制备薄膜的方法和制造电子发射器件的方法转让专利
申请号 : CN200610164138.0
文献号 : CN1983495B
文献日 : 2010-10-06
发明人 : 近藤亮史
申请人 : 佳能株式会社
摘要 :
本申请涉及制备薄膜的方法和制造电子发射器件的方法。制备薄膜的方法包括下述步骤：在基板上施加包含有用于形成薄膜的成分的液体；使所述液体干燥以形成薄膜的前体；之后加热所述前体以形成薄膜，其中加热步骤是在水或有机化合物的蒸汽被吸收进薄膜的前体之后进行的。
权利要求 :
1.一种形成薄膜的方法，包括下述步骤：在基板上施加包含有用于形成薄膜的成分的液体；
使所述液体干燥以形成所述薄膜的前体；然后加热所述前体以形成所述薄膜，其中，所述加热步骤是在水蒸汽分压是相对于饱和蒸汽压在百分比20％到99％之间的范围内的条件下在水蒸汽被吸收进所述前体之后进行的，以及其中，进行所述水蒸汽被吸收进所述前体的步骤以使所述前体膨胀。
2.如权利要求1所述的形成薄膜的方法，其中用喷墨法来进行施加所述液体的步骤。
3.一种形成包含电子发射区的电子发射器件的方法，包括下述步骤：按照如权利要求1所述的方法制备薄膜；以及在所述薄膜中形成所述电子发射区。
4.一种形成包含滤色器的有机场致发光器件的方法，包括以下步骤：按照如权利要求1所述的方法制备薄膜；以及在所述薄膜中形成所述滤色器。
5.一种形成薄膜的方法，包括下述步骤：在基板上施加包含有用于形成薄膜的成分的液体；
使所述液体干燥以形成所述薄膜的前体；以及加热所述前体以形成所述薄膜，其中，所述加热步骤是在有机化合物的蒸汽分压是相对于饱和蒸汽压在百分比20％到99％之间的范围内的条件下在有机化合物的蒸汽被吸收进所述前体之后进行的，以及其中，进行所述有机化合物的蒸汽被吸收进所述前体的步骤以使所述前体膨胀。
6.如权利要求5所述的形成薄膜的方法，其中所述有机化合物是有机溶剂。
7.如权利要求5所述的形成薄膜的方法，其中用喷墨法来进行施加所述液体的步骤。
8.一种形成包含电子发射区的电子发射器件的方法，包括下述步骤：按照如权利要求5所述的方法制备薄膜；以及在所述薄膜中形成所述电子发射区。
9.一种形成包含滤色器的有机场致发光器件的方法，包括下述步骤：按照如权利要求5所述的方法制备薄膜；以及在所述薄膜中形成所述滤色器。
说明书 :
技术领域
本发明涉及制备薄膜的方法，该薄膜可用于制造例如电子发射器件、有机场致发光器件等中的薄膜元件或薄膜滤色器，本发明还涉及使用该薄膜制造电子发射器件等的方法。
背景技术
传统上，作为制造电子发射器件的方法，有一种使用日本专利申请公开No.H09-69334中所说明的喷墨方式的方法。
具体地，众所周知的制造方法包括如下步骤：按照喷墨方式在基板上相对的器件电极间施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液滴；使所述液滴干燥以制备导电薄膜的前体；随后热处理(烘烤)所述导电薄膜的前体以形成横跨所述器件电极的导电薄膜。随后对形成的导电薄膜进行给器件电极通电的处理，这被称为形成处理，之后在导电薄膜中形成电子发射区的裂缝。在裂缝形成后，当在所述器件电极之间施加电压时，电子可以从裂缝或裂缝的附近飞出。通常地，表面传导电子发射器件可以通过对基板先进行形成处理，之后对其进行激活操作和/或稳定化操作来获得。
已经知道在一种伴有通过施加上述液滴来进行的导电薄膜制造的制造电子发射器件的方法中，见日本专利申请公开No.H10-3851，施加液滴的氛围的湿度保持在70％或更低。据认为，这样的氛围阻止液滴直径由于液滴的扩散而变化，能改善所获得的导电薄膜的均匀性和可再现性。
但是，由于表面张力，施加到基板上的液滴形成了中心部分的高度最高、向外围的部分变低的横截面形状。甚至通过液滴来获得的所述导电薄膜的横截面形状也具有外围薄的形状。这带来一个问题：当通过通电处理形成电子发射区的裂缝的时候，在外围极薄的区域中很难形成裂缝。换句话说，已知的方法存在一个问题：形成的裂缝没有完全地横穿导电薄膜，倾向于在裂缝的末端留下无裂缝形成的区域。所述无裂缝形成的区域导致对电子发射没有贡献的无效泄漏电流的增加。当这样的电子发射器件用于图像显示单元的构造时，上述的泄漏电流的增加增加了驱动电路的负载且由于电压下降引起图像缺陷。
在日本专利申请公开No.H10-3851中描述的技术使液滴的形状整齐，使导电薄膜具有有充分的可再现性的均匀形状，但是它主要是使平面形状更合适而没有将从上述液滴获得的导电薄膜的横截面形状调整到更合适的形状。因此，所述技术不能根本上解决这个问题：在上述导电薄膜外围的极薄区域很难形成所述裂缝。
另外，上述外围的极薄区域引起电子发射器件中除了导电薄膜之外的薄膜的微观形状的变化，从而可能导致各种问题。
具体地，众所周知的制造方法包括如下步骤：按照喷墨方式在基板上相对的器件电极间施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液滴；使所述液滴干燥以制备导电薄膜的前体；随后热处理(烘烤)所述导电薄膜的前体以形成横跨所述器件电极的导电薄膜。随后对形成的导电薄膜进行给器件电极通电的处理，这被称为形成处理，之后在导电薄膜中形成电子发射区的裂缝。在裂缝形成后，当在所述器件电极之间施加电压时，电子可以从裂缝或裂缝的附近飞出。通常地，表面传导电子发射器件可以通过对基板先进行形成处理，之后对其进行激活操作和/或稳定化操作来获得。
已经知道在一种伴有通过施加上述液滴来进行的导电薄膜制造的制造电子发射器件的方法中，见日本专利申请公开No.H10-3851，施加液滴的氛围的湿度保持在70％或更低。据认为，这样的氛围阻止液滴直径由于液滴的扩散而变化，能改善所获得的导电薄膜的均匀性和可再现性。
但是，由于表面张力，施加到基板上的液滴形成了中心部分的高度最高、向外围的部分变低的横截面形状。甚至通过液滴来获得的所述导电薄膜的横截面形状也具有外围薄的形状。这带来一个问题：当通过通电处理形成电子发射区的裂缝的时候，在外围极薄的区域中很难形成裂缝。换句话说，已知的方法存在一个问题：形成的裂缝没有完全地横穿导电薄膜，倾向于在裂缝的末端留下无裂缝形成的区域。所述无裂缝形成的区域导致对电子发射没有贡献的无效泄漏电流的增加。当这样的电子发射器件用于图像显示单元的构造时，上述的泄漏电流的增加增加了驱动电路的负载且由于电压下降引起图像缺陷。
在日本专利申请公开No.H10-3851中描述的技术使液滴的形状整齐，使导电薄膜具有有充分的可再现性的均匀形状，但是它主要是使平面形状更合适而没有将从上述液滴获得的导电薄膜的横截面形状调整到更合适的形状。因此，所述技术不能根本上解决这个问题：在上述导电薄膜外围的极薄区域很难形成所述裂缝。
另外，上述外围的极薄区域引起电子发射器件中除了导电薄膜之外的薄膜的微观形状的变化，从而可能导致各种问题。
发明内容
本发明的一个目的在于，当通过在基板上施加包含有用于形成薄膜的成分的液滴，使其干燥并对其进行热处理来形成薄膜的时候，适当地调整基板上的薄膜的外围边缘的形状和厚度。
本发明的另一个目的在于使得容易制造泄漏电流量小的电子发射器件。
本发明提供一种制备薄膜的方法，其步骤包括：在基板上施加包含有用于形成薄膜的成分的液体；使所述液体干燥以形成薄膜的前体；之后加热所述前体形成薄膜，其中加热步骤是在吸收水或有机化合物的蒸汽进入薄膜的前体之后进行的。
本发明还提供了一种制造电子发射器件的方法，其步骤包括：在基板上施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液体；使所述液体干燥以形成导电薄膜的前体；之后加热所述导电薄膜的前体形成导电薄膜；在导电薄膜中形成电子发射区，其中加热步骤是在使导电薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽的步骤之后进行的。
通过下面实施例的描述，将明白本发明的更多特征(参照附图)。
本发明的另一个目的在于使得容易制造泄漏电流量小的电子发射器件。
本发明提供一种制备薄膜的方法，其步骤包括：在基板上施加包含有用于形成薄膜的成分的液体；使所述液体干燥以形成薄膜的前体；之后加热所述前体形成薄膜，其中加热步骤是在吸收水或有机化合物的蒸汽进入薄膜的前体之后进行的。
本发明还提供了一种制造电子发射器件的方法，其步骤包括：在基板上施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液体；使所述液体干燥以形成导电薄膜的前体；之后加热所述导电薄膜的前体形成导电薄膜；在导电薄膜中形成电子发射区，其中加热步骤是在使导电薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽的步骤之后进行的。
通过下面实施例的描述，将明白本发明的更多特征(参照附图)。
附图说明
图1A和1B是显示可以通过本发明制造的表面传导电子发射器件的结构的示意性框图，其中图1A是平面图，图1B是在图1A中的线1B-1B处的截面图；
图2是用喷墨法在基板上施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液体的液体施加装置的说明图；
图3是吸收装置的说明图，吸收装置用于使通过在基板上施加液体并使之干燥而形成的导电薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽；
图4A和4B是通过使所述前体吸收水或有机化合物的蒸汽来调整导电薄膜的前体的外围形状到合适的形状的操作说明图；
图4A是通过施加液体到基板上并仅使其干燥来形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图；
图4B是按照下述步骤形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图：施加液体到基板上，使其干燥并进一步使其在蒸汽分压比饱和蒸汽压低的氛围中吸收水或有机化合物的蒸汽；
图5A和5B是通过使所述前体吸收水或有机化合物的蒸汽来调整导电薄膜的前体的整体形状到合适的形状的操作说明图；
图5A是通过施加液体到基板上并仅使其干燥来形成导电薄膜的前体的横截面形状的一个例子的说明图；
图5B是按照下述步骤来形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图：施加液体到基板上，使其干燥并进一步使其在蒸汽分压接近饱和蒸汽压的氛围中吸收水或有机化合物的蒸汽；
图6是在各实施例中制造的电子源基板的示意平面图。
图2是用喷墨法在基板上施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液体的液体施加装置的说明图；
图3是吸收装置的说明图，吸收装置用于使通过在基板上施加液体并使之干燥而形成的导电薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽；
图4A和4B是通过使所述前体吸收水或有机化合物的蒸汽来调整导电薄膜的前体的外围形状到合适的形状的操作说明图；
图4A是通过施加液体到基板上并仅使其干燥来形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图；
图4B是按照下述步骤形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图：施加液体到基板上，使其干燥并进一步使其在蒸汽分压比饱和蒸汽压低的氛围中吸收水或有机化合物的蒸汽；
图5A和5B是通过使所述前体吸收水或有机化合物的蒸汽来调整导电薄膜的前体的整体形状到合适的形状的操作说明图；
图5A是通过施加液体到基板上并仅使其干燥来形成导电薄膜的前体的横截面形状的一个例子的说明图；
图5B是按照下述步骤来形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图：施加液体到基板上，使其干燥并进一步使其在蒸汽分压接近饱和蒸汽压的氛围中吸收水或有机化合物的蒸汽；
图6是在各实施例中制造的电子源基板的示意平面图。
具体实施方式
本发明提供一种制备薄膜的方法，其包括以下步骤：在基板上施加包含有用于形成薄膜的成分的液体；使所述液体干燥以形成所述薄膜的前体；之后加热所述前体形成薄膜，其中加热步骤是在使薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽的步骤之后进行的。
本发明还提供了一种制造电子发射器件的方法，其步骤包括：在基板上施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液体；使所述液体干燥以形成导电薄膜的前体；之后加热所述导电薄膜的前体形成导电薄膜；在导电薄膜中形成电子发射区，其中加热步骤是在使导电薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽的步骤之后进行的。
本发明中蒸汽的吸收是指吸收空气中所含的水或有机化合物。上述有机化合物最好是用在包含有用于形成薄膜的成分的液体中的有机溶剂。
(发明效果)
根据本发明的制备薄膜的方法能够通过使通过干燥液体而形成的薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽来极大地减少倾向于形成在薄膜的外围的极薄的薄膜区，因此能提供在显微尺度也具有合适形状的薄膜。
另外，当根据本发明的制备薄膜的方法用于形成有机场致发光器件中的有机发光薄膜或滤色器中的透光薄膜的时候，所述方法极大地减少了所获得的薄膜之间形状的变化，从而能够极大地减少所述薄膜之间发光特性和透光特性的变化。
另外，当根据本发明的制备薄膜的方法用于形成电子发射器件中的电子发射薄膜时，所述方法极大地减少了所获得的薄膜之间形状的变化，从而能够极大地减少所述薄膜之间电子发射特性的变化。
此外，当根据本发明的制备薄膜的方法用于形成电子发射器件的导电薄膜(其中电子发射区是通过如上所述的通电处理形成的)的时候，，所述方法能够极大地减少易于形成在所获得的导电薄膜的外围的极薄薄膜区；并能提供几乎不引起泄漏电流的电子发射器件，因为所述方法可以防止由于极薄薄膜区而形成无裂缝区。相应地，当根据本发明所获得的电子发射器件用于图像显示单元时，能够形成对驱动电路上产生的负载小且几乎不产生由于电压下降而引起的图像缺陷的图像显示单元。
下面，将参考形成在制造表面传导电子发射器件时使用的导电薄膜的情况来说明本发明。
图1A和1B是显示可以通过本发明制造的表面传导电子发射器件的结构的示意性框图，其中图1A是平面图，图1B是在图1A中的线1B-1B处的截面图。
在上述图1A和1B中，附图标记1表示基板，附图标记2和3表示器件电极，附图标记4表示导电薄膜以及附图标记5表示电子发射区(裂缝)。
可用的基板1包括石英玻璃，具有减少了杂质含量的玻璃如钠减量的玻璃，钠钙玻璃，钠钙玻璃和通过溅镀法叠加在其上的SiO2(二氧化硅)膜的叠层片以及陶瓷片如氧化铝片。
可用于要被布置在基板1上的器件电极2和3的材料是一般的导电材料。所述材料例如包括：金属，如镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铂(Pt)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)和钯(Pd)；这些金属的合金；以及金属如钯(Pd)、砷(As)、银(Ag)、金(Au)、二氧化钌(RuO2)和钯-银(Pd-Ag)。也可以从由金属氧化物和玻璃组成的印刷导体、透明导体如In2O3-SnO2、半导体材料如多晶硅等中合适地选择所述材料。
器件电极2和3之间的距离、器件电极2和3的长度以及导电薄膜4的形状可以根据所获得的电子发射器件使用的现场(field)来合适地设计。
所述器件电极2和3之间的距离最好是从几千埃到几百微米，考虑到器件电极2和3之间要施加的电压，更合适的距离为从1微米到100微米的范围内。考虑到电极的电子发射特性和欧姆值，所述器件电极2和3的长度范围最好是在几微米到几百微米之间。此外，所述器件电极2和3的膜厚度最好从几百埃到几微米，更合适的为在从100埃到1微米的范围内。
在图1A中，器件电极2和3以及导电薄膜4先后按此叙述顺序叠加到基板1上，但所述导电薄膜4以及所述器件电极2和3也可以按这个叙述顺序叠加到基板1上。
导电薄膜4是一种具有导电性的薄膜，其通过根据后面要说明的本发明的方法来制备。组成导电薄膜4的材料例如包括：金属，如钯(Pd)、铂(Pt)、钌(Ru)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、铟(In)、铜(Cu)、铬(Cr)、铁(Fe)、锌(Zn)锡(Sn)、钽(Ta)、钨(W)和铅(Pb)；以及金属氧化物如PdO、SnO2、In203、PbO和Sb203。所述材料也可以包括：金属硼化物如HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4以及GdB4；金属氮化物如TiN、ZrN和HfN；金属碳化物如TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC和WC；半导体如硅和锗；以及碳。
电子发射区5是形成在导电薄膜4的一部分中的裂缝，具有高电阻，其形成要考虑到导电薄膜4的材料、膜质量和膜厚度以及制造方法(如通电形成)。所述电子发射区5内可以包含粒度为1000埃或更小的导电细微粒。所述导电细微粒含有和组成所述导电薄膜4的材料中的部分或所有元素相同的元素。电子发射区5中的导电薄膜4及其附近有时候也包含碳或者碳的化合物。
接下来结合图2和图3来说明一种用于制备前面描述的表面传导电子发射器件中的导电薄膜4的方法。
图2是用喷墨法向基板上施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液体的液体施加装置的说明图，而图3是吸收装置的说明图，吸收装置用于使通过在基板上施加液体并使之干燥而形成的导电薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽。
图2中，附图标记6表示带排放喷嘴7的排放喷头，附图标记8表示基板台，其上安装有基板1，附图标记9表示控制电脑，附图标记10表示控制和驱动喷墨的装置，附图标记11表示位置探测装置，附图标记12表示基板1上要施加液体的一个位置。
首先，用清洁剂、纯净水和有机溶剂充分地清洁基板1。之后，将器件电极材料通过汽相淀积法和溅镀法淀积到基板1上，然后图1中的器件电极2和3例如通过光刻技术形成在基板1上。包含导电薄膜4的成分材料的液体通过以下步骤淀积到基板1上：将上面形成有器件电极2和3的基板1安装到基板台8的预定位置上；之后使安排在基板1上方的排放喷头6的排放喷嘴7向基板1上要施加所述液体的位置12喷出液体。最好是在使基板1进行疏水处理之后才施加液体到基板1上，以防止液体在基板1的表面上扩散或流动。
要被施加到上述基板1上的所述液体包括，例如，含有溶解于或分散于水或有机溶剂中的上述导电薄膜4的成分的金属等的液体。所述液体还可以包括包含所述导电薄膜4的成分的金属的有机金属溶液。
具体地，所述液体是，例如具有溶解于75％(重量)的水和25％(重量)的异丙醇的溶剂中的有机钯配合物的溶液。
另外，图2所示的液体施加装置最好存放在具有预定温度、预定湿度和预定的有机溶剂蒸汽压，同时还受气氛控制装置(未图示)控制的环境中。
用于施加液体的装置最好是喷墨式装置。
喷墨式装置包括压电式装置和热发泡(气泡喷墨，bubble jet(注册商标))式装置。上面所述的压电式装置是喷墨式装置的一种，是一种通过利用给压电元件施加电压时产生的压电元件变形力来形成和喷射液滴的装置。另一方面，类似地，上述气泡式喷墨(注册商标)装置也是喷墨式装置的一种，是一种通过利用加热小空间内的液体而产生的沸腾冲力来形成和喷射液滴的装置。
如上所述，通过在基板台8上的所述基板1上方的排放喷头6上放置的排放喷嘴7喷出上述溶液或分散液(liquid dispersion)而成为液滴，并沉积在基板1上。在上面的步骤中，所述排放喷头6是在所述排放喷头6(排放喷嘴7)和所述基板1处于预定的位置关系时喷射所述液滴的，其中所述预定的位置关系由用于控制和驱动喷墨的装置10来控制，该装置10与位置探测装置11和安装在基板台8上的基板台驱动装置(未图示)协同工作。控制电脑9进行一系列的控制。这样，所述喷墨式装置能够在所述基板1上要施加液滴的预定位置12上沉积所述液滴。还有，所述排放喷头6上装配有一个或多个用于排放所述液滴的排放喷嘴7。
在如上所述施加所述液体到基板1上后，使所述液体干燥以在所述基板1上形成导电薄膜的前体。
随后，具有形成在基板1的上述导电薄膜的前体的所述基板1被装进图3所示的吸收装置的室13中。在所述室13中，所述导电薄膜的前体被暴露在含有蒸发的水或蒸发的有机化合物的气氛中，并吸收所述气氛中的水或有机化合物。
所述室13可以由任何材料制造，只要其能可靠地保持气密性即可。但其最好是由不易生锈且容易确保足够的强度的不锈钢来制造，因为所述室13用于处理水或有机化合物。附图标记14表示基板输入入口，它是用于将基板1通过传送装置(未图示)输送到室13中的开口。另外，附图标记15表示基板输出出口，它是用于将基板1通过传送装置(未图示)从室13输出的出口。所述室13装配有气氛控制装置16用于监控内部温度和湿度并让它们保持在预定值。上面的说明中，所述湿度是包含在所述室中的水或有机化合物在特定温度下的蒸汽压(蒸汽分压)被该温度下的饱和蒸汽压所除的商。
基板1通过上述的基板输入入口14被输送进所述室13中，然后所述基板1上的所述导电薄膜的前体暴露于室13中被设定在预定湿度的气氛中，并吸收水或有机化合物的蒸汽。
接下来，将参照图4A、4B、5A和5B来说明通过使所述导电薄膜的前体吸收所述水和有机化合物的蒸汽来调整所述前体的外围形状和整体形状到更合适的形状的操作。
图4A和4B是通过使所述前体吸收水或有机化合物的蒸汽来调整导电薄膜的前体的外围形状到合适的形状的操作说明图。图4A是通过施加液体到基板上并仅使其干燥来形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图。图4B是通过下述步骤形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图：施加液体到基板上，使其干燥并进一步使其在蒸汽分压比饱和蒸汽压低的气氛中吸收水或有机化合物的蒸汽。图5A和5B是通过使所述前体吸收水或有机化合物的蒸汽来调整导电薄膜的前体的整体形状到合适的形状的操作说明图。图5A是通过施加液体到基板上并仅使其干燥来形成的导电薄膜的前体的横截面形状的一个例子的说明图。图5B是通过下述步骤形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图：施加液体到基板上，使其干燥并进一步使其在蒸汽分压接近饱和蒸汽压的气氛中吸收水或有机化合物。
首先，如图4A所示，当使基板1上的液体干燥时，所述液体中的溶剂或分散媒介蒸发，之后留下固体成分以形成导电薄膜的前体17′。所述导电薄膜的前体17′通过蒸发所述溶剂或分散媒介以及干燥所述液体的处理在该前体外围形成光滑的底缘。
图4A中的虚线圆形中的图形是所述导电薄膜的前体17′的外围部分的放大的形状的示意图。附图标记La表示膜厚度小于等于T的薄区的长度。当在表面传导电子发射器件中存在这样的极薄区域时，所述极薄区域引起泄漏电流，其原因是即使通过使用形成处理来进行裂缝形成过程仍不能获得裂缝。
另一方面，当图4A中的所述导电薄膜的前体17′被置于水或有机化合物的蒸汽分压低于饱和蒸汽压的气氛中并吸收所述蒸汽时，所述横截面形状变成图4B所示的导电薄膜的前体17那样的横截面形状。所述吸收提供了改善形状尤其是外围部分形状的作用。图4B中的虚线圆形中的图形为已经吸收了水或有机化合物的蒸汽的导电薄膜的前体17的外围部分的放大的形状的示意图。附图标记Lb表示膜厚度小于等于T的薄区的长度。从图4A和4B可以清楚地看到，通过使所述导电薄膜的前体17′吸收水或有机化合物的蒸汽使其变成所述导电薄膜的前体17，可以缩短所述薄区的长度使得满足La＞Lb。所述结果的原因据认为是因为所述导电薄膜的前体17′通过吸收所述蒸汽而膨胀，从而将横截面形状调整到合适的形状。
在使所述导电薄膜的前体17′吸收所述蒸汽时，可以使用任何蒸发成分来使其被所述导电薄膜的前体17′吸收，只要该蒸发成分能使所述导电薄膜的前体17′膨胀即可。但一般使用水(蒸汽)。除了水，还可以使用有机化合物，比如乙醇，异丙醇，1，2-亚乙基二醇(乙二醇)以及二甘醇。当使用所述有机化合物作为所述蒸发成分时，所述成分最好是尤其用在包含有用来形成薄膜的成分的液体中的有机溶剂。
当用于使所述导电薄膜的前体17′暴露于其中的气氛中的水或有机化合物的蒸汽分压在某种程度上低于饱和蒸汽压时，有可能只改变所述导电薄膜的前体17′外围的形状，而维持所述导电薄膜的前体17′在暴露于所述气氛之前的大致形状。随着用于使所述导电薄膜的前体17′暴露于其中的气氛中的水或有机化合物的蒸汽分压接近饱和蒸汽压，所述导电薄膜的前体17′的整体形状被调整到一个合适的形状，从而可以在多个所述导电薄膜的前体17′之间使形状均一化。
将进一步参考图5A和5B来说明根据本发明的调整所述整体形状到合适的形状的操作。
如图5A所示，当液体被干燥时，其形成具有如图左侧所示的中间部分升高的形状的导电薄膜的前体17′，或偶而形成具有如图右侧所示的中间部分凹进的形状的导电薄膜的前体17′。当这些导电薄膜的前体17′被暴露于水或有机化合物的蒸汽分压接近饱和蒸汽压的气氛中时，所述两种前体的形状都被调整成具有如图5B所示的大致平坦的上表面的相似的合适的形状。因此，在被干燥时如图5A所示形成不同形状的导电薄膜的前体17′的横截面形状能被均一化为图5B所示的导电薄膜的前体17。
要用于本发明的水或有机化合物的蒸汽分压最好是相对于饱和蒸汽压在百分比20％到99％之间的范围内。顺便说明，通过使所述前体吸收蒸汽而使外围形状或整体形状被调整成合适的形状的所述导电薄膜的前体17即使是在所述基板已经从图3所示的室13中取出且所述前体中的水和有机化合物已经蒸发之后还能保持调整好的形状。
在所述导电薄膜的前体17如上面所描述的已经被调整了之后，对所述前体17进行加热处理以去除包含在其中的有机成分，形成图1A和1B中所述的导电薄膜4。然后，对所述导电薄膜4进行形成处理，以在其中形成电子发射区5(参见图1A和1B)。
通过根据本发明的方法所获得的所述导电薄膜4获得反映导电薄膜的前体17的横截面形状的上述的La＞Lb的关系式，结果缩短了很难形成电子发射区5的裂缝的区域的长度，因此能够最小化泄漏电流的产生。
在已经对所述导电薄膜4进行形成处理之后，通过在存在有机气体的的情况下对器件电极2和3之间施加电压，来对所述导电薄膜4进行一种在电子发射区5上和/或其附近淀积碳的激活操作，或者，如果需要，在高真空环境中对所述导电薄膜4进行一种施加比器件电极2和3之间的驱动电压更高的电压的稳定化操作。通过这些步骤，能够具有高再现度地制造具有所希望的电子发射特性的表面传导电子发射器件。
实施例
实施例1
如图6所示，制备具有矩阵式布线(列方向布线18和行方向布线19)和形成在其上的器件电极2和3的基板1。现在将参考图6、图2和图3来说明所述制备过程。
(1)用玻璃基板作为绝缘基板1；且其被有机溶剂充分清洁并在120℃干燥。在所述基板1上，用铂(Pt)膜形成各具有500微米的电极宽度和20微米的电极间间隙的172800对器件电极2和3的240行、720列的矩阵，且各器件电极2和3连接到相应的布线。作为布线，所采用的矩阵布线由列方向布线18和行方向布线19构成，这些布线被布置为隔着层间绝缘层20相互交叉。
(2)用碱性清洁液体清洁所述基板1，然后使用硅烷基疏水剂对其进行表面处理。
(3)随后，将上述基板1通过吸附安装在图2中的基板台8上，将基板台置于温度设在25℃和湿度设在45％的具有恒定温度和湿度的室中，之后调节所述液体施加位置12。
(4)将含有用以形成导电薄膜4的成分的溶液作为墨水注入排放喷头6。含有机钯的溶液用作此种溶液。
(5)通过位置探测装置11和用于控制和驱动喷墨的装置10按照设计的排放定时向排放喷嘴6发送排放信号，液体被喷射到基板1上，同时在+X方向扫描基板台8。这样，含有机钯的溶液被施加到器件电极2和3之间的空间中，且有一部分施加到基板上1。
(6)在基板1上在普通温度下使液体干燥以获得导电薄膜的前体17′。具有形成在其上的所述导电薄膜的前体17′的基板1被输送进如图3所示的室13中，室内气氛设为温度25℃，湿度65％，基板在室中保持5分钟，然后返回到温度为25℃、湿度为45％的气氛中。
(7)随后，在350℃的温度下加热所述基板1半小时以形成氧化钯导电薄膜4。
(8)对所述导电薄膜4进行在器件电极2和3之间施加电压以在其中形成电子发射区的形成处理，并进一步对其进行激活处理以使电子发射区5具有高的电子发射效率。
对如上所述制造的电子发射器件中的泄漏电流进行了评估，其结果为，如果在器件电极2和3之间施加驱动电压时的电流值为If，施加所述驱动电压的一半电压时的电流值为Ith，则比值If/Ith是1500/1。与此对照，在不进行上述处理(6)的情况下制备的电子发射器件的上述If/Ith比率为150/1，这意味着本实施例中所述泄漏电流下降到1/10。通过将面板、外壳和如上所述述制备的电子源基板结合起来制造显示板，并进一步将驱动电路连接到所述显示板来制造图像形成设备，其结果为，可以高产出地获得所述图像形成设备。
实施例2
本实施例中，制造电子发射器件的方法基本上和实施例1中的情况一样，只是实施例1中步骤(6)使用的所述室13的气氛被控制在温度25℃且湿度80％的条件下。
用导电薄膜4中的电阻评估了所获得的电子发射器件的均匀性，其结果为，所有器件之间的变化系数为3.0％。与此对照，不进行本实施例中的室13中的吸收处理制造的一组电子发射器件显示所述变化系数为10.0％，这意味着在高湿度气氛中的暴露处理将均匀性提高了大约3.3倍。通过将面板、外壳和如上所述述制备的电子源基板结合起来制造显示板，并进一步将驱动电路连接到所述显示板来制造图像形成设备，其结果为，可以高产出地获得具有充分均一性的图像形成设备。
尽管上面结合实施例对本发明进行了描述，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施例。应对所附权利要求的范围作最宽的解释，以涵盖所有的修改和等效的结构与功能。
本发明还提供了一种制造电子发射器件的方法，其步骤包括：在基板上施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液体；使所述液体干燥以形成导电薄膜的前体；之后加热所述导电薄膜的前体形成导电薄膜；在导电薄膜中形成电子发射区，其中加热步骤是在使导电薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽的步骤之后进行的。
本发明中蒸汽的吸收是指吸收空气中所含的水或有机化合物。上述有机化合物最好是用在包含有用于形成薄膜的成分的液体中的有机溶剂。
(发明效果)
根据本发明的制备薄膜的方法能够通过使通过干燥液体而形成的薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽来极大地减少倾向于形成在薄膜的外围的极薄的薄膜区，因此能提供在显微尺度也具有合适形状的薄膜。
另外，当根据本发明的制备薄膜的方法用于形成有机场致发光器件中的有机发光薄膜或滤色器中的透光薄膜的时候，所述方法极大地减少了所获得的薄膜之间形状的变化，从而能够极大地减少所述薄膜之间发光特性和透光特性的变化。
另外，当根据本发明的制备薄膜的方法用于形成电子发射器件中的电子发射薄膜时，所述方法极大地减少了所获得的薄膜之间形状的变化，从而能够极大地减少所述薄膜之间电子发射特性的变化。
此外，当根据本发明的制备薄膜的方法用于形成电子发射器件的导电薄膜(其中电子发射区是通过如上所述的通电处理形成的)的时候，，所述方法能够极大地减少易于形成在所获得的导电薄膜的外围的极薄薄膜区；并能提供几乎不引起泄漏电流的电子发射器件，因为所述方法可以防止由于极薄薄膜区而形成无裂缝区。相应地，当根据本发明所获得的电子发射器件用于图像显示单元时，能够形成对驱动电路上产生的负载小且几乎不产生由于电压下降而引起的图像缺陷的图像显示单元。
下面，将参考形成在制造表面传导电子发射器件时使用的导电薄膜的情况来说明本发明。
图1A和1B是显示可以通过本发明制造的表面传导电子发射器件的结构的示意性框图，其中图1A是平面图，图1B是在图1A中的线1B-1B处的截面图。
在上述图1A和1B中，附图标记1表示基板，附图标记2和3表示器件电极，附图标记4表示导电薄膜以及附图标记5表示电子发射区(裂缝)。
可用的基板1包括石英玻璃，具有减少了杂质含量的玻璃如钠减量的玻璃，钠钙玻璃，钠钙玻璃和通过溅镀法叠加在其上的SiO2(二氧化硅)膜的叠层片以及陶瓷片如氧化铝片。
可用于要被布置在基板1上的器件电极2和3的材料是一般的导电材料。所述材料例如包括：金属，如镍(Ni)、铬(Cr)、金(Au)、钼(Mo)、钨(W)、铂(Pt)、钛(Ti)、铝(Al)、铜(Cu)和钯(Pd)；这些金属的合金；以及金属如钯(Pd)、砷(As)、银(Ag)、金(Au)、二氧化钌(RuO2)和钯-银(Pd-Ag)。也可以从由金属氧化物和玻璃组成的印刷导体、透明导体如In2O3-SnO2、半导体材料如多晶硅等中合适地选择所述材料。
器件电极2和3之间的距离、器件电极2和3的长度以及导电薄膜4的形状可以根据所获得的电子发射器件使用的现场(field)来合适地设计。
所述器件电极2和3之间的距离最好是从几千埃到几百微米，考虑到器件电极2和3之间要施加的电压，更合适的距离为从1微米到100微米的范围内。考虑到电极的电子发射特性和欧姆值，所述器件电极2和3的长度范围最好是在几微米到几百微米之间。此外，所述器件电极2和3的膜厚度最好从几百埃到几微米，更合适的为在从100埃到1微米的范围内。
在图1A中，器件电极2和3以及导电薄膜4先后按此叙述顺序叠加到基板1上，但所述导电薄膜4以及所述器件电极2和3也可以按这个叙述顺序叠加到基板1上。
导电薄膜4是一种具有导电性的薄膜，其通过根据后面要说明的本发明的方法来制备。组成导电薄膜4的材料例如包括：金属，如钯(Pd)、铂(Pt)、钌(Ru)、银(Ag)、金(Au)、钛(Ti)、铟(In)、铜(Cu)、铬(Cr)、铁(Fe)、锌(Zn)锡(Sn)、钽(Ta)、钨(W)和铅(Pb)；以及金属氧化物如PdO、SnO2、In203、PbO和Sb203。所述材料也可以包括：金属硼化物如HfB2、ZrB2、LaB6、CeB6、YB4以及GdB4；金属氮化物如TiN、ZrN和HfN；金属碳化物如TiC、ZrC、HfC、TaC、SiC和WC；半导体如硅和锗；以及碳。
电子发射区5是形成在导电薄膜4的一部分中的裂缝，具有高电阻，其形成要考虑到导电薄膜4的材料、膜质量和膜厚度以及制造方法(如通电形成)。所述电子发射区5内可以包含粒度为1000埃或更小的导电细微粒。所述导电细微粒含有和组成所述导电薄膜4的材料中的部分或所有元素相同的元素。电子发射区5中的导电薄膜4及其附近有时候也包含碳或者碳的化合物。
接下来结合图2和图3来说明一种用于制备前面描述的表面传导电子发射器件中的导电薄膜4的方法。
图2是用喷墨法向基板上施加包含有用于形成导电薄膜的成分的液体的液体施加装置的说明图，而图3是吸收装置的说明图，吸收装置用于使通过在基板上施加液体并使之干燥而形成的导电薄膜的前体吸收水或有机化合物的蒸汽。
图2中，附图标记6表示带排放喷嘴7的排放喷头，附图标记8表示基板台，其上安装有基板1，附图标记9表示控制电脑，附图标记10表示控制和驱动喷墨的装置，附图标记11表示位置探测装置，附图标记12表示基板1上要施加液体的一个位置。
首先，用清洁剂、纯净水和有机溶剂充分地清洁基板1。之后，将器件电极材料通过汽相淀积法和溅镀法淀积到基板1上，然后图1中的器件电极2和3例如通过光刻技术形成在基板1上。包含导电薄膜4的成分材料的液体通过以下步骤淀积到基板1上：将上面形成有器件电极2和3的基板1安装到基板台8的预定位置上；之后使安排在基板1上方的排放喷头6的排放喷嘴7向基板1上要施加所述液体的位置12喷出液体。最好是在使基板1进行疏水处理之后才施加液体到基板1上，以防止液体在基板1的表面上扩散或流动。
要被施加到上述基板1上的所述液体包括，例如，含有溶解于或分散于水或有机溶剂中的上述导电薄膜4的成分的金属等的液体。所述液体还可以包括包含所述导电薄膜4的成分的金属的有机金属溶液。
具体地，所述液体是，例如具有溶解于75％(重量)的水和25％(重量)的异丙醇的溶剂中的有机钯配合物的溶液。
另外，图2所示的液体施加装置最好存放在具有预定温度、预定湿度和预定的有机溶剂蒸汽压，同时还受气氛控制装置(未图示)控制的环境中。
用于施加液体的装置最好是喷墨式装置。
喷墨式装置包括压电式装置和热发泡(气泡喷墨，bubble jet(注册商标))式装置。上面所述的压电式装置是喷墨式装置的一种，是一种通过利用给压电元件施加电压时产生的压电元件变形力来形成和喷射液滴的装置。另一方面，类似地，上述气泡式喷墨(注册商标)装置也是喷墨式装置的一种，是一种通过利用加热小空间内的液体而产生的沸腾冲力来形成和喷射液滴的装置。
如上所述，通过在基板台8上的所述基板1上方的排放喷头6上放置的排放喷嘴7喷出上述溶液或分散液(liquid dispersion)而成为液滴，并沉积在基板1上。在上面的步骤中，所述排放喷头6是在所述排放喷头6(排放喷嘴7)和所述基板1处于预定的位置关系时喷射所述液滴的，其中所述预定的位置关系由用于控制和驱动喷墨的装置10来控制，该装置10与位置探测装置11和安装在基板台8上的基板台驱动装置(未图示)协同工作。控制电脑9进行一系列的控制。这样，所述喷墨式装置能够在所述基板1上要施加液滴的预定位置12上沉积所述液滴。还有，所述排放喷头6上装配有一个或多个用于排放所述液滴的排放喷嘴7。
在如上所述施加所述液体到基板1上后，使所述液体干燥以在所述基板1上形成导电薄膜的前体。
随后，具有形成在基板1的上述导电薄膜的前体的所述基板1被装进图3所示的吸收装置的室13中。在所述室13中，所述导电薄膜的前体被暴露在含有蒸发的水或蒸发的有机化合物的气氛中，并吸收所述气氛中的水或有机化合物。
所述室13可以由任何材料制造，只要其能可靠地保持气密性即可。但其最好是由不易生锈且容易确保足够的强度的不锈钢来制造，因为所述室13用于处理水或有机化合物。附图标记14表示基板输入入口，它是用于将基板1通过传送装置(未图示)输送到室13中的开口。另外，附图标记15表示基板输出出口，它是用于将基板1通过传送装置(未图示)从室13输出的出口。所述室13装配有气氛控制装置16用于监控内部温度和湿度并让它们保持在预定值。上面的说明中，所述湿度是包含在所述室中的水或有机化合物在特定温度下的蒸汽压(蒸汽分压)被该温度下的饱和蒸汽压所除的商。
基板1通过上述的基板输入入口14被输送进所述室13中，然后所述基板1上的所述导电薄膜的前体暴露于室13中被设定在预定湿度的气氛中，并吸收水或有机化合物的蒸汽。
接下来，将参照图4A、4B、5A和5B来说明通过使所述导电薄膜的前体吸收所述水和有机化合物的蒸汽来调整所述前体的外围形状和整体形状到更合适的形状的操作。
图4A和4B是通过使所述前体吸收水或有机化合物的蒸汽来调整导电薄膜的前体的外围形状到合适的形状的操作说明图。图4A是通过施加液体到基板上并仅使其干燥来形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图。图4B是通过下述步骤形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图：施加液体到基板上，使其干燥并进一步使其在蒸汽分压比饱和蒸汽压低的气氛中吸收水或有机化合物的蒸汽。图5A和5B是通过使所述前体吸收水或有机化合物的蒸汽来调整导电薄膜的前体的整体形状到合适的形状的操作说明图。图5A是通过施加液体到基板上并仅使其干燥来形成的导电薄膜的前体的横截面形状的一个例子的说明图。图5B是通过下述步骤形成的导电薄膜的前体的横截面形状的说明图：施加液体到基板上，使其干燥并进一步使其在蒸汽分压接近饱和蒸汽压的气氛中吸收水或有机化合物。
首先，如图4A所示，当使基板1上的液体干燥时，所述液体中的溶剂或分散媒介蒸发，之后留下固体成分以形成导电薄膜的前体17′。所述导电薄膜的前体17′通过蒸发所述溶剂或分散媒介以及干燥所述液体的处理在该前体外围形成光滑的底缘。
图4A中的虚线圆形中的图形是所述导电薄膜的前体17′的外围部分的放大的形状的示意图。附图标记La表示膜厚度小于等于T的薄区的长度。当在表面传导电子发射器件中存在这样的极薄区域时，所述极薄区域引起泄漏电流，其原因是即使通过使用形成处理来进行裂缝形成过程仍不能获得裂缝。
另一方面，当图4A中的所述导电薄膜的前体17′被置于水或有机化合物的蒸汽分压低于饱和蒸汽压的气氛中并吸收所述蒸汽时，所述横截面形状变成图4B所示的导电薄膜的前体17那样的横截面形状。所述吸收提供了改善形状尤其是外围部分形状的作用。图4B中的虚线圆形中的图形为已经吸收了水或有机化合物的蒸汽的导电薄膜的前体17的外围部分的放大的形状的示意图。附图标记Lb表示膜厚度小于等于T的薄区的长度。从图4A和4B可以清楚地看到，通过使所述导电薄膜的前体17′吸收水或有机化合物的蒸汽使其变成所述导电薄膜的前体17，可以缩短所述薄区的长度使得满足La＞Lb。所述结果的原因据认为是因为所述导电薄膜的前体17′通过吸收所述蒸汽而膨胀，从而将横截面形状调整到合适的形状。
在使所述导电薄膜的前体17′吸收所述蒸汽时，可以使用任何蒸发成分来使其被所述导电薄膜的前体17′吸收，只要该蒸发成分能使所述导电薄膜的前体17′膨胀即可。但一般使用水(蒸汽)。除了水，还可以使用有机化合物，比如乙醇，异丙醇，1，2-亚乙基二醇(乙二醇)以及二甘醇。当使用所述有机化合物作为所述蒸发成分时，所述成分最好是尤其用在包含有用来形成薄膜的成分的液体中的有机溶剂。
当用于使所述导电薄膜的前体17′暴露于其中的气氛中的水或有机化合物的蒸汽分压在某种程度上低于饱和蒸汽压时，有可能只改变所述导电薄膜的前体17′外围的形状，而维持所述导电薄膜的前体17′在暴露于所述气氛之前的大致形状。随着用于使所述导电薄膜的前体17′暴露于其中的气氛中的水或有机化合物的蒸汽分压接近饱和蒸汽压，所述导电薄膜的前体17′的整体形状被调整到一个合适的形状，从而可以在多个所述导电薄膜的前体17′之间使形状均一化。
将进一步参考图5A和5B来说明根据本发明的调整所述整体形状到合适的形状的操作。
如图5A所示，当液体被干燥时，其形成具有如图左侧所示的中间部分升高的形状的导电薄膜的前体17′，或偶而形成具有如图右侧所示的中间部分凹进的形状的导电薄膜的前体17′。当这些导电薄膜的前体17′被暴露于水或有机化合物的蒸汽分压接近饱和蒸汽压的气氛中时，所述两种前体的形状都被调整成具有如图5B所示的大致平坦的上表面的相似的合适的形状。因此，在被干燥时如图5A所示形成不同形状的导电薄膜的前体17′的横截面形状能被均一化为图5B所示的导电薄膜的前体17。
要用于本发明的水或有机化合物的蒸汽分压最好是相对于饱和蒸汽压在百分比20％到99％之间的范围内。顺便说明，通过使所述前体吸收蒸汽而使外围形状或整体形状被调整成合适的形状的所述导电薄膜的前体17即使是在所述基板已经从图3所示的室13中取出且所述前体中的水和有机化合物已经蒸发之后还能保持调整好的形状。
在所述导电薄膜的前体17如上面所描述的已经被调整了之后，对所述前体17进行加热处理以去除包含在其中的有机成分，形成图1A和1B中所述的导电薄膜4。然后，对所述导电薄膜4进行形成处理，以在其中形成电子发射区5(参见图1A和1B)。
通过根据本发明的方法所获得的所述导电薄膜4获得反映导电薄膜的前体17的横截面形状的上述的La＞Lb的关系式，结果缩短了很难形成电子发射区5的裂缝的区域的长度，因此能够最小化泄漏电流的产生。
在已经对所述导电薄膜4进行形成处理之后，通过在存在有机气体的的情况下对器件电极2和3之间施加电压，来对所述导电薄膜4进行一种在电子发射区5上和/或其附近淀积碳的激活操作，或者，如果需要，在高真空环境中对所述导电薄膜4进行一种施加比器件电极2和3之间的驱动电压更高的电压的稳定化操作。通过这些步骤，能够具有高再现度地制造具有所希望的电子发射特性的表面传导电子发射器件。
实施例
实施例1
如图6所示，制备具有矩阵式布线(列方向布线18和行方向布线19)和形成在其上的器件电极2和3的基板1。现在将参考图6、图2和图3来说明所述制备过程。
(1)用玻璃基板作为绝缘基板1；且其被有机溶剂充分清洁并在120℃干燥。在所述基板1上，用铂(Pt)膜形成各具有500微米的电极宽度和20微米的电极间间隙的172800对器件电极2和3的240行、720列的矩阵，且各器件电极2和3连接到相应的布线。作为布线，所采用的矩阵布线由列方向布线18和行方向布线19构成，这些布线被布置为隔着层间绝缘层20相互交叉。
(2)用碱性清洁液体清洁所述基板1，然后使用硅烷基疏水剂对其进行表面处理。
(3)随后，将上述基板1通过吸附安装在图2中的基板台8上，将基板台置于温度设在25℃和湿度设在45％的具有恒定温度和湿度的室中，之后调节所述液体施加位置12。
(4)将含有用以形成导电薄膜4的成分的溶液作为墨水注入排放喷头6。含有机钯的溶液用作此种溶液。
(5)通过位置探测装置11和用于控制和驱动喷墨的装置10按照设计的排放定时向排放喷嘴6发送排放信号，液体被喷射到基板1上，同时在+X方向扫描基板台8。这样，含有机钯的溶液被施加到器件电极2和3之间的空间中，且有一部分施加到基板上1。
(6)在基板1上在普通温度下使液体干燥以获得导电薄膜的前体17′。具有形成在其上的所述导电薄膜的前体17′的基板1被输送进如图3所示的室13中，室内气氛设为温度25℃，湿度65％，基板在室中保持5分钟，然后返回到温度为25℃、湿度为45％的气氛中。
(7)随后，在350℃的温度下加热所述基板1半小时以形成氧化钯导电薄膜4。
(8)对所述导电薄膜4进行在器件电极2和3之间施加电压以在其中形成电子发射区的形成处理，并进一步对其进行激活处理以使电子发射区5具有高的电子发射效率。
对如上所述制造的电子发射器件中的泄漏电流进行了评估，其结果为，如果在器件电极2和3之间施加驱动电压时的电流值为If，施加所述驱动电压的一半电压时的电流值为Ith，则比值If/Ith是1500/1。与此对照，在不进行上述处理(6)的情况下制备的电子发射器件的上述If/Ith比率为150/1，这意味着本实施例中所述泄漏电流下降到1/10。通过将面板、外壳和如上所述述制备的电子源基板结合起来制造显示板，并进一步将驱动电路连接到所述显示板来制造图像形成设备，其结果为，可以高产出地获得所述图像形成设备。
实施例2
本实施例中，制造电子发射器件的方法基本上和实施例1中的情况一样，只是实施例1中步骤(6)使用的所述室13的气氛被控制在温度25℃且湿度80％的条件下。
用导电薄膜4中的电阻评估了所获得的电子发射器件的均匀性，其结果为，所有器件之间的变化系数为3.0％。与此对照，不进行本实施例中的室13中的吸收处理制造的一组电子发射器件显示所述变化系数为10.0％，这意味着在高湿度气氛中的暴露处理将均匀性提高了大约3.3倍。通过将面板、外壳和如上所述述制备的电子源基板结合起来制造显示板，并进一步将驱动电路连接到所述显示板来制造图像形成设备，其结果为，可以高产出地获得具有充分均一性的图像形成设备。
尽管上面结合实施例对本发明进行了描述，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施例。应对所附权利要求的范围作最宽的解释，以涵盖所有的修改和等效的结构与功能。