反铁磁耦合的软底层

摘要

公开了一种依次包含第一软底层、分隔层、第二软底层的磁性记录介质中的反铁磁耦合的软底层，其中分隔层含有非磁性层，并且分隔层的厚度被选择为建立第一软底层和第二软底层之间的反铁磁耦合，而第一软底层和第二软底层的厚度都小于在软底层中形成带状畴的临界厚度。

权利要求

1.一种磁性记录介质中的反铁磁耦合的软磁性底层，其中，所述软磁性底层位于磁性记录介质的衬底之上和磁性记录介质的磁性记录层之下，所述软磁性底层包括：FMLi/[SLi/FMLi+1]n

其中，FMLi和FMLi+1为铁磁层，且其中至少一个铁磁层为无定形的；SLi为非磁性分隔层；以及n＝2至20，并且其中，所述非磁性分隔层SLi的厚度被选择为在FMLi与FMLi+1之间建立一个反铁磁耦合强度的变化率Jex(i)，它从接近磁性记录层的较弱变化到接近衬底的较强。

2.如权利要求1所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于，所述软磁性底层包括：FMLi/IFLi/[SLi/IFLi+1/FMLi+1]n其中，IFLi和IFLi+1是从包括Co、Fe、B、P、Si、C、Zr、Nb、Hf、Ta、Al、Cu、Ag、Au及其合金的组中选出的分界层。

3.如权利要求1所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于，所述分隔层包括Ru。

4.如权利要求1所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于所述磁性记录介质进一步包括位于所述底层与所述磁性记录层之间的间层。

5.如权利要求1所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于所述磁性记录介质进一步包括位于衬底与底层之间的粘合层。

6.如权利要求1所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于所述磁性记录介质进一步包括位于所述磁性记录层之上的碳层。

7.如权利要求1所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于，所述底层内的铁磁层为无定形的。

8.如权利要求1所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于，所述底层内的每个铁磁层的厚度在约40至150nm的范围内。

9.如权利要求8所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于，所述底层内的铁磁层包括含Fe合金，所述含Fe合金的材料选自由Co、B、P、Si、C、Zr、Nb、Hf、Ta、Al、Cu、Ag、Au、及其组合物构成的组。

10.如权利要求1所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于，所述分隔层的厚度在约0.1至2.5nm的范围内。

11.如权利要求10所述的反铁磁耦合的软磁性底层，其特征在于，所述分隔层包括从由Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Re、V及其组合物构成的组中选出的材料。

12.一种制造磁性记录介质中的反铁磁耦合的软磁性底层的方法，包括：在磁性记录介质的衬底之上和磁性记录介质的磁性记录层之下沉积如权利要求1所述的无定形的软磁性底层。

13.一种制造磁性记录介质中的反铁磁耦合的软磁性底层的方法，包括：在磁性记录介质的衬底之上和磁性记录介质的磁性记录层之下沉积如权利要求2所述的无定形的软磁性底层。

14.如权利要求12或13所述的方法，其特征在于所述分隔层包括Ru。

说明书

反铁磁耦合的软底层

技术领域

[0001] 本发明涉及诸如薄膜磁性记录盘等具有垂直记录的垂直记录介质，以及制造该介质的方法。本发明的实施例尤其适用于含有反铁磁耦合软底层的垂直介质。

背景技术

[0002] 已开发了垂直磁性记录系统用于计算机硬盘驱动器，以提供比纵向记录更高的线密度。从Kanu G.Ashar的Magnetic Disk Drive Technology，322(1997)中获得的图1示出了纵向与垂直记录中磁性比特和转变。在纵向记录中，在两个磁性比特之间存在去磁场。这些去磁场往往会分隔比特，从而造成比特间的转变间隔，即，如图1(a)中所示出的那么大的转变参数α。在非常高的比特密度下，限制参数可以是转变区域的长度。垂直记录比特并不彼此相对，因此能够如图1(b)所示地以紧密的距离下对它们进行写入。

[0003] 如Kanu G.Ashar的Magnetic Disk Drive Technology，322(1997)的图2所示，典型的垂直记录磁头包括尾读/写极、与该读/写极磁性耦合的前导返回或反向极、以及围绕写入极的磁轭的导电磁化线圈。如图2所示，垂直记录介质可以包括磁性介质和底层。磁性介质可以是带有竖直定向的磁畴的硬磁性记录层，而底层可以是软磁性底层，从而增强记录磁头场并提供从写入器的尾写入极至前导或反向极的磁通路径。磁通量自写入极尖端通过硬磁性记录磁道进入软底层(SUL)，并穿过反向极。该垂直记录介质还可包括硬记录层和软底层之间的薄间层，以放置硬层和软层之间的交换耦合。软底层在读操作期间也起作用。在读回过程期间，软底层在磁性硬层内产生磁荷的象，从而有效增加了来自该介质的磁通量。这就提供了更高的回放信号。

[0004] 软底层位于记录层下并形成记录磁头的镜象。连同成象头一起，每个记录事件本质上涉及两个磁头；于是，净记录场与用纵向磁头生成的场相比就变得相当大。磁通量从磁头通过SUL流至返回极并两次穿过记录层。返回极通常大大宽于写入 极，以便减低回流通过记录层的磁通密度。尽管如此，有时发现写入也在返回极处发生，结果不仅在被记录磁道上，还在相邻轨道上的数据会被部分擦除，从而导致存储在记录层中的数据的无意擦除。成象质量，以及由此而产生的软底层的有效性和数据的擦除都取决于该软底层的磁导率。为此，需要一种具有形成记录磁头的良好镜象而不会擦除记录层内的数据的软底层的记录介质。

发明内容

[0005] 本发明的实施例涉及具有SUL结构的垂直记录介质，该SUL结构具备反铁磁耦合的SUL设计。该设计允许独立于SUL饱和磁化强度来调节SUL的磁导率，从而在不损害可写性的同时基本防止了记录层的擦除。

[0006] 如将认识到的，本发明能够具有其他和不同的实施例，并且能在各种显而易见的方面对其细节进行修改，所有这些都不背离本发明。因此可以认为附图和说明书本质上是示意性而非限制性的。

附图说明

[0007] 图1示出了(a)纵向和(b)垂直记录比特。

[0008] 图2是带有磁性介质和底层的垂直极头。

[0009] 图3是带有膜结构的本发明垂直记录介质的一个实施例的示意图，其中该膜结构具有衬底、粘合层、AFC软底层、非磁性间层、记录层和碳层。

[0010] 图4(a)-(d)示出了带有FML—铁磁层、SL—分隔层、IFL—分界层、Ru—钌层的AFC SUL结构的不同实施例。

[0011] 图5示出了在本发明一个实施例中作为Ru厚度函数的FeCoB层间的RKKY耦合。 [0012] 图6示出了本发明一个实施例的介质的记录性能在Ru分隔层的厚度低于1.1nm时仍不劣化。

[0013] 图7示出了本发明的一个实施例的介质中的重写在FeCoB层之间的反铁磁耦合增强时减少。

[0014] 图8示出了本发明的一个实施例的介质的擦除在FeCoB层之间的反铁磁耦合增强时得到显著改善。

[0015] 图9示出了在本发明的一个实施例中作为Ru层分隔层函数的没有软底层条状畴的临界厚度。

[0016] 图10示出了在无条状畴的情况下作为按Jex定义的AFC的函数的临界SUL厚度。 [0017] 具体实施方式

[0018] 垂直记录介质在该垂直记录介质的软磁性底层中能具有铁磁和反铁磁耦合。本发明的实施例提供了垂直记录介质的软磁性底层中的反铁磁耦合。本发明的实施例尤其适用于带有记录磁头的磁盘存储系统，其中记录磁头具有能执行读和/或写操作的磁头。铁磁耦合一般指的是在铁磁层或多层结构之间的间接耦合，使得相邻铁磁层或多层结构具有指向大致同一方向的磁化强度。反铁磁耦合一般指的是在铁磁层或多层结构之间的耦合，使得相邻铁磁层或多层结构具有一般指向大致相反方向的磁化强度。

[0019] AF耦合通过测量Jex，即表示两磁性层之间反铁磁耦合强度的系统交换能量密度来估算。在本发明的实施例中，存在着在铁磁层或多层结构之间的反铁磁耦合，使得当铁磁2
层或多层结构之间的Jex值大于零erg/cm 时，相邻铁磁层或多层结构反铁磁耦合。

[0020] 本发明的垂直介质的较佳实施例允许SUL磁导率独立于SUL饱和磁化强度来控制，使得在不损害可写性的情况下能基本防止对磁性层内的数据的擦除。如果改变了SUL内磁性层之间的RKKY相互作用的强度，则自动改变SUL的磁导率(耦合越大、磁导率越
低)。磁导率的下降会降低可写性并同时减少擦除。所以存在一个能在不显著降低可写性的情况下显著减少擦除的最优点。所以改变磁导率是通过改变擦除和可写性来优化介质性能的一种方法。

[0021] 本发明的实施例提供适用于呈现高SMNR的高分布区记录密度的磁性记录介质。本发明的实施例通过形成软底层来实现这些技术优点。“软磁性材料”是易于磁化和去磁的材料。相较于软磁性材料，“硬磁性”材料是不易于磁化也不易于去磁的材料。

[0022] 底层是“软的”是因为它是由以上定义的软磁性材料制成的，将其称为“底层”是因为它位于记录层之下。在一个较佳实施例中，软性层是无定形的。术语“无定形”意味着该底层的材料在X射线衍射图中与背景噪声相比并未呈现出主要锐峰(sharp peak)。本发明实施例的“无定形软底层”包含了无定形相的纳米微晶 或者任何其他形式的材料，只要该材料在X射线衍射图中与背景噪声相比并未呈现出主要锐峰。

[0023] 当通过在盘衬底上进行磁控管溅射来制造软底层时，存在相互竞争以确定底层的净各向异性的若干成分：磁控管的场效应、膜的磁致伸缩以及发自衬底形状的应力等。第一和第二软磁性底层可被制成单层或多层。

[0024] 软磁性层可从靶上沉积，其中靶是通过气体雾化合金粉末工艺(AP)或通过在1200至1550℃之间的温度下铸模并固化成铸块的熔铸材料所制成。随后可在适用于轧制到期望厚度的退火炉内将铸块预热至850至1200℃之间的温度，以供最终加工成精确的目标尺寸。

[0025] 籽晶层(seedlayer)是位于衬底和底层之间的层。适当的籽晶层还能通过促进呈现出磁控管场影响下的短程有序性或呈现出不同磁致伸缩的微结构来控制软底层的各向异性。籽晶层还能改变软底层内的局部应力。

[0026] 优选地，在本发明的实施例的垂直记录介质的底层中，易磁化轴指向与磁头行进方向基本横切的方向。这就意味着易磁化轴所指的方向更偏向与读-写磁头行进方向横切的方向，而不是行进方向。同样优选地，垂直记录介质的底层具有基本径向或横向的各向异性，这就意味着底层的软磁性材料的磁畴所指的方向更偏向与读-写磁头行进方向横切的方向，而不是行进方向。在一个实施例中，与读-写磁头行进方向横切的方向是与记录介质的衬底平面相正交的方向。

[0027] 依据本发明的实施例，可用于本发明实施例的衬底包括玻璃、玻璃-陶瓷、NiP/铝、金属合金、塑料/聚合物材料、陶瓷、玻璃-聚合物、复合材料或其他非磁性材料。玻璃-陶瓷材料一般不呈现结晶表面。玻璃和玻璃-陶瓷通常对冲击呈现高抗性。

[0028] 本发明的一个较佳实施例是一种包括至少两个无定形软底层，且在底层和记录层之间有一分隔层的垂直记录介质。无定形软底层应该优选地由软磁性材料制成，而记录层应该优选地由硬磁性材料制成。相比于其他层，无定形软底层较厚。在无定形软底层和记录层之间的任何层都可被称为间层或中间层。间层可由一个以上非磁性材料层组成。间层的目的是阻止无定形软磁性底层和记录层之间的相互作用。间层还能促进记录层的期望特性。纵向记录介质不具有无定形软磁性底层。因此，纵向介质的这些名为“底层”、“籽晶层”、“亚籽晶层”或“缓冲层”的层在某一程度上相当于垂直介质的中间层。

[0029] 一般通过在惰性气体气氛中进行磁控管溅射，可将底层和磁性记录层顺序溅射沉积在衬底上。通常在带有氮、氢或乙烯的氩气中沉积碳覆盖层。传统的润滑剂外涂层厚度通常小于

[0030] 可被任选添加用作位于衬底和软底层之间的层的籽晶层通常可通过促进呈现出磁控管影响下的短程有序性或者呈现出不同磁致伸缩的微结构来控制软底层的各向异性。籽晶层也能改变软底层内的局部应力。

[0031] 无定形软底层能产生比多晶底层更为平滑的表面。因此，无定形软底层能够成为降低用于高密度垂直磁性记录的磁性记录介质的粗糙度的一种方法。无定形软底层材料包括掺杂Cr并含有Fe合金的底层，其中Fe合金可以是CoFeZr、CoFeTa、FeCoZrB和FeCoB。 [0032] 无定形材料用作软底层材料的另一个优点在于无定形材料没有长程有序性。如果没有长程有序性，无定形合金就基本上不具有磁晶各向异性。使用无定形软底层能够是降低由波纹畴和表面粗糙度所引起噪声的一种方法。无定形软底层的表面粗糙度优选地低于1nm，更优选地低于0.5nm，并且最好能低于0.3nm。

[0033] 根据本发明的各实施例，用于确定不同参数的测试方法如下。如果在下文中未明示确定某参数的具体测试方法，那么该参数就可使用本领域普通技术人员所使用的常规方法来确定。

[0034] 可写性：在本发明的各实施例中，较佳的可写性范围包括高值。

[0035] 剩余磁化强度：在本发明的各实施例中，较佳的饱和磁化强度范围是0.3至2 2
1memu/cm，更优选地为0.4至0.7memu/cm。

[0036] 磁致伸缩λs：在本发明的各实施例中，λs的较佳范围取决于SUL成分。例如，当-5硼含量从8原子％增加至12原子％时，λs(×10 )则位于约5.2至4.4的范围内。

[0037] 应力σ：在本发明的实施例中，σ的较佳范围取决于溅射条件。例如，当溅射压力从约2mTorr增加至约12mTorr时，σ可以在约-400MPa至800MPa的范围内变化，并在随后当溅射压力进一步增加至约15mTorr时降低至约400MPa。参见：C.L. Platt，M.K.Minor，T.J.Klemmer 的“Magnetic and structural properties ofFeCoB thin films”，IEEE Trans.Magn.，第37卷，第2302-2304页，2001年7月。

[0038] 条状畴：它们引入噪声，所以SUL应该没有条状畴。条状畴是在SUL的另外的光学平滑膜内的条状结构。条状畴通过使用带有垂直于采样面磁化的软磁性尖端 的磁力显微术(MFM)来测量。

[0039] Jex：交换能量密度—描述了RKKY相互作用的强度。在本发明中，Jex的较佳值大2 2 2
于零erg/cm，较佳地大于2erg/cm，更优选地位于0和0.5erg/cm 之间，最好位于0和
2
0.2erg/cm 之间。

[0040] 信号与介质噪声比(SMNR)：在本发明的各实施例中，SMNR的较佳范围包括高值。 [0041] 反向重写(rev.OW)：在本发明的各实施例中，rev.OW的较佳范围包括高值。 [0042] 擦除：在本发明的各实施例中，擦除的较佳范围包括低值。

[0043] 图3中示出了本发明的垂直记录介质的一个较佳实施例。该较佳实施例的层结构如下：衬底、粘合层(1)、反铁磁耦合(AFC)软底层(2)、一个或多个非磁性间层(3)、一个或多个记录层(4)和碳层(5)。优选地，AFC软底层包括第一软底层、分隔层和第二软底层。保护性碳层5通常覆盖磁性记录层4。

[0044] 粘合层能包括Cr、CrTi、Ti和NiNb以及其他的促粘合材料。粘合层1的厚度约在0.5nm范围内，优选地在10nm范围内。

[0045] 反铁磁耦合软底层(AFC SUL)包括穿过非磁性分隔层(SL)反铁磁耦合的至少两个铁磁层(FML)。

[0046] AFC SUL可以具有如下几种不同的可能结构：

[0047] (1)FML/SL/FML(调节SL的厚度以建立FML之间的反铁磁耦合)；

[0048] (2)FML/IFL/SL/FML或FML/SL/IFL/FML或FML/IFL/SL/IFL/FML(IFL—用于增强FML之间反铁磁耦合的分界层)(调节SL的厚度以建立FML之间的反铁磁耦合)；

[0049] (3)FML/IFL/n×[SL/IFL/FML](n＝2至20)(调节SL的厚度以建立FML之间的反铁磁耦合)(IFL可以存在或者不存在)；

[0050] (4)FML1/IFL/n×[SLi/IFL/FMLi+1](n＝2至20)(例如：FML1/SL1/FML2/SL2/FML3/SL3/FML4...)(SLi的厚度可以从0到2.5变化以建立FMLi之间的全范围耦合，并且调节至少一个SLi的厚度以建立FMLi和FMLi+1间的反铁磁耦合)(IFL可以存在或者不存在)；以及

[0051] (5)FML1/IFL/n×[SLi/IFL/FMLi+1](n＝2至20)(例如：FML1/SL1/FML2/SL2/FML3/SL3/FML4...)(调节SLi的厚度以使FMLi和FMLi+1间的反铁磁耦合Jex(i)跨 AFC SUL变化从接近层4的较弱到接近衬底的较强)(IFL可以存在或者不存在)。AFC SUL的结构的某些实施例如图4(a)至4(d)所示。

[0052] 铁磁软底层能够包括选择由Fe和一种或多种元素构成的组的合金材料，其中该一种或多种元素选自Co、B、P、Si、C、Zr、Nb、Hf、Ta、Al、Si、Cu、Ag、Au。第一或第二软磁性底层(FML)的厚度优选地在5至400 nm范围内，更优选地在40至150nm范围内。

[0053] 注意到，如果FML的厚度超过某一临界值，则FML内较大的磁致伸缩λs和应力σ就会产生能诱发条状畴形成的垂直各向异性(因为Ku＝3/2λsσ，其中Ku指的是单轴各向异性)。在本发明的过程中，发现FML间的反铁磁耦合能够抑制FML内条状畴的形成。此外，观察到如果反铁磁耦合的强度增加，则FML的临界厚度，即在FML内会形成条状畴的厚度也增大。

[0054] 分隔层几乎可以包括任何非磁性成分，但是也可以包括Ru、Rh、Ir、Cr、Cu、Re、V及其合金。分隔层的厚度在0.1至2.5nm的范围内，优选地在0.3至1nm的范围内。

[0055] 分界层(IFL)可以包括Co、Fe、B、P、Si、C、Zr、Nb、Hf、Ta、Al、Si、Cu、Ag、Au及其合3
金。优选地，该层的磁致伸缩饱和至少应该为800emu/cm。分界层的厚度在约0.1至10nm的范围内，优选地在0.5至2nm的范围内。

[0056] 优选地，间层应该能够致使记录层生长。例如，该层可以包括带有fcc或/和hcp晶体结构的一个或多个层并且具有如下成分：选自Ru、Re、Ir、Cu、Ag、Au、Zr、Hf、Pr、Pd和Ti的一种或多种元素并带有选自W、Mo、Ta、Nb、Cr和V的微量bcc-结构的元素。间层的厚度在约0.2至40nm的范围内，优选地在4至12nm的范围内。

[0057] 记录层可以是一个或多个磁性层。记录层能够在受控的气氛中生长，通常是在Ar或Ar与O2的组合中生长。这一层可以在低于400K的低温下生长(通常该温度范围用于在Ar与O2的组合气氛中溅射的磁性层)，或者可以在通常高于420K并且低于600K的高温下生长。记录层可以包括Co并带有从B、C、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Ni、Cu、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、Hf、Ta、W、Re、Ir、Pt、Au、B和C中选出的一种或多种附加元素。该层还可包括从由B、Mg、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Ge、Y、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、 Ag、Hf、Ta、W、Re、Ir和Pt氧化物构成的组中选出的至少一种氧化材料。例如，CoCrPt+SiO2。磁性层4的厚度在约4至30nm的范围内，优选地在8至20nm的范围内。

[0058] 可任选地，例如如果层2不是无定形的，则无定形层(AmL)就可能存在。该层能够包括具有对其这些材料为非定形的成分的磁性或非磁性材料，例如：FeCoB、CZN、TiδCr100-δ、TaδCr100-δ(30＜δ＜60)、NiTa、NiNb、NiP和CrZr。可任选无定形层的厚度在约0至10nm的范围内，优选地在0.2至20nm的范围内。

[0059] 通过本发明实施例可得到的有益特征将在随后的示例中阐明。

[0060] 示例

[0061] 除了用AC磁控管溅射制造的碳膜之外，在本公开内容中描述的全部样品都用DC磁控管溅射来制造。

[0062] 申请人调 查了带有AFC SUL结 构的垂直粒 状介质：FeCoB[57nm]/Ru/FeCoB[57nm]/Cu/IL/Mag，其中Ru的厚度在0至2.2nm间变化，并且发现FeCoB层之间的
RKKY耦合是Ru厚度的函数，如图5所示。图5描述了Jex是如何随着Ru厚度变化的。因而对于所使用的溅射条件，能实现从0.3±0.2至0.9±0.2nm以及从1.7±0.2至约2.6±0.2
nm的反铁磁耦合。但若溅射条件改变，例如增加Ar溅射压力，则界面粗糙度改变会导致使SUL内的铁磁层反铁磁耦合的不同的Ru厚度值。为此，要求保护使SUL内的铁磁层反铁磁耦合的任何Ru厚度。

[0063] RKKY相互作用的起源是由局部旋转引起的导电电子极化。在与非磁性层的界面处的磁性层的原子(在该界面上局部旋转)极化非磁性层内的导电电子。取决于非磁性层的厚度，交换相互作用能够如图5所示从铁磁性变为非铁磁性。交换很大程度上是一种跨距离出现的最近邻域现象，该距离通常是固体中原子之间的距离(几埃)。如果在两个磁性层之间存在一种材料的一个原子分隔层，就足以(虽然也可使用更厚的分隔层)破坏或进一步稳定由该分隔层分开的两磁性层之间的交换。

[0064] 图6是SMNR与Ru层厚度的关系的曲线图，它示出了如果Ru厚度在1.1nm以下，该介质的记录性就不会劣化。

[0065] 图7是作为具有不同AFC的写入电流SUL的函数的重写曲线图，它示出了当 FeCoB的SUL层之间的反铁磁耦合增加时，该介质中重写的下降。

[0066] 图8是作为按照Jex(erg/cm2)定义的反铁磁耦合的函数的擦除曲线图，它示出了如果FeCoB层的软底层之间的反铁磁耦合增加，则该介质的擦除也显著增加。

[0067] 这样，本发明证明了FeCoB层之间的耦合是防止擦除的重要参数，并且分界层的存在对调节最优记录性能甚为重要。

[0068] 申请人还调查了带有AFC SUL结构的垂直粒状介质：FeCoB[y]/Ru/FeCoB[y]/Cu/IL/Mag，其中Ru的厚度x在0至0.8nm间变化，而FeCoB的厚度则在56至130nm间变化。若单个FeCoB层的厚度超过125nm，则申请人观察到FeCoB层内的条状畴。形成条状畴的厚度被称为条状畴形成的临界厚度。当申请人在两个FeCoB层之间插入约0.85nm厚的Ru层时，每一FeCoB层的临界厚度是70nm。注意到，如果Ru的厚度为约0.85nm，则FeCoB之间的RKKY耦合就可忽略不计。另一方面，当申请人在两个FeCoB层之间插入约0.5nm厚的Ru层时，每一FeCoB层的临界厚度是115nm。临界厚度的这一增加是由于FeCoB层之间穿过0.5nm Ru分隔层的较大反铁磁耦合。于是，申请人就如图9所示证明了AFC SUL可用于在不形成减小Ru层厚度的条状畴的情况下增加带有反铁磁耦合的SUL的总厚度。

[0069] 在图10中，申请人绘出了在无条状畴的情况下作为按Jex定义的AFC的函数的临界SUL厚度。图10示出了临界SUL厚度在起始时与Jex呈线性，但在随后对于较大Jex变化相对平稳。

[0070] 即使未在说明书中逐字陈述精确的范围限制，该申请也公开了支持所公开的数值范围内的任何范围的若干数值范围限制，因为本发明可以在公开的全部数值范围内实现。最后，本专利的整个公开以及该申请中涉及的公布都全文合并在此作为参考。