图像显示装置

摘要

以下材料用作包含激活剂的荧光材料的基质：SrxBa1-xGa2S4，其中0

权利要求

1.一种图像显示装置，包括：

对于每个像素，具有至少四种光发射峰值波长彼此不同的荧光体的发光衬底，具有电子源的电子发射衬底，所述电子源激发发光衬底上的荧光体发光，其中四种荧光体之一是包含激活剂和基质的荧光材料，所述基质由以下分子式定义：SrxBa1-xGa2S4

其中0＜x＜1。

2.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，用作激活剂的主成分元素是铕(Eu)。

3.根据权利要求1所述的图像显示装置，其中，x满足：0.03≤x≤0.95。

说明书

图像显示装置

技术领域

[0001] 本发明涉及一种用于图像显示装置中的发光部件的荧光材料、采用这种材料的发光部件和图像显示装置。

[0002] 背景技术

[0003] 近年来为了提高亮度和色彩纯度，已经研究出多种用作显示器中的荧光体的荧光材料。例如“ZnS:Cu，Al”、“ZnS:Ag，Cl”、“Y2O2S:EU”等的荧光材料通常用作CRT中的荧光体。而且，例如Zn2SiO4:Mn和BaMgAl16O17:Eu这样的荧光材料在近几年中用作等离子体显示器的荧光体。

[0004] 另一方面，现在已经研究出一种提供图2所示青色发光范围C以便扩展颜色可再现范围的方法(已经研究了与之相关的荧光材料)，以及一种通过组合图10所示的三原色R、G和B来显示图像的方法。在图10中，附图标记42代表黑矩阵，43到45代表荧光体。在图2中，附图标记2表示黑矩阵，附图标记3至6表示荧光体。

[0005] 例如，日本公开专利申请2003-249174已经提出一种利用由Sr4Al14O25:Eu、Dy代表的青绿色荧光材料来实现更宽的颜色可再现范围的等离子体显示器。另一方面，日本公开专利申请2004-152737提出一种用Sr4Si3O8Cl4表示的青色荧光材料。而日本公开专利申请10-19967公开了一种采用BaGa2S4:Eu荧光材料的EL面板。

[0006] 然而，日本公开专利申请2003-249174中的荧光材料在亮度和显示颜色区域方面不足。按照日本公开专利申请2004-152737的荧光材料在亮度特性和色域范围的扩展方面不足以用作宽色域显示器中的荧光体。已知，人眼的灵敏度(标准光谱亮度效率)最大为555nm。发射光谱距离该灵敏度越近，人所感觉的亮度就越高。已知，日本公开 专利申请
10-19967中提到的荧光材料大约为490nm的发光波长，因此不能提供足够的亮度。 [0007] 这种材料在用于显示器时发光颜色方面不足以显示更宽的色域。

发明内容

[0008] 本发明提供了一种荧光材料，其中在由以下分子式表示的基质中包含激活剂： [0009] SrxBa1-xGa2S4

[0010] 其中0＜x＜1。

[0011] 本发明还提供了一种发光部件，这种发光部件包括衬底和利用至少一种荧光材料形成的荧光体，所述荧光材料设置在衬底上，其中在由以下分子式表示的基质中包含激活剂：

[0012] SrxBa1-xGa2S4

[0013] 其中0＜x＜1。

[0014] 本发明还提供了一种图像显示装置，这种图像显示装置包括上述的发光部件和激发所述发光部件中的荧光体发光的激发源。

[0015] 本发明为此目的提供了一种能够实现高亮度和宽色域显示的荧光材料、一种采用这种荧光材料的发光部件和图像显示装置。

[0016] 从以下参照附图对示范性实施例的描述中，本发明的其它特征将变得显而易见。 附图说明

[0017] 图1表示出按照本发明的荧光材料的发光颜色。

[0018] 图2表示出采用按照本发明的荧光材料的荧光膜的构造。

[0019] 图3是作为按照本发明的图像显示装置的一个实例的FED的截面图。 [0020] 图4示出用于FED的Spindt型电子发射器件。

[0021] 图5是作为按照本发明的图像显示装置的一个实例的FED的透视图。 [0022] 图6示出按照本发明的第四实施例中的青色发光特征。

[0023] 图7示出按照本发明的第五实施例中的青色发光特征。

[0024] 图8是按照本发明的第六实施例中的EL显示器的示意性截面图。

[0025] 图9示出按照本发明的第七实施例中的FED。

[0026] 图10示出常规荧光膜的构造。

[0027] 图11A和11B是应用于本发明的表面传导电子发射器件构造的示意图。 [0028] 图12是采用表面传导电子发射器件的本发明图像显示装置的面板的透视图。 具体实施方式

[0029] 本发明的第一方面提供了一种荧光材料，其中在由以下分子式表示的基质中包含激活剂：

[0030] SrxBa1-xGa2S4，其中0＜x＜1

[0031] 在本发明的荧光材料中，优选的是，用作激活剂的主成分元素是铕(Eu)。 [0032] 本发明的第二方面提供了一种发光部件，这种发光部件包括衬底和设置在其上并至少利用这种荧光材料形成的荧光体。优选的是，按照本发明的发光部件包括所述荧光体以及至少三种光发射峰值波长彼此不同的荧光体。

[0033] 本发明的第三方面提供了一种图像显示装置，这种图像显示装置包括上述的发光部件和激发发光部件中的荧光体发光的激发源。在本发明的图像显示装置中，优选的是，激发源是电子束或紫外线源。

[0034] 以下详细描述本发明的实施例。

[0035] 本发明的荧光材料具有用组成分子式SrxBa1-xGa2S4表示的基质、和用作发光中心的激活剂。优选的是，激活剂主要包括稀土金属。其中代表基质组成比的“x”大于0，但小于1(0＜x＜1)。基质的组成将不会变成SrGa2S4或BaGa2S4。

[0036] 将激活剂的浓度优选地调整到相对于组成基质的元素Sr与Ba 之和的原子百分率为0.01-10。当激活剂主要由稀土金属构成时，主成分元素优选是铕(Eu)，更具体地说，是Eu或Eu化合物。Eu化合物包括铕金属、氯化铕、氟化铕等。

[0037] 通过用紫外线或电子束照射本发明的荧光材料，能够提供高亮度。通过改变基质的组成比x，可将发光颜色从SrGa2S4:Eu的光发射峰值波长532nm改变为BaGa2S4:Eu的光发射峰值波长490nm。发光颜色在此刻的改变表示在图1中，其中xy色度坐标表示CIE颜色坐标系统的二维颜色空间。在该图中，点A表示BaGa2S4:Eu，点B表示SrGa2S4:Eu。连接点A和点B的点划线表示按照本发明的SrxBa1-xGa2S4。如图1所示，通过将Sr和Ba的组成比x调整到所需值，可提供具有大于490nm、小于532nm的光发射峰值波长和高亮度的荧光材料。

[0038] 优选的是，当本发明的荧光材料用于图像显示装置时，从宽色域和高亮度方面看，CIE色度坐标中的x-坐标小，而其中的y-坐标更大些。在这种情况下，基质的组成比x值从0＜x＜1的范围中选择，更优选的是0.03≤x≤0.95。

[0039] 顺便提及，基质的组成比也可用X射线光电子光谱学(XPS)、能量分散X射线能谱学(EDS)、X射线荧光光谱学等来验证。

[0040] 本发明的荧光材料的制造工艺包括使材料粉末混合并结晶的固相结晶过程。现在描述它的一个实例。

[0041] 首先，将硫化锶粉末(SrS)、硫化钡粉末(BaS)、硫化镓粉末(Ga2S3)以及氯化铕粉末(EuCl3)混合。在这一点，例如，粉末可按SrS:BaS:Ga2S:EuCl3≈0.10∶0.58∶1.0∶0.04的重量比进行混合，以获得由分子式Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu表示的组成比。GaS的组成比可用作硫化镓。

[0042] 将以上述方式混合的材料放入用氧化铝等形成的坩锅内，以便在900℃的温度于硫化氢气氛中处理大约3小时，借此使材料结晶。用例如氩、氮或其它气体之类的惰性气体稀释到若干百分比的气体，可用作硫化氢气氛。可以在例如氩、氮这样的惰性气体或其它惰性气体 环境中实施上述结晶过程。

[0043] 根据待使用的材料粉末的粒径和结晶度，制造中的结晶过程温度在700℃-1400℃的范围内。

[0044] 下面描述利用按照本发明的荧光材料形成荧光体的方法。

[0045] 虽然形成荧光体的方法包括蒸汽淀积法、溅射法等，但是在此处举例说明蒸汽淀积法、尤其是具有两个电子束源的电子束蒸汽淀积法。

[0046] 首先，将硫化锶粉末、硫化钡粉末以及氯化铕粉末混合并模制成片形，以形成蒸发源。此外，以与上述相同的方式将硫化镓粉末模制成片形。

[0047] 其次，将这些片形物连同用石英、玻璃、硅等制成的衬底一起布置在蒸汽淀积设备内的理想位置上，并使空气排出。

[0048] 然后，利用两个电子束源的电子束照射上述的蒸汽淀积源，以便使蒸汽淀积源蒸发。在这一点，用电子束剂量来控制每个蒸汽淀积源的蒸发量。例如，可以控制蒸发量以使荧光体的组成比用Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu来表示。如果需要的话，将衬底在50℃-600℃的范围内进行加热。

[0049] 由衬底上形成的荧光材料制成的薄膜在约800℃的温度于硫化氢气氛中进行结晶。此结晶过程容易在衬底上提供Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu荧光体。根据衬底材料等按需从650℃-1200℃的范围中选择最佳的结晶温度。

[0050] 除了硫化氢气体环境之外，还可利用使用氩或氮稀释到若干百分比的硫化氢气氛作为热处理环境。也可以采用例如氩、氮这样的惰性气体或其它惰性气体环境。 [0051] 下面详细描述采用本发明的荧光材料的图像显示装置。

[0052] 以CRT显示器为代表的常规彩色显示器将红(R)、绿(G)和蓝(B)三色荧光体组合，以形成彩色图像。

[0053] 近几年，已经展开扩大显示的颜色可再现范围的研究，以便在显示器上再现更多的颜色和更逼真的颜色。

[0054] 作为针对上述情况的方法，已经完成了这样一种研究：即除了以 上的R、G和B之外，还提供青色(C)(或鲜绿色)的颜色显示区域，来扩大色彩的再现范围。青色荧光材料的发光特征需要在图1所示的CIE色度坐标中具有较小的x-坐标值，较大的y-坐标值。这样可获得具有高亮度和宽色域的显示器。

[0055] 通过使用由按照本发明的荧光材料形成的上述荧光体，可获得具有高亮度和宽色域的显示器。具体地说，以与形成常规CRT显示器、场发射显示器(FED)和表面传导电子发射器件的荧光体相同的方式，利用丝网印刷法在面板上形成黑矩阵，从而形成荧光颗粒。 [0056] 图2表示出发光部件的一个实例，利用本发明的荧光材料形成的荧光体设置在此发光部件的衬底上。图2表示出荧光膜的一个像素的构造。在该图中，附图标记1表示衬底，附图标记2表示黑矩阵的光吸收层等，附图标记3-6表示光发射峰值波长彼此不同的荧光体。如图2所示，在衬底1上至少配备具有620nm-780nm波长区的光发射峰值波长的红色荧光体3、具有500nm-560nm波长区的光发射峰值波长的绿色荧光体4、具有435nm-480nm波长区的光发射峰值波长的蓝色荧光体5、以及利用本发明的荧光材料形成的荧光体6，以便形成具有四色荧光区的发光部件。这些荧光区的顺序和布置并不局限于以上布置。本发明的发光部件可以是，仅形成荧光体6的一色荧光区的发光部件。而且，本发明的发光部件可以是，形成五色或更多色的荧光区(如果需要的话)，以获得具有高亮度和宽色域的显示器。

[0057] 再者，上述的发光部件可配有被施加了给定电位的电极。该电极用例如铝或ITO制成并利用蒸汽淀积工艺或溅射工艺来形成。

[0058] 而且，构成以上红色、绿色和蓝色荧光体的下述ZnS:Cu，Al(绿)、ZnS:Ag，Cl(蓝)、Y2O2S:Eu(红)、SrGa2S4:Eu(绿)、GaS:Eu(红)、Zn2SiO4:Mn(绿)等荧光材料，可以根据发光部件的显示特征彼此适当组合，并进行使用。

[0059] 例如，当Y2O2S:Eu用于红色，SrGa2S4:Eu用于绿色，ZnS:Ag，Cl用于蓝色并使用本发明的Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu时，与以上三种颜色红、绿及蓝的组合相比，显示颜色范围改善了26％。

[0060] SrxBa1-xGa2S4:Eu的最佳组成比可以从待使用的其它三色荧光材料的组合来选择，并且优选地从0.1≤x≤0.8中选择。

[0061] 可以利用包括用本发明的上述荧光材料形成的荧光体的四色荧光体，来生产图3所示的FED。在图3中，附图标记8表示衬底，附图标记9表示阴极，附图标记10表示绝缘层，附图标记11表示栅电极，附图标记12表示绝缘层10的孔，附图标记13表示电子发射区，附图标记14表示衬底，附图标记15表示荧光体，附图标记19表示金属背，附图标记21表示面板。图5是部分切掉从而显示出内部构造的透视图。在该图中，附图标记16表示后板的衬底，附图标记18表示具有黑矩阵2和荧光体15的荧光膜，附图标记23表示电子发射区，附图标记24表示支撑架。图3所示的显示器采用Spindt电子发射器件。图4表示出其中一个器件的构造。该图中所用的附图标记与图3中一样。除了Spindt电子发射器件之外，还可以从MIN型、表面传导型电子发射器件等中选择最佳发射器件作为FED。 [0062] 图11表示出表面传导电子发射器件的构造。图12表示出采用表面传导电子发射器件的本发明图像显示装置面板的示意性构造。图12是部分切掉从而显示出内部构造的透视图。在这些图中，附图标记51表示衬底，附图标记52和53表示器件电极，附图标记54表示导电薄膜，附图标记55表示电子发射区，附图标记62表示固定部件，附图标记63表示间隔件，附图标记64表示X方向布线，附图标记65表示Y方向布线，附图标记66表示电子发射器件。与图5中相同的部件用相同的附图标记来表示。

[0063] 利用本发明的荧光材料形成的荧光体也可应用于电致发光(EL)显示器。 [0064] 如图8所示，以这样的方式生产EL显示器：在玻璃、硅等制成的衬底31上形成用ITO等制成的第一电极层32，在第一电极层32上形成用例如Ta2O5等之类的材料制成的第一介电层33，然后在第一介电层33上依次淀积用由SrxBal-xGa2S4:Eu表示的本发明的荧光材料形成的荧光体薄膜层34、第二介电层35和第二电极层36。

[0065] 通过在上述层叠衬底的两个电极层上施加电压，从荧光体的薄膜层34发射光。 [0066] 实施例

[0067] 以下参照具体实施例来详细描述本发明。

[0068] 第一实施例

[0069] 生产本发明的荧光材料。将硫化锶粉末(SrS)、硫化钡粉末(BaS)、硫化镓粉末(Ga2S3)以及氯化铕粉末(EuCl3)用作材料，并利用研钵混合这些材料。在这一点，将各个粉末在使用前称重，以满足SrS:BaS:Ga2S3:EuCl3≈0.93∶5.8∶10∶0.25的重量比例，从而基质具有由分子式Sr0.2Ba0.8Ga2S4表示的组成。Eu的浓度是Sr+Ba的摩尔浓度的2原子百分率。

[0070] 下一步，将粉末放入用氧化铝制成的坩埚内，布置在用氩稀释至2％的硫化氢气体环境中，并在1000℃结晶3小时。用X-射线荧光法分析以上述方式产生的荧光材料粉末的组成比。

[0071] 结果，证实已经获得组成比为Sr:Ba:Ga:S:Eu≈2.05∶7.98∶20.3∶40.9∶0.42(摩尔分数)的荧光材料。

[0072] 随后，对所生成的荧光材料粉末的发光特征进行评估。通过用350nm紫外线照射2
0.1克粉末而获得的亮度为70cd/m。此亮度为在相同条件下生产的荧光体BaGa2S4:Eu的
1.25倍。用CIE色度坐标表示的发光颜色由(x，y)＝(0.130，0.520)给出。

[0073] 第二实施例

[0074] 在与第一实施例相同的过程中生产组成比不同的荧光材料。与第一实施例的情形一样，用作材料的是硫化锶粉末(SrS)、硫化钡粉末(BaS)、硫化镓粉末(Ga2S3)以及氯化铕粉末(EuCl3)。在这一点，将各个粉末在使用前称重，以满足SrS:BaS:Ga2S3:EuCl3≈1.9∶4.3∶10∶0.25的重量比例，从而基质具有由分子式Sr0.4Ba0.6Ga2S4表示的组成。 [0075] 对用上述工艺获得的荧光材料粉末的发光特征进行评估。通过用350nm紫外线2
照射0.1克粉末而获得的亮度为78cd/m。用CIE色度 坐标表示的发光颜色由(x，y)＝(0.135，0.620)给出。

[0076] 第三实施例

[0077] 利用本发明的荧光材料生产荧光体。具有两个电子束源的EB蒸汽淀积设备用于生产。

[0078] 首先，混 合硫化 锶粉末、硫 化钡粉 末和氯 化铕粉 末，以满足 SrS：BaS:EuCl3≈0.93∶5.8∶0.25的重量比例，从而荧光体具有由分子式Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu表示的组成比，然后将混合的粉末模制成片形，从而生成蒸汽淀积源。类似地，将2克的硫化镓模制成片形，从而生成另一个蒸汽淀积源。

[0079] 其次，将1mm厚、20mm方形石英衬底清洗并随同上述片形物一起布置在蒸汽淀积设备内的所需位置上，并使空气排出。

[0080] 在蒸汽淀积设备内的真空度达到2×10-4Pa时，开始加热石英衬底并将温度维持在100℃。

[0081] 在石英衬底的温度稳定之后，用两个电子束源的电子束照射每个蒸汽淀积源。通过用厚度测试仪监测，将电子束的量控制到所需值。在石英衬底上形成总厚度为0.5μm的薄膜。

[0082] 将在上述过程中形成的薄膜在用氩稀释到2％的硫化氢气氛中于800℃保持30分钟，以便进行结晶，由此生成薄膜荧光体。

[0083] 用350nm的紫外线照射如此制备的薄膜荧光体，以评估发光特征，结果，2
亮度为20cd/m，用CIE色度坐标表示的发光颜色由(x，y)＝(0.133，0.516)给出。用能量分散X-射线光谱学(EDS)分析的薄膜荧光体的组成比是Sr:Ba:Ga:S＝
2.1∶7.85∶21.1∶39.7(摩尔分数)。

[0084] 第四实施例

[0085] 用在第一实施例中生成的荧光材料制备图像显示装置。本实施例的图像显示装置是配有构造如图4所示的器件的FED(如图3所示)。

[0086] 首先，描述作为电子源衬底的后板20的制造方法。

[0087] 利用溅射工艺将作为阴极9的200nm铝淀积在玻璃衬底8上。其次，按顺序利用CVD法淀积600nm的二氧化硅作为绝缘层10，然后利用溅射工艺淀积100nm厚的钛膜作为栅电极11。

[0088] 随后，利用光刻及蚀刻工艺在上述的栅电极11和绝缘层10上形成直径为1μm的孔。

[0089] 其次，将经过上述生产工艺的衬底布置在溅射设备内，对溅射设备实施抽气(evacuation)，然后在衬底8转动的同时对角淀积钼，以形成电子发射区13。此后，通过剥离(lift-off)去除无用的钼，从而形成电子发射区13。利用上述工艺形成后板20。顺便提及，以上描述是针对对应于一个像素的区域做出的，然而，实际上，这样的构造以矩阵形式布置在衬底上。

[0090] 其次，描述作为荧光屏的面板21的产生方法。

[0091] 利用丝网印刷法在玻璃衬底14上形成黑矩阵2，以除去无用的发光表面。此时，在形成图2所示的荧光体3，4，5和6的区域上配备多个孔。

[0092] 将粉末荧光材料分散在粘合剂中并形成糊状，然后将糊通过丝网印刷施加到上述孔，从而形成荧光体15。此时，利用Y2O2S:Eu荧光材料形成红色荧光体3。利用ZnS:Cu，Al荧光材料形成绿色荧光体4。利用ZnS:Ag，Cl荧光材料形成蓝色荧光体5。利用Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu荧光材料形成荧光体6。在与第一实施例相同的条件下生产Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu荧光材料。

[0093] 其次，在经过成膜工艺之后，利用蒸汽淀积工艺淀积100nm厚的铝作为金属背衬19，从而形成面板21。顺便提及，上述描述是针对对应于一个像素的区域做出的，然而，实际上，这样的构造是以矩阵形式布置在衬底上的。

[0094] 如此制造的后板20和面板21彼此组合，从而制得FED。将电子发射区13配置在阴极9与栅电极11交叉的区域中。而且，配置多个电子发射区13的每一个使之对应于图2所示的荧光体3-6中的每一个荧光体。支撑架24设置在后板20与面板21的接合处。 [0095] 高压施加端子Hv与面板21相连。将所施加的电压设定为100kV。

[0096] 在后板20上，信号输入端子Dx1-Dmx以及Dy1-Dmy分别与阴极9和栅电极11相连。信号从驱动电路输入到各端子。

[0097] 制备通过组合红(Y2O2S:Eu)、绿(ZnS:Cu，Al)和蓝(ZnS:Ag，Cl)这三种常规颜色而形成图像的FED，用于对比。

[0098] 在以上工艺中如此生成的显示器的色域示出在图6的CIE色度坐标中。在显示范围的色域方面，可认识到，本发明的FED约比常规技术扩展38％。

[0099] 第五实施例

[0100] 在与第四实施例相同的工艺中生产图3所示的FED。

[0101] 然而，在本实施例中，利用Y2O2S:Eu荧光材料形成红色荧光体，利用SrGa2S4:Eu荧光材料形成绿色荧光体，利用ZnS:Ag，Cl荧光材料形成蓝色荧光体，利用Sr0.4Ba0.6Ga2S4:Eu荧光材料形成另一荧光体。顺便提及，Sr0.4Ba0.6Ga2S4:Eu荧光材料是在与第二实施例中所述相同的条件下制备的。

[0102] 制备通过组合红(Y2O2S:Eu)、绿(ZnS:Cu，Al)和蓝(ZnS:Ag，Cl)这三种常规颜色而形成图像的FED，用于对比。

[0103] 如此制得的显示器的色域，示出在图7的CIE色度坐标中。在显示范围的色域方面，可认识到，本发明的FED约比常规技术扩展57％。

[0104] 第六实施例

[0105] 利用按照本发明的荧光材料生产图8所示EL显示板的器件。

[0106] 利用溅射工艺将100nm厚的ITO淀积在玻璃衬底31上作为第一电极层32，类似地利用溅射工艺在第一电极层32上淀积200nm厚的Ta2O5作为第一介电层33。

[0107] 随后，在上述第一介电层33上形成薄膜荧光层34。以与第三实施例相同的方式形成薄膜荧光层34。利用蒸汽淀积工艺形成薄膜荧光层34，以便使荧光体具有由分子式Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu表示的组成比。

[0108] 利用溅射工艺在上述薄膜荧光层34上淀积200nm厚的Ta2O5作为第二介电层35。 [0109] 在氩气氛中在700℃使上述层叠的衬底进行热处理10分钟，然后利用溅射工艺在第二介电层35上形成200nm厚的ITO作为第二电 极层36。

[0110] 对如此生成的EL面板的器件的发光特征进行评估。

[0111] 通过在上述器件的电极层32和36上施加具有1kHz频率、30μ秒脉冲宽度的信2
号，提供400c d/m 的亮度。用CIE色度坐标表示的发光颜色由(x，y)＝(0.12，0.52)给出。

[0112] 第七实施例

[0113] 利用本发明的荧光材料生产图像显示装置。本实施例的图像显示装置是图9所示的FED。以与第四实施例相同的方式生成后板20。

[0114] 现在描述面板21的生产方法。在玻璃衬底14上形成由荧光材料17和黑矩阵2构成的荧光膜。与第三实施例的情形一样，用EB蒸汽淀积工艺形成荧光体。控制所产生的荧光体17使之具有由分子式Sr0.2Ba0.8Ga2S4:Eu表示的组成比。以与第四实施例中所述相同的方式形成红色、蓝色和绿色荧光体。

[0115] 在利用蒸汽淀积工艺形成荧光膜时，将金属掩模施加到荧光体17上，以便其分离成条形，并且荧光材料不粘附到被掩蔽的区域上。

[0116] 将上述衬底在用氩稀释到1％的硫化氢气氛中于850℃保持30分钟，以便进行结晶。

[0117] 下一步，利用丝网印刷法在上述荧光体分离的区域上形成黑条带2，然后利用EB蒸汽淀积工艺淀积100nm厚的铝(Al)作为金属背衬19，从而形成面板21作为电极。 [0118] 以上述方式形成的后板20和面板21彼此组合，从而制得FED。

[0119] 通过用施加在面板21上的10kV电压驱动后板20，获得高分辨率FED。 [0120] 虽然已经参照示范性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明并不局限于所公开的示范性实施例。对下面权利要求书的范围应给出最宽泛的解释，以便包含所有这样的修改和等同结构及功能。