多个像素电极191形成在钝化层180上。对准层11形成在像素电极191和钝化层180上。
关于上面板200，阻光件220、多个滤色器230、覆盖层250、具有切口71e和71f的公共电极270、以及对准层21形成在绝缘基板210上。
与图20和21中所示的LC面板组件不同，多对电容电极136形成在基板110上。电容电极136由与栅线121和存储电极线131相同的层构成，并且与栅线121和存储电极线131分开。一对电容电极136关于存储电极线131对称地排列，并且沿着公共电极270的切口71f延伸。电容电极136通过接触孔186连接到第二子像素电极191f。
每个漏电极175包括一个扩展体177和一对从扩展体177分开的分支176。扩展体177沿着存储电极线131延伸到切口71f的弯曲点，而分支从扩展体177末端沿着一对电容电极136延伸以便交叠电容电极136。分支176具有多个大于接触孔186的通孔176H，以便接触孔186可以穿过通孔176H。
分支176和电容电极136形成耦合电容器Ccp，第二子像素电极191f和布置在其下的部分扩展体177也有助于耦合电容。
图20和21中所示的LC面板组件的许多上述特征可以应用于图22和23中所示的LC面板组件。
如上所述，本发明的上述示范性实施例提供适合于各种LCD像素尺寸的子区宽度。这些示范性实施例给出平衡彩色配置，并且利于纵线和斜线的显示。另外，这些示范性实施例进一步提高了开口率、侧面可见度和基准视角。
虽然已经参考示范性实施例对本发明进行了详细描述，本领域技术人员将能理解，能对本发明进行各种修改和替换而不脱离如附属权利要求书中所定义的本发明的本质和范围。